JPH02296767A - 高温超電導体を製造する方法 - Google Patents
高温超電導体を製造する方法Info
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 39
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 16
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 20
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 5
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000002927 oxygen compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims description 3
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 13
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 13
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 9
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 abstract 1
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 8
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 5
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L barium carbonate Chemical compound [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000010216 calcium carbonate Nutrition 0.000 description 2
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 102000020897 Formins Human genes 0.000 description 1
- 108091022623 Formins Proteins 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 235000019402 calcium peroxide Nutrition 0.000 description 1
- 125000003636 chemical group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 235000010755 mineral Nutrition 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 229910052705 radium Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000002966 serum Anatomy 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 229910000018 strontium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- LEDMRZGFZIAGGB-UHFFFAOYSA-L strontium carbonate Chemical compound [Sr+2].[O-]C([O-])=O LEDMRZGFZIAGGB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910021521 yttrium barium copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/45—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on copper oxide or solid solutions thereof with other oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/45—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on copper oxide or solid solutions thereof with other oxides
- C04B35/4512—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on copper oxide or solid solutions thereof with other oxides containing thallium oxide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/45—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on copper oxide or solid solutions thereof with other oxides
- C04B35/4512—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on copper oxide or solid solutions thereof with other oxides containing thallium oxide
- C04B35/4517—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on copper oxide or solid solutions thereof with other oxides containing thallium oxide also containing lead oxide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/45—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on copper oxide or solid solutions thereof with other oxides
- C04B35/4521—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on copper oxide or solid solutions thereof with other oxides containing bismuth oxide
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
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- C04B35/4521—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on copper oxide or solid solutions thereof with other oxides containing bismuth oxide
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
不発ＥＡはアルカリ土類元素カルシウムおよびバリウム
な・らびに銅および少くとも１種のｒよかの金属成分の
酸素化合物金倉む物質混付物金熱処理する方法ならびに
元素カルシウムおよび銅の酸素化置物ならびに少くとも
第３の金属成分を含む物質混合物を熱処理する方法によ
り高温Ｍ電導体を製造する方法に関する。
な・らびに銅および少くとも１種のｒよかの金属成分の
酸素化合物金倉む物質混付物金熱処理する方法ならびに
元素カルシウムおよび銅の酸素化置物ならびに少くとも
第３の金属成分を含む物質混合物を熱処理する方法によ
り高温Ｍ電導体を製造する方法に関する。
本発明μ特ｔｆ請求の範囲１および３項の前半概念で、
ＰｈｙｓｉｃａＣｌ ５６（１９ＢＢ） Ｓ−８２２〜
８２６ 、Ｎｏｒｔｈ−Ｈｏｌｌａｎｄ、 Ａｍｓｔｅ
ｒｄａｍから公知のように従来技術に関係がある。七こ
には臨界温度１１０ Ｋ Ｏ組Ｈ−Ｂｉ２５ｒ２Ｃａ３
Ｃｕ４０ＸおよびＢｉ２５ｒ２Ｃａ４Ｃｕ５Ｃ１ｘの超
電導体の製造が記載されている。そのためにＢ１□０３
． ＳｒＣＯ３゜ＣａＣＯ３およびＣｕＯからなる粉末
混合物を８０［Ｊ’Ｃで１２ｈ焼成する。このように前
処理された物質の密な粉末の鉱物質ブロック金白戴るつ
ぼで溶解し、２００℃に加熱した銅板で急冷する。
ＰｈｙｓｉｃａＣｌ ５６（１９ＢＢ） Ｓ−８２２〜
８２６ 、Ｎｏｒｔｈ−Ｈｏｌｌａｎｄ、 Ａｍｓｔｅ
ｒｄａｍから公知のように従来技術に関係がある。七こ
には臨界温度１１０ Ｋ Ｏ組Ｈ−Ｂｉ２５ｒ２Ｃａ３
Ｃｕ４０ＸおよびＢｉ２５ｒ２Ｃａ４Ｃｕ５Ｃ１ｘの超
電導体の製造が記載されている。そのためにＢ１□０３
． ＳｒＣＯ３゜ＣａＣＯ３およびＣｕＯからなる粉末
混合物を８０［Ｊ’Ｃで１２ｈ焼成する。このように前
処理された物質の密な粉末の鉱物質ブロック金白戴るつ
ぼで溶解し、２００℃に加熱した銅板で急冷する。
これから厚与約０．５１１冨の非常に密なガラス板が生
成し、空気中で８５０℃および８７０ ’Ｃで７日間赤
熱する。
成し、空気中で８５０℃および８７０ ’Ｃで７日間赤
熱する。
定期刊行物； Ａｐｐｌ、 Ｐｈ７Ｓ、 Ｌｅｔｔ、
５３ （５） 。
５３ （５） 。
１９８８、Ｓ、４１４−４１６には臨界温度１２５にで
臨界電流密度的２５ＯＡ／ｃｒ！？のＴ７！２Ｃａ２Ｂ
ａ２Ｃｕ３０Ｋからなる超電導体の製造が報告されてい
る。’ｒｚ２ｏ３の強い揮発性のために１ずＣａＢａＣ
ｕ２０Ｘ ｔ ＣａＣＯ３，ＢａＣＯ３およびＣｕＯ比
１：１：２．１１９５ｘで約７２時間の反応により合成
する。（−７′ｌから’ｒｚ２ｏ、およびＣａＢａＣｕ
２０ｘｔ化学！陶的比率で混会し、粉末にしてタブレッ
ト直径１２絹、高１朋〜２４１にプレスする。
臨界電流密度的２５ＯＡ／ｃｒ！？のＴ７！２Ｃａ２Ｂ
ａ２Ｃｕ３０Ｋからなる超電導体の製造が報告されてい
る。’ｒｚ２ｏ３の強い揮発性のために１ずＣａＢａＣ
ｕ２０Ｘ ｔ ＣａＣＯ３，ＢａＣＯ３およびＣｕＯ比
１：１：２．１１９５ｘで約７２時間の反応により合成
