JP2616378B2 - 磁気記憶装置 - Google Patents
磁気記憶装置Info
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- JP2616378B2 JP2616378B2 JP5122184A JP12218493A JP2616378B2 JP 2616378 B2 JP2616378 B2 JP 2616378B2 JP 5122184 A JP5122184 A JP 5122184A JP 12218493 A JP12218493 A JP 12218493A JP 2616378 B2 JP2616378 B2 JP 2616378B2
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- coated
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
- G11B5/725—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction containing a lubricant, e.g. organic compounds
- G11B5/7253—Fluorocarbon lubricant
- G11B5/7257—Perfluoropolyether lubricant
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Lubricants (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気的記憶装置（磁気デ
ィスク装置または磁気ドラム装置など）に関する。
ィスク装置または磁気ドラム装置など）に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に記録再生磁気ヘッド（以下、ヘッ
ドと呼ぶ。）と磁気記憶体とを構成部とする磁気記憶装
置の記録再生方法には次のような方法がある。すなわち
操作開始時にヘッドと磁気記憶体面とを接触状態でセッ
トした後、磁気記憶体に所要の回転を与えることにより
ヘッドと磁気記憶体面の間に空気層分の空間を作り、こ
の状態で記録再生を行う方法である（コンタクト・スタ
ート・ストップ方式；以下、ＣＳＳと呼ぶ。）。この方
法では操作終了時に磁気記憶体の回転が止まり、この時
ヘッドと磁気記憶体面は操作開始時と同様に接触摩擦状
態にある。これらの接触摩擦状態におけるヘッドと磁気
記憶体の間に生じる摩擦力は、ヘッドおよび磁気記憶体
を摩耗させ、ついにはヘッドおよび磁性媒体に傷を生じ
せしめることがある。また前記接触摩擦状態において、
ヘッドのわずかな姿勢の変化がヘッドにかかる荷重を不
均一にさせ、ヘッドおよび磁気記憶体表面に傷を作るこ
とがある。
ドと呼ぶ。）と磁気記憶体とを構成部とする磁気記憶装
置の記録再生方法には次のような方法がある。すなわち
操作開始時にヘッドと磁気記憶体面とを接触状態でセッ
トした後、磁気記憶体に所要の回転を与えることにより
ヘッドと磁気記憶体面の間に空気層分の空間を作り、こ
の状態で記録再生を行う方法である（コンタクト・スタ
ート・ストップ方式；以下、ＣＳＳと呼ぶ。）。この方
法では操作終了時に磁気記憶体の回転が止まり、この時
ヘッドと磁気記憶体面は操作開始時と同様に接触摩擦状
態にある。これらの接触摩擦状態におけるヘッドと磁気
記憶体の間に生じる摩擦力は、ヘッドおよび磁気記憶体
を摩耗させ、ついにはヘッドおよび磁性媒体に傷を生じ
せしめることがある。また前記接触摩擦状態において、
ヘッドのわずかな姿勢の変化がヘッドにかかる荷重を不
均一にさせ、ヘッドおよび磁気記憶体表面に傷を作るこ
とがある。
【０００３】このヘッドとの接触および摺動による磁気
記憶体の摩耗を防止するために、従来は、特開昭５２−
４９８０５号公報に記載されているように、磁気記憶体
表面にパーフロロポリエーテルなどの潤滑剤を被覆して
いた。このパーフロロポリエーテルは、官能基を持たな
いもの、および官能基として−ＣＯＯＨ，−ＣＨ2Ｏ
Ｈ，−ＣＯＯＣＨ3または次式、
