JPH04124032A - 超電導体及びその合成法 - Google Patents
超電導体及びその合成法Info
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- JPH04124032A JPH04124032A JP2244045A JP24404590A JPH04124032A JP H04124032 A JPH04124032 A JP H04124032A JP 2244045 A JP2244045 A JP 2244045A JP 24404590 A JP24404590 A JP 24404590A JP H04124032 A JPH04124032 A JP H04124032A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、新しい超電導体にかかわり、Ｎｂ。
Ｖ、Ｔｊ、Ｔａのうち、単独或は複数の元素と、Ｂ ａ
＋ Ｓ ｒ ｔ Ｃａ、 Ｔ Ｙ を希土類＋ Ｌ
ｊｔ Ｎ ａから選ばれる単独或は複数の元素と、Ｔｌ
，Ｂｉ。
＋ Ｓ ｒ ｔ Ｃａ、 Ｔ Ｙ を希土類＋ Ｌ
ｊｔ Ｎ ａから選ばれる単独或は複数の元素と、Ｔｌ
，Ｂｉ。
Ｐｂ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂから選ばれる単独或は複数の元
素と、酸素を主たる成分として同時に含んでいる超電導
体の改良及び特性改善に関する。
素と、酸素を主たる成分として同時に含んでいる超電導
体の改良及び特性改善に関する。
高い臨界湿度を持つ銅酸化物系のＬａ−Ｂａ−Ｃｕ−０
ペロブスカイト型構造の超電導体が発見された。（例え
ば、特開昭６３−２６０８５３号、特開昭６３−１．９
０７１２号など）その後、臨界温度が９０ＫａのＹ −
Ｂ ａ −Ｃｕ −０（Ｍ、に、Ｖｕ、Ｊ、Ｒ，Ａｓｈ
ｕｒｎ、Ｃｊ。
ペロブスカイト型構造の超電導体が発見された。（例え
ば、特開昭６３−２６０８５３号、特開昭６３−１．９
０７１２号など）その後、臨界温度が９０ＫａのＹ −
Ｂ ａ −Ｃｕ −０（Ｍ、に、Ｖｕ、Ｊ、Ｒ，Ａｓｈ
ｕｒｎ、Ｃｊ。
Ｔｏｒｎｇ、Ｙ、Ｑ、Ｗａｎｄ ａｎｄ Ｃ，Ｖ、Ｃｈ
ｕ ： Ｐｈｙｓ、Ｒｅｖ、Ｌｏｔｔ，５８ （１９８
７）９０８）が発見され、液体窒素を冷媒とする超電導
の応用技術が期待できるようになった。
ｕ ： Ｐｈｙｓ、Ｒｅｖ、Ｌｏｔｔ，５８ （１９８
７）９０８）が発見され、液体窒素を冷媒とする超電導
の応用技術が期待できるようになった。
特により高い臨界温度を持つ材料の開発は、進歩がめざ
まし２く、１９８８年には、Ｂｊ−５ｒ−Ｃａ、 −Ｃ
ｕ −０系の酸化物が臨界温度１１０に級の超電導体と
して発見され（Ｈ，Ｍａｅｄａ、Ｙ、Ｔａｎａｋａ、Ｍ
。
まし２く、１９８８年には、Ｂｊ−５ｒ−Ｃａ、 −Ｃ
ｕ −０系の酸化物が臨界温度１１０に級の超電導体と
して発見され（Ｈ，Ｍａｅｄａ、Ｙ、Ｔａｎａｋａ、Ｍ
。
Ｆｕｋｕｔｏｍｉ ａｎｄ Ｔ、＾５ａｎｏ ： Ｊｐ
ｎ、Ｊｒ、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、 ２７（１９８８）Ｌ
２０９）、さらに臨界温度が１２０に級のＴ Ｑ −Ｂ
ａ −Ｃａ −Ｃｕ −０系酸化物超電導体が発見さ
れた（Ｚ、Ｚ、Ｓｈｅｎｇ ａｎｄ Ａ、Ｍ、Ｈｅｒｍ
ａｎｎ ：Ｎａｔｕｒｅ ３２２ （１９８８）５５）
。
ｎ、Ｊｒ、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、 ２７（１９８８）Ｌ
２０９）、さらに臨界温度が１２０に級のＴ Ｑ −Ｂ
ａ −Ｃａ −Ｃｕ −０系酸化物超電導体が発見さ
れた（Ｚ、Ｚ、Ｓｈｅｎｇ ａｎｄ Ａ、Ｍ、Ｈｅｒｍ
ａｎｎ ：Ｎａｔｕｒｅ ３２２ （１９８８）５５）
。
これらは、いずれも銅酸化物を含むペロブスカイトある
いはその類似の結晶構造をもつもので、その荷電キャリ
アはホールであることが知られている。一方、荷電キャ
リアが電子である系としてＮｄ−Ｃｏ−ＣｕＯ系酸化物
が２０に級の超電導体として発見された（Ｔ、Ｔｏｋｕ
ｒａ、Ｈ，丁ａｋａｇｉ、Ｓ。
いはその類似の結晶構造をもつもので、その荷電キャリ
アはホールであることが知られている。一方、荷電キャ
リアが電子である系としてＮｄ−Ｃｏ−ＣｕＯ系酸化物
が２０に級の超電導体として発見された（Ｔ、Ｔｏｋｕ
ｒａ、Ｈ，丁ａｋａｇｉ、Ｓ。
Ｕｃｈｉｄａ：Ｎａｔｕｒｅ ３３７．３４５−３４７
（１９８９）。
（１９８９）。
これらの−船釣な製造法は、それぞれの構成金属の炭酸
塩もしくは酸化物を粉末状に混合粉砕して、空気中ある
いは酸素中または還元雰囲気で８００〜１１００℃の温
度で５分〜数百時間焼成して得られる。しかしながら、
Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０、Ｂ１−８ｒ−Ｃｕ−０，ＴＲ−Ｂ
ａ−Ｃａ−Ｃｕ−０系に代表される層状あるいは複合層
状ペロブスカイト構造には、層数の異なる複数の超電導
体が存在し、それぞれ異なった臨界温度を持っている。
塩もしくは酸化物を粉末状に混合粉砕して、空気中ある
いは酸素中または還元雰囲気で８００〜１１００℃の温
度で５分〜数百時間焼成して得られる。しかしながら、
Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０、Ｂ１−８ｒ−Ｃｕ−０，ＴＲ−Ｂ
ａ−Ｃａ−Ｃｕ−０系に代表される層状あるいは複合層
状ペロブスカイト構造には、層数の異なる複数の超電導
体が存在し、それぞれ異なった臨界温度を持っている。
それぞれの超電導体において、層数の異なる構造のあい
だの自由エネルギー変化が小さく、合成に際してそれぞ
れを選択的に分別合成するのは非常に困難である。例え
ば、Ｂ ｉ −Ｓ ｒ −Ｃａ−Ｃｕ−０系においては
、Ｂ ｉ ｘｓ ｒｚｃ ｕ、ｘｏｓ（臨界温度７に：
低温相）、ＢｉｚＳｒｚＣａｘＣｕｚＯｇ（臨界温度８
０〜９０に：中温相）。
だの自由エネルギー変化が小さく、合成に際してそれぞ
れを選択的に分別合成するのは非常に困難である。例え
ば、Ｂ ｉ −Ｓ ｒ −Ｃａ−Ｃｕ−０系においては
、Ｂ ｉ ｘｓ ｒｚｃ ｕ、ｘｏｓ（臨界温度７に：
低温相）、ＢｉｚＳｒｚＣａｘＣｕｚＯｇ（臨界温度８
０〜９０に：中温相）。
Ｂｉａｓ ｒｘｃａｚｃｕａｏｘｏ （臨界温度１１０
に：高温相）のそれぞれが超電導体であり、この中で臨
界温度の最も高いＢｉａｓ ｒｚｃａｚｃｕａｏｘ。
に：高温相）のそれぞれが超電導体であり、この中で臨
界温度の最も高いＢｉａｓ ｒｚｃａｚｃｕａｏｘ。
（臨界温度１１０に：高温相）のそれぞれが超電導体で
あり、この中で臨界温度の最も高いＢｉｚｓｒｚｃａｚ
ｃｕ＋ｓ○工０を合成するために原料の原子比を２：２
：２：３に調整しても焼結体は中温相と高温相の混合状
態として合成され、単一相を得ることは困難である。
あり、この中で臨界温度の最も高いＢｉｚｓｒｚｃａｚ
ｃｕ＋ｓ○工０を合成するために原料の原子比を２：２
：２：３に調整しても焼結体は中温相と高温相の混合状
態として合成され、単一相を得ることは困難である。
上記のように、Ｎｂ、Ｖ、Ｔｉ，Ｔａのうちの単独或は
複数の元素と、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｙ。
複数の元素と、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｙ。
希土類、Ｌｉ、Ｎａから選ばれる単独或は複数の元素と
、Ｔｌ，Ｂｉ＋ Ｐｂｔ Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂから選ばれ
る単独或は複数の元素を同時に含んでいる超電導体は非
常に不安定な物質であり、現状のままでは実用材料とし
て用いることはできない。
、Ｔｌ，Ｂｉ＋ Ｐｂｔ Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂから選ばれ
る単独或は複数の元素を同時に含んでいる超電導体は非
常に不安定な物質であり、現状のままでは実用材料とし
て用いることはできない。
本発明の目的は、該超電導体を改良して、大気中での安
定性を確保することに有る。
定性を確保することに有る。
従来の超電導物質に関する問題点については、まだ明確
ではないが、実用化にあたり、解決すべき点は多い０本
発明は、上記した問題点を解決する新しい超電導体にか
かわり、臨界温度が高く。
ではないが、実用化にあたり、解決すべき点は多い０本
発明は、上記した問題点を解決する新しい超電導体にか
かわり、臨界温度が高く。
安定な酸化物超電導体及びそれらを用いた超電導材料、
