JP7459715B2 - 磁気記録媒体用基板、磁気記録媒体及び磁気記憶装置 - Google Patents
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Description
本発明は、磁気記録媒体用基板、磁気記録媒体及び磁気記憶装置に関する。
磁気記録媒体用の基板（磁気記録媒体用基板）として、例えば、アルミニウム基板、ガラス基板等が広く使用されている。このうち、磁気記録媒体用基板としてアルミニウム基板を用いる場合、磁気記録媒体用基板の表面硬度及び剛性等を高めるため、アルミニウム基板の表面にはＮｉＰ系合金皮膜等の非磁性皮膜が形成されている。
アルミニウム基板上に非磁性皮膜を形成した磁気記録媒体用基板として、例えば、非磁性基体上に、ニッケル８５．２～８９．１重量％、リン１０．７～１３重量％、モリブデン０．２～１．８重量％の組成を有する非晶質のＮｉ－Ｐ－Ｍｏ合金皮膜を形成したものが開示されている（例えば、特許文献１参照）。
ここで、近年の磁気記録媒体の小型化、薄板化、高記録密度化に伴い、記憶容量を高めることができる次世代の磁気記録媒体として、１Ｔｂｉｔ／ｉｎｃｈ２クラスの面記録密度を実現することが可能なアシスト磁気記録媒体が注目されている。アシスト磁気記録媒体は、磁気記録媒体用基板の表面に、ＦｅＰｔ合金、ＣｏＰｔ合金等のＬ１０型結晶構造を有する合金を含む磁性層を形成している。磁気記録媒体用基板の表面に磁性層を形成するためには、磁気記録媒体用基板を３００℃よりも高い温度に加熱する必要がある。
しかしながら、特許文献１の技術では、Ｎｉ－Ｐ－Ｍｏ合金皮膜を３００℃よりも高い温度で加熱した場合、Ｎｉ－Ｐ－Ｍｏ合金皮膜の組成が変化し易く、耐熱性が十分でないといえる。そのため、Ｎｉ－Ｐ－Ｍｏ合金皮膜の表面に生じる微少な膨れの数が増加したり、表面のうねりが大きくなり、Ｎｉ－Ｐ－Ｍｏ合金皮膜の表面の平滑性が低くなる可能性が高い。磁気記録培媒体用基板の表面の平滑性が低いと、磁気記憶装置の使用時に磁気ヘッドと磁気記録媒体とが接触し易くなるという問題がある。
本発明の一態様は、このような事情に鑑みてなされたものであり、耐熱性が高い磁気記録媒体用基板を提供することを目的とする。
本発明の一態様に係る磁気記録媒体用基板は、アルミニウム合金基板と、前記アルミニウム合金基板の少なくとも一方の主面に設けられたニッケル合金被膜とを備え、前記ニッケル合金被膜が、Ｍｏを０．５ｗｔ％～３ｗｔ％、Ｐを１１ｗｔ％～１５ｗｔ％、Ｆｅを０．０００１ｗｔ％～０．００１ｗｔ％含む。
本発明の一態様によれば、耐熱性が高い磁気記録媒体用基板を提供することができる。
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。なお、説明の理解を容易にするため、各図面において同一の構成要素に対しては同一の符号を付して、重複する説明は省略する。また、図面における各部材の縮尺は実際とは異なる場合がある。本明細書において数値範囲を示すチルダ「～」は、別段の断わりがない限り、その前後に記載された数値を下限値及び上限値として含むことを意味する。
＜磁気記録媒体用基板＞
本発明の実施形態に係る磁気記録媒体用基板について説明する。図１は、本実施形態に係る磁気記録媒体用基板の一例を示す斜視図であり、図２は、磁気記録媒体用基板の一例を示す部分断面図である。図１及び図２に示すように、本実施形態に係る磁気記録媒体用基板１は、磁気記録媒体用アルミニウム合金基板（以下、単に、「アルミニウム合金基板」という）１１と、アルミニウム合金基板１１の表面に形成されているニッケル合金被膜１２とを有する。磁気記録媒体用基板１は、円板状に形成され、平面視においてその中心部分に開口部を有している。
本発明の実施形態に係る磁気記録媒体用基板について説明する。図１は、本実施形態に係る磁気記録媒体用基板の一例を示す斜視図であり、図２は、磁気記録媒体用基板の一例を示す部分断面図である。図１及び図２に示すように、本実施形態に係る磁気記録媒体用基板１は、磁気記録媒体用アルミニウム合金基板（以下、単に、「アルミニウム合金基板」という）１１と、アルミニウム合金基板１１の表面に形成されているニッケル合金被膜１２とを有する。磁気記録媒体用基板１は、円板状に形成され、平面視においてその中心部分に開口部を有している。
［アルミニウム合金基板］
アルミニウム合金基板１１は、Ｍｇ及びＣｒを含む添加元素と、残部Ａｌとを含有し、不可避不純物を含有してもよい。
アルミニウム合金基板１１は、Ｍｇ及びＣｒを含む添加元素と、残部Ａｌとを含有し、不可避不純物を含有してもよい。
Ｍｇは、アルミニウム合金基板１１の機械的強度を向上させる機能を有する。Ｍｇの含有量は、好ましくは２ｗｔ％～７ｗｔ％であり、より好ましくは３．５ｗｔ％～５．０ｗｔ％である。Ｍｇの含有量が上記の好ましい範囲内であれば、高温での材質強化の効果を有し、熱間押出等の加工を容易に行うことができる。また、延性及び靭性の低下を抑えることができるため、押出加工を確実に行うことができる。
Ｃｒは、高温での強度を向上させると共に、押出加工を改善させる機能を有する。Ｃｒの含有量は、好ましくは０．０２ｗｔ％～０．３ｗｔ％であり、より好ましくは０．０５ｗｔ％～０．２５ｗｔ％である。Ｃｒの含有量が上記の好ましい範囲内であれば、高温での強度向上の効果が得られると共に、押出加工を行い易くすることができる。
アルミニウム合金基板１１は、添加元素として、Ｍｇ及びＣｒの他に、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｖ、Ｚｒ、Ｍｏ及びＣｏからなる群から選択される１種以上を含むことができる。アルミニウム合金基板１１は、Ｚｎを０．０１ｗｔ％～０．５ｗｔ％含んでいてもよいし、Ｚｎの他に、さらに、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｖ、Ｚｒ、Ｍｏ及びＣｏのうちの１種以上を０．０１ｗｔ％～０．５ｗｔ％含んでいてもよい。