する。（−７′ｌから’ｒｚ２ｏ、およびＣａＢａＣｕ
２０ｘｔ化学！陶的比率で混会し、粉末にしてタブレッ
ト直径１２絹、高１朋〜２４１にプレスする。
タブレットヲ酸化アルミニウム・ボート中で１２００Ｋ
に加熱した炉に素早く装入しそこで５ ｍｉｎ ＝ ８
ｍｉｎの間酸累気流中で保持する。その後でそれ全室
温に急冷し５ ｍｉｎ Ｏ後新めて酸素気流で炉中に装
入し、その加熱ｔ−遮断する。
に加熱した炉に素早く装入しそこで５ ｍｉｎ ＝ ８
ｍｉｎの間酸累気流中で保持する。その後でそれ全室
温に急冷し５ ｍｉｎ Ｏ後新めて酸素気流で炉中に装
入し、その加熱ｔ−遮断する。
その結果タブレットは緩やかに室温に冷却場れる。１２
１０にの比較的高い炉温度およびタブレット′Ｊｒ：ｌ
２０ ＯＫで１０ ｍｉｎ〜１５ ｍｉｎの比較的長
い帯留ｔ−続けることは臨界温度を１１４にないしｆｌ
＜１０５にへ減小することになる。
１０にの比較的高い炉温度およびタブレット′Ｊｒ：ｌ
２０ ＯＫで１０ ｍｉｎ〜１５ ｍｉｎの比較的長
い帯留ｔ−続けることは臨界温度を１１４にないしｆｌ
＜１０５にへ減小することになる。
熱処理前にパラジウム−銀箔で包んだタブレットは最適
加熱時間は１５ ｍｉｎである。
加熱時間は１５ ｍｉｎである。
この場合不利なことに該超電導体のこ９して達成し得る
臨界電流密度は比較的低いことである。従ってこれｔ−
実用的に使用することはできない。
臨界電流密度は比較的低いことである。従ってこれｔ−
実用的に使用することはできない。
従来技術に関連して定期刊行物５ｃｉｅｎｃｅ ２４０
（１９８８）８．６３１〜６６６が参照になる。
（１９８８）８．６３１〜６６６が参照になる。
−ｔｃでｕ臨界温度１２５にでＴＡ’２Ｂａ２Ｃａ２Ｃ
ｕ３０１０からなる単一相の超電導体の製造が記載δれ
ているＯＣの場合はＴＪ２０３． ＣａＯ２，ＢａＯ２
およびＣｕＯからの化学を論的粉末混合物を直径Ｌ５ａ
ｎ４１０ｃＷＬのタブレットにプレスし温度８５０℃〜
９２５°Ｃで種々の長ざの時間保つ。該混会物全８９０
°に＞２ｈ電九は〉９００℃により少い時間加熱すると
主要相としてＴｌ ２Ｂａ２Ｃａ２Ｃｕ３ＯＢおよび小
部分子＠、 Ｔｊ２Ｂａ２Ｃａ２Ｃｕ３０１０が生ずる
。該加熱は密閉された金製管で行う。
ｕ３０１０からなる単一相の超電導体の製造が記載δれ
ているＯＣの場合はＴＪ２０３． ＣａＯ２，ＢａＯ２
およびＣｕＯからの化学を論的粉末混合物を直径Ｌ５ａ
ｎ４１０ｃＷＬのタブレットにプレスし温度８５０℃〜
９２５°Ｃで種々の長ざの時間保つ。該混会物全８９０
°に＞２ｈ電九は〉９００℃により少い時間加熱すると
主要相としてＴｌ ２Ｂａ２Ｃａ２Ｃｕ３ＯＢおよび小
部分子＠、 Ｔｊ２Ｂａ２Ｃａ２Ｃｕ３０１０が生ずる
。該加熱は密閉された金製管で行う。
（ＡＯ） ｍ）ｉ（ｚｃａｎ−１Ｃｕｎ０２１１＋ ２
形の高温超電導体の組成はＭＢ２ Ｂｕｌｌｅｔｉｎ
ＶＯｌ、 Ｘ■、 Ｎｒ、 １ （１９８９）８．４５
〜４８から知ることができる。該Ａ陽イオンは元素Ｔｌ
、 Ｐｂ、 Ｂｉの１かまたはこれら元素の混合物でも
よい。ｍは１！ｆｃは２でよいがＢ１はただ２だけであ
る。該Ｍ陽イオンはＢａまたはＳｒでよい。ｍは互にｔ
ＩＬなるＣｕＯ２層の数を表わす。ＣａはＳｒで替える
ことができる。
形の高温超電導体の組成はＭＢ２ Ｂｕｌｌｅｔｉｎ
ＶＯｌ、 Ｘ■、 Ｎｒ、 １ （１９８９）８．４５
〜４８から知ることができる。該Ａ陽イオンは元素Ｔｌ
、 Ｐｂ、 Ｂｉの１かまたはこれら元素の混合物でも
よい。ｍは１！ｆｃは２でよいがＢ１はただ２だけであ
る。該Ｍ陽イオンはＢａまたはＳｒでよい。ｍは互にｔ
ＩＬなるＣｕＯ２層の数を表わす。ＣａはＳｒで替える
ことができる。
従って本発明の課題は冒頭に挙げたＷＬ頑の、比較的高
い、特に３００ Ａ ／ ａｎ２より高い臨界電流密度
を持つ高温超電導体全製造する方法を提供することであ
った。
い、特に３００ Ａ ／ ａｎ２より高い臨界電流密度
を持つ高温超電導体全製造する方法を提供することであ
った。
前記課ｍｒｘ本発明にエフアルカリ土虜元素カルシウム
およびバリウムならびに銅２よび少なくとも１種のほか
の金属成分の成業化会物ｔ−言み、その際バリウムは全
部１７’Ｃは一部ストロンチウムで置き替えることがで
きる物質混合物から、その際該物質混合物全主要工程で
６６０℃〜７９０°の範囲内の第１工程温度に嘔らし、
高温超電導体ｔ−表製造る方法において、前記物質混合
物全主要工程の前に１ ｍｉｎ〜１ｈの範囲で第２工程
持続時間の間９００℃より高い第２工程温度の融解工程
にさらすことおよび元素カルシウムおよび銅の酸素化分
物ならびに少くとも第６の金属成分を富む物質親会から
、その際該物實混曾物ｔ−９００°Ｃより高い第２工程
温度における融解工程におよびそ゛の波で超電導体分取
えの主要工程で６６０℃より高い第、１工程温度にざら
す高温超電導体’ｉｓ造する方法において、該第１工程
温度は６００〜９００℃にめり、該第２過程温度は９８
０℃〜１６５０℃にめり、かつ第２工程持続時間は３
ｍｉｎ〜２０ ｍｉｎの間過用することで解決ｇｎる。
およびバリウムならびに銅２よび少なくとも１種のほか
の金属成分の成業化会物ｔ−言み、その際バリウムは全
部１７’Ｃは一部ストロンチウムで置き替えることがで
きる物質混合物から、その際該物質混合物全主要工程で
６６０℃〜７９０°の範囲内の第１工程温度に嘔らし、
高温超電導体ｔ−表製造る方法において、前記物質混合