記憶体の摩耗を防止するために、従来は、特開昭５２−
４９８０５号公報に記載されているように、磁気記憶体
表面にパーフロロポリエーテルなどの潤滑剤を被覆して
いた。このパーフロロポリエーテルは、官能基を持たな
いもの、および官能基として−ＣＯＯＨ，−ＣＨ2Ｏ
Ｈ，−ＣＯＯＣＨ3または次式、
【０００４】
【化２】
【０００５】を有するものが用いられていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記パ
ーフロロポリエーテルのような従来用いられてきた潤滑
剤は、ヘッドと磁気記憶体の長時間の接触により、両者
は互いに凝着して離れにくくなる欠点を有していた。こ
の凝着力は静摩擦力またはトルクを増加させ、磁気ディ
スクが回転できなくなったり、ヘッドの支持バネが塑性
変形する等の欠点があった。本発明の目的は、このよう
な従来の問題点を解決した磁気記憶装置を提供すること
にある。
ーフロロポリエーテルのような従来用いられてきた潤滑
剤は、ヘッドと磁気記憶体の長時間の接触により、両者
は互いに凝着して離れにくくなる欠点を有していた。こ
の凝着力は静摩擦力またはトルクを増加させ、磁気ディ
スクが回転できなくなったり、ヘッドの支持バネが塑性
変形する等の欠点があった。本発明の目的は、このよう
な従来の問題点を解決した磁気記憶装置を提供すること
にある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、下地体の上に
磁性媒体が被覆され、さらに該磁性媒体上に直接または
保護膜を介して下記一般式１：
磁性媒体が被覆され、さらに該磁性媒体上に直接または
保護膜を介して下記一般式１：
【０００８】
【化３】Ｒ1−φφ−Ｒ2−Ｇ または Ｒ1−ＣＯＯ−φ
φ−Ｒ2−Ｇ
φ−Ｒ2−Ｇ
【０００９】［式中、φはフェニレン基、Ｒ1はパーフ
ロロポリエーテル基が置換していてもよいＣmＸ
2m+1（Ｘは水素またはフッ素、ｍは１以上の整数）、Ｒ
2はＣnＸ2n（Ｘは水素またはフッ素、ｎは０または１以
上の整数）、Ｇは−Ｎ＝Ｎ−ＮＨ2，−ＳＯ3Ｈまたは−
ＣＮを示す。］で表される潤滑剤が被覆された磁気記憶
体と、記録再生磁気ヘッドとを少なくとも備え、前記磁
気記憶体の下地体、磁性媒体または保護膜と記録再生磁
気ヘッドとの間に電圧が印加されてなることを特徴とす
る磁気記憶装置である。
ロロポリエーテル基が置換していてもよいＣmＸ
2m+1（Ｘは水素またはフッ素、ｍは１以上の整数）、Ｒ
2はＣnＸ2n（Ｘは水素またはフッ素、ｎは０または１以
上の整数）、Ｇは−Ｎ＝Ｎ−ＮＨ2，−ＳＯ3Ｈまたは−
ＣＮを示す。］で表される潤滑剤が被覆された磁気記憶
体と、記録再生磁気ヘッドとを少なくとも備え、前記磁
気記憶体の下地体、磁性媒体または保護膜と記録再生磁
気ヘッドとの間に電圧が印加されてなることを特徴とす
る磁気記憶装置である。
【００１０】ここで、磁気記憶体の潤滑剤を被覆すべき
磁性媒体または保護膜上には、円周方向に異方性を有す
る溝が形成されている磁気記憶装置であることを好適と
する。
磁性媒体または保護膜上には、円周方向に異方性を有す
る溝が形成されている磁気記憶装置であることを好適と
する。
【００１１】本発明の磁気記憶装置は、一例として図１
に示すように下地体１の上に磁性媒体２が被覆され、さ
らに該磁性媒体２上に保護膜３が被覆され、さらに該保
護膜３の上に潤滑剤４が被覆された磁気記憶体とヘッド
５とを備え、下地体１とヘッド５との間に電圧６を印加
したものや、または別の一例として、図２に示すよう
に、下地体１の上に磁性媒体２が被覆され、さらに該磁
性媒体２の上に潤滑剤４が被覆された磁気記憶体とヘッ
ド５とを備え、下地体１とヘッド５との間に電圧６を印
加したものが挙げられる。またはさらに別の一例とし
て、図３に示すように、下地体１の上に磁性媒体２が被
覆され、該磁性媒体２上に被覆された保護膜３上に円周
方向に異方性を有する溝８が形成され、該保護膜３上に
さらに潤滑剤４が被覆された磁気記憶体とヘッド５とを
備え、下地体１とヘッド５との間に電圧６を印加したも
のが挙げられる。
に示すように下地体１の上に磁性媒体２が被覆され、さ
らに該磁性媒体２上に保護膜３が被覆され、さらに該保
