JPS63258992A - 薄膜潤滑用合成潤滑剤及び磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は薄膜潤滑用合成潤滑剤及び磁気記録媒体に係り
、特に金属表面、ガラス、セラミックス、炭素などの基
板表面に薄膜状態で強固に付着して、これに良好な潤滑
性を与える合成潤滑剤及びそれを用いて潤滑層を形成し
た磁気記録媒体に関する。

［従来の技術］ 磁気記録媒体は、磁気ヘッドと接触するため、両者間の
潤滑が必要とされることから、その表面に潤滑剤が塗布
される。

ところで、高記録密度を持った薄膜磁気記録媒体の場合
には、磁気ヘッドとしてフライングヘッドが用いられ、
次のように作動する。即ち、フライングヘッドは、媒体
が停止している時にはロードアーム及びジンバルのスプ
リング力で媒体上に約１０ｇｆの力で押し付けられてい
る。記録媒体の回転が始まると、フライングヘッドのス
ライダ一部分（ＭｎＺｎフェライト、Ａ１ｚＯ３−Ｔｉ
Ｃ，ＺｒＯ２あるいはＣａＴｉ０＋で作られている）で
媒体上を滑り、媒体の回転が定常状態（例えば３６０Ｏ
ｒｐｍ）になれば、フライングヘッドは媒体の回転と共
に動く空気の流れによって、媒体から０．１５〜０．５
μｍの高さに浮く。この際、外部から加わる振動や、媒
体の表面の凹凸によりて時々フライングヘッドは媒体表
面と接触することがある。また、媒体の回転を停止する
とき、フライングヘッドは次第に媒体に近づき、媒体上
をひきずられるように動き、あるいは媒体上をはずみな
がら停止する。

磁気記録媒体とフライングヘッド間の電磁変換特性を上
げるためには、媒体表面に塗布された潤滑剤膜はできる
だけ薄いことが望ましい。また、この潤滑剤膜が数百人
の厚さになると、フライングヘッドの媒体表面への吸着
、即ちスティッキングが起こり、媒体の回転を開始する
ことができない。このようなことから、媒体表面の潤滑
剤の厚さを１〜数分子にする必要がある。

しかして、このように、１〜数分子の潤滑剤層によって
、上述のフライングヘッドによる衝撃、摩擦等に耐える
ためには、潤滑剤は潤滑性に優れるだけでなく、媒体基
材の金属や炭素の上に強固に吸着することが必要とされ
る。

従来、潤滑剤としてはパーフルオロポリエーテル類があ
り、イタリアのモンテジソン社からはＦｏｍｂ　Ｉ　Ｌ
　ｎ、米国デュポン社からはＫｒｙｔｏｘとして市販さ
れている。これらは、ＵＳＰ３，２４２，２１８、ＵＳ
Ｐ３，６６５゜０４１、ＵＳＰ３，７１５，３７８など
に記載されている。

パーフルオロポリエーテル類は優れた潤滑性、熱安定性
、耐熱性、耐化学薬品性、低蒸発性等の物性を有する高
品質の潤滑油であるが、吸着力が極めて悪く、これを薄
膜潤滑などに用いるために、金属、ガラス、セラミック
ス、炭素などの表面に１分子〜数分子の厚さに塗布した
場合、潤滑剤が金属などの表面に強固に吸着することが
できない。このため、前述の磁気記録媒体の潤滑に用い
る潤滑剤としては不適であった。

そこで、潤滑剤の吸着性を良くするために、パーフルオ
ロポリオキシアルキレン基の末端に極性基を付け、この
極性基の双極子能率をある値以上にすることによフてパ
ーフルオロポリエーテル潤滑剤を強固に磁気記録媒体に
付着させる試みがなされ、例えばＵＳＰ４，２６７．２
３８、ＵＳＰ４，２６８，５５６に示されている。

パーフルオロポリオキシアルキレン基の末端に極性基を
付けた潤滑剤では、この極性基によって金属や炭素に吸
着させ、そこから延びたパーフルオロポリオキシアルキ
レン基によって、潤滑性を持たせている。

