JPH0238359A - 超電導体の製造方法 - Google Patents
超電導体の製造方法Info
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- 239000002887 superconductor Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 34
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 20
- 229910014454 Ca-Cu Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 abstract description 18
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 abstract description 9
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 7
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 abstract description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 23
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 14
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 13
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 5
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- -1 Li is added. or Chemical class 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000315040 Omura Species 0.000 description 2
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(iii) oxide Chemical compound O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 2
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- 229910000978 Pb alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 150000001339 alkali metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000975 co-precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000010406 interfacial reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000001694 spray drying Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は超電導体の製造方法に関し、より詳しくは臨界
温度の高いＢｉ −Ｓｒ −Ｃａ −Ｃｕ系酸化物超電
導体の製造方法に関する。
温度の高いＢｉ −Ｓｒ −Ｃａ −Ｃｕ系酸化物超電
導体の製造方法に関する。
従来の超電導体は主にＬ−Ｂａ−Ｃｕ系酸化物（ＬはＹ
、Ｓｃ、ランタノイド元素）であり、この代表的な製法
は原料粉末を所定の割合で混合し、 ８００〜９００°
Ｃで熱処理した後、粉砕、成形して８５０〜９５０°Ｃ
で焼成して焼結体とし、この焼結体の臨界温度を高くす
るために空気中あるいは酸素ガス中で室温まで徐冷する
か酸素ガス中で低い温度（３００〜４００℃）で熱処理
していた。しかし、この超電導体はＹ、Ｌａ等が資源的
に乏しいため高価であることと臨界温度が約９０°にと
限界に直面していた。
、Ｓｃ、ランタノイド元素）であり、この代表的な製法
は原料粉末を所定の割合で混合し、 ８００〜９００°
Ｃで熱処理した後、粉砕、成形して８５０〜９５０°Ｃ
で焼成して焼結体とし、この焼結体の臨界温度を高くす
るために空気中あるいは酸素ガス中で室温まで徐冷する
か酸素ガス中で低い温度（３００〜４００℃）で熱処理
していた。しかし、この超電導体はＹ、Ｌａ等が資源的
に乏しいため高価であることと臨界温度が約９０°にと
限界に直面していた。
そこで最近、資源的に入手しゃすいＢｉ−Ｓｒ−Ｃａ−
Ｃｕ系酸化物の超電導体が発見された。この超電導体は
Ｂｉ２Ｏ３，ＳｒＧＯ３、ＣａＯ１ＣｕＯを所定の割合
で計場した後、十分混合して７００〜８００℃で加熱し
た後、粉砕成形して８００〜８８０℃で焼成して焼結し
たものであり臨界温度１１０＠にと８０” Ｋの二つの
超電導相の存在が報告されている。
Ｃｕ系酸化物の超電導体が発見された。この超電導体は
Ｂｉ２Ｏ３，ＳｒＧＯ３、ＣａＯ１ＣｕＯを所定の割合
で計場した後、十分混合して７００〜８００℃で加熱し
た後、粉砕成形して８００〜８８０℃で焼成して焼結し
たものであり臨界温度１１０＠にと８０” Ｋの二つの
超電導相の存在が報告されている。
Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ系酸化物超電導体の構造および
組成解析の結果から臨界温度１００°にの超電導相の化
学組成はＢ Ｉ ２ Ｓ ｒ ２ Ｃａ ２ Ｃｕ ３
０ ｔ ｏ ＋！であり、８０°にの超電導相はＢｉ２
Ｓｒ２ＣａＣｕ２０８＋ｙテあることが判明している。
組成解析の結果から臨界温度１００°にの超電導相の化
学組成はＢ Ｉ ２ Ｓ ｒ ２ Ｃａ ２ Ｃｕ ３
０ ｔ ｏ ＋！であり、８０°にの超電導相はＢｉ２
Ｓｒ２ＣａＣｕ２０８＋ｙテあることが判明している。
これらの超電導相が合成される熱処理温度は大気中で８
０＠に相が７５０℃以上８８０℃以下、 １１０” Ｋ
相は８６０℃から８８０℃の範囲である。特に １１０
°に相は８０′に相からの分解反応で晶出すると云われ
ており、数時間以上の反応時間を必要としている。又こ
の分解反応には過剰のＣｕＯ１（Ｓｒ、 Ｃａ） ０が
必要であると云われており、原料化合物粉の配合比を理
想的な組成比（Ｂｉ ： Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝２：２：
２：３）から、かなり ＣｕＯ１（Ｓｒ、Ｃａ）０過剰
組成へずらした原料配合物を用いて１１０°に相の晶出
を通常行なっている。一方、理想的な組成比に配合した
原料化合物粉を用いた場合は、熱処理により晶出する超
電導相は８０１に相が主体であり、通常の熱処理方法を
用いては１１０°に相はほとんど晶出しない。
０＠に相が７５０℃以上８８０℃以下、 １１０” Ｋ
相は８６０℃から８８０℃の範囲である。特に １１０
°に相は８０′に相からの分解反応で晶出すると云われ
ており、数時間以上の反応時間を必要としている。又こ
の分解反応には過剰のＣｕＯ１（Ｓｒ、 Ｃａ） ０が
必要であると云われており、原料化合物粉の配合比を理
想的な組成比（Ｂｉ ： Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝２：２：
２：３）から、かなり ＣｕＯ１（Ｓｒ、Ｃａ）０過剰
組成へずらした原料配合物を用いて１１０°に相の晶出
を通常行なっている。一方、理想的な組成比に配合した
原料化合物粉を用いた場合は、熱処理により晶出する超
電導相は８０１に相が主体であり、通常の熱処理方法を
用いては１１０°に相はほとんど晶出しない。
ところで過剰のＣｕＯ１（Ｓｒ、 Ｃａ） ０を含む組
成の原料粉を用いて１１０°に相を晶出させる方法では
、理想組成から大幅にずれた組成を用いるために、焼結
体中に含まれる非超電導相の割合が多く、この非超電導
相の存在により超電導特性が悪化する。理想組成からの
ずれが少ない配合比の原料粉では熱処理による非超電導
相の析出割合は低いが、同時に１１０″に相の割合も少
ない、最近ｐｂを添加させることにより、 ＋１０”
Ｋ相の晶出温度を２０℃低下させ晶出時間も短縮可能な
ことが判明したが、この場合も原料の組成は理想組成か
ら大幅にずれた組成となっている。
成の原料粉を用いて１１０°に相を晶出させる方法では
、理想組成から大幅にずれた組成を用いるために、焼結
体中に含まれる非超電導相の割合が多く、この非超電導
相の存在により超電導特性が悪化する。理想組成からの
ずれが少ない配合比の原料粉では熱処理による非超電導
相の析出割合は低いが、同時に１１０″に相の割合も少
ない、最近ｐｂを添加させることにより、 ＋１０”
Ｋ相の晶出温度を２０℃低下させ晶出時間も短縮可能な
ことが判明したが、この場合も原料の組成は理想組成か
ら大幅にずれた組成となっている。
本件発明者は上記の問題を解決すべく鋭意研究した結果
、Ｃｕ、 Ｓｒ、 Ｃａ、 Ｐｂを含む金属、合金ある
いは酸化物よりなる基材上にＢｉ −Ｓｒ −Ｃａ −
Ｃｕ系酸化物を形成し、共に熱処理することにより臨界
温度の高い１１０’ Ｋ相の割合が多く、非超電導相が
晶出しない超電導体が合成できることを発見して本件発
明を完成するに至った。
、Ｃｕ、 Ｓｒ、 Ｃａ、 Ｐｂを含む金属、合金ある
いは酸化物よりなる基材上にＢｉ −Ｓｒ −Ｃａ −
Ｃｕ系酸化物を形成し、共に熱処理することにより臨界
温度の高い１１０’ Ｋ相の割合が多く、非超電導相が
晶出しない超電導体が合成できることを発見して本件発
明を完成するに至った。
すなわち、本件発明は超電導体の１１０°に相の晶出反
応に必要な量のＧｕ、 Ｓｒ、Ｃａ、 Ｐｂの元素ある
いはこれらの酸化物を基材からＢｉ −Ｓｒ −Ｃａ
−Ｃｕ系酸化物に供給することにより、１１０°に相を
容易に晶出させるばかりではなく焼結体中に非超電導相
をほとんど含まない超電導体を製造する方法であり、そ
の要旨とするところは Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ系酸化
物超電導体の製造方法において、Ｃｕ、 Ｃａ、Ｓｒ、
Ｐｂから選ばれた少なくとも１種の元素から構成され
る金属、合金または酸化物の基材上にＢｉ −Ｓｒ−Ｃ
ａ−Ｃｕ系酸化物材料を形成し、熱処理を施すことによ
って超電導性を向上させることを特徴とする超電導体の
製造方法にある。
応に必要な量のＧｕ、 Ｓｒ、Ｃａ、 Ｐｂの元素ある
いはこれらの酸化物を基材からＢｉ −Ｓｒ −Ｃａ
−Ｃｕ系酸化物に供給することにより、１１０°に相を
容易に晶出させるばかりではなく焼結体中に非超電導相
をほとんど含まない超電導体を製造する方法であり、そ
の要旨とするところは Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ系酸化
物超電導体の製造方法において、Ｃｕ、 Ｃａ、Ｓｒ、
Ｐｂから選ばれた少なくとも１種の元素から構成され
る金属、合金または酸化物の基材上にＢｉ −Ｓｒ−Ｃ
ａ−Ｃｕ系酸化物材料を形成し、熱処理を施すことによ
って超電導性を向上させることを特徴とする超電導体の
製造方法にある。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明に素材として用いる酸化物成形体はＢｉ −Ｓｒ
−Ｃａ−Ｃｕ系酸化物であり、これにはに、Ｌｉ等のア
ルカリ金属の化合物が添加されたものも含まれる。又、
この酸化物成形体の製造過程は特に制限されるものでは
なく、例えば１例を挙げると次の通りである。
−Ｃａ−Ｃｕ系酸化物であり、これにはに、Ｌｉ等のア
ルカリ金属の化合物が添加されたものも含まれる。又、
この酸化物成形体の製造過程は特に制限されるものでは
なく、例えば１例を挙げると次の通りである。
原料はＢｉ、 Ｓｒ、 Ｃａ、 Ｃｕの酸化物、水酸化
物、無機酸塩、有機酸塩を用いることができる。それぞ
れの原料は粉末状態で混合したもの、又は共沈法、ゾル
ゲル法、スプレードライ法などで作成して用いる。原料
の混合比は８０６に相および１１０’ Ｋ相の化学組成
であるＢｉ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃ：ｕ＝２ ： ２ ： １
：２あるいは２：２：２：３が好ましいが特定される
ものではない、又、原料の酒石酸などの有機酸を加えて
均一分散性を向上させてもよい、これらの原料を空気、
酸素ガス等の酸素含有雰囲気下７５０〜８８０℃で一定
時間熱処理し、超電導体の結晶構造とする。この場合、
原料混合物を酸素含有雰囲気下で８００℃を上回る温度
で一旦融解させ、さらに７５０〜８８０℃で結晶の晶出
を行ってもよい。原料混合物を７５０〜８８０℃で熱処
理したものはＢｉ −Ｓｒ −Ｃａ−Ｃｕ系の化合酸化
物を構成しており超電導性が付与される。前記８８０℃
を超える温度では材料が溶融してしまい超電導体の結晶
の割合が少なく、 ７５０℃未満では超電導体の結晶構
造が晶出しない。
物、無機酸塩、有機酸塩を用いることができる。それぞ
れの原料は粉末状態で混合したもの、又は共沈法、ゾル
ゲル法、スプレードライ法などで作成して用いる。原料
の混合比は８０６に相および１１０’ Ｋ相の化学組成
であるＢｉ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃ：ｕ＝２ ： ２ ： １
：２あるいは２：２：２：３が好ましいが特定される
ものではない、又、原料の酒石酸などの有機酸を加えて
均一分散性を向上させてもよい、これらの原料を空気、
酸素ガス等の酸素含有雰囲気下７５０〜８８０℃で一定
時間熱処理し、超電導体の結晶構造とする。この場合、
原料混合物を酸素含有雰囲気下で８００℃を上回る温度
で一旦融解させ、さらに７５０〜８８０℃で結晶の晶出
を行ってもよい。原料混合物を７５０〜８８０℃で熱処
理したものはＢｉ −Ｓｒ −Ｃａ−Ｃｕ系の化合酸化
物を構成しており超電導性が付与される。前記８８０℃
を超える温度では材料が溶融してしまい超電導体の結晶
の割合が少なく、 ７５０℃未満では超電導体の結晶構
造が晶出しない。
次にこの焼結体を粉砕、混合、成形する。ただ本発明で
は上記の熱処理において、超電導体の結晶構造が晶出し
ない７００〜７５０℃で熱処理した仮焼粉を用いること
もでき、この場合、仮焼粉は焼結が進行しておらず粉砕
の必要はない。
は上記の熱処理において、超電導体の結晶構造が晶出し
ない７００〜７５０℃で熱処理した仮焼粉を用いること
もでき、この場合、仮焼粉は焼結が進行しておらず粉砕
の必要はない。
成形は荷重成形あるいは押出成形に代表される圧粉成形
が好ましい、成形は後述する基材と共加工する方法でも
よい。通常、圧粉成形体の形態は板状、あるいは線状で
ある。バインダーを含む成形体ではバインダーが飛散す
る温度（通常２００〜３００℃）で１時間程度熱処理し
てバインダーを除去する必要があるが、バインダーを含
まない場合はこの処理は必要ない。
が好ましい、成形は後述する基材と共加工する方法でも
よい。通常、圧粉成形体の形態は板状、あるいは線状で
ある。バインダーを含む成形体ではバインダーが飛散す
る温度（通常２００〜３００℃）で１時間程度熱処理し
てバインダーを除去する必要があるが、バインダーを含
まない場合はこの処理は必要ない。
本発明における基材とはＣｕ、 Ｓｒ、 Ｃａ、 Ｐｂ
の少くとも１種から構成される金属、合金、あるいは酸
化物を指しており板、テープ、ワイヤー、パイプあるい
は圧粉成形体などの形状を持つ、このうち金属、合金の
場合、純銅またはＧｕ−３ｒ−Ｇａ−Ｐｂ合金が最も好
ましい９合金ではＳｒ、 Ｃａの含有量は合計で０〜５
０原子％、ｐｂの含有量は５〜４０原子％が望ましく、
大村上に形成するＢｉ −Ｓｒ −Ｃａ −Ｃｕ系酸化
物の厚さに対応して適した組成比の合金を用いる。基材
が酸化物より成る場合の元素の組成比も合金の場合とほ
ぼ同様である。
の少くとも１種から構成される金属、合金、あるいは酸
化物を指しており板、テープ、ワイヤー、パイプあるい
は圧粉成形体などの形状を持つ、このうち金属、合金の
場合、純銅またはＧｕ−３ｒ−Ｇａ−Ｐｂ合金が最も好
ましい９合金ではＳｒ、 Ｃａの含有量は合計で０〜５
０原子％、ｐｂの含有量は５〜４０原子％が望ましく、
大村上に形成するＢｉ −Ｓｒ −Ｃａ −Ｃｕ系酸化
物の厚さに対応して適した組成比の合金を用いる。基材
が酸化物より成る場合の元素の組成比も合金の場合とほ
ぼ同様である。
基材全体が上述の金属、合金、あるいは酸化物の形態ば
かりでなく、セラミックス又はＡｉ、旧、Ａｇ等の金属
基材上に上述の物質を被膜形成したものであってもよく
、この被膜形成した面に接してＢｉ −Ｓｒ −Ｃａ
−Ｃｕ系酸化物を形成する。
かりでなく、セラミックス又はＡｉ、旧、Ａｇ等の金属
基材上に上述の物質を被膜形成したものであってもよく
、この被膜形成した面に接してＢｉ −Ｓｒ −Ｃａ
−Ｃｕ系酸化物を形成する。
大村上に前記した超電導体組成酸化物を形成する方法は
次に示す方法が好ましい。
次に示す方法が好ましい。
成形した酸化物を基材に圧接する。あるいは基材がフィ
ルム状の場合には成形体を包み込む方式でもよい、また
基材はパイプ状でもよく、この場合、酸化物をパイプ中
に充填する方法を用いる。
ルム状の場合には成形体を包み込む方式でもよい、また
基材はパイプ状でもよく、この場合、酸化物をパイプ中
に充填する方法を用いる。
この方法の他にスクリーン印刷法、スプレーコーティン
グ、溶射法等により超電導体組成酸化物の粉末を用いて
、本発明に於ける大村上に被膜形成したものや、蒸着、
スパッタ法などにより超電導組成の被膜を形成したもの
でもよい。
グ、溶射法等により超電導体組成酸化物の粉末を用いて
、本発明に於ける大村上に被膜形成したものや、蒸着、
スパッタ法などにより超電導組成の被膜を形成したもの
でもよい。
大村上に形成した酸化物は次いで８３０〜９００℃で熱
処理する、Ｋ、Ｌｉ等のアルカリ金属の化合物を添加し
た酸化物成形体では、これらの成分の添加により当該酸
化物の融点を下げるので上記した温度より低い温度に設
定する。熱処理時の雰囲気は酸素を含むガス雰囲気、不
活性ガス雰囲気いずれでも可能であるが、使用するガス
の種類によりＢｉ −Ｓｒ −Ｃａ −Ｃｕ系酸化物材
料の融点が異なるので熱処理温度は材料の融点以下とす
る。ただ基材と材料との反応を促進させるためには融点
近傍の温度が好ましいので、最適値としては酸素中で８
９５°Ｃ１大気中で８８０℃、窒素雰囲気では８４０℃
が好ましい。
処理する、Ｋ、Ｌｉ等のアルカリ金属の化合物を添加し
た酸化物成形体では、これらの成分の添加により当該酸
化物の融点を下げるので上記した温度より低い温度に設
定する。熱処理時の雰囲気は酸素を含むガス雰囲気、不
活性ガス雰囲気いずれでも可能であるが、使用するガス
の種類によりＢｉ −Ｓｒ −Ｃａ −Ｃｕ系酸化物材
料の融点が異なるので熱処理温度は材料の融点以下とす
る。ただ基材と材料との反応を促進させるためには融点
近傍の温度が好ましいので、最適値としては酸素中で８
９５°Ｃ１大気中で８８０℃、窒素雰囲気では８４０℃
が好ましい。
これらの温度での熱処理によりＢｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ
系酸化物材料と基材との反応が進み界面を中心として
１１０°に相和電導体が晶出する。反応時間は酸化物被
膜層の厚みに依存しており、１〜１００時間の範囲であ
る。
系酸化物材料と基材との反応が進み界面を中心として
１１０°に相和電導体が晶出する。反応時間は酸化物被
膜層の厚みに依存しており、１〜１００時間の範囲であ
る。
以下、本発明の実施例を示す。
〔実施例１〕
Ｂｉ（ＮＯ） ・５Ｈ０２Ｓｒ（Ｎｏ ） Ｃａ（
ＮＯ３）、、 φ４Ｈ２０，３３２３２’ ｃｕ （Ｎ０３） ２弓Ｈ２０を元素比でＢｉ ： Ｓ
ｒ： Ｃａ： Ｃｕ＝ ４ ：３＋３：４の割合で秤量
し２００ ｔａ文の純水に混合させる。次いでこの溶液
に酒石酸、エチレングリコールを適量加え、８０℃で３
時間、撹拌混合し、青白色ゲル状物質を得た。
ＮＯ３）、、 φ４Ｈ２０，３３２３２’ ｃｕ （Ｎ０３） ２弓Ｈ２０を元素比でＢｉ ： Ｓ
ｒ： Ｃａ： Ｃｕ＝ ４ ：３＋３：４の割合で秤量
し２００ ｔａ文の純水に混合させる。次いでこの溶液
に酒石酸、エチレングリコールを適量加え、８０℃で３
時間、撹拌混合し、青白色ゲル状物質を得た。
次いで４００℃２時間、８００℃１０時間大気中で熱処
理して得た黒色粉末を粉砕混合し、７ｔｏｎ／ｃｒｎ’
の荷重を加えてｌｏｍ＋＊φ× １■のＢｉ −Ｓｒ
−Ｇａ −Ｃｕ系酸化物成形体を得た。
理して得た黒色粉末を粉砕混合し、７ｔｏｎ／ｃｒｎ’
の荷重を加えてｌｏｍ＋＊φ× １■のＢｉ −Ｓｒ
−Ｇａ −Ｃｕ系酸化物成形体を得た。
一方、Ｃａｂ、 ＳｒＯ１ｐｂｏをｌ：ｌ：０．２の
各元素比で混合し、２５＋＋＋ｍφＸ ５ｍｍの成形体
を作り、この上に上記のＢｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ系酸化
物成形体を置き大気中で８９０℃、３０分間熱処理し、
更に８７５°Ｃ１２時間熱処理した。炉内冷却後、四端
子法で測定した臨界温度Ｔｃは１０７°に、零抵抗温度
は７２°にであった。尚、このものの超電導特性の温度
依存性を第１図（ａ）線に示す。
各元素比で混合し、２５＋＋＋ｍφＸ ５ｍｍの成形体
を作り、この上に上記のＢｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ系酸化
物成形体を置き大気中で８９０℃、３０分間熱処理し、
更に８７５°Ｃ１２時間熱処理した。炉内冷却後、四端
子法で測定した臨界温度Ｔｃは１０７°に、零抵抗温度
は７２°にであった。尚、このものの超電導特性の温度
依存性を第１図（ａ）線に示す。
実施例１で作製したＢｉ −Ｓｒ −Ｃａ −Ｃｕ系酸
化物成形体をアルミナ板にのせ、実施例と同じ温度で熱
処理したところ、臨界温度Ｔｃは８２°Ｋ、零抵抗温度
は７０” Ｋであった。このものの超電導特性の温度依
存性を第１図（ｂ）線に示す。
化物成形体をアルミナ板にのせ、実施例と同じ温度で熱
処理したところ、臨界温度Ｔｃは８２°Ｋ、零抵抗温度
は７０” Ｋであった。このものの超電導特性の温度依
存性を第１図（ｂ）線に示す。
〔実施例２〕
実施例１で作製したＢｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ系酸化物粉
末に２０ 容ｆＡ％のポリビニルアルコールを混ぜペー
スト状とした。次いでＣａ、 Ｓｒを各１０％含むＣｕ
合金製の薄板（厚さ２ｍｍ）にペーストで厚さ０．１ｍ
ｍの被膜を形成した。２００℃で加熱し、バインダーを
除去した後、窒素９５％、酸素５％の雰囲気中で８４５
℃１時間、さらに８４０℃３時間、熱処理した。
末に２０ 容ｆＡ％のポリビニルアルコールを混ぜペー
スト状とした。次いでＣａ、 Ｓｒを各１０％含むＣｕ
合金製の薄板（厚さ２ｍｍ）にペーストで厚さ０．１ｍ
ｍの被膜を形成した。２００℃で加熱し、バインダーを
除去した後、窒素９５％、酸素５％の雰囲気中で８４５
℃１時間、さらに８４０℃３時間、熱処理した。
この処理によりＣｕ合金上に形成された超電導被膜は臨
界温度Ｔｃは１０７°Ｋ、零抵抗温度は７０′″にを示
した。
界温度Ｔｃは１０７°Ｋ、零抵抗温度は７０′″にを示
した。
本発明に係る超電導体の製造方法は、基材との界面反応
を利用して優れた超電導特性を示す８電導体を製造する
ものであり、基材との密着性が優れているために、合金
を基材としたテープ、線材等に特に適している。超電導
体原料は実用化が期待される臨界温度の高い１１０’
Ｋ相の理想組成を用いることが可能となるので１１０°
に相晶出の際、従来の問題とされてきた、非超電導相の
析出がほとんど生じず、超電導特性の向上がはかれる。
を利用して優れた超電導特性を示す８電導体を製造する
ものであり、基材との密着性が優れているために、合金
を基材としたテープ、線材等に特に適している。超電導
体原料は実用化が期待される臨界温度の高い１１０’
Ｋ相の理想組成を用いることが可能となるので１１０°
に相晶出の際、従来の問題とされてきた、非超電導相の
析出がほとんど生じず、超電導特性の向上がはかれる。
本発明の方法により製造される超電導材料は送電用線材
、マグネット線材、磁気シールド材として好適に用いら
れる。
、マグネット線材、磁気シールド材として好適に用いら
れる。
第１図は超電導体の超電導特性を示すグラフであり、図
中（ａ）線は実施例１の（ｂ）線は比較例のそれぞれ温
度依存性を示す。 Ｔｃ・・・・・・臨界温度
中（ａ）線は実施例１の（ｂ）線は比較例のそれぞれ温
度依存性を示す。 Ｔｃ・・・・・・臨界温度
Claims (2)
- １．Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ系酸化物超電導体の製造方
法において、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｐｂから選ばれた少な
くとも１種の元素から構成される金属、合金または酸化
物の基材上にＢｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ系酸化物材料を形
成し、熱処理を施すことによって超電導性を向上させる
ことを特徴とする超電導体の製造方法。 - ２．Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ系酸化物超電導体の製造方
法において、セラミックス或いは金属からなる基材を、
Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｐｂから選ばれた少なくとも１種の
元素から構成される金属、合金、または酸化物の材料に
より被覆し、この基材上にＢｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ系酸
化物材料を形成し、熱処理を施すことにより超電導性を
向上させることを特徴とする超電導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63190190A JPH0238359A (ja) | 1988-07-29 | 1988-07-29 | 超電導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63190190A JPH0238359A (ja) | 1988-07-29 | 1988-07-29 | 超電導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0238359A true JPH0238359A (ja) | 1990-02-07 |
Family
ID=16253950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63190190A Pending JPH0238359A (ja) | 1988-07-29 | 1988-07-29 | 超電導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0238359A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02141426A (ja) * | 1988-11-21 | 1990-05-30 | Hitachi Ltd | 酸化物超伝導体の製法 |
| JPH0340918A (ja) * | 1989-07-10 | 1991-02-21 | Res Dev Corp Of Japan | 超伝導厚膜 |
| US10456043B2 (en) | 2017-01-12 | 2019-10-29 | Align Technology, Inc. | Compact confocal dental scanning apparatus |
-
1988
- 1988-07-29 JP JP63190190A patent/JPH0238359A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02141426A (ja) * | 1988-11-21 | 1990-05-30 | Hitachi Ltd | 酸化物超伝導体の製法 |
| JPH0340918A (ja) * | 1989-07-10 | 1991-02-21 | Res Dev Corp Of Japan | 超伝導厚膜 |
| US10456043B2 (en) | 2017-01-12 | 2019-10-29 | Align Technology, Inc. | Compact confocal dental scanning apparatus |
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