JPH08231455A - トリブロック化合物、潤滑剤及び磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 磁気記録媒体用の潤滑剤を提供する。 【構成】 一般式、Ｒ₁−Ｚ₁−Ｒ₃−Ｚ₂−Ｒ₂（式中、
Ｒ₁及びＲ₂は同一であるか又は異なり、Ｃ₄〜Ｃ₃₄の直
鎖状、分岐状、又は環状の飽和炭化水素或いは不飽和炭
化水素、ポリエーテル、ポリエステル、ポリアミド及び
ポリカーボネート基からなる群から選択され，Ｚ₁及び
Ｚ₂は同一であるか又は異なり、アミド結合、エーテル
結合、ウレタン結合、ウレア結合及びカルボン酸とアミ
ンとの反応により生成するアミン塩結合からなる群から
選択され、Ｒ₃は（ＣＨ₂）_x（ＣＦ₂）_y（ＣＨ₂）_Z基で
あり、ｘ及びｚは同一又は異なり、１〜４の範囲内の整
数であり、ｙは４〜３４の範囲内の整数である。）の化
合物は磁気記録媒体用の潤滑剤として好適に使用でき
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は新規な有機化合物、
該化合物からなる磁気記録媒体用潤滑剤及び該潤滑剤層
を有する磁気記録媒体に関する。更に詳細には、本発明
は潤滑剤として特に有用な新規化合物、該潤滑剤及び該
潤滑剤層を有する磁気記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、強磁性金属又はそれらの合金な
どを真空蒸着などによって非磁性基体上に被着して作製
される強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体は、塗布型の磁
気記録媒体に比べて、磁性層の高抗磁力や薄膜化を図り
やすく高密度記録特性に優れているので、今後の磁気記
録媒体の主流となりつつある。しかし、その反面、塗布
型媒体のような強靱性結合材樹脂を使用せず、また、強
磁性金属薄膜層や保護層の表面平滑性が非常に高いの
で、媒体表面と磁気ヘッドとの間の摩擦係数が大きくな
って、摩耗や損傷を受けやすく、耐久性や走行性に劣る
ことが知られている。

【０００３】薄膜型磁気記録媒体表面と磁気ヘッドなど
のような、相互に接触する２固体を低摩擦低摩耗で摺動
させ機器、装置の使用期間を延ばす目的のため、固体表
面の硬質化と潤滑剤の研究開発が行われている。特にＯ
Ａ機器の分野ではダウンサイジングの要求が強く、摺動
部位には年々精密な機構が採用されている。精密部品が
幅広い環境で継続的あるいは断続的に摺動する将来の機
器ではこれまで以上に摺動開始時、終了時或いは摺動時
の摩擦及び摩耗を低下させ、モータ等の負荷を低減する
必要がある。このため、様々な潤滑剤の使用が提案さ
れ、試みられている。

【０００４】これまでの保護潤滑系では摺動部位に硬く
摩耗しにくい表面層を設け、潤滑剤としてグリース或い
はオイル状の半固体または液体潤滑剤が用いられてい
る。特に液体潤滑剤は上述した特性を得るために低粘度
化が進められ、種々の改良が検討されている。しかしな
がら接触部位の平滑化が進む将来の精密機器では摺動す
る２固体間に存在する潤滑剤が液体である限り液体のメ
ニスカスによる張り付き現象が生じ、起動不良や摺動時
に偶発的に摩擦力が急増する問題が回避できない。

【０００５】このように、表面平滑性が非常に高い薄膜
型磁気記録媒体に使用される潤滑剤には塗布型磁気記録
媒体に使用されてきた従来の潤滑剤と異なる厳しい特性
が要求され、今までの潤滑剤ではなく、全く新たな潤滑
剤の開発が強く求められている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は表面平滑性が非常に高い薄膜型磁気記録媒体に使用さ
れる潤滑剤として好適な新規な有機化合物及び該化合物
からなる潤滑剤と該潤滑剤層を有する薄膜型磁気記録媒
体を提供することである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明は下記の一般式（１）で示される化合物を提
供する。 Ｒ1−Ｚ1−Ｒ3−Ｚ2−Ｒ2 （１） （式中、Ｒ1及びＲ2は同一であるか又は異なり、Ｃ4〜
Ｃ34の直鎖状、分岐状、又は環状の飽和炭化水素或いは
不飽和炭化水素、ポリエーテル、ポリエステル、ポリア
ミド又はポリカーボネート基からなる群から選択され，
Ｚ1及びＺ2は同一であるか又は異なり、アミド結合、エ
ーテル結合、ウレタン結合、ウレア結合及びカルボン酸
とアミンとの反応により生成するアミン塩結合からなる
群から選択され、Ｒ3は（ＣＨ₂）x（ＣＦ2）y（ＣＨ2）
Z基であり、ｘ及びｚは同一又は異なり、１〜４の範囲
内の整数であり、ｙは４〜３４の範囲内の整数であ
る。）

【０００８】更に、前記課題を解決するために本発明
は、前記一般式（１）で示される化合物からなる潤滑剤
を提供する。

【０００９】また、前記課題を解決するために本発明
は、前記一般式（１）で示される化合物からなる潤滑剤
を保護膜上或いは磁性層中に有する磁気記録媒体を提供
する。

【００１０】前記一般式（１）で示される化合物からな
る潤滑剤を使用すれば、接触部位の平滑化が進む将来の
薄膜型磁気記録媒体及び磁気ヘッドに於いても摺動する
２固体間でメニスカスが発生せず張り付き現象が起きな
い。従って摺動部位の起動不良や摺動時に偶発的に摩擦
力が急増する問題が回避でき、磁気記録媒体及び磁気ヘ
ッドの長寿命化が実現できる。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の化合物、潤滑剤、
保護膜及び磁気記録媒体について更に具体的に説明す
る。

【００１２】本発明の新規化合物は下記の一般式（１）
で示される。 Ｒ1−Ｚ1−Ｒ3−Ｚ2−Ｒ2 （１）

【００１３】前記式中、Ｒ1及びＲ2は同一であるか又は
異なり、Ｃ4〜Ｃ34の直鎖状、分岐状、又は環状の飽和
炭化水素或いは不飽和炭化水素、ポリエーテル、ポリエ
ステル、ポリアミド又はポリカーボネート基からなり、
好ましくはＣ8〜Ｃ18である。環状不飽和炭化水素は芳
香族化合物、縮合環式化合物、複素環式化合物、芳香族
化合物と飽和環式炭化水素化合物との縮合環式化合物又
は芳香族化合物と複素環式化合物との縮合環式化合物な
ど任意の環式不飽和炭化水素を含む。Ｒ1又はＲ2の炭素
原子数が４未満の場合、分子鎖長が短いために分子間相
互作用が小さく、十分な潤滑特性が発揮されない恐れが
ある。炭素原子数が６以上であれば溶剤や濃度の選択幅
が拡がるので好ましい。一方、炭素原子数が３４を超え
ると、潤滑効果が飽和し、不経済となる。従って、実用
的な観点から、炭素原子数は１８以下であることが好ま
しい。

【００１４】前記式中、Ｚ1及びＺ2は同一であることも
できるし又は異なっていてもよい。Ｚ1及びＺ2はアミド
結合、エーテル結合、ウレタン結合、ウレア結合及びカ
ルボン酸とアミンとの反応により生成するアミン塩結合
からなる群から選択される。カルボン酸とアミンとの反
応により生成するアミン塩結合は中和反応などではな
く、単なる配位結合又は共役結合により生成されるもの
であると思われる。また、スルホン酸又はリン酸とアミ
ンとの反応により生成するアミン塩結合も使用すること
ができる。中央部のフッ化炭化水素ブロックと両端のＲ
1及びＲ2を結合させることができ、前記以外の結合も使
用できる。

【００１５】前記式中、Ｒ3は（ＣＨ2）x（ＣＦ2）y
（ＣＨ2）Z基であり、ここで、ｙは４〜３４の範囲内の
整数、好ましくは６〜１８の範囲内の整数である。ｙが
４未満の場合、（ＣＦ2）分子鎖長が短いために分子間
相互作用が小さく、フッ素特有の潤滑特性が発揮されな
い恐れがある。ｙが６以上であればフッ素特有の潤滑特
性が発揮でき好ましい。一方、ｙが３４を超えると、潤
滑効果が飽和し、不経済となる。従って、実用的な観点
から、ｙは１８以下であることが好ましい。

【００１６】前記式中、ｘ及びｚは同一であることもで
きるし又は異なっていてもよく、１〜４の範囲内の整数
である。前記一般式（１）における、（ＣＦ2）y基の両
端に（ＣＨ2）基が１〜４個存在することが好ましい。
（ＣＦ2）y基の両端に（ＣＨ2）基が存在しなくても同
等の潤滑性は得られるが、−ＣＨ2−鎖が存在しない
と、（ＣＦ2）y基の強い電気陰性度のために、（ＣＦ
2）y基とＲ1及びＲ2を結合させているアミド結合、エー
テル結合、ウレタン結合、ウレア結合及びカルボン酸、
スルホン酸あるいはリン酸とアミンとの反応により生成
するアミン塩結合が苛酷な条件下では切断され易くな
る。しかし、（ＣＦ2）y基とＲ1及びＲ2とのアミド結
合、エーテル結合、ウレタン結合、ウレア結合及びカル
ボン酸、スルホン酸あるいはリン酸とアミンとの反応に
より生成するアミン塩結合の間に、−ＣＨ2−鎖を１〜
４個存在させることにより、−ＣＦ2−鎖による強い電
気陰性度が緩和でき、潤滑剤分子の分解を抑えることが
できる。−ＣＨ2−鎖は１個以上であれば効果があり、
５個以上では効果が飽和し、不経済となる。

【００１７】本発明の前記一般式（１）で示される化合
物の製造方法は特に限定されない。工業的に有効な合成
法の一例を示すと、例えば、分子両末端に水酸基，カル
ボキシル基，アミノ基，イソシアネート基あるいはエポ
キシ基などを有するフッ化化合物と分子末端にカルボキ
シル基，水酸基，アミノ基，イソシアネート基あるいは
エポキシ基などを有する非フッ化化合物との官能基同士
を反応させて、両者をアミド結合，エーテル結合，ウレ
タン結合，ウレア結合あるいはアミノ基とカルボキシル
基などとの反応により生成するアミン塩結合などを介し
て化学結合させる方法がある。以下、これらの結合を有
する一般式（１）の化合物の代表的な製造方法を説明す
る。

【００１８】Ｚ1，Ｚ2がアミド結合の場合 分子両末端にアミノ基を有する式（２）の含フッ素ジ
アミン Ｈ2Ｎ（ＣＨ2）x（ＣＦ2）y（ＣＨ2）zＮＨ2 （２） （式中、ｘ及びｙは同一又は異なり、１〜４の範囲内の
整数であり、ｙは４〜３４の範囲内の整数である）と式
（３）のカルボン酸の酸クロライド物 ＲＣＯＣｌ （３） （式中、ＲはＣ4〜Ｃ34の直鎖状、分岐状、又は環状の
飽和炭化水素或いは不飽和炭化水素、ポリエーテル、ポ
リエステル、ポリアミド又はポリカーボネート基からな
る）を式（４）に従い反応させる。また、カルボン酸の
酸クロライド物は塩化チオニルなどを用いてカルボン酸
から常法により合成することができる。 Ｈ2Ｎ（ＣＨ2）x（ＣＦ2）y（ＣＨ2）zＮＨ2 ＋ ２ＲＣＯＣｌ → ＲＣＯＮＨ（ＣＨ2）x（ＣＦ₂）y（ＣＨ2）zＮＨＣＯＲ ＋ ２ＨＣｌ（４）

【００１９】分子両末端に塩素原子を有する式（５）
の含フッ素ジカルボン酸の酸クロライド物 ＣｌＣＯ（ＣＨ2）x（ＣＦ2）y（ＣＨ2）zＣＯＣｌ （５） （式中、ｘ及びｙは同一又は異なり、１〜４の範囲内の
整数であり、ｙは４〜３４の範囲内の整数である）と式
（６）のアミン ＲＮＨ2 （６） （式中 、ＲはＣ4〜Ｃ34の直鎖状、分岐状、又は環状の
飽和炭化水素或いは不飽和炭化水素、ポリエーテル、ポ
リエステル、ポリアミド又はポリカーボネート基からな
る）を式（７）に従い反応させる。 ＣｌＣＯ（ＣＨ2）x（ＣＦ2）y（ＣＨ2）zＣＯＣｌ ＋ ２ＲＮＨ2 → ＲＮＨＯＣ（ＣＨ2）x（ＣＦ2）y（ＣＨ2）zＣＯＮＨＲ ＋ ２ＨＣｌ （９）

【００２０】Ｚ₁，Ｚ2がエーテル結合の場合 分子両末端に水酸基を有する式（８）の含フッ素ジア
ルコール ＨＯ（ＣＨ2）x（ＣＦ2）y（ＣＨ2）zＯＨ （８） （式中、ｘ及びｙは 同一又は異なり、１〜４の範囲内の
整数であり、ｙは４〜３４の範囲内の整数である）と式
（９）のハロゲン化物 ＲＸ （９） （式中、ＲはＣ4〜Ｃ34の直鎖状、分岐状、又は環状の
飽和炭化水素或いは不飽和炭化水素、ポリエーテル、ポ
リエステル、ポリアミド又はポリカーボネート基からな
り、Ｘは塩素、臭素又はヨウ素である）を式（１０）に
従い反応させる。 ＨＯ（ＣＨ2）x（ＣＦ2）y（ＣＨ2）zＯＨ ＋ ２ＲＸ → ＲＯ（ＣＨ2）x（ＣＦ2）y（ＣＨ2）zＯＲ ＋ ２ＨＸ （１０）

【００２１】Ｚ1，Ｚ2がウレタン結合の場合 分子両末端に水酸基を有する式（８）の含フッ素ジア
ルコールと式（１１）のイソシアネート ＲＮＣＯ （１１） （式中、ＲはＣ4〜Ｃ34の直鎖状、分岐状、又は環状の
飽和炭化水素或いは不飽和炭化水素、ポリエーテル、ポ
リエステル、ポリアミド又はポリカーボネート基からな
る）を式（１２）に従い反応させる。 ＨＯ（ＣＨ2）x（ＣＦ2）y（ＣＨ2）zＯＨ ＋ ２ＲＮＣＯ → ＲＮＨＣＯＯ（ＣＨ2）x（ＣＦ2）y（ＣＨ2）zＯＣＯＮＨＲ （１２）

【００２２】Ｚ1，Ｚ2がウレア結合の場合 分子両末端にアミノ基を有する式（２）の含フッ素ジ
アミンと式（１１）のイソシアネートを式（１３）に従
い反応させる。 Ｈ2Ｎ（ＣＨ2）x（ＣＦ2）y（ＣＨ2）zＮＨ2 ＋ ２ＲＮＣＯ → ＲＮＨＣＯＮＨ（ＣＨ2）x（ＣＦ2）y（ＣＨ2）zＮＨＣＯＮＨＲ （１３）