不可避不純物は、原料及び製造工程から不回避的に混入する不純物であり、Ｂ、Ｐ等が挙げられる。本実施形態において、例えば、不可避不純物として、ＢやＰを含む場合、Ｂを０．０１ｗｔ％未満含んでもよいし、Ｐを０．１ｗｔ％未満含んでもよい。
アルミニウム合金基板１１は、円板状に形成され、平面視においてその中心部分に開口部を有している。
アルミニウム合金基板１１は、規格化された磁気記憶装置（ハードディスクドライブ）等に収納できることが好ましい。そのため、アルミニウム合金基板の直径、開口部及び厚さは、磁気記憶装置の大きさ等に応じて適宜任意に選択する。
アルミニウム合金基板１１の直径は、例えば、５３ｍｍ～９７ｍｍであることが好ましい。アルミニウム合金基板１１は、磁気記憶装置の磁気記録媒体に使用される。磁気記録媒体は、規格化された磁気記憶装置、即ち２．５インチの磁気記憶装置、３．５インチの磁気記憶装置等に収納することができる必要がある。例えば、２．５インチの磁気記憶装置では、最大直径で約６７ｍｍの磁気記録媒体が用いられ、３．５インチの磁気記憶装置では、最大直径で約９７ｍｍの磁気記録媒体が用いられる。そのため、アルミニウム合金基板１１の直径が５３ｍｍ～９７ｍｍであれば、任意の規格化された磁気記憶装置内に収容することができる。
アルミニウム合金基板１１の開口部の内径は、１９ｍｍ～２６ｍｍとすることが好ましい。磁気記録媒体用基板１の開口部は、磁気記憶装置の駆動シャフトが挿入される部分である。磁気記録媒体用基板１の開口部の内径が１９ｍｍ～２６ｍｍであれば、任意の規格化された磁気記憶装置の駆動シャフトが挿入することができる。
アルミニウム合金基板１１の厚さは、０．２ｍｍ～０．９ｍｍとすることが好ましい。磁気記憶装置では、記録容量を増加させるために、ケース内に収納する磁気記録媒体の枚数を増やすることが有効である。例えば、通常の３．５インチの磁気記憶装置では、厚さ１．２７ｍｍの磁気記録媒体が最大で５枚収納されているが、磁気記録媒体を６枚以上収納することができれば、記録容量を増加させることが可能となる。そのため、アルミニウム合金基板１１の厚さが、０．２ｍｍ～０．９ｍｍであれば、磁気記憶装置のケース内に多くの枚数の磁気記録媒体を収容することができる。
（アルミニウム合金基板の製造方法）
アルミニウム合金基板１１は、公知の方法で製造することができる。アルミニウム合金基板１１は、例えば、アルミニウム合金鋳塊を作製する鋳造工程と、アルミニウム合金鋳塊を板状に圧延してアルミニウム合金板材を得る圧延工程と、アルミニウム合金板材をアルミニウム合金基板１１に成形する加工工程とを含む方法によって製造することができる。
アルミニウム合金基板１１は、公知の方法で製造することができる。アルミニウム合金基板１１は、例えば、アルミニウム合金鋳塊を作製する鋳造工程と、アルミニウム合金鋳塊を板状に圧延してアルミニウム合金板材を得る圧延工程と、アルミニウム合金板材をアルミニウム合金基板１１に成形する加工工程とを含む方法によって製造することができる。
鋳造工程では、成分の分量を調整したアルミニウム合金材料を加熱溶融してアルミニウム合金を鋳造し、アルミニウム合金鋳塊を作製する。
アルミニウム合金を鋳造する方法としては、例えば、ダイレクトチル鋳造法（ＤＣ鋳造法）、連続鋳造法（ＣＣ）等のアルミニウム合金の鋳塊方法として用いられている公知の方法を用いることができる。ＤＣ鋳造法は、アルミニウム合金の溶湯を鋳型に注湯した後、鋳型を直接冷却水に接触させて、アルミニウム合金鋳塊を鋳造する方法である。ＣＣ法は、アルミニウム合金の溶湯を連続的に鋳型に注湯して、鋳型内で急速冷却する方法である。
圧延工程では、上記の鋳造工程で得られたアルミニウム合金鋳塊を板状に圧延してアルミニウム合金板材を得る。
圧延方法としては、特に制限はなく、熱間圧延法及び冷間圧延法を用いることができる。圧延の条件には、特に制限はなく、アルミニウム合金鋳塊の圧延で行われている通常の条件とすることができる。
加工工程では、圧延工程で得られたアルミニウム合金板材を加工して、アルミニウム合金基板１１に成形する。
まず、圧延工程で得られたアルミニウム合金板材を円盤状に打ち抜いて、アルミニウム合金円盤を得る。次いで、アルミニウム合金円盤を、３００℃～５００℃で、０．５時間～５時間加熱して、焼鈍する。焼鈍することによって、アルミニウム合金円盤に内在する歪が緩和し、得られるアルミニウム合金基板の剛性を適正な範囲内に調整することができる。
その後、焼鈍したアルミニウム合金円盤の表面、端面を、切削工具を用いて切削加工する。これにより、規定の寸法の中心に開口部を有する円盤状のアルミニウム合金基板１１が得られる。
切削工具としては、例えば、ダイヤモンドバイトを用いることができる。
なお、加工工程では、焼鈍は切削加工後に行ってもよい。
［ニッケル合金被膜］
ニッケル合金被膜１２は、上述の通り、アルミニウム合金基板１１の表面に形成されている。すなわち、ニッケル合金被膜１２は、アルミニウム合金基板１１の、両方の主面（上面及び下面）とその端面とに形成されている。なお、ニッケル合金被膜１２は、一方の主面にのみ形成されていてもよい。
ニッケル合金被膜１２は、上述の通り、アルミニウム合金基板１１の表面に形成されている。すなわち、ニッケル合金被膜１２は、アルミニウム合金基板１１の、両方の主面（上面及び下面）とその端面とに形成されている。なお、ニッケル合金被膜１２は、一方の主面にのみ形成されていてもよい。
ニッケル合金被膜１２は、磁気記録媒体用基板１の表面の硬さを高めて、磁気記録媒体用基板１の強度を向上させると共に、磁気記録媒体用基板１の表面を平坦化する機能を有する。