［発明が解決しようとする問題点コ しかしながら、薄膜磁気記録媒体の潤滑剤として用いる
場合、下記のような理由から、極性基による吸着力だけ
では不十分であり、要求特性を満足し得ない。

■　薄膜磁気記録媒体は、磁気ヘッドの衝撃や摺動を受
け、極めて過酷な状況で使用される。

■　薄膜磁気記録媒体の表面はスパッターあるいはメッ
キによって付けられた薄膜金属媒体層（例えばＣｏ−Ｎ
１）等であり、あるいはこの上に炭素やセラミックスな
どの保護膜が付いているものである。これら、金属、炭
素、セラミックスなどの無機材料膜に対しては、極性基
による結合は十分な強度を保ち得ない。

このため、潤滑剤膜剥離の問題や磁気記録媒体の表面に
形成した潤滑膜が、磁気記録媒体の回転による遠心力を
加えられることにより飛び散ったり、媒体の外周部に偏
在してしまい、（本明細書において、この現象を起こす
ことを「飛散性」という。）、均一な潤滑剤薄膜状態を
維持し得ないという問題がある。

［問題点を解決するための手段］ 本発明は金属、炭素、セラミックス、ガラスなど無機材
料等の表面にも薄膜状態で強固に付着して、これに良好
な潤滑性を与える下記の合成潤滑剤を提供するものであ
る。

下記一般式（１） ％式％（） で示される化合物を含むことを特徴とする薄膜潤滑用合
成潤滑剤。

また、本発明はこの潤滑剤を塗布した磁気記録媒体を提
供するものである。

以下に本発明の詳細な説明する。

本発明の薄膜潤滑用合成潤滑剤に含まれる化合物は、上
記（Ｉ）式に示される如く、含フツ素アルキルポリエー
テル誘導体であり、２個の含フツ素ポリオキシアルキレ
ン基の間にベンゼン環及び極性基を有するものである。

上記（Ｉ）式中、Ｒｆ及びＲｆ’の分子量（ｍｏｌｅｃ
ｕｌａｒ　　ｗｅｉｇｈｔ）は１０００〜５０．０００
であることが望ましい。（１）式の化合物において、Ｒ
ｆ、Ｒｆ’の部分は潤滑剤の潤滑性をになう部分であり
、分子量が１０００未満であると、耐ｉ撃性が低下し、
潤滑性能も悪くなる。Ｒｆ、Ｒｆ’の分子量が大きくな
ると潤滑性は良好になってくる。しかし、その分子量が
過度に大きくなり５０，０００を超えると、潤滑剤を塗
布する時に溶媒中に溶解してもエマルジョンとなり、均
一に塗布することが難しくなる。また、磁気記録媒体に
塗布した場合、磁気ヘッドとの間にスティッキングが起
こるようになる。

Ｒｆ及びＲｆ’は同じものでも異なるものでも良く、例
えば、下記■〜■に示される基のいずれか一種の繰り返
した基あるいは２種以上が交互に又はランダムに結合さ
れてなる基の一端に、フッ素（Ｆ−）、パーフルオロア
ルキル基（ｃｎＦ２ｎ＋１−）及びパーフルオロオキシ
アルキル基（ｃｎ　Ｆ２ｙ１＋１０−）　　（但し、ｎ
：整数）のいずれかが結合されてなるものが挙げられる
。

■　−〇Ｆ　（ＣＦ３　）−ＣＦ２−０−■　−ＣＦ２
−ＣＦ２−ＣＦ２−０− ■　−ＣＦ２−０− ■　−ＣＦ２−ＣＦ２−０− Ｒｆ及びＲｆ’としては、特に、下記式で示される基が
好適である。