物全主要工程の前に１ ｍｉｎ〜１ｈの範囲で第２工程
持続時間の間９００℃より高い第２工程温度の融解工程
にさらすことおよび元素カルシウムおよび銅の酸素化分
物ならびに少くとも第６の金属成分を富む物質親会から
、その際該物實混曾物ｔ−９００°Ｃより高い第２工程
温度における融解工程におよびそ゛の波で超電導体分取
えの主要工程で６６０℃より高い第、１工程温度にざら
す高温超電導体’ｉｓ造する方法において、該第１工程
温度は６００〜９００℃にめり、該第２過程温度は９８
０℃〜１６５０℃にめり、かつ第２工程持続時間は３
ｍｉｎ〜２０ ｍｉｎの間過用することで解決ｇｎる。
本発明の有利な点はこの超電導体は、冒頭に挙げた種類
の公知の超電導体よりも略少くとも１０斧高い臨界電流
密度を達成することである。
の公知の超電導体よりも略少くとも１０斧高い臨界電流
密度を達成することである。
比較的低い工程温度Ｉたは工程時間の結果超電導体の物
質混合物と融解るつばの物質との間の反応は避けられる
。
質混合物と融解るつばの物質との間の反応は避けられる
。
本発明の有利な構成によれば物質混合物の粒界の短時間
融解によりその超電導体ｔ−会成する前に臨界電流密度
全署しく向上することを達成することができる。
融解によりその超電導体ｔ−会成する前に臨界電流密度
全署しく向上することを達成することができる。
前＆成熱処理は、酸化物が原子的範囲で十分に親会され
かつ望１ざるガス（ＣＯ２１０２）が逃げる利点がめる
◇ ｒ１１累雰囲気中での超電導体の簡単な後処理ですら超
電導体に多くの酸素上もたらし、ひいては七の導電率と
さらに向上する。
かつ望１ざるガス（ＣＯ２１０２）が逃げる利点がめる
◇ ｒ１１累雰囲気中での超電導体の簡単な後処理ですら超
電導体に多くの酸素上もたらし、ひいては七の導電率と
さらに向上する。
例えば臨界＠１１２４にで組成Ｔ／２Ｂａ２Ｑ１２Ｃｕ
ｐ１０の履電導体ｆ、ａ造するために化学童論比Ｔ ｌ
：Ｂａ ：Ｃａ：Ｃｕ＝２ ： ２ ： ２ ： ３
に相応してＴＪ２０３゜ＢａＯ２，ＣａＯおよびＣｕＯ
から粉末混盆物ｔＲ造する。そのタブレットヲ蒸気バリ
ヤーで包む、すなわち白金箔にくるむ。これは周囲とガ
ス交換はできるが高温ではタブレットの減少するタリウ
ム損失全保証する。これらタブレットに連続して次の４
＠支処理′ｔ−施こす： １、 温度６６０℃〜９００°ＣＸ有利には８２０℃〜
８８０℃で０．５ｈ〜１０ｈ１有利には０．５ｈ〜２ｈ
の持続時間の間での前合成熱処理：２、＞９００℃、特
に９８０℃〜１３５０’Ｃ１有利には１０００°〜１２
００℃の＠度で、１ｍ１ｎ 〜１ ｈ ％有利にｎ ３
ｍｉｎ 〜２０ ｍｉｎの待伏時間の間混仕物の粒界
の融解； ３．６６１Ｊ℃〜９００℃、有利には６８０℃〜８６０
℃の温度で、〉２ｈ１特に２ｈ〜１００ｈ５有利には１
２ｈ〜４８ｈの持続時間の間酸素雰囲気≦１ｂ中で超′
厄導体全会成する主要工程； ４、温度３００℃〜７５Ｕ’Ｃ，有利には４５０℃〜６
００℃の温度で、ｏ、５ｈ〜５ｈ、有利には１ｈ〜２ｈ
の持続時間の間淘酸菓侭囲気中で′よたは成業分圧＞ｏ
、ｉｂでの超電導体の化学量論的酸素調整する後処理。
ｐ１０の履電導体ｆ、ａ造するために化学童論比Ｔ ｌ
：Ｂａ ：Ｃａ：Ｃｕ＝２ ： ２ ： ２ ： ３
に相応してＴＪ２０３゜ＢａＯ２，ＣａＯおよびＣｕＯ
から粉末混盆物ｔＲ造する。そのタブレットヲ蒸気バリ
ヤーで包む、すなわち白金箔にくるむ。これは周囲とガ
ス交換はできるが高温ではタブレットの減少するタリウ
ム損失全保証する。これらタブレットに連続して次の４
＠支処理′ｔ−施こす： １、 温度６６０℃〜９００°ＣＸ有利には８２０℃〜
８８０℃で０．５ｈ〜１０ｈ１有利には０．５ｈ〜２ｈ
の持続時間の間での前合成熱処理：２、＞９００℃、特
に９８０℃〜１３５０’Ｃ１有利には１０００°〜１２
００℃の＠度で、１ｍ１ｎ 〜１ ｈ ％有利にｎ ３
ｍｉｎ 〜２０ ｍｉｎの待伏時間の間混仕物の粒界
の融解； ３．６６１Ｊ℃〜９００℃、有利には６８０℃〜８６０
℃の温度で、〉２ｈ１特に２ｈ〜１００ｈ５有利には１
２ｈ〜４８ｈの持続時間の間酸素雰囲気≦１ｂ中で超′
厄導体全会成する主要工程； ４、温度３００℃〜７５Ｕ’Ｃ，有利には４５０℃〜６
００℃の温度で、ｏ、５ｈ〜５ｈ、有利には１ｈ〜２ｈ
の持続時間の間淘酸菓侭囲気中で′よたは成業分圧＞ｏ
、ｉｂでの超電導体の化学量論的酸素調整する後処理。
比較的低い曾或装置を伴う主要工程により、すなわち上
述の温度処理１，２および４なしで超電導体の生成が達
成δれる。超電導体付属ではより小さなものを吸収する
大きな薄片ないしは結晶体は成長する。このよりな超電
導体はその結晶構造に関しては約５０チ１で空で、すな
わち結晶体間に大きな間隙を備えている。超電導する結
り内の電流密度は１０’ Ａ ／ ｃ第２の大きさであ
る。粒界、すなわち結１体間のｆＢ会はセラミックの全
電流密７１ｔが１桁たけ減少することの原因でるる（≦
１０００ Ａ／ａｎ”無磁界および約１ＯＡ／第２磁界
強７ｆ：ｌ［Ｊ−２Ｔ、）。
述の温度処理１，２および４なしで超電導体の生成が達
成δれる。超電導体付属ではより小さなものを吸収する
大きな薄片ないしは結晶体は成長する。このよりな超電
導体はその結晶構造に関しては約５０チ１で空で、すな
わち結晶体間に大きな間隙を備えている。超電導する結
り内の電流密度は１０’ Ａ ／ ｃ第２の大きさであ
る。粒界、すなわち結１体間のｆＢ会はセラミックの全