【００２３】Ｚ1，Ｚ2がアミン塩結合の場合 分子両末端にカルボキシル基を有する式（１４）の含
フッ素ジカルボン酸 ＨＯＯＣ（ＣＨ2）x（ＣＦ2）y（ＣＨ2）2ＣＯＯＨ （１４） （式中、ｘ及びｙは同一又は異なり、１〜４の範囲内の
整数であり、ｙは４〜３４の範囲内の整数である）と式
（６）のアミン ＲＮＨ2 （６） （式中、ＲはＣ4〜Ｃ34の直鎖状、分岐状、又は環状の
飽和炭化水素或いは不飽和炭化水素、ポリエーテル、ポ
リエステル、ポリアミド又はポリカーボネート基からな
る）を式（１５）に従い反応させる。 ＨＯＯＣ（ＣＨ2）x（ＣＦ2）y（ＣＨ2）2ＣＯＯＨ ＋ ２ＲＮＨ2 → ＲＮＨ3ＯＯＣ（ＣＨ2）x（ＣＦ2）y（ＣＨ2）2ＣＯＯＨ3ＮＲ （１５）

【００２４】本発明の前記一般式（１）で示される化合
物は潤滑剤として使用できることが発見された。本発明
の潤滑剤は摺動する２固体間に張り付き現象を生じさせ
ず、起動不良や摺動時に偶発的に摩擦力が急増する問題
を回避し、安定した摺動特性を得ることができる。本発
明の潤滑剤は固体又は液体の何れの形態でも使用でき
る。

【００２５】本発明による潤滑剤はフッ化ブロックの両
端に非フッ化ブロックを連結させているため、含フッ素
系潤滑剤であるにもかかわらず非フッ素系溶媒に可溶で
ある。溶媒としてはｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｎ−
オクタン、ｎ−デカン、ｎ−ドデカン、ベンゼン、トル
エン、キシレン、シクロヘキサン、メチルエチルケト
ン、メチルイソブチルケトン、メタノール、エタノー
ル、イソプロパノールジエチルエーテル、シクロヘキサ
ノン、テトラヒドロフランが使用できる。従って使用可
能な上記の溶媒はフッ素系溶媒に比べて安価である（例
えばｎ−ヘキサンは〜￥６００／ｋｇ、パーフロロオク
タンは〜￥７０００／ｋｇ）。またフッ素を含有しない
ため溶媒が蒸発し空気中に拡散しても大気汚染或いはオ
ゾン層破壊等の環境問題に対しても問題が無い。

【００２６】本発明による潤滑剤の片末端或いは両末端
に−ＯＨ、−ＣＯＯＨ、−ＮＨ2、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−
Ｉ、−ＳＨ、−ＣＨ2（Ｏ）ＣＨ3、−ＯＮａ、−ＣＯＯ
Ｎａ、−ＳＯ3Ｎａなどの官能基を有していてもかまわ
ない。これらの官能基は極性が強く潤滑剤を磁気記録媒
体の磁性膜又は保護膜などの摺動部位に固着させる作用
があるため磁気記録媒体の長寿命化が実現できる。

【００２７】磁気記録媒体の場合、磁性膜を保護したり
摺動特性を向上させるために、一般的に、磁性膜上に保
護膜を形成する。このような保護膜は、例えば、Ｃ、Ｓ
ｉＣp、ＢＮp、ＣＢq、ＳｉＮq、ＣＮq、ＳｉＯr、Ｚｒ
Ｏr、ＴｉＯr、ＡｌＯs、ＳｉＭwＯv、Ｆｅ3Ｏ4、Ｃｒ2
Ｏ3、Ｃｏ3Ｏ4、Ｆｅ2Ｏ3、ＣｏＣｒ2Ｏ4、ＮｉＣｒ2Ｏ
4（但し、０.８＜ｐ＜１.２，１.０＜ｑ＜４.８，１.６
＜ｒ＜２.０，１.２＜ｓ＜１.５，１.６＜ｖ＜２.０，
０.０５＜ｗ＜０.５であり、ＭはＣ，Ｎ及びＢからなる
群から選択される少なくとも１種以上の元素である）か
らなる群から選択される少なくとも１種以上の材料で構
成させることができる。これらの保護膜は塗布型及び薄
膜型の両方の磁気記録媒体に使用可能である。

【００２８】本発明による保護膜はビッカース硬度が１
０００以上で硬く、化学的に安定であるばかりか、緻密
でかつ各保護膜材料を構成する元素の自己拡散係数が１
０００℃に於いても１×１０-9ｃｍ2・ｓ-1未満と小さ
いために電気伝導性が低く防食性も高いという利点を有
する。

【００２９】前記保護膜はプラズマＣＶＤ法等の化学蒸
着法で成膜する事が好ましい。真空蒸着やスパッタリン
グ等の物理蒸着法は保護膜形成時の被着粒子サイズが大
きくまた被着粒子流の指向性が高いため微細な凹凸が存
在する表面への付き回り性が悪く被覆率の高い保護膜が
得られにくい。一方、プラズマＣＶＤ法等の化学蒸着法
は使用するモノマガスがプラズマ中で分解して分子或い
は原子単位のラジカルやイオンとなりこれらの分子或い
は原子単位のラジカルやイオンが基体表面で再結合して
保護膜を形成するため被着粒子サイズが小さく、また被
着粒子流の指向性が低いため微細な凹凸を有する表面で
も付き回り性が良く被覆率の高い保護膜が得られる。

【００３０】硬質保護膜厚は５０〜５００Åが適する。
５０Å未満では欠陥の無い保護膜に成りにくく充分な保
護作用と水、酸素に対するガスバリヤ性が得られない。
５００Åを越えると効果が飽和し不経済である。薄膜媒
体に適用する場合、保護膜厚の上限は３００Åが好まし
い。３００Åを越えると磁気ヘッド／媒体の空隙損失が
大きくなり、記録再生特性が劣化する。

【００３１】特に、ＳｉＭwＯv（ただし、１.６＜ｖ＜
２.０，０.０５＜ｗ＜０.５であり、ＭはＣ，Ｎ及びＢ
からなる群から選択される少なくとも１種以上の元素で
ある）からなる保護膜が好ましい。この材料は磁性層用
の保護膜として使用できるばかりか、磁性体粒子の酸化
防止のために、非磁性基体と磁性層との界面に中間保護
層として設けたり、非磁性基体の裏面に背面保護層とし
て設けることもできる。

【００３２】ハードディスクの無機保護膜としてシリコ
ン酸化物（ＳｉＯ_x：但し、１.５＜ｘ＜２_.０）を用い
る事は特開平６−１２５６８号に開示されている。しか
し媒体に伸縮、曲げ等の外力が常時加わる磁気テープの
場合、ＳｉＯｘはこれらの外力によりミクロな割れを生
じる。例えば６０℃、９０％Ｒ_.Ｈ.下で腐食試験を行う
と発生した割れの部分から水と酸素が供給されてＳｉＯ
x保護膜上にＣｏの水酸化物が現れ、満足な防食作用は
得られない。

【００３３】我々はこの問題を解決するためにシリコン
酸化物に伸縮性を付与する検討を行い、ＳｉＭwＯv（た
だし、１.６＜ｖ＜２.０，０.０５＜ｗ＜０.５であり、
ＭはＣ，Ｎ及びＢからなる群から選択される少なくとも
１種以上の元素である）からなる保護膜が、従来のＳｉ
Ｏｘに比べて高い伸縮性と柔軟性が発現する事を発見し
た。従って、ＳｉＭwＯv保護膜はハードディスクなどの
固定磁気ディスクの他、磁気テープ及びフロッピーディ
スクなどの可撓性磁気記録媒体にも有用な保護膜として
使用できる。

【００３４】前記のように、Ｓｉ−Ｍ−Ｏ保護膜の成膜
には被着粒子の指向性が低く被覆性の高いプラズマＣＶ
Ｄ法を用いることが好ましい。成膜に使用するモノマガ
スはＳｉ-Ｃ-Ｏ用としてＳｉＨ4とＯ2に気化性の炭化
水素を混合したもの、ＲxＨ3-xＳｉ-Ｏ-ＳｉＨ3-xＲx
（Ｒは炭素数１〜６の炭化水素またはフッ素を含有した
炭化水素でＸは１〜３の整数）とＯ2を混合したもの、
Ｓｉ（ＯＣＨ3）4あるいはＳｉ（ＯＣ2Ｈ5）4とＯ2を混
合したものＳｉ-Ｎ-Ｏ用としてＳｉＨ4とＯ2にＮ2を
混合したもの、ＲxＨ3-xＳｉ-Ｏ-ＳｉＨ3-xＲx（Ｒは炭
素数１〜６の炭化水素またはフッ素を含有した炭化水素
でＸは１〜３の整数）とＯ2にＮ2を混合したもの、Ｓｉ
（ＯＣＨ3）4あるいはＳｉ（ＯＣ2Ｈ5）4とＯ2にＮ2を
混合したものＳｉ-Ｂ-Ｏ用としてＳｉＨ4とＯ2にＢ2
Ｈ6を混合したもの、ＲxＨ3-xＳｉ-Ｏ-ＳｉＨ3-xＲx
（Ｒは炭素数１〜６の炭化水素またはフッ素を含有した
炭化水素でＸは１〜３の整数）とＯ2にＢ2Ｈ6を混合し
たもの、Ｓｉ（ＯＣＨ3）4あるいはＳｉ（ＯＣ2Ｈ5）4
とＯ2にＢ2Ｈ6を混合したものが使用できる。成膜用ガ
スのキャリアにはＨｅ、Ｎｅ、ＡｒおよびＫｒ或いはこ
れらの不活性ガス中に水素（Ｈ2）を加えて用い、全圧
を５〜２００ｍＴｏｒｒに制御する。プラズマの発生に
は１０ｋＨｚ〜１３.５６ＭＨｚの交流を単独で使用し
ても、或いはこれらの交流にマイクロ波（周波数２.４
５ＧＨｚ）を併用しても良い。Ｃ、ＮおよびＢの組成は
シリコンに対して５〜５０モル％、より好ましくは１０
〜２０モル％が好ましい。５モル％未満では柔軟性が発
現せず、５０モル％を越えると膜が硬化し過ぎ柔軟性が
失われる。また、ｖの値が１．６未満では酸化ケイ素と
しての十分な硬度が得られず、２．０を超えると酸素過
剰となる膜が脆くなる。

【００３５】Ｓｉ−Ｍ−Ｏ保護膜厚は５０〜３００Åが
適する。５０Å未満では欠陥の無い薄膜が得られず、
水、酸素に対するガスバリヤ性が得られない。３００Å
を越えると磁気ヘッド／媒体の空隙損失が大きくなり、
記録再生特性が劣化する。

【００３６】プラズマＣＶＤ法を用いて保護膜を設ける
事により下層の磁性膜との付着性も改善できる。例え
ば、Ｃｏ系磁性膜表面に存在する酸化コバルトＣｏＯは
大気中の水を容易に化学吸着し、水酸化コバルトＣｏ
（ＯＨ）2に変化する。水酸化コバルトはＣｏ2+イオン
層とＯＨ-イオン層が極めて弱い水素結合力で積み重な
った層状構造（結晶系：ＣｄＩ2型構造）である。した
がってこの上に物理蒸着法で硬質保護膜を設けてもその
界面に存在するＣｏ（ＯＨ）2層の結合力が弱いため、
外力によりたやすく保護膜が離脱する。しかし上述した
プラズマＣＶＤ法にはエッチング作用が有り、成膜初期
に結合力の弱い水酸化コバルト層を除去する事ができ
る。そのため磁性層と保護層の付着強度が大幅に向上し
耐久性、耐食性を高める事ができる。エッチング作用を
発現させるためにはプラズマ重合反応に使用するガス中
に還元性を有する水素ガス等を混合させる事、或いは上
述した高周波の使用により基板側に負バイアスを発生さ
せ成膜時の反応粒子の運動エネルギを高める事が有効で
ある。

【００３７】このエッチング作用により磁性膜表面のＣ
ｏ（ＯＨ）2層に加え、磁性膜表層の非磁性ＣｏＯ層が
除去される。この作用はオージュ電子分光分析法（ＡＥ
Ｓ）を用い保護膜成膜後の試料の組成を膜表面から深さ
方向に調べる事により明確になる。保護膜の無い試料で
は磁性膜最表層には酸素とＣｏの元素比Ｃｏ／Ｏが１未
満の非磁性ＣｏＯ層が存在している。一方、上述したＣ
ＶＤ法によりＳｉ-Ｏ-Ｍ保護膜を成膜した試料をＡＥＳ
で深さ方向に分析すると表層のＳｉとＯピークが減衰し
た後、元素比Ｃｏ／Ｏが１より大きい中間層が存在し、
その後磁性膜の母合金組成となる。この事から本発明に
よる保護膜を設ける事によりそのエッチング作用により
保護膜成膜前に磁性層表面に存在した非磁性或いは磁性
の弱い酸化物層の厚さが薄くなる事が示される。保護膜
成膜時にエッチング作用の無い場合、実効的な非磁性層
厚は保護膜厚と磁性層表層に存在する非磁性酸化物層
（Ｃｏ／Ｏが１以下の層）を加えた値になる。本発明で
は保護膜成膜時のエッチング作用により磁性層表層に存
在していた非磁性酸化物層の厚さが減少するため、実効
的非磁性層厚が保護膜成膜時にエッチング作用の無い場
合に比べ減少する。したがって本発明により保護膜を成
膜すれば磁気ヘッド／媒体間の実効的な空隙を減少させ
る事が可能となり、記録再生時の空隙損失が緩和され、
特に短波長領域に於ける記録再生特性を向上させる事が
できる。Ｓｉ-Ｍ-Ｏ成膜時のエッチング作用が小さい場
合には本発明による保護膜成膜前に磁性膜表面をＡｒ或
いはＨ２雰囲気中でプラズマエッチングし強制的に磁性
膜表層に存在する非磁性ＣｏＯを除去しても良い。

【００３８】媒体の耐食性を一段と向上させるにはＳｉ
−Ｍ−Ｏ膜を非磁性基体とＣｏ系磁性膜の界面に中間層
又は下地層として設けたり、あるいは非磁性基体の裏面
に裏面保護層又はバックコート層として設ける事が有効
である。磁気テープの分野ではＣｏ系磁性膜用の基体と
してＰＥＴ、アラミド、ＰＥＮ等の有機フィルムが使用
されるが、これらのポリマには水や酸素分子の分子サイ
ズ（２.０〜４.３Å）に比べて大きな空隙が存在してい
る。そのため磁性膜を有機フィルム基板上に直接設けた
場合、水と酸素は磁性層表面側のみならず基板フィルム
側からも供給され、腐食は磁性膜裏面からも進行する。
有機フィルムと磁性層界面にＳｉ−Ｍ−Ｏ中間層又はバ
ックコート層を設ける事によりガスバリヤ性が高まり磁
性層裏面からの腐食を抑制する事ができる。Ｓｉ−Ｍ−
Ｏ中間層（下地層）又はバックコート層（裏面保護層）
の成膜には保護膜と同様、被着粒子の指向性が低く被覆
性の高いプラズマＣＶＤ法を用いる。従来の物理蒸着法
でも同様の効果が有るが、プラズマＣＶＤ法の方が膜の
欠陥が少なく薄膜化に適する。中間層又はバックコート
層の厚さは５０〜１０００Åが好ましい。５０Å未満で
は十分な連続薄膜が得られず、水、酸素に対するガスバ
リヤ性が得られない。１０００Åを越えると効果が飽和
し不経済である。

