DE69006351T2 - Verfahren zur Herstellung des Y-Ba-Cu-O-Supraleiters in Bulkform mit hoher, kritischer Stromdichte. - Google Patents
Verfahren zur Herstellung des Y-Ba-Cu-O-Supraleiters in Bulkform mit hoher, kritischer Stromdichte.Info
- Publication number
- DE69006351T2 DE69006351T2 DE90108127T DE69006351T DE69006351T2 DE 69006351 T2 DE69006351 T2 DE 69006351T2 DE 90108127 T DE90108127 T DE 90108127T DE 69006351 T DE69006351 T DE 69006351T DE 69006351 T2 DE69006351 T2 DE 69006351T2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- temperature
- hours
- compact
- sample
- current density
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 title claims description 27
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 title description 5
- 229910009203 Y-Ba-Cu-O Inorganic materials 0.000 title description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 18
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 101100321817 Human parvovirus B19 (strain HV) 7.5K gene Proteins 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 241000238366 Cephalopoda Species 0.000 description 2
- 235000010627 Phaseolus vulgaris Nutrition 0.000 description 2
- 244000046052 Phaseolus vulgaris Species 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 238000010583 slow cooling Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/45—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on copper oxide or solid solutions thereof with other oxides
- C04B35/4504—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on copper oxide or solid solutions thereof with other oxides containing rare earth oxides
- C04B35/4508—Type 1-2-3
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/653—Processes involving a melting step
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
- Y10S505/725—Process of making or treating high tc, above 30 k, superconducting shaped material, article, or device
- Y10S505/742—Annealing
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
- Y10S505/775—High tc, above 30 k, superconducting material
- Y10S505/776—Containing transition metal oxide with rare earth or alkaline earth
- Y10S505/779—Other rare earth, i.e. Sc,Y,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Lu and alkaline earth, i.e. Ca,Sr,Ba,Ra
- Y10S505/78—Yttrium and barium-, e.g. YBa2Cu307
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Description
- Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Herstellungsverfahren eines YBa&sub2;Cu&sub3;Ox-Supraleiters, wobei x = 7 - δ ist, der einen hohen kritischen Transportstrom (Ic) und eine hohe kritische Stromdichte (Jc) hat, der durch ein modifiziertes schmelzstrukturiertes Züchtungsverfahren erhalten wird. Bei der vorliegenden Erfindung besitze der gebildete YBa&sub2;Cu&sub3;Ox-Supraleiter einen hohen Transport-Ic und eine hohe Jc.
- Die Entdeckung von supraleitenden Oxiden mit hoher kritischer Temperatur, die eine Anzahl von Materialien einschließen, die oberhalb der Temperatur von flüssigem Stickstoff supraleitend sind, hat ein beträchtliches Interesse und beträchtliche Aktivitäten hervorgerufen. Ene Einschränkung für die Anwendungen dieser Materialien besteht in der geringen kritischen Stromdichte Jc, die in kompakten bzw. voluminösen polykristallinen Proben gemessen wird. In der herkömmlichen Literatur wird über verschiedene Fertigungsverfahren berichtet, um diese Transport-Jc zu erhöhen. Verfahren der Magnetfeldausrichtung, der schmelzstruktiirierten Züchtung und der flüssigen Phase können die Werte der Jc signifikant verbessern. Gegenwärtig werden weitere Fertigungsverfahren für die Herstellung von YBa&sub2;Cu&sub3;Ox-Supraleitern und Produkten davon vorgeschlagen. Damit diese Supraleiter praktisch vorteilhaft sind, sollte jedoch die kritische Transportstromdichte bei der Temperatur von flüssigem Stickstoff (77K) größer als 10.000 A/cm² sein. Diese durch allgemeine Verfahren erhaltenen YBa&sub2;Cu&sub3;Ox-Supraleiter besitzen eine kritische Transportstromdichte bei 77K von 150 bis 600 A/cm². Diese Werte liegen jedoch ziemlich weit unterhalb eines anwendbaren Bereichs. Die kritische Transportstromdichte eines Einkristalls kann größer als 10&sup4; A/cm² sein, die Größe dieses Produktes ist jedoch gering, es kann in der Praxis nicht angewendet werden. Die kritische Transportstromdichte von epitaktisch gezüchteten dünnen Filmen kann größer als 10&sup6; A/cm² sein, dieser Film ist jedoch dünn, und der kritische Strom (Ic) kann nur einen Höchstwert von etwa 3 bis 5 Ampere (A) erreichen. Außerdem muß dieser dünne Film auf einem teuren Einkristallsubstrat aufgetragen werden. Folglich ist die Anwendung des nach einem herkömmlichen Verfahren erhaltenen Produktes nicht gerade bequem. In diesem Zusammenhang wird auf "High Critical Currents in Y-Ba-Cu-O Superconductors", S. Tin et al., Appl. Phys. Lett. 52(24), 13. Juni 1988 und auf High Current Density in Bulk YBa&sub2;Cu&sub3;Ox Superconductor", K. Salama et al., Appl. Phys. Lett. 54(23), 5. Juni 1989 Bezug genommen.
