JPS60117415A - 薄膜型磁気記録媒体 - Google Patents
薄膜型磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS60117415A JPS60117415A JP22471883A JP22471883A JPS60117415A JP S60117415 A JPS60117415 A JP S60117415A JP 22471883 A JP22471883 A JP 22471883A JP 22471883 A JP22471883 A JP 22471883A JP S60117415 A JPS60117415 A JP S60117415A
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- Japan
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- area
- film layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は磁気テープ、磁気ディスク等の薄膜型磁気記録
媒体に関するものである。
媒体に関するものである。
従来例の構成とその問題点
近年、薄膜型磁気記録媒体は高密度磁気記録媒体として
注目され、次第に実用化されつつある。
注目され、次第に実用化されつつある。
薄膜型磁気記録媒体の電磁変換特性は従来用いられてき
た塗布型磁気記録媒体の電磁変換特性と較べ、高密度記
録時に非常に優れた特性を示すことは良く知られている
が磁気記録媒体としての実用２べ−ご 化の高槻々な実用特性の向上が望壕れた。実用特性の向
上には大別すると １ 表面形状の制御 ２ 塗布による実用特性の向上 ３ 素材、材料の改善 等が考えられるが、本発明は表面形状の制御に関するも
のである。 ” 一般に高密度磁気記録においてはスペーシングロスによ
る記録・再生時の損失が非常に重要となる為、表面性の
改善が望まれる。しかし表面性が改善されると一方では
電磁変換特性がなされるものの、もう一方では走行性の
悪化、耐久性の悪化となる。この為、電磁変換特性と走
行性、耐久性を両立させる為に様々な表面形状が検討さ
れた。
た塗布型磁気記録媒体の電磁変換特性と較べ、高密度記
録時に非常に優れた特性を示すことは良く知られている
が磁気記録媒体としての実用２べ−ご 化の高槻々な実用特性の向上が望壕れた。実用特性の向
上には大別すると １ 表面形状の制御 ２ 塗布による実用特性の向上 ３ 素材、材料の改善 等が考えられるが、本発明は表面形状の制御に関するも
のである。 ” 一般に高密度磁気記録においてはスペーシングロスによ
る記録・再生時の損失が非常に重要となる為、表面性の
改善が望まれる。しかし表面性が改善されると一方では
電磁変換特性がなされるものの、もう一方では走行性の
悪化、耐久性の悪化となる。この為、電磁変換特性と走
行性、耐久性を両立させる為に様々な表面形状が検討さ
れた。
以下に従来の薄膜型磁気記録媒体について説明する。
第１図は従来の薄膜型磁気記録媒体の断面図を示すもの
であり、１は基板で、２は形状賦与物で、３は少なくと
も磁性層を含む薄膜層である。第１図に示した様に比較
的表面性のよい基板１を用い３ ると共に、形状賦与物２を用いて表面性を制御すること
により、電磁変換特性と走行性、耐久性を両立させるこ
とが可能である。しかしながら上記の構成では、２３℃
５０％ＲＨという通常環境においては電磁変換特性と走
行性、面１久性を両立させているが、例えば４０℃９６
％ＲＨといった苛酷な環境においては電磁変換特性及び
走行性は良好であるが、耐久性は十分ではないという問
題点を有していた。
であり、１は基板で、２は形状賦与物で、３は少なくと