デバイス、機器を提供することを目的としたものである
。
デバイス、機器を提供することを目的としたものである
。
本発明のもう一つの目的は上記の酸化物超電導体の合成
法を提供することである。
法を提供することである。
上記目的を達成するために発明者らは鋭意研究した結果
、以下に示す組成、製造方法、応用デバイス、装置を発
見するにいたった。即ち化学組成式が一般式 Ａ−Ａ’ −Ｂ−Ｂ’ −Ｃ−〇 但し、 Ａ ：Ｂａ、Ｓｒ，Ｋ，Ｎａ，Ｌａ，、Ｃｅのうちか
ら選ばれた少なくとも一つ Ａ’ ： Ｓｒ、Ｃａ、Ｙ、希土類、Ｌｉのうちから
選ばれた少なくとも一つ Ｂ ：Ｎｂ、ｖ、 Ｔｉ、Ｔａのうちの少なくとも１
つ Ｂ’ ： Ｔｌ，Ｂｉ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｓｂ。
、以下に示す組成、製造方法、応用デバイス、装置を発
見するにいたった。即ち化学組成式が一般式 Ａ−Ａ’ −Ｂ−Ｂ’ −Ｃ−〇 但し、 Ａ ：Ｂａ、Ｓｒ，Ｋ，Ｎａ，Ｌａ，、Ｃｅのうちか
ら選ばれた少なくとも一つ Ａ’ ： Ｓｒ、Ｃａ、Ｙ、希土類、Ｌｉのうちから
選ばれた少なくとも一つ Ｂ ：Ｎｂ、ｖ、 Ｔｉ、Ｔａのうちの少なくとも１
つ Ｂ’ ： Ｔｌ，Ｂｉ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｓｂ。
Ｃｕのうちから選ばれた少なくとも１つＣ： Ｃｒ、Ｍ
ｎ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ、Ｚｎ。
ｎ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ、Ｚｎ。
Ａ ｇ ｔ Ｃｄ ｔ Ｗ ＋ Ｃｐ Ｎ ＋ Ｓ Ｈ
Ｐ ｔ Ｓ １ ｅＧｅ、Ａｓ、Ｓｅのうちの単独或は
複数の元素 ○ ：酸素 であられされる組成物を例えばヘリウム、アルゴン、窒
素、水素などの酸化不活性あるいは還元雰囲気下で焼成
することによって臨界温度が高く、安定なバナジウムを
含む酸化物超電導体を造ることができる。またもう一つ
の方法として、上記し。
Ｐ ｔ Ｓ １ ｅＧｅ、Ａｓ、Ｓｅのうちの単独或は
複数の元素 ○ ：酸素 であられされる組成物を例えばヘリウム、アルゴン、窒
素、水素などの酸化不活性あるいは還元雰囲気下で焼成
することによって臨界温度が高く、安定なバナジウムを
含む酸化物超電導体を造ることができる。またもう一つ
の方法として、上記し。
た組成物をＡ成分とＡ′成分とＢ成分の混合物を予め例
えばヘリウム、アルゴン、窒素、水素などの酸化不活性
あるいは還元雰囲気下で焼成し、次いで該焼成物とＢ′
成分の混合物例えばヘリウム。
えばヘリウム、アルゴン、窒素、水素などの酸化不活性
あるいは還元雰囲気下で焼成し、次いで該焼成物とＢ′
成分の混合物例えばヘリウム。
アルゴン、窒素、水素などの酸化不活性あるいは還元雰
囲気下で焼成することによって臨界温度が高く、安定な
酸化物超電導体を合成することができる。
囲気下で焼成することによって臨界温度が高く、安定な
酸化物超電導体を合成することができる。
また蒸気圧の高いＢ′成分を含む超電導体を合成するに
あたっては、Ａ成分、Ａ′成分とＢ成分の混合物、ある
いはＡ成分とＡ′成分とＢ成分を予め例えばヘリウム、
アルゴン、窒素、水素などの酸化不活性あるいは還元雰
囲気下で焼成したものとＢ′成分を例えばヘリウム、ア
ルゴン、窒素。
あたっては、Ａ成分、Ａ′成分とＢ成分の混合物、ある
いはＡ成分とＡ′成分とＢ成分を予め例えばヘリウム、
アルゴン、窒素、水素などの酸化不活性あるいは還元雰
囲気下で焼成したものとＢ′成分を例えばヘリウム、ア
ルゴン、窒素。
水素などの酸化不活性あるいは還元雰囲気下でＢ′成分
の気相と反応させたり、Ａ成分とＡ′成分とＢ成分の混
合粉末あるいは焼結粉末とＢ′成分の気相を例えばヘリ
ウム、アルゴン、窒素、水素などの酸化不活性あるいは
還元雰囲気下で焼成して造ることができる。
の気相と反応させたり、Ａ成分とＡ′成分とＢ成分の混
合粉末あるいは焼結粉末とＢ′成分の気相を例えばヘリ
ウム、アルゴン、窒素、水素などの酸化不活性あるいは
還元雰囲気下で焼成して造ることができる。
さらに、ヘリウム、アルゴン、窒素、水素などの酸化不
活性あるいは還元雰囲気下で焼成して得られたものを、
大気中に取り出す前に、ＣＯ２ガスで緩酸化することに
よって、大気中での安定性をさらに高めることができる
。
活性あるいは還元雰囲気下で焼成して得られたものを、
大気中に取り出す前に、ＣＯ２ガスで緩酸化することに
よって、大気中での安定性をさらに高めることができる
。
本発明になる組成物の原料は、焼成時に反応して複合酸
化物を与えるものであれば特に限定はなく、化学組成式
が一般式 Ａ−Ａ’ −Ｂ−Ｂ’ −Ｃ−０ 但し。
化物を与えるものであれば特に限定はなく、化学組成式
が一般式 Ａ−Ａ’ −Ｂ−Ｂ’ −Ｃ−０ 但し。
Ａ ＨＢａ、Ｓｒｓ Ｋ、Ｎａ、Ｌａ、Ｃｅのうちか
ら選ばれた少なくとも一つ Ａ’ ： Ｓ ｒｇ Ｃａ、’ｙ、希土類＋Ｌｉのう
ちから選ばれた少なくとも一つ ： Ｎｂｅ Ｖｅ Ｔｉ、Ｔａのうちの少なくとも１つ Ｂ’ ：Ｔｌ，Ｂｉ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｓｂ。
ら選ばれた少なくとも一つ Ａ’ ： Ｓ ｒｇ Ｃａ、’ｙ、希土類＋Ｌｉのう
ちから選ばれた少なくとも一つ ： Ｎｂｅ Ｖｅ Ｔｉ、Ｔａのうちの少なくとも１つ Ｂ’ ：Ｔｌ，Ｂｉ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｓｂ。
Ｃｕのうちから選ばれた少なくとも１つＣ： Ｃｒ ｙ
Ｍ ｎ ｇ Ｃｏ ｐ Ｎ ｉ＋ Ｃｕ ｔ Ｚ ｎ
＋Ａｇ、Ｃｄ＋ Ｗ、Ｃ，Ｎ、Ｓ、Ｐ）Ｓｉ。
Ｍ ｎ ｇ Ｃｏ ｐ Ｎ ｉ＋ Ｃｕ ｔ Ｚ ｎ
＋Ａｇ、Ｃｄ＋ Ｗ、Ｃ，Ｎ、Ｓ、Ｐ）Ｓｉ。
Ｇｅ、Ａｓ、Ｓｅのうちの単独或は複数の元素
Ｏ：酸素
であられされる組成物を構成するＡ、Ａ’ 、Ｂ。
Ｂ’、Ｃ元素の酸化物、硝酸塩、炭酸塩、アンモニウム
塩、ハロゲン化物、有機酸塩、有機金属錯体などを用い
ることができる。中でも酸化物、アンモニウム塩、有機
酸塩などをもちいることは好ましい。原料の混合に関し
ても各成分が均質に分散混合していれば特に限定はなく
、原料物質の固体を直接混合粉砕する方法や、原料の水
溶液あるいは非水溶液から上記組成物の前駆体である不
溶性の混合水酸化物、混合蓚酸塩及び混合錯塩あるいは
これらを複合した形態でつく方法、例えば、共沈法（逐
次沈殿法、緊密共沈法など）、沈殿混線法などが上げら
れる。また、原料物質の二〜三の成分を予め共沈法や沈
殿混線法で調製したあとに残余の成分の溶液を含浸して
合成することもできる。またＡ、Ａ’ 、Ｂ、Ｃの２つ
以上の混合原料を予め高温で溶融し、これを急冷して非
晶質物をつくり、これを焼成することによって合成する
こともできる。上記のような方法で調製された組成物の
焼成は、混合粉末のままあるいはペレットなどの形状に
成形したものを７００℃以上の温度で焼成することによ
って合成することができる。
塩、ハロゲン化物、有機酸塩、有機金属錯体などを用い
ることができる。中でも酸化物、アンモニウム塩、有機
酸塩などをもちいることは好ましい。原料の混合に関し
ても各成分が均質に分散混合していれば特に限定はなく
、原料物質の固体を直接混合粉砕する方法や、原料の水
溶液あるいは非水溶液から上記組成物の前駆体である不
溶性の混合水酸化物、混合蓚酸塩及び混合錯塩あるいは
これらを複合した形態でつく方法、例えば、共沈法（逐
次沈殿法、緊密共沈法など）、沈殿混線法などが上げら
れる。また、原料物質の二〜三の成分を予め共沈法や沈
殿混線法で調製したあとに残余の成分の溶液を含浸して
合成することもできる。またＡ、Ａ’ 、Ｂ、Ｃの２つ
以上の混合原料を予め高温で溶融し、これを急冷して非
晶質物をつくり、これを焼成することによって合成する
こともできる。上記のような方法で調製された組成物の
焼成は、混合粉末のままあるいはペレットなどの形状に
成形したものを７００℃以上の温度で焼成することによ
って合成することができる。
この時の雰囲気は、Ｎｂの平均原子価が＋３〜＋５価の
低原子価を与えることが、■の平均原子価が＋３〜＋４
価の低原子価を与えることが、Ｔｉの平均原子価が＋３
〜＋４価の低原子価を与えることが、Ｔａの平均原子価
が＋４〜＋５価の低原子価を与えることが必要で酸化不
活性あるいは還元性雰囲気が好ましい。例えばアルゴン
、ヘリウム、窒素などの不活性雰囲気あるいは水素、−
酸化炭素などの還元性ガスまたはこれらの混合ガス雰囲
気が好ましい。またこのような焼成法で合成するときは