護膜３の上に潤滑剤４が被覆された磁気記憶体とヘッド
５とを備え、下地体１とヘッド５との間に電圧６を印加
したものや、または別の一例として、図２に示すよう
に、下地体１の上に磁性媒体２が被覆され、さらに該磁
性媒体２の上に潤滑剤４が被覆された磁気記憶体とヘッ
ド５とを備え、下地体１とヘッド５との間に電圧６を印
加したものが挙げられる。またはさらに別の一例とし
て、図３に示すように、下地体１の上に磁性媒体２が被
覆され、該磁性媒体２上に被覆された保護膜３上に円周
方向に異方性を有する溝８が形成され、該保護膜３上に
さらに潤滑剤４が被覆された磁気記憶体とヘッド５とを
備え、下地体１とヘッド５との間に電圧６を印加したも
のが挙げられる。
【００１２】本発明に用いられる下地体１はアルミ合
金，チタン合金，ステンレスなどの金属、ポリエステ
ル，ポリイミド，ポリアミドイミド，ポリエーテルサル
フォン，ポリサルフォン，芳香族ポリエーテル，エポキ
シ樹脂，尿素樹脂，メラミン樹脂，ポリカーボネート，
ジアリルフタレート樹脂，アクリル樹脂，フェノール樹
脂，ポリフェニレンサルファイド，ポリフェニレンエー
テル，ポリアセタール樹脂，ポリブチレンテレフタレー
ト，ビスマレイミドトリアジン樹脂，ポリオキシベンジ
レン樹脂，ポリアミノビスマレイミド樹脂，ポリフェニ
レンオキサイド，ポニフェニレンサルファイドなどのプ
ラスチック、ガラス，シリコン，ゲルマニウム，アルミ
ナ，シリカ，ダイアモンド，非晶質カーボン，グラファ
イトなどのセラミックス、陽極酸化アルマイト被覆アル
ミ合金，Ｎｉ−Ｐメッキ膜，Ｃｒ，ＦｅＮｉ，ステンレ
ス，ＭｏまたはＷなどの金属が用いられる。
金，チタン合金，ステンレスなどの金属、ポリエステ
ル，ポリイミド，ポリアミドイミド，ポリエーテルサル
フォン，ポリサルフォン，芳香族ポリエーテル，エポキ
シ樹脂，尿素樹脂，メラミン樹脂，ポリカーボネート，
ジアリルフタレート樹脂，アクリル樹脂，フェノール樹
脂，ポリフェニレンサルファイド，ポリフェニレンエー
テル，ポリアセタール樹脂，ポリブチレンテレフタレー
ト，ビスマレイミドトリアジン樹脂，ポリオキシベンジ
レン樹脂，ポリアミノビスマレイミド樹脂，ポリフェニ
レンオキサイド，ポニフェニレンサルファイドなどのプ
ラスチック、ガラス，シリコン，ゲルマニウム，アルミ
ナ，シリカ，ダイアモンド，非晶質カーボン，グラファ
イトなどのセラミックス、陽極酸化アルマイト被覆アル
ミ合金，Ｎｉ−Ｐメッキ膜，Ｃｒ，ＦｅＮｉ，ステンレ
ス，ＭｏまたはＷなどの金属が用いられる。
【００１３】次にこの下地体１の上に被覆される磁性媒
体２としては、Ｆｅ3Ｏ4，γ−Ｆｅ2Ｏ3，バリウムフェ
ライト，ＣｒＯ2などの酸化物、Ｆｅ3Ｎ4などの窒化
物、Ｆｅ5Ｃ2などの炭化物、Ｃｏ，ＣｏＮｉ，ＣｏＮｉ
Ｐ，ＣｏＭｎＰ，ＣｏＭｎＮｉＰ，ＣｏＲｅ，ＣｏＰ
ｔ，ＣｏＮｉＰｔ，ＣｏＣｒ，ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＮｉ
Ｒｅ，ＣｏＭｎＲｅＰ，ＣｏＦｅＣｒ，ＣｏＶ，ＣｏＲ
ｕ，ＣｏＯｓ，ＣｏＰｔＣｒ，ＣｏＰｔＶ，ＣｏＲｈ，
ＣｏＣｒＲｈ，ＣｏＮｉＭｏ，ＣｏＮｉＣｒ，ＣｏＮｉ
Ｗ，ＣｏＳｍなどのコバルトを含む金属、ＦｅＮｄ，Ｆ
ｅＭｇ，ＦｅＮｄ，ＦｅＡｇ，ＦｅＰｄ，ＦｅＴｂなど
の鉄を含む金属、ＭｎＡｌ，ＭｎＣｕＡｌなどのマンガ
ンを含む金属が用いられる。または上記の種々の磁性体
の微粒子を混入・分散させた樹脂が用いられる。
体２としては、Ｆｅ3Ｏ4，γ−Ｆｅ2Ｏ3，バリウムフェ
ライト，ＣｒＯ2などの酸化物、Ｆｅ3Ｎ4などの窒化
物、Ｆｅ5Ｃ2などの炭化物、Ｃｏ，ＣｏＮｉ，ＣｏＮｉ
Ｐ，ＣｏＭｎＰ，ＣｏＭｎＮｉＰ，ＣｏＲｅ，ＣｏＰ
ｔ，ＣｏＮｉＰｔ，ＣｏＣｒ，ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＮｉ
Ｒｅ，ＣｏＭｎＲｅＰ，ＣｏＦｅＣｒ，ＣｏＶ，ＣｏＲ
ｕ，ＣｏＯｓ，ＣｏＰｔＣｒ，ＣｏＰｔＶ，ＣｏＲｈ，
ＣｏＣｒＲｈ，ＣｏＮｉＭｏ，ＣｏＮｉＣｒ，ＣｏＮｉ
Ｗ，ＣｏＳｍなどのコバルトを含む金属、ＦｅＮｄ，Ｆ
ｅＭｇ，ＦｅＮｄ，ＦｅＡｇ，ＦｅＰｄ，ＦｅＴｂなど
の鉄を含む金属、ＭｎＡｌ，ＭｎＣｕＡｌなどのマンガ
ンを含む金属が用いられる。または上記の種々の磁性体
の微粒子を混入・分散させた樹脂が用いられる。
【００１４】保護膜３はＳｉＯ2，Ｓｉ3Ｎ4，ＳｉＣ，
珪酸重合物などの珪素化合物、Ａｌ2Ｏ3，ＣｏＯ，Ｃｏ
3Ｏ4，Ｃｏ2Ｏ3，α−Ｆｅ2Ｏ3，Ｃｒ2Ｏ3，ＣｒＯ3，
ＴｉＯ2，ＺｒＯ2，ＺｎＯ，ＰｂＯ，ＮｉＯ，Ｍｏ
Ｏ2，ＳｎＯ2などの金属酸化物、ＴｉＮ，ＺｒＮ，Ｃｒ
Ｎ，ＴａＮ，ＢＮなどの金属窒化物、ＭｏＳ2，ＷＳ2，
ＴａＳ2などの金属硫化物、ＴｉＣ，ＺｒＣ，ＣｒＣ，
ＴａＣなどの金属炭化物、ふっ化黒鉛などの金属ふっ化
物、Ｗ，Ｃｒ，Ｉｒ，ＮｉＢ，ＮｉＰ，ＦｅＣｒ，Ｎｉ
Ｃｒ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｚｎ，Ｔｌ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｇ
ａ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｍｎ，Ｍｏ，Ｏｓ，Ｔａまたはそれら
の合金などの金属または合金、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｂ，Ｃ（非
晶質，ダイアモンド状あるいはその混合物、またはグラ
ファイト状あるいはその混合物）などの半導体、ポリテ
トラフルオロエチレン，フェノール樹脂，ポリイミドな
どのプラスチック等が用いられる。
珪酸重合物などの珪素化合物、Ａｌ2Ｏ3，ＣｏＯ，Ｃｏ
3Ｏ4，Ｃｏ2Ｏ3，α−Ｆｅ2Ｏ3，Ｃｒ2Ｏ3，ＣｒＯ3，
ＴｉＯ2，ＺｒＯ2，ＺｎＯ，ＰｂＯ，ＮｉＯ，Ｍｏ
Ｏ2，ＳｎＯ2などの金属酸化物、ＴｉＮ，ＺｒＮ，Ｃｒ
Ｎ，ＴａＮ，ＢＮなどの金属窒化物、ＭｏＳ2，ＷＳ2，
ＴａＳ2などの金属硫化物、ＴｉＣ，ＺｒＣ，ＣｒＣ，
ＴａＣなどの金属炭化物、ふっ化黒鉛などの金属ふっ化
物、Ｗ，Ｃｒ，Ｉｒ，ＮｉＢ，ＮｉＰ，ＦｅＣｒ，Ｎｉ
Ｃｒ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｚｎ，Ｔｌ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｇ
ａ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｍｎ，Ｍｏ，Ｏｓ，Ｔａまたはそれら
の合金などの金属または合金、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｂ，Ｃ（非
晶質，ダイアモンド状あるいはその混合物、またはグラ
ファイト状あるいはその混合物）などの半導体、ポリテ
トラフルオロエチレン，フェノール樹脂，ポリイミドな
どのプラスチック等が用いられる。
【００１５】本発明に用いられる潤滑剤４は、上記の一
般式１で表わされるものである。ヘッド５としては、石
英，ガラス，アルミナ，サファイア，ダイアモンド，珪
素などの絶縁体、導電性を有する炭化珪素，アルミナ・
炭化チタンなどの焼結体、マンガン・亜鉛フェライト，
ニッケル・亜鉛フェライトなどのセラミックス系の導電
体、あるいはそれらの表面にダイアモンド状炭素膜（プ
ラズマ化学蒸着法で作製），ＳｉＯ2，アルミナなどの
絶縁膜７を被覆したものが使用できる。
般式１で表わされるものである。ヘッド５としては、石
英，ガラス，アルミナ，サファイア，ダイアモンド，珪
素などの絶縁体、導電性を有する炭化珪素，アルミナ・
炭化チタンなどの焼結体、マンガン・亜鉛フェライト，
ニッケル・亜鉛フェライトなどのセラミックス系の導電
体、あるいはそれらの表面にダイアモンド状炭素膜（プ
ラズマ化学蒸着法で作製），ＳｉＯ2，アルミナなどの
絶縁膜７を被覆したものが使用できる。
【００１６】また印加する電圧は１０ボルトを越えると
ヘッドの読み書き素子に悪影響を与えることが分かっ
た。また０．１ボルト未満では摩擦係数低減の効果がな
いことが分かった。従って印加電圧の有効範囲は０．１
ボルトから１０ボルトであった。
ヘッドの読み書き素子に悪影響を与えることが分かっ
た。また０．１ボルト未満では摩擦係数低減の効果がな
いことが分かった。従って印加電圧の有効範囲は０．１
ボルトから１０ボルトであった。
【００１７】
【作用】本発明に用いられる前記一般式１で表される潤
滑剤は電圧を印加されることによって分子配向をする。
その結果、磁気記憶体の表面が配向分子で均一に覆われ
ることになり、潤滑剤がばらばらの状態で被覆されてい
た従来の磁気記憶装置に比較して、ヘッドを媒体に押し
つけた時の固体同士の直接接触が少なくなる。そのた
め、磁気記憶体の回転開始時の接触あるいはヘッドと磁
気記憶体の長時間の接触放置により生じる凝着が小さく
なり、摩擦係数を小さくすることができる。また、潤滑
剤を円周方向に異方性を有する溝の上に被覆すると、潤
滑剤分子が溝に沿って配向しやすく、さらに電圧印加に
より配向の程度が促進されるため、摩擦係数の減少効果
が大きくなる。また配向の効果は分子の構造によっても
異なる。
滑剤は電圧を印加されることによって分子配向をする。
その結果、磁気記憶体の表面が配向分子で均一に覆われ
ることになり、潤滑剤がばらばらの状態で被覆されてい
た従来の磁気記憶装置に比較して、ヘッドを媒体に押し
つけた時の固体同士の直接接触が少なくなる。そのた
め、磁気記憶体の回転開始時の接触あるいはヘッドと磁
気記憶体の長時間の接触放置により生じる凝着が小さく
なり、摩擦係数を小さくすることができる。また、潤滑
剤を円周方向に異方性を有する溝の上に被覆すると、潤
滑剤分子が溝に沿って配向しやすく、さらに電圧印加に
より配向の程度が促進されるため、摩擦係数の減少効果
が大きくなる。また配向の効果は分子の構造によっても
異なる。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。 実施例１ 本実施例では図３に示すような構造の磁気記憶体を製造
した。アルミ合金基板の上にニッケル−燐めっき膜が被
覆され、表面粗さ０．０２μｍに鏡面仕上げされた下地
体１の上に、磁性媒体２としてコバルト−ニッケル−燐
合金を３０ｎｍの厚さにめっきした。次にこの磁性媒体
２の上に保護膜３としてポリ珪酸（珪酸重合物，特開昭
５２−２０８０４号公報参照。）を回転塗布法により２
０ｎｍの厚さに被覆した後、磁気ディスク用基板を回転
させつつ綿布を押しつけることにより、同心円状に円周
方向にＲmaxで５ｎｍの粗さの溝８を付け、さらに３０
０℃で焼成した。次にこの保護膜３の上に潤滑剤４とし
て下記の構造を有する潤滑剤のフレオン溶液を回転塗布
して５ｎｍの厚さに被覆し、磁気記憶体を作った。さら
に表面にダイアモンド状炭素膜を絶縁膜７として１０ｎ
ｍの厚さで被覆したＡｌ2Ｏ3とＴｉＣの焼結体からなる
ヘッド５と下地体１との間に５ボルトの電圧を印加し
た。
した。アルミ合金基板の上にニッケル−燐めっき膜が被
覆され、表面粗さ０．０２μｍに鏡面仕上げされた下地
体１の上に、磁性媒体２としてコバルト−ニッケル−燐
合金を３０ｎｍの厚さにめっきした。次にこの磁性媒体
２の上に保護膜３としてポリ珪酸（珪酸重合物，特開昭
５２−２０８０４号公報参照。）を回転塗布法により２
０ｎｍの厚さに被覆した後、磁気ディスク用基板を回転
させつつ綿布を押しつけることにより、同心円状に円周
方向にＲmaxで５ｎｍの粗さの溝８を付け、さらに３０
０℃で焼成した。次にこの保護膜３の上に潤滑剤４とし
て下記の構造を有する潤滑剤のフレオン溶液を回転塗布
して５ｎｍの厚さに被覆し、磁気記憶体を作った。さら
に表面にダイアモンド状炭素膜を絶縁膜７として１０ｎ
ｍの厚さで被覆したＡｌ2Ｏ3とＴｉＣの焼結体からなる
ヘッド５と下地体１との間に５ボルトの電圧を印加し
た。
【００１９】潤滑剤Ａ：Ｃ17Ｈ35φφＣＮ 潤滑剤Ｂ：Ｃ8Ｆ17φφＣＮ 潤滑剤Ｃ：Ｆ（Ｃ3Ｆ6Ｏ）5Ｃ2Ｆ4ＣＯＯφφＣＮ 潤滑剤Ｄ：Ｆ（ＣＦ（ＣＦ3）ＣＦ2Ｏ）5ＣＦ2φφＣＮ 潤滑剤Ｅ：Ｃ8Ｆ17φφＳＯ3Ｈ 潤滑剤Ｆ：Ｆ（Ｃ3Ｆ6Ｏ）5Ｃ2Ｆ4ＣＯＯφφＳＯ3Ｈ 潤滑剤Ｇ：Ｃ8Ｆ17φφＮ＝ＮＮＨ2 潤滑剤Ｈ：Ｆ（Ｃ3Ｆ6Ｏ）5Ｃ2Ｆ4ＣＯＯφφＮ＝ＮＮ
Ｈ2
Ｈ2
【００２０】この磁気記憶体とヘッドとの摩擦力を測定
したところ、次の表１に示すように、電圧をかけない場
合に比べて摩擦係数は２５％から７５％以上減少した。
したところ、次の表１に示すように、電圧をかけない場
合に比べて摩擦係数は２５％から７５％以上減少した。
【００２１】
【表１】
【００２２】実施例２ 実施例１と同様にして、但し保護膜３であるポリ珪酸を
被覆した後、溝８を設けずに潤滑剤４を被覆して図１に
示すような磁気記憶体を製造した。この磁気ディスクと
ヘッドの摩擦力を測定したところ、次の表２に示すよう
に、電圧をかけない場合に比べて摩擦係数は２０％から
５０％以上減少した。
被覆した後、溝８を設けずに潤滑剤４を被覆して図１に
示すような磁気記憶体を製造した。この磁気ディスクと
ヘッドの摩擦力を測定したところ、次の表２に示すよう
に、電圧をかけない場合に比べて摩擦係数は２０％から
５０％以上減少した。
【００２３】
【表２】
【００２４】実施例３ 実施例１と同様にして、但し保護膜３として反応ガスに
メタンを導入したスパッタリング法によりカーボンを被
覆した後、磁気ディスク用基板を回転させつつ綿布を押
しつけることにより同心円状に円周方向にＲmaxで５ｎ
ｍの粗さの溝８を付けた。この磁気ディスクとヘッドの
摩擦力を測定したところ、次の表３に示すように、電圧
をかけない場合に比べて摩擦係数は２５％から７５％以
上減少した。
メタンを導入したスパッタリング法によりカーボンを被
覆した後、磁気ディスク用基板を回転させつつ綿布を押
しつけることにより同心円状に円周方向にＲmaxで５ｎ
ｍの粗さの溝８を付けた。この磁気ディスクとヘッドの
摩擦力を測定したところ、次の表３に示すように、電圧
をかけない場合に比べて摩擦係数は２５％から７５％以
上減少した。
【００２５】
【表３】
【００２６】実施例４ 実施例１と同様にして、但し下地体１としてガラス基板
を用いて磁気ディスクを作った。この磁気ディスクと、
Ａｌ2Ｏ3とＴｉＣの焼結体からなるヘッドとの摩擦力を
測定したところ、先の表３と同様の結果が得られた。
を用いて磁気ディスクを作った。この磁気ディスクと、
Ａｌ2Ｏ3とＴｉＣの焼結体からなるヘッドとの摩擦力を
測定したところ、先の表３と同様の結果が得られた。
【００２７】実施例５ 実施例１と同様にして、但し磁性媒体２としてスパッタ
リングによりγ−Ｆｅ2Ｏ3薄膜を５０ｎｍ被覆し、また
同心円状に溝８を形成して磁気ディスクを作った。この
磁気ディスクとヘッドの摩擦力を測定したところ、次の
表４に示すように、電圧をかけない場合に比べて摩擦係
数は２５％から７５％以上減少した。
リングによりγ−Ｆｅ2Ｏ3薄膜を５０ｎｍ被覆し、また
同心円状に溝８を形成して磁気ディスクを作った。この
磁気ディスクとヘッドの摩擦力を測定したところ、次の
表４に示すように、電圧をかけない場合に比べて摩擦係
数は２５％から７５％以上減少した。
【００２８】
【表４】
【００２９】実施例６ 実施例１と同様にして、但し下地体１としてガラス基板
を用い、磁性媒体２としてスパッタリングによりＦｅ5
Ｃ2薄膜を５０ｎｍ被覆し、さらに保護膜３としてプラ
ズマ化学蒸着法（ＣＶＤ）法を用いてダイアモンド状カ
ーボン膜を２ｎｍの厚さに被覆し、該保護膜上に同心円
状に溝８を形成して磁気ディスクを作った。用いた潤滑
剤は実施例１と同様である。この磁気ディスクとヘッド
の摩擦力を測定したところ、表３と同様の結果が得られ
た。
を用い、磁性媒体２としてスパッタリングによりＦｅ5
Ｃ2薄膜を５０ｎｍ被覆し、さらに保護膜３としてプラ
ズマ化学蒸着法（ＣＶＤ）法を用いてダイアモンド状カ
ーボン膜を２ｎｍの厚さに被覆し、該保護膜上に同心円
状に溝８を形成して磁気ディスクを作った。用いた潤滑
剤は実施例１と同様である。この磁気ディスクとヘッド
の摩擦力を測定したところ、表３と同様の結果が得られ
た。
【００３０】比較例１ 実施例１と同様にして、但し潤滑剤４として、式：Ｆ
（Ｃ2Ｆ4Ｏ）5（ＣＦ2Ｏ）15ＣＦ3で表されるパーフロ
ロポリエーテルを１ｎｍ被覆して、磁気ディスクを作っ
た。この磁気ディスクの電圧をかける前と後の摩擦係数
は、それぞれ３．１０および３．１０であり、変化はな
かった。
（Ｃ2Ｆ4Ｏ）5（ＣＦ2Ｏ）15ＣＦ3で表されるパーフロ
ロポリエーテルを１ｎｍ被覆して、磁気ディスクを作っ
た。この磁気ディスクの電圧をかける前と後の摩擦係数
は、それぞれ３．１０および３．１０であり、変化はな
かった。
【００３１】比較例２ 実施例２と同様にして、但し潤滑剤４として、式：ＧＣ
Ｆ2（ＯＣＦ2）13（ＯＣ2Ｆ4）8ＯＣＦ2Ｇ（式中、Ｇは
−ＣＨ2ＯＨである。）で表されるパーフロロポリエー
テルを１ｎｍ被覆して、磁気ディスクを作った。この磁
気ディスクの電圧をかける前と後の摩擦係数は、それぞ
れ２．５０および２．５０であり、変化はなかった。
Ｆ2（ＯＣＦ2）13（ＯＣ2Ｆ4）8ＯＣＦ2Ｇ（式中、Ｇは
−ＣＨ2ＯＨである。）で表されるパーフロロポリエー
テルを１ｎｍ被覆して、磁気ディスクを作った。この磁
気ディスクの電圧をかける前と後の摩擦係数は、それぞ
れ２．５０および２．５０であり、変化はなかった。
【００３２】
【発明の効果】以上、詳細に述べたように、本発明の磁
気記憶装置はヘッドと媒体の接触時の摩擦係数が小さ
く、かつその摺動による変化は小さくて耐摩耗性に優
れ、磁気ヘッドとの長時間の静的接触によっても吸着力
が発生せず、比較例に示した従来の磁気記憶装置よりは
るかに信頼性を向上させることができる。特に実施例１
〜６に示すように、官能基はＮ＝ＮＮＨ2，ＳＯ3Ｈ，Ｃ
Ｎの順に摩擦係数減少効果が大きい。さらにＲ1はパー
フロロポリエーテル基置換体，フッ素化炭化水素，水素
化炭化水素の順に摩擦係数減少効果が大きく、さらに潤
滑剤を同心円状に円周方向に付けた溝の上に被覆した方
が溝を設けない場合に比べ摩擦係数の減少効果が大きか
った。なお、比較例の磁気ディスクでは大きな摩擦力の
ため磁気ディスクが回転できずヘッドの支持バネが塑性
変形を起こしたが、実施例の磁気ディスクでは異常はな
かった。
気記憶装置はヘッドと媒体の接触時の摩擦係数が小さ
く、かつその摺動による変化は小さくて耐摩耗性に優
れ、磁気ヘッドとの長時間の静的接触によっても吸着力
が発生せず、比較例に示した従来の磁気記憶装置よりは
るかに信頼性を向上させることができる。特に実施例１
〜６に示すように、官能基はＮ＝ＮＮＨ2，ＳＯ3Ｈ，Ｃ
Ｎの順に摩擦係数減少効果が大きい。さらにＲ1はパー
フロロポリエーテル基置換体，フッ素化炭化水素，水素
化炭化水素の順に摩擦係数減少効果が大きく、さらに潤
滑剤を同心円状に円周方向に付けた溝の上に被覆した方
が溝を設けない場合に比べ摩擦係数の減少効果が大きか
った。なお、比較例の磁気ディスクでは大きな摩擦力の
ため磁気ディスクが回転できずヘッドの支持バネが塑性
変形を起こしたが、実施例の磁気ディスクでは異常はな
かった。
【図１】本発明の磁気記憶装置の一例の断面図である。
【図２】本発明の磁気記憶装置の別の一例の断面図であ
る。
る。
【図３】本発明の磁気記憶装置のさらに別の一例の断面
図である。
図である。
１ 下地体 ２ 磁性媒体 ３ 保護膜 ４ 潤滑剤 ５ ヘッド ６ 電圧 ７ 絶縁膜 ８ 溝
Claims (2)
- 【請求項１】 下地体の上に磁性媒体が被覆され、さら
に該磁性媒体上に直接または保護膜を介して下記一般
式： 【化１】Ｒ1−φφ−Ｒ2−Ｇ または Ｒ1−ＣＯＯ−φ
φ−Ｒ2−Ｇ ［式中、φはフェニレン基、Ｒ1はパーフロロポリエー
テル基が置換していてもよいＣmＸ2m+1（Ｘは水素また
はフッ素、ｍは１以上の整数）、Ｒ2はＣnＸ2n（Ｘは水
素またはフッ素、ｎは０または１以上の整数）、Ｇは−
Ｎ＝Ｎ−ＮＨ2，−ＳＯ3Ｈまたは−ＣＮを示す。］で表
される潤滑剤が被覆された磁気記憶体と、記録再生磁気
ヘッドとを少なくとも備え、前記磁気記憶体の下地体、
磁性媒体または保護膜と記録再生磁気ヘッドとの間に電
圧が印加されてなることを特徴とする磁気記憶装置。 - 【請求項２】 磁気記憶体の潤滑剤を被覆すべき磁性媒
体または保護膜上には、円周方向に異方性を有する溝が
形成されている請求項１記載の磁気記憶装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5122184A JP2616378B2 (ja) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | 磁気記憶装置 |
| US08/231,013 US5434728A (en) | 1993-04-27 | 1994-04-21 | Magnetic storage unit having a magnetic medium coated with lubricant |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5122184A JP2616378B2 (ja) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | 磁気記憶装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06309601A JPH06309601A (ja) | 1994-11-04 |
| JP2616378B2 true JP2616378B2 (ja) | 1997-06-04 |
Family
ID=14829662
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5122184A Expired - Lifetime JP2616378B2 (ja) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | 磁気記憶装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5434728A (ja) |
| JP (1) | JP2616378B2 (ja) |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3610838A (en) * | 1968-03-11 | 1971-10-05 | Sony Corp | Erasing apparatus for magnetic memory discs using two dc heads |
| JPS5220804A (en) * | 1975-07-01 | 1977-02-17 | Nec Corp | Magnetic memory device and the manufacturing method |
| JPS5249805A (en) * | 1975-10-18 | 1977-04-21 | Hitachi Maxell Ltd | Magnetic recording medium |
| US4696845A (en) * | 1984-08-27 | 1987-09-29 | Nec Corporation | Magnetic storage medium with lubricating coating |
| JPS61253634A (ja) * | 1985-05-01 | 1986-11-11 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPS63258992A (ja) * | 1987-04-16 | 1988-10-26 | Hitachi Metals Ltd | 薄膜潤滑用合成潤滑剤及び磁気記録媒体 |
| JPH0258729A (ja) * | 1988-08-24 | 1990-02-27 | Nec Corp | 磁気ディスク基板およびその製造方法 |
| JPH06105501B2 (ja) * | 1989-10-26 | 1994-12-21 | 日本ゼオン株式会社 | 磁気記録媒体 |
| JPH05274656A (ja) * | 1992-03-27 | 1993-10-22 | Alps Electric Co Ltd | 磁気ディスク |
-
1993
- 1993-04-27 JP JP5122184A patent/JP2616378B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-04-21 US US08/231,013 patent/US5434728A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06309601A (ja) | 1994-11-04 |
| US5434728A (en) | 1995-07-18 |
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