JP2014120180A - スパッタリングターゲット、スパッタリングターゲットの製造方法、磁気記録媒体の製造方法および磁気記録再生装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】磁気記録媒体のFePt−C系合金膜の成膜に用いるスパッタリングターゲットの製造方法であって、FePt系合金粉と、繊維状炭素とを含む混合粉末を焼結する工程を含むスパッタリングターゲットの製造方法とする。
【選択図】図1
Description
熱アシスト磁気記録方式では、磁気ヘッドによって近接場光を照射して磁気記録媒体の表面を局所的に加熱することにより、磁気記録媒体の保磁力を低下させて書き込みを行う。熱アシスト磁気記録方式では、磁気記録媒体の磁性層に結晶磁気異方性定数Kuの高い材料を使うことで、熱安定性指標であるKuV/kT(Ku:結晶磁気異方性定数、V:粒子体積、k:ボルツマン定数、T:温度)を維持したまま、磁性粒径を微細化でき、高記録密度を達成できる。
また、本発明は、本発明の製造方法を用いて得られたスパッタリングターゲットを用いて、磁気ヘッドの破損を生じさせにくい磁気記録媒体を製造する製造方法、およびこの製造方法により製造された磁気記録媒体を備える磁気記録再生装置を提供することを課題とする。
その結果、FePt−C系合金またはCoPt−C系合金の成膜に用いるスパッタリングターゲットを製造するに際し、カーボン源として繊維状炭素を用い、繊維状炭素とFePt系合金粉(またはCoPt系合金粉)との混合粉末を焼結することにより、以下に示すように、上記課題を解決できることを見出した。
(2)前記FePt系合金が、さらにAg、Au、Cuからなる群から選ばれる何れか1種または2種以上を含むことを特徴とする(1)に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
(3)前記繊維状炭素の長さが1μm〜30μmの範囲内であり、アスペクト比が5〜300の範囲内であることを特徴とする(1)または(2)に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
(5)前記CoPt系合金が、さらにAg、Au、Cuからなる群から選ばれる何れか1種または2種以上を含むことを特徴とする(4)に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
(6)前記繊維状炭素の長さが1μm〜30μmの範囲内であり、アスペクト比が5〜300の範囲内であることを特徴とする(4)または(5)に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
(8)磁気記録媒体のCoPt−C系合金膜の成膜に用いるスパッタリングターゲットであって、(4)〜(6)のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲットの製造方法を用いて製造されたものであることを特徴とするスパッタリングターゲット。
前記磁性層形成工程において、(1)〜(6)のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲットの製造方法を用いて製造されたパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング法により前記磁性層を成膜することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
(10)磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体に対する記録動作と再生動作とを行う磁気ヘッドとを含む磁気記録再生装置であって、
前記磁気記録媒体が(9)に記載の製造方法を用いて製造されたものであることを特徴とする磁気記録再生装置。
本発明の磁気記録再生装置は、本発明の磁気記録媒体の製造方法を用いて製造された磁気記録媒体を備えたものであるので、磁気ヘッドの破損を生じさせにくく、高密度化に適したものとなる。
[スパッタリングターゲットの製造方法]
本実施形態のスパッタリングターゲット(以下「ターゲット」と略記する場合がある。)の製造方法においては、磁気記録媒体のFePt−C系合金膜またはCoPt−C系合金膜の成膜に用いるターゲットを製造する。
FePt系合金粉としては、Fe−Pt二元系平衡状態図で示されるFePt規則相(L10型結晶構造)領域の合金からなり、本実施形態において製造したターゲットを用いて成膜してなる磁性層に、FePt規則相が十分に形成される合金組成であることが好ましい。
繊維状炭素としては、アクリル繊維やピッチ(石油、石炭、コールタールなどの副生成物)を原料として、高温で炭化して作ったアクリル系炭素繊維やピッチ系炭素繊維、気相法で成長させた気相法炭素繊維等の公知のものが使用できる。