も磁性層を含む薄膜層である。第１図に示した様に比較
的表面性のよい基板１を用い３ ると共に、形状賦与物２を用いて表面性を制御すること
により、電磁変換特性と走行性、耐久性を両立させるこ
とが可能である。しかしながら上記の構成では、２３℃
５０％ＲＨという通常環境においては電磁変換特性と走
行性、面１久性を両立させているが、例えば４０℃９６
％ＲＨといった苛酷な環境においては電磁変換特性及び
走行性は良好であるが、耐久性は十分ではないという問
題点を有していた。
発明の目的
本発明は上記問題点を解消するもので、例えば４０℃９
５％ＲＨといった苛酷な環境においても電磁変換特性と
走行性、耐久性を両立させた薄膜型磁気記録媒体を提供
するものである。
５％ＲＨといった苛酷な環境においても電磁変換特性と
走行性、耐久性を両立させた薄膜型磁気記録媒体を提供
するものである。
発明の構成
本発明は基板上に形成された形状賦刃物と少なくともそ
の形状賦与物上に形成された磁性層を含む薄膜層とを有
し、形状賦与物によって形成された薄膜層の凸部面積が
形状賦与物の面積の４倍以上である薄膜型磁気記録媒体
であり、苛酷な環境においても電磁変換特性と走行性、
耐久性を両立させることのできるものである。
の形状賦与物上に形成された磁性層を含む薄膜層とを有
し、形状賦与物によって形成された薄膜層の凸部面積が
形状賦与物の面積の４倍以上である薄膜型磁気記録媒体
であり、苛酷な環境においても電磁変換特性と走行性、
耐久性を両立させることのできるものである。
実施例の説明
以下本発明の実施例てついて、図面を参照しながら説明
する。
する。
第２図は本発明の実施例における薄膜型磁気記録媒体の
基本構成を示す断面図である。第２図において４は基板
、５は形状賦与物、６は少なくとも磁性層を含む薄膜層
である。
基本構成を示す断面図である。第２図において４は基板
、５は形状賦与物、６は少なくとも磁性層を含む薄膜層
である。
基板４上に配された形状賦与物５により、第２図に示さ
れた様に少なくとも磁性層を含む薄膜層６の表面は形状
賦与物５０大きさよりも少々くとも４倍以上の広い面積
で凸部６ａを形成している。
れた様に少なくとも磁性層を含む薄膜層６の表面は形状
賦与物５０大きさよりも少々くとも４倍以上の広い面積
で凸部６ａを形成している。
なおここで言う面積とは基板方向に対する投影面積を言
うものである。
うものである。
とこで基板４としてはプラスチック、金属、酸化物、窒
化物等の材料から適宜選択される。形状賦与物５はプラ
スチック、酸化物、窒化物、金属等の材料からなる核単
独、又は核とバインダー材料から適宜選択される。薄膜
層６は金属、酸化物。
化物等の材料から適宜選択される。形状賦与物５はプラ
スチック、酸化物、窒化物、金属等の材料からなる核単
独、又は核とバインダー材料から適宜選択される。薄膜
層６は金属、酸化物。
５ ′−：’
窒化物又はそれらの混合物の単層又は複層の薄膜層であ
り、少なくとも磁性層を含んでおり、薄膜層６の形成方
法としてはスパンタ法、真空蒸着法。
り、少なくとも磁性層を含んでおり、薄膜層６の形成方
法としてはスパンタ法、真空蒸着法。
イオンブレーティング法、メッキ法等から適宜選択され
る。又薄膜層６は、上記薄膜層に加え防錆剤、笛１．研
磨剤等を含む場合もある。基板４０表面粗さは平均粗さ
１０００Å以下であることが望捷しく、更に望捷しくは
３００Å以下である。
る。又薄膜層６は、上記薄膜層に加え防錆剤、笛１．研
磨剤等を含む場合もある。基板４０表面粗さは平均粗さ
１０００Å以下であることが望捷しく、更に望捷しくは
３００Å以下である。
形状賦与物５の核の大きさは２０〜１０００Å以下であ
ることが望ましく、更に望ましくは４０〜４００人であ
り、核の分布密度は望ましくは１〜１０００個／μｍ２