- Folglich besteht die Aufgabe der vorliegenden Erfindung in der Schaffung eines Verfahrens zur Herstellung eines massiven bzw. kompakten bzw. voluminösen YBa&sub2;Cu&sub3;Ox-Supraleiters bzw. eines -Supraleiters in Bulkform (nachfolgend als kompakter YBa&sub2;Cu&sub3;Ox-Supraleiter bezeichnet), wobei dieser Supraleiter einen Vorwärtsgleichstrom von mehr als 120 A tragen kann, dies entspricht einer kritischen Stromdichte Jc bei 77K von über 37300 A/cm². Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht in der Schaffung eines Verfahrens zur Herstellung eines kompakten YBa&sub2;Cu&sub3;Ox-Supraleiters, wobei dieser Supraleiter bei geringer Temperatur einen Sprung des Stromflusses in der a-b-Ebene und der c-Achse der Probe aufweist.
- Diese und weitere Aufgaben, Vorteile und Merkmale der vorliegenden Erfindung werden unter Bezugnahme auf die Beschreibung verständlicher und besser erkennbar.
- Fig. 1 zeigt die feldfrei gekühlte Magnetisierungskurve des Supraleiters ohne die Schritte von 980ºC (48 h) und der langsamen Abkühlung von 980ºC auf 900ºC (5ºC/h);
- Fig. 2 zeigt die feldfrei gekühlte Magnetisierungskurve des Supraleiters ohne die Schritte des Glühens bei 980ºC (48 h), jedoch bei Ofenkühlung von 980ºC auf 900ºC während etwa 2 h;
- Fig. 3 zeigt die Magnetisierungskurve des Supraleiters, der bei der vorliegenden Erfindung erhalten wurde;
- Fig. 4 zeigt das Verhältnis zwischen dem Widerstand und der Temperatur des Supraleiters, der nach dem erfindungsgemäßen Verfahren erhalten wurde;
- Fig. 5 zeigt das Röntgenbeugungsdiagramm der erfindungsgemäßen Supraleiterprobe;
- Fig. 6 zeigt die Hystereseschleife der Magnetisierung des Supraleiters bei 77K;
- Fig. 7 zeigt die kritische Stromdichte Jc bei 77K, die nach dem Bean-Modell berechnet wurde. Die durchschnittliche Korngröße des Supraleiters beträgt etwa 1,5 mm;
- Fig. 8 zeigt das Verhältnis zwischen der Spannung und dem Strom einer Silberplatte, die als Probensubstrat verwendet wurde; und
- Fig. 9 zeigt die Hysterese der Magnetisierung einer YBa&sub2;Cu&sub3;Ox-Probe mit hoher kritischer Transportstromdichte bei (a) 5K, (b) 7,5K, (c) 10K und (d) 20K.
- Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen YBa&sub2;Cu&sub3;Ox- Supraleiter, wobei x = 7 - δ, der eine hohe Transportstromdichte aufweist, der durch ein modifiziertes schmelzstrukturiertes Züchtungsverfahren erhalten wird.