焼成体を再度粉砕して焼成する工程を複数回繰り返すこ
とは、均質で体積率の高い、特性の優れた超電導体を合
成するためには有効な方法である。
低原子価を与えることが、■の平均原子価が＋３〜＋４
価の低原子価を与えることが、Ｔｉの平均原子価が＋３
〜＋４価の低原子価を与えることが、Ｔａの平均原子価
が＋４〜＋５価の低原子価を与えることが必要で酸化不
活性あるいは還元性雰囲気が好ましい。例えばアルゴン
、ヘリウム、窒素などの不活性雰囲気あるいは水素、−
酸化炭素などの還元性ガスまたはこれらの混合ガス雰囲
気が好ましい。またこのような焼成法で合成するときは
焼成体を再度粉砕して焼成する工程を複数回繰り返すこ
とは、均質で体積率の高い、特性の優れた超電導体を合
成するためには有効な方法である。
合成反応は、上記したような通常の粉末あるいはペレッ
トなどを焼成して得る他に、蒸着法、スパッタ法、ＣＶ
Ｄ法や溶射法などで組成物を直接膜状に形成する方法な
ども好ましい方法である。
トなどを焼成して得る他に、蒸着法、スパッタ法、ＣＶ
Ｄ法や溶射法などで組成物を直接膜状に形成する方法な
ども好ましい方法である。
この時、膜をつくる基板を加熱する方法や還元性ガスを
活性化したものを膜に供給しながら形成することは、良
質の薄膜を形成する上で好ましい方法である。薄膜を形
成するさいに、蒸気圧の高いＢ′成分を含む超電導膜で
は、成膜した後にこの膜をＢ′成分の蒸気雰囲気でアニ
ールする方法やＡ成分、Ａ′成分、Ｂ成分 Ｂ ／成分
、Ｃ成分をその結晶構造、組成に合わせて交互に積層す
る方法は有効である。またこの交互積層方法は特定の結
晶構造の超電導体を選択的に合成する方法としても有効
な方法である。
活性化したものを膜に供給しながら形成することは、良
質の薄膜を形成する上で好ましい方法である。薄膜を形
成するさいに、蒸気圧の高いＢ′成分を含む超電導膜で
は、成膜した後にこの膜をＢ′成分の蒸気雰囲気でアニ
ールする方法やＡ成分、Ａ′成分、Ｂ成分 Ｂ ／成分
、Ｃ成分をその結晶構造、組成に合わせて交互に積層す
る方法は有効である。またこの交互積層方法は特定の結
晶構造の超電導体を選択的に合成する方法としても有効
な方法である。
得られた酸化物超電導体を線材化する方法には、塑性加
工法のように、超電導体あるいは粉末混合原料を金属パ
イプに充填して、これを延伸加工して、細線化する方法
、基板上に溶射法、ＣＶＤ法。
工法のように、超電導体あるいは粉末混合原料を金属パ
イプに充填して、これを延伸加工して、細線化する方法
、基板上に溶射法、ＣＶＤ法。
スパッタ法、蒸着法などで成膜して、テープ状線材とす
る方法や超電導体あるいはその原料を融液化してこれを
芯材に塗布する方法、溶湯急冷法。
る方法や超電導体あるいはその原料を融液化してこれを
芯材に塗布する方法、溶湯急冷法。
超電導体あるいはその原料粉末をバインダーとともにス
ラリーあるいはペースト化してテープキャスティング法
、印刷法で線状に加工する方法がとられる。以下に塑性
加工法で線材化する場合を例にとって詳細に説明する。
ラリーあるいはペースト化してテープキャスティング法
、印刷法で線状に加工する方法がとられる。以下に塑性
加工法で線材化する場合を例にとって詳細に説明する。
予め、前に述べた方法で合成された超電導材料をライカ
イ機あるいはボールミルで平均粒径が数ミクロンから十
数ミクロン程度に粉砕する。この粉末を４〜１０＋ｍ径
の金属パイプ（例えば、金。
イ機あるいはボールミルで平均粒径が数ミクロンから十
数ミクロン程度に粉砕する。この粉末を４〜１０＋ｍ径
の金属パイプ（例えば、金。
銀、金−パラジウム、銀−パラジウム、銅−ニッケル、
銅−アルミニウムなど）に充填して、これをスェージャ
−で延伸し１ｍｍ以下の線状に加工する。これをこのま
ま用いるかあるいはさらにロール、プレスなどで圧延し
てテープ状にしたものを７００℃以上の温度で焼結する
ことによって超電導線材を製造することができる。
銅−アルミニウムなど）に充填して、これをスェージャ
−で延伸し１ｍｍ以下の線状に加工する。これをこのま
ま用いるかあるいはさらにロール、プレスなどで圧延し
てテープ状にしたものを７００℃以上の温度で焼結する
ことによって超電導線材を製造することができる。
この焼結によって超電導粉末は結合することになるので
、線材をコイル状に加工したり、配線加工などの目的に
適応する場合には、その形状に加工した後に焼結するこ
とが好ましい。この時シース線材中で異方性超電導体の
配向性を高める目的で、予め板状結晶粒を合成し、これ
に剪断力与えながら加工する方法やシース中に充填され
た超電導体あるいは原料を溶融して一方向凝固する方法
は有効である。
、線材をコイル状に加工したり、配線加工などの目的に
適応する場合には、その形状に加工した後に焼結するこ
とが好ましい。この時シース線材中で異方性超電導体の
配向性を高める目的で、予め板状結晶粒を合成し、これ
に剪断力与えながら加工する方法やシース中に充填され
た超電導体あるいは原料を溶融して一方向凝固する方法
は有効である。
実施例１゜
Ｓ ｒｏ、ＶｘＯｓ、ＣｕＯ粉末をモル比でに〇、５
： ０．１になるように混合し、メノウ乳鉢で約１時間
粉砕し、混合する。これをアルミナ製のるつぼに入れて
、９８０℃で１０時間、空気中で焼成する。これを再度
粉砕し、９８０℃で１０時間、空気中で焼成する。これ
を４％Ｈｚ＋９６％Ａｒの混合ガス気流中で、１０５０
℃で５時間焼成する。これを再度粉砕し、これにＴＱｚ
ＯδをＳｒ：ＴＱの原子比が、１ ： ０．２ になる
ように混合し、直径２０■の円盤状に成形する。これを
４％Ｈ２＋９６％Ｈｅ の混合ガス気流中で、８４０
℃で５時間焼成する。得られた焼結体の電気抵抗の温度
変化を、直流４端子法で測定した。試料の温度が低下す
るにつれて抵抗値はゆっくりと減少して行くが、１４０
に付近で不連続な大きな抵抗のドロップが観測された。
： ０．１になるように混合し、メノウ乳鉢で約１時間
粉砕し、混合する。これをアルミナ製のるつぼに入れて
、９８０℃で１０時間、空気中で焼成する。これを再度
粉砕し、９８０℃で１０時間、空気中で焼成する。これ
を４％Ｈｚ＋９６％Ａｒの混合ガス気流中で、１０５０
℃で５時間焼成する。これを再度粉砕し、これにＴＱｚ
ＯδをＳｒ：ＴＱの原子比が、１ ： ０．２ になる
ように混合し、直径２０■の円盤状に成形する。これを
４％Ｈ２＋９６％Ｈｅ の混合ガス気流中で、８４０
℃で５時間焼成する。得られた焼結体の電気抵抗の温度
変化を、直流４端子法で測定した。試料の温度が低下す
るにつれて抵抗値はゆっくりと減少して行くが、１４０
に付近で不連続な大きな抵抗のドロップが観測された。
交流帯磁率法によってマイスナー効果を調べたところ、
試料中の体積率にして約２０％程度の部分が超電導状態
であることが確認できた。７日間大気中、室温に放置し
た後にもういちど交流帯磁率法によってマイスナー効果
を調べたところ、試料中の体積率にして約２０％程度の
部分が超電導状態であった。
試料中の体積率にして約２０％程度の部分が超電導状態
であることが確認できた。７日間大気中、室温に放置し
た後にもういちど交流帯磁率法によってマイスナー効果
を調べたところ、試料中の体積率にして約２０％程度の
部分が超電導状態であった。
実施例２゜
Ｓ ｒ Ｏ、ＶｚＯａ（７）粉末をモル比で１：０．５
になるように混合し、メノウ乳鉢で約１時間粉砕し
、混合する。これをアルミナ製のるつぼに入れて、９８
０℃で１０時間、空気中で焼成する。これを再度粉砕し
、９８０℃で１０時間、空気中で焼成する。これを４％
Ｈ，＋９６％Ａｒ の混合ガス気流中で、１０５０’Ｃ
で５時間焼成する。これを再度粉砕し、これにＴＱ２０
ａをＳｒ：ＴＱの原子比が、１ ： ０．２ になる
ように混合し、直径２０Ｉの円盤状に成形する。これを
４％Ｈ２＋９６％Ｈｅの混合ガス気流中で、８４０℃で
５時間焼成する。
になるように混合し、メノウ乳鉢で約１時間粉砕し
、混合する。これをアルミナ製のるつぼに入れて、９８
０℃で１０時間、空気中で焼成する。これを再度粉砕し
、９８０℃で１０時間、空気中で焼成する。これを４％
Ｈ，＋９６％Ａｒ の混合ガス気流中で、１０５０’Ｃ
で５時間焼成する。これを再度粉砕し、これにＴＱ２０
ａをＳｒ：ＴＱの原子比が、１ ： ０．２ になる
ように混合し、直径２０Ｉの円盤状に成形する。これを
４％Ｈ２＋９６％Ｈｅの混合ガス気流中で、８４０℃で
５時間焼成する。
得られた焼結体の電気抵抗の温度変化を、直流４端子法
で測定した。試料の温度が低下するにつれて抵抗値はゆ
っくりと減少して行くが、１４０に付近で不連続な大き
な抵抗のドロップが観測された。交流帯磁率法によって
マイスナー効果を調べたところ、試料中の体積率にして
