JP2020004464A - アシスト磁気記録媒体および磁気記憶装置 - Google Patents

Abstract

【課題】ＳＮＲに優れたアシスト磁気記録媒体を提供する。【解決手段】アシスト磁気記録媒体１００は、基板１と、第１の下地層３と、第２の下地層４と、Ｌ１０型結晶構造を有する合金を含む磁性層５と、保護層７をこの順で有する。アシスト磁気記録媒体１００は、磁性層５および保護層７の間に、ピニング層６をさらに有する。ピニング層６は、Ｃｏを有する磁性材料と、Ｃｕ、Ａｇ、ＡｕおよびＡｌからなる群より選択される１種以上の金属とを含む。【選択図】図１

Description

本発明は、アシスト磁気記録媒体および磁気記憶装置に関する。

近年、ハードディスク装置に対する大容量化の要求は、益々強くなっている。

しかしながら、現行の記録方式では、ハードディスク装置の記録密度を向上させることが難しくなってきている。

アシスト磁気記録方式は、次世代の記録方式として盛んに研究され、注目されている技術の１つである。

アシスト磁気記録方式は、磁気ヘッドから磁気記録媒体に近接場光又はマイクロ波を照射し、照射領域の保磁力を局所的に低下させて磁気情報を書き込む記録方式である。ここで、近接場光を照射する磁気記録媒体を熱アシスト磁気記録媒体、マイクロ波を照射する磁気記録媒体をマイクロ波アシスト磁気記録媒体と呼ぶ。

アシスト磁気記録方式では、磁性層を構成する材料として、Ｌ１_０型構造を有するＦｅ−Ｐｔ合金（Ｋｕ〜７×１０^７ｅｒｇ／ｃｍ^３）、Ｌ１_０型構造を有するＣｏ−Ｐｔ合金（Ｋｕ〜５×１０^７ｅｒｇ／ｃｍ^３）等の高Ｋｕ材料が用いられている。

磁性層を構成する材料として、高Ｋｕ材料を用いると、ＫｕＶ／ｋＴが大きくなる。ここで、Ｋｕは、磁性粒子の結晶磁気異方性定数であり、Ｖは、磁性粒子の体積であり、ｋは、ボルツマン定数であり、Ｔは、温度である。このため、熱ゆらぎによる減磁を抑制しつつ、磁性粒子の体積を小さくすることができる。このとき、磁性粒子を微細化することにより、熱アシスト磁気記録方式では、遷移幅を狭くすることができるので、磁気記録媒体を読み込む時のノイズを低減することができ、ＳＮ比（ＳＮＲ）を改善することができる。

特許文献１には、基板の上に、第１の磁性層と第２の磁性層とが順に積層された構造を有する熱アシスト磁気記録媒体が開示されている。ここで、第１の磁性層は、Ｌ１_０構造を有するＦｅＰｔ合金またはＬ１_０構造を有するＣｏＰｔ合金を含む。また、第２の磁性層は、Ｃｏを含有するＨＣＰ構造の合金である。

特開２０１５−００５３２６号公報

一般に、アシスト磁気記録媒体の磁性層に磁気情報を書き込む際に、磁気ヘッドからレーザー光等を照射して、照射領域の保磁力を局所的に低下させる。

しかしながら、磁性層に磁気情報を書き込んだ直後に保磁力が回復する際に、書き込みビットの周辺部、書き込みビットを構成する多数の磁性粒子の一部の磁化が反転し、アシスト磁気記録媒体を読み込む時のノイズとなる。