- Bei der vorliegenden Erfindung werden Y&sub2;O&sub3;-, BaO&sub2;- und CuO- Pulver gleichmäßig in einem Verhältnis von Y:Ba:Cu = 1:2:3 vermischt und zu einem dicken Preßling mit 2,54 cm Durchmesser und einer Dicke von 0,5 bis 0,8 cm gepreßt. Dieser dicke Preßling wird 24 h lang bei 940ºC gesintert, erneut gemahlen und gepreßt und danach 48 h lang bei 980ºC geglüht. Die Temperatur der Probe wird innerhalb von 8 h von 980ºC auf 550ºC abgesenkt und etwa 10 bis 20 h lang bei dieser Temperatur gehalten. Danach wird die Temperatur innerhalb von 8 h auf 400ºC gesenkt 10 bis 20 h lang bei 400ºC gehalten und schließlich innerhalb von 6 h auf Raumtemperatur gesenkt. An dieser Stelle ist das Volumen der Probe um etwa 30% des ursprünglichen Volumens verringert. Die Probe wird dann senkrecht in einen ofen eingeführt, der auf 1100ºC vorgewärmt ist, und danach entsprechend den folgenden Temperaturen und der folgenden Zeitdauer geglüht: 10 min lang bei 1100ºC; innerhalb von 20 min von 1100aC auf 1030ºC; innerhalb von 50 h von 1030ºC auf 980ºC; 8 h lang bei 980ºC; innerhalb von 16 bis 30 h von 980ºC auf 900ºC; innerhalb von 6 h von 900ºC auf 550ºC; während 10 bis 20 h bei 550ºC; innerhalb von 8 h von 550ºC auf 400ºC; 10 bis 20 h lang bei 400ºC und anschließend auf Raumtemperatur. Die nach der vorliegenden Erfindung geglühte Probe kann als plattenförmiges massives Material mit 8 bis 10 mm Länge, 5 bis 6 mm Breite und 1 bis 2 mm Dicke hergestellt werden.
- Danach werden auf der oberen Oberfläche der Probe Kontaktstellen eines Silberanstrichs aufgemalt, um vier Kontaktpunkte zu bilden. Die oben genannten vier Kontaktpunkte werden bei den folgenden Sintertemperaturen und während der folgenden Zeitdauer gesintert, der Widerstand dieser Kontaktstellen bei 77K beträgt 1 x 10&supmin;&sup7; Ohm cm².
- Sintertemperatur (ºC) Zeitdauer
- 25 bis 900 3h
- 900 2h
- 900 bis 550 6h
- 550 24 h
- 550 bis 400 8h
- 400 24 h
- 400 bis 25 6h
- An diese vier Kontaktpunkte werden vier Leiter angebracht. Der Widerstand dieser Leiter beträgt etwa 10&supmin;&sup7; Ohm cm. Danach werden Messungen für den kritischen Strom und die kritische Stromdichte geschaffen.
- Das folgende Beispiel erläutert das erfindungsgemäße Herstellungsverfahren ausführlicher. Dieses Beispiel soll den Schutzumfang dieser Erfindung in keiner Weise einschränken und sollte nicht so gedeutet werden.
- Kompakte YBaCuOx-Materialien und fünf Versuchsproben wurden nach dem oben beschriebenen erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt. Es wurde in Verfahren mit vier Anschlüssen unter Verwendung einer Gleichstromquelle mit einer Leistung von 120 A (HP 6031A) und eines Nanometers Keithley 181 angewendet, um die Transport-Jc im Maßstab 1 uV/cm zu bestimmen. TABELLE 1 Probe Fläche (mm²)
- Tabelle 1 ist ein Auflistung des kritischen Stroms (Ic) , der Querschnittsfläche (Fläche) und der kritischen Stromdichte (Jc) der fünf geprüften Proben. Die Proben 1 bis 4 wurden unter Anwendung eine doppelseitigen Klebemittels auf eine Kunststoffplatte geklebt. Es wurde beobachtet, daß alle vier Proben ausbrannten. Die Proben 1 und 3 zerbrachen in zwei Teile und die Probe 2 und 4 schmolz. Das Ausbrennen zwischen den Spannungs- und Stromkontakten erfolgte, wenn der Vorwärtsgleichstrom 70 bis 80 A erreichte. Die Probe 5 wurde durch einen Silberanstrich an eine Silberptatte (9,5 x 7,5 x 0,25 mm) angebracht. Diese Probe konnte 10 min lang einen Vorwärtsgleichstrom von bis zu 120 A tragen, ohne daß bei 77K entlang der Probe innerhalb eines Maßstabs von 1 uV/cm ein Spannungsabfall hervorgerufen wurde. Die entsprechende kritische Stromdichte Jc war größer als 37300 A/cm².