約２０％程度の部分が超電導状態であることが確認でき
た。
で測定した。試料の温度が低下するにつれて抵抗値はゆ
っくりと減少して行くが、１４０に付近で不連続な大き
な抵抗のドロップが観測された。交流帯磁率法によって
マイスナー効果を調べたところ、試料中の体積率にして
約２０％程度の部分が超電導状態であることが確認でき
た。
７日間大気中、室温に放置した後にもういちど交流帯磁
率法によってマイスナー効果を調べたところ、試料中の
体積率にして約５％程度の部分が超電導状態であった。
率法によってマイスナー効果を調べたところ、試料中の
体積率にして約５％程度の部分が超電導状態であった。
実施例３゜
Ｓ ｒｏ、ＶｚＯａｔ ＡｇｘＯの粉末をモル比で２：
０．４５：０．１になるように混合し、メノウ乳鉢で約
１時間粉砕し、混合する。これをアルミナ製のるつぼに
入れて、９８０℃で１０時間、空気中で焼成する。これ
を再度粉砕し、９８０℃で１０時間、空気中で焼成する
。これを４％Ｈ２＋９６％Ａｒの混合ガス気流中で、１
０５０℃で５時間焼成する。これを再度粉砕し、これに
Ｔ（Ａｘｏ８をＳｒ：ＴＱの原子比が、２ ： ０．２
になるように混合し、直径２０■の円盤状に成形す
る。これを４％Ｈｚ＋９６％Ａｒ の混合ガス気流中
で、８４０℃で５時間焼成する。得られた焼結体の電気
抵抗の温度変化を、直流４端子法で測定した。試料の温
度が低下するにつれて抵抗値はゆっくりと減少して行く
が、７５に付近で不連続な大きな抵抗のドロップが観測
された。交流帯磁率法によってマイスナー効果を調べた
ところ、試料中の体積率にして約１５％程度の部分が超
電導状態であることが確認できた。７日間大気中、室温
に放置した後にもうぃちど交流帯磁率法によってマイス
ナー効果を調べたところ、試料中の体積率にして約１４
％程度の部分が超電導状態であった。
０．４５：０．１になるように混合し、メノウ乳鉢で約
１時間粉砕し、混合する。これをアルミナ製のるつぼに
入れて、９８０℃で１０時間、空気中で焼成する。これ
を再度粉砕し、９８０℃で１０時間、空気中で焼成する
。これを４％Ｈ２＋９６％Ａｒの混合ガス気流中で、１
０５０℃で５時間焼成する。これを再度粉砕し、これに
Ｔ（Ａｘｏ８をＳｒ：ＴＱの原子比が、２ ： ０．２
になるように混合し、直径２０■の円盤状に成形す
る。これを４％Ｈｚ＋９６％Ａｒ の混合ガス気流中
で、８４０℃で５時間焼成する。得られた焼結体の電気
抵抗の温度変化を、直流４端子法で測定した。試料の温
度が低下するにつれて抵抗値はゆっくりと減少して行く
が、７５に付近で不連続な大きな抵抗のドロップが観測
された。交流帯磁率法によってマイスナー効果を調べた
ところ、試料中の体積率にして約１５％程度の部分が超
電導状態であることが確認できた。７日間大気中、室温
に放置した後にもうぃちど交流帯磁率法によってマイス
ナー効果を調べたところ、試料中の体積率にして約１４
％程度の部分が超電導状態であった。
実施例４゜
ＳｒＯ，ＶｚＯｇ、の粉末をモル比で２ ： ０．５に
なるように混合し、メノウ乳鉢で約１時間粉砕し、混合
する。これをアルミナ製のるつぼに入れて、９８０℃で
１０時間、空気中で焼成する。これを再度粉砕し、９８
０℃で１０時間、空気中で焼成する。これを４％Ｈｚ＋
９６％Ａｒ の混合ガス気流中で＋ １０５０℃で５
時間焼成する。これを再度粉砕し、これにＴＱｚＯ＋ｓ
をＳｒ：ＴＱの原子比が、２ ： ０．２ になるよ
うに混合し、直径２０■の円盤状に成形する。これを４
％Ｈ２＋９６％Ａｒの混合ガス気流中で、８４０℃で５
時間焼成する。得られた焼結体の電気抵抗の温度変化を
、直流４端子法で測定した。試料の温度が低下するにつ
れて抵抗値はゆっくりと減少して行くが、７５に付近で
不連続な大きな抵抗のドロップが観測された。交流帯磁
率法によってマイスナー効果を調べたところ、試料中の
体積率にして約１５％程度の部分が超電導状態であるこ
とが確認できた。７日間大気中、室温に放置した後にも
ういちど交流帯磁率法によってマイスナー効果を調べた
ところ、試料中の体積率にして約２％程度の部分が超電
導状態であった。
なるように混合し、メノウ乳鉢で約１時間粉砕し、混合
する。これをアルミナ製のるつぼに入れて、９８０℃で
１０時間、空気中で焼成する。これを再度粉砕し、９８
０℃で１０時間、空気中で焼成する。これを４％Ｈｚ＋
９６％Ａｒ の混合ガス気流中で＋ １０５０℃で５
時間焼成する。これを再度粉砕し、これにＴＱｚＯ＋ｓ
をＳｒ：ＴＱの原子比が、２ ： ０．２ になるよ
うに混合し、直径２０■の円盤状に成形する。これを４
％Ｈ２＋９６％Ａｒの混合ガス気流中で、８４０℃で５
時間焼成する。得られた焼結体の電気抵抗の温度変化を
、直流４端子法で測定した。試料の温度が低下するにつ
れて抵抗値はゆっくりと減少して行くが、７５に付近で
不連続な大きな抵抗のドロップが観測された。交流帯磁
率法によってマイスナー効果を調べたところ、試料中の
体積率にして約１５％程度の部分が超電導状態であるこ
とが確認できた。７日間大気中、室温に放置した後にも
ういちど交流帯磁率法によってマイスナー効果を調べた
ところ、試料中の体積率にして約２％程度の部分が超電
導状態であった。
実施例５゜
ＳｒＯ，Ｖｚ○３．ＣｏＯの粉末をモル比で３＝０．９
： ０．２になるように混合し、メノウ乳鉢で約１時
間粉砕し、混合する。これをアルミナ製のるつぼに入れ
て、９８０℃で１０時間、空気中で焼成する。これを再
度粉砕し、９８０℃で１０時間、空気中で焼成する。こ
れを４％Ｈ２＋９６％Ａ、 ｒの混合ガス気流中で、１
０５０℃で５時間焼成する。これを再度粉砕し、これに
ＴＱｚｏｇをＳｒ：ＴＱの原子比が、３ ： ０．２
になるように混合し、直径２０ｍの円盤状に成形する
。これを４％Ｈｚ＋９６％Ａｒ の混合ガス気流中で、
８４０℃で５時間焼成する。得られた焼結体の電気抵抗
の温度変化を、直流４端子法で測定した。試料の温度が
低下するにつれて抵抗値はゆっくりと減少して行くが、
５０に付近で不連続な大きな抵抗のドロップが観測され
た。交流帯磁率法によってマイスナー効果を調べたとこ
ろ、試料中の体積率にして約１５％程度の部分が超電導
状態であることが確認できた。
： ０．２になるように混合し、メノウ乳鉢で約１時
間粉砕し、混合する。これをアルミナ製のるつぼに入れ
て、９８０℃で１０時間、空気中で焼成する。これを再
度粉砕し、９８０℃で１０時間、空気中で焼成する。こ
れを４％Ｈ２＋９６％Ａ、 ｒの混合ガス気流中で、１
０５０℃で５時間焼成する。これを再度粉砕し、これに
ＴＱｚｏｇをＳｒ：ＴＱの原子比が、３ ： ０．２
になるように混合し、直径２０ｍの円盤状に成形する
。これを４％Ｈｚ＋９６％Ａｒ の混合ガス気流中で、
８４０℃で５時間焼成する。得られた焼結体の電気抵抗
の温度変化を、直流４端子法で測定した。試料の温度が
低下するにつれて抵抗値はゆっくりと減少して行くが、
５０に付近で不連続な大きな抵抗のドロップが観測され
た。交流帯磁率法によってマイスナー効果を調べたとこ
ろ、試料中の体積率にして約１５％程度の部分が超電導
状態であることが確認できた。
実施例６゜
Ｓ ｒ Ｏ、Ｖ２Ｏ３、の粉末をモル比で４ ：１．５
になるように混合し、メノウ乳鉢出約１時間粉砕し、混
合する。これをアルミナ製のるつぼに入れて、９８０”
Ｃで１０時間、空気中で焼成する。これを再度粉砕し、
９８０”Ｃで１０時間、空気中で焼成する。これを４％
Ｈ２＋９６％Ａｒ の混合ガス気流中で、１０５０℃で
５時間焼成する。これを再度粉砕し、これにＴＱｚＯＩ
ＩをＳｒ：ＴＱの原子比が、４ ： ０．２ になる
ように混合し、直径２０閣の円盤状に成形する。これを
４％Ｈｚ ＋９６％Ａｒの混合ガス気流中で、８４０℃
で５時間焼成する。得られた焼結体の電気抵抗の温度変
化を、直流４端子法で測定した。試料の温度が低下する
につれて抵抗値はゆっくりと減少して行くが、３０に付
近で不連続な大きな抵抗のドロップが観測された。交流
帯磁率法によってマイスナー効果を調べたところ、試料
中の体積率にして約１５％程度の部分が超電導状態であ
ることが確認できた。大気中に室温状態で７日間放置し
た後、再度交流帯磁率法によってマイスナー効果を調べ
たが、超電導体積率に変化はなかった。
になるように混合し、メノウ乳鉢出約１時間粉砕し、混
合する。これをアルミナ製のるつぼに入れて、９８０”
Ｃで１０時間、空気中で焼成する。これを再度粉砕し、
９８０”Ｃで１０時間、空気中で焼成する。これを４％
Ｈ２＋９６％Ａｒ の混合ガス気流中で、１０５０℃で
５時間焼成する。これを再度粉砕し、これにＴＱｚＯＩ
ＩをＳｒ：ＴＱの原子比が、４ ： ０．２ になる
ように混合し、直径２０閣の円盤状に成形する。これを
４％Ｈｚ ＋９６％Ａｒの混合ガス気流中で、８４０℃
