JP2010135010A

JP2010135010A - 記憶装置および潤滑剤移着量の算出方法

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Publication number: JP2010135010A
Application number: JP2008310516A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Kubodera; 裕之窪寺; Takahiro Imamura; 孝浩今村
Original assignee: Toshiba Storage Device Corp
Current assignee: Toshiba Storage Device Corp
Priority date: 2008-12-05
Filing date: 2008-12-05
Publication date: 2010-06-17
Also published as: US20100142093A1

Abstract

【課題】ヘッドスライダに対する潤滑剤の移着を抑制することができる記憶装置および潤滑剤移着量の計算方法を提供する。
【解決手段】媒体対向面３４および記憶媒体１４の表面には無数の空気分子５３が存在する。潤滑剤の蒸発に基づき潤滑剤分子５２は空気分子５３と衝突する。潤滑剤分子５２は弾き飛ばされる。空気分子５３の働きで媒体対向面３４への潤滑剤分子５２の移着は抑制される。媒体対向面３４および記憶媒体１４の表面の間の気圧ｐが増大すれば、空気分子５３の数は増大する。また、浮上量ｈが増大すれば、空気分子５３の数は増大する。本発明では気圧ｐと浮上量ｈとの積ｐｈが所定値以上に設定されることから、潤滑剤の移着量は抑制される。その結果、ヘッドスライダ２２は長期間にわたって安定的に浮上することができる。また、潤滑剤移着量の算出に空気分子５３の存在を考慮することにより、潤滑剤分子５２の移着量は高い精度で算出される。
【選択図】図６

Description

本発明は、表面に潤滑剤を保持する記憶媒体上を浮上するヘッドスライダを備える記憶装置に関する。

ハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）では、磁気情報の書き込み時や読み出し時に磁気ディスク上をヘッドスライダが浮上する。このとき、潤滑剤は例えば蒸発に基づきヘッドスライダの媒体対向面に移着する。移着した潤滑剤が媒体対向面で塊になると、潤滑剤の塊は磁気ディスクの表面に落下する。こうした塊はヘッドスライダとの接触を引き起こす。ヘッドクラッシュが発生してしまう。
特開平８−２７９１２０号公報特開２００３−１０９３４０号公報特開２０００−３４８３０３号公報特開２００６−１９６１３７号公報特開平７−２１７１７号公報特開２００２−１７５６７６号公報 Bruno Marchon, Tom Karis, Qing Dai and Remmelt Pit, "A Model for Lubricant Flow From Disk to Slider"，IEEE Transactions on Magnetics，Vol.39，No.5, September 2003, p.2447-p.2449 Yansheng Ma and Bo Liu, "Lubricant transfer from disk to slider in hard disk drives", Applied Physics Letters, 90, 143516, 2007 Bo Zhang and Akira Nakajima, "Hydrodynamic Lubrication of Slider Air Bearings with the Pumping Effect", in Proc. Micromechatronics for Information and Precision Equipment, Santa Clara, CA, Jun. 2006

前述のように、磁気ディスクおよびヘッドスライダの間で潤滑剤が移動することは広く知られるものの、磁気ディスクからヘッドスライダへの潤滑剤の移着自体を抑制する方法についてはいずれの文献にも開示されていない。

本発明は、上記実状に鑑みてなされたもので、ヘッドスライダに対する潤滑剤の移着を抑制することができる記憶装置および潤滑剤移着量の計算方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、記憶装置は、表面に潤滑剤を保持する記憶媒体と、前記記憶媒体との相対移動に基づき媒体対向面で前記記憶媒体の表面に向き合わせられるヘッドスライダとを備え、前記記憶媒体の表面および前記媒体対向面の間に規定される気圧ｐ［ａｔｍ］と、前記記憶媒体の表面から規定される前記媒体対向面の浮上量ｈ［ｎｍ］との積ｐｈ［ａｔｍ・ｎｍ］は、潤滑剤の分子量Ｍｎに対して