- Das Ausbrennen und der Bruch der Proben kann auf der Wirkung der Kontaktheizung beruhen. Bei hohem Strom, I > 70 A, würde die Kontaktheizung die Temperaturen der Proben und der Probensubstrate erhöhen. Bei den Proben auf Kunststoffbasis kann die Kontaktheizung nicht leicht in den flüssigen Stickstoff diffundieren, und die Probe wird kontinuierlich aufgewärmt, bis sich der Stromfluß bewegt. Danach brannte die Probe plötzlich aus. Silber hat eine viel bessere Wärmeleitfähigkeit als Kunststoff. Folglich konnte die an die Silberplatte angebrachte Probe einen Strom bis zu 120 A tragen, ohne daß die Supraleitfähigkeit beeinträchtigt wurde. Bei den Hysteresemessungen der oben genannten Proben bei der Magnetisierung wurden Sprünge des Stromflusses beobachtet. Diese Magnetisierungssprünge sind denen ähnlich, die in einem YBa&sub2;Cu&sub3;Ox-Einkristall gefunden werden, der nach einem herkömmlichen Verfahren hergestellt wurde. Eine kompakte YBa&sub2;Cu&sub3;Ox-Probe vom Plattentyp mit den Abmessungen 4 x 3,2 x 0,5 mm und einer Masse von 40 mg wurde bei diesem Versuch verwendet. Die Werte wurden durch ein für Quanten bestimmtes Magnetometer SQUID bei einem angelegten Feld (H) zwischen -4,5 und 5,4 Tesla (T) gemessen. Die Hystereseschleife wurde innerhalb von 70 min aufgenommen, wobei eine Datenmessung pro 18 s erfolgte. Bei der vorliegenden Erfindung zeigt Fig. 9 die Hysterese der Magnetisierung einer YBa&sub2;Cu&sub3;Ox-Probe mit hoher kritischer Transportstromdicnte in der a-b-Ebene (H ist senkrecht zur a-b-Ebene) bei (a) 5K, (b) 7,5K, (c) 10K und (d) 20K. Bei 5K wurden Sprünge des Stromflusses entlang der gesamten Hystereseschleife beobachtet (Fig. 9a). Der Abstand dieser Sprünge wird geringer, wenn das angelegte Feld größer wird. Bei 7,5K haben diese Sprünge einen größeren Abstand als bei 5K (Fig. 9b). Bei 10K erscheint nur ein Sprung (Fig. 9c), und bei 2ºK wurde kein Sprung beobachtet (Fig. 9d). Die Amplitude der Magnetisierung scheint sich von 9 bis 10K nicht zu verändern, sie nimmt jedoch bei 20K deutlich um den Faktor 2 ab. Durch Vergleich der Magnetisierungsamplitude der a-b-Ebene der Probe bei 5 und bei 77K wurde eingeschätzt, daß die kritische Stromdichte Jc bei 5K etwa 3 x 106 A/cm² beträgt. Die Sprünge des Stromflusses hängen auch von der Abtastgeschwindigkeit bzw. Ablenkgeschwindigkeit des Feldes ab. Die Anzahl der Sprünge wurde bei 5K von 9 auf 7 verringert, wenn die Meßzeit verdoppelt wurde. Diese Sprünge ließen sich nur schwer beobachten, wenn das angelegte Feld zur c-Achse der Probe senkrecht war. Bei 5K trat bei -1 T ein Sprung auf, wenn das Feld von 5,4 zurück auf -5,4 T durchläuft, und es wurde kein Sprung beobachtet, wenn das Feld von -5,4 auf 5,4 T durchläuft.