【００３９】前記のように、本発明の一般式（１）の化
合物からなる潤滑剤層は磁気記録媒体の磁性膜上に直接
形成することもできるが、磁性膜の上に設けられた保護
膜上に形成することが好ましい。前記のように、本発明
の一般式（１）の潤滑剤化合物は非フッ素系溶媒に可溶
性なので、これらの溶媒に溶解させて潤滑剤溶液を作製
することができる。そして、この溶液を保護膜上に塗布
し、溶媒を揮発させることにより、保護膜上に潤滑剤層
を形成させることができる。また、本発明の一般式
（１）の化合物からなる潤滑剤は磁気記録媒体のバック
コートなどに含有させておき、磁性膜及び保護膜上に転
写させてもよい。非磁性基体の裏面または背面に塗布し
たり、バックコート層中に添合させることもできる。更
に、塗布型磁気記録媒体の場合、磁性層表面に塗布して
も、或いは磁性層形成材料中に配合して使用することも
できる。また、潤滑剤を磁性膜及び保護膜上に安定に存
在させるために、潤滑剤の塗布前後のどちらか一方で、
熱処理、紫外線などの光処理あるいはアルゴン及び酸素
プラズマ処理等を行ってもよい。また、潤滑剤を塗布し
た後、余分な潤滑剤を溶剤などにより洗浄してもよい。

【００４０】前記潤滑剤溶液を保護膜上に塗布する方法
としては単純浸漬塗布法、グラビア塗布法、スプレー塗
布法或いは蒸着による塗布法が使用される。これらの塗
布法により潤滑剤分子を硬質保護膜表面に吸着させる事
ができる。

【００４１】しかし、これらの塗布法では潤滑剤分子と
硬質保護膜表面の結合は主に水素結合であるため、その
結合エネルギが小さい（２０〜３０ｋＪｍｏｌ-1）。潤
滑剤分子と保護膜との結合力を高め摺動による脱離を防
ぐためには例えば保護膜上に潤滑剤を塗布後、波長１９
０ｎｍ未満の紫外線を照射する方法が有効であり、潤滑
剤分子を保護膜上に化学結合させ摩擦摩耗特性をさらに
向上する事ができる。紫外線照射はＣ−Ｆ結合を有する
潤滑剤分子に対して有効である。照射する紫外線の波長
は１００ｎｍ〜１９０ｎｍである。波長１９０ｎｍを越
える紫外線はそのエネルギが硬質保護膜の仕事関数に満
たないため、硬質保護膜から光電子を発生させる事がで
きない。そのため光電子を介した含フッ素系潤滑剤分子
との光化学反応を開始させる事ができず、結果として含
フッ素系潤滑剤分子を硬質保護膜表面に化学吸着させる
事が不可能となる。紫外線の波長は１９０ｎｍ未満であ
れば特に限定されないが通常入手可能な光源の波長の下
限は１００ｎｍである。

【００４２】紫外線照射を行う場合、処理室の雰囲気中
に酸素があってはならない。酸素は１８５ｎｍの紫外線
によりオゾンを発生し、潤滑剤分子を分解する。したが
って、処理室は窒素、アルゴン等の不活性ガス雰囲気に
する必要がある。

【００４３】紫外線照射前に潤滑剤を塗布した試料を５
０〜１００℃で熱処理すると、摺動特性を一段と高める
事ができる。熱処理により潤滑剤分子はその熱エネルギ
により硬質保護膜表面を拡散し、紫外線照射前の潤滑剤
分子の被覆率が高まるためであると思われる。

【００４４】紫外線照射により硬質保護膜上に化学結合
した非フッ化ブロック−Ｚ1−フッ化アルキルブロック
−Ｚ2−非フッ化ブロックから成る潤滑剤層が形成され
るが、潤滑剤塗布量に対する化学結合した潤滑剤の割合
には適切な範囲が存在する。化学吸着した潤滑剤を”ｎ
−ヘキサンで１０秒間超音波洗浄後も保護膜上に残存し
ているもの”と定義し、潤滑剤塗布後の試料および潤滑
剤を塗布し紫外線照射処理を行った後、ｎ−ヘキサンで
１０秒間超音波洗浄した試料をＸＰＳ（光電子分光分
析）で分析した時、洗浄後のフッ素強度と洗浄前のフッ
素強度の比が０．０５〜０．６５である事が好ましい。
０．０５未満では化学結合した潤滑剤成分が少なく潤滑
特性を一段と高める事ができず、０．６５を越えると物
理吸着したフリーな潤滑剤成分が不足しかえって潤滑特
性が劣化する。

【００４５】これまで、磁気テープおよび磁気ディスク
の分野では、摩擦係数や磨耗の低減およびシリンダへの
貼り付きや磁気ヘッドの凝着を防止するため、表面に凹
凸を有する基板を使用してきた。磁気テープを例に挙げ
ると表面に易滑粒子層が設けられたベースフィルムを使
用していた。この上に磁性膜を蒸着すると磁性層表面に
凹凸が形成され摺動特性は高まるが、磁性層に多くの欠
陥が生じ媒体の耐食性が著しく低下する。上式の潤滑剤
は先にも述べた様に貼り付き現象を起こさずまた摺動時
の負荷を大幅に低減させる作用を有している。したがっ
てベースフィルムに平滑性の高いものが使用でき、媒体
の耐食性を高める事ができる。磁気テープ用のベースフ
ィルムとしては大容量化のために厚さ６．５μｍ未満の
ＰＥＴ、より好ましくは厚さ６．５μｍ未満のＰＥＮ、
アラミドが好ましい。ＰＥＮ、アラミドはＰＥＴに比べ
てフィルムの剛性（ヤング率）が高く大容量化のために
ベース厚がさらに薄膜化した際に有利である。これらの
ベースの平滑性はＲａで０.５ｎｍ〜１.５ｎｍおよびＲ
ｚで３.０ｎｍ〜１２.０ｎｍである事が望ましい。Ｒ
ａ、Ｒｚがそれぞれ０.５ｎｍおよび３.０ｎｍを下回る
超平滑ベースは現在の技術では作製が困難であり、Ｒ
ａ、Ｒｚがそれぞれ１.５ｎｍおよび１２.０ｎｍを越え
ると上層に形成される磁性膜中の欠陥が増加し満足な耐
食性が得られない。

【００４６】本発明の潤滑剤が使用される磁気記録媒体
は特に限定されない。薄膜型及び塗布型の何れの媒体も
使用可能である。本発明の潤滑剤は薄膜型磁気記録媒体
に使用することが特に好ましい。

【００４７】本発明の磁気記録媒体で使用される非磁性
基体は特に限定されない。従来から使用されてきた磁気
記録媒体用の非磁性基体ならば全て使用できる。例え
ば、ポリエチレンテレフタレート，ポリエチレンナフタ
レート，ポリカーボネート，ポリイミド，ポリ塩化ビニ
ルなどの合成樹脂基体，アルミニウム，アルミニウム合
金，チタン，チタン合金などの金属類，アルミナガラス
などのセラミック類，ガラス類などの硬質基体を用途に
合わせて適宜使用することができる。硬質基体を使用す
る場合、基体表面にアルマイト処理などの酸化皮膜やＮ
ｉ−Ｐ皮膜などを形成し、その表面を硬化させたり、鏡
面仕上げすることもできる。また、非磁性基体の形態は
特に限定されない。テープ，シート，ディスク，カー
ド，ドラムなど磁気ヘッドと摺接することのできる形態
であれば全て使用できる。

【００４８】本発明の磁気記録媒体の磁性膜の形成用磁
性体材料は特に限定されない。従来から磁気記録媒体の
磁性膜形成用磁性体材料として使用されてきた材料は全
て使用できる。このような磁性体は例えば、薄膜型磁気
記録媒体では、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ−Ｎｉ，Ｃｏ−
Ｐ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎ
ｉ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ−Ｂ，Ｆｅ−Ｎｉ，Ｆｅ−Ｃｏ，
Ｃｏ−Ｐｔ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ，Ｃｏ−Ｃｒ又はこれら
に酸素を加えたものなどからなる種々の材料を使用でき
る。薄膜型磁気記録媒体ではＣｏを５０モル％よりも多
く含有するものが好ましい。薄膜型磁気記録媒体の場
合、前記の磁性体材料を真空蒸着，イオンプレーティン
グ，スパッタリング，メッキなどの公知慣用の方法で薄
膜に形成することができる。このようにして形成される
磁性薄膜の膜厚は特に限定されないが、一般的には、
０．０３〜１μｍの範囲内であることが好ましい。

【００４９】塗布型磁気記録媒体の磁性膜形成用磁性体
材料としては、γ−Ｆｅ2Ｏ3，Ｆｅ3Ｏ4，γ−Ｆｅ2Ｏ3
とＦｅ3Ｏ4の中間酸化状態の酸化鉄，Ｃｏ含有γ−Ｆｅ
2Ｏ3，Ｃｏ含有γ−Ｆｅ3Ｏ4，ＣｒＯ2，バリウムフェ
ライトなどの酸化物系磁性粉や、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｆｅ−Ｎ
ｉ−Ｃｒ合金などの金属磁性粉、窒化鉄のような窒化物
系磁性粉などの従来から公知の各種の磁性粉を適宜使用
できる。針状の磁性粉では、平均粒子径（長軸）が通
常、０．２〜１μｍ程度、平均軸比（平均長軸比／平均
短軸比）が通常、５〜１０程度であることが好ましい。
板状の磁性粉では、平均長軸径が通常、０．０７〜０．
３μｍ程度であるものが好ましい。これら磁性粉の結合
樹脂としては、例えば、塩化ビニル−酢酸ビニル系共重
合体、繊維素系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリエステ
ル系樹脂、ポリビニルブチラート樹脂、ポリアクリル系
樹脂、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、ポリイソシ
アネート系樹脂など、塗布型磁気記録媒体の結合剤とし
て通常使用されるものならば全て使用できる。

【００５０】本発明の磁気記録媒体では、非磁性基体と
磁性膜との間に中間層を設けることもできる。例えば、
非磁性基体の表面に予め、Ｓｉ，Ｔｉ，Ｂｉ，Ｓｎ，Ｐ
ｂ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｉｎなどの低融点非磁性材料の
下地層を形成しておき、強磁性体材料を垂直又は斜め蒸
着し、磁性膜層内にこれら非磁性材料を拡散させ、面内
膜化すると共に、抗磁力を増大させることができる。

【００５１】本発明の磁気記録媒体において、非磁性基
体の一面側のみに磁性膜を形成したものでは、その反対
面側にバックコート層を設けることもできる。このバッ
クコート層はカーボンブラック、炭酸カルシウムなどの
非磁性材料を塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体、ポリ
ウレタン系樹脂、繊維素系樹脂などの結合剤樹脂及び有
機溶剤と共に混合分散して、バックコート層用塗料を調
製し、これを非磁性基体の反対面側に塗布、乾燥して形
成される。

【００５２】図１は本発明の磁気記録媒体の一例の断面
図であり、非磁性基体１の一方の面に磁性層２が形成さ
れており、その磁性層上に前記一般式（１）で示される
化合物からなる潤滑剤層３を有する。図２は本発明の磁
気記録媒体の別の例の断面図であり、磁性層２と潤滑剤
層３との間にＳｉ−Ｍ−Ｏなどの保護層４を有する。図
３は本発明の磁気記録媒体の更に別の例の断面図であ
り、非磁性基体３の背面側にもＳｉ−Ｍ−Ｏなどの保護
層４を有する。図４は本発明の磁気記録媒体の更に他の
例の断面図であり、磁性層２をＳｉ−Ｍ−Ｏなどの保護
層４で挟持しており、非磁性基体１の背面側に公知のバ
ックコート層５が設けられている。図５は本発明の磁気
記録媒体の更に他の例の断面図であり、非磁性基体１と
磁性層２との間に、磁性層を面内膜化させるための下地
層６を有する。

【００５３】

【実施例】以下、具体例により本発明を例証する。

【００５４】トリブロック化合物の生成 実施例１ １Ｈ、１Ｈ、１０Ｈ、１０Ｈ−パーフルオロ−１、１０
デカンジアミン０.５モル、ラウリル酸の酸クロライド
物１．２モル、ピリジン０．５モルとにトルエン８００
ｇを加え、１００℃で６時間反応させた。放冷後、水で
希釈して有機層を分離し、これを炭酸水素ナトリウム水
溶液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥してから溶媒を
留去した。残分を再結晶で精製し下式の構造で表される
トリブロック化合物１を製造した。本化合物の融点は６
２〜６４℃であった。なお、本実施例及び下記の実施例
において、生成化合物の融点はPerkin-Elmer社製のRS-1
000を用い、−２０℃から昇温速度５℃／minで測定し
た。 ＣＨ₃（ＣＨ₂）₁₀ＣＯＮＨＣＨ₂（ＣＦ₂）₈ＣＨ₂ＮＨＣ
Ｏ（ＣＨ₂）₁₀ＣＨ₃

【００５５】実施例２ 実施例１に於けるラウリル酸の酸クロライド物の代わり
にステアリン酸の酸クロライド物１．２モルを用い、実
施例１と同様に反応させて、下式の構造で表されるトリ
ブロック化合物２を製造した。本化合物の融点は１０８
〜１１０℃であった。 ＣＨ₃（ＣＨ₂）₁₆ＣＯＮＨＣＨ₂（ＣＦ₂）₈ＣＨ₂ＮＨＣ
Ｏ（ＣＨ₂）₁₆ＣＨ₃

【００５６】実施例３ 実施例１に於けるラウリル酸の酸クロライド物の代わり
にリノール酸の酸クロライド物１．２モルを用い、実施
例１と同様に反応させて、下式の構造で表されるトリブ
ロック化合物３を製造した。本化合物の沸点は２２０〜
２２２℃／１ｍｍＨｇであった。なお、本実施例及び下
記の実施例において、生成化合物の沸点はRigaku社製の
ＴＧ装置：ＴＧ８１１０を用いて測定した。 ＣＨ₃（ＣＨ₂）₄（ＣＨ＝ＣＨＣＨ₂）₂（ＣＨ₂）₅ＣＯ
ＮＨＣＨ₂（ＣＦ₂）₈ＣＨ₂ＮＨＣＯ（ＣＨ₂）₅（ＣＨ₂
ＣＨ＝ＣＨ）₂（ＣＨ₂）₄ＣＨ₃