電流密７１ｔが１桁たけ減少することの原因でるる（≦
１０００ Ａ／ａｎ”無磁界および約１ＯＡ／第２磁界
強７ｆ：ｌ［Ｊ−２Ｔ、）。
超電導体の電流負荷容量は結晶体間の電流移動を改良、
すなわち点状の代りに面状の移動ができれば改良するこ
とができる。このことはａ）熱プレスにより、ｂ）押出
しＣ）高い均衡圧力にエフ、ｄ）結晶化助剤、ｅ）物質
混合物の粒子の融解により達成することができるが、こ
の部会結晶間の空間１０％に相応して、Ｈｉ電導体の材
質密度９０％は達成てれる。比較的簡単に実施すること
ができるので、特に有利なことは上記温度処理の２〕に
より融解することである。
すなわち点状の代りに面状の移動ができれば改良するこ
とができる。このことはａ）熱プレスにより、ｂ）押出
しＣ）高い均衡圧力にエフ、ｄ）結晶化助剤、ｅ）物質
混合物の粒子の融解により達成することができるが、こ
の部会結晶間の空間１０％に相応して、Ｈｉ電導体の材
質密度９０％は達成てれる。比較的簡単に実施すること
ができるので、特に有利なことは上記温度処理の２〕に
より融解することである。
それによって超電導体の臨界電流密度２ＫＡ／口２金達
ｇすることができる。
ｇすることができる。
このような種類の超電導体を製造する之めには白金箔で
くるんだタブレットを酸アルミニウムセラミック筐たは
白金箔またはほかの化学的に耐久性の高い融点の材質か
らなる支持体またはボート、ｌたはルツボにのせて迅速
に前もって加熱した炉に装入する。タブレット′ｔ温度
はタブレットの相対する端に配設した２ ｔ１６１の熱
電対で監視する。炉にタブレット金持込んだ羨約７ｍ１
ｎで芙月例では温度平衡が支配し、七の際２個の熱電対
の温度指示は温度制御素子の温度と２により少く相違し
ていた。
くるんだタブレットを酸アルミニウムセラミック筐たは
白金箔またはほかの化学的に耐久性の高い融点の材質か
らなる支持体またはボート、ｌたはルツボにのせて迅速
に前もって加熱した炉に装入する。タブレット′ｔ温度
はタブレットの相対する端に配設した２ ｔ１６１の熱
電対で監視する。炉にタブレット金持込んだ羨約７ｍ１
ｎで芙月例では温度平衡が支配し、七の際２個の熱電対
の温度指示は温度制御素子の温度と２により少く相違し
ていた。
先行する融解工程なしでの超電導体の製造の際に鉱王喪
工程での温度は７８０〜８５０ ’Ｃで２ｈ’ｇたは７
００℃で１６ｈ保った。−ｔつして製造した超電導体は
超電導物置の高い含有液を持っていて温！７７にでマグ
ネット上で浮いていた。
工程での温度は７８０〜８５０ ’Ｃで２ｈ’ｇたは７
００℃で１６ｈ保った。−ｔつして製造した超電導体は
超電導物置の高い含有液を持っていて温！７７にでマグ
ネット上で浮いていた。
主要工程の量温度８３０℃および戚じた酸素分圧の際は
おもに化学Ｊｔ＠比Ｔｌ ： Ｂａ ： Ｃａ 二Ｃｕ
が２：２：２：３を有する超電導体が生じた（以下間単
に２２２６相と記す〕。いづれの場合も粉末混付物とア
ルミニウム担体ないしは白金箔間の化学的反応は生じな
かった。
おもに化学Ｊｔ＠比Ｔｌ ： Ｂａ ： Ｃａ 二Ｃｕ
が２：２：２：３を有する超電導体が生じた（以下間単
に２２２６相と記す〕。いづれの場合も粉末混付物とア
ルミニウム担体ないしは白金箔間の化学的反応は生じな
かった。
次にたた主要工程だけで前述の温度処理１゜２および４
なしで適用した４実施例七示す。
なしで適用した４実施例七示す。
例 １
上述の酸化物′ｔ−有する混合物からのタブレットを温
度７１０°Ｃで１４ｈ７％酸漿のガス雰囲気中にざらし
た。該反応生成物は主として不純＠ Ｃａ２ＣｕＯ３ｆ
伴った２２１２相および未知の相金持っていた。臨界温
度は１００Ｋでめった。
度７１０°Ｃで１４ｈ７％酸漿のガス雰囲気中にざらし
た。該反応生成物は主として不純＠ Ｃａ２ＣｕＯ３ｆ
伴った２２１２相および未知の相金持っていた。臨界温
度は１００Ｋでめった。
結晶体の大きさは０．５μｍ〜３μ口でめった。
７７にでは該磁気ヒステリシス１融は約９００℃で分取
したＹＢＣＯ’！ ７’（はタリウム超電導体における
ものとは全く変っていた。該ヒステリシス曲線な顆粒状
のものよジもむしろ典型的な超電導体に相応していた。
したＹＢＣＯ’！ ７’（はタリウム超電導体における
ものとは全く変っていた。該ヒステリシス曲線な顆粒状
のものよジもむしろ典型的な超電導体に相応していた。
このことは超電導体で弱い納会のｌよかに結晶体間の強
い納会の存在を水製する。
い納会の存在を水製する。
該粒界は磁界の浸入に対しｆよかのふつうのものよりも
強く抵抗するからこの領域における臨界電流密度は殆ど
激しくは減少しない。おもに２２１２相を有する物質は
８８０°で合成したのであるが、この挙動を水石なかっ
た。似たような貼果七１００％Ｍ素雰囲気中で合成温度
６９０℃で得られるが、−万酸素分圧２％でほかの、未
知の相が発生したがこれは７７により高温では超電導を
持っていなかった。
強く抵抗するからこの領域における臨界電流密度は殆ど
激しくは減少しない。おもに２２１２相を有する物質は
８８０°で合成したのであるが、この挙動を水石なかっ
た。似たような貼果七１００％Ｍ素雰囲気中で合成温度
６９０℃で得られるが、−万酸素分圧２％でほかの、未
知の相が発生したがこれは７７により高温では超電導を
持っていなかった。
例 ２
混付した酸化物全方するタブレット’ｔ−７８０°Ｃで
２ｈ酸素２％ないし７％ないし２０％ないし１００％の