であり、更に望ましくは１０〜１００個／μｍ２である
。薄膜層６の膜厚は５００〜５０００八が望捷しく、磁
性層の膜厚は５Ｑ○〜２０００人が望ましい。
ることが望ましく、更に望ましくは４０〜４００人であ
り、核の分布密度は望ましくは１〜１０００個／μｍ２
であり、更に望ましくは１０〜１００個／μｍ２である
。薄膜層６の膜厚は５００〜５０００八が望捷しく、磁
性層の膜厚は５Ｑ○〜２０００人が望ましい。
第１図と第２図において薄膜層の凸部面積は大きく異な
るが、このような凸部面積の差は薄膜層の形成条件、例
えば真空蒸着法、イオンブレーティング法、スパッタリ
ング法においてばＡｒ、Ｈｅ等の雰囲気ガスを制御する
ことにより可能である。
るが、このような凸部面積の差は薄膜層の形成条件、例
えば真空蒸着法、イオンブレーティング法、スパッタリ
ング法においてばＡｒ、Ｈｅ等の雰囲気ガスを制御する
ことにより可能である。
６１°−ミ゛
以上のように構成された薄膜型磁気記録媒体は、形状賦
与物の核付近においてはパ９．キングファクターが低く
空隙部が存在するものと推察され、このような空隙部の
存在により基板部に伝達される応力が低下し、耐久性が
向上するものと推察される。
与物の核付近においてはパ９．キングファクターが低く
空隙部が存在するものと推察され、このような空隙部の
存在により基板部に伝達される応力が低下し、耐久性が
向上するものと推察される。
以下に本発明のさらに具体的な実施例を説明する。
（実施例１）
基板として厚み１ｏμ？？＋ 、平均粗さ５０人のポリ
エチレンテレフタレートを用い、形状賦与物として、平
均粒径２００人のＳｉ０２粒子とバイロン樹脂をイソプ
ロピルアルコール中に混合し塗布した。混合液中の８１
０２粒子は濃度２００ ｐｐｍ、バイロン樹脂は濃度１
１００ｐｐ で形成された粒子密度は４０個／μｍ２で
あった。次に直径５００ＴＭｌの円筒キャンに沿ってｃ
ｏ−Ｎｉ（２０ｗｔ％）を接線方向から最小入射角４０
０捷で３０ ｗ／ｍｉｎで蒸着した。磁気特性を得る為
に酸素ガスを導入し蒸着部近傍での真空度を１×１０−
’ Ｔｏｒ ｒ Ｋ保ちながら膜７−２ 厚８００人蒸着して磁気テープを作成し試料Ａを得た。
エチレンテレフタレートを用い、形状賦与物として、平
均粒径２００人のＳｉ０２粒子とバイロン樹脂をイソプ
ロピルアルコール中に混合し塗布した。混合液中の８１
０２粒子は濃度２００ ｐｐｍ、バイロン樹脂は濃度１
１００ｐｐ で形成された粒子密度は４０個／μｍ２で
あった。次に直径５００ＴＭｌの円筒キャンに沿ってｃ
ｏ−Ｎｉ（２０ｗｔ％）を接線方向から最小入射角４０
０捷で３０ ｗ／ｍｉｎで蒸着した。磁気特性を得る為
に酸素ガスを導入し蒸着部近傍での真空度を１×１０−
’ Ｔｏｒ ｒ Ｋ保ちながら膜７−２ 厚８００人蒸着して磁気テープを作成し試料Ａを得た。
次に前述の条件に加え、接線方向での蒸着部近傍にＡｒ
ガスを導入し、Ａｒガス流量を０．０５゜０．１，０．
１５ 、 Ｏ−２＋０．２５ 、０ 、３Ｎ ｌ ／ｍ
ｉｎ導入し、それぞれ試料Ｂ、Ｃ，Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇを得
た。試料を４０℃９５％環境下で回転シリンダーを有す
るデツキにより耐久性を測定した。試料Ａの耐久性を基
準にそれぞれの試料の相対的な耐久性を第３図に示す。
ガスを導入し、Ａｒガス流量を０．０５゜０．１，０．
１５ 、 Ｏ−２＋０．２５ 、０ 、３Ｎ ｌ ／ｍ
ｉｎ導入し、それぞれ試料Ｂ、Ｃ，Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇを得
た。試料を４０℃９５％環境下で回転シリンダーを有す
るデツキにより耐久性を測定した。試料Ａの耐久性を基