Ｚ−＋Ｃ３Ｆ８０←→ＣＦ２Ｏ←−ＣＦＺ（：Ｏ−又は
Ｃ０〇−ｐ＝３〜１００　　　ｑ＝Ｑ〜３０ Ｚ−＋Ｃ＊Ｆ４０←→ＣＦ２Ｏ←−ＣＦＺＣＯ−又はＣ
００−ｒ＝１０〜２５０　　ｓ＝１〜２５０ ココで末端基２はＦ　　、ＣＦ３＋、Ｃ２ＦＳ　＋。

ＣＦｓ　Ｏ−、Ｃ２ＦＳ　Ｏ−、Ｃ３Ｆ７０−のいずれ
か。Ｒｆ、Ｒｆ’は完全に水素をフッ素で置換したもの
である必要はなく水素が数％残っていても、潤滑性は十
分にある。

前記（Ｉ）式中、ｎはＯ〜５である。即ち、前記（１）
式で示される化合物に含まれるベンゼン環は１〜６個で
あって、ベンゼン環部分の結合構造はオルト、メタ、パ
ラのいずれの位置に結合していてもよいが下記の如くで
あることが好ましい。

２個有する場合 ３個以上有する場合 ３個以上のベンゼン環を持っているものが、このように
メタの位置で結合している場合、液体となるので取扱い
が便利である。

ベンゼン環が７個以上の化合物は合成が困難であり、ま
た溶媒中に溶解することも困難であるため、実用的では
ない。

また、前記（Ｉ）式中、Ｘ及びＸ′は極性基であるが、
特に−ＮＨ−又は−〇〇〇−であることが望ましい。Ｘ
及びＸ′は同一であっても異なっていても良い。

前記（Ｉ）式で示される化合物は、例えば以下のように
して製造することができる。

合成例１ 還流冷却器、温度計を備えた攪拌機付５００ｍ１Ｌの四
ツロフラスコにパーフルオロアルキルポリエーテル酸ク
ロリド（平均分子量２０００　（核磁気共鳴分析で測定
）、式：Ｆ（Ｃ，Ｆ、Ｏ←−Ｃ２Ｆａ　Ｃ０Ｃｊ２、！
は約１１．酸価３２．粘度３８℃で９０センチストロー
クス）を２００ｇ（０，１０モル）と、溶媒としてパー
フルオロデカリン（沸点１４２℃）２００ｍｕを加え均
一に混合した。この溶液を攪拌しながら、分液ロートを
用いてＮ−メチル−２−ピロリドン１００ｍ！！。

に溶解したｐ−フェニレンジアミン８ｇ（０，０７モル
）を上部から静かに１０分間で滴下、滴下後マントルヒ
ーターで８０℃に加熱５時間攪拌した。冷却後、分液ロ
ートに移し希塩酸水を加え未反応のアミン塩とＮ−メチ
ル−２−ピロリドンを洗浄水が中性になるまで水洗の繰
り返しにより除去、無水硫酸ナトリウムで脱水乾燥後更
に１時間還流させ溶媒を減圧下で溜去、油状の物質を得
た。ＩＲスペクトル分析の結果１７８０ｃｍ−’のカル
ボン酸の吸収がなくなり１６５０〜１６６０ｃｍ−’の
２級アミドの吸収が現われた。