ニッケル合金被膜１２は、Ｍｏ、Ｐ及びＦｅを添加成分として含み、かつ残部Ｎｉを有するＮｉＭｏＰ系合金めっき被膜である。ニッケル合金被膜１２をＮｉＭｏＰ系合金めっき被膜で形成することで、磁気記録媒体用基板１の表面の硬さと平坦とを向上させることができる。
ニッケル合金被膜１２は、添加元素として、Ｍｏ、Ｐ及びＦｅの他に、Ｃｒ、Ｚｎ、Ｂａ、Ｐｂ等を１種以上含んでもよい。これらの添加元素は、０．００１ｗｔ％未満含んでもよい。
ニッケル合金被膜１２は、添加成分及び残部Ｎｉの他に、不可避不純物を含んでもよい。
Ｍｏの含有量は、０．５ｗｔ％～３ｗｔ％であり、より好ましくは０．５ｗｔ％～１．５ｗｔ％である。Ｍｏの含有量が０．５ｗｔ％未満であると、ニッケル合金被膜１２の耐熱性が低下する。一方、Ｍｏの含有量が３ｗｔ％を超えると、ニッケル合金被膜１２のアモルファス化が阻害される。Ｍｏの含有量は、０．５ｗｔ％～３ｗｔ％であれば、ニッケル合金被膜１２の耐熱性を向上させることができると共に、ニッケル合金被膜１２のアモルファス化を促進することができる。
Ｐの含有量は、１１ｗｔ％～１５ｗｔ％であり、より好ましくは１２ｗｔ％～１３ｗｔ％である。Ｐの含有量が１１ｗｔ％未満であると、ニッケル合金被膜１２のアモルファス化が阻害される。一方、Ｐの含有量が１５ｗｔ％を超えると、ニッケル合金被膜１２の耐熱性が低下する。Ｐの含有量が１１ｗｔ％～１５ｗｔ％であれば、ニッケル合金被膜１２のアモルファス化を促進しつつ、耐熱性を向上させることができる。
Ｆｅの含有量は、０．０００１ｗｔ％～０．００１ｗｔ％であり、より好ましくは０．０００２ｗｔ％～０．０００５ｗｔ％である。Ｆｅの含有量が０．０００１ｗｔ％未満では、ニッケル合金被膜１２の耐熱性を高められない。一方、Ｆｅの含有量が０．００１ｗｔ％超えると、ニッケル合金被膜１２の結晶化が進行し過ぎて、基板表面に生じる微小な膨れが大きくなり、高さ１ｎｍ以上の膨れが多く形成され易くなる。Ｆｅの含有量は、０．０００１ｗｔ％～０．００１ｗｔ％であれば、ニッケル合金被膜１２の耐熱性をより高めることができる。この理由について、発明者は、次のように考えている。即ち、ニッケル合金被膜１２中のＭｏは主に酸素との結合を介してＦｅと結合するため、磁気記録媒体用基板１の表面に磁気記録媒体の磁性層を形成する際に３００℃を超える温度で加熱しても、ニッケル合金被膜１２内にＭｏが拡散することを抑制することができる。これにより、ニッケル合金被膜１２を構成するＮｉＭｏＰ系合金の結晶化を抑制することができるため、加熱に伴うＮｉＭｏＰ系合金が磁化することを低減し、ニッケル合金被膜１２の飽和磁束密度が上昇することを抑えることができる。また、ニッケル合金被膜１２を構成するＮｉＭｏＰ系合金が結晶化すると、ニッケル合金被膜１２の表面に微小な膨れが生じると共に微少なうねり（微小うねり）が大きくなり易い。本実施形態の磁気記録媒体用基板１は、ニッケル合金被膜１２を構成するＮｉＭｏＰ系合金の結晶化を抑制することができるため、ニッケル合金被膜１２の表面に微小な膨れが生ずることを低減すると共に、微少うねりを小さく抑えることができる。なお、微少うねりは、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）等の公知の測定装置により測定することができる。
本実施形態では、磁気記録媒体用基板１を、３２０℃、２０分の加熱条件で加熱した後にニッケル合金被膜１２の表面に現れる高さ１ｎｍ以上の膨れは、０．０６０個／ｃｍ２未満とすることが好ましく、より好ましくは０．０５０個／ｃｍ2以下である。また、加熱時は、真空中でもよいし、真空以外の中でもよい。
ニッケル合金被膜１２の厚さは、５μｍ～２０μｍであることが好ましく、１０μｍ～１７μｍであることがより好ましい。ニッケル合金被膜の厚さを上記の好ましい範囲内とすることにより、ニッケル合金被膜１２の硬度を向上させ、磁気記録媒体用基板１の強度を高めることができる。また、アルミニウム合金基板１１の表面の凹凸を吸収して、ニッケル合金被膜１２の表面の平滑化を図ることができるため、フラッタリングを抑制することができる。さらに、磁気記録媒体用基板１の軽量化を図ることができる。
［磁気記録媒体用基板の製造方法］
本実施形態に係る磁気記録媒体用基板１の製造方法について説明する。本実施形態に係る磁気記録媒体用基板１の製造方法は、アルミニウム合金基板１１にニッケル合金被膜１２をめっき法によって形成する被膜形成工程と、ニッケル合金被膜付きアルミニウム合金基板の表面に対して研磨加工を施す研磨加工工程とを含む。
本実施形態に係る磁気記録媒体用基板１の製造方法について説明する。本実施形態に係る磁気記録媒体用基板１の製造方法は、アルミニウム合金基板１１にニッケル合金被膜１２をめっき法によって形成する被膜形成工程と、ニッケル合金被膜付きアルミニウム合金基板の表面に対して研磨加工を施す研磨加工工程とを含む。
（被膜形成工程）
アルミニウム合金基板１１の表面にめっき法によってニッケル合金被膜１２を形成する。
アルミニウム合金基板１１の表面にめっき法によってニッケル合金被膜１２を形成する。
めっき法としては、公知のめっき法を用いることができ、無電解めっき法を用いることが好ましい。
まず、ＮｉＰめっき液にＭｏ塩を添加して、ＮｉＭｏＰめっき液を作製する。
ＮｉＰめっき液として、例えば、ニッケル源として硫酸ニッケルを含み、リン源として次亜リン酸塩を含むめっき液を用いることができる。
Ｍｏ塩としては、モリブデン酸ナトリウム、モリブデン酸カリウム、モリブデン酸アンモニウム等を用いることができる。
次に、ＮｉＭｏＰめっき液にＦｅ塩を添加して、ＮｉＭｏＰ系合金めっき被膜形成用めっき液を作製する。
Ｆｅ塩としては、酢酸鉄、硫酸鉄、硫酸アンモニウム鉄等を用いることができる。
ニッケル合金被膜１２の厚さは、ＮｉＭｏＰ系合金めっき被膜形成用めっき液のｐＨ及び温度、ＮｉＭｏＰ系合金めっき被膜形成用めっき液へのアルミニウム合金基板１１の浸漬時間（めっき時間）等のめっき条件によって調整することができる。
ＮｉＭｏＰ系合金めっき被膜形成用めっき液のｐＨは、５．０～８．６とすることが好ましい。ｐＨが５．０～８．６であれば、ＭｏとＰとＦｅとを非結晶の状態でＮｉ内に含むニッケル合金被膜１２を安定して形成することができる。
ＮｉＭｏＰ系合金めっき被膜形成用めっき液の温度は、７０℃～１００℃とすることが好ましく、８５℃～９５℃とすることがより好ましい。温度が７０℃～１００℃であれば、ニッケル合金被膜１２の成長のばらつきが抑えられ、厚さのばらつきが抑えられたニッケル合金被膜１２を安定して形成することができる。
めっき時間は、９０分～１５０分とすることが好ましい。めっき時間が９０分～１５０分であれば、ニッケル合金被膜１２の厚さを５μｍ～２０μｍの範囲内に十分成長させることができる。
ニッケル合金めっき被膜が形成されたアルミニウム合金基板は、加熱処理を施すことが好ましい。これにより、ニッケル合金被膜１２の硬度をより高め、磁気記録媒体用基板１の剛性（ヤング率）をさらに高めることができる。加熱温度は、３００℃以上とすることが好ましい。
（研磨加工工程）
めっき工程で得られたニッケル合金めっき被膜が形成されたアルミニウム合金基板の表面を研磨する。研磨加工工程は、平滑で、傷が少ないといった表面品質の向上と生産性の向上との両立を図る点から、複数の独立した研磨盤を用いた２段階以上の研磨工程を有する多段階研磨方式を採用することが好ましい。例えば、第１の研磨盤を用いて、アルミナ砥粒を含む研磨液を供給しながら研磨する粗研磨工程と、研磨されたアルミニウム合金基板を洗浄した後に、第２の研磨盤を用いて、コロイダルシリカ砥粒を含む研磨液を供給しながら研磨する仕上げ研磨工程を行う。
めっき工程で得られたニッケル合金めっき被膜が形成されたアルミニウム合金基板の表面を研磨する。研磨加工工程は、平滑で、傷が少ないといった表面品質の向上と生産性の向上との両立を図る点から、複数の独立した研磨盤を用いた２段階以上の研磨工程を有する多段階研磨方式を採用することが好ましい。例えば、第１の研磨盤を用いて、アルミナ砥粒を含む研磨液を供給しながら研磨する粗研磨工程と、研磨されたアルミニウム合金基板を洗浄した後に、第２の研磨盤を用いて、コロイダルシリカ砥粒を含む研磨液を供給しながら研磨する仕上げ研磨工程を行う。
図３は、研磨加工工程で用いることができる研磨盤の一例を示す斜視図である。図３に示すように、第１の研磨盤３０Ａ（第２の研磨盤３０Ｂ）は、上下一対の定盤３１及び３２を備える。一対の定盤３１及び３２の間に、複数枚の、ニッケル合金めっき被膜が形成されたアルミニウム合金基板１Ａを挟み込んで一対の定盤３１及び３２を軸回りに互いに逆向きに回転させることで、これらニッケル合金めっき被膜が形成されたアルミニウム合金基板１Ａの両面を一対の定盤３１及び３２に設けられた研磨パッド３３により研磨することができる。
ニッケル合金めっき被膜が形成されたアルミニウム合金基板１Ａの表面を研磨することにより、図１及び図２に示すように、本実施形態に係る磁気記録媒体用基板１が得られる。
このように、磁気記録媒体用基板１は、アルミニウム合金基板１１と、ニッケル合金被膜１２とを備え、ニッケル合金被膜１２が、Ｍｏを０．５ｗｔ％～３ｗｔ％、Ｐを１１ｗｔ％～１５ｗｔ％、Ｆｅを０．０００１ｗｔ％～０．００１ｗｔ％含んでいる。Ｆｅを０．０００１ｗｔ％～０．００１ｗｔ％含むことで、磁気記録媒体用基板１を３００℃を超える温度で加熱してもニッケル合金被膜１２内に含まれるＭｏが拡散することを抑制することができるため、ニッケル合金被膜１２の結晶化を抑制し、加熱に伴うニッケル合金被膜１２の磁化を低減することができる。よって、磁気記録媒体用基板１は、飽和磁束密度を例えば０．５００ガウス以下に小さくすることができる。なお、飽和磁束密度は、振動試料型磁力計（ＶＳＭ）等の公知の測定装置により測定することができる。
また、磁気記録媒体用基板１は、３００℃を超える温度で加熱することで、磁気記録媒体用基板１の表面に生じる微少うねりの高さを低くすることができると共に、膨れの数を低減することができる。磁気記録媒体用基板１を磁気記録媒体に用いるに当り、磁気記録媒体の記録密度の高密度化を図るためには、磁気記憶装置の使用時に磁気ヘッドの磁気記録媒体に対する浮上高さを非常に小さくする必要があるため、磁気記録媒体用基板１の表面の平滑性を高くすることが重要である。磁気記録媒体用基板１は、表面に生じる微少うねりの高さを低くすると共に、膨れの数を低減することができるため、磁気記録媒体の記録密度が高められる。
よって、磁気記録媒体用基板１は、３００℃を超える温度で加熱しても、磁化を低減しつつ、微少うねりの高さを低くすることができると共に、膨れの密度を小さくすることができるため、高い耐熱性を有することができる。なお、膨れの密度は、公知の方法で求めることができ、例えば、ＡＦＭで得た画像を解析することにより求めることができる。
したがって、磁気記録媒体用基板１は、例えば、製造時に高温（例えば、３２０℃）に加熱する必要があるアシスト磁気記録媒体の製造に適した高い耐熱性を有することができるため、アシスト磁気記録媒体に用いる磁気記録媒体用基板として好適に用いることができる。
磁気記録媒体用基板１は、３２０℃、２０分の加熱条件で加熱した後にニッケル合金被膜１２の表面に現れるうねりの高さを０．１００ｎｍ以下とすることができる。これにより、磁気記録媒体用基板１は、ニッケル合金被膜１２の表面の平滑性をより高くすることができるため、磁気記録媒体用基板１を用いた磁気記録媒体の記録密度を高めることができる。
磁気記録媒体用基板１は、３２０°、２０分の加熱条件で加熱した後にニッケル合金被膜１２の表面に現れる高さ１ｎｍ以上の膨れを０．０５０個／ｃｍ２未満とすることができる。これにより、磁気記録媒体用基板１は、ニッケル合金被膜１２の表面の平滑性をより高くすることができるため、磁気記録媒体用基板１を用いた磁気記録媒体の記録密度を高めることができる。
＜磁気記録媒体＞
本実施形態に係る磁気記録媒体用基板を適用した磁気記録媒体について説明する。なお、本実施形態では、磁気記録媒体がアシスト磁気記録媒体である場合について説明するが、それ以外の磁気記録媒体でも同様に適用することができる。
本実施形態に係る磁気記録媒体用基板を適用した磁気記録媒体について説明する。なお、本実施形態では、磁気記録媒体がアシスト磁気記録媒体である場合について説明するが、それ以外の磁気記録媒体でも同様に適用することができる。
アシスト磁気記録媒体は、１Ｔｂｉｔ／ｉｎｃｈ２クラスの面記録密度を有するため、高い記憶容量を有することができる。アシスト磁気記録媒体では、近接場光、マイクロ波等をアシスト磁気記録媒体に照射して表面を局所的にアシストして、アシスト磁気記録媒体の保磁力を低下させることで、書き込みが行われる。
図４は、本実施形態に係る磁気記録媒体用基板１を適用したアシスト磁気記録媒体の一例を示す断面模式図である。図４に示すように、アシスト磁気記録媒体４０は、磁気記録媒体用基板１、シード層４１、第１の下地層４２、第２の下地層４３、磁性層４４、保護層４５及び潤滑剤層４６を磁気記録媒体用基板１側からこの順に積層して備える。
シード層４１、第１の下地層４２及び第２の下地層４３は、磁性層４４と格子整合していることが好ましい。これにより、磁性層４４の（００１）配向性がさらに向上する。
シード層４１、第１の下地層４２及び第２の下地層４３としては、例えば、（１００）配向したＣｒ、Ｗ、ＭｇＯ等を用いることができる。シード層４１、第１の下地層４２及び第２の下地層４３を、（１００）配向したＣｒ、Ｗ、ＭｇＯ等で形成し、これらの層を多層構造とすることで、シード層４１、第１の下地層４２及び第２の下地層４３の各層の間の格子ミスフィットは１０％以下とすることができる。
第１の下地層４２及び第２の下地層４３を確実に（１００）配向とするため、シード層４１、第１の下地層４２又は第２の下地層４３の下に、ｂｃｃ構造を有するＣｒ層若しくはＣｒを主成分としたＣｒ合金層、又はＢ２構造を有する合金層をさらに形成してもよい。
Ｃｒ合金層を形成するＣｒ合金としては、Ｃｒ－Ｍｎ合金、Ｃｒ－Ｍｏ合金、Ｃｒ－Ｗ合金、Ｃｒ－Ｖ合金、Ｃｒ－Ｔｉ合金、Ｃｒ－Ｒｕ合金等が挙げられる。
Ｂ２構造を有する合金としては、Ｒｕ－Ａｌ合金、Ｎｉ－Ａｌ合金等が挙げられる。
また、磁性層４４との格子整合性を向上させるために、シード層４１、第１の下地層４２及び第２の下地層４３の少なくとも１層に酸化物を添加してもよい。
酸化物としては、例えば、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ及びＷからなる群より選択される１種以上の金属の酸化物等が挙げられる。これらの中でも、好ましい金属の酸化物として、ＮｉＯ、ＣｒＯ、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｒＯ３、ＭｏＯ２、ＭｏＯ３、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、Ｖ２Ｏ３、ＶＯ２、ＷＯ２、ＷＯ３、ＷＯ６等が挙げられる。
シード層４１、第１の下地層４２及び第２の下地層４３の少なくとも１層中の酸化物の含有量は、２ｍｏｌ％～３０ｍｏｌ％の範囲内であることが好ましく、１０ｍｏｌ％～２５ｍｏｌ％の範囲内であることがより好ましい。シード層４１、第１の下地層４２及び第２の下地層４３の少なくとも１層中の酸化物の含有量が上記の好ましい範囲内であれば、磁性層４４の（００１）配向性をさらに向上させることができると共に、シード層４１、第１の下地層４２及び第２の下地層４３の少なくとも１層の（１００）配向性をさらに向上させることができる。
第１の下地層４２を形成する材料として、例えば、Ｔｉの含有量が５０ａｔ％、残部がＣｏであるＣｏＴｉ系合金を用いることができる。第１の下地層４２の厚さは、例えば、３０ｎｍ～１００ｎｍが好ましく、５０ｎｍ程度がより好ましい。
第２の下地層４３を形成する材料として、例えば、ＮｉＯを用いることができる。第２の下地層４３の厚さは、例えば、３ｎｍ～１０ｎｍが好ましく、５ｎｍ程度がより好ましい。
シード層４１、第１の下地層４２及び第２の下地層４３の形成方法としては、スパッタリング法等の公知の方法を用いることができる。
磁性層４４は、第２の下地層４３の上に設けられ、Ｌ１０型結晶構造を有する合金を含み、（００１）配向している磁性膜である。
Ｌ１０型構造を有する合金は、高い磁気異方性定数Ｋｕを有している。Ｌ１０型構造を有する合金としては、Ｆｅ－Ｐｔ合金、Ｃｏ－Ｐｔ合金等が挙げられる。
磁性層４４のＬ１０型構造を有する合金の規則化を促進するために、磁性層４４の成膜時に、加熱処理することが好ましい。
磁性層４４に含まれるＬ１０型構造を有する合金の結晶粒子は、磁気的に孤立していることが好ましい。そのため、磁性層４４は、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＧｅＯ２、ＭｎＯ、ＴｉＯ、ＺｎＯ、Ｂ２Ｏ３、Ｃ、Ｂ及びＢＮからなる群より選択される１種以上の物質をさらに含むことが好ましい。これにより、結晶粒子間の交換結合をより確実に分断し、アシスト磁気記録媒体４０のシグナルノイズ比（ＳＮＲ）をさらに向上させることができる。
磁性層４４は、具体的には、例えば、（Ｆｅ－４５ａｔ％Ｐｔ）－８ｍｏｌ％ＳｉＯ２－４ｍｏｌ％Ｃｒ２Ｏ３系合金（ＳｉＯ２の含有量が８ｍｏｌ％、Ｃｒ２Ｏ３の含有量が４ｍｏｌ％、残部（Ｐｔの含有量が４５ａｔ％、残部がＦｅ）である合金）を用いることができる。
磁性層４４に含まれる磁性粒子の平均粒径は、記録密度を増大させる観点から、１０ｎｍ以下であることが好ましい。一般に、磁性粒子の平均粒径が小さくなると、磁性層４４に磁気情報を書き込んだ直後の熱ゆらぎの影響を受け易くなる。
なお、磁性粒子の平均粒径は、ＴＥＭ観察画像を用いて決定することができる。例えば、ＴＥＭの観察画像から、２００個の磁性粒子の粒径（円相当径）を測定し、積算値５０％における粒径を平均粒径とすることができる。ここで、磁性粒子の平均粒界幅は、０．３ｎｍ～２．０ｎｍであることが好ましい。
磁性層４４は、多層構造を有していてもよい。磁性層４４は、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＧｅＯ２、ＭｎＯ、ＴｉＯ、ＺｎＯ、Ｂ２Ｏ３、Ｃ、Ｂ及びＢＮからなる群より選択される１種以上の物質を含む層を２層以上積層して構成され、各層に含まれる物質がそれぞれ異なることが好ましい。
磁性層４４の厚さは、１ｎｍ～２０ｎｍであることが好ましく、３ｎｍ～１５ｎｍであることがより好ましい。磁性層４４の厚さが好ましい範囲内であれば、再生出力を向上させることができると共に、結晶粒子の肥大化を抑制することができる。なお、磁性層４４が多層構造を有する場合、磁性層４４の厚さは、全ての層の合計の厚さを意味する。
磁性層４４の形成方法としては、シード層４１、第１の下地層４２及び第２の下地層４３と同様、スパッタリング法等の公知の方法を用いることができる。
保護層４５は、磁性層４４の上に接して設けられ、磁性層４４を保護する層である。
保護層４５を形成する材料として、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）等の炭素材料を用いることができる。
保護層４５の形成方法としては、例えば、炭化水素からなる原料ガスを高周波プラズマで分解して成膜するＲＦ－ＣＶＤ（Radio Frequency-Chemical Vapor Deposition）法、フィラメントから放出された電子で原料ガスをイオン化して成膜するＩＢＤ（Ion Beam Deposition）法、原料ガスを用いずに、固体炭素ターゲットを用いて成膜するＦＣＶＡ（Filtered Cathodic Vacuum Arc）法等が挙げられる。
保護層４５の厚さは、特に限定されるものではないが、１ｎｍ～６ｎｍであることが好ましい。保護層４５の厚さがこの範囲内であれば、磁気ヘッドの浮上特性を良好とすることができると共に、磁気スペーシングロスの増大を抑制して、アシスト磁気記録媒体のＳＮＲの低下を抑制することができる。
保護層４５は、一層からなるものであってもよいし、複数層からなるものであってもよい。
潤滑剤層４６は、保護層４５の上に接して設けられ、アシスト磁気記録媒体４０の汚染を防止すると共に、アシスト磁気記録媒体４０上を摺動する磁気記録再生装置の磁気ヘッドの摩擦力を低減させて、アシスト磁気記録媒体４０の耐久性を向上させるものである。
潤滑剤層４６は、例えば、パーフルオロポリエーテル系フッ素樹脂、脂肪族炭化水素系樹脂等を含む。潤滑剤層４６は、例えば、パーフルオロポリエーテル系フッ素樹脂や脂肪族炭化水素等を含む潤滑膜組成物を用いて形成することができる。
本実施形態に係るアシスト磁気記録媒体４０は、上述の磁気記録媒体用基板１を用いることで、磁化を低減しつつ、表面の微少うねりの高さを低くすることができると共に、表面の膨れの密度を小さくすることができるため、高い記録密度を有することができる。
＜磁気記憶装置＞
本実施形態に係る磁気記録媒体を用いた磁気記憶装置について説明する。なお、ここでは、磁気記録媒体が図５に示すアシスト磁気記録媒体４０である場合について説明する。
本実施形態に係る磁気記録媒体を用いた磁気記憶装置について説明する。なお、ここでは、磁気記録媒体が図５に示すアシスト磁気記録媒体４０である場合について説明する。
本実施形態に係る磁気記憶装置は、例えば、アシスト磁気記録媒体を回転させるための磁気記録媒体駆動部と、先端部に近接場光発生素子を備えた磁気ヘッドと、磁気ヘッドを移動させるための磁気ヘッド駆動部と、記録再生信号処理部を有することができる。
また、磁気ヘッドは、例えば、アシスト磁気記録媒体を加熱するためのレーザー光発生部と、レーザー光発生部から発生したレーザー光を近接場光発生素子まで導く導波路を有する。
図５は、本実施形態に係る磁気記録媒体を用いた磁気記憶装置の一例を示す斜視図である。図５に示すように、磁気記憶装置５０は、アシスト磁気記録媒体４０と、アシスト磁気記録媒体４０を回転させるための磁気記録媒体駆動部５１と、磁気ヘッド５２と、磁気ヘッド５２を移動させるためのヘッド移動部５３と、記録再生信号処理部５４とを備える。
図６に、磁気ヘッド５２の一例を示す。図６に示すように、磁気ヘッド５２は、記録ヘッド６１と、再生ヘッド６２とを有する。
記録ヘッド６１は、主磁極６１１と、補助磁極６１２と、磁界を発生させるコイル６１３と、レーザー光発生部であるレーザーダイオード（ＬＤ）６１４と、ＬＤ６１４から発生したレーザー光Ｌを近接場光発生素子６１５まで伝送する導波路６１６とを有する。
再生ヘッド６２は、シールド６２１で挟まれている再生素子６２２を有する。
図５に示すように、磁気記憶装置５０は、アシスト磁気記録媒体４０の中心部をスピンドルモータの回転軸に取り付けて、スピンドルモータにより回転駆動されるアシスト磁気記録媒体４０の面上を磁気ヘッド５２が浮上走行しながら、アシスト磁気記録媒体４０に対して情報の書き込み又は読み出しを行う。
本実施形態に係る磁気記憶装置５０は、本実施形態に係るアシスト磁気記録媒体４０を用いることで、アシスト磁気記録媒体４０を高記録密度化することができるため、記録密度を高めることができる。
以下、実施例及び比較例を示して実施形態を具体的に説明するが、実施形態はこれらの実施例及び比較例により限定されるものではない。
＜アルミニウム合金基板の製造＞
Ａｌ塊、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｆｅ及びＺｎを用意した。なお、Ａｌ塊、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｆｅ及びＺｎの各原料は、純度が９９．９ｗｔ％以上のものを用いた。
Ａｌ塊、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｆｅ及びＺｎを用意した。なお、Ａｌ塊、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｆｅ及びＺｎの各原料は、純度が９９．９ｗｔ％以上のものを用いた。
用意した各元素の原料を、鋳造後の組成が、Ａｌ－４．０ｗｔ％Ｍｇ－０．５ｗｔ％Ｍｎ－０．１ｗｔ％Ｃｒ－０．２ｗｔ％Ｓｉ－０．３ｗｔ％Ｆｅ－０．２ｗｔ％Ｚｎ（Ｍｇ含有量：４ｗｔ％、Ｍｎ含有量：０．５ｗｔ％、Ｃｒ含有量：０．１ｗｔ％、Ｓｉ含有量：０．２ｗｔ％、Ｆｅ含有量：０．３ｗｔ％、Ｚｎ含有量：０．２ｗｔ％、残部Ａｌ）となるように秤量したアルミニウム合金材料を準備した。アルミニウム合金材料を、大気中、８２０℃で溶解し、ダイレクトチル鋳造法（ＤＣ鋳造法）を用いて、アルミニウム合金鋳塊を作製した。なお、鋳造温度は７００℃、鋳造速度は８０ｍｍ／分とした。
次に、得られたアルミニウム合金鋳塊を５２０℃で１０時間保持して均質化処理した。その後、圧延して厚さ１．２ｍｍのアルミニウム合金板材とした。
得られたアルミニウム合金板材を中央に開口部を有する直径９７ｍｍの円盤状に打ち抜いた後、３８０℃で１時間焼鈍した。その後、アルミニウム合金円盤の表面、端面をダイヤモンドバイトにより旋削加工することで、直径９６ｍｍ、厚さ０．８ｍｍのアルミニウム合金基板を得た。
＜実施例１＞
［磁気記録媒体用基板の作製］
（ニッケル合金被膜の作製）
アルミニウム合金基板をＮｉＭｏＰ系めっき液に浸漬し、無電解めっき法を用いて、アルミニウム合金基板の表面に、ＮｉＭｏＰ系めっき被膜として、Ｎｉ－０．９ｗｔ％Ｍｏ－１２．４ｗｔ％Ｐ－０．０００３ｗｔ％Ｆｅ（Ｍｏの含有量０．９ｗｔ％、Ｐの含有量１２．４ｗｔ％、Ｆｅの含有量０．０００３ｗｔ％、残部Ｎｉ）膜を形成した。
［磁気記録媒体用基板の作製］
（ニッケル合金被膜の作製）
アルミニウム合金基板をＮｉＭｏＰ系めっき液に浸漬し、無電解めっき法を用いて、アルミニウム合金基板の表面に、ＮｉＭｏＰ系めっき被膜として、Ｎｉ－０．９ｗｔ％Ｍｏ－１２．４ｗｔ％Ｐ－０．０００３ｗｔ％Ｆｅ（Ｍｏの含有量０．９ｗｔ％、Ｐの含有量１２．４ｗｔ％、Ｆｅの含有量０．０００３ｗｔ％、残部Ｎｉ）膜を形成した。
ＮｉＭｏＰ系めっき液には、硫酸ニッケル、次亜リン酸ナトリウム、モリブデン酸ナトリウム、酢酸鉄（ＩＩ）とを含み、クエン酸ナトリウム、ホウ酸ナトリウムを適宜加えて、上記組成のＮｉＭｏＰ系めっき被膜が得られるように、成分の分量を調整したものを用いた。ＮｉＭｏＰ系めっき被膜の形成時のＮｉＭｏＰ系めっき液はｐＨを６、めっき温度を９０℃に調整した。アルミニウム合金基板のＮｉＭｏＰ系めっき液への浸漬時間は２時間とした。
次いで、ＮｉＭｏＰ系めっき被膜を形成したアルミニウム合金基板を３００℃で３分間加熱して、厚さ１０μｍのＮｉＭｏＰ系めっき被膜付アルミニウム合金基板を得た。
（研磨加工）
研磨盤として、上下一対の定盤を備える３段のラッピングマシーンを用いて、ＮｉＭｏＰ系めっき被膜付きのアルミニウム合金基板の表面に対して、研磨加工を施し、磁気記録媒体用基板を作製した。このとき、研磨パッドには、スエードタイプ（Ｆｉｌｗｅｌ社製）を用いた。そして、第１段目の研磨には、Ｄ５０が０．５μｍのアルミナ砥粒を、第２段目の研磨には、Ｄ５０が３０ｎｍのコロイダルシリカ砥粒を、第３段目の研磨には、Ｄ５０が１０ｎｍのコロイダルシリカ砥粒を用いた。また、研磨時間は、各段で５分間とした。
研磨盤として、上下一対の定盤を備える３段のラッピングマシーンを用いて、ＮｉＭｏＰ系めっき被膜付きのアルミニウム合金基板の表面に対して、研磨加工を施し、磁気記録媒体用基板を作製した。このとき、研磨パッドには、スエードタイプ（Ｆｉｌｗｅｌ社製）を用いた。そして、第１段目の研磨には、Ｄ５０が０．５μｍのアルミナ砥粒を、第２段目の研磨には、Ｄ５０が３０ｎｍのコロイダルシリカ砥粒を、第３段目の研磨には、Ｄ５０が１０ｎｍのコロイダルシリカ砥粒を用いた。また、研磨時間は、各段で５分間とした。
［耐熱性の評価］
得られた磁気記録媒体用基板を、真空中で、３２０℃、２０分間加熱した後、磁気記録媒体用基板の飽和磁束密度、波長帯２０μｍ～１００μｍにおける微小うねり、磁気記録媒体用基板の表面に現れる高さ１ｎｍ以上の膨れの密度を測定した。これらの測定結果に基づいて、磁気記録媒体用基板の耐熱性を評価した。磁気記録媒体用基板の耐熱性の評価は、飽和磁束密度が０．１０ガウス以下であり、微小うねりが０．１００ｎｍ以下であり、膨れの密度が０．０４０個／ｃｍ2以下であった場合は、磁気記録媒体用基板の耐熱性は優れていると判断し、○と判定した。飽和磁束密度が０．１０ガウスを超えること、微小うねりが０．１００ｎｍを超えること、膨れの密度が０．０４０個／ｃｍ2を超えることの少なくとも何れかであった場合は、磁気記録媒体用基板の耐熱性は不良であると判断し、×と判定した。磁気記録媒体用基板の飽和磁束密度、微小うねり及び膨れの密度の測定結果と、耐熱性の評価結果を表１に示す。
得られた磁気記録媒体用基板を、真空中で、３２０℃、２０分間加熱した後、磁気記録媒体用基板の飽和磁束密度、波長帯２０μｍ～１００μｍにおける微小うねり、磁気記録媒体用基板の表面に現れる高さ１ｎｍ以上の膨れの密度を測定した。これらの測定結果に基づいて、磁気記録媒体用基板の耐熱性を評価した。磁気記録媒体用基板の耐熱性の評価は、飽和磁束密度が０．１０ガウス以下であり、微小うねりが０．１００ｎｍ以下であり、膨れの密度が０．０４０個／ｃｍ2以下であった場合は、磁気記録媒体用基板の耐熱性は優れていると判断し、○と判定した。飽和磁束密度が０．１０ガウスを超えること、微小うねりが０．１００ｎｍを超えること、膨れの密度が０．０４０個／ｃｍ2を超えることの少なくとも何れかであった場合は、磁気記録媒体用基板の耐熱性は不良であると判断し、×と判定した。磁気記録媒体用基板の飽和磁束密度、微小うねり及び膨れの密度の測定結果と、耐熱性の評価結果を表１に示す。
（飽和磁束密度）
磁気記録媒体用基板の飽和磁束密度は、ＶＳＭにより測定した。
磁気記録媒体用基板の飽和磁束密度は、ＶＳＭにより測定した。
（微小うねり）
磁気記録媒体用基板の表面の、波長帯２０μｍ～１００μｍにおける微小うねりは、ＡＦＭにより測定した。
磁気記録媒体用基板の表面の、波長帯２０μｍ～１００μｍにおける微小うねりは、ＡＦＭにより測定した。
（膨れの密度）
磁気記録媒体用基板の表面に現れる高さ１ｎｍ以上の膨れの密度は、ＡＦＭの画像解析により測定した。磁気記録媒体用基板の表面に現れる高さ１ｎｍ以上の膨れを測定した図を図７に示す。
磁気記録媒体用基板の表面に現れる高さ１ｎｍ以上の膨れの密度は、ＡＦＭの画像解析により測定した。磁気記録媒体用基板の表面に現れる高さ１ｎｍ以上の膨れを測定した図を図７に示す。
＜実施例２～７、比較例１～６＞
実施例１において、ＮｉＭｏＰ系めっき被膜の組成を表１のように変更したこと以外は、実施例１と同様にして行った。測定結果を表１に示す。
実施例１において、ＮｉＭｏＰ系めっき被膜の組成を表１のように変更したこと以外は、実施例１と同様にして行った。測定結果を表１に示す。
表１より、実施例１～実施例７では、磁気記録媒体用基板の飽和磁束密度は０．６０ガウス以下であり、微小うねりは０．１０μｍ以下であり、高さ１ｎｍ以上の膨れの密度は、０．０５０個／ｃｍ2以下であった。一方、比較例１～６では、磁気記録媒体用基板の飽和磁束密度は０．７０ガウス以上であり、微小うねりは０．１１μｍ以上であり、高さ１ｎｍ以上の膨れの密度は、０．０６０個／ｃｍ2以上であった。
実施例１～７の磁気記録媒体用基板は、比較例１～６の磁気記録媒体用基板と異なり、ＮｉＭｏＰ系めっき被膜の組成をＭｏを０．５ｗｔ％～３ｗｔ％、Ｐを１１ｗｔ％～１２．４ｗｔ％、Ｆｅを０．０００１ｗｔ％～０．００１ｗｔ％とすることで、磁気記録媒体用基板の、飽和磁束密度、微小うねり及び高さ１ｎｍ以上の膨れの密度を小さく抑えることができ、耐熱性を向上させることができることが確認された。したがって、本実施形態に係る磁気記録媒体用基板をアシスト磁気記録媒体に有効に用いることができるといえる。
以上の通り、実施形態を説明したが、上記実施形態は、例として提示したものであり、上記実施形態により本発明が限定されるものではない。上記実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の組み合わせ、省略、置き換え、変更等を行うことが可能である。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると共に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
１ 磁気記録媒体用基板
１Ａ ニッケル合金めっき被膜が形成されたアルミニウム合金基板
１１ 磁気記録媒体用アルミニウム合金基板（アルミニウム合金基板）
１２ ニッケル合金被膜
４０ アシスト磁気記録媒体
４４ 磁性層
５０ 磁気記憶装置（ハードディスクドライブ）
１Ａ ニッケル合金めっき被膜が形成されたアルミニウム合金基板
１１ 磁気記録媒体用アルミニウム合金基板（アルミニウム合金基板）
１２ ニッケル合金被膜
４０ アシスト磁気記録媒体
４４ 磁性層
５０ 磁気記憶装置（ハードディスクドライブ）
Claims (5)
- アルミニウム合金基板と、前記アルミニウム合金基板の少なくとも一方の主面に設けられたニッケル合金被膜とを備え、
前記ニッケル合金被膜が、Ｍｏを０．５ｗｔ％～３ｗｔ％、Ｐを１１ｗｔ％～１５ｗｔ％、Ｆｅを０．０００１ｗｔ％～０．００１ｗｔ％含む磁気記録媒体用基板。 - ３２０℃、２０分の加熱条件で加熱した後に前記ニッケル合金被膜の表面に現れるうねりの高さが、０．１００ｎｍ以下である請求項１に記載の磁気記録媒体用基板。
- ３２０℃、２０分の加熱条件で加熱した後に前記ニッケル合金被膜の表面に現れる高さ１ｎｍ以上の膨れが、０．０６０個／ｃｍ２未満である請求項１又は２に記載の磁気記録媒体用基板。
- 請求項１～３の何れか一項に記載の磁気記録媒体用基板と、
前記磁気記録媒体用基板の前記ニッケル合金被膜が形成されている側の表面に設けられ、Ｌ１０型結晶構造を有するＦｅＰｔ合金又はＬ１０型結晶構造を有するＣｏＰｔ合金を含む磁性層と、
を備える磁気記録媒体。 - 請求項４に記載の磁気記録媒体を備える磁気記憶装置。
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Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012142060A (ja) | 2011-01-06 | 2012-07-26 | Fuji Electric Co Ltd | 磁気記録媒体用基板およびその製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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