で５時間焼成する。得られた焼結体の電気抵抗の温度変
化を、直流４端子法で測定した。試料の温度が低下する
につれて抵抗値はゆっくりと減少して行くが、３０に付
近で不連続な大きな抵抗のドロップが観測された。交流
帯磁率法によってマイスナー効果を調べたところ、試料
中の体積率にして約１５％程度の部分が超電導状態であ
ることが確認できた。大気中に室温状態で７日間放置し
た後、再度交流帯磁率法によってマイスナー効果を調べ
たが、超電導体積率に変化はなかった。
実施例７゜
Ｂｉｚｏａ、Ｓｒｏ、ＶｚＯａ、ＮｉＯの粉末をモル比
で０．５ ： ２ ： ０．５ ： ０．１ なるよ
うに混合し、メノウ乳鉢で約１時間粉砕し、混合する。
で０．５ ： ２ ： ０．５ ： ０．１ なるよ
うに混合し、メノウ乳鉢で約１時間粉砕し、混合する。
これをアルミナ製のるつぼに入れて、９８０℃で１０時
間、空気中で焼成する。これを再度粉砕し、９８０℃で
１０時間、空気中で焼成する。これを４％Ｈｚ＋９６％
Ａｒ の混合ガス気流中で、１０５０℃で５時間焼成す
る。これを再度粉砕し、直径２０■の円盤状に成形する
。これを４％Ｈｚ ＋９６％Ａｒの混合ガス気流中で、
８４０℃で５時間焼成する。得られた焼結体の電気抵抗
の温度変化を、直流４端子法で測定した。試料の温度が
低下するにつれて抵抗値はゆっくりと減少して行くが、
３０に付近で不連続な大きな抵抗のドロップが観測され
た。交流帯磁率法によってマイスナー効果を調べたとこ
ろ、試料中の体積率にして約５％程度の部分が超電導状
態であることが確認できた。大気中に室温状態で７日間
放置した後、再度交流帯磁率法によってマイスナー効果
を調べたが、超電導体積率に変化はなかった。
間、空気中で焼成する。これを再度粉砕し、９８０℃で
１０時間、空気中で焼成する。これを４％Ｈｚ＋９６％
Ａｒ の混合ガス気流中で、１０５０℃で５時間焼成す
る。これを再度粉砕し、直径２０■の円盤状に成形する
。これを４％Ｈｚ ＋９６％Ａｒの混合ガス気流中で、
８４０℃で５時間焼成する。得られた焼結体の電気抵抗
の温度変化を、直流４端子法で測定した。試料の温度が
低下するにつれて抵抗値はゆっくりと減少して行くが、
３０に付近で不連続な大きな抵抗のドロップが観測され
た。交流帯磁率法によってマイスナー効果を調べたとこ
ろ、試料中の体積率にして約５％程度の部分が超電導状
態であることが確認できた。大気中に室温状態で７日間
放置した後、再度交流帯磁率法によってマイスナー効果
を調べたが、超電導体積率に変化はなかった。
実施例８゜
ＢｉｚＯａ、ＳｒＯ，Ｃａｂ、ＶｚＯａ、ＺｎＯの粉末
をモル比で０．５ ： ２ ： １ ： １ ： ０．
１なるように混合し、メノウ乳鉢で約１時間粉砕し、混
合する。これをアルミナ製のるつぼに入れて、９８０℃
で１０時間、空気中で焼成する。これを再度粉砕し、９
８０’Ｃで１０時間、空気中で焼成する。
をモル比で０．５ ： ２ ： １ ： １ ： ０．
１なるように混合し、メノウ乳鉢で約１時間粉砕し、混
合する。これをアルミナ製のるつぼに入れて、９８０℃
で１０時間、空気中で焼成する。これを再度粉砕し、９
８０’Ｃで１０時間、空気中で焼成する。
これを４％Ｈｚ＋９６％Ａｒの混合ガス気流中で、１０
５０℃で５時間焼成する。これを再度粉砕し。
５０℃で５時間焼成する。これを再度粉砕し。
直径２０■の円盤状に成形する。これを４％Ｈ２＋９６
％Ａｒの混合ガス気流中で、８４０℃で５時間焼成する
。得られた焼結体の電気抵抗の温度変化を、直流４端子
法で測定した。試料の温度が低下するにつれて抵抗値は
ゆっくりと減少して行くが、３０に付近で不連続な大き
な抵抗のドロップが観測された。交流帯磁率法によって
マイスナー効果を調べたところ、試料中の体積率にして
約３％程度の部分が超電導状態であることが確認できた
。大気中に室温状態で７日間放置した後、再度交流帯磁
率法によってマイスナー効果を調べたが、超電導体積率
に変化はなかった。
％Ａｒの混合ガス気流中で、８４０℃で５時間焼成する
。得られた焼結体の電気抵抗の温度変化を、直流４端子
法で測定した。試料の温度が低下するにつれて抵抗値は
ゆっくりと減少して行くが、３０に付近で不連続な大き
な抵抗のドロップが観測された。交流帯磁率法によって
マイスナー効果を調べたところ、試料中の体積率にして
約３％程度の部分が超電導状態であることが確認できた
。大気中に室温状態で７日間放置した後、再度交流帯磁
率法によってマイスナー効果を調べたが、超電導体積率
に変化はなかった。
実施例９゜
Ｂ １ｚｏｓ、Ｓ ｒｏ、Ｃａｂ、ＶｚＯａ、Ａｇ２Ｏ
の粉末をモル比で０．５ ： ２ ： ２ ：１．５
： ０．１なるように混合し、メノウ乳鉢で約１時間粉
砕し。
の粉末をモル比で０．５ ： ２ ： ２ ：１．５
： ０．１なるように混合し、メノウ乳鉢で約１時間粉
砕し。
混合する。これをアルミナ製のるつぼに入れて、９８０
℃で１０時間、空気中で焼成する。これを再度粉砕し、
９８０℃で１０時間、空気中で焼成する。これを４％Ｈ
ｚ＋９６％Ａｒ の混合ガス気流中で、１．０５０’Ｃ
で５時間焼成する。これを再度粉砕し、直径２ｏ■の円
盤状に成形する。これを４％Ｈｚ＋９６％Ａｒ の混合
ガス気流中で、８４０℃で５時間焼成する。得られた焼
結体の電気抵抗の温度変化を、直流４端子法で測定した
。
℃で１０時間、空気中で焼成する。これを再度粉砕し、
９８０℃で１０時間、空気中で焼成する。これを４％Ｈ
ｚ＋９６％Ａｒ の混合ガス気流中で、１．０５０’Ｃ
で５時間焼成する。これを再度粉砕し、直径２ｏ■の円
盤状に成形する。これを４％Ｈｚ＋９６％Ａｒ の混合
ガス気流中で、８４０℃で５時間焼成する。得られた焼
結体の電気抵抗の温度変化を、直流４端子法で測定した
。
試料の温度が低下するにつれて抵抗値はゆっくりと減少
して行くが、１５に付近で不連続な大きな抵抗のドロッ
プが観測された。交流帯磁率法によってマイスナー効果
を調へたところ、試料中の体積率にして約６０％程度の
部分が超電導状態であることが確認できた。大気中に室
温状態で７日間放置した後、再度交流帯磁率法によって
マイスナー効果を調へたが、超電導体積率に変化はなか
った。
して行くが、１５に付近で不連続な大きな抵抗のドロッ
プが観測された。交流帯磁率法によってマイスナー効果
を調へたところ、試料中の体積率にして約６０％程度の
部分が超電導状態であることが確認できた。大気中に室
温状態で７日間放置した後、再度交流帯磁率法によって
マイスナー効果を調へたが、超電導体積率に変化はなか
った。
実施例１０゜
Ｂｉ２０ｘ、Ｓｒ○、Ｖａｎｓ、Ｓ ｉ○２の粉末をモ
ル比で１ ： ２ ： ０．５ ： ０．１なるように
混合し、メノウ乳鉢で約１時間粉砕し、混合する。これ
をアルミナ製のるつぼに入れて、９８０”Ｃで１０時間
、空気中で焼成する。これを再度粉砕し、９８０℃で１
０時間、空気中で焼成する。これを４％Ｈ２＋９６％Ａ
ｒ の混合ガス気流中で、１０５０℃で５時間焼成する
。これを再度粉砕し、直径２０■の円盤状に成形する。
ル比で１ ： ２ ： ０．５ ： ０．１なるように
混合し、メノウ乳鉢で約１時間粉砕し、混合する。これ
をアルミナ製のるつぼに入れて、９８０”Ｃで１０時間
、空気中で焼成する。これを再度粉砕し、９８０℃で１
０時間、空気中で焼成する。これを４％Ｈ２＋９６％Ａ
ｒ の混合ガス気流中で、１０５０℃で５時間焼成する
。これを再度粉砕し、直径２０■の円盤状に成形する。
これを４％Ｈ２＋９６％Ａｒの混合ガス気流中で、８４
０℃で５時間焼成する。得られた焼結体の電気抵抗の温
度変化を、直流４端子法で測定した。試料の温度が低下
するにつれて抵抗値はゆっくりと減少して行くが、３０
に付近で不連続な大きな抵抗のドロップが観測された。
０℃で５時間焼成する。得られた焼結体の電気抵抗の温
度変化を、直流４端子法で測定した。試料の温度が低下
するにつれて抵抗値はゆっくりと減少して行くが、３０
に付近で不連続な大きな抵抗のドロップが観測された。
交流帯磁率法によってマイスナー効果を調べたところ、
試料中の体積率にして約５％程度の部分が超電導状態で
あることが確認できた。大気中に室温状態で７日間放置
した後、再度交流帯磁率法によってマイスナー効果を調
べたが、超電導体積率に変化はなかった。
試料中の体積率にして約５％程度の部分が超電導状態で
あることが確認できた。大気中に室温状態で７日間放置
した後、再度交流帯磁率法によってマイスナー効果を調
べたが、超電導体積率に変化はなかった。
実施例１１゜
ＢｉｚＯａ、Ｓｒ○、Ｃａｂ、ＶｚＯａ、ＣｄＯの粉末
をモル比で１：２：１：１：０．０５ になるように混
合し、メノウ乳鉢で約１時間粉砕し、混合する。これを
アルミナ製のるつぼに入れて。
をモル比で１：２：１：１：０．０５ になるように混