の数式を満たすことを特徴とする。

こうした記憶装置では、ヘッドスライダは媒体対向面で記憶媒体の表面に向き合う。媒体対向面および記憶媒体の表面には無数の空気分子が存在する。潤滑剤の蒸発に基づき記憶媒体から媒体対向面に向かう潤滑剤分子は空気分子と衝突する。潤滑剤分子は弾き飛ばされる。空気分子の働きで媒体対向面への潤滑剤分子の移着は抑制される。媒体対向面および記憶媒体の表面の間に規定される気圧ｐが増大すれば、空気分子の数は増大する。また、記憶媒体の表面からの媒体対向面の浮上量ｈが増大すれば、空気分子の数は増大する。本発明では、気圧ｐと浮上量ｈとの積ｐｈは数式に基づき所定値に設定される。その結果、潤滑剤分子の移着量が抑制される。こうしてヘッドスライダは長期間にわたって安定的に浮上することができる。しかも、気圧ｐや浮上量ｈが調整されればよいことから、潤滑剤分子の移着の抑制にあたってヘッドスライダに新たな部品は追加されなくて済む。追加の余計なコストは必要とされない。加えて、積ｐｈの算出にあたって空気分子の存在が考慮される。したがって、媒体対向面に対する潤滑剤分子の移着量は従来に比べて高い精度で算出される。

潤滑剤移着量の算出方法は、記憶媒体の表面およびヘッドスライダの媒体対向面の間に規定される気圧ｐ［ａｔｍ］と、前記記憶媒体の表面から規定される前記媒体対向面の浮上量ｈ［ｎｍ］との積ｐｈ［ａｔｍ・ｎｍ］に基づき前記媒体対向面に対する前記記憶媒体上の潤滑剤の移着量を算出することを特徴とする。こうした算出方法によれば、媒体対向面に対する潤滑剤分子の移着量は従来に比べて高い精度で算出される。

以上のように、記憶装置および潤滑剤移着量の計算方法は、ヘッドスライダに対する潤滑剤の移着を抑制することができる。

以下、添付図面を参照しつつ本発明の一実施形態を説明する。

図１は本発明に係る記憶装置の一具体例すなわちハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）１１の内部構造を概略的に示す。このＨＤＤ１１は筐体すなわちハウジング１２を備える。ハウジング１２は箱形のベース１３およびカバー（図示されず）から構成される。ベース１３は例えば平たい直方体の内部空間すなわち収容空間を区画する。ベース１３は例えばＡｌ（アルミニウム）といった金属材料から鋳造に基づき成形されればよい。カバーはベース１３の開口に結合される。カバーとベース１３との間で収容空間は密閉される。カバーは例えばプレス加工に基づき１枚の板材から成形されればよい。

収容空間には、記憶媒体としての１枚以上の磁気ディスク１４が収容される。磁気ディスク１４はスピンドルモータ１５の回転軸に装着される。スピンドルモータ１５は例えば５４００ｒｐｍや７２００ｒｐｍ、１００００ｒｐｍ、１５０００ｒｐｍといった高速度で磁気ディスク１４を回転させることができる。ここでは、例えば磁気ディスク１４は垂直磁気記録ディスクに構成される。すなわち、磁気ディスク１４上の記録磁性膜では磁化容易軸は磁気ディスク１４の表面に直交する垂直方向に設定される。

収容空間にはキャリッジ１６がさらに収容される。キャリッジ１６はキャリッジブロック１７を備える。キャリッジブロック１７は、垂直方向に延びる支軸１８に回転自在に連結される。キャリッジブロック１７には、支軸１８から水平方向に延びる複数のキャリッジアーム１９が区画される。キャリッジブロック１７は例えば押し出し成型に基づきＡｌ（アルミニウム）から成型されればよい。

個々のキャリッジアーム１９の先端にはヘッドサスペンション２１が取り付けられる。ヘッドサスペンション２１はキャリッジアーム１９の先端から前方に延びる。ヘッドサスペンション２１の先端にはフレキシャが張り合わせられる。フレキシャにはいわゆるジンバルばねが区画される。こうしたジンバルばねの働きで浮上ヘッドスライダ２２はヘッドサスペンション２１に対してその姿勢を変化させることができる。後述されるように、浮上ヘッドスライダ２２にはヘッド素子すなわち電磁変換素子が搭載される。