【００５７】実施例４ 実施例１に於けるラウリル酸の酸クロライド物の代わり
に２，３，４−トリメチル−２−ネオペンタン酸の酸ク
ロライド物１．２モルを用い、実施例１と同様に反応さ
せて、下式の構造で表されるトリブロック化合物４を製
造した。本化合物の沸点は１８９〜１９０℃／２ｍｍＨ
ｇであった。 Ｃ₁₂Ｈ₂₅ＣＯＮＨＣＨ₂（ＣＦ₂）₈ＣＨ₂ＮＨＣＯＣ₁₂Ｈ
₂₅

【００５８】実施例５ 実施例１に於けるラウリル酸の酸クロライド物の代わり
に安息香酸の酸クロライド物１．２モルを用い、実施例
１と同様に反応させて、下式の構造で表されるトリブロ
ック化合物５を製造した。本化合物の融点は７５〜７７
℃であった。 Ｃ₆Ｈ₅ＣＯＮＨＣＨ₂（ＣＦ₂）₈ＣＨ₂ＮＨＣＯＣ₆Ｈ₅

【００５９】実施例６ 実施例１に於けるラウリル酸の酸クロライド物の代わり
にシクロヘキサンカルボン酸の酸クロライド物１．２モ
ルを用い、実施例１と同様に反応させて、下式の構造で
表されるトリブロック化合物６を製造した。本化合物の
融点は７０〜７２℃であった。 Ｃ₆Ｈ₁₁ＣＯＮＨＣＨ₂（ＣＦ₂）₈ＣＨ₂ＮＨＣＯＣ₆Ｈ₁₁

【００６０】実施例７ 実施例１に於けるラウリル酸の酸クロライド物の代わり
に３，６，９−オキシデカンカルボン酸の酸クロライド
物１．２モルを用い、実施例１と同様に反応させて、下
式の構造で表されるトリブロック化合物７を製造した。
本化合物の沸点は２３０〜２３２℃／０．０８ｍｍＨｇ
であった。 ＣＨ₃ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）₂ＣＨ₂ＣＯＮＨＣＨ
₂（ＣＦ₂）₈ＣＨ₂ＮＨＣＯＣＨ₂（ＯＣＨ₂ＣＨ₂）₂ＯＣ
Ｈ₂ＣＨ₃

【００６１】実施例８ １Ｈ、１Ｈ、１０Ｈ、１０Ｈ−パーフルオロ−１、１０
−デカンジオール０.５モル、ステアリルブロマイド１
モル、ピリジン０.５モルとトルエン８００ｇを加え、
１３０℃で６時間反応させた。放冷後、水で希釈して有
機層を分離し、これを炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄
し硫酸マグネシウムで乾燥してから溶媒を留去した。残
分を再結晶で精製し下式の構造で表されるトリブロック
化合物８を製造した。本化合物の融点は４９〜５１℃で
あった。 ＣＨ₃（ＣＨ₂）₁₇ＯＣＨ₂（ＣＦ₂）₈ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）
₁₇ＣＨ₃

【００６２】実施例９ １Ｈ、１Ｈ、１０Ｈ、１０Ｈ−パーフルオロ−１、１０
−デカンジオール０.５モル、ステアリルイソシアネー
ト１モル、トルエン８００ｇを加え、８０℃で６時間反
応させた。放冷後、再結晶で精製し下式の構造で表され
るトリブロック化合物９を製造した。本化合物の融点は
１０９〜１１０℃であった。この化合物のＩＲチャート
を図６に示す。このチャートは、Mattoson社製のRS-100
00を用い、ＫＢｒ上で透過法により測定した。 ＣＨ₃（ＣＨ₂）₁₇ＮＨＣＯＯＣＨ₂（ＣＦ₂）₈ＣＨ₂ＯＣ
ＯＮＨ（ＣＨ₂）₁₇ＣＨ₃

【００６３】実施例１０ １Ｈ、１Ｈ、１０Ｈ、１０Ｈ−パーフルオロ−１、１０
−デカンジアミン０.５モル、ステアリルイソシアネー
ト１モル、トルエン８００ｇを加え、８０℃で６時間反
応させた。放冷後、再結晶で精製し下式の構造で表され
るトリブロック化合物１０を製造した。本化合物の融点
は１１０〜１１２℃であった。 ＣＨ₃（ＣＨ₂）₁₇ＮＨＣＯＮＨＣＨ₂（ＣＦ₂）₈ＣＨ₂Ｎ
ＨＣＯＮＨ（ＣＨ₂）₁₇ＣＨ₃

【００６４】実施例１１ １Ｈ、１Ｈ、１０Ｈ、１０Ｈ−パーフルオロ−１、１０
−デカンジカルボン酸０.５モル、ステアリルアミン１
モル、イソプロピルアルコール８００ｇを加え、１３０
℃で６時間反応させた。放冷後、再結晶で精製し下式の
構造で表されるトリブロック化合物１２を製造した。本
化合物の融点は６０〜６２℃であった。 ＣＨ₃（ＣＨ₂）₁₇ＮＨ₄ＯＣＯＣＨ₂（ＣＦ₂）₈ＣＨ₂Ｃ
ＯＯＨ₄Ｎ（ＣＨ₂）₁₇ＣＨ₃

【００６５】実施例１２ １Ｈ、１Ｈ、１０Ｈ、１０Ｈ−パーフルオロデカン−
１、１０−ジグリシジルエーテル０.５モル、ステアリ
ルアルコール１モル、トルエン８００ｇとに四塩化スズ
０．０２モルを加え、１００℃で６時間反応させた。放
冷後、再結晶で精製し下式の構造で表されるトリブロッ
ク化合物１２を製造した。本化合物の融点は７０〜７２
℃であった。 ＣＨ₃（ＣＨ₂）₁₇ＯＣＨ₂ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ₂ＯＣＨ
₂（ＣＦ₂）₈ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ₂Ｏ（Ｃ
Ｈ₂）₁₇ＣＨ₃

【００６６】実施例１３ １Ｈ、１Ｈ、１８Ｈ、１８Ｈ−パーフルオロ−１、１８
−オクタデカンジアミン０.５モル、ステアリン酸の酸
クロライド物ルブロマイド１モル、ピリジン０.５モル
とトルエン８００ｇを加え、１００℃で６時間反応させ
た。放冷後、水で希釈して有機層を分離し、これを炭酸
水素ナトリウム水溶液で洗浄し硫酸マグネシウムで乾燥
してから溶媒を留去した。残分を再結晶で精製し下式の
構造で表されるトリブロック化合物１３を製造した。本
化合物の融点は１３０〜１３２℃であった。 ＣＨ₃（ＣＨ₂）₁₆ＣＯＮＨＣＨ₂（ＣＦ₂）₁₆ＣＨ₂ＮＨ
ＣＯ（ＣＨ₂）₁₆ＣＨ₃

【００６７】実施例１４ １Ｈ、１Ｈ、１８Ｈ、１８Ｈ−パーフルオロ−１、１８
−オクタデカンジオール０.５モル、ステアリルブロマ
イド１モル、ピリジン０.５モルとトルエン８００ｇを
加え、１３０℃で６時間反応させた。放冷後、水で希釈
して有機層を分離し、これを炭酸水素ナトリウム水溶液
で洗浄し硫酸マグネシウムで乾燥してから溶媒を留去し
た。残分を再結晶で精製し下式の構造で表されるトリブ
ロック化合物１４を製造した。本化合物の融点は５３〜
５５℃であった。 ＣＨ₃（ＣＨ₂）₁₇ＯＣＨ₂（ＣＦ₂）₁₆ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）
₁₇ＣＨ₃

【００６８】実施例１５ １Ｈ、１Ｈ、１８Ｈ、１８Ｈ−パーフルオロ−１、１８
−オクタデカンジカルボン酸０.５モル、ステアリルア
ミン１モル、イソプロピルアルコール８００ｇを加え、
１３０℃で６時間反応させた。放冷後、再結晶で精製し
下式の構造で表されるトリブロック化合物１５を製造し
た。本化合物の融点は９７〜９９℃であった。 ＣＨ₃（ＣＨ₂）₁₇ＮＨ₄ＯＣＯＣＨ₂（ＣＦ₂）₁₆ＣＨ₂Ｃ
ＯＯＨ₄Ｎ（ＣＨ₂）₁₇ＣＨ₃

【００６９】実施例１６ １Ｈ、１Ｈ、１８Ｈ、１８Ｈ−パーフルオロ−１、１８
−オクタデカンジオール０.５モル、ステアリルイソシ
アネート１モル、トルエン８００ｇを加え、８０℃で６
時間反応させた。放冷後、再結晶で精製し下式の構造で
表されるトリブロック化合物１６を製造した。本化合物
の融点は１２８〜１２９℃であった。 ＣＨ₃（ＣＨ₂）₁₇ＮＨＣＯＯＣＨ₂（ＣＦ₂）₁₆ＣＨ₂Ｏ
ＣＯＮＨ（ＣＨ₂）₁₇ＣＨ₃

【００７０】実施例１７ １Ｈ、１Ｈ、１８Ｈ、１８Ｈ−パーフルオロ−１、１８
−オクタデカンジアミン０.５モル、ステアリルイソシ
アネート１モル、トルエン８００ｇを加え、８０℃で６
時間反応させた。放冷後、再結晶で精製し下式の構造で
表されるトリブロック化合物１７を製造した。本化合物
の融点は１２６〜１２８℃であった。 ＣＨ₃（ＣＨ₂）₁₇ＮＨＣＯＮＨＣＨ₂（ＣＦ₂）₁₆ＣＨ₂
ＮＨＣＯＮＨ（ＣＨ₂）₁₇ＣＨ₃

【００７１】磁性膜及び保護膜の形成 実施例１８ 厚さ６．３μｍのＰＥＴフィルム上にＣｏを酸素雰囲気
中で０．１５μｍ斜め蒸着し、その後ＳｉＨ₄：２０ｍ
ｌ／ｍｉｎ、Ｏ₂：４０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｈｅ：１５０ｍ
ｌ／ｍｉｎ、Ｈ₂：３０ｍｌ／ｍｉｎに成膜用ガスを制
御し、１３.５６ＭＨｚ、１ｋＷの高周波電源を用いプ
ラズマ重合法により磁性層上にＳｉＯ_r保護膜を２００
Å成膜した。

【００７２】実施例１９ 厚さ６．３μｍのＰＥＴフィルム上にＣｏを酸素雰囲気
中で０．１５μｍ斜め蒸着し、その後Ｃ₂Ｈ₄：６０ｍｌ
／ｍｉｎ、Ｈ₂：１２０ｍｌ／ｍｉｎに成膜用ガスを制
御し、１３.５６ＭＨｚ、１ｋＷの高周波電源を用いプ
ラズマ重合法により磁性層上にＤＬＣ（ダイヤモンドラ
イクカーボン）保護膜を２００Å成膜した。

【００７３】実施例２０ 厚さ６．３μｍのＰＥＴフィルム上にＣｏを酸素雰囲気
中で０．１５μｍ斜め蒸着し、その後Ａｌ（ＯＣ₂Ｈ₅）
₃：６０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｏ₂：９０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｈｅ：
１５０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｈ₂：３０ｍｌ／ｍｉｎに成膜用
ガスを制御し、５０ｋＨｚ、１ｋＷの高周波電源を用い
プラズマ重合法により磁性層上にＡｌＯ_s保護膜を２０
０Å成膜した。

【００７４】実施例２１ 厚さ６．３μｍのＰＥＴフィルム上にＣｏを酸素雰囲気
中で０．１５μｍ斜め蒸着し、その後Ｔｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）
₄：６０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｏ₂：１２０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｈ
ｅ：１５０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｈ₂：３０ｍｌ／ｍｉｎに成
膜用ガスを制御し、５０ｋＨｚ、１ｋＷの高周波電源を
用いプラズマ重合法により磁性層上にＴｉＯ_r保護膜を
２００Å成膜した。

【００７５】実施例２２ 厚さ６．３μｍのＰＥＴフィルム上にＣｏを酸素雰囲気
中で０．１５μｍ斜め蒸着し、その後Ｃ₂Ｈ₄：３０ｍｌ
／ｍｉｎ、ＳｉＨ₄：３０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｈｅ：１５０
ｍｌ／ｍｉｎ、Ｈ₂：３０ｍｌ／ｍｉｎに成膜用ガスを
制御し、１３.５６ＭＨｚ、１ｋＷの高周波電源を用い
プラズマ重合法により磁性層上にＳｉＣ_p保護膜を２０
０Å成膜した。

【００７６】実施例２３ 厚さ６．３μｍのＰＥＴフィルム上にＣｏを酸素雰囲気
中で０．１５μｍ斜め蒸着し、その後Ｃ₂Ｈ₄：２０ｍｌ
／ｍｉｎ、Ｂ₂Ｈ₆：８０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｈｅ：１５０ｍ
ｌ／ｍｉｎ、Ｈ₂：３０ｍｌ／ｍｉｎに成膜用ガスを制
御し、１３.５６ＭＨｚ、１ｋＷの高周波電源を用いプ
ラズマ重合法により磁性層上にＢ_qＣ保護膜を２００Å
成膜した。

【００７７】実施例２４ 厚さ６．３μｍのＰＥＴフィルム上にＣｏを酸素雰囲気
中で０．１５μｍ斜め蒸着し、その後Ｚｒ（ＯＣ₂Ｈ₅）
4：５０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｏ₂：７５ｍｌ／ｍｉｎ、Ｈｅ：
１５０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｈ₂：３０ｍｌ／ｍｉｎに成膜用
ガスを制御し、５０ｋＨｚ、１ｋＷの高周波電源を用い
プラズマ重合法により磁性層上にＺｒＯ_r保護膜を２０
０Å成膜した。

【００７８】実施例２５ 厚さ６．３μｍのＰＥＴフィルム上にＣｏを酸素雰囲気
中で０．１５μｍ斜め蒸着し、その後Ｂ₂Ｈ₆：８０ｍｌ
／ｍｉｎ、Ｎ₂：１６０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｈ₂：３０ｍｌ／
ｍｉｎに成膜用ガスを制御し、１３.５６ＭＨｚ、１ｋ
Ｗの高周波電源を用いプラズマ重合法により磁性層上に
ＢＮ_p保護膜を２００Å成膜した。

【００７９】実施例２６ 厚さ６．３μｍのＰＥＴフィルム上にＣｏを酸素雰囲気
中で０．１５μｍ斜め蒸着し、その後ＳｉＨ₄：６０ｍ
ｌ／ｍｉｎ、Ｎ₂：１６０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｈ₂：３０ｍｌ
／ｍｉｎに成膜用ガスを制御し、１３.５６ＭＨｚ、１
ｋＷの高周波電源を用いプラズマ重合法により磁性層上
にＳｉＮ_q保護膜を２００Å成膜した。

【００８０】実施例２７ 厚さ６．３μｍのＰＥＴフィルム上にＣｏを酸素雰囲気
中で０．１５μｍ斜め蒸着し、その後Ｃ₂Ｈ₄：２０ｍｌ
／ｍｉｎ、Ｎ₂：１００ｍｌ／ｍｉｎ、Ｈ₂：３０ｍｌ／
ｍｉｎに成膜用ガスを制御し、１３.５６ＭＨｚ、１ｋ
Ｗの高周波電源を用いプラズマ重合法により磁性層上に
ＣＮ_q保護膜を２００Å成膜した。

【００８１】実施例２８ 厚さ１.２ｍｍ、直径２.５インチのポリオレフィン基板
上にスパッタリング法により０.１μｍのＣｒ下地層、
０.０３μｍのＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系磁性層を順次成膜し
その後Ｃ₂Ｈ₄：６０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｈ₂：１２０ｍｌ／
ｍｉｎに成膜用ガスを制御し、１３.５６ＭＨｚ、１ｋ
Ｗの高周波電源を用いプラズマ重合法により磁性層上に
ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）保護膜を２００
Å成膜した。

【００８２】実施例２９ 厚さ１.２ｍｍ、直径２.５インチのポリオレフィン基板
上にスパッタリング法により０.１μｍのＣｒ下地層、
０.０３μｍのＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系磁性層を順次成膜し
その後ＳｉＨ₄：２０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｏ₂：４０ｍｌ／ｍ
ｉｎ、Ｈｅ：１５０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｈ₂：３０ｍｌ／ｍ
ｉｎに成膜用ガスを制御し、１３.５６ＭＨｚ、１ｋＷ
の高周波電源を用いプラズマ重合法により磁性層上にＳ
ｉＯ_r保護膜を２００Å成膜した。

【００８３】実施例３０ 厚さ０.８ｍｍ、直径２.５インチのポリオレフィン基板
上にスパッタリング法により０.１μｍのＣｒ下地層、
０.０５μｍのＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ磁性層を順次成膜しそ
の後Ｚｒ（ＯＣ₂Ｈ₅）₄：５０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｏ₂：７５
ｍｌ／ｍｉｎ、Ｈｅ：１５０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｈ₂：３０
ｍｌ／ｍｉｎに成膜用ガスを制御し、５０ｋＨｚ、１ｋ
Ｗの高周波電源を用いプラズマ重合法により磁性層上に
ＺｒＯ_r保護膜を２００Å成膜した。

【００８４】実施例３１ 厚さ１.２ｍｍ、直径２.５インチのポリカーボネイト基
板上にスパッタリング法により０.０８μｍのＳｉＮｘ
エンハンス層、０.０３μｍのＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ磁性
層、０.０２μｍのＳｉＮｘエンハンス層、０.０５μｍ
のＡｌ合金反射層を順次成膜し次に１０μｍの紫外線硬
化樹脂を設けた。紫外線照射により樹脂を硬化させ、そ
の後Ｃ₂Ｈ₄：６０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｈ₂：１２０ｍｌ／ｍ
ｉｎに成膜用ガスを制御し、１３.５６ＭＨｚ、１ｋＷ
の高周波電源を用いプラズマ重合法により紫外線硬化樹
脂上にＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）保護膜を
３００Å成膜した。

【００８５】実施例３２ 厚さ１.２ｍｍ、直径２.５インチのポリカーボネイト基
板上にスパッタリング法により０.０８μｍのＳｉＮｘ
エンハンス層、０.０３μｍのＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ磁性
層、０.０２μｍのＳｉＮｘエンハンス層、０.０５μｍ
のＡｌ合金反射層を順次成膜し次に１０μｍの紫外線硬
化樹脂を設けた。紫外線照射により樹脂を硬化させ、そ
の後ＳｉＨ₄：２０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｏ₂：４０ｍｌ／ｍｉ
ｎ、Ｈｅ：１５０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｈ₂：３０ｍｌ／ｍｉ
ｎに成膜用ガスを制御し、１３.５６ＭＨｚ、１ｋＷの
高周波電源を用いプラズマ重合法により紫外線硬化樹脂
層上にＳｉＯ_r保護膜を３００Å成膜した。

【００８６】実施例３３ 表面に厚さ１５μｍのＮｉ−Ｐ鍍金層を有する厚さ１.
２ｍｍ、直径２.５インチのＡｌ合金基板上にスパッタ
リング法により０.２μｍのＦｅＮｉ（パーマロイ）
層、０.１μｍのＴｉ層、０.０５μｍのＣｏＣｒ磁性層
を順次成膜し、その後Ｃ₂Ｈ₄：６０ｍｌ／ｍｉｎ、
Ｈ₂：１２０ｍｌ／ｍｉｎに成膜用ガスを制御し、１３.
５６ＭＨｚ、１ｋＷの高周波電源を用いプラズマ重合法
により磁性層上にＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボ
ン）保護膜を２００Å成膜した。

【００８７】実施例３４ 表面に厚さ１５μｍのＮｉ−Ｐ鍍金層を有する厚さ０.
８ｍｍ、直径２.５インチのＡｌ合金基板上にスパッタ
リング法により０.２μｍのＦｅＮｉ（パーマロイ）
層、０.１μｍのＴｉ層、０.０５μｍのＣｏＣｒ磁性層
を順次成膜し、その後ＳｉＨ₄：２０ｍｌ／ｍｉｎ、
Ｏ₂：４０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｈｅ：１５０ｍｌ／ｍｉｎ、
Ｈ₂：３０ｍｌ／ｍｉｎに成膜用ガスを制御し、１３.５
６ＭＨｚ、１ｋＷの高周波電源を用いプラズマ重合法に
より磁性層上にＳｉＯ_r保護膜を２００Å成膜した。

【００８８】実施例３５ 表面に厚さ１５μｍのＮｉ−Ｐ鍍金層を有する厚さ０.
８ｍｍ、直径２.５インチのＡｌ合金基板上にスパッタ
リング法により０.１μｍのＣｒ下地層、０.０３μｍの
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系磁性層を順次成膜しその後、Ｃ
₂Ｈ₄：６０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｈ₂：１２０ｍｌ／ｍｉｎに
成膜用ガスを制御し、１３.５６ＭＨｚ、１ｋＷの高周
波電源を用いプラズマ重合法により磁性層上にＤＬＣ
（ダイヤモンドライクカーボン）保護膜を２００Å成膜
した。

【００８９】実施例３６ 表面に厚さ１５μｍのＮｉ−Ｐ鍍金層を有する厚さ０.
８ｍｍ、直径２.５インチのＡｌ合金基板上にスパッタ
リング法により０.１μｍのＣｒ下地層、０.０３μｍの
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系磁性層を順次成膜しその後、ＳｉＨ
₄：２０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｏ₂：４０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｈｅ：
１５０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｈ₂：３０ｍｌ／ｍｉｎに成膜用
ガスを制御し、１３.５６ＭＨｚ、１ｋＷの高周波電源
を用いプラズマ重合法により磁性層上にＳｉＯ_r保護膜
を２００Å成膜した。

【００９０】実施例３７ 表面に厚さ１５μｍのＮｉ−Ｐ鍍金層を有する厚さ０.
８ｍｍ、直径２.５インチのＡｌ合金基板上にスパッタ
リング法により０.１μｍのＣｒ下地層、０.０３μｍの
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系磁性層を順次成膜しその後、Ｚｒ
（ＯＣ₂Ｈ₅）₄：５０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｏ₂：７５ｍｌ／ｍ
ｉｎ、Ｈｅ：１５０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｈ₂：３０ｍｌ／ｍ
ｉｎに成膜用ガスを制御し、５０ｋＨｚ、１ｋＷの高周
波電源を用いプラズマ重合法により磁性層上にＺｒＯ_r
保護膜を２００Å成膜した。

【００９１】実施例３８ 厚さ１.２ｍｍ、直径２.５インチのポリカーボネイト基
板上にスパッタリング法により０.０８μｍのＳｉＮｘ
エンハンス層、０.０３μｍのＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ磁性
層、０.０２μｍのＳｉＮｘエンハンス層、０.０５μｍ
のＡｌ合金反射層を順次成膜し次に１０μｍの紫外線硬
化樹脂を設けた。紫外線照射により樹脂を硬化させた。
その後、（ＣＨ₃）₃Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ（ＣＨ₃）₃：２０ｍ
ｌ／ｍｉｎ，Ｏ₂：４０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｈｅ：１５０ｍ
ｌ／ｍｉｎ、Ｈ₂：３０ｍｌ／ｍｉｎに成膜用ガスを制
御し、５０ｋＨｚ、１ｋＷの高周波電源を用いプラズマ
重合法により紫外線硬化樹脂層上にＳｉ−Ｏ−Ｃ保護膜
を２００Å成膜した。

【００９２】実施例３９ 厚さ６.３μｍのＰＥＴフィルム上にＣｏを酸素雰囲気
中で０.１５μｍ斜め蒸着し、その後（ＣＨ₃）₃Ｓｉ-Ｏ
-Ｓｉ（ＣＨ₃）₃：２０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｏ₂：４０ｍｌ／
ｍｉｎ、Ｈｅ：１５０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｈ₂：３０ｍｌ／
ｍｉｎに成膜用ガスを制御し、５０ｋＨｚ、１ｋＷの高
周波電源を用いプラズマ重合法により磁性層上にＳｉ-
Ｏ-Ｃ保護膜を２００Å成膜した。

【００９３】潤滑剤溶液の調製 実施例４０ 実施例１〜１７で得られた各種化合物の汎用溶媒への溶
解性をｎ−ヘキサン、シクロヘキサンおよびトルエンを
用いて調べた。室温に於いて各々の化合物各３ｇを９７
ｇのｎ−ヘキサン、シクロヘキサンおよびトルエンに加
え、ガラス棒で５分間攪拌した。合成した各化合物は何
れもｎ−ヘキサン、シクロヘキサンおよびトルエン中に
完全に溶解し、得られた潤滑剤溶液は無色透明であっ
た。

【００９４】潤滑剤層の形成及び摺動特性の測定 実施例４１ 実施例１８〜２７および３９で成膜した媒体を８ｍｍ幅
に裁断し、実施例１〜１７で得られた化合物の０.２ｗ
ｔ％ｎ−ヘキサン溶液に中に各媒体を３０秒間浸漬後、
溶液から引き上げ温風で溶媒を乾燥し、磁性層表面に潤
滑剤層を形成した。各試料を直径４ｃｍの８ｍｍ用シリ
ンダに２２０度の巻き付け角でセットし、試料／磁気ヘ
ッド間相対速度１１.３ｍ／ｓ、試料張力１２.５ｇｆ／
ｃｍの条件で波長１.６μｍの正弦波を記録し、スチル
モードで再生出力およびスチル時のシリンダ負荷を測定
した。スチル寿命は再生出力が初期値から６ｄＢ低下す
るまでの時間とし、スチル時のシリンダ負荷は電圧計に
出力される電圧値を用いた。

【００９５】比較例１ 実施例１８〜２７および３９で成膜した媒体を８ｍｍ幅
に裁断し、パーフルオロポリエーテル系液体潤滑剤であ
るＦｏｍｂｌｉｎ−Ｚ−ＤＯＬ〔ＨＯＣＨ₂Ｏ（ＣＦ
₂Ｏ）₁₀（Ｃ₂Ｆ₄Ｏ）₁₀ＣＨ₂ＯＨ〕の０.２ｗｔ％パー
フルオロオクタン溶液中に各媒体を３０秒間浸漬後、溶
液から引き上げ温風で溶媒を乾燥した。各試料を直径４
ｃｍの８ｍｍ用シリンダに２２０度の巻き付け角でセッ
トし、試料／磁気ヘッド間相対速度１１.３ｍ／ｓ、試
料張力１０ｇｆ条件で波長１.６μｍの正弦波を記録
し、スチルモードで再生出力およびスチル時のシリンダ
負荷を測定した。スチル寿命は再生出力が初期値から６
ｄＢ低下するまでの時間とし、スチル時のシリンダ負荷
は電圧計に出力される電圧値を用いた。

【００９６】比較例２ 実施例１８〜２７および３９で成膜した媒体を８ｍｍ幅
に裁断し、パーフルオロポリエーテル系液体潤滑剤であ
るＦｏｍｂｌｉｎ−Ｚ−ＡＭ２００１〔Ｈ₂ＣＯ₂Ｃ₆Ｈ₃
ＯＣＨ₂Ｏ（ＣＦ₂Ｏ）₁₀（Ｃ₂Ｆ₄Ｏ）₁₀ＣＨ₂ＯＣ₆Ｈ₃
Ｏ₂ＣＨ₂〕、の０.２ｗｔ％パーフルオロオクタン溶液
中に各媒体を３０秒間浸漬後、溶液から引き上げ温風で
溶媒を乾燥した。各試料を直径４ｃｍの８ｍｍ用シリン
ダに２２０度の巻き付け角でセットし、試料／磁気ヘッ
ド間相対速度１１.３ｍ／ｓ、試料張力１０ｇｆの条件
で波長１.６μｍの正弦波を記録し、スチルモードで再
生出力およびスチル時のシリンダ負荷を測定した。スチ
ル寿命は再生出力が初期値から６ｄＢ低下するまでの時
間とし、スチル時のシリンダ負荷は電圧計に出力される
電圧値を用いた。

【００９７】実施例４１、比較例１および２のスチル試
験結果を下記の表１に要約して示す。

【００９８】

【表１】

【００９９】表１に示された結果から明かな様に、本発
明による潤滑剤の使用により６００分以上の優れたスチ
ル寿命が得られる。また従来のフォンブリン液体潤滑剤
に比べスチル時のシリンダ負荷が約２５％低くスチル寿
命の向上とモータの消費電力低減が可能である。

【０１００】ＣＳＳ耐久性試験 実施例４２ 実施例２８〜３０および３３〜３７で得られたディスク
上に実施例１〜１７の潤滑剤の０.２ｗｔ％ｎ−ヘキサ
ン溶液をスピンコ−トした。各ディスクを定常時５４０
０ｒｐｍ、線速１０ｍ／ｓｅｃで回転するディスクドラ
イブに装着し磁気ヘッドスライダによりＣＳＳ（コンタ
クト／スタート／ストップ）耐久試験を行った。ＣＳＳ
寿命をディスク起動時に摩擦係数が急増するまでのサイ
クル数とした。

【０１０１】比較例３ 実施例２８〜３０および３３〜３７で得られたディスク
上にパーフルオロポリエーテル系液体潤滑剤であるＦｏ
ｍｂｌｉｎ−Ｚ−ＤＯＬ〔ＨＯＣＨ₂Ｏ（ＣＦ₂Ｏ）
₁₀（Ｃ₂Ｆ₄Ｏ）₁₀ＣＨ₂ＯＨ〕の０.２ｗｔ％パーフルオ
ロオクタン溶液をスピンコ−トした。各ディスクを定常
時５４００ｒｐｍ、線速１０ｍ／ｓｅｃで回転するディ
スクドライブに装着し磁気ヘッドスライダによりＣＳＳ
（コンタクト／スタート／ストップ）耐久試験を行っ
た。ＣＳＳ寿命をディスク起動時に摩擦係数が急増する
までのサイクル数とした。