合し、メノウ乳鉢で約１時間粉砕し、混合する。これを
アルミナ製のるつぼに入れて。
９８０℃で１０時間、空気中で焼成する。これを再度粉
砕し、９８０℃で１０時間、空気中で焼成する。これを
４％Ｈｚ＋９６％Ａｒ の混合ガス気流中で、１０５０
℃で５時間焼成する。これを再度粉砕し、直径２０ｍの
円盤状に成形する。これを４％Ｈｚ＋９６％Ａｒ の混
合ガス気流中で、８４０℃で５時間焼成する。得られた
焼結体の電気抵抗の温度変化を、直流４端子法で測定し
た。
砕し、９８０℃で１０時間、空気中で焼成する。これを
４％Ｈｚ＋９６％Ａｒ の混合ガス気流中で、１０５０
℃で５時間焼成する。これを再度粉砕し、直径２０ｍの
円盤状に成形する。これを４％Ｈｚ＋９６％Ａｒ の混
合ガス気流中で、８４０℃で５時間焼成する。得られた
焼結体の電気抵抗の温度変化を、直流４端子法で測定し
た。
試料の温度が低下するにつれて抵抗値はゆっくりと減少
して行くが、３０に付近で不連続な大きな抵抗のドロッ
プが観測された。交流帯磁率法によってマイスナー効果
を調べたところ、試料中の体積率にして約３％程度の部
分が超電導状態であることが確認できた。大気中に室温
状態で７日間放置した後、再度交流帯磁率法によってマ
イスナー効果を調べたが、超電導体積率に変化はなかっ
た。
して行くが、３０に付近で不連続な大きな抵抗のドロッ
プが観測された。交流帯磁率法によってマイスナー効果
を調べたところ、試料中の体積率にして約３％程度の部
分が超電導状態であることが確認できた。大気中に室温
状態で７日間放置した後、再度交流帯磁率法によってマ
イスナー効果を調べたが、超電導体積率に変化はなかっ
た。
実施例１−２゜
Ｂ １ｚｏｓ、Ｓ ｒＯ，Ｃａ Ｏ，ＶｚＯｘ＋ Ｗ２
Ｏ５の粉末をモル比で１ ： ２ ： ２ ：１．５
： ０，１になるように混合し、メノウ乳鉢出約１時間
粉砕し、混合する。これをアルミナ製のるつぼに入れて
、９８０℃で１０時間、空気中で焼成する。これを再度
粉砕し、９８０℃で１０時間、空気中で焼成する。これ
を４％Ｈｚ＋９６％Ａｒ の混合ガス気流中で、１０
５０℃で５時間焼成する。これを再度粉砕し、直径２０
閾の円盤状に成形する。これを４％Ｈ２＋９６％Ａｒ
の混合ガス気流中で、８４０℃で５時間焼成する。得
られた焼結体の電気抵抗の温度変化を、直流４端子法で
測定した。
Ｏ５の粉末をモル比で１ ： ２ ： ２ ：１．５
： ０，１になるように混合し、メノウ乳鉢出約１時間
粉砕し、混合する。これをアルミナ製のるつぼに入れて
、９８０℃で１０時間、空気中で焼成する。これを再度
粉砕し、９８０℃で１０時間、空気中で焼成する。これ
を４％Ｈｚ＋９６％Ａｒ の混合ガス気流中で、１０
５０℃で５時間焼成する。これを再度粉砕し、直径２０
閾の円盤状に成形する。これを４％Ｈ２＋９６％Ａｒ
の混合ガス気流中で、８４０℃で５時間焼成する。得
られた焼結体の電気抵抗の温度変化を、直流４端子法で
測定した。
試料の温度が低下するにつれて抵抗値はゆっくりと減少
して行くが、１５に付近で不連続な大きな抵抗のドロッ
プが観測された。交流帯磁率法によってマイスナー効果
を調べたところ、試料中の体積率にして約６０％程度の
部分が超電導状態であることが確認できた。大気中に室
温状態で７日間放置した後、再度交流帯磁率法によって
マイスナー効果を調べたが、超電導体積率に変化はなか
った。
して行くが、１５に付近で不連続な大きな抵抗のドロッ
プが観測された。交流帯磁率法によってマイスナー効果
を調べたところ、試料中の体積率にして約６０％程度の
部分が超電導状態であることが確認できた。大気中に室
温状態で７日間放置した後、再度交流帯磁率法によって
マイスナー効果を調べたが、超電導体積率に変化はなか
った。
実施例１３゜
Ｂｉ２０ａ、ＳｒＯ，Ｃａｂ、Ｖ２Ｏ３，Ｍｎ０ｚの粉
末をモル比で１ ： ２ ： ２ ：１．５ ： ０．
１になるように混合し、メノウ乳鉢で約１時間粉砕し、
混合する。これをアルミナ製のるつぼに入れて、９８０
℃で１０時間、空気中で焼成する。これを再度粉砕し、
９８０℃で１０時間１．空気中で焼成する。これを４％
Ｈ２＋９６％Ａｒ の混合ガス気流中で、１０５０℃で
５時間焼成する。これを再度粉砕し、直径２０ｍの円盤
状に成形する。これを４％Ｈｚ＋９６％Ａｒ の混合
ガス気流中で、８４０℃で５時間焼成する。得られた焼
結体の電気抵抗の温度変化を、直流４端子法で測定した
。
末をモル比で１ ： ２ ： ２ ：１．５ ： ０．
１になるように混合し、メノウ乳鉢で約１時間粉砕し、
混合する。これをアルミナ製のるつぼに入れて、９８０
℃で１０時間、空気中で焼成する。これを再度粉砕し、
９８０℃で１０時間１．空気中で焼成する。これを４％
Ｈ２＋９６％Ａｒ の混合ガス気流中で、１０５０℃で
５時間焼成する。これを再度粉砕し、直径２０ｍの円盤
状に成形する。これを４％Ｈｚ＋９６％Ａｒ の混合
ガス気流中で、８４０℃で５時間焼成する。得られた焼
結体の電気抵抗の温度変化を、直流４端子法で測定した
。
試料の温度が低下するにつれて抵抗値はゆっくりと減少
して行くが、１５に付近で不連続な大きな抵抗のドロッ
プが観測された。交流帯磁率法によってマイスナー効果
を調べたところ、試料中の体積率にして約６０％程度の
部分が超電導状態であることが確認できた。大気中に室
温状態で７日間放置した後、再度交流帯磁率法によって
マイスナー効果を調べたが、超電導体積率に変化はなか
った。
して行くが、１５に付近で不連続な大きな抵抗のドロッ
プが観測された。交流帯磁率法によってマイスナー効果
を調べたところ、試料中の体積率にして約６０％程度の
部分が超電導状態であることが確認できた。大気中に室
温状態で７日間放置した後、再度交流帯磁率法によって
マイスナー効果を調べたが、超電導体積率に変化はなか
った。
実施例１４゜
元素群Ａ、Ａ’ 、Ｂ、Ｂ’及びＣの酸化物粉末の所定
量を秤量し、まずＢ′元素の酸化物を除いた他のすべて
をメノウ乳鉢で粉砕、混合し大気中で９００℃で１０時
間保持する。これを粉砕し、４％Ｈ２＋９６％Ａｒ の
混合ガス気流中で、１０５０℃で５時間焼成する。これ
を再度粉砕し、これに各元素の比率が所定の値となるよ
うにＢ′元素の酸化物を加えて、十分に粉砕、混合する
。この粉末を直径２Ｃ）＋ｎの円盤上にプレス成型し、
４％Ｈ２＋９６％Ａｒ の混合ガス気流中で、８００℃
から９００℃で５時間焼成した。得られた焼結体の電気
抵抗の温度変化を、直流４端子法で測定した試料の温度
をゆっくりと下げながら電圧端子に発生する電圧をモニ
ターし、電圧が急激に減少する温度を、試料が超電導転
移を始めた温度であると考え、その温度をここでは臨界
温度Ｔｃとした。
量を秤量し、まずＢ′元素の酸化物を除いた他のすべて
をメノウ乳鉢で粉砕、混合し大気中で９００℃で１０時
間保持する。これを粉砕し、４％Ｈ２＋９６％Ａｒ の
混合ガス気流中で、１０５０℃で５時間焼成する。これ
を再度粉砕し、これに各元素の比率が所定の値となるよ
うにＢ′元素の酸化物を加えて、十分に粉砕、混合する
。この粉末を直径２Ｃ）＋ｎの円盤上にプレス成型し、
４％Ｈ２＋９６％Ａｒ の混合ガス気流中で、８００℃
から９００℃で５時間焼成した。得られた焼結体の電気
抵抗の温度変化を、直流４端子法で測定した試料の温度
をゆっくりと下げながら電圧端子に発生する電圧をモニ
ターし、電圧が急激に減少する温度を、試料が超電導転
移を始めた温度であると考え、その温度をここでは臨界
温度Ｔｃとした。
また大気中、室温状態に７日間放置した後、再度臨界温
度Ｔｃを測定した。次の表に組成式％式％ せる試料についてのＴｃ値の測定結果をまとめて示す。
度Ｔｃを測定した。次の表に組成式％式％ せる試料についてのＴｃ値の測定結果をまとめて示す。
実施例１５゜
元素群Ａ、Ａ’ 、Ｂ、Ｂ’およびＣの酸化物粉末の所
定量を秤量し、まずＢ′元素の酸化物を除いた他のすべ
てをメノウ乳鉢で粉砕、混合し大気中で９００℃で１０
時間保持する。これを粉砕し５４％Ｈｚ＋９６％Ａｒ
の混合ガス気流中で、 １０５０℃で５時間焼成する
。これを再度粉砕し、これに各元素の比率が所定の値と
なるようにＢ′元素の酸化物を加えて、十分に粉砕、混
合する。この粉末を直径２０■の円盤上にプレス成型し
、４％Ｈｚ＋９６％Ａｒ の混合ガス気流中で、８４０
℃で５時間焼成した。得られた焼結体の電気抵抗の温度
変化を、直流４端子法で測定した試料の温度をゆっくり
と下げながら電圧端子に発生する電圧をモニターし、電
圧が急激に減少する温度を、試料が超電導転移を始めた
温度であると考え、その温度をここでは臨界温度Ｔｃと
しておく。また大気中、室温状態に７日間放置した後、
再度臨界温度Ｔｃを測定した。次の表に組成式 ％式％ せる試料についてのＴｃ値の測定結果をまとめて示す。