磁気ディスク１４の回転に基づき磁気ディスク１４の表面で気流が生成されると、気流の働きで浮上ヘッドスライダ２２には正圧すなわち浮力および負圧が作用する。浮力および負圧とヘッドサスペンション２１の押し付け力とが釣り合うことで磁気ディスク１４の回転中に比較的に高い剛性で浮上ヘッドスライダ２２は浮上し続けることができる。

こういった浮上ヘッドスライダ２２の浮上中にキャリッジ１６が支軸１８回りで回転すると、浮上ヘッドスライダ２２は磁気ディスク１４の半径線に沿って移動することができる。その結果、浮上ヘッドスライダ２２上の電磁変換素子は最内周記録トラックと最外周記録トラックとの間でデータゾーンを横切ることができる。こうして浮上ヘッドスライダ２２上の電磁変換素子は目標の記録トラック上に位置決めされる。

キャリッジブロック１７には例えばボイスコイルモータ（ＶＣＭ）２３といった動力源が接続される。このＶＣＭ２３の働きでキャリッジブロック１７は支軸１８回りで回転することができる。こうしたキャリッジブロック１７の回転に基づきキャリッジアーム１９およびヘッドサスペンション２１の揺動は実現される。

図１から明らかなように、キャリッジブロック１７上には、フレキシブルプリント基板ユニット２４が配置される。フレキシブルプリント基板ユニット２４は、フレキシブルプリント基板２５に実装されるヘッドＩＣ（集積回路）２６を備える。ヘッドＩＣ２６は電磁変換素子の読み出し素子および書き込み素子に接続される。接続にあたってフレキシャ２７が用いられる。フレキシャ２７はフレキシブルプリント基板ユニット２４に接続される。フレキシャ２７は配線パターンを備える。配線パターンは浮上ヘッドスライダ２２およびフレキシブルプリント基板２５を相互に接続する。

磁気情報の読み出し時には、このヘッドＩＣ２６から電磁変換素子の読み出し素子に向けてセンス電流が供給される。読み出し素子には例えばＣＰＰ構造読み取り素子が用いられる。同様に、磁気情報の書き込み時には、ヘッドＩＣ２６から電磁変換素子の書き込み素子に向けて書き込み電流が供給される。書き込み素子には例えば単磁極ヘッド素子が用いられる。センス電流の電流値は特定の値に設定される。ヘッドＩＣ２６には、収容空間内に配置される小型の回路基板２８や、ベース１３の底板の裏側に取り付けられるプリント回路基板（図示されず）から電流が供給される。

図２は本発明の第１実施形態に係る浮上ヘッドスライダ２２を示す。この浮上ヘッドスライダ２２は、例えば平たい直方体に形成されるスライダ本体３１を備える。スライダ本体３１の空気流出側端面には非磁性膜すなわち素子内蔵膜３２が積層される。この素子内蔵膜３２に前述の電磁変換素子３３が組み込まれる。スライダ本体３１は例えばＡｌ_２Ｏ_３−ＴｉＣ（アルチック）といった硬質の非磁性材料から形成されればよい。素子内蔵膜３２は例えばＡｌ_２Ｏ_３（アルミナ）といった比較的に軟質の絶縁非磁性材料から形成されればよい。

浮上ヘッドスライダ２２は媒体対向面すなわち浮上面３４で磁気ディスク１４に向き合う。浮上面３４には平坦なベース面３５すなわち基準面が規定される。磁気ディスク１４が回転すると、スライダ本体３１の前端から後端に向かって浮上面３４には気流３６が作用する。

浮上面３４には、前述の気流３６の上流側すなわち空気流入側でベース面３５から立ち上がる１筋のフロントレール３７が形成される。フロントレール３７はベース面３５の空気流入端に沿ってスライダ幅方向に延びる。同様に、浮上面３４には、気流の下流側すなわち空気流出側でベース面３５から立ち上がるリアセンターレール３８が形成される。リアセンターレール３８はスライダ幅方向の中央位置に配置される。リアセンターレール３８はスライダ本体３１から素子内蔵膜３２まで延びる。