雰囲気中に保持した。いづれの−４Ｊ会も２２１２お工
び２２２６相の比が２：１で臨界温度１００に全方する
超電導性物質が生じた。
２ｈ酸素２％ないし７％ないし２０％ないし１００％の
雰囲気中に保持した。いづれの−４Ｊ会も２２１２お工
び２２２６相の比が２：１で臨界温度１００に全方する
超電導性物質が生じた。
磁気測定から合成温度７［］［１℃におけるよりも殆ど
強くない結付が存在することがＭ崗された。
強くない結付が存在することがＭ崗された。
例 ６
個々の酸化物の混合物からなるタブレット金８６０℃で
２ｈ酸素２％ないし２０チ全有する雰囲気中で保持した
。酸素２％では２２２３＠が超電導体で支配的で、酸素
２０％でｕ２２２３相に対する２２１２相の比は２：１
で生じた。
２ｈ酸素２％ないし２０チ全有する雰囲気中で保持した
。酸素２％では２２２３＠が超電導体で支配的で、酸素
２０％でｕ２２２３相に対する２２１２相の比は２：１
で生じた。
臨界温度は≦１００にであった。
例 ４
混合された酸化物を有するタブレット七８５０°Ｃで酸
素７％の雰囲気中で２ｈ保持したが、その原生として２
２２６相の物質が生じた。
素７％の雰囲気中で２ｈ保持したが、その原生として２
２２６相の物質が生じた。
純粋な璧素芥囲気中では超電導性物質は生じなかった。
結晶体の平均大きでは５μｍ〜１０μｍでめった。該磁
気ヒステリシスはタリウム富有のＮｉ電導体で結晶体間
の弱い結付を有する良好なＹＢａＣｕ物質のそれと類似
でめった。
気ヒステリシスはタリウム富有のＮｉ電導体で結晶体間
の弱い結付を有する良好なＹＢａＣｕ物質のそれと類似
でめった。
次にすべての４＠度処理による２夷月例金報告する。
例 ５
Ｔｉ２０３． ＢａＯ２，ＣａＯおよびＣｕＯｆ Ｔｊ
： Ｂａ ： Ｃａ：Ｃｕの化学量諭的比で２：２：
２：３で混合し、空気中で８７４°Ｃに２ｈ加熱した（
前会或〕。
： Ｂａ ： Ｃａ：Ｃｕの化学量諭的比で２：２：
２：３で混合し、空気中で８７４°Ｃに２ｈ加熱した（
前会或〕。
結果として生じる物Ｊｌ粉砕し径１３ｍのタブレットに
プレスした。これらのタブレットを内径１３＋Ｉ冨長さ
１００肩冨の白金管に装入し押込んで閉じた。該白金管
全今度は５ ｍｉｎ ９６０℃に予め加熱した炉に装入
しく融解ノ引き続いて室温に冷却した。こうして生じた
バーに密な黒色の物体で、これは容易に白金管から取り
出すことができた。このものは極めて弱い超電導成分全
件った種々の結晶相金言んでいた。
プレスした。これらのタブレットを内径１３＋Ｉ冨長さ
１００肩冨の白金管に装入し押込んで閉じた。該白金管
全今度は５ ｍｉｎ ９６０℃に予め加熱した炉に装入
しく融解ノ引き続いて室温に冷却した。こうして生じた
バーに密な黒色の物体で、これは容易に白金管から取り
出すことができた。このものは極めて弱い超電導成分全
件った種々の結晶相金言んでいた。
１趨厚ないしは高に切断したタブレットを白金箔に包み
、超電導体を得るために８７０℃で６０ｈ保持した（主
要工程）。その後に続いて超電導体の成業貧有Ｊｌ化学
を論的に調整するために包装してない物質上４８０℃で
成業気流で１時間後処理上行った。こりしてできた超電
導体は密度９０チを有し、液体窒素の温度で磁石の上に
浮上した。
、超電導体を得るために８７０℃で６０ｈ保持した（主
要工程）。その後に続いて超電導体の成業貧有Ｊｌ化学
を論的に調整するために包装してない物質上４８０℃で
成業気流で１時間後処理上行った。こりしてできた超電
導体は密度９０チを有し、液体窒素の温度で磁石の上に
浮上した。
出発物質の化学量ｗｉは化合物ＴＪ２Ｂａ２Ｃａ２Ｃｕ
ｓＯ１゜に相応するとしても、明白に融解された物体中
にときどき存在する化合物ＴＪ２Ｂａ２ＣａＣｕ２０Ｂ
がおもに超電導体にあることがわかつ之。その臨界温度
は１１０にで臨界電流密度は１．６ＫＡ／ｃ第２で、す
なわち、通常のタリウム含有の超電導体の際よフ約１０
ｑ６高かった。交流−磁化からたしかに臨界電流密度的
７ＫＡ／ｃ！ｎ２が生ずるが、その際ヒステリシスルー
グは結晶体間の強い結台全有する超電導体のそれに相応
する。
ｓＯ１゜に相応するとしても、明白に融解された物体中
にときどき存在する化合物ＴＪ２Ｂａ２ＣａＣｕ２０Ｂ
がおもに超電導体にあることがわかつ之。その臨界温度
は１１０にで臨界電流密度は１．６ＫＡ／ｃ第２で、す
なわち、通常のタリウム含有の超電導体の際よフ約１０
ｑ６高かった。交流−磁化からたしかに臨界電流密度的
７ＫＡ／ｃ！ｎ２が生ずるが、その際ヒステリシスルー
グは結晶体間の強い結台全有する超電導体のそれに相応
する。
例 ６
例５の化合物に挙げた酸化物粉末を
ＴＩ！２Ｂａ２ＣａＣｕ２０Ｂの化学Ｊｉ調に相応して
混合した。
混合した。
融解には上述の白金管のかわりに酸化アルミニウム管全
使用した。融解温度は１６００℃であった。そのほかは
例５に２ｆｆる工うに行った。
使用した。融解温度は１６００℃であった。そのほかは
例５に２ｆｆる工うに行った。
切断面積１．５ｍ？の試験品は２６Ａの電流上損失なく
輸送したがその後接触における強い熱発生の結果常電導
になった。この試験では臨界電流密度は達成されず、そ
れは＞１−８ＫＡ／ｃｒＩＬ２でめった。
輸送したがその後接触における強い熱発生の結果常電導
になった。この試験では臨界電流密度は達成されず、そ
れは＞１−８ＫＡ／ｃｒＩＬ２でめった。
タリウム含有の超電導体の種族全ここでは作業例として
選んだが、これは７７によりはるかに高い臨界温度全方
する超電導体上提供するからである。熱処理に応じてこ
れらは良好の１之は悪い粒界特性を持つ。すなわち、良
好な粒界（従って高い臨界電流密度）は成る化学的物質
グループの選出の結果でなくて、むしろ正当な操作技術
の結果である。Ａ ＝ ＴＪ ’！たはＢ１またはＰｂ
またはこれら３金属の混合物、Ｂ＝ＢｅｌたはＭｇｌた
はＳｒ ｊたはＢａまたはＲａ ’Ｅ ｆｃ ’ｉｓこ
れらの元素の混合物、ｎ、 ＝ １ ’Ｅたは２、ｎ２
＝１１たは２または６、ｎ３＝２、ｎ４ ＝ ２ ’Ｅ
たは３または４、ｎ５ ＝ ８’Ｊたは９Ｉたは１０Ｊ
たは１１．１ε１１≦１鼻、１１ε２１く１ならば、Ａ
ｎｌＢｎ２− ｔｌｃａｎ３ ＋ｇ １ｃｕｎ４０ｎ５
＋ Ｂ２からなる超電導体全製造するために本発明の方
法は一般に適している。
選んだが、これは７７によりはるかに高い臨界温度全方
する超電導体上提供するからである。熱処理に応じてこ
れらは良好の１之は悪い粒界特性を持つ。すなわち、良
好な粒界（従って高い臨界電流密度）は成る化学的物質
グループの選出の結果でなくて、むしろ正当な操作技術
の結果である。Ａ ＝ ＴＪ ’！たはＢ１またはＰｂ
またはこれら３金属の混合物、Ｂ＝ＢｅｌたはＭｇｌた
はＳｒ ｊたはＢａまたはＲａ ’Ｅ ｆｃ ’ｉｓこ
れらの元素の混合物、ｎ、 ＝ １ ’Ｅたは２、ｎ２
＝１１たは２または６、ｎ３＝２、ｎ４ ＝ ２ ’Ｅ
たは３または４、ｎ５ ＝ ８’Ｊたは９Ｉたは１０Ｊ
たは１１．１ε１１≦１鼻、１１ε２１く１ならば、Ａ
ｎｌＢｎ２− ｔｌｃａｎ３ ＋ｇ １ｃｕｎ４０ｎ５
＋ Ｂ２からなる超電導体全製造するために本発明の方
法は一般に適している。
Claims (8)
- １．ａ）アルカリ土類元素カルシウムおよびバリウムな
らびに銅および少なくとも１種のほかの金属成分の酸素
化合物を含み、その際バリウムは全部または一部ストロ
ンチウムで置き替えることができる物質混合物から、 ｂ）該物質混合物を主要工程で６６０℃〜 ７９０°の範囲内の第１工程温度にさらして、高温超電
導体を製造する方法において、 ｃ）前記物質混合物を主要工程の前に１分〜１時間の範
囲内の第２工程持続時間の間 ｄ）９００℃より高い第２工程温度の融解工程にさらす
ことを特徴とする高温超電導体を製造する方法。 - ２．前記第２工程持続時間が３分〜２０分の範囲内にあ
る請求項１記載の方法。 - ３．ａ）元素カルシウムおよび銅の酸素化合物ならびに
少くとも第３の金属成分を含む物質混合物から、 ｂ）該物質混合物を９００℃より高い第２工程温度にお
ける融解工程におよびその後で ｃ）超電導体合成のための主要工程で６６０℃より高い
第１工程温度にさらす、 ことにより高温超電導体を製造する方法において、 ｄ）第１工程温度が６００〜９００℃の範囲内にあり、 ｅ）第２工程温度が９８０℃〜１３５０℃の範囲内にあ
りかつ ｆ）３分〜２０分の範囲内の第２工程時間を適用するこ
と特徴とする高温超電導体を製 造する方法。 - ４．前記第２工程温度が１０００℃〜１２００°の範囲
内にある請求項２または３記載の方法。 - ５．ａ）物質混合物を主工程前に８２０℃〜８８０℃の
範囲内の第３工程温度で前合成−熱処理し、 ｂ）０．５ｈ〜１０ｈの範囲内の第３工程持続時間の間
さらす請求項１から４までのいずれか１項記載の方法。 - ６．前記第３工程持続時間が０．５ｈ〜２ｈの範囲内に
ある請求項５記載の方法。 - ７．ａ）第１工程時間が１２時間〜１００時間ｂ）特に
１２時間〜４８時間の範囲内にありかつ ｃ）第１工程温度が６８０℃〜８６０℃の範囲内にある
請求項３から６までのいずれか１項記載の方法。 - ８．物質混合物が別の金属成分としてビスマスおよび／
またはタリウムを含み、この際ビスマスおよびタリウム
は一部鉛に替えることができる請求項１から７までのい
ずれか１項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3913397A DE3913397A1 (de) | 1989-04-24 | 1989-04-24 | Verfahren zur herstellung eines hochtemperatur-supraleiters |
| DE3913397.4 | 1989-04-24 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02296767A true JPH02296767A (ja) | 1990-12-07 |
Family
ID=6379305
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2106677A Pending JPH02296767A (ja) | 1989-04-24 | 1990-04-24 | 高温超電導体を製造する方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0394799A1 (ja) |
| JP (1) | JPH02296767A (ja) |
| CA (1) | CA2015168A1 (ja) |
| DE (1) | DE3913397A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04275971A (ja) * | 1991-02-26 | 1992-10-01 | Nec Corp | 酸化物超伝導体の製造方法 |