- Die Sprünge des Stromflusses können dem Durchbruch- bzw. Lawinenverfahren in der Wirbellinienbewegung zugeschrieben werden. Bei geringen Temperaturen ist bei supraleitenden Materialien das magnetische Ausbreitungsvermögen größer als das Wärmeausbreitungsvermögen. Das heißt mit anderen Worten, wenn das angelegte Feld auf einen bestimmten Wert erhöht wurde, oder die Lorentz-Kraft größer als die Pinningkraft war, bewegten sich die Stromflußlinien plötzlich und riefen Sprünge des Stromflusses hervor. Diese Sprünge hörten auf, wenn der zugehörige Energiefluß durch die Probe selbst oder ihre Umgebungen absorbiert werden kann.
- Die Anwendung von Supraleitern mit hohem Tc hängt stark von ihrer kritischen Stromdichte Jc ab. Um diese Jc zu erhöhen, muß die Rotationskraft in der Probe erhöht werden. Aufgrund der geringen Wärmeleitfähigkeit dieser Materialien stellt jedoch diese Pinningkraft nicht den einzigen Faktor dar, der die Stromdichte beeinflußt. Die Magnet- und Wärmeeigenschaften der Probe und ihrer Umgebung müssen ebenfalls in Betracht gezogen werden.
- Der Grad der Orientierung der Probe wurde aus Röntgenreflexionsspektren bestimmt. Das Reflexionsvermögen entstammt der breiten Seite der Probe, die zur c-Achse in er orientierten Probe senkrecht ist, so daß bei einer exakt orientierten Probe nur die (001)-Reflexionen zur Röntgenreflexion beitragen. Fig. 4 zeigt das Verhältnis zwischen dem Widerstand und der Temperatur des Supraleiters, der nach dem erfindungsgemäßen Verfahren erhalten wurde. Fig. 5 zeigt die Röntgenreflexion bei einer rechtwinkligen Probe mit Abmessungen von etwa 6 x 5 x 1 mm.
- Die Magnetisierungs- und Hysteresewerte wurden mit einem für Quanten bestimmten Magnetometer SQUID gemessen. Die drei untersuchten Glühverfahren führten zu unterschiedlichen Magnetisierungswerten. Fig. 1 zeigt die feldfrei gekühlten (ZFC) Magnetisierungswerte der erfindungsgemäßen Probe ohne die Schritte 980ºC (48 h) und langsame Abkühlung von 980ºC auf 900ºC (5ºC/h). Fig. 2 zeigt die feldfrei gekühlten (ZFC) Magnetisierungswerte für die erfindungsgemäße Probe ohne die Schritte 980ºC (48 h). Fig. 3 zeigt die feldfrei gekühlten (ZFC) Magnetisierungswerte für eine Probe, die allen Verfahrensschritten der vorliegenden Erfindung entspricht. Es zeigt sich, daß Fig. 3 den besten supraleitenden Übergang aufweist.
- Es wurden die anisotropen Eigenschaften der Magnetisierung für ein Feld untersucht, das parallel und senkrecht zur a-b- Ebene der Probe angelegt wurde. Bei Weglassen des geometrischen Faktors ist die Magnetisierung der a-b-Ebene für ZFC isotrop und FC hatte eine anisotrope Eigenschaft, deren Verhältnis 4:3 betrug.
- Fig. 6 zeigt die Hysterese der Magnetisierung zwischen -5,4 T und 5,4 T. Aus dem Bean-Modell wurde die feldabhängige Jc bei 77K bis zu 5 T geschätzt (wie es in Fig. 7 gezeigt ist) Bei "feldfrei" wurde gefunden, daß Jc etwa 40000 A/cm² betrug. Fig. 8 zeigt das Verhältnis zwischen der Spannung und dem Strom bei Verwendung eine Silberplatte als Substrat für die Probe. Durch die vorliegende Erfindung wurde ein bevorzugt orientierter kompakter YBa&sub2;Cu&sub3;Ox-Supraleiter hergestellt. Es wurde eine Vorwärtsgleichstrom tragende Kapazität von mehr als 120 A bei einer kritischen Stromdichte Jc von mehr als 37.300 A/cm² bei 77K erhalten.