準にそれぞれの試料の相対的な耐久性を第３図に示す。
又、それぞれの試料の表面状態を走査型電子顕微鏡によ
り観察したところ、Ｓ１０゜を核とした薄膜の凸部はほ
ぼ円型をしており、薄膜層の凸部の平均直径を測定し、
その値から薄膜層の凸部の平均面積をめた。この平均面
積と４０℃９５％における相対的耐久性との関係を第４
図に示す。なお、試料Ａ〜Ｇについてフェライトヘッド
を使った回転シリンダーを用いた磁気記録再生装置にお
いて、テープとヘッドの相対速度を４ｎ１／ＳｅＣ、記
録周波数５加で測定したところ各試料の出力差は１ｄＢ
以内であり、測定誤差範囲内で、電磁変換特性は同等で
あり、又各種環境での初期走行性も同等であった。
り観察したところ、Ｓ１０゜を核とした薄膜の凸部はほ
ぼ円型をしており、薄膜層の凸部の平均直径を測定し、
その値から薄膜層の凸部の平均面積をめた。この平均面
積と４０℃９５％における相対的耐久性との関係を第４
図に示す。なお、試料Ａ〜Ｇについてフェライトヘッド
を使った回転シリンダーを用いた磁気記録再生装置にお
いて、テープとヘッドの相対速度を４ｎ１／ＳｅＣ、記
録周波数５加で測定したところ各試料の出力差は１ｄＢ
以内であり、測定誤差範囲内で、電磁変換特性は同等で
あり、又各種環境での初期走行性も同等であった。
第３図から明らかな様に薄膜層の凸部の平均面積が、形
状賦与物の面積の４倍以上の時、４０℃９５％ＲＨ環境
下での耐久性は向上した。さらに望ましくは薄膜層の凸
部の面積が形状賦与物の面積の１０倍以上であれば耐久
性は大幅に向上する。
状賦与物の面積の４倍以上の時、４０℃９５％ＲＨ環境
下での耐久性は向上した。さらに望ましくは薄膜層の凸
部の面積が形状賦与物の面積の１０倍以上であれば耐久
性は大幅に向上する。
以上のように、本実施例によれば薄膜層の凸部面積が形
状賦与物の面積の４倍以上であれば、電磁変換特性、走
行性を満足しながら耐久性を向上させることができる。
状賦与物の面積の４倍以上であれば、電磁変換特性、走
行性を満足しながら耐久性を向上させることができる。
（実施例２）
基板として厚み３０μｍ１平均粗さ１５０人の芳香族ポ
リアミドを用い、形状賦与物として平均粒径３００人の
ポリウレタン粒子を粒子密度２０／μｍ２に塗布した。
リアミドを用い、形状賦与物として平均粒径３００人の
ポリウレタン粒子を粒子密度２０／μｍ２に塗布した。
次に高周波スパッタ法により膜厚２ｏｏＯ人のパーマロ
イ薄膜を形成し、さらにその上に０．ＩＴｏｒｒのＡｒ
雰囲気中で１ＫＷで膜厚５０００人のＣｏ−Ｃｒ （２
０Ｗ ｔ％）薄膜を形成して磁気ディスクを作成し、試
料Ｈを得た。次にＡｒ分圧を０．１Ｔｏｒｒのま−１に
保ちＨｅガスを混入し９ノ′−ジ た状態で１ＫＷで膜厚５０００人のｃｏ−Ｃｒ（２０ｗ
ｔ ％ ）薄膜を形成して磁気ディスクを作成し、試
料工〜Ｎを得た。試料Ｉ作成時のＨｅ分圧は０．ＩＴａ
ｒｔ、試料Ｉは０．２Ｔｏｒｒ、試料にはｏ、５Ｔｏｒ
ｒ、試料りはｏ、４Ｔｏｒｒ、試料Ｍは０．５Ｔｏｒｒ
、試料Ｎはｏ、ｅ’ｒｏｒｒであった。試料を４０℃９
５％環境下での相対的な耐久性を試料Ｈの耐久性を基準
に評価した。又、それぞれの試料の表面状態を走査型電
子顕微鏡により観察したところ、ポリウレタン粒子を核
とした薄膜の凸部は円型をしており、薄膜の凸部の平均
直径を測定し、その値から薄膜層の凸部の平均面積をめ
た。薄膜層の凸部の平均面積と４ｏ℃９ｔｓ％での耐久
性の相関を第４図に示す。なお試料）（、Ｉ、Ｔ、に、
Ｌ、Ｍ、Ｎの記録再生特性を記録波長０．５７１ｍでフ
ェライトリングヘッドを用いて調べたところ各試料の再
生出力差は１ｄＢ以内であり測定誤差範囲内で、電磁変
換特性は同等であり、又、各種環境での初期走行性も同
等であった。
イ薄膜を形成し、さらにその上に０．ＩＴｏｒｒのＡｒ
雰囲気中で１ＫＷで膜厚５０００人のＣｏ−Ｃｒ （２
０Ｗ ｔ％）薄膜を形成して磁気ディスクを作成し、試
料Ｈを得た。次にＡｒ分圧を０．１Ｔｏｒｒのま−１に
保ちＨｅガスを混入し９ノ′−ジ た状態で１ＫＷで膜厚５０００人のｃｏ−Ｃｒ（２０ｗ
ｔ ％ ）薄膜を形成して磁気ディスクを作成し、試
料工〜Ｎを得た。試料Ｉ作成時のＨｅ分圧は０．ＩＴａ
ｒｔ、試料Ｉは０．２Ｔｏｒｒ、試料にはｏ、５Ｔｏｒ
ｒ、試料りはｏ、４Ｔｏｒｒ、試料Ｍは０．５Ｔｏｒｒ
、試料Ｎはｏ、ｅ’ｒｏｒｒであった。試料を４０℃９
５％環境下での相対的な耐久性を試料Ｈの耐久性を基準
に評価した。又、それぞれの試料の表面状態を走査型電
子顕微鏡により観察したところ、ポリウレタン粒子を核
とした薄膜の凸部は円型をしており、薄膜の凸部の平均
直径を測定し、その値から薄膜層の凸部の平均面積をめ
た。薄膜層の凸部の平均面積と４ｏ℃９ｔｓ％での耐久
性の相関を第４図に示す。なお試料）（、Ｉ、Ｔ、に、
Ｌ、Ｍ、Ｎの記録再生特性を記録波長０．５７１ｍでフ
ェライトリングヘッドを用いて調べたところ各試料の再
生出力差は１ｄＢ以内であり測定誤差範囲内で、電磁変
換特性は同等であり、又、各種環境での初期走行性も同
等であった。
第４図から明らかな様に薄膜層の凸部面積が形１０７″
−ミ゛ 状賦与物の面積の４倍以上の時、４０℃９５ ％ＲＨ環
境下での耐久性は向上した。さらに望ましくは薄膜層の
凸部面積が形状賦与物の面積の１０倍以上であれば耐久
性は大幅に向上する。
−ミ゛ 状賦与物の面積の４倍以上の時、４０℃９５ ％ＲＨ環
境下での耐久性は向上した。さらに望ましくは薄膜層の
凸部面積が形状賦与物の面積の１０倍以上であれば耐久
性は大幅に向上する。
以上のように、本実施例によれば薄膜の凸部面積が形状
賦与物の面積の４倍以上であれば、電磁変換特性、走行
性を満足しながら耐久性を向上させることができる。
賦与物の面積の４倍以上であれば、電磁変換特性、走行
性を満足しながら耐久性を向上させることができる。
なお、本実施例では２種類の磁性材料について、具体的
に効果を示したが、本発明を構成する前述の他の材料の
組み合わせにおいても、又他の磁性材料においても同様
の効果を有することを確認した。
に効果を示したが、本発明を構成する前述の他の材料の
組み合わせにおいても、又他の磁性材料においても同様
の効果を有することを確認した。
発明の効果
以上のように本発明は、基板上に形成された形状賦与物
と、少なくともその形状賦与物上に形成された磁性層を
含む薄膜層とを有し、形状賦与物によって形状賦与物の
面積の４倍以上の面積の薄膜層の凸部を設けることによ
り、苛酷な環境においても電磁変換特性を走行性、耐久
性を両立させ１１ ｌ＋−ジ た薄膜型磁気記録媒体を得ることができ、その実用的効
果は大きい。
と、少なくともその形状賦与物上に形成された磁性層を
含む薄膜層とを有し、形状賦与物によって形状賦与物の
面積の４倍以上の面積の薄膜層の凸部を設けることによ
り、苛酷な環境においても電磁変換特性を走行性、耐久
性を両立させ１１ ｌ＋−ジ た薄膜型磁気記録媒体を得ることができ、その実用的効
果は大きい。
第１図は従来の薄膜型磁気記録媒体を示す断面図、第２
図は本発明の実施例における薄膜型磁気記録媒体を示す
断面図、第３図ないし第４図は本発明の実施例における
薄膜層の凸部の面積と４゜℃９５％ＲＨでの耐久性との
関係を示す特性図である。 ４・・・・基板、５・・・・・・形状賦与物、６・・・
・・薄膜層、６ａ・・・・・・凸部。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３図 ｆＩｒ−カ・・スジ賢ノ１ 第４図 傳Ｈ先層の５仲の平均に積
図は本発明の実施例における薄膜型磁気記録媒体を示す
断面図、第３図ないし第４図は本発明の実施例における
薄膜層の凸部の面積と４゜℃９５％ＲＨでの耐久性との
関係を示す特性図である。 ４・・・・基板、５・・・・・・形状賦与物、６・・・
・・薄膜層、６ａ・・・・・・凸部。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３図 ｆＩｒ−カ・・スジ賢ノ１ 第４図 傳Ｈ先層の５仲の平均に積
Claims (1)
- 基板上に形成された形状賦与物と、少なくともその形状
賦与物上に形成された磁性層を含む薄膜層とを有し、前
記形状賦与物によって形成された薄膜層の凸部面積が前
記形状賦与物の面積の４倍以上であることを特徴とする
薄膜型磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22471883A JPS60117415A (ja) | 1983-11-29 | 1983-11-29 | 薄膜型磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22471883A JPS60117415A (ja) | 1983-11-29 | 1983-11-29 | 薄膜型磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60117415A true JPS60117415A (ja) | 1985-06-24 |
| JPH0576087B2 JPH0576087B2 (ja) | 1993-10-21 |
Family
ID=16818156
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22471883A Granted JPS60117415A (ja) | 1983-11-29 | 1983-11-29 | 薄膜型磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60117415A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62256215A (ja) * | 1986-04-28 | 1987-11-07 | Hoya Corp | 磁気記録媒体 |
| JPH0227516A (ja) * | 1988-07-15 | 1990-01-30 | Tdk Corp | 磁気記録媒体 |
| JPH0258729A (ja) * | 1988-08-24 | 1990-02-27 | Nec Corp | 磁気ディスク基板およびその製造方法 |
-
1983
- 1983-11-29 JP JP22471883A patent/JPS60117415A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62256215A (ja) * | 1986-04-28 | 1987-11-07 | Hoya Corp | 磁気記録媒体 |
| JPH0462413B2 (ja) * | 1986-04-28 | 1992-10-06 | Hoya Corp | |
| JPH0227516A (ja) * | 1988-07-15 | 1990-01-30 | Tdk Corp | 磁気記録媒体 |
| JPH0258729A (ja) * | 1988-08-24 | 1990-02-27 | Nec Corp | 磁気ディスク基板およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0576087B2 (ja) | 1993-10-21 |
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