| JPH05213619A (ja) * | 1991-10-10 | 1993-08-24 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 超伝導体およびその製造方法 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3942715A1 (de) * | 1989-12-22 | 1991-06-27 | Siemens Ag | Verfahren zur beschichtung eines traegers mit hochtemperatur-supraleitendem material |
| DE69006351T2 (de) * | 1990-04-27 | 1994-05-11 | Ind Tech Res Inst | Verfahren zur Herstellung des Y-Ba-Cu-O-Supraleiters in Bulkform mit hoher, kritischer Stromdichte. |
| DE4116094A1 (de) * | 1991-05-17 | 1992-11-19 | Abb Patent Gmbh | Verfahren zur herstellung eines keramischen supraleitermaterials mit feinstverteilten fremdphasen |
| DE4208378A1 (de) * | 1992-03-16 | 1993-09-23 | Asea Brown Boveri | Stromzufuehrung fuer supraleitende apparate |
| DE4234311A1 (de) * | 1992-10-12 | 1994-04-14 | Abb Research Ltd | Verfahren zur Herstellung eines Hochtemperatursupraleiters mit hoher Stromdichte |
| DE4234312A1 (de) * | 1992-10-12 | 1994-04-14 | Abb Research Ltd | Verfahren zur Herstellung eines resistiven Strombegrenzers oder Schaltelementes auf der Basis eines Supraleiters |
| DE4244973C2 (de) * | 1992-10-28 | 1999-07-08 | Daimler Chrysler Ag | Schichtanordnung aus einem Hochtemperatur-Supraleiter, Verfahren zu ihrer Herstellung und Verwendung der Anordnung |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0310453B2 (en) * | 1987-10-02 | 1997-01-02 | Fujikura Ltd. | Method of producing an oxide superconductor without a sheath and an oxide superconductor produced by the method |
| DE3830092A1 (de) * | 1988-09-03 | 1990-03-15 | Hoechst Ag | Verfahren zur herstellung eines hochtemperatursupraleiters sowie daraus bestehende formkoerper |
-
1989
- 1989-04-24 DE DE3913397A patent/DE3913397A1/de not_active Ceased
-
1990
- 1990-04-14 EP EP90107191A patent/EP0394799A1/de not_active Withdrawn
- 1990-04-23 CA CA002015168A patent/CA2015168A1/en not_active Abandoned
- 1990-04-24 JP JP2106677A patent/JPH02296767A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04275971A (ja) * | 1991-02-26 | 1992-10-01 | Nec Corp | 酸化物超伝導体の製造方法 |
| JPH05213619A (ja) * | 1991-10-10 | 1993-08-24 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 超伝導体およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3913397A1 (de) | 1989-10-19 |
| EP0394799A1 (de) | 1990-10-31 |
| CA2015168A1 (en) | 1990-10-24 |
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