【０１０２】比較例４ 実施例２８〜３０および３３〜３７で得られたディスク
上にパーフルオロポリエーテル系液体潤滑剤であるＦｏ
ｍｂｌｉｎ−Ｚ−ＡＭ２００１〔Ｈ₂ＣＯ₂Ｃ₆Ｈ₃ＯＣＨ
₂Ｏ（ＣＦ₂Ｏ）₁₀（Ｃ₂Ｆ₄Ｏ）₁₀ＣＨ₂ＯＣ₆Ｈ₃Ｏ₂ＣＨ
₂〕、の０.２ｗｔ％パーフルオロオクタン溶液をスピン
コ−トした。各ディスクを定常時５４００ｒｐｍ、線速
１０ｍ／ｓｅｃで回転するディスクドライブに装着し磁
気ヘッドスライダによりＣＳＳ（コンタクト／スタート
／ストップ）耐久試験を行った。ＣＳＳ寿命をディスク
起動時に摩擦係数が急増するまでのサイクル数とした。

【０１０３】ＣＳＳ耐久試験の結果をまとめて下記の表
２に示す。

【０１０４】

【表２】

【０１０５】表２に示された結果から明かな様に、本発
明による潤滑剤は１０万サイクル以上のＣＳＳ耐久性を
示し、また摩擦係数も０.２０〜０.２５と従来のパーフ
ルオロポリエーテル系液体潤滑剤に比べて低い事が判
る。

【０１０６】実施例４１ 実施例３１〜３２および３８で得られたＭＯディスク上
に実施例１〜１７の化合物の０.２ｗｔ％ｎ−ヘキサン
溶液をスピンコ−トした。各ディスクをディスクドライ
ブに装着しプラスチック製スライダにより６００ｒｐ
ｍ、線速１．２ｍ／ｓｅｃの回転数で接触状態で耐久試
験を行った。耐久性を回転時の摩擦係数が急増するまで
の回転数とした。

【０１０７】比較例５ 実施例３１〜３３および３８で得られたＭＯディスク上
にパーフルオロポリエーテル系液体潤滑剤であるＦｏｍ
ｂｌｉｎ−Ｚ−ＤＯＬ〔ＨＯＣＨ₂Ｏ（ＣＦ₂Ｏ）₁₀（Ｃ
₂Ｆ₄Ｏ）₁₀ＣＨ₂ＯＨ〕の０.２ｗｔ％パーフルオロオク
タン溶液をスピンコ−トした。各ディスクをディスクド
ライブに装着しプラスチック製スライダにより６００ｒ
ｐｍ、線速１．２ｍ／ｓｅｃの回転数で接触状態で耐久
試験を行った。耐久性を回転時の摩擦係数が急増するま
での回転数とした。

【０１０８】比較例６ 実施例３１〜３３および３８で得られたＭＯディスク上
にパーフルオロポリエーテル系液体潤滑剤であるＦｏｍ
ｂｌｉｎ−Ｚ−ＡＭ２００１〔Ｈ₂ＣＯ₂Ｃ₆Ｈ₃ＯＣＨ₂
Ｏ（ＣＦ₂Ｏ）₁₀（Ｃ₂Ｆ₄Ｏ）₁₀ＣＨ₂ＯＣ₆Ｈ₃Ｏ₂Ｃ
Ｈ₂〕の０.２ｗｔ％パーフルオロオクタン溶液をスピン
コ−トした。各ディスクをディスクドライブに装着しプ
ラスチック製スライダにより６００ｒｐｍ、線速１．２
ｍ／ｓｅｃの回転数で接触状態で耐久試験を行った。耐
久性を回転時の摩擦係数が急増するまでの回転数とし
た。

【０１０９】耐久試験結果を下記の表３に要約して示
す。

【０１１０】

【表３】

【０１１１】表３に示された結果から明かな様に、本発
明の一般式（１）の化合物からなる潤滑剤は３０万回転
以上の耐久性を示し、またディスク回転時の摩擦係数が
従来のパーフルオロポリエーテル系液体潤滑剤に比べて
低い事が判る。

【０１１２】実施例４４ α−Ｆｅ磁性粉（保磁力１５００Ｏｅ、飽和磁化１２０
ｅｍｕ／ｇ）１００部、塩化ビニル−酢酸ビニル−ビニ
ルアルコール共重合体（ＵＣＣ社製のＶＡＧＨ）２０
部、多官能イソシアネート化合物５部、カーボンブラッ
ク３部、α−Ａｌ₂Ｏ₃粉３部、ミリスチン酸２部、実施
例２、８、９、１０および１１で合成した化合物３部、
シクロヘキサノン１５０部およびトルエン１３０部から
成る配合組成物をボールミル中で７２時間混合分散し、
磁性塗料を調製した。この塗料を厚さ４μｍのアラミド
フィルム上に乾燥後の厚さが０.５μｍになる様に塗布
した。カレンダ処理後塗布型磁気テープを８ｍｍ幅に裁
断し、直径４ｃｍの８ｍｍ用シリンダに２２０度の巻き
付け角でセットし、試料／磁気ヘッド間相対速度１１.
３ｍ／ｓ、試料張力１０ｇｆの条件で波長１.６μｍの
正弦波を記録し、スチルモードで再生出力およびスチル
時のシリンダ負荷を測定した。スチル寿命は再生出力が
初期値から６ｄＢ低下するまでの時間とし、スチル時の
シリンダ負荷は電圧計に出力される電圧値を用いた。

【０１１３】比較例７ 実施例４４に於いて磁性塗料調整時に実施例２、８、
９、１０および１１で合成した化合物を加えず、潤滑剤
には従来のミリスチン酸２部を加えた事以外は実施例４
２と同様な方法で塗布型磁気テープを作製した。塗布型
磁気テープを８ｍｍ幅に裁断し、直径４ｃｍの８ｍｍ用
シリンダに２２０度の巻き付け角でセットし、試料／磁
気ヘッド間相対速度１１.３ｍ／ｓ、試料張力１０ｇｆ
の条件で波長１.６μｍの正弦波を記録し、スチルモー
ドで再生出力およびスチル時のシリンダ負荷を測定し
た。スチル寿命は再生出力が初期値から６ｄＢ低下する
までの時間とし、スチル時のシリンダ負荷は電圧計に出
力される電圧値を用いた。

【０１１４】実施例４４および比較例７のスチル試験結
果を下記の表４に要約して示す。

【０１１５】

【表４】

【０１１６】表４に示された結果から明かな様に、本発
明の一般式（１）の化合物からなる潤滑剤は６００分以
上のスチル耐久性を示し、またスチル時のシリンダ負荷
が従来の潤滑剤であるミリスチン酸に比べて小さい事が
判る。

【０１１７】実施例４５ α−Ｆｅ磁性粉（保磁力１５００Ｏｅ、飽和磁化１２０
ｅｍｕ／ｇ）１００部、塩化ビニル−酢酸ビニル−ビニ
ルアルコール共重合体（ＵＣＣ社製のＶＡＧＨ）２０
部、多官能イソシアネート化合物５部、カーボンブラッ
ク３部、α−Ａｌ₂Ｏ₃粉３部、ミリスチン酸２部、シク
ロヘキサノン１５０部およびトルエン１３０部から成る
配合組成物をボールミル中で７２時間混合分散磁性塗料
を調整した。この塗料を厚さ４μｍのアラミドフィルム
上に乾燥後の厚さが０.５μｍになる様に塗布した。次
いで、実施例２、８、９、１０および１１で合成した化
合物をそれぞれ０．１ｗｔ％濃度となるように溶解させ
た潤滑剤溶液中に上記磁性層を浸漬し、乾燥して磁性層
表面に潤滑剤層を形成させた。その後、カレンダ処理
し、塗布型磁気テープを８ｍｍ幅に裁断し、直径４ｃｍ
の８ｍｍ用シリンダに２２０度の巻き付け角でセット
し、試料／磁気ヘッド間相対速度１１.３ｍ／ｓ、試料
張力１０ｇｆの条件で波長１.６μｍの正弦波を記録
し、スチルモードで再生出力およびスチル時のシリンダ
負荷を測定した。スチル寿命は再生出力が初期値から６
ｄＢ低下するまでの時間とし、スチル時のシリンダ負荷
は電圧計に出力される電圧値を用いた。

【０１１８】比較例８ 実施例４５に於いて塗布型磁気記録媒体上に塗布した潤
滑剤が０．１ｗｔ％のミリスチン酸であったこと以外
は、実施例４５と同様に磁気テープを作製した。この塗
布型磁気テープを８ｍｍ幅に裁断し、直径４ｃｍの８ｍ
ｍ用シリンダに２２０度の巻き付け角でセットし、試料
／磁気ヘッド間相対速度１１.３ｍ／ｓ、試料張力１０
ｇｆの条件で波長１.６μｍの正弦波を記録し、スチル
モードで再生出力およびスチル時のシリンダ負荷を測定
した。スチル寿命は再生出力が初期値から６ｄＢ低下す
るまでの時間とし、スチル時のシリンダ負荷は電圧計に
出力される電圧値を用いた。

【０１１９】実施例４５および比較例８のスチル試験結
果を下記の表５に要約して示す。

【０１２０】

【表５】

【０１２１】表５に示された結果から明らかなように、
本発明の一般式（１）の化合物からなる潤滑剤を塗布型
磁気記録媒体の表面に塗布しても、６００分以上のスチ
ル耐久性を示し、またスチル時のシリンダ負荷が従来の
潤滑剤であるミリスチン酸を塗布した試料に比べて小さ
いことが分かる。

【０１２２】Ｓｉ−Ｍ−Ｏ保護膜の作成 実施例４６ 厚さ６．３μｍのＰＥＴフィルム上にＣｏを酸素雰囲気
中で０．１５μｍ斜め蒸着し、その後（ＣＨ₃Ｏ）₃Ｓｉ
-Ｏ-Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₃：２０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｏ₂：４０
ｍｌ／ｍｉｎ、Ｈ₂：２０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｈｅ：８０ｍ
ｌ／ｍｉｎに成膜用ガスを制御し１３.５６ＭＨｚ、１
ｋＷの高周波電源を用い磁性膜上にＳｉ-Ｃ-Ｏ保護膜を
２００Å成膜した。

【０１２３】実施例４７ 厚さ６．３μｍのＰＥＴフィルム上にＣｏを酸素雰囲気
中で０．１５μｍ斜め蒸着し、その後ＳｉＨ₄：２０ｍ
ｌ／ｍｉｎ、Ｃ₂Ｈ₄：４ｍｌ／ｍｉｎ、Ｏ₂：４０ｍｌ
／ｍｉｎ、Ｈ₂：２０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｈｅ：８０ｍｌ／
ｍｉｎに成膜用ガスを制御し１３.５６ＭＨｚ、１ｋＷ
の高周波電源を用い磁性膜上にＳｉ-Ｃ-Ｏ保護膜を２０
０Å成膜した。

【０１２４】実施例４８ 厚さ６．３μｍのＰＥＴフィルム上にＣｏを酸素雰囲気
中で０．１５μｍ斜め蒸着し、その後ＳｉＨ₄：２０ｍ
ｌ／ｍｉｎ、Ｃ₂Ｈ₄：４ｍｌ／ｍｉｎ、Ｏ₂：４０ｍｌ
／ｍｉｎ、Ｈ₂：２０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｈｅ：８０ｍｌ／
ｍｉｎに成膜用ガスを制御し１３.５６ＭＨｚ、１ｋＷ
の交流に２.４５ＧＨｚ、１.５ｋＷのマイクロ波を併用
し磁性膜上にＳｉ-Ｃ-Ｏ保護膜を２００Å成膜した。

【０１２５】実施例４９ 厚さ４μｍのＰＥＮフィルム上にＣｏを酸素雰囲気中で
０．１５μｍ斜め蒸着し、その後（ＣＨ₃Ｏ）₃Ｓｉ-Ｏ-
Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₃：２０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｏ₂：４０ｍｌ
／ｍｉｎ、Ｈ₂：２０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｈｅ：８０ｍｌ／
ｍｉｎに成膜用ガスを制御し１３.５６ＭＨｚ、１ｋＷ
の高周波電源を用い磁性膜上にＳｉ-Ｃ-Ｏ保護膜を２０
０Å成膜した。

【０１２６】実施例５０ 厚さ４μｍのアラミドフィルム上にＣｏを酸素雰囲気中
で０．１５μｍ斜め蒸着し、その後（ＣＨ₃Ｏ）₃Ｓｉ-
Ｏ-Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₃：２０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｏ₂：４０ｍ
ｌ／ｍｉｎ、Ｈ₂：２０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｈｅ：８０ｍｌ
／ｍｉｎに成膜用ガスを制御し１３.５６ＭＨｚ、１ｋ
Ｗの高周波電源を用い磁性膜上にＳｉ-Ｃ-Ｏ保護膜を２
００Å成膜した。

【０１２７】実施例５１ 厚さ４μｍのＰＥＮフィルム上にＣｏを酸素雰囲気中で
０．１５μｍ斜め蒸着し、その後（ＣＨ₃Ｏ）₃Ｓｉ-Ｏ-
Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₃：２０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｏ₂：４０ｍｌ
／ｍｉｎ、Ｎ₂：１０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｈ₂：２０ｍｌ／ｍ
ｉｎ、Ｈｅ：８０ｍｌ／ｍｉｎに成膜用ガスを制御し１
３.５６ＭＨｚ、１ｋＷの高周波電源を用い磁性膜上に
Ｓｉ-Ｎ-Ｏ保護膜を２００Å成膜した。

【０１２８】実施例５２ 厚さ４μｍのＰＥＮフィルム上にＣｏを酸素雰囲気中で
０．１５μｍ斜め蒸着し、その後（ＣＨ₃Ｏ）₃Ｓｉ-Ｏ-
Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₃：２０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｏ₂：４０ｍｌ
／ｍｉｎ、Ｂ₂Ｈ₆：１０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｈ₂：２０ｍｌ
／ｍｉｎ、Ｈｅ：８０ｍｌ／ｍｉｎに成膜用ガスを制御
し１３.５６ＭＨｚ、１ｋＷの高周波電源を用い磁性膜
上にＳｉ-Ｂ-Ｏ保護膜を２００Å成膜した。

【０１２９】実施例５３ 厚さ６.３μｍのＰＥＴフィルム上に（ＣＨ₃Ｏ）₃Ｓｉ-
Ｏ-Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₃：２０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｏ₂：４０ｍ
ｌ／ｍｉｎ、Ｈ₂：２０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｈｅ：８０ｍｌ
／ｍｉｎに成膜用ガスを制御し１３.５６ＭＨｚ、１ｋ
Ｗの高周波電源を用い上にＳｉ-Ｃ-Ｏ下地層を２００Å
成膜した。この下地層上にＣｏを酸素雰囲気中で０．１
５μｍ斜め蒸着し、その後（ＣＨ₃Ｏ）₃Ｓｉ-Ｏ-Ｓｉ
（ＯＣＨ₃）₃：２０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｏ₂：４０ｍｌ／ｍ
ｉｎ、Ｈ₂：２０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｈｅ：８０ｍｌ／ｍｉ
ｎに成膜用ガスを制御し１３.５６ＭＨｚ、１ｋＷの高
周波電源を用い磁性膜上にＳｉ-Ｃ-Ｏ保護膜を２００Å
成膜した。

【０１３０】実施例５４ 厚さ４μｍのＰＥＮフィルム上に（ＣＨ₃Ｏ）₃Ｓｉ-Ｏ-
Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₃：２０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｏ₂：４０ｍｌ
／ｍｉｎ、Ｈ₂：２０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｈｅ：８０ｍｌ／
ｍｉｎに成膜用ガスを制御し１３.５６ＭＨｚ、１ｋＷ
の高周波電源を用い上にＳｉ-Ｃ-Ｏ下地層を２００Å成
膜した。この下地層上にＣｏを酸素雰囲気中で０．１５
μｍ斜め蒸着し、その後（ＣＨ₃Ｏ）₃Ｓｉ-Ｏ-Ｓｉ（Ｏ
ＣＨ₃）₃：２０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｏ₂：４０ｍｌ／ｍｉ
ｎ、Ｈ₂：２０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｈｅ：８０ｍｌ／ｍｉｎ
に成膜用ガスを制御し１３.５６ＭＨｚ、１ｋＷの高周
波電源を用い磁性膜上にＳｉ-Ｃ-Ｏ保護膜を２００Å成
膜した。

【０１３１】実施例５５ 厚さ４μｍのアラミドフィルム上に（ＣＨ₃Ｏ）₃Ｓｉ-
Ｏ-Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₃：２０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｏ₂：４０ｍ
ｌ／ｍｉｎ、Ｈ₂：２０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｈｅ：８０ｍｌ
／ｍｉｎに成膜用ガスを制御し１３.５６ＭＨｚ、１ｋ
Ｗの高周波電源を用い上にＳｉ-Ｃ-Ｏ下地層を２００Å
成膜した。この下地層上にＣｏを酸素雰囲気中で０．１
５μｍ斜め蒸着し、その後（ＣＨ₃Ｏ）₃Ｓｉ-Ｏ-Ｓｉ
（ＯＣＨ₃）₃：２０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｏ₂：４０ｍｌ／ｍ
ｉｎ、Ｈ₂：２０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｈｅ：８０ｍｌ／ｍｉ
ｎに成膜用ガスを制御し１３.５６ＭＨｚ、１ｋＷの高
周波電源を用い磁性膜上にＳｉ-Ｃ-Ｏ保護膜を２００Å
成膜した。

【０１３２】実施例４６〜５５で成膜したＳｉ-Ｃ-Ｏ、
Ｓｉ-Ｎ-Ｏ、Ｓｉ-Ｂ-Ｏ保護膜およびＳｉ-Ｃ-Ｏ下地層
の組成をＸ線光電子分光分析法により測定した結果を下
記の表６に要約して示す。

【０１３３】

【表６】

【０１３４】表６に示された結果から明かな様に、元素
組成比は全てＳｉ：Ｍ（Ｃ、Ｂ、Ｎ）：Ｏ＝１：０.０
５〜０.５：１.６０〜２.０の範囲にある事が判る。

【０１３５】比較例９ 厚さ４μｍのＰＥＮフィルム上にＣｏを酸素雰囲気中で
０．１５μｍ斜め蒸着した。保護膜は成膜しなかった。

【０１３６】実施例４９、実施例５４および比較例９で
得られた試料を６０℃、９０％Ｒ.Ｈ.の環境に放置し、
飽和磁化の変化を測定した。結果を下記の表７に要約し
てに示す。

【０１３７】

【表７】

【０１３８】表７に示された結果から、保護膜の無い比
較例９に比べ、Ｓｉ-Ｃ-Ｏ保護膜を設けた実施例４９で
飽和磁化の減少が抑えられ、下地層と保護膜を設けた実
施例５４に於いて最も飽和磁化の減少が小さい事が判
る。

【０１３９】実施例５６ 実施例４６〜５５において得られた試料を、実施例１で
得られた常温で固体の化合物の０.２ｗｔ％ｎ−ヘキサ
ン溶液中に３０秒間浸漬した後引き上げ８ｍｍ幅に裁断
しスチル耐久性を調べた。スチル条件はテープ張力１
２.５ｇｆ／ｃｍ、テープ巻き付け角２２０度、相対速
度１１.３ｍ／ｓで常温常湿下の雰囲気中で行った。ス
チル試験中にシリンダ負荷にも着目し、負荷をモータの
電圧値（ｍＶ単位）により測定した。

【０１４０】比較例１０ 厚さ４μｍのＰＥＮフィルム上にＣｏを酸素雰囲気中で
０．１５μｍ斜め蒸着した。その後保護膜を成膜する事
なく、試料をパーフルオロポリエーテル系液体潤滑剤で
あるＦｏｍｂｌｉｎ-Ｚ-ＤＯＬの０.２ｗｔ.％パーフル
オロオクタン溶液中に３０秒間浸漬後引き上げ実施例５
６と同様の条件でスチル試験を行った。

【０１４１】比較例１１ 厚さ４μｍのＰＥＮフィルム上にＣｏを酸素雰囲気中で
０．１５μｍ斜め蒸着し、その後（ＣＨ₃Ｏ）₃Ｓｉ-Ｏ-
Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₃：２０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｏ₂：４０ｍｌ
／ｍｉｎ、Ｈ₂：２０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｈｅ：８０ｍｌ／
ｍｉｎに成膜用ガスを制御し１３.５６ＭＨｚ、１ｋＷ
の高周波電源を用い磁性膜上にＳｉ-Ｃ-Ｏ保護膜を２０
０Å成膜した。試料をパーフルオロポリエーテル系液体
潤滑剤であるＦｏｍｂｌｉｎ-Ｚ-ＤＯＬの０.２ｗｔ.％
パーフルオロオクタン溶液中に３０秒間浸漬後引き上げ
実施例５６と同様の条件でスチル試験を行った。

【０１４２】スチル試験結果を下記の表８に示す。スチ
ル寿命は再生出力が初期値から半減するまでの時間
（分）である。表８に示された結果から判る様に、本実
施例の試料は２４０分以上のスチル耐久性を示し、また
従来のパーフルオロポリエーテル系液体潤滑剤（比較例
１０）に比べシリンダ負荷が約２５％減少している。

【０１４３】

【表８】

【０１４４】実施例５７ 厚さ４μｍのＰＥＮフィルム上に（ＣＨ₃Ｏ）₃Ｓｉ-Ｏ-
Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₃：２０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｏ₂：４０ｍｌ
／ｍｉｎ、Ｈ₂：２０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｈｅ：８０ｍｌ／
ｍｉｎに成膜用ガスを制御し１３.５６ＭＨｚ、１ｋＷ
の高周波電源を用いＳｉ-Ｃ-Ｏ下地層を２００Å成膜し
た。この下地層上にＣｏを酸素雰囲気中で０．１５μｍ
斜め蒸着し、その後（ＣＨ₃Ｏ）₃Ｓｉ-Ｏ-Ｓｉ（ＯＣＨ
₃）₃：２０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｏ₂：４０ｍｌ／ｍｉｎ、
Ｈ₂：２０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｈｅ：８０ｍｌ／ｍｉｎに成
膜用ガスを制御し１３.５６ＭＨｚ、１ｋＷの高周波電
源を用い磁性膜上にＳｉ-Ｃ-Ｏ保護膜を２００Å成膜し
た。その後試料を、実施例１で得られた常温で固体の化
合物の０.２ｗｔ.％ｎ−ヘキサン溶液中に３０秒間浸漬
した後引き上げ乾燥し保護膜上に存在する潤滑剤量をＸ
線光電子分光分析法（ＸＰＳ）で求めた。次に試料を真
空槽内に保持し減圧後、真空槽内に取り付けた低圧水銀
ランプにより波長１８５ｎｍの紫外線（ＵＶ）を１０秒
〜１０分間照射した。紫外線照射後試料をｎ−ヘキサン
中で１０秒間超音波洗浄し、保護膜表面に残存する潤滑
剤量をＸＰＳで求めた。ＸＰＳはPerkin-Elmer社製の５
５００−ＭＣを用いて測定した。潤滑剤量をＸＰＳによ
るフッ素（Ｆ）の１ｓピーク強度で表した。結果を下記
の表９に示す。

【０１４５】

【表９】 ※F1s(UV)/F1s(Initial)はＵＶ照射後洗浄した試料のＦ１ｓの強度対 潤滑剤浸漬塗布後の試料のＦ１ｓ強度の比を表す。

【０１４６】実施例５８ 実施例５７で得られた試料を８ｍｍ幅に裁断しスチル耐
久性を調べた。スチル条件はテープ張力１２.５ｇｆ／
ｃｍ、テープ巻き付け角２２０度、相対速度１１.３ｍ
／ｓで常温常湿下の雰囲気中で行った。スチル試験中に
シリンダ負荷にも着目し、負荷をモータの電圧値（ｍＶ
単位）により測定した。結果を下記の表１０に示す。紫
外線照射により表９に於いてF1s(UV)/F1s(Initial)の値
が０.０５〜０.６５の試料は４時間以上のスチル耐久性
を示し、またスチル時のシリンダ負荷が紫外線未照射の
試料に比べて低下している事が判る。しかし紫外線を１
０分間照射した試料では表９よりF1s(UV)/F1s(Initial)
の値が０.６５を越え、フリーな潤滑剤成分が不足して
スチス寿命が低下している。

【０１４７】

【表１０】

【０１４８】実施例５９ 厚さ４μｍの平滑性の異なるＰＥＮフィルム上にＣｏを
酸素雰囲気中で０．１５μｍ斜め蒸着し、その後（ＣＨ
₃Ｏ）₃Ｓｉ-Ｏ-Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₃：２０ｍｌ／ｍｉｎ、
Ｏ₂：４０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｈ₂：２０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｈ
ｅ：８０ｍｌ／ｍｉｎに成膜用ガスを制御し１３.５６
ＭＨｚ、１ｋＷの高周波電源を用い磁性膜上にＳｉ-Ｃ-
Ｏ保護膜を２００Å成膜した。その後試料を実施例１で
得られた化合物の０.２ｗｔ％ｎ−ヘキサン溶液中に３
０秒間浸漬した後引き上げ乾燥した。試料を６０℃、９
０％Ｒ.Ｈ.の環境に１４日放置し飽和磁化の変化を測定
した。また潤滑剤塗布後の試料を８ｍｍ幅に裁断し、テ
ープ張力１２.５ｇｆ／ｃｍ、テープ巻き付け角２２０
度の条件でシリンダに巻き付け常温常湿下、シリンダへ
の貼り付き状態を調べた。結果を下記の表１１に示す。
平滑性の高いベースを使用した場合には飽和磁化の低下
が小さく耐食性が向上する事が判る。また平滑性の高い
ベースを使用してもシリンダへの貼り付きを生じない事
が判る。

【０１４９】

【表１１】

【０１５０】比較例１２ 実施例５９で使用した厚さ４μｍの平滑性の異なるＰＥ
Ｎフィルム上にＣｏを酸素雰囲気中で０．１５μｍ斜め
蒸着し、その後（ＣＨ₃Ｏ）₃Ｓｉ-Ｏ-Ｓｉ（ＯＣ
Ｈ₃）₃：２０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｏ₂：４０ｍｌ／ｍｉｎ、
Ｈ₂：２０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｈｅ：８０ｍｌ／ｍｉｎに成
膜用ガスを制御し１３.５６ＭＨｚ、１ｋＷの高周波電
源を用い磁性膜上にＳｉ-Ｃ-Ｏ保護膜を２００Å成膜し
た。その後試料をパーフルオロポリエーテル系の液体潤
滑剤であるＦｏｍｂｌｉｎ-Ｚ-ＤＯＬの０.２ｗｔ.％パ
ーフルオロオクタン溶液中に３０秒間浸漬した後引き上
げ乾燥した。試料を８ｍｍ幅に裁断し、テープ張力１
２.５ｇｆ／ｃｍ、テープ巻き付け角２２０度の条件で
シリンダに巻き付け常温常湿下、シリンダへの貼り付き
状態を調べた。その結果、全ての場合にシリンダへの貼
り付きが生じた。

【０１５１】

【発明の効果】以上説明した様に本発明によるトリブロ
ック化合物は潤滑剤として極めて有用であり、平滑化が
進む将来の磁気記録媒体に於いても摺動する磁気ヘッド
間に張り付き現象を生じさせず、起動不良や摺動時に偶
発的に摩擦力が急増する問題が回避され、安定した摺動
特性が得られる。さらに本発明による潤滑剤は安価な汎
用溶媒に溶解するため、これまでのフッ素系液体潤滑剤
用のフッ素系溶媒に比べ塗布時のコストが大幅に削減で
きる。

【０１５２】また、本発明では、磁気記録媒体は基体上
にプラズマＣＶＤ法によりＳｉ-Ｍ-Ｏ（Ｍ：Ｃ、Ｂ、
Ｎ）下地層を設けこの上に薄膜磁性層さらに磁性層上に
プラズマＣＶＤ法によりＳｉ-Ｍ-Ｏ（Ｍ：Ｃ、Ｂ、Ｎ）
保護層を成膜し、潤滑剤として本発明の化合物を使用し
た事により耐食性と耐久性が改善される。潤滑剤塗布後
に紫外線照射処理を行う事により保護膜表面に化学結合
した潤滑剤成分を適切な範囲に制御でき、耐久性をより
高める事ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁気記録媒体の一例の断面図である。

【図２】本発明の磁気記録媒体の別の例の断面図であ
る。

【図３】本発明の磁気記録媒体の更に別の例の断面図で
ある。

【図４】本発明の磁気記録媒体の更に他の例の断面図で
ある。

【図５】本発明の磁気記録媒体の更に他の例の断面図で
ある。

【図６】実施例９で得られた化合物のＩＲスペクトルを
示す波形図である。

【符号の説明】

１ 非磁性基体 ２ 磁性層 ３ 潤滑層 ４ Ｓｉ−Ｍ−Ｏ膜 ５ バックコート層 ６ 下地層

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０７Ｃ 271/12 9451−4Ｈ Ｃ０７Ｃ 271/12 275/14 9451−4Ｈ 275/14 Ｃ１０Ｍ 105/26 Ｃ１０Ｍ 105/26 105/54 105/54 105/68 105/68 Ｇ１１Ｂ 5/71 Ｇ１１Ｂ 5/71 // Ｃ１０Ｎ 30:00 30:06 40:18 50:02 (72)発明者 宮田 一司 大阪府茨木市丑寅一丁目１番88号 日立マ クセル株式会社内 (72)発明者 水村 哲夫 大阪府茨木市丑寅一丁目１番88号 日立マ クセル株式会社内