定量を秤量し、まずＢ′元素の酸化物を除いた他のすべ
てをメノウ乳鉢で粉砕、混合し大気中で９００℃で１０
時間保持する。これを粉砕し５４％Ｈｚ＋９６％Ａｒ
の混合ガス気流中で、 １０５０℃で５時間焼成する
。これを再度粉砕し、これに各元素の比率が所定の値と
なるようにＢ′元素の酸化物を加えて、十分に粉砕、混
合する。この粉末を直径２０■の円盤上にプレス成型し
、４％Ｈｚ＋９６％Ａｒ の混合ガス気流中で、８４０
℃で５時間焼成した。得られた焼結体の電気抵抗の温度
変化を、直流４端子法で測定した試料の温度をゆっくり
と下げながら電圧端子に発生する電圧をモニターし、電
圧が急激に減少する温度を、試料が超電導転移を始めた
温度であると考え、その温度をここでは臨界温度Ｔｃと
しておく。また大気中、室温状態に７日間放置した後、
再度臨界温度Ｔｃを測定した。次の表に組成式 ％式％ せる試料についてのＴｃ値の測定結果をまとめて示す。
実施例１６゜
元素群Ａ、Ａ’ 、Ｂ、Ｂ’及びＣの酸化物粉末の所定
量を秤量し、まずＢ′元素の酸化物を除いた他のすべて
をメノウ乳鉢で粉砕、混合し大気中で９００℃で１０時
間保持する。これを粉砕し、４％Ｈｚ＋９６％Ａｒ
の混合ガス気流中で、 １．０５０℃で５時間焼成する
。これを再度粉砕し、これに各元素の比率が所定の値と
なるようにＢ′元素の酸化物を加えて、十分に粉砕、混
合する。この粉末を直径２０■の円盤上にプレス成型し
、４％Ｈｚ＋９６％Ａｒ の混合ガス気流中で、８００
℃から９００℃で５時間焼成した。得られた焼結体の電
気抵抗の温度変化を、直流４端子法で測定した試料の温
度をゆっくりと下げながら電圧端子に発生する電圧をモ
ニターし、電圧が急激にに減少する温度を、試料が超電
導転移を始めた温度であると考え、その温度をここでは
臨界温度Ｔｃとしておく。また大気中、室温状態に７日
間放置した後、再度臨界温度Ｔｃを測定した。次の表に
組成式（Ａｏ、ａ−ｘＡ’ ｘ）ｘ（Ｂｘ−ｙＢ’ ｙ
）ｚｃｏ、ｚ○７＋２で表わせる試料についてのＴｃ値
の測定結果をまとめで示す。
量を秤量し、まずＢ′元素の酸化物を除いた他のすべて
をメノウ乳鉢で粉砕、混合し大気中で９００℃で１０時
間保持する。これを粉砕し、４％Ｈｚ＋９６％Ａｒ
の混合ガス気流中で、 １．０５０℃で５時間焼成する
。これを再度粉砕し、これに各元素の比率が所定の値と
なるようにＢ′元素の酸化物を加えて、十分に粉砕、混
合する。この粉末を直径２０■の円盤上にプレス成型し
、４％Ｈｚ＋９６％Ａｒ の混合ガス気流中で、８００
℃から９００℃で５時間焼成した。得られた焼結体の電
気抵抗の温度変化を、直流４端子法で測定した試料の温
度をゆっくりと下げながら電圧端子に発生する電圧をモ
ニターし、電圧が急激にに減少する温度を、試料が超電
導転移を始めた温度であると考え、その温度をここでは
臨界温度Ｔｃとしておく。また大気中、室温状態に７日
間放置した後、再度臨界温度Ｔｃを測定した。次の表に
組成式（Ａｏ、ａ−ｘＡ’ ｘ）ｘ（Ｂｘ−ｙＢ’ ｙ
）ｚｃｏ、ｚ○７＋２で表わせる試料についてのＴｃ値
の測定結果をまとめで示す。
実施例１７゜
元素群Ａ、Ａ’ 、Ｂ、Ｂ’及びＣの酸化物粉末の所定
量を秤量し、まずＢ′元素の酸化物を除いた他のすべて
をメノウ乳鉢で粉砕、混合し大気中で９００℃で１０時
間保持する。これを粉砕し。
量を秤量し、まずＢ′元素の酸化物を除いた他のすべて
をメノウ乳鉢で粉砕、混合し大気中で９００℃で１０時
間保持する。これを粉砕し。
４％Ｈ２＋９６％Ａｒ の混合ガス気流中で、１０５
０℃で５時間焼成する。これを再度粉砕し、これに各元
素の比率が所定の値となるようにＢ′元素の酸化物を加
えて、十分に粉砕、混合する。この粉末を直径２０■の
円盤上にプレス成型し、４％Ｈｚ＋９６％Ａｒ の混
合ガス気流中で、８００℃から９００”Ｃで５時間焼成
した。得られた焼結体の電気抵抗の温度変化を、直流４
端子法で測定した。試料の温度をゆっくりと下げながら
電圧端子に発生する電圧をモニターし、電圧が急激に減
少する温度を、試料が超電導転移を始めた温度であると
考え、その温度をここでは臨界温度Ｔｅとしておく、ま
た大気中、室温状態に７日間放置した後、再度臨界温度
Ｔｃを測定した。次の表に組成式（Ａｏ、ａ−ｘＡ’
ｘ）４（Ｂｉ−ｙＢ’ ｙ）ｇｃｏ、ｚｏｉｏ＋ｚ
で表わせる試料についてのＴｃ値の測定結果をまと
めで示す。
０℃で５時間焼成する。これを再度粉砕し、これに各元
素の比率が所定の値となるようにＢ′元素の酸化物を加
えて、十分に粉砕、混合する。この粉末を直径２０■の
円盤上にプレス成型し、４％Ｈｚ＋９６％Ａｒ の混
合ガス気流中で、８００℃から９００”Ｃで５時間焼成
した。得られた焼結体の電気抵抗の温度変化を、直流４
端子法で測定した。試料の温度をゆっくりと下げながら
電圧端子に発生する電圧をモニターし、電圧が急激に減
少する温度を、試料が超電導転移を始めた温度であると
考え、その温度をここでは臨界温度Ｔｅとしておく、ま
た大気中、室温状態に７日間放置した後、再度臨界温度
Ｔｃを測定した。次の表に組成式（Ａｏ、ａ−ｘＡ’
ｘ）４（Ｂｉ−ｙＢ’ ｙ）ｇｃｏ、ｚｏｉｏ＋ｚ
で表わせる試料についてのＴｃ値の測定結果をまと
めで示す。
実施例１８゜
元素群Ａ、Ａ’ 、Ｂ、Ｂ’及びＣの酸化物粉末の所定
量を秤量し、まずＢ′元素の酸化物を除いた他のすべて
をメノウ乳鉢で粉砕、混合し大気中で９００℃で１０時
間保持する。これを粉砕し、４％Ｈｚ＋９６％Ａｒ
の混合ガス戴流中で、１０５０℃で５時間焼成する。こ
れを再度粉砕し、これに各元素の比率が所定の値となる
ようにＢ′元素の酸化物を加えて、十分に粉砕、混合す
る。この粉末を直径２０■の円盤上にプレス成型し、４
％Ｈ２＋９６％Ａｒ の混合ガス気流中で、８４０℃で
５時間焼成した。得られた焼結体の電気抵抗の温度変化
を、直流４端子法で測定した。試料の温度をゆっくりと
下げながら電圧端子に発生する電圧をモニターし、電圧
が急激に減少する温度を、試料が超電導転移を始めた温
度であると考え、その温度をここでは臨界温度Ｔｃとし
ておく。また大気中、室温状態に７日間放置した後、再
度臨界温度Ｔｃを測定した。次の表に組成式 ％式％ 結果の例を示す。
量を秤量し、まずＢ′元素の酸化物を除いた他のすべて
をメノウ乳鉢で粉砕、混合し大気中で９００℃で１０時
間保持する。これを粉砕し、４％Ｈｚ＋９６％Ａｒ
の混合ガス戴流中で、１０５０℃で５時間焼成する。こ
れを再度粉砕し、これに各元素の比率が所定の値となる
ようにＢ′元素の酸化物を加えて、十分に粉砕、混合す
る。この粉末を直径２０■の円盤上にプレス成型し、４
％Ｈ２＋９６％Ａｒ の混合ガス気流中で、８４０℃で
５時間焼成した。得られた焼結体の電気抵抗の温度変化
を、直流４端子法で測定した。試料の温度をゆっくりと
下げながら電圧端子に発生する電圧をモニターし、電圧
が急激に減少する温度を、試料が超電導転移を始めた温
度であると考え、その温度をここでは臨界温度Ｔｃとし
ておく。また大気中、室温状態に７日間放置した後、再
度臨界温度Ｔｃを測定した。次の表に組成式 ％式％ 結果の例を示す。
実施例１９゜
元素群Ａ、Ａ’ 、Ｂ、Ｂ’及びＣの酸化物粉末の所定
量を秤量し、まずＢ′元素の酸化物を除いた他のすべて
をメノウ乳鉢で粉砕、混合し大気中で９００’Ｃで１０
時間保持する。これを粉砕し、４％Ｈｚ＋９６％Ａｒ
の混合ガス気流中で−１，０５０℃で５時間焼成する。
量を秤量し、まずＢ′元素の酸化物を除いた他のすべて
をメノウ乳鉢で粉砕、混合し大気中で９００’Ｃで１０
時間保持する。これを粉砕し、４％Ｈｚ＋９６％Ａｒ
の混合ガス気流中で−１，０５０℃で５時間焼成する。
これを再度粉砕し、これに各元素の比率が所定の値とな
るようにＢ′元素の酸化物を加えて、十分に粉砕、混合
する。この粉末を直径２ｏ■の円盤上にプレス成型し、
４％Ｈｚ＋９６％Ａｒ の混合ガス気流中で、８００℃
から９００℃で５時間焼成した。得られた焼結体の電気
抵抗の温度変化を、直流４端子法で測定した試料の温度
をゆっくりと下げながら電圧端子に発生する電圧をモニ
ターし、電圧が急激に減少する温度を、試料が超電導転
移を始めた温度であると考え、その温度をここでは臨界
温度Ｔｃとした。
るようにＢ′元素の酸化物を加えて、十分に粉砕、混合
する。この粉末を直径２ｏ■の円盤上にプレス成型し、
４％Ｈｚ＋９６％Ａｒ の混合ガス気流中で、８００℃
から９００℃で５時間焼成した。得られた焼結体の電気
抵抗の温度変化を、直流４端子法で測定した試料の温度
をゆっくりと下げながら電圧端子に発生する電圧をモニ
ターし、電圧が急激に減少する温度を、試料が超電導転
移を始めた温度であると考え、その温度をここでは臨界
温度Ｔｃとした。