このものは 看は約１１ で、含フツ素ポリオキシアルキレン基の平均分子量は約
１９７０である。

合成例２ 合成例１と同様に５００ｍＩｌの四ツロフラスコにパー
フルオロアルキルポリエーテル酸クロリド（平均分子量
２５００　（核磁気共鳴分析で測定）、式：　Ｆ　（Ｃ
３Ｆａ　Ｏ←−Ｃ２Ｆ４　Ｃ０ＣＩＬでは約１４．酸価
２２．粘度３８℃で１１５センチストロークス）を２０
０ｇ　（０，０８モル）と、溶媒としてパーフルオロデ
カリン２００ｍＬＬを加え均一な溶液とした。この溶液
を攪拌させながら、分液ロートを用いてＮ−メチル−２
−ピロリドン１００ｍＪ２に溶解した４、４°ジアミノ
ジフエニルオキシサイド（式：　Ｈ２Ｎ−Ｃａ　Ｈａ−
Ｃ８Ｈ４−ＮＨ２）　１０　ｇ　（０，０５モル）を１
０分間で滴下し、滴下後マントルヒーターで　１８０℃
に加熱５時間攪拌した。冷却後、希塩酸水を加え未反応
のアミン塩とＮ−メチル−２−ピロリドンを洗浄水が中
性になるまで水洗の繰り返しにより除去し、無水硫酸ナ
トリウムで脱水乾燥、更に１時間遠流し、溶媒を溜去、
ペースト状の物質を得た。ＩＲスペクトル分析の結果１
７８゜ｃｍ−’のカルボン酸の吸収がなくなり１６６０
〜１６５０ｃｍ−’の２級アミドの吸収が現われた。

このものは ｐは約１４ で、含フツ素ポリオキシアルキレン基の平均分子量は２
４７０である。

合成例３ 合成例１．２と同様に５００ｍｊ！の四ツロフラスコに
パーフルオロアルキルポリエーテル酸クロリド（平均分
子量２０００　（核磁気共鳴分析で測定）、式’Ｆ　Ｃ
Ｃ３Ｆａ　Ｏ←−Ｃ２Ｆ４ＣＯＣｊ２！ ｐは約１１）を２００ｇ　（０，１０モル）と、溶媒と
してパーフルオロデカリン２００ｍＪ２を加え均一に混
合した。この溶液を攪拌させながら分液ロートを用いて
Ｎ−メチル−２−ピロリドン１００ｍＪ２に溶解した１
、３ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン １５ｇ　（０，０５４モル）を１０分間で滴下し、滴下
後マントルヒーターで８０℃に加熱、５時間攪拌した。

冷却後、分液ロートに移し希塩酸水を加え未反応のアミ
ン塩とＮ−メチル−２−ピロリドンを洗浄水が中性にな
る迄、水洗の繰り返しにより除去し、無水硫酸ナトリウ
ムで脱水乾燥、更に１時間還流した。溶媒を溜去、粘着
性のある物質を得た。これをＩＲスペクトル分析の結果
、１７８０ｃｍ−’のカルボン酸付近の吸収がなくなり
１６５０〜１６６０ｃｍ−’の２級アミドの吸収が現わ
れた。

このものは Ｒは約１１ で、含フツ素ポリオキシアルキレン基の平均分子量は約
１９７０である。

合成例４ 温度計、検水管付ジムロートを備えた５００ｍＩｌの枝
付フラスコにパーフルオロポリエーテルカルボン酸（平
均分子量２０００　（核磁気共鳴分析で測定）、式：　
Ｆ　（Ｃ，Ｆ、Ｏ←−Ｃ２Ｆ４ＣＯＯＨｎは約１１．酸
価３２）をパーフルオロジメチルシクロヘキサン１５０
ｍｆｔに１５０ｇ（０，０７５モル）を加え均一に混合
した溶液に、無水硫酸ナトリウムで乾燥したキシレン１
５０ｍｕに４，４°−ジヒドロキシジフェニル−２，２
−プロパン を１０ｇ　（０，０３７モル）溶解させた溶液とｐ−ト
ルエンスルホン酸０．５ｇを加えた。マントルヒータで
加熱、５時間還流した。検水管の水分流水量は理論量１
．３９ｍＪＬに対し、１．２ｍｉであった。溶媒を１０
０ｍｆＬのみ溜去し、冷却後中性になるまで水洗し、無
水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下で溶媒を溜去した。

残留物を１００ｍＪ！のメチルイソブチルケトンで５回
洗浄し、未反応の４，４°−ジヒドロキシジフェニル−
２，２−プロパンを抽出し、粘着性のある物質を得た。

酸価は測定の結果０．１１であった。

ＩＲスペクトル分析では３４００ｃｍ−’の吸収がほと
んど確認されず、３０００．１７８０ｃｍ−’のわずか
なカルボン酸のピークと１７３５ｃｍ−’のエステルの
吸収が大きく現われた。