Claims (18)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記の一般式（１）で示される化合物。 Ｒ₁−Ｚ₁−Ｒ₃−Ｚ₂−Ｒ₂ （１） （式中、Ｒ₁及びＲ₂は同一であるか又は異なり、Ｃ₄〜
   Ｃ₃₄の直鎖状、分岐状、又は環状の飽和炭化水素或いは
   不飽和炭化水素、ポリエーテル、ポリエステル、ポリア
   ミド及びポリカーボネート基からなる群から選択され，
   Ｚ₁及びＺ₂は同一であるか又は異なり、アミド結合、エ
   ーテル結合、ウレタン結合、ウレア結合及びカルボン酸
   とアミンとの反応により生成するアミン塩結合からなる
   群から選択され、Ｒ₃は（ＣＨ₂）_x（ＣＦ₂）_y（ＣＨ₂）
   _Z基であり、ｘ及びｚは同一又は異なり、１〜４の範囲
   内の整数であり、ｙは４〜３４の範囲内の整数であ
   る。）
2. 【請求項２】 下記の一般式（１）で示される化合物か
   らなる潤滑剤。 Ｒ₁−Ｚ₁−Ｒ₃−Ｚ₂−Ｒ₂ （１） （式中、Ｒ₁及びＲ₂は同一であるか又は異なり、Ｃ₄〜
   Ｃ₃₄の直鎖状、分岐状、又は環状の飽和炭化水素或いは
   不飽和炭化水素、ポリエーテル、ポリエステル、ポリア
   ミド及びポリカーボネート基からなる群から選択され，
   Ｚ₁及びＺ₂は同一であるか又は異なり、アミド結合、エ
   ーテル結合、ウレタン結合、ウレア結合及びカルボン酸
   とアミンとの反応により生成するアミン塩結合からなる
   群から選択され、Ｒ₃は（ＣＨ₂）_x（ＣＦ₂）_y（ＣＨ₂）
   _Z基であり、ｘ及びｚは同一又は異なり、１〜４の範囲
   内の整数であり、ｙは４〜３４の範囲内の整数であ
   る。）
3. 【請求項３】 非磁性基体と、この基体の一方の面に設
   けられた磁性層とからなる磁気記録媒体において、前記
   磁性層の上面における保護層として、前記非磁性基体と
   磁性層との界面における中間層として及び／又は前記非
   磁性基体の前記磁性層の形成されている面と反対側の面
   におけるバックコート層として使用される、ＳｉＭ_wＯ_v
   （但し、ＭはＣ、Ｎ及びＢからなる群から選択される少
   なくとも１種以上の元素であり、ｗは０．０５〜０．５
   の範囲内であり、ｖは１．６〜２．０の範囲内である）
   からなる膜。
4. 【請求項４】 前記ＳｉＭ_wＯ_v（但し、ＭはＣ、Ｎ及び
   Ｂからなる群から選択される少なくとも１種以上の元素
   であり、ｗは０．０５〜０．５の範囲内であり、ｖは
   １．６〜２．０の範囲内である）からなる膜が磁性層上
   面の保護層として使用される場合、その膜厚は５０〜３
   ００Åの範囲内であり、非磁性基体と磁性層との界面に
   おいて中間層として使用される場合、その膜厚は５０〜
   １０００Åであり、前記非磁性基体の前記磁性層の形成
   されている面と反対側の面におけるバックコート層とし
   て使用される場合、その膜厚は５０〜１０００Åの範囲
   内である請求項３の膜。 【請求項４】 前記ＳｉＭwＯv（但し、ＭはＣ、Ｎ及び
   Ｂからなる群から選択される少なくとも１種以上の元素
   であり、ｗは０．０５〜０．５の範囲内であり、ｖは
   １．６〜２．０の範囲内である）からなる膜が磁性層上
   面の保護層として使用される場合、その膜厚は５０〜３
   ００Åの範囲内であり、非磁性基体と磁性層との界面に
   おいて中間層として使用される場合、その膜厚は５０〜
   １０００Åであり、前記非磁性基体の前記磁性層の形成
   されている面と反対側の面におけるバックコート層とし
   て使用される場合、その膜厚は５０〜１０００Åの範囲
   内である請求項３の膜。 【請求項４】 前記ＳｉＭwＯv（但し、ＭはＣ、Ｎ及び
   Ｂからなる群から選択される少なくとも１種以上の元素
   であり、ｗは０．０５〜０．５の範囲内であり、ｖは
   １．６〜２．０の範囲内である）からなる膜が磁性層上
   面の保護層として使用される場合、その膜厚は５０〜３
   ００Åの範囲内であり、非磁性基体と磁性層との界面に
   おいて中間層として使用される場合、その膜厚は５０〜
   １０００Åであり、前記非磁性基体の前記磁性層の形成
   されている面と反対側の面におけるバックコート層とし
   て使用される場合、その膜厚は５０〜１０００Åの範囲
   内である請求項３の膜。
5. 【請求項５】 非磁性基体と、この基体の一方或いは両
   方の面に設けられた磁性層とからなる磁気記録媒体にお
   いて、前記磁性層の上面或いは内部に下記の一般式
   （１）で示される化合物、 Ｒ1−Ｚ1−Ｒ3−Ｚ2−Ｒ2 （１） （式中、Ｒ1及びＲ2は同一であるか又は異なり、Ｃ4〜
   Ｃ34の直鎖状、分岐状、又は環状の飽和炭化水素或いは
   不飽和炭化水素、ポリエーテル、ポリエステル、ポリア
   ミド及びポリカーボネート基からなる群から選択され，
   Ｚ1及びＺ2は同一であるか又は異なり、アミド結合、エ
   ーテル結合、ウレタン結合、ウレア結合及びカルボン酸
   とアミンとの反応により生成するアミン塩結合からなる
   群から選択され、Ｒ3は（ＣＨ2）x（ＣＦ2）y（ＣＨ2）
   Z基であり、ｘ及びｚは同一又は異なり、１〜４の範囲
   内の整数であり、ｙは４〜３４の範囲内の整数であ
   る。）からなる潤滑剤層が設けられていることを特徴と
   する磁気記録媒体。
6. 【請求項６】 非磁性基体と、この基体の一方の面に設
   けられた磁性層とからなる磁気記録媒体において、前記
   磁性層の上面にＳｉＭwＯv（但し、ＭはＣ、Ｎ及びＢか
   らなる群から選択される少なくとも１種以上の元素であ
   り、ｗは０．０５〜０．５の範囲内であり、ｖは１．６
   〜２．０の範囲内である）からなる、厚さが５０〜３０
   ０Åの範囲内の保護膜を有し、該保護膜上に、下記の一
   般式（１）で示される化合物、 Ｒ1−Ｚ1−Ｒ3−Ｚ2−Ｒ2 （１） （式中、Ｒ1及びＲ2は同一であるか又は異なり、Ｃ4〜
   Ｃ34の直鎖状、分岐状、又は環状の飽和炭化水素或いは
   不飽和炭化水素、ポリエーテル、ポリエステル、ポリア
   ミド及びポリカーボネート基からなる群から選択され，
   Ｚ1及びＺ2は同一であるか又は異なり、アミド結合、エ
   ーテル結合、ウレタン結合、ウレア結合及びカルボン酸
   とアミンとの反応により生成するアミン塩結合からなる
   群から選択され、Ｒ3は（ＣＨ2）x（ＣＦ2）y（ＣＨ2）
   Z基であり、ｘ及びｚは同一又は異なり、１〜４の範囲
   内の整数であり、ｙは４〜３４の範囲内の整数であ
   る。）からなる潤滑剤層が設けられていることを特徴と
   する磁気記録媒体。
7. 【請求項７】 非磁性基体と磁性層との界面にＳｉＭw
   Ｏv（但し、ＭはＣ、Ｎ及びＢからなる群から選択され
   る少なくとも１種以上の元素であり、ｗは０．０５〜
   ０．５の範囲内であり、ｖは１．６〜２．０の範囲内で
   ある）からなる、厚さが５０〜１０００Åの範囲内の中
   間層を更に有する請求項６の磁気記録媒体。
8. 【請求項８】 非磁性基体の磁性層の形成されている面
   と反対側の面にＳｉＭwＯv（但し、ＭはＣ、Ｎ及びＢか
   らなる群から選択される少なくとも１種以上の元素であ
   り、ｗは０．０５〜０．５の範囲内であり、ｖは１．６
   〜２．０の範囲内である）からなる、厚さが５０〜１０
   ００Åの範囲内のバックコート層を更に有する請求項６
   の磁気記録媒体。
9. 【請求項９】 非磁性基体が厚さ６．５μｍ未満のポリ
   エチレンナフタレート、ＰＥＮ及びアラミドからなる群
   から選択される合成樹脂フィルムである請求項５〜８の
   磁気記録媒体。
10. 【請求項１０】 合成樹脂フィルムの表面粗さがＲａで
    ０．５〜１．５ｎｍの範囲内であり、Ｒｚで３．０〜１
    ２．０ｎｍの範囲内である請求項９の磁気記録媒体。
11. 【請求項１１】 下記の一般式（１）で示される化合
    物、 Ｒ1−Ｚ1−Ｒ3−Ｚ2−Ｒ2 （１） （式中、Ｒ1及びＲ2は同一であるか又は異なり、Ｃ4〜
    Ｃ34の直鎖状、分岐状、又は環状の飽和炭化水素或いは
    不飽和炭化水素、ポリエーテル、ポリエステル、ポリア
    ミド又はポリカーボネート基からなる群から選択され，
    Ｚ1及びＺ2は同一であるか又は異なり、アミド結合、エ
    ーテル結合、ウレタン結合、ウレア結合及びカルボン酸
    とアミンとの反応により生成するアミン塩結合からなる
    群から選択され、Ｒ3は（ＣＨ2）x（ＣＦ2）y（ＣＨ2）
    Z基であり、ｘ及びｚは同一又は異なり、１〜４の範囲
    内の整数であり、ｙは４〜３４の範囲内の整数であ
    る。）を非フッ素系溶媒に溶解させることにより潤滑剤
    溶液を調製し、この潤滑剤溶液を磁気記録媒体最上面の
    ＳｉＭwＯv（但し、ＭはＣ、Ｎ及びＢからなる群から選
    択される少なくとも１種以上の元素であり、ｗは０．０
    ５〜０．５の範囲内であり、ｖは１．６〜２．０の範囲
    内である）からなる保護膜、カーボン保護膜、ＺｒＯr
    保護膜又はＳｉＯ_r保護膜（但し、前記Ｏrにおけるｒは
    １．６〜２．０の範囲内の値である）の表面に塗布し、
    その後、該潤滑剤溶液塗布面に波長１００ｎｍ〜１９０
    ｎｍの範囲内の波長の紫外線を不活性雰囲気中で照射す
    ることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
12. 【請求項１２】 非フッ素系溶媒はｎ−ヘキサン、ｎ−
    ヘプタン、ｎ−オクタン、ｎ−デカン、ｎ−ドデカン、
    ベンゼン、トルエン、キシレン、シクロヘキサン、メチ
    ルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メタノー
    ル、エタノール、イソプロパノールジエチルエーテル、
    シクロヘキサノン又はテトラヒドロフランである請求項
    １１の方法。
13. 【請求項１３】 非フッ素系溶媒はｎ−ヘキサンである
    請求項１２の方法。
14. 【請求項１４】 保護膜表面に潤滑剤溶液を塗布した
    後、磁気記録媒体を５０〜１００℃の範囲内の温度で加
    熱処理した後に、該潤滑剤溶液塗布面に波長１００ｎｍ
    〜１９０ｎｍの範囲内の波長の紫外線を不活性雰囲気中
    で照射することを特徴とする請求項１１の磁気記録媒体
    の製造方法。
15. 【請求項１５】 磁性層の上面又は磁性層上の保護層の
    上面に下記の一般式（１）で示される化合物、 Ｒ1−Ｚ1−Ｒ3−Ｚ2−Ｒ2 （１） （式中、Ｒ1及びＲ2は同一であるか又は異なり、Ｃ4〜
    Ｃ34の直鎖状、分岐状、又は環状の飽和炭化水素或いは
    不飽和炭化水素、ポリエーテル、ポリエステル、ポリア
    ミド及びポリカーボネート基からなる群から選択され，
    Ｚ1及びＺ2は同一であるか又は異なり、アミド結合、エ
    ーテル結合、ウレタン結合、ウレア結合及びカルボン酸
    とアミンとの反応により生成するアミン塩結合からなる
    群から選択され、Ｒ3は（ＣＨ2）x（ＣＦ2）y（ＣＨ2）
    Z基であり、ｘ及びｚは同一又は異なり、１〜４の範囲
    内の整数であり、ｙは４〜３４の範囲内の整数であ
    る。）からなる潤滑剤層を有する磁気記録媒体におい
    て、磁気記録媒体表面の被紫外線照射潤滑剤層を非フッ
    素系溶媒中で超音波洗浄した際、洗浄前後のフッ素信号
    をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光分析法）で測定して、洗浄後
    のフッ素強度対洗浄前のフッ素強度の比が０．０５〜
    ０．６５の範囲内であることを特徴とする磁気記録媒
    体。
16. 【請求項１６】 非フッ素系溶媒はｎ−ヘキサン、ｎ−
    ヘプタン、ｎ−オクタン、ｎ−デカン、ｎ−ドデカン、
    ベンゼン、トルエン、キシレン、シクロヘキサン、メチ
    ルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メタノー
    ル、エタノール、イソプロパノールジエチルエーテル、
    シクロヘキサノン又はテトラヒドロフランである請求項
    １５の磁気記録媒体。
17. 【請求項１７】 非フッ素系溶媒はｎ−ヘキサンである
    請求項１５の磁気記録媒体。
18. 【請求項１８】 非磁性基体と、この基体の一方の面に
    設けられた磁性層とからなる磁気記録媒体において、前
    記磁性層の上面における保護層として、前記非磁性基体
    と磁性層との界面における中間層として及び／又は前記
    非磁性基体の前記磁性層の形成されている面と反対側の
    面におけるバックコート層として使用される、ＳｉＭw
    Ｏv（但し、ＭはＣ、Ｎ及びＢからなる群から選択され
    る少なくとも１種以上の元素であり、ｗは０．０５〜
    ０．５の範囲内であり、ｖは１．６〜２．０の範囲内で
    ある）からなるＳｉ−Ｍ−Ｏ膜をプラズマＣＶＤ法によ
    り成膜することを特徴とするＳｉ−Ｍ−Ｏ膜の製造方
    法。