- Die vorliegende Erfindung wurde einschließlich ihrer bevorzugten Ausführungsform detailliert beschrieben. Es wird jedoch eingeschätzt daß der Fachmann in Anbetracht dieser Beschreibung Modifikationen und Verbesserungen vornehmen kann, die innerhalb des Schutzumfangs dieser Erfindung liegen.
Claims (2)
1) Herstellungsverfahren für kompakte YBa&sub2;Cu&sub3;Ox-Supraleiter
mit hohem kritischem Transportstrom und hoher kritischer
Stromdichte, wobei x 7 - ist, welches die Schritte umfaßt:
(I) Mischen von Y&sub2;O&sub3;, BaO&sub2; und CuO im Verhältnis
Y:Ba:Cu = 1:2:3, und Pressen der Mischung zu einem Preßling
mit einem Durchmesser von 2,54 cm und einer Dicke von 0,5 bis
0,8 cm;
(II) 24 Stunden langes Glühen des Preßlings bei einer
Temperatur von 940ºC und anschließendes Absenken auf
Raumtemperatur;
(III) Mahlen des Preßlings zu feinem Pulver und anschließendes
Pressen, um einen neuen Preßling zu bilden;
(IV) 48 Stunden langes Glühen des in (III) erhaltenen
Preßlings im Ofen bei einer Temperatur von 980ºC;
(V) Absenken der Temperatur des Preßlings auf 550ºC und 10 bis
20 Stunden langes Halten bei dieser Temperatur, und
anschließendes Absenken der Temperatur innerhalb von 8 h auf
400ºC und 10 bis 20 Stunden langes Halten bei dieser
Temperatur, und Absenken auf Raumtemperatur;
(VI) Einführen dieses Preßlings in einen auf 1100ºC
vorgewärmten Ofen und 10 Minuten langes Halten bei dieser
Temperatur, Absenken der Temperatur von 1100 auf 1030ºC
innerhalb von 20 Minuten, von 1030 auf 980ºC innerhalb von
50 h; und
(VII) acht Stunden langes Halten der Temperatur des Preßlings
von 980ºC, Absenken der Temperatur von 980 auf 900ºC innerhalb
von 16 bis 30 h, Absenken der Temperatur auf 550ºC innerhalb
von 6 h, 10 bis 20 Stunden langes Halten bei 550ºC, Absenken
der Temperatur von 550ºC auf 400ºC innerhalb von 8 h, Halten
der Temperatur von 400ºC während eines Zeitraumes von 10 bis
20 h, und Absenken der Temperatur des Preßlings auf
Raumtemperatur.
2) Herstellungsverfahren für kompakte YBa&sub2;Cu&sub3;Ox-Supraleiter
mit hohem kritischem Transportstrom und hoher kritischer
Stromdichte nach Anspruch 1, worin der Preßling in (IV) 48
Stunden lang in strömendem Sauerstoff in einem Ofen geglüht
wird.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP90108127A EP0453615B1 (de) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | Verfahren zur Herstellung des Y-Ba-Cu-O-Supraleiters in Bulkform mit hoher, kritischer Stromdichte |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE69006351D1 DE69006351D1 (de) | 1994-03-10 |
DE69006351T2 true DE69006351T2 (de) | 1994-05-11 |
Family
ID=8203930
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE90108127T Expired - Fee Related DE69006351T2 (de) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | Verfahren zur Herstellung des Y-Ba-Cu-O-Supraleiters in Bulkform mit hoher, kritischer Stromdichte. |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5077272A (de) |
EP (1) | EP0453615B1 (de) |
DE (1) | DE69006351T2 (de) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5278137A (en) * | 1988-06-06 | 1994-01-11 | Nippon Steel Corporation | YBa2 Cu3 O7-y type oxide superconductive material containing dispersed Y2 BaCuO5 phase and having high critical current density |
US5306697A (en) * | 1989-02-10 | 1994-04-26 | University Of Houston - University Park | Oriented grained Y-Ba-Cu-O superconductors having high critical currents and method for producing same |
US5340794A (en) * | 1989-08-02 | 1994-08-23 | Her Majesty The Queen In Right Of New Zealand | Flux pinning in superconducting cuprates |
US5612545A (en) * | 1991-12-23 | 1997-03-18 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Superconducting quantum interference device formed of oxide superconductor thin film |
USRE37587E1 (en) * | 1990-12-28 | 2002-03-19 | Sumitomo Electric Industries Ltd. | Superconducting quantum interference device formed of oxide superconductor thin film |