フロントレール３７の頂上面にはいわゆる空気軸受け面（ＡＢＳ）３９が規定される。空気軸受け面３９の空気流入端は段差４１でフロントレール３７のステップ面４２に接続される。ステップ面４２は空気軸受け面３９より一段低いレベルで広がる。ステップ面４２はフロントレール３７の空気流入端側に規定される。空気軸受け面３９はフロントレール３７の空気流出端側に規定される。

同様に、リアセンターレール３８の頂上面にはいわゆる空気軸受け面（ＡＢＳ）４３が規定される。空気軸受け面４３の空気流入端は段差４４でリアセンターレール３８のステップ面４５に接続される。ステップ面４５は空気軸受け面４３より一段低いレベルで広がる。ステップ面４５はリアセンターレール３８の空気流入端側に規定される。空気軸受け面４３はリアセンターレール３８の空気流出端側に規定される。

磁気ディスク１４の回転に基づき生成される気流３６は浮上面３４に受け止められる。このとき、段差４１、４４の働きで空気軸受け面３９、４３には比較的に大きな正圧すなわち浮力が生成される。しかも、フロントレール３７の後方すなわち背後には大きな負圧が生成される。これら浮力および負圧のバランスに基づき浮上ヘッドスライダ２２の浮上姿勢は確立される。

図３を併せて参照し、リアセンターレール３８は、浮上面３４の空気流入端の中央位置および浮上面３４の空気流出端の中央位置を結ぶ前後方向中心線Ｌ上に配置される。スライダ幅方向に規定されるリアセンターレール３８の幅は前後方向中心線Ｌに沿って空気流入端から空気流出端まで等しく規定される。すなわち、リアセンターレール３８の側面で規定されるリアセンターレール３８の輪郭線は前後方向中心線Ｌに平行に延びる。

図４に示されるように、電磁変換素子３３は読み出し素子４７および書き込み素子４８を備える。読み出し素子４７および書き込み素子４８の間には発熱体すなわちヒータ４９が組み込まれる。ヒータ４９は例えばＷ（タングステン）やＴｉＷ（チタンタングステン）といった電熱線で構成される。ヒータ４９に電力が供給されると、ヒータ４９は発熱する。ヒータ４９の熱でヒータ４９とともに読み出し素子４７や書き込み素子４８、素子内蔵膜３２は熱膨張する。その結果、図５に示されるように、リアセンターレール３８の頂上面で素子内蔵膜３２やスライダ本体３１は隆起する。いわゆる突き出しが形成される。電磁変換素子３３は磁気ディスク１４に向かって変位する。突き出しの突き出し量に応じて電磁変換素子３３の浮上量ｈは決定される。

磁気ディスク１４は表面に潤滑膜５１を保持する。潤滑膜５１の膜厚は例えば１ｎｍ程度に設定される。潤滑膜５１は例えばパーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）といった潤滑剤から形成される。図６に示されるように、浮上ヘッドスライダ２２の浮上面３４および磁気ディスク１４の表面の間には潤滑剤の蒸発に基づき潤滑剤分子５２が存在する。その一方で、浮上面３４および磁気ディスク１４の表面の間には無数の空気分子５３が存在する。ここでは、空気分子５３にはＮ_２（窒素）分子とＯ_２（酸素）分子とが含まれる。潤滑剤分子５２は浮上面３４に到達するまでに空気分子５３に衝突する。潤滑剤分子５２は弾き飛ばされる。その結果、空気分子５３は浮上面３４への潤滑剤分子５２の移着を妨げる。

ここで、発明者は浮上面３４および磁気ディスク１４の表面の間の潤滑剤分子５２および空気分子５３の挙動を解析した。解析にあたってＤＳＭＣ（Direct Simulation Monte Carlo）法が用いられた。解析の実施にあたって第１〜第３モデルが設定された。第１、第２および第３モデルでは、潤滑剤分子５２の分子量Ｍｎはそれぞれ２５１０、４５００および６５００に設定された。潤滑剤分子５２はいずれのモデルでも剛体球として想定された。その一方で、空気分子５３中では、Ｎ_２（窒素）分子とＯ_２（酸素）分子との割合は例えば８０［％］：２０［％］に設定された。

ＤＳＭＣ法による解析の結果、図７に示されるように、浮上面３４および磁気ディスク１４の表面の間に規定される気圧ｐ［ａｔｍ］と浮上量ｈ［ｎｍ］との積ｐｈ［ａｔｍ・ｎｍ］に基づき、浮上面３４への潤滑剤分子５２の到達率αが規定されることが判明した。到達率αは、磁気ディスク１４からの潤滑剤分子５２の蒸発量の総量に対する浮上面３４への潤滑剤分子５２の移着量の割合で表される。１０^０すなわち１は１００［％］に相当する。いずれのモデルでも積ｐｈが増大するにつれて到達率αは減少した。したがって、浮上面３４および磁気ディスク１４の表面の間で気圧ｐや浮上量ｈが調整されると、浮上面３４への潤滑剤分子５２の到達率αを調整することができることが判明した。

ここで、気圧ｐが増大すると、浮上面３４および磁気ディスク１４の表面の間で空気分子５３の数は増大する。したがって、気圧ｐが増大すると潤滑剤分子５２は空気分子５３に衝突しやすくなると考えられる。その結果、浮上面３４への潤滑剤分子５２の到達率αは減少する。浮上面３４への潤滑剤分子５２の移着は抑制される。その一方で、浮上量ｈが増大すると、浮上面３４および磁気ディスク１４の表面の間で空気分子５３の数は増大する。したがって、浮上量ｈが増大すると潤滑剤分子５２は空気分子５３に衝突しやすくなると考えられる。こうして浮上面３４への潤滑剤分子５２の到達率αは減少する。その結果、浮上面３４への潤滑剤分子５２の移着は抑制される。

発明者はＤＳＭＣ法による解析結果に基づき到達率αを定式化した。到達率αは以下の数式（１）で表される。なお、Ｃは定数項を示す。

この数式（１）から、到達率αは、積ｐｈと所定の定数項Ｃとの和に反比例する関係を有することがわかる。積ｐｈが定数項Ｃに比べて小さく設定されると、到達率αは１に漸近する。その一方で、数式（１）から、積ｐｈが定数項Ｃに比べて大きいと、到達率αは積ｐｈに反比例することがわかる。積ｐｈすなわち気圧ｐや浮上量ｈが増大するにつれて到達率αは低減される。したがって、積ｐｈが定数項Ｃ以上に設定されることが、到達率αの低減にあたって重要であることが明らかになった。

ここで、前述の図７から明らかなように、積ｐｈが概ね１０^２すなわち１００［ａｔｍ・ｎｍ］の値をとる点を境に曲線の傾きが著しく変化する。到達率αが最大値すなわち１０^０をとる場合に第１〜第３モデルには漸近線Ａ_０が設定される。同様に、到達率αが最小値をとる場合、第１〜第３モデルにはそれぞれ漸近線Ａ_１〜Ａ_３が設定される。このとき、漸近線Ａ_０と漸近線Ａ_１〜Ａ_３との間に交点ｎ_１〜ｎ_３が確立される。交点ｎ_１〜ｎ_３で到達率αの傾きが変化することから、交点ｎ_１〜ｎ_３の値は定数項Ｃに相当することがわかる。ここでは、定数項Ｃは分子量Ｍｎに応じて変化する。交点ｎ_１の定数項Ｃの値は１０３．２を示した。交点ｎ_２の定数項Ｃの値は１３０．５を示した。交点ｎ_３の定数項Ｃの値は１５４．７を示した。

このとき、分子量Ｍｎと定数項Ｃとの関係が算出された。その結果、図８に示されるように、分子量Ｍｎの増大に比例して定数項Ｃは増大することが判明した。分子量Ｍｎおよび定数項Ｃの関係は１次関数で表される。この関係に基づき定数項Ｃは以下の数式（２）で表される。

前述のように、積ｐｈは定数項Ｃ以上に設定されることが必要であることから、以下の数式（３）が導き出される。

この数式（３）から図９に示す浮上量ｈおよび気圧ｐの関係が導き出される。図９の例では、潤滑剤分子５２は例えば２５１０の分子量を有する場合が想定される。このとき、浮上量ｈおよび気圧ｐは斜線領域の範囲に設定される。浮上量ｈおよび気圧ｐは例えば空気軸受け面３９、４３で前述の範囲内に設定される。ここでは、浮上面３４の全面にわたって浮上量ｈおよび気圧ｐが前述の範囲内に設定されればよい。本実施形態では、例えば突き出しの突き出し量の調整に基づき浮上量ｈが設定される。その他、例えば空気軸受け面４３の形状に基づき気圧ｐが設定される。

以上のようなＨＤＤ１１では、浮上面３４および磁気ディスク１４の表面の間で浮上量ｈおよび気圧ｐの積ｐｈは所定値以上に設定される。その結果、浮上面３４への潤滑剤分子５２の移着は抑制される。こうして浮上ヘッドスライダ２２は長期間にわたって安定的に浮上することができる。しかも、浮上面３４への潤滑剤分子５２の移着の抑制にあたって浮上ヘッドスライダ２２には新たな部品は追加されなくて済む。追加の余計なコストは必要とされない。また、積ｐｈの算出にあたって空気分子５３の存在が考慮される。したがって、浮上面３４に対する潤滑剤分子５２の移着量は従来に比べて高い精度で算出される。

図１０は本発明の第２実施形態に係る浮上ヘッドスライダ２２ａの構造を概略的に示す。この浮上ヘッドスライダ２２ａでは、リアセンターレール３８は、前記方向中心線Ｌに沿って空気流入端から空気流出端に向かうにつれてスライダ幅方向に規定される幅を減少させる。図１１を併せて参照し、リアセンターレール３８の側面でリアセンターレール３８の輪郭線が規定される。リアセンターレール３８から空気流出端側に延びる輪郭線の延長線５５ａ、５５ｂは前後方向中心線Ｌに所定の交差角θで交差する。交差角θはスキュー角の最大角より大きく設定される。なお、輪郭線５５ａ、５５ｂの両方で同じ交差角θが設定されてもよく、異なる交差角θが設定されてもよい。なお、スキュー角は、前後方向中心線Ｌと磁気ディスク１４のダウントラック方向との交差角で表される。その他、前述の浮上ヘッドスライダ２２と均等な構成や構造には同一の参照符号が付される。

こうした浮上ヘッドスライダ２２ａによれば、磁気ディスク１４上で浮上ヘッドスライダ２２ａがいずれの半径方向位置に配置されても、リアセンターレール３８に向かって流入する気流３６は必ずステップ面４５および空気軸受け面４３に作用する。すなわち、ベース面３５およびステップ面４５の間の段差と、ステップ面４５および空気軸受け面４３の間の段差との両方を経由して気流３６は空気軸受け面４３に作用する。その結果、磁気ディスク１４上のいずれの半径方向位置でも空気軸受け面４３で十分に大きな正圧すなわち浮力が生成される。こうして浮上面３４すなわち空気軸受け面４３および磁気ディスク１４の表面の間で大きな気圧ｐが生成される。浮上面３４に対して潤滑剤分子５２の移着は抑制される。

（付記１）表面に潤滑剤を保持する記憶媒体と、
前記記憶媒体との相対移動に基づき媒体対向面で前記記憶媒体の表面に向き合わせられるヘッドスライダとを備え、
前記記憶媒体の表面および前記媒体対向面の間に規定される気圧ｐ［ａｔｍ］と、前記記憶媒体の表面から規定される前記媒体対向面の浮上量ｈ［ｎｍ］との積ｐｈ［ａｔｍ・ｎｍ］は、潤滑剤の分子量Ｍｎに対して

の数式を満たすことを特徴とする記憶装置。

（付記２）付記１に記載の記憶装置において、前記積ｐｈは前記ヘッドスライダの媒体対向面の全面にわたって前記数式を満たすことを特徴とする記憶装置。

（付記３）記憶媒体の表面およびヘッドスライダの媒体対向面の間に規定される気圧ｐ［ａｔｍ］と、前記記憶媒体の表面から規定される前記媒体対向面の浮上量ｈ［ｎｍ］との積ｐｈ［ａｔｍ・ｎｍ］に基づき前記媒体対向面に対する前記記憶媒体上の潤滑剤の移着量を算出することを特徴とする潤滑剤移着量の算出方法。

（付記４）付記３に記載の潤滑剤移着量の算出方法において、潤滑剤の蒸発量の総量に対する前記移着量の比率αは、定数項Ｃが設定される場合に

の数式を満たすことを特徴とする潤滑剤移着量の算出方法。

（付記５）付記４に記載の潤滑剤移着量の算出方法において、前記定数項Ｃは、潤滑剤の分子量Ｍｎに対して

の数式に基づき算出されることを特徴とする潤滑剤移着量の算出方法。

（付記６）媒体対向面を規定するスライダ本体と、
前記媒体対向面の空気流出端側に形成されて、空気流入端から空気流出端に向かうにつれて前記スライダ本体の幅方向に規定される幅を減少させるリアレールと、
前記リアレール上で前記リアレールの空気流入端側に規定されるステップ面と、
前記リアレール上で前記リアレールの空気流出端側に規定されて、前記ステップ面に段差で接続される空気軸受け面とを備え、
前記リアレールの側面で規定される前記リアレールの輪郭線の延長線と前記スライダ本体の前後方向中心線との交差角はスキュー角の最大角より大きいことを特徴とするヘッドスライダ。

本発明に係る記憶装置の一具体例すなわちハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）の内部構造を概略的に示す平面図である。本発明の一具体例に係る浮上ヘッドスライダを概略的に示す拡大斜視図である。一具体例に係る浮上ヘッドスライダを概略的に示す拡大平面図である。突き出しの非形成時における浮上ヘッドスライダの浮上姿勢を示す断面図である。突き出しの形成時における浮上ヘッドスライダの浮上姿勢を示す断面図である。媒体対向面および磁気ディスクの表面の間の潤滑剤分子および空気分子の挙動を示す断面図である。到達率と気圧および浮上量の積との関係を示すグラフである。定数項と潤滑剤分子の分子量との関係を示すグラフである。浮上量と気圧との関係を示すグラフである。本発明の他の具体例に係る浮上ヘッドスライダを概略的に示す拡大斜視図である。本発明の他の具体例に係る浮上ヘッドスライダを概略的に示す拡大平面図である。

符号の説明

１１記憶装置（ハードディスク駆動装置）、１４記憶媒体（磁気ディスク）、２２ヘッドスライダ（浮上ヘッドスライダ）、３１スライダ本体、３４媒体対向面（浮上面）、３８リアレール（リアセンターレール）、４３空気軸受け面、４４段差、４５ステップ面、５２潤滑剤（潤滑剤分子）、５５ａ、５５ｂ延長線。

Claims

表面に潤滑剤を保持する記憶媒体と、
前記記憶媒体との相対移動に基づき媒体対向面で前記記憶媒体の表面に向き合わせられるヘッドスライダとを備え、
前記記憶媒体の表面および前記媒体対向面の間に規定される気圧ｐ［ａｔｍ］と、前記記憶媒体の表面から規定される前記媒体対向面の浮上量ｈ［ｎｍ］との積ｐｈ［ａｔｍ・ｎｍ］は、潤滑剤の分子量Ｍｎに対して

の数式を満たすことを特徴とする記憶装置。
請求項１に記載の記憶装置において、前記積ｐｈは前記ヘッドスライダの媒体対向面の全面にわたって前記数式を満たすことを特徴とする記憶装置。
記憶媒体の表面およびヘッドスライダの媒体対向面の間に規定される気圧ｐ［ａｔｍ］と、前記記憶媒体の表面から規定される前記媒体対向面の浮上量ｈ［ｎｍ］との積ｐｈ［ａｔｍ・ｎｍ］に基づき前記媒体対向面に対する前記記憶媒体上の潤滑剤の移着量を算出することを特徴とする潤滑剤移着量の算出方法。
請求項３に記載の潤滑剤移着量の算出方法において、潤滑剤の蒸発量の総量に対する前記移着量の比率αは、定数項Ｃが設定される場合に

の数式を満たすことを特徴とする潤滑剤移着量の算出方法。
請求項４に記載の潤滑剤移着量の算出方法において、前記定数項Ｃは潤滑剤の分子量Ｍｎに対して

の数式に基づき算出されることを特徴とする潤滑剤移着量の算出方法。