本発明の一態様は、ＳＮＲに優れたアシスト磁気記録媒体を提供することを目的とする。

（１）基板と、下地層と、Ｌ１_０型結晶構造を有する合金を含む磁性層と、保護層をこの順で有し、前記磁性層および前記保護層の間に、ピニング層をさらに有し、前記ピニング層は、Ｃｏを有する磁性材料と、Ｃｕ、Ａｇ、ＡｕおよびＡｌからなる群より選択される１種以上の金属とを含むことを特徴とするアシスト磁気記録媒体。
（２）前記ピニング層は、前記金属の総含有量が１ａｔ％〜２０ａｔ％の範囲内であることを特徴とする（１）に記載のアシスト磁気記録媒体。
（３）前記磁性材料のキュリー温度をＰ_Ｔｃ［Ｋ］、前記Ｌ１_０型結晶構造を有する合金のキュリー温度をＭ_Ｔｃ［Ｋ］とすると、式
２００≦Ｐ_Ｔｃ−Ｍ_Ｔｃ
を満たすことを特徴とする（１）または（２）に記載のアシスト磁気記録媒体。
（４）前記金属が、Ｃｕであることを特徴とする（１）〜（３）の何れか１項に記載のアシスト磁気記録媒体。
（５）前記ピニング層は、Ｎｉ、ＦｅおよびＣｏからなる群より選択される１種以上の金属の酸化物をさらに含むことを特徴とする（１）〜（４）の何れか１項に記載のアシスト磁気記録媒体。
（６）前記ピニング層は、厚さが０．５ｎｍ〜３ｎｍの範囲内であることを特徴とする（１）〜（５）の何れか１項に記載のアシスト磁気記録媒体。
（７）（１）〜（６）の何れか１項に記載のアシスト磁気記録媒体を有することを特徴とする磁気記憶装置。

本発明の一態様によれば、ＳＮＲに優れたアシスト磁気記録媒体を提供することができる。

本実施形態のアシスト磁気記録媒体の一例を示す模式図である。 本実施形態の磁気記憶装置の一例を示す模式図である。 図２の磁気ヘッドの一例を示す模式図である。

以下、本発明を実施するための形態について説明するが、本発明は、下記の実施形態に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、下記の実施形態に種々の変形及び置換を加えることができる。

（アシスト磁気記録媒体）
図１に、本実施形態のアシスト磁気記録媒体の一例を示す。

アシスト磁気記録媒体１００は、基板１と、シード層２と、第１の下地層３と、第２の下地層４と、Ｌ１_０型結晶構造を有する合金を含む磁性層５と、ピニング層６と、保護層７と、潤滑剤層８をこの順で有する。

ピニング層６は、Ｃｏを有する磁性材料と、Ｃｕ、Ａｇ、ＡｕおよびＡｌからなる群より選択される１種以上の金属とを含み、磁性層５に接触している。ピニング層６は、磁性層５に磁気情報を書き込んだ際の磁性粒子の磁化方向をピン止めする機能を有する。

一般に、アシスト磁気記録媒体の磁性層に磁気情報を書き込む際に、磁気ヘッドからレーザー光等を照射して、照射領域の保磁力を局所的に低下させる。前述したように、磁性層に磁気情報を書き込んだ直後に保磁力が回復する際に、書き込みビットの周辺部、書き込みビットを構成する多数の磁性粒子の一部の磁化が反転し、アシスト磁気記録媒体を読み込む時のノイズとなる。この現象は、Ｌ１_０型構造を有する磁性粒子に含まれる粒径が小さい粒子に磁化方向の揺らぎが生じることにより、磁性粒子の一部の磁化が反転することに起因しているものと考えられる。このとき、熱アシスト磁気記録媒体では、Ｌ１_０型構造を有する磁性粒子に含まれる粒径が小さい粒子に熱ゆらぎが生じる。

アシスト磁気記録媒体１００は、磁性層５にピニング層６が接触しており、ピニング層６は、キュリー温度が高いＣｏを有する磁性材料を含む。このため、磁性層５に磁気情報を書き込んだ際の磁性粒子の磁化方向をピン止めすることができ、磁性粒子の磁化の反転を抑制することができる。その結果、アシスト磁気記録媒体１００は、ＳＮＲが高くなる。

また、ピニング層６は、Ｃｕ、Ａｇ、ＡｕおよびＡｌからなる群より選択される１種以上の金属を有するため、磁性層５を加熱した後に、アシスト磁気記録媒体１００を冷却させやすくなる。すなわち、Ｃｕ、Ａｇ、ＡｕおよびＡｌは、Ｃｏと比較して、熱伝導率が高いため、磁性層５を加熱した際の熱は、ピニング層６、保護層７および潤滑剤層８を経由して、空気中に放出されやすくなる。その結果、Ｐ_Ｔｃ−Ｍ_Ｔｃの値が十分に大きくない場合であっても、磁性層５に磁気情報を書き込んだ際の磁性粒子の磁化方向をピン止めする効果を発揮することができる。

ピニング層６中の上記金属の含有量は、１ａｔ％〜２０ａｔ％の範囲内であることが好ましく、２．５ａｔ％〜１０ａｔ％の範囲内であることがより好ましい。ピニング層６中の上記金属の含有量が１ａｔ％以上であると、ピニング層６の放熱性がさらに向上し、２０ａｔ％以下であると、ピニング層６の結晶性がさらに向上して、磁性層５に磁気情報を書き込んだ際の磁性粒子の磁化方向をピン止めする効果がさらに向上する。

ここで、ピニング層６に含まれる磁性材料のキュリー温度をＰ_Ｔｃ［Ｋ］、磁性層５に含まれるＬ１_０型結晶構造を有する合金のキュリー温度をＭ_Ｔｃ［Ｋ］とすると、式
Ｍ_Ｔｃ＜Ｐ_Ｔｃ
を満たすことが好ましい。これにより、磁性層５に磁気情報を書き込む際に、磁性粒子の磁化の反転を効果的に抑制することができる。

式
２００≦Ｐ_Ｔｃ−Ｍ_Ｔｃ
を満たすことが好ましく、式
３００≦Ｐ_Ｔｃ−Ｍ_Ｔｃ
を満たすことがより好ましく、式
５００≦Ｐ_Ｔｃ−Ｍ_Ｔｃ
を満たすことが特に好ましい。Ｐ_Ｔｃ−Ｍ_Ｔｃが２００Ｋ以上であると、ピニング層６が磁性粒子の磁化の反転をより効果的に抑制することができる。

なお、Ｐ_Ｔｃ−Ｍ_Ｔｃの最適値は、ピニング層６を構成する材料、ピニング層６の厚さ、磁性層５を構成する材料、磁性層５の厚さ、磁性層５を構成する磁性粒子の粒度分布に依存する。

代表的な磁性材料のキュリー温度を以下に示す。

Ｃｏ：１３８８Ｋ
Ｆｅ：１０４４Ｋ
Ｎｉ：６２４Ｋ
Ｆｅ−Ｐｔ合金：約７５０Ｋ
Ｓｍ−Ｃｏ合金：約１０００Ｋ
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系合金：４００Ｋ〜６００Ｋ
磁性材料のキュリー温度の値から、ピニング層６に含まれる磁性材料の組成およびキュリー温度を決定することができる。実用的な磁性材料の中で、キュリー温度が最も高いのはＣｏである。ここで、Ｐ_Ｔｃ−Ｍ_Ｔｃが大きい程、磁性層５に磁気情報を書き込んだ際の磁性粒子の磁化方向をピン止めする効果を保証することができるため、ピニング層６は、Ｃｏを有する磁性材料を含む。

ピニング層６中のＣｏの含有量は、７５ａｔ％〜９７ａｔ％の範囲内であることが好ましく、８５ａｔ％〜９５ａｔ％の範囲内であることがより好ましい。ピニング層６中のＣｏの含有量が７５ａｔ％以上であると、ピニング層６の結晶性がさらに向上して、磁性層５に磁気情報を書き込んだ際の磁性粒子の磁化方向をピン止めする効果がさらに向上し、９７ａｔ％以下であると、ピニング層６の放熱性がさらに向上する。

ピニング層６に含まれる磁性材料としては、例えば、Ｃｏ、Ｃｏ−Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｓｉ合金、Ｃｏ−Ｃ合金、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｆｅ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｓｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃ合金、Ｃｏ−Ｇｅ合金、Ｃｏ−ＢＮ合金、Ｃｏ−Ｓｉ_３Ｎ_４合金等が挙げられる。これらの中でも、磁性層５に磁気情報を書き込んだ際の磁性粒子の磁化方向をピン止めする効果の点で、Ｃｏが好ましい。

ピニング層６に含まれる金属は、Ｃｕであることが特に好ましい。Ｃｕは、Ｃｏを有する磁性材料との相性が良く、ピニング層６の結晶性が特に向上するため、ピニング層６の成長表面の平滑性が高くなる。その結果、潤滑剤層８を形成する前のアシスト磁気記録媒体１００の表面平滑性が高くなるため、アシスト磁気記録媒体１００のＳＮＲが高くなる。

なお、ピニング層６に含まれる磁性材料は、磁性層５に含まれている元素や、磁性層５に拡散しても影響の少ない元素を有していてもよい。

磁性材料中のＣｏ以外の元素の含有量は、１５ａｔ％以下であることが好ましく、１０ａｔ％以下であることがより好ましい。磁性材料中のＣｏ以外の元素の含有量が１５ａｔ％以下であると、Ｃｏの飽和磁化及び／又はキュリー温度を大きく低下させずに、磁性層５に磁気情報を書き込んだ際の磁性粒子の磁化方向をピン止めする効果を発揮することができる。

Ｃｏ以外の元素としては、例えば、Ｐｔ、Ｂ、Ｓｉ、Ｃ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｇｅ、Ｎ等が挙げられる。

ここで、非グラニュラー構造を有するピニング層６を形成する場合、成膜条件によっては、ピニング層６を介して、磁性層５を構成する磁性粒子同士が交換結合して、磁性層５に情報を書き込む時のノイズが発生する場合がある。

このような場合、グラニュラー構造を有するピニング層６を形成することが好ましい。このとき、磁性層５を構成する磁性粒子と、ピニング層６を構成する磁性粒子が、厚さ方向に連続している柱状晶であることが特に好ましい。これにより、ピニング層６を構成する磁性粒子間の交換結合を遮断することができ、ピニング層６を介して、磁性層５を構成する磁性粒子同士が交換結合することを抑制することができる。その結果、磁性層５に情報を書き込む時のノイズの発生を効果的に抑制することができる。

このとき、ピニング層６は、Ｎｉ、ＦｅおよびＣｏからなる群より選択される１種以上の金属の酸化物をさらに含むことが好ましい。これにより、アシスト磁気記録媒体１００の製造工程において、ピニング層６を形成する時に基板１が高温である場合であっても、上記金属の酸化物は、分解しにくく、磁性粒子の内部や他層に拡散しにくい。また、上記金属の酸化物が磁性粒子の内部や他層に拡散しても、磁性層５およびピニング層６の磁気特性に対する影響が少ない。

ピニング層６中の上記金属の酸化物の含有量は、１０ｍｏｌ％〜５０ｍｏｌ％であることが好ましく、１５ｍｏｌ％〜４５ｍｏｌ％であることがより好ましい。ピニング層６中の上記金属の酸化物の含有量が１０ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％以下であると、グラニュラー構造を有するピニング層６を形成すると共に、磁性層５に磁気情報を書き込んだ際の磁性粒子の磁化方向をピン止めする効果を発揮することができる。

ピニング層６の厚さは、０．５ｎｍ〜３ｎｍであることが好ましく、１ｎｍ〜３ｎｍであることがより好ましい。ピニング層６の厚さが０．５ｎｍ以上であると、磁性層５に磁気情報を書き込んだ際の磁性粒子の磁化方向をピン止めする効果がさらに向上し、３ｎｍ以下であると、ピニング層６からのノイズを抑制するとともに、ピニング層６の放熱性がさらに向上する。

なお、ピニング層６の厚さの最適値は、Ｐ_Ｔｃ−Ｍ_Ｔｃの値、ピニング層６を構成する材料、磁性層５を構成する材料、磁性層５の厚さ、磁性層５を構成する磁性粒子の粒度分布等に依存する。

アシスト磁気記録媒体１００は、基板１と、シード層２と、第１の下地層３と、第２の下地層４、磁性層５をこの順で有するが、シード層２と、第１の下地層３と、第２の下地層４は、磁性層５と格子整合していることが好ましい。これにより、磁性層５の（００１）配向性がさらに向上する。

シード層２、第１の下地層２、第２の下地層３としては、例えば、（１００）配向しているＣｒ層、Ｗ層、ＭｇＯ層等が挙げられる。

シード層２、第１の下地層２、第２の下地層３の各層の間の格子ミスフィットは１０％以下であることが好ましい。

第１の下地層２、第２の下地層３の（１００）配向性を向上させるために、シード層２、第１の下地層２または第２の下地層３の下に、ｂｃｃ構造を有するＣｒ層もしくはＣｒ合金層、または、Ｂ２構造を有する合金層をさらに形成してもよい。

Ｃｒ合金としては、例えば、Ｃｒ−Ｍｎ合金、Ｃｒ−Ｍｏ合金、Ｃｒ−Ｗ合金、Ｃｒ−Ｖ合金、Ｃｒ−Ｔｉ合金、Ｃｒ−Ｒｕ合金等が挙げられる。

Ｂ２構造を有する合金としては、例えば、Ｒｕ−Ａｌ合金、Ｎｉ−Ａｌ合金等が挙げられる。

また、磁性層５との格子整合性を向上させるために、シード層２、第１の下地層２および第２の下地層３の少なくとも１層に酸化物を添加してもよい。

酸化物としては、例えば、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、及びＷからなる群より選択される１種以上の金属の酸化物等が挙げられる。これらの中でも、ＣｒＯ、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＣｒＯ_３、ＭｏＯ_２、ＭｏＯ_３、Ｎｂ_２Ｏ_５、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｖ_２Ｏ_３、ＶＯ_２、ＷＯ_２、ＷＯ_３、ＷＯ_６が好ましい。

シード層２、第１の下地層２および第２の下地層３の少なくとも１層中の酸化物の含有量は、２ｍｏｌ％〜３０ｍｏｌ％の範囲内であることが好ましく、１０ｍｏｌ％〜２５ｍｏｌ％の範囲内であることがより好ましい。シード層２、第１の下地層２および第２の下地層３の少なくとも１層中の酸化物の含有量が２ｍｏｌ％以上であると、磁性層５の（００１）配向性がさらに向上し、３０ｍｏｌ％以下であると、シード層２、第１の下地層２および第２の下地層３の少なくとも１層の（１００）配向性がさらに向上する。

磁性層５は、Ｌ１_０型構造を有する合金を含むため、（００１）配向している。

Ｌ１_０型構造を有する合金としては、例えば、Ｆｅ−Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｐｔ合金等が挙げられる。

磁性層５のＬ１_０型構造を有する合金の規則化を促進するために、磁性層５を成膜する時に、加熱処理することが好ましい。この場合、加熱温度（規則化温度）を低減するために、Ｌ１_０型構造を有する合金に、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ等の金属を添加してもよい。

磁性層５に含まれるＬ１_０型構造を有する合金の結晶粒子は、磁気的に孤立していることが好ましい。このため、磁性層５は、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、Ｙ_２Ｏ_３、ＣｅＯ_２、ＧｅＯ_２、ＭｎＯ、ＴｉＯ、ＺｎＯ、Ｂ_２Ｏ_３、Ｃ、ＢおよびＢＮからなる群より選択される１種以上の物質をさらに含むことが好ましい。これにより、結晶粒子間の交換結合をより確実に分断し、アシスト磁気記録媒体１００のＳＮＲをさらに向上させることができる。

磁性層５に含まれる磁性粒子の平均粒径は、記録密度を増大させる観点から、１０ｎｍ以下であることが好ましい。

一般に、磁性粒子の平均粒径が小さくなると、磁性層５に磁気情報を書き込んだ直後の熱ゆらぎの影響を受けやすくなる。

しかしながら、ピニング層６が磁性層５に接触しており、磁性粒子の磁化方向をピン止めすることができるため、磁性層５に磁気情報を書き込んだ直後に、磁性粒子の一部の磁化が反転することに由来するノイズの発生を低減することができ、その結果、磁気情報を再生する時のＳＮＲが向上する。

なお、磁性粒子の平均粒径は、平面ＴＥＭ観察画像を用いて決定することができる。例えば、ＴＥＭの観察画像から、２００個の磁性粒子の粒径（円相当径）を測定し、積算値５０％における粒径を平均粒径とすることができる。

ここで、磁性粒子の平均粒界幅は、０．３ｎｍ〜２．０ｎｍであることが好ましい。

磁性層５は、多層構造を有していてもよい。

磁性層５は、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、Ｙ_２Ｏ_３、ＣｅＯ_２、ＧｅＯ_２、ＭｎＯ、ＴｉＯ、ＺｎＯ、Ｂ_２Ｏ_３、Ｃ、ＢおよびＢＮからなる群より選択される１種以上の物質がそれぞれ異なる、２層以上の層が積層されていることが好ましい。

磁性層５の厚さは、１ｎｍ〜２０ｎｍであることが好ましく、３ｎｍ〜１５ｎｍであることがより好ましい。磁性層の厚さが１ｎｍ以上であると、再生出力が向上し、２０ｎｍ以下であると、結晶粒子の肥大化を抑制することができる。

ここで、磁性層５が多層構造を有する場合、磁性層５の厚さは、全ての層の合計の厚さを意味する。

保護層７は、炭素を含む。

保護層７の形成方法としては、例えば、炭化水素からなる原料ガスを高周波プラズマで分解して成膜するＲＦ−ＣＶＤ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ−Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、フィラメントから放出された電子で原料ガスをイオン化して成膜するＩＢＤ（Ｉｏｎ Ｂｅａｍ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、原料ガスを用いずに、固体炭素ターゲットを用いて成膜するＦＣＶＡ（Ｆｉｌｔｅｒｅｄ Ｃａｔｈｏｄｉｃ Ｖａｃｕｕｍ Ａｒｃ）法等が挙げられる。

保護層７の厚さは、１ｎｍ〜６ｎｍであることが好ましい。保護層７の厚さが１ｎｍ以上であると、磁気ヘッドの浮上特性が良好となり、６ｎｍ以下であると、磁気スペーシングが小さくなり、熱アシスト磁気記録媒体１００のＳＮＲが向上する。

潤滑剤層８は、パーフルオロポリエーテル系の潤滑剤を含む。

（磁気記憶装置）
本実施形態の磁気記憶装置は、本実施形態のアシスト磁気記録媒体を有していれば、特に限定されない。

本実施形態の磁気記憶装置は、例えば、アシスト磁気記録媒体を回転させるための磁気記録媒体駆動部と、先端部に近接場光発生素子を備えた磁気ヘッドと、磁気ヘッドを移動させるための磁気ヘッド駆動部と、記録再生信号処理系を有する。

また、磁気ヘッドは、例えば、アシスト磁気記録媒体を加熱するためのレーザー光発生部と、レーザー光発生部から発生したレーザー光を近接場光発生素子まで導く導波路を有する。

図２に、本実施形態の磁気記憶装置の一例を示す。

図２の磁気記憶装置は、アシスト磁気記録媒体１００と、アシスト磁気記録媒体１００を回転させるための磁気記録媒体駆動部１０１と、磁気ヘッド１０２と、磁気ヘッドを移動させるための磁気ヘッド駆動部１０３と、記録再生信号処理系１０４を有する。

図３に、磁気ヘッド１０２の一例を示す。

磁気ヘッド１０２は、記録ヘッド２０８と、再生ヘッド２１１を有する。

記録ヘッド２０８は、主磁極２０１と、補助磁極２０２と、磁界を発生させるコイル２０３と、レーザー光発生部としての、レーザーダイオード（ＬＤ）２０４と、ＬＤ２０４から発生したレーザー光２０５を近接場光発生素子２０６まで伝送する導波路２０７を有する。

再生ヘッド２１１は、シールド２０９で挟まれている再生素子２１０を有する。

以下に、具体的な実施例を挙げて説明するが、本発明は、これらの実施例に限定されるものではない。

（実施例１〜１１、比較例１〜４）
外径２．５インチのガラス基板上に、厚さ５０ｎｍのＣｒ−５０ａｔ％Ｔｉ（Ｃｒの含有量５０ａｔ％、Ｔｉの含有量５０ａｔ％）合金層を成膜し、３５０℃まで加熱した。その後、厚さ１５ｎｍのＣｒ層（シード層）、厚さ３０ｎｍのＷ層（第１の下地層）、厚さ３ｎｍのＭｇＯ層（第２の下地層）を成膜した後、６５０℃まで加熱した。その後、厚さ２ｎｍの（Ｆｅ−５０ａｔ％Ｐｔ）−４０ｍｏｌ％Ｃ合金層と、厚さ４．５ｎｍの（Ｆｅ−５０ａｔ％Ｐｔ）−１５ｍｏｌ％ＳｉＯ_２合金層を成膜し、磁性層を形成した。その後、厚さ１．２ｎｍのピニング層を成膜した後、厚さ４ｎｍの炭素層（保護層）を形成した。最後に、保護層上に、パーフルオロポリエーテル系の潤滑剤を塗布して、厚さ１．５ｎｍの潤滑剤層を形成し、アシスト磁気記録媒体を得た。

ここで、ピニング層を構成する材料は、表１に示す通りである。

なお、ピニング層に含まれる磁性材料（Ｃｏ）のキュリー温度（Ｐ_Ｔｃ）は、１３８８Ｋであり、磁性層に含まれるＬ１_０型結晶構造を有する合金（Ｆｅ−５０ａｔ％Ｐｔ合金）のキュリー温度（Ｍ_Ｔｃ）は、７００Ｋである。

（Ｒａ）
ＡＦＭを用いて、アシスト磁気記録媒体の潤滑剤を塗布する前の表面の算術平均粗さＲａを測定した。表１に、アシスト磁気記録媒体のＲａの測定結果を示す。

（ＳＮＲ）
磁気ヘッド１０２（図３参照）を用いて、線記録密度１５００ｋＦＣＩのオールワンパターン信号をアシスト磁気記録媒体に記録し、ＳＮＲを測定した。ここで、レーザーダイオードに投入するパワーは、トラックプロファイルの半値幅と定義したトラック幅ＭＷＷが６０ｎｍとなるように調整した。

表１に、アシスト磁気記録媒体のＲａおよびＳＮＲの評価結果を示す。

表１から、実施例１〜１１のアシスト磁気記録媒体は、ＳＮＲが高いことがわかる。

これに対して、比較例１〜４のアシスト磁気記録媒体は、ピニング層がＣｕ、Ａｇ、ＡｕおよびＡｌからなる群より選択される１種以上の金属を含まないため、ＳＮＲが低い。

１ 基板
２ シード層
３ 第１の下地層
４ 第２の下地層
５ 磁性層
６ ピニング層
７ 保護層
８ 潤滑剤層
１００ アシスト磁気記録媒体
１０１ 磁気記録媒体駆動部
１０２ 磁気ヘッド
１０３ 磁気ヘッド駆動部
１０４ 記録再生信号処理系
２０１ 主磁極
２０２ 補助磁極
２０３ コイル
２０４ レーザーダイオード
２０５ レーザー光
２０６ 近接場光発生素子
２０７ 導波路
２０８ 記録ヘッド
２０９ シールド
２１０ 再生素子
２１１ 再生ヘッド

Claims (7)

1. 基板と、下地層と、Ｌ１_０型結晶構造を有する合金を含む磁性層と、保護層をこの順で有し、
   前記磁性層および前記保護層の間に、ピニング層をさらに有し、
   前記ピニング層は、Ｃｏを有する磁性材料と、Ｃｕ、Ａｇ、ＡｕおよびＡｌからなる群より選択される１種以上の金属とを含むことを特徴とするアシスト磁気記録媒体。
2. 前記ピニング層は、前記金属の総含有量が１ａｔ％〜２０ａｔ％の範囲内であることを特徴とする請求項１に記載のアシスト磁気記録媒体。
3. 前記磁性材料のキュリー温度をＰ_Ｔｃ［Ｋ］、前記Ｌ１_０型結晶構造を有する合金のキュリー温度をＭ_Ｔｃ［Ｋ］とすると、式
   ２００≦Ｐ_Ｔｃ−Ｍ_Ｔｃ
   を満たすことを特徴とする請求項１または２に記載のアシスト磁気記録媒体。
4. 前記金属が、Ｃｕであることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載のアシスト磁気記録媒体。
5. 前記ピニング層は、Ｎｉ、ＦｅおよびＣｏからなる群より選択される１種以上の金属の酸化物をさらに含むことを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載のアシスト磁気記録媒体。
6. 前記ピニング層は、厚さが０．５ｎｍ〜３ｎｍの範囲内であることを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載のアシスト磁気記録媒体。
7. 請求項１〜６の何れか１項に記載のアシスト磁気記録媒体を有することを特徴とする磁気記憶装置。

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