KR0166465B1 (ko) * | 1995-11-03 | 1999-01-15 | 한승준 | 배기가스 정화용 촉매의 제조방법 |
US20080146449A1 (en) * | 2006-12-14 | 2008-06-19 | Jerome Lesueur | Electrical device and method of manufacturing same |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR0163568B1 (ko) * | 1988-07-20 | 1998-11-16 | 도모마쯔 겐고 | 비스무트계 산화물 초전도체의 제조방법 |
US4943557A (en) * | 1988-08-15 | 1990-07-24 | At&T Bell Laboratories | Method of making a high density YBa Cu3 Ox superconductor material |
IL91547A0 (en) * | 1988-09-09 | 1990-04-29 | Dow Chemical Co | Novel method for producing ceramic bodies |
US4956336A (en) * | 1989-02-10 | 1990-09-11 | University Of Houston - University Park | Oriented grained Y-Ba-Cu-O superconductors having high critical currents and method for producing same |
DE3913397A1 (de) * | 1989-04-24 | 1989-10-19 | Asea Brown Boveri | Verfahren zur herstellung eines hochtemperatur-supraleiters |
-
1990
- 1990-04-27 DE DE90108127T patent/DE69006351T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-04-27 EP EP90108127A patent/EP0453615B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-04-27 US US07/516,058 patent/US5077272A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0453615A1 (de) | 1991-10-30 |
US5077272A (en) | 1991-12-31 |
EP0453615B1 (de) | 1994-01-26 |
DE69006351D1 (de) | 1994-03-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3855137T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Oxyd-Supraleiters | |
DE69021449T2 (de) | Oxidischer Supraleiter und Methode zu dessen Herstellung. | |
DE69024484T2 (de) | Yttrium-barium-kupfer-sauerstoff-supraleiter mit gerichteten kristalliten und hoher kritischer stromdichte sowie verfahren zur ihrer herstellung | |
DE3852440T2 (de) | Supraleitendes Mischoxidmaterial und Methode zu dessen Herstellung. | |
DE68920234T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines oxidischen Supraleiters. | |
DE68922920T2 (de) | Hochtemperatursupraleitendes Oxyd. | |
DE69114445T2 (de) | Oxidsupraleiter und dessen herstellung. | |
DE69012731T2 (de) | Oxydsupraleiter und verfahren zur herstellung. | |
DE69309819T3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines supraleitenden Materialgemisches, das seltene Erdelemente enthält | |
DE69209856T2 (de) | Supraleitendes Oxidmaterial und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE69006351T2 (de) | Verfahren zur Herstellung des Y-Ba-Cu-O-Supraleiters in Bulkform mit hoher, kritischer Stromdichte. | |
DE69208109T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines metallischen Trägers mit einer supraleitenden Schicht | |
US4973575A (en) | Preferential orientation of metal oxide superconducting materials by mechanical means | |
DE69123555T2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Überzügen aus supraleitendem Oxyd | |
DE69315715T2 (de) | Verfahren zum Verbinden von 123-Supraleitersegmenten zur Formung eines supraleitenden Artikels | |
DE69118670T2 (de) | Auf seltenem Erdmetall basierendes oxidisches Material und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE68914817T2 (de) | Oxydisches supraleitendes Material, dessen Herstellungsprozess und Anwendung. | |
DE3853900T2 (de) | Supraleitendes Material und Verfahren zu seiner Herstellung. | |
DE68927329T2 (de) | Metalloxid-Materialien | |
DE68926070T2 (de) | Herstellung eines oxidischen Supraleiters des Wismutsystems | |
DE69032641T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines oxidischen Supraleiters | |
DE69934052T2 (de) | Oxid-Supraleiter mit hoher kritischer Stromdichte | |
DE3854493T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichtsupraleiters. | |
DE3853965T2 (de) | Supraleitender Verbundwerkstoff. | |
DE69509844T2 (de) | Oxidischer Supraleiter und Verfahren zu seiner Herstellung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |