JP2827664B2 - 磁気記憶体 - Google Patents
磁気記憶体Info
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- JP2827664B2 JP2827664B2 JP4063192A JP4063192A JP2827664B2 JP 2827664 B2 JP2827664 B2 JP 2827664B2 JP 4063192 A JP4063192 A JP 4063192A JP 4063192 A JP4063192 A JP 4063192A JP 2827664 B2 JP2827664 B2 JP 2827664B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気的記憶装置（磁気デ
ィスク装置または磁気ドラム装置など）に用いられる磁
気記憶体に関する。
ィスク装置または磁気ドラム装置など）に用いられる磁
気記憶体に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に記録再生磁気ヘッド（以下、ヘッ
ドと呼ぶ。）と磁気記憶体とを構成部とする磁気記憶装
置の記録再生方法には次のような方法がある。すなわち
操作開始時にヘッドと磁気記憶体面とを接触状態でセッ
トした後、磁気記憶体に所要の回転を与えることにより
ヘッドと磁気記憶体面の間に空気層分の空間を作り、こ
の状態で記録再生をする方法である（コンタクト・スタ
ート・ストップ方式：以下、ＣＳＳと呼ぶ。）。この方
法では操作終了時に磁気記憶体の回転が止まり、この時
ヘッドと磁気記憶体面は操作開始時と同様に接触摩擦状
態にある。これらの接触摩擦状態におけるヘッドと磁気
記憶体の間に生じる摩擦力は、ヘッドおよび磁気記憶体
を摩耗させ、ついにはヘッドおよび磁性媒体に傷を生じ
せしめることがある。また前記接触摩擦状態において、
ヘッドのわずかな姿勢の変化がヘッドにかかる荷重を不
均一にさせ、ヘッドおよび磁気記憶体表面に傷を作るこ
ともある。さらにヘッドと磁気記憶体の長時間の接触に
より、両者は互いに吸着し離れにくくなる。
ドと呼ぶ。）と磁気記憶体とを構成部とする磁気記憶装
置の記録再生方法には次のような方法がある。すなわち
操作開始時にヘッドと磁気記憶体面とを接触状態でセッ
トした後、磁気記憶体に所要の回転を与えることにより
ヘッドと磁気記憶体面の間に空気層分の空間を作り、こ
の状態で記録再生をする方法である（コンタクト・スタ
ート・ストップ方式：以下、ＣＳＳと呼ぶ。）。この方
法では操作終了時に磁気記憶体の回転が止まり、この時
ヘッドと磁気記憶体面は操作開始時と同様に接触摩擦状
態にある。これらの接触摩擦状態におけるヘッドと磁気
記憶体の間に生じる摩擦力は、ヘッドおよび磁気記憶体
を摩耗させ、ついにはヘッドおよび磁性媒体に傷を生じ
せしめることがある。また前記接触摩擦状態において、
ヘッドのわずかな姿勢の変化がヘッドにかかる荷重を不
均一にさせ、ヘッドおよび磁気記憶体表面に傷を作るこ
ともある。さらにヘッドと磁気記憶体の長時間の接触に
より、両者は互いに吸着し離れにくくなる。
【０００３】このヘッドとの接触および摺動による磁気
記憶体の破壊および吸着を防止するために、従来、特開
昭５２−４９８０５号公報に開示されているように、磁
気記憶体表面にパーフロロポリエーテルなどの潤滑剤を
被覆していた。このパーフロロポリエーテルは、官能基
として−ＣＯＯＨ，−ＣＨ2ＯＨ，−ＣＯＯＣＨ3また
は、
記憶体の破壊および吸着を防止するために、従来、特開
昭５２−４９８０５号公報に開示されているように、磁
気記憶体表面にパーフロロポリエーテルなどの潤滑剤を
被覆していた。このパーフロロポリエーテルは、官能基
として−ＣＯＯＨ，−ＣＨ2ＯＨ，−ＣＯＯＣＨ3また
は、
【化１】 を有するものが用いられていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
官能基を有するパーフロロポリエーテルは保護膜に対す
る吸着力が弱く、ヘッドとの摺動または多数回のＣＳＳ
の繰り返しにおいて保護膜表面から除去され、磁気記憶
体の傷の発生を防ぐことができなかった。また除去され
た潤滑剤が磁気記憶体とヘッドの接触摺動面に厚く局在
して吸着し、離れなくなるという欠点もあった。本発明
の目的は、このような従来の問題点を解決した磁気記憶
体を提供することにある。
官能基を有するパーフロロポリエーテルは保護膜に対す
る吸着力が弱く、ヘッドとの摺動または多数回のＣＳＳ
の繰り返しにおいて保護膜表面から除去され、磁気記憶
体の傷の発生を防ぐことができなかった。また除去され
た潤滑剤が磁気記憶体とヘッドの接触摺動面に厚く局在
して吸着し、離れなくなるという欠点もあった。本発明
の目的は、このような従来の問題点を解決した磁気記憶
体を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板表面に形
成された下地体の上に磁性媒体が被覆され、該磁性媒体
上に保護膜が被覆され、さらに該保護膜上に下記に示す
官能基を有するパーフロロポリエーテルからなる潤滑剤
が被覆されていることを特徴とする磁気記憶体である。 ＧＣＦ2（ＯＣＦ2）p（ＯＣ2Ｆ4）qＯＣＦ2Ｇ または Ｆ（ＣＦ（ＣＦ3）ＣＦ2Ｏ）mＣＦ2Ｇ または Ｆ（Ｃ3Ｆ6Ｏ）rＣ2Ｆ4Ｇ または Ｆ（ＣＦ（ＣＦ3）ＣＦ2Ｏ）mＣＦ2ＪＣＦ2（ＯＣＦ
2（ＣＦ3）ＣＦ）mＦ または Ｆ（Ｃ3Ｆ6Ｏ）rＣ2Ｆ4ＪＣ2Ｆ4（ＯＣ3Ｆ6）rＦ また
は ｛Ｆ（Ｃ3Ｆ6Ｏ）rＣ2Ｆ4｝3Ｌ （式中、ｐ，ｑは１以上の整数、ｍ，ｒは３以上の整
数、Ｇは−Ｎ＝Ｎ−ＮＨ2，−ＳＯ3Ｈ，−ＣＳＯＨまた
は−ＣＯＳＨ、Ｊは−ＳＯ2ＮＨＣＯ−，−ＳＯ2ＮＨＣ
Ｈ2−，−ＣＨ2Ｎ（ＯＨ）ＣＨ2−，−ＣＯＮＨＣＯ
−，−ＣＯＮＨＣＨ2−または−ＣＳＮＨ−、Ｌは−Ｃ
Ｈ2（Ｎ（ＮＨ）−）ＣＨ2−である。）
成された下地体の上に磁性媒体が被覆され、該磁性媒体
上に保護膜が被覆され、さらに該保護膜上に下記に示す
官能基を有するパーフロロポリエーテルからなる潤滑剤
が被覆されていることを特徴とする磁気記憶体である。 ＧＣＦ2（ＯＣＦ2）p（ＯＣ2Ｆ4）qＯＣＦ2Ｇ または Ｆ（ＣＦ（ＣＦ3）ＣＦ2Ｏ）mＣＦ2Ｇ または Ｆ（Ｃ3Ｆ6Ｏ）rＣ2Ｆ4Ｇ または Ｆ（ＣＦ（ＣＦ3）ＣＦ2Ｏ）mＣＦ2ＪＣＦ2（ＯＣＦ
2（ＣＦ3）ＣＦ）mＦ または Ｆ（Ｃ3Ｆ6Ｏ）rＣ2Ｆ4ＪＣ2Ｆ4（ＯＣ3Ｆ6）rＦ また
は ｛Ｆ（Ｃ3Ｆ6Ｏ）rＣ2Ｆ4｝3Ｌ （式中、ｐ，ｑは１以上の整数、ｍ，ｒは３以上の整
数、Ｇは−Ｎ＝Ｎ−ＮＨ2，−ＳＯ3Ｈ，−ＣＳＯＨまた
は−ＣＯＳＨ、Ｊは−ＳＯ2ＮＨＣＯ−，−ＳＯ2ＮＨＣ
Ｈ2−，−ＣＨ2Ｎ（ＯＨ）ＣＨ2−，−ＣＯＮＨＣＯ
−，−ＣＯＮＨＣＨ2−または−ＣＳＮＨ−、Ｌは−Ｃ
Ｈ2（Ｎ（ＮＨ）−）ＣＨ2−である。）
【０００６】本発明の磁気記憶体は、その部分断面図を
図１に示すように、下地体１の上に磁性媒体２が被覆さ
れ、さらに該媒体２上に保護膜３が被覆されている。さ
らに該保護膜３の上に上記のような官能基を有するパー
フロロポリエーテルからなる潤滑剤４が被覆された構造
を有する。本発明におけるパーフロロポリエーテルの官
能基は、従来の技術に用いられていた官能基よりも磁気
記録体表面への保持能力が大きい。
図１に示すように、下地体１の上に磁性媒体２が被覆さ
れ、さらに該媒体２上に保護膜３が被覆されている。さ
らに該保護膜３の上に上記のような官能基を有するパー
フロロポリエーテルからなる潤滑剤４が被覆された構造
を有する。本発明におけるパーフロロポリエーテルの官
能基は、従来の技術に用いられていた官能基よりも磁気
記録体表面への保持能力が大きい。
【０００７】下地体１は、アルミ合金，チタン合金，ス
テンレス等の金属、ポリエステル，ポリイミド，ポリア
ミドイミド，ポリエーテルサルフォン，ポリサルフォ
ン，芳香族ポリエーテル，エポキシ樹脂，尿素樹脂，メ
ラミン樹脂，ポリカーボネート，ジアリルフタレート樹
脂，アクリル樹脂，フェノール樹脂，ポリフェニレンサ
ルファイド，ポリフェニレンエーテル，ポリアセタール
樹脂，ポリブチレンテレフタレート，ビスマレイミドト
リアジン樹脂，ポリオキシベンジレン樹脂，ポリアミノ
ビスマレイミド樹脂，ポリフェニレンオキサイド，ポリ
フェニレンサルファイド等のプラスチック、ガラス，シ
リコン，ゲルマニウム，アルミナ，シリカ，ダイアモン
ド等のセラミックス、陽極酸化アルマイト被覆アルミ合
金，Ｎｉ−Ｐメッキ膜，Ｃｒ，ＦｅＮｉ，Ｍｏ，Ｗ等の
金属が用いられる。次に、この下地体１の上に被覆され
る磁性媒体２としては、Ｆｅ3Ｏ4，γ−Ｆｅ2Ｏ3，バリ
ウムフェライト，ＣｒＯ2等の酸化物、Ｆｅ3Ｎ4等の窒
化物、Ｆｅ5Ｃ2等の炭化物、Ｃｏ，ＣｏＮｉ，ＣｏＮｉ
Ｐ，ＣｏＭｎＰ，ＣｏＭｎＮｉＰ，ＣｏＲｅ，ＣｏＰ
ｔ，ＣｏＮｉＰｔ，ＣｏＣｒ，ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＮｉ
Ｒｅ，ＣｏＭｎＲｅＰ，ＣｏＦｅＣｒ，ＣｏＶ，ＣｏＲ
ｕ，ＣｏＯｓ，ＣｏＰｔＣｒ，ＣｏＰｔＶ，ＣｏＲｈ，
ＣｏＣｒＲｈ，ＣｏＮｉＭｏ，ＣｏＮｉＣｒ，ＣｏＮｉ
Ｗ，ＣｏＳｍ等のコバルトを含む金属、ＦｅＭｇ，Ｆｅ
Ｎｄ，ＦｅＡｇ，ＦｅＰｄ，ＦｅＴｂ等の鉄を含む金
属、ＭｎＡｌ，ＭｎＣｕＡｌ等のマンガンを含む金属等
が用いられる。または上記の種々の磁性体の微粒子を混
入、分散させた樹脂が用いられる。
テンレス等の金属、ポリエステル，ポリイミド，ポリア
ミドイミド，ポリエーテルサルフォン，ポリサルフォ
ン，芳香族ポリエーテル，エポキシ樹脂，尿素樹脂，メ
ラミン樹脂，ポリカーボネート，ジアリルフタレート樹
脂，アクリル樹脂，フェノール樹脂，ポリフェニレンサ
ルファイド，ポリフェニレンエーテル，ポリアセタール
樹脂，ポリブチレンテレフタレート，ビスマレイミドト
リアジン樹脂，ポリオキシベンジレン樹脂，ポリアミノ
ビスマレイミド樹脂，ポリフェニレンオキサイド，ポリ
フェニレンサルファイド等のプラスチック、ガラス，シ
リコン，ゲルマニウム，アルミナ，シリカ，ダイアモン
ド等のセラミックス、陽極酸化アルマイト被覆アルミ合
金，Ｎｉ−Ｐメッキ膜，Ｃｒ，ＦｅＮｉ，Ｍｏ，Ｗ等の
金属が用いられる。次に、この下地体１の上に被覆され
る磁性媒体２としては、Ｆｅ3Ｏ4，γ−Ｆｅ2Ｏ3，バリ
ウムフェライト，ＣｒＯ2等の酸化物、Ｆｅ3Ｎ4等の窒
化物、Ｆｅ5Ｃ2等の炭化物、Ｃｏ，ＣｏＮｉ，ＣｏＮｉ
Ｐ，ＣｏＭｎＰ，ＣｏＭｎＮｉＰ，ＣｏＲｅ，ＣｏＰ
ｔ，ＣｏＮｉＰｔ，ＣｏＣｒ，ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＮｉ
Ｒｅ，ＣｏＭｎＲｅＰ，ＣｏＦｅＣｒ，ＣｏＶ，ＣｏＲ
ｕ，ＣｏＯｓ，ＣｏＰｔＣｒ，ＣｏＰｔＶ，ＣｏＲｈ，
ＣｏＣｒＲｈ，ＣｏＮｉＭｏ，ＣｏＮｉＣｒ，ＣｏＮｉ
Ｗ，ＣｏＳｍ等のコバルトを含む金属、ＦｅＭｇ，Ｆｅ
Ｎｄ，ＦｅＡｇ，ＦｅＰｄ，ＦｅＴｂ等の鉄を含む金
属、ＭｎＡｌ，ＭｎＣｕＡｌ等のマンガンを含む金属等
が用いられる。または上記の種々の磁性体の微粒子を混
入、分散させた樹脂が用いられる。
【０００８】前記保護膜３は、ＳｉＯ2，Ｓｉ3Ｎ4，Ｓ
ｉＣ，珪酸重合物等の珪素化合物、Ａｌ2Ｏ3，ＣｏＯ，
Ｃｏ3Ｏ4，Ｃｏ2Ｏ3，α−Ｆｅ2Ｏ3，Ｃｒ2Ｏ3，ＣｒＯ
3，ＴｉＯ2，ＺｒＯ2，ＺｎＯ，ＰｂＯ，ＮｉＯ，Ｍｏ
Ｏ2，ＳｎＯ2等の金属酸化物、ＴｉＮ，ＺｒＮ，Ｃｒ
Ｎ，ＴａＮ，ＢＮ等の金属窒化物、ＭｏＳ2，ＷＳ2，Ｔ
ａＳ2等の金属硫化物、ＴｉＣ，ＺｒＣ，ＣｒＣ，Ｔａ
Ｃ等の金属炭化物、ふっ化黒鉛等の金属ふっ化物、Ｗ，
Ｃｒ，Ｉｒ，ＮｉＢ，ＮｉＰ，ＦｅＣｒ，ＮｉＣｒ，Ｓ
ｎ，Ｐｂ，Ｚｎ，Ｔｌ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｇａ，Ｒ
ｕ，Ｒｈ，Ｍｎ，Ｍｏ，Ｏｓ，Ｔａ，これらの合金等の
金属または合金、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｂ，Ｃ（非晶質またはダ
イアモンド状あるいはその混合物、またはグラファイト
状あるいはその混合物）等の半導体、ポリテトラフルオ
ロエチレン，フェノール樹脂，ポリイミド等のプラスチ
ックが用いられる。
ｉＣ，珪酸重合物等の珪素化合物、Ａｌ2Ｏ3，ＣｏＯ，
Ｃｏ3Ｏ4，Ｃｏ2Ｏ3，α−Ｆｅ2Ｏ3，Ｃｒ2Ｏ3，ＣｒＯ
3，ＴｉＯ2，ＺｒＯ2，ＺｎＯ，ＰｂＯ，ＮｉＯ，Ｍｏ
Ｏ2，ＳｎＯ2等の金属酸化物、ＴｉＮ，ＺｒＮ，Ｃｒ
Ｎ，ＴａＮ，ＢＮ等の金属窒化物、ＭｏＳ2，ＷＳ2，Ｔ
ａＳ2等の金属硫化物、ＴｉＣ，ＺｒＣ，ＣｒＣ，Ｔａ
Ｃ等の金属炭化物、ふっ化黒鉛等の金属ふっ化物、Ｗ，
Ｃｒ，Ｉｒ，ＮｉＢ，ＮｉＰ，ＦｅＣｒ，ＮｉＣｒ，Ｓ
ｎ，Ｐｂ，Ｚｎ，Ｔｌ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｇａ，Ｒ
ｕ，Ｒｈ，Ｍｎ，Ｍｏ，Ｏｓ，Ｔａ，これらの合金等の
金属または合金、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｂ，Ｃ（非晶質またはダ
イアモンド状あるいはその混合物、またはグラファイト
状あるいはその混合物）等の半導体、ポリテトラフルオ
ロエチレン，フェノール樹脂，ポリイミド等のプラスチ
ックが用いられる。
【０００９】
【作用】本発明の潤滑剤として用いられるパーフロロポ
リエーテルに含まれる官能基は、保護膜表面に強力に吸
着する。そのためヘッドとの摺動により除去され難い。
リエーテルに含まれる官能基は、保護膜表面に強力に吸
着する。そのためヘッドとの摺動により除去され難い。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。 実施例１ アルミ合金基板の上にニッケル−燐めっき膜が被覆さ
れ、表面粗さ０．０２μｍに鏡面仕上げされた下地体の
上に、磁性媒体としてコバルト−ニッケル−燐合金を
０．０５μｍの厚さにめっきした。次にこの磁性媒体の
上に保護膜として特開昭５２−２０８０４号公報に開示
されているようなポリ珪酸（珪酸重合物）を回転塗布法
により５０ｎｍの厚さに被覆し、２５０℃で焼成した。
次にこの保護膜の上に潤滑剤として下記の構造を有する
潤滑剤のフレオン溶液を回転塗布して２ｎｍの厚さに被
覆し、磁気ディスクを作製した。
れ、表面粗さ０．０２μｍに鏡面仕上げされた下地体の
上に、磁性媒体としてコバルト−ニッケル−燐合金を
０．０５μｍの厚さにめっきした。次にこの磁性媒体の
上に保護膜として特開昭５２−２０８０４号公報に開示
されているようなポリ珪酸（珪酸重合物）を回転塗布法
により５０ｎｍの厚さに被覆し、２５０℃で焼成した。
次にこの保護膜の上に潤滑剤として下記の構造を有する
潤滑剤のフレオン溶液を回転塗布して２ｎｍの厚さに被
覆し、磁気ディスクを作製した。
【００１１】潤滑剤Ａ：ＧＣＦ2（ＯＣＦ2）13（ＯＣ2
Ｆ4）8ＯＣＦ2Ｇ（Ｇは官能基で、−Ｎ＝Ｎ−ＮＨ2また
は−ＳＯ3Ｈ） 潤滑剤Ｂ：Ｆ（Ｃ3Ｆ6Ｏ）20Ｃ2Ｆ4Ｇ（Ｇは官能基で、
−Ｎ＝Ｎ−ＮＨ2または−ＳＯ3Ｈ） 潤滑剤Ｃ：Ｆ（ＣＦ（ＣＦ3）ＣＦ2０）26ＣＦ2Ｇ（Ｇ
は官能基で、−Ｎ＝Ｎ−ＮＨ2または−ＳＯ3Ｈ） 潤滑剤Ｄ：Ｆ（ＣＦ（ＣＦ3）ＣＦ2０）26ＣＦ2ＪＣＦ2
（ＯＣＦ2（ＣＦ3）ＣＦ）26Ｆ（Ｊは官能基で、−ＳＯ
2ＮＨＣＯ−または−ＣＨ2Ｎ（ＯＨ）ＣＨ2−） 潤滑剤Ｅ：Ｆ（Ｃ3Ｆ6Ｏ）20Ｃ2Ｆ4ＪＣ2Ｆ4（ＯＣ
3Ｆ6）20Ｆ（Ｊは官能基で、−ＳＯ2ＮＨＣＯ−または
−ＣＨ2Ｎ（ＯＨ）ＣＨ2−） 潤滑剤Ｆ：｛Ｆ（Ｃ3Ｆ6Ｏ）20Ｃ2Ｆ4｝3Ｌ（Ｌは官能
基で、−ＣＨ2（Ｎ（ＮＨ）−）ＣＨ2−）
Ｆ4）8ＯＣＦ2Ｇ（Ｇは官能基で、−Ｎ＝Ｎ−ＮＨ2また
は−ＳＯ3Ｈ） 潤滑剤Ｂ：Ｆ（Ｃ3Ｆ6Ｏ）20Ｃ2Ｆ4Ｇ（Ｇは官能基で、
−Ｎ＝Ｎ−ＮＨ2または−ＳＯ3Ｈ） 潤滑剤Ｃ：Ｆ（ＣＦ（ＣＦ3）ＣＦ2０）26ＣＦ2Ｇ（Ｇ
は官能基で、−Ｎ＝Ｎ−ＮＨ2または−ＳＯ3Ｈ） 潤滑剤Ｄ：Ｆ（ＣＦ（ＣＦ3）ＣＦ2０）26ＣＦ2ＪＣＦ2
（ＯＣＦ2（ＣＦ3）ＣＦ）26Ｆ（Ｊは官能基で、−ＳＯ
2ＮＨＣＯ−または−ＣＨ2Ｎ（ＯＨ）ＣＨ2−） 潤滑剤Ｅ：Ｆ（Ｃ3Ｆ6Ｏ）20Ｃ2Ｆ4ＪＣ2Ｆ4（ＯＣ
3Ｆ6）20Ｆ（Ｊは官能基で、−ＳＯ2ＮＨＣＯ−または
−ＣＨ2Ｎ（ＯＨ）ＣＨ2−） 潤滑剤Ｆ：｛Ｆ（Ｃ3Ｆ6Ｏ）20Ｃ2Ｆ4｝3Ｌ（Ｌは官能
基で、−ＣＨ2（Ｎ（ＮＨ）−）ＣＨ2−）
【００１２】この磁気ディスクを１０万回のＣＳＳ試験
により耐摩耗性を評価したところ、初期の摩擦係数０．
１の変化はなく、さらにヘッドおよび磁気ディスクの表
面には傷は全く認められなかった。また試験後ヘッドと
磁気ディスクを７０時間放置してその間に働く吸着力を
測定したところ、放置しないときに比べ、１．０倍と全
く変化しなかった。
により耐摩耗性を評価したところ、初期の摩擦係数０．
１の変化はなく、さらにヘッドおよび磁気ディスクの表
面には傷は全く認められなかった。また試験後ヘッドと
磁気ディスクを７０時間放置してその間に働く吸着力を
測定したところ、放置しないときに比べ、１．０倍と全
く変化しなかった。
【００１３】実施例２ 実施例１と同様にして、但しスパッタ法により被覆した
炭素膜を保護膜として用い、さらにその上に潤滑剤とし
て実施例１と同様の潤滑剤のフレオン溶液を回転塗布し
て２ｎｍの厚さに被覆し、磁気ディスクを作製した。こ
の磁気ディスクを１０万回のＣＳＳ試験により耐摩耗性
を評価したところ、初期の摩擦係数０．２からほとんど
変化はなく、さらにヘッドおよび磁気ディスクの表面に
は傷は全く認められなかった。また試験後ヘッドと磁気
ディスクを７０時間放置してその間に働く吸着力を測定
したところ、放置しないときに比べ、１．２倍とわずか
な変化しか観察されなかった。
炭素膜を保護膜として用い、さらにその上に潤滑剤とし
て実施例１と同様の潤滑剤のフレオン溶液を回転塗布し
て２ｎｍの厚さに被覆し、磁気ディスクを作製した。こ
の磁気ディスクを１０万回のＣＳＳ試験により耐摩耗性
を評価したところ、初期の摩擦係数０．２からほとんど
変化はなく、さらにヘッドおよび磁気ディスクの表面に
は傷は全く認められなかった。また試験後ヘッドと磁気
ディスクを７０時間放置してその間に働く吸着力を測定
したところ、放置しないときに比べ、１．２倍とわずか
な変化しか観察されなかった。
【００１４】比較例１ 実施例１と同様にして、但し潤滑剤として下記の構造を
有するパーフロロポリエーテルを１ｎｍ被覆して、磁気
ディスクを作った。 Ｆ（Ｃ2Ｆ4Ｏ）5（ＣＦ2Ｏ）15ＣＦ3 この磁気ディスクを２００００回のＣＳＳ試験により耐
摩耗性を評価したところ、摩擦係数は試験前の７倍に増
加し、ヘッドおよび磁気ディスクの表面に磁性媒体に達
する傷が発生した。また試験後ヘッドと磁気ディスクを
７０時間放置してその間に働く吸着力を測定したとこ
ろ、放置しないときに比べ、１０倍の増加が見られた。
有するパーフロロポリエーテルを１ｎｍ被覆して、磁気
ディスクを作った。 Ｆ（Ｃ2Ｆ4Ｏ）5（ＣＦ2Ｏ）15ＣＦ3 この磁気ディスクを２００００回のＣＳＳ試験により耐
摩耗性を評価したところ、摩擦係数は試験前の７倍に増
加し、ヘッドおよび磁気ディスクの表面に磁性媒体に達
する傷が発生した。また試験後ヘッドと磁気ディスクを
７０時間放置してその間に働く吸着力を測定したとこ
ろ、放置しないときに比べ、１０倍の増加が見られた。
【００１５】比較例２ 実施例２と同様にして、但し潤滑剤として下記の構造を
有するパーフロロポリエーテルを１ｎｍ被覆して、磁気
ディスクを作った。 ＨＯＣＨ2−ＣＦ2（ＯＣＦ2）13（ＯＣ2Ｆ4）8ＯＣＦ2
−ＣＨ2ＯＨ この磁気ディスクを２００００回のＣＳＳ試験により耐
摩耗性を評価したところ、摩擦係数は試験前の１０倍に
増加し、ヘッドおよび磁気ディスクの表面に磁性媒体に
達する傷が発生した。また試験後磁気ディスクを温度４
０℃，湿度８０％の環境で２０日間放置した後の摩擦係
数は、試験前の１５倍に増加した。
有するパーフロロポリエーテルを１ｎｍ被覆して、磁気
ディスクを作った。 ＨＯＣＨ2−ＣＦ2（ＯＣＦ2）13（ＯＣ2Ｆ4）8ＯＣＦ2
−ＣＨ2ＯＨ この磁気ディスクを２００００回のＣＳＳ試験により耐
摩耗性を評価したところ、摩擦係数は試験前の１０倍に
増加し、ヘッドおよび磁気ディスクの表面に磁性媒体に
達する傷が発生した。また試験後磁気ディスクを温度４
０℃，湿度８０％の環境で２０日間放置した後の摩擦係
数は、試験前の１５倍に増加した。
【００１６】
【発明の効果】以上、詳細に述べたように、本発明の磁
気記憶体はヘッドとの摺動に対する摩擦係数が小さく、
かつその摺動による変化は小さくて耐摩耗性に優れ、磁
気ヘッドとの長時間の静的接触によっても吸着力が発生
せず、従来の磁気記憶体よりはるかに信頼性を向上させ
ることができる。
気記憶体はヘッドとの摺動に対する摩擦係数が小さく、
かつその摺動による変化は小さくて耐摩耗性に優れ、磁
気ヘッドとの長時間の静的接触によっても吸着力が発生
せず、従来の磁気記憶体よりはるかに信頼性を向上させ
ることができる。
【図１】本発明による磁気記憶体の断面図である。
１ 下地体 ２ 磁性媒体 ３ 保護膜 ４ 潤滑剤
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｃ１０Ｍ 133/56 Ｃ１０Ｍ 133/56 135/08 135/08 135/14 135/14 135/20 135/20 Ｇ１１Ｂ 5/71 Ｇ１１Ｂ 5/71 // Ｃ１０Ｎ 40:18
Claims (1)
- 【請求項１】 基板表面に形成された下地体の上に磁性
媒体が被覆され、該磁性媒体上に保護膜が被覆され、さ
らに該保護膜上に下記に示す官能基を有するパーフロロ
ポリエーテルからなる潤滑剤が被覆されていることを特
徴とする磁気記憶体。 ＧＣＦ2（ＯＣＦ2）p（ＯＣ2Ｆ4）qＯＣＦ2Ｇ または Ｆ（ＣＦ（ＣＦ3）ＣＦ2Ｏ）mＣＦ2Ｇ または Ｆ（Ｃ3Ｆ6Ｏ）rＣ2Ｆ4Ｇ または Ｆ（ＣＦ（ＣＦ3）ＣＦ2Ｏ）mＣＦ2ＪＣＦ2（ＯＣＦ
2（ＣＦ3）ＣＦ）mＦ または Ｆ（Ｃ3Ｆ6Ｏ）rＣ2Ｆ4ＪＣ2Ｆ4（ＯＣ3Ｆ6）rＦ また
は ｛Ｆ（Ｃ3Ｆ6Ｏ）rＣ2Ｆ4｝3Ｌ （式中、ｐ，ｑは１以上の整数、ｍ，ｒは３以上の整
数、Ｇは−Ｎ＝Ｎ−ＮＨ2，−ＳＯ3Ｈ，−ＣＳＯＨまた
は−ＣＯＳＨ、Ｊは−ＳＯ2ＮＨＣＯ−，−ＳＯ2ＮＨＣ
Ｈ2−，−ＣＨ2Ｎ（ＯＨ）ＣＨ2−，−ＣＯＮＨＣＯ
−，−ＣＯＮＨＣＨ2−または−ＣＳＮＨ−、Ｌは−Ｃ
Ｈ2（Ｎ（ＮＨ）−）ＣＨ2−である。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4063192A JP2827664B2 (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | 磁気記憶体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4063192A JP2827664B2 (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | 磁気記憶体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05217157A JPH05217157A (ja) | 1993-08-27 |
| JP2827664B2 true JP2827664B2 (ja) | 1998-11-25 |
Family
ID=12585899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4063192A Expired - Fee Related JP2827664B2 (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | 磁気記憶体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2827664B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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1992
- 1992-01-31 JP JP4063192A patent/JP2827664B2/ja not_active Expired - Fee Related
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