このものは ｎは約１１ で、含フツ素ポリオキシアルキレン基の平均分子量は１
９９０である。

このような本発明の薄膜潤滑用合成潤滑剤は、高記録密
度の薄膜磁気記録媒体等に塗布して１〜数分子の潤滑剤
層を形成させるための潤滑剤として極めて有効である。

この場合、塗布方法としては、例えば、本発明の潤滑剤
をフレオン等の溶媒に、前記（１）式の化合物の濃度が
０．０１〜０．０２体積％程度となるように溶解させて
塗布する方法が好ましい。

本発明の合成潤滑剤が塗布される磁気記録媒体は、硬質
の円盤状の基板上に少なくとも磁気記録層とこれを覆う
保護＠層とが形成されたものである、基板は、アルミニ
ウム、アルミニウム合金、セラミックス、ガラスなど任
意である。この基板上には、必要に応じ、クロム、Ｎ１
−Ｐ％Ｎ１−Ｃｕ−Ｐ、アルマイトなどの硬質被膜が形
成される。磁気記録層としては、Ｃ０１Ｃｏ−Ｎｉ。

Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ％Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ％Ｃｏ−Ｎ１−Ｐ
、Ｃｏ−Ｐｔなと各種の磁性層が採用できる。保護膜層
としては炭素が好適であり、グラファイト状もしくはア
モルファス状炭素が好ましい。

［作　用］ 本発明の薄膜潤滑用合成潤滑剤に含まれる前記一般式（
Ｉ）で示される化合物は、結合鎖のほぼ中央部分で１な
いし６個のベンゼン環を有する。

このベンゼン環は、直径が約５人の大きさで、π電子を
持つので、このπ電子により金属や炭素の表面に強固に
吸着し、しかも大きな結合面積を得ることができる。こ
のように中央部分が金属等の表面に電子吸着され、その
両端のＦｔｆ、Ｆｔｆ’の基が該表面から遠いところに
手を出すような形となり、このＲｆ％Ｒｆ’基により良
好な潤滑効果が得られる。更に、ベンゼン環の間に酸素
がエーテル結合となっているものは、熱安定性が良い。

［実施例］ 以下、実施例及び比較例について説明する。

実施例１〜３ 下記■〜■の方法により５１／４″φＡＪＺ基板デイス
クを作製し、Ｃ保護膜を形成した薄膜ディスクの表面に
、後掲の化合物をトリクロロトリフルオロエタンでＯ，
０１ｖｏ１％に希釈した液をスプレー法により均一に塗
布して潤滑剤膜を形成し、その特性を試験した。結果を
第１表に示す。

作成方法 ■　アルマイト処理したアルミニウム基板をポリッシュ
・テクスチャー処理して平均面粗さＲａ＝０．０２μｍ
の基板とし、この上に窒素を含むアルゴン雰囲気中でＣ
ｏＮｉＣｒ　（Ｎｉ１３ａｔ％、Ｃｒ５ａｔ％、残部Ｃ
ｏ）のスパッター膜を１０００人厚に形成した。その上
に炭素保護膜をＤＣスパッターにて２００人の厚さに形
成した。その後３４０℃にて２時間真空中熱処理をして
磁気ディスクを得た。

■　スパッターにて２０００人厚のＣｒ下地を付けたア
ルミニウム基板をポリッシュ・テクスチャー処理して平
均面粗さＲａ’＝０．０２μｍの基板とした。この上に
アルゴン雰囲気中で、ＤＣスパッタリングでＣｏＮｉＣ
ｒ　（Ｎｉ１３ａｔ％、Ｃｒ　　３ａｔ％、残部Ｃｏ）
の膜をａＯＯ人厚形成成し、その上に炭素保護膜をＤＣ
スパッタリングで２００人厚形成成して磁気ディスクを
得た。

■　ＮｉＰをメッキで付けたアルミニウム基板をポリッ
シュ・テクスチャー処理して平均面粗さＲａ＝０．０２
μｍの基板とした。この上にアルゴン雰囲気中でＣｏＮ
１Ｐｔ（Ｎｉ　　１５ａｔ％、Ｐｔ　　７ａｔ％、残部
Ｃｏ）をＤＣスパッタリングで８００人に形成した。そ
の上にＤＣスパッタリングで炭素保護膜を２００人厚形
成成して磁気ディスクを得た。

■　上記■と同様にして得た基板上に、ＣｏＮ　ｉｐｔ
膜（Ｎｉ　　１５ａｔ％、Ｐｔ　　７ａｔ％。

残部Ｃｏ）をメッキにて８００人の厚さに形成した媒体
上に、ＤＣスパッタリングで炭素保護膜を２００人厚形
成成して磁気ディスクを得た。

■　上記■と同様にして得た基板上に、酸素を含むアル
ゴン雰囲気中でＲＦスパッタリングによってＣＯ含有Ｆ
ｅ、０４膜を形成し、３２０℃で２時間大気中で熱処理
して膜厚１５００人のγ−Ｆｅ２０．膜を形成し、その
上にＤＣスパッタリングで炭素保護膜を２００人厚形成
成して磁気ディスクを得た。

潤滑剤化合物 実施例１：上記合成例１で得た ここでｌは約１１で、パーフルオロポリオキシアルキレ
ン基の平均分子量は約１９７０゜実施例２：上記合成例
２で得た ここで！は約１４で、・パーフルオロポリオキシアルキ
レン基の平均分子量は約２４７０゜実施例３：上記合成
例３で得た ここで！は約１１で、パーフルオロポリオキシアルキレ
ン基の平均分子量は約１９７０゜特性試験方法は以下に
示す通りである。

耐ＣＳＳ性； ＭｎＺｎフェライト製ミニウィンチェスタ−ヘッドによ
り、ｈｆ＝０．３μｍ、３６００ｒｐｍ、１５秒ｏｎ−
ｏｆｆサイクル（１５秒ｏｎ−１５秒ｏｆｆ）により、
ヘッドのスティッキング又はヘッドクラッシュを起こす
までのＣ５Ｓ回数により耐Ｃ５Ｓ性を調べた。

飛散性： 運転開始前と、３６００ｒｐｍ連続運転１ケ月後のＲ（
半径）１５０ｍｍの点での潤滑剤膜の厚さをＦＴＩＲ法
（フーリエトランスフォーメーションインフラレッド吸
光分光分析法）により測定し、運転開始前に対する運転
後の膜厚減少割合（％）で示した。

比較例１〜４ 潤滑剤として下記のものを用い、これを０．０２ｖｏＪ
Ｌ％トリクロロトリフルオロエタン希釈液としてスプレ
ー塗布したこと以外は、実施例１と同様にして潤滑剤膜
を形成し、その特性を調べた、結果を第１表に示す。

比較例１：フォンプリンｚ−２５ （モ゛ンテジソン社製、分子量１５０００）ＣＦ　ｓ　
＋＋ＯＣＦ　ｘ　−ＣＦ　２　）−＋ＯＣＦ　２←→−
０（：Ｆ。

ただし、ｐ　／　ｑツ５０／１ 比較例２：フォンブリンＹＲ （モンテジソン社製、分子１６５００）ＣＦ３−＋０Ｃ
８Ｆ６）−＋０ＣＦ２←−０ＣＦコ比較例３：クライト
ツクス１４３ＡＣ （デュポン社製、分子量６２５０） Ｆ→Ｃｓ　Ｆ　ａ　Ｑ　トーーＣ２Ｆ　ｓ３６〜３７ 比較例４：クライトツクス１５７ＦＳ−Ｍ（デュポン社
製、分子量４５００） Ｆ−＋ｃ３Ｆ　６Ｇ←べ２Ｆ４ＣＯＯ）ｌ第１表より、
本発明の合成潤滑剤はいずれのディスクについても、耐
ｃｓｓ性は４５〜１００に回と極めて高く、また飛散性
試験後の膜厚減少割合は１０％以下と極めて低く、Ｃ保
護膜に対する吸着力が極めて強いことが明らかである。

一方、比較例１〜４の従来の潤滑剤は、いずれも耐ＣＳ
Ｓ性は１０〜２０に回と低く、また飛散性試験後の膜厚
減少割合は２０〜５０％と著しく大きく、Ｃ保護膜への
吸着強度が低いことが明らかである。また、耐Ｃ３Ｓ性
も１０〜２０に回と低い、これは分子量が大きくとも飛
散が大きいために耐Ｃ５Ｓ性が劣フていると考えられる
。

従って、本発明の潤滑剤は従来品に比し、耐ＣＳＳ性、
飛散性が著しく高く、潤滑性も極めて良好で薄膜磁気デ
ィスクの要求特性を十分に満足することが明らかである
。

［発明の効果］ 以上詳述した通り、本発明の薄膜潤滑用合成潤滑剤は、
前記一般式（Ｉ）で示されるパーフルオロアルキルポリ
エーテル誘導体を含むものであって、優れた潤滑性能を
有する上に、耐久性及び吸着性も著しく高い。

このため、本発明の潤滑剤は、高記録密度磁気記録媒体
等の潤滑膜の形成に極めて有効であり、この潤滑剤を表
面に付着させた磁気記録媒体は著しく優れた耐Ｃ３Ｓ性
及び飛散性を示す。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）下記一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼…（ I ） ［式中、Ｒｆ及びＲｆ′は含フッ素ポリオキシアルキレ
   ン基を示し、Ｘ及びＸ′は極性基を示し、Ｙはメタン、
   エタン、プロパン、酸素、ケトン、硫黄のいずれかを示
   し、ｎは０〜５の整数である。］ で示される化合物を含むことを特徴とする薄膜潤滑用合
   成潤滑剤。
2. （２）Ｒｆ及びＲｆ′の分子量が１０００〜５０，００
   ０であることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載
   の薄膜潤滑用合成潤滑剤。
3. （３）Ｒｆ及びＲｆ′は Ｚ−（Ｃ＿３Ｆ＿６Ｏ）−＿ｐ（ＣＦ＿２Ｏ）−＿ｑＣ
   ＦＺＣＯ−又はＣＯＯ−（ただし、ｐ＝３〜１００、ｑ
   ＝０〜３０）Ｚ−（Ｃ＿２Ｆ＿４Ｏ）−＿ｒ（ＣＦ＿２
   Ｏ）−＿ｓＣＦＺＣＯ−又はＣＯＯ−（ただし、ｒ＝１
   ０〜２５０、ｓ＝１〜２５０）であり、このＺはＦ−、
   ＣＦ＿３−、Ｃ＿２Ｆ＿５−、ＣＦ＿３Ｏ−、Ｃ＿２Ｆ
   ＿５Ｏ−、Ｃ＿３Ｆ＿７Ｏ−のいずれかであることを特
   徴とする特許請求の範囲第２項に記載の薄膜潤滑用合成
   潤滑剤。
4. （４）Ｘ及びＸ′は −ＮＨ−又は−ＣＯＯ− であることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第
   ３項のいずれか１項に記載の薄膜潤滑用合成潤滑剤。
5. （５）基板上に少なくとも磁気記録層と該磁気記録層を
   覆う保護膜層とを設けた磁気記録媒体において、該保護
   膜層上に、下記一般式（ I ）▲数式、化学式、表等が
   あります▼…（ I ） ［式中、Ｒｆ及びＲｆ′は含フッ素ポリオキシアルキレ
   ン基を示し、Ｘ及びＸ′は極性基を示し、Ｙはメタン、
   エタン、プロパン、酸素、ケトン、硫黄のいずれかを示
   し、ｎは０〜５の整数である。］ で示される化合物を含む合成潤滑剤を付着させて潤滑層
   を形成したことを特徴とする磁気記録媒体。