繊維状炭素のアスペクト比の変化に伴う、混合粉末中での繊維状炭素の凝集のしやすさや、ターゲット表面の元素の組成分布に与える影響は、繊維状炭素の繊維の長さが短いほど顕著となる。
この場合、繊維状炭素としては、上述したFePt−C系合金膜の成膜に用いるターゲットを製造する場合に使用するものと同様のものを好ましく用いることができる。
本実施形態において、FePt系合金粉(またはCoPt系合金粉)と繊維状炭素との混合方法は、特に限定されるものではなく、例えば、ボールミルなどを用いて混合できる。
混合粉末の焼結方法は、特に限定されるものではなく、従来公知の方法を用いることができ、例えば、ホットプレス法や、熱間等方圧プレス(HIP)法、熱間押出法などを用いることができる。
混合粉末を焼結する際の焼結温度は900℃〜1200℃の範囲内、焼結時間は30分〜5時間の範囲内、焼結圧力は150kgf/cm2〜400kgf/cm2の範囲内で適宜選択するのが好ましい。
本実施形態のターゲットは、上述したターゲットの製造方法を用いて製造されたものであり、磁気記録媒体のFePt−C系合金膜(またはCoPt−C系合金膜)の成膜に用いるものである。
本実施形態のターゲットの製造方法は、FePt系合金粉(またはCoPt−C系合金粉)と、繊維状炭素とを含む混合粉末を焼結する工程を含む方法であり、カーボン源である繊維状炭素が混合粉末中で凝集しにくいものであるため、焼結する工程において十分な焼結性が得られる。
その結果、上述したターゲットの製造方法を用いて製造された本実施形態のターゲットは、FePt−C系合金膜またはCoPt−C系合金膜の成膜に用いることができて、成膜時におけるカーボンダストの発生を抑制できるものとなる。
本実施形態においては、本発明の磁気記録媒体の製造方法の一例として、図1に示す熱アシスト磁気記録媒体の製造方法について説明する。
図1は、本発明の磁気記録媒体の製造方法を用いて製造された熱アシスト磁気記録媒体の一例を示した断面図である。
図1に示す熱アシスト磁気記録媒体は、基板101上に、密着層102、ヒートシンク層103、シード層104、下地層105、上層下地層108、磁性層109、保護膜110、潤滑剤層111が順次積層されたものである。
基板101としては、円形の非磁性基板などを用いることができる。非磁性基板としては、例えば、ガラス、アルミ、セラミックスなどを用いることができ、ガラス基板としては、結晶化ガラスや非晶質ガラス、強化ガラス等を使用できる。
「密着層」
密着層102は、ヒートシンク層103と基板101との密着性を向上させるためのものである。密着層102に用いられる材料は、密着性と表面平坦性に優れているものであれば特に限定されるものではないが、CrTi、NiTa、AlTi、CoTi、NiTaZrなどが挙げられる。
ヒートシンク層103は、磁性層109に溜まる熱を垂直方向に拡散させて、水平方向への熱の広がりを抑制して遷移幅を狭くすると共に、記録後に磁性層109に溜まった熱を速やかに散逸させるためのものであり、必要に応じて備えられるものである。ヒートシンク層103の材料としては、Ag、Al、Cu、W、Moもしくはこれらを主成分とする熱伝導率の高い合金などが挙げられる。
シード層104は、シード層104の下に配置されているヒートシンク層103の(111)配向を打ち消して、下地層105に良好な(100)配向を取らせるために設けられている。シード層104の材料としては、CrTi、NiTa、AlTiなどのアモルファス材料が挙げられる。
下地層105は、下地層105上に設けられる層の粒径及び配向を制御する層として設けられたものである。下地層105としては、例えば、Cr、Mo、Nb、Ta、V、W、若しくは、これらを主成分とし、Cr、Ti、V、Mo、W、Nb、Ta、Mn、Ruのうち少なくとも1種を含むものとすることができる。
上層下地層106は、NaCl構造を有するものであり、下地層105上にエピタキシャル成長されたものである。上層下地層106の材料としては、具体的には、MgO、TiO、NiOのような酸化物、TiN、TaN、NbN、HfNのような窒化物、TaC、TiCのような炭化物からなるものが挙げられる。
本実施形態においては、下地層105が(100)配向を示すものであるため、下地層105の上にエピタキシャル成長されたNaCl構造を有する上層下地層106も(100)配向を示している。
磁性層109は、L10型結晶構造を有する合金を主成分とするものである。磁性層109は、高記録密度を達成するために、粒界偏析材料で分離された数nmの磁性粒子で形成されていることが好ましいが、磁性粒子の体積が小さくなり熱的に不安定になる。そのため、本実施形態においては、磁性層109の主成分として、結晶磁気異方性定数Kuの高いL10型結晶構造を有する合金が用いられている。
本実施形態においては、磁性層109の下に形成されている下地層105および上層下地層106の配向制御効果によって、FePt−C系合金膜またはCoPt−C系合金膜からなるL10型結晶構造を有する磁性層109に、良好な(001)配向をとらせることができる。
保護膜110としては、耐熱性に優れる材料からなるものであること望ましく、例えば、単層または複数層のカーボン膜からなるものなどを用いることができる。保護膜110として用いられるカーボン膜として、水素や窒素、金属を添加したものを用いてもよい。カーボン膜なるもの保護膜110は、CVD法やイオンビーム法によって形成できる。
潤滑剤層111としては、パーフルオロポリエーテルからなる液体潤滑剤を塗布して形成したものなどを用いることができる。
図1に示す熱アシスト磁気記録媒体を製造するには、まず、基板101上に、スパッタリング法など従来公知の方法を用いて、密着層102、ヒートシンク層103、シード層104、下地層105、上層下地層108までの各層を形成する。
本実施形態においては、磁性層形成工程において、上記の製造方法を用いて製造されたターゲットを用いて、スパッタリング法により、FePt−C系合金膜またはCoPt−C系合金膜からなるL10型結晶構造を有する磁性層109を成膜する。
なお、本実施形態においては、磁性層109となるFePt−C系合金またはCoPt−C系合金の規則化を促進するため、磁性層109を形成する時の基板101の温度を600℃以上とすることがより好ましい。また、ターゲットが、Ag、Au、Cuからなる群から選ばれる何れか1種または2種以上を含むものである場合、FePt−C系合金またはCoPt−C系合金の規則化温度を400〜500℃程度に低減できる。
次いで、保護層5上にディッピング法などを用いて潤滑剤を塗布することにより潤滑剤層111を形成する。
次に、必要に応じて、ワイピング処理を施した熱アシスト磁気記録媒体の潤滑剤層111側の表面に対して、バーニッシュ処理を施す。バーニッシュテープとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート製のフィルム上に、結晶成長タイプのアルミナ粒子をエポキシ樹脂で固着したものなどを用いることができる。
以上の工程により、図1に示す熱アシスト磁気記録媒体が得られる。
次に、本発明の磁気記録再生装置について説明する。図2は、本発明の磁気記録再生装置の一例を示した斜視図である。図3は、図2に示す磁気記録再生装置に備えられた磁気ヘッドの構成を模式的に示した断面図である。
図2に示す磁気記録再生装置は、上記の製造方法により製造された磁気記録媒体401を備えたものであるので、磁気ヘッド403の破損を生じさせにくく、高密度化に適したものとなる。
以下に示す製造方法を用いて、65mol%(52at%Fe−48at%Pt)−35mol%Cからなる組成のターゲットを製造した。
まず、ガスアトマイズ法により52at%Fe−48at%Pt合金粉を製造した。FePt合金粉の平均粒径は15μmであった。
また、繊維状炭素として、気相法炭素繊維である昭和電工株式会社製のVGCF(商品名)を用意した。この繊維状炭素の長さは15μm(アスペクト比は100)であり、繊維径は0.15μmであった。
カーボン源として、繊維状炭素に代えて粒径0.05μm(アスペクト比は1)のカーボンブラックを用いたこと以外は、実施例1ターゲットと同様にして、比較例1ターゲットを製造した。
ガスアトマイズ法によりFePt合金粉に代えて、50at%Co−50at%Pt合金粉を製造したこと以外は、実施例1ターゲットと同様にして、65mol%(50at%Co−50at%Pt)−35mol%Cからなる実施例2ターゲットを製造した。
カーボン源として、繊維状炭素に代えて粒径0.05μm(アスペクト比は1)のカーボンブラックを用いたこと以外は、実施例2ターゲットと同様にして、比較例2ターゲットを製造した。
(実施例1)
以下に示す方法により、図1に示す熱アシスト磁気記録媒体を製造した。
まず、2.5インチガラス基板101上に、Cr−50at%Tiからなる厚み40nmの密着層102、Agからなる厚み25nmのヒートシンク層103を成膜し、さらに、その上にCr−50at%Tiからなる厚み30nmのシード層104を形成した。
その後、磁性層109の上に、硬質炭素膜からなる厚み3.5nmの保護膜110を形成し、その上に、パーフルオロポリエーテルからなる潤滑剤を塗布することにより、厚み1.5nmの潤滑剤層111を形成した。
ワイピング処理は、磁気記録媒体の回転数を300rpm、ワイピングテープの送り速度を10mm/秒、ワイピングテープを磁気記録媒体に押し当てる際の押圧力を98mN、処理時間を5秒間として行った。
バーニッシュ処理は、磁気記録媒体の回転数を300rpm、研磨テープの送り速度を10mm/秒、研磨テープを磁気ディスクに押し当てる際の押圧力を98mN、処理時間を5秒間として行った。
ワイピング処理は、磁気記録媒体の回転数を200rpm、研磨テープの送り速度を10mm/秒、研磨テープを磁気ディスクに押し当てる際の押圧力を70mN、処理時間を5秒間として行った。
以上の工程により、図1に示す熱アシスト磁気記録媒体を得た。
実施例1ターゲットに代えて比較例1ターゲットを用いて磁性層109を形成したこと以外は実施例1と同様にして、比較例1の熱アシスト磁気記録媒体を得た。
実施例1ターゲットに代えて実施例2ターゲットを用いて磁性層109を形成したこと以外は実施例1と同様にして、実施例2の熱アシスト磁気記録媒体を得た。
(比較例2)
実施例2ターゲットに代えて比較例2ターゲットを用いて磁性層109を形成したこと以外は実施例1と同様にして、比較例2の熱アシスト磁気記録媒体を得た。
実施例および比較例の熱アシスト磁気記録媒体を各1000枚用意して、以下に示すグライド評価を実施した。グライド評価は、圧電素子付きヘッドを備えたグライドテスターを用いて、ヘッドのグライド高さ(ヘッドと、表面に欠陥が無いものと仮定した場合の磁気記録媒体の表面との距離)を25nmとし、表面に大きな突起物を有する磁気記録媒体を除外して行った。グライド評価の結果を表1に示す。
実施例1,2の熱アシスト磁気記録媒体を、図4に示す磁気記録再生装置の磁気記録媒体として用い、エラーレートを測定した。エラーレートは、線記録密度1600kFCI、トラック密度500kFCI(面記録密度800Gbit/inch2)の条件で記録して測定した。
Claims (10)
- 磁気記録媒体のFePt−C系合金膜の成膜に用いるスパッタリングターゲットの製造方法であって、FePt系合金粉と、繊維状炭素とを含む混合粉末を焼結する工程を含むことを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
- 前記FePt系合金が、さらにAg、Au、Cuからなる群から選ばれる何れか1種または2種以上を含むことを特徴とする請求項1に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
- 前記繊維状炭素の長さが1μm〜30μmの範囲内であり、アスペクト比が5〜300の範囲内であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
- 磁気記録媒体のCoPt−C系合金膜の成膜に用いるスパッタリングターゲットの製造方法であって、CoPt系合金粉と、繊維状炭素とを含む混合粉末を焼結する工程を含むことを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
- 前記CoPt系合金が、さらにAg、Au、Cuからなる群から選ばれる何れか1種または2種以上を含むことを特徴とする請求項4に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
- 前記繊維状炭素の長さが1μm〜30μmの範囲内であり、アスペクト比が5〜300の範囲内であることを特徴とする請求項4または請求項5に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
- 磁気記録媒体のFePt−C系合金膜の成膜に用いるスパッタリングターゲットであって、請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲットの製造方法を用いて製造されたものであることを特徴とするスパッタリングターゲット。
- 磁気記録媒体のCoPt−C系合金膜の成膜に用いるスパッタリングターゲットであって、請求項4〜請求項6のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲットの製造方法を用いて製造されたものであることを特徴とするスパッタリングターゲット。
- 基板上に下地層を形成する下地層形成工程と、前記下地層上にL10型結晶構造を有する磁性層を形成する磁性層形成工程とを有する磁気記録媒体の製造方法であって、
前記磁性層形成工程において、請求項1〜請求項6のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲットの製造方法を用いて製造されたパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング法により前記磁性層を成膜することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体に対する記録動作と再生動作とを行う磁気ヘッドとを含む磁気記録再生装置であって、
前記磁気記録媒体が請求項9に記載の製造方法を用いて製造されたものであることを特徴とする磁気記録再生装置。
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