また大気中、室温状態に７日間放置した後、再度臨界温
度Ｔｃを測定した０次の表に組成式％式％ る試料についてのＴｃ値の測定結果をまとめて示す。
度Ｔｃを測定した０次の表に組成式％式％ る試料についてのＴｃ値の測定結果をまとめて示す。
実施例２０゜
元素群Ａ、Ａ’ 、Ｂ、Ｂ’およびＣの酸化物粉末の所
定量を秤量し、まずＢ′元素の酸化物を除いた他のすべ
てをメノウ乳鉢で粉砕、混合し大気中で９００℃で１０
時間保持する。これを粉砕し、４％Ｈ２＋９６％Ａｒ
の混合ガス気流中で、 １０５０℃で５時間焼成する。
定量を秤量し、まずＢ′元素の酸化物を除いた他のすべ
てをメノウ乳鉢で粉砕、混合し大気中で９００℃で１０
時間保持する。これを粉砕し、４％Ｈ２＋９６％Ａｒ
の混合ガス気流中で、 １０５０℃で５時間焼成する。
これを再度粉砕し、これに各元素の比率が所定の値とな
るようにＢ′元素の酸化物を加えて、十分に粉砕、混合
する。この粉末を直径２０■の円盤上にプレス成型し、
４％Ｈｚ＋９６％Ａｒ の混合ガス気流中で、８４０’
Ｃで５時間焼成した。得られた焼結体の電気抵抗の温度
変化を、直流４端子法で測定した試料の温度をゆっくり
と下げながら電圧端子に発生する電圧をモニターし、電
圧が急激に減少する温度を、試料が超電導転移を始めた
温度であると考え、その温度をここでは臨界温度Ｔｃと
しておく。また大気中、室温状態に７日間放置した後、
再度臨界温度Ｔｃを測定した。次の表に組成式 ％式％ る試料についてのＴｃ値の測定結果をまとめて示す。
るようにＢ′元素の酸化物を加えて、十分に粉砕、混合
する。この粉末を直径２０■の円盤上にプレス成型し、
４％Ｈｚ＋９６％Ａｒ の混合ガス気流中で、８４０’
Ｃで５時間焼成した。得られた焼結体の電気抵抗の温度
変化を、直流４端子法で測定した試料の温度をゆっくり
と下げながら電圧端子に発生する電圧をモニターし、電
圧が急激に減少する温度を、試料が超電導転移を始めた
温度であると考え、その温度をここでは臨界温度Ｔｃと
しておく。また大気中、室温状態に７日間放置した後、
再度臨界温度Ｔｃを測定した。次の表に組成式 ％式％ る試料についてのＴｃ値の測定結果をまとめて示す。
実施例２１゜
元素群Ａ、Ａ’ 、Ｂ、Ｂ’及びＣの酸化物粉末の所定
量を秤量し、まずＢ′元素の酸化物を除いた他のすべて
をメノウ乳鉢で粉砕、混合し大気中で９００℃で１０時
間保持する。これを粉砕し、４％Ｈｚ＋９６％Ａｒ の
混合ガス気流中で、１０５０℃で５時間焼成する。これ
を再度粉砕し、これに各元素の比率が所定の値となるよ
うにＢ′元素の酸化物を加えて、十分に粉砕、混合する
。この粉末を直径２０■の円盤上にプレス成型し、４％
Ｈｚ＋９６％Ａｒ の混合ガス気流中で、８００℃から
９００℃で５時間焼成した。得られた焼結体の電気抵抗
の温度変化を、直流４端子法で測定した試料の温度をゆ
っくりと下げながら電圧端子に発生する電圧をモニター
し、電圧が急激に減少する温度を、試料が超電導転移を
始めた温度であると考え、その温度をここでは臨界温度
Ｔｃとしておく。また大気中、室温状態に７日間放置し
た後、再度臨界温度Ｔｃを測定した。次の表に組成式％
式％ る試料についてのＴｃ値の測定結果をまとめて示す。
量を秤量し、まずＢ′元素の酸化物を除いた他のすべて
をメノウ乳鉢で粉砕、混合し大気中で９００℃で１０時
間保持する。これを粉砕し、４％Ｈｚ＋９６％Ａｒ の
混合ガス気流中で、１０５０℃で５時間焼成する。これ
を再度粉砕し、これに各元素の比率が所定の値となるよ
うにＢ′元素の酸化物を加えて、十分に粉砕、混合する
。この粉末を直径２０■の円盤上にプレス成型し、４％
Ｈｚ＋９６％Ａｒ の混合ガス気流中で、８００℃から
９００℃で５時間焼成した。得られた焼結体の電気抵抗
の温度変化を、直流４端子法で測定した試料の温度をゆ
っくりと下げながら電圧端子に発生する電圧をモニター
し、電圧が急激に減少する温度を、試料が超電導転移を
始めた温度であると考え、その温度をここでは臨界温度
Ｔｃとしておく。また大気中、室温状態に７日間放置し
た後、再度臨界温度Ｔｃを測定した。次の表に組成式％
式％ る試料についてのＴｃ値の測定結果をまとめて示す。
実施例２２゜
元素群Ａ、Ａ’ 、Ｂ、Ｂ’及びＣの酸化物粉末の所定
量を秤量し、まずＢ′元素の酸化物を除いた他のすべて
をメノウ乳鉢で粉砕、混合し大気中で９００℃で１０時
間保持する。これを粉砕し、４％Ｈ２＋９６％Ａｒ
の混合ガス気流中で、１０５０℃で５時間焼成する。こ
れを再度粉砕し、これに各元素の比率が所定の値となる
ようにＢ′元素の酸化物を加えて、十分に粉砕、混合す
る。この粉末を直径２０■の円盤上にプレス成型し、４
％Ｈｚ＋９６％Ａｒ の混合ガス気流中で、８００℃か
ら９００℃で５時間焼成した。得られた焼結体の電気抵
抗の温度変化を、直流４端子法で測定した試料の温度を
ゆっくりと下げながら電圧端子に発生する電圧をモニタ
ーし、電圧が急激にに減少する温度を、試料が超電導転
移を始めた温度であると考え、その温度をここでは臨界
温度Ｔｃとした。また大気中、室温状態に７日間放置し
た後、再度臨界温度Ｔｃを測定した。次の表に組成式％
式％ る試料についてのＴｃ値の測定結果をまとめて示す。
量を秤量し、まずＢ′元素の酸化物を除いた他のすべて
をメノウ乳鉢で粉砕、混合し大気中で９００℃で１０時
間保持する。これを粉砕し、４％Ｈ２＋９６％Ａｒ
の混合ガス気流中で、１０５０℃で５時間焼成する。こ
れを再度粉砕し、これに各元素の比率が所定の値となる
ようにＢ′元素の酸化物を加えて、十分に粉砕、混合す
る。この粉末を直径２０■の円盤上にプレス成型し、４
％Ｈｚ＋９６％Ａｒ の混合ガス気流中で、８００℃か
ら９００℃で５時間焼成した。得られた焼結体の電気抵
抗の温度変化を、直流４端子法で測定した試料の温度を
ゆっくりと下げながら電圧端子に発生する電圧をモニタ
ーし、電圧が急激にに減少する温度を、試料が超電導転
移を始めた温度であると考え、その温度をここでは臨界
温度Ｔｃとした。また大気中、室温状態に７日間放置し
た後、再度臨界温度Ｔｃを測定した。次の表に組成式％
式％ る試料についてのＴｃ値の測定結果をまとめて示す。
実施例２３゜
元素群Ａ、Ａ’ 、Ｂ、Ｂ’およびＣの酸化物粉末の所
定量を秤量し、まずＢ′元素の酸化物を除いた他のすべ
てをメノウ乳鉢で粉砕、混合し大気中で９００℃で１０
時間保持する。これを粉砕し、４％Ｈ２＋９６％Ａｒ
の混合ガス気流中で、１０５０℃で５時間焼成する。こ
れを再度粉砕し、これに各元素の比率が所定の値となる
ようにＢ′元素の酸化物を加えて、十分に粉砕、混合す
る。この粉末を直径２０ｍの円盤上にプレス成型し、４
％Ｈ２＋９６％Ａｒ の混合ガス気流中で、８４０℃で
５時間焼成した。得られた焼結体の電気抵抗の温度変化
を、直流４端子法で測定した試料の温度をゆっくりと下
げながら電圧端子に発生する電圧をモニターし、電圧が
急激にに減少する温度を、試料が超電導転移を始めた温
度であると考え、その温度をここでは臨界温度Ｔ ｃと
しておく。また大気中、室温状態に７日間放置した後、
再度臨界温度Ｔｃを測定した。次の表に組成式 ％式％ る試料についてのＴｃ値の測定結果をまとめて示す。
定量を秤量し、まずＢ′元素の酸化物を除いた他のすべ
てをメノウ乳鉢で粉砕、混合し大気中で９００℃で１０
時間保持する。これを粉砕し、４％Ｈ２＋９６％Ａｒ
の混合ガス気流中で、１０５０℃で５時間焼成する。こ
れを再度粉砕し、これに各元素の比率が所定の値となる
ようにＢ′元素の酸化物を加えて、十分に粉砕、混合す
る。この粉末を直径２０ｍの円盤上にプレス成型し、４
％Ｈ２＋９６％Ａｒ の混合ガス気流中で、８４０℃で
５時間焼成した。得られた焼結体の電気抵抗の温度変化
を、直流４端子法で測定した試料の温度をゆっくりと下
げながら電圧端子に発生する電圧をモニターし、電圧が
急激にに減少する温度を、試料が超電導転移を始めた温
度であると考え、その温度をここでは臨界温度Ｔ ｃと
しておく。また大気中、室温状態に７日間放置した後、
再度臨界温度Ｔｃを測定した。次の表に組成式 ％式％ る試料についてのＴｃ値の測定結果をまとめて示す。
実施例２４゜
元素群Ａ、Ａ’ 、Ｂ、Ｂ’及びＣの酸化物粉末の所定
量を秤量し、まずＢ′元素の酸化物を除いた他のすべて
をメノウ乳鉢で粉砕、混合し大気中で９００℃で１０時
間保持する。これを粉砕し、４％Ｈ２＋９６％Ａｒ の
混合ガス気流中で、１０５０℃で５時間焼成する。これ
を再度粉砕し、これに各元素の比率が所定の値となるよ
うにＢ′元素の酸化物を加えて、十分に粉砕、混合する
。この粉末を直径２０■の円盤上にプレス成型し、４％
Ｈｚ＋９６％Ａｒ の混合ガス気流中で、８００℃から
９００℃で５時間焼成した。得られた焼結体の電気抵抗
の温度変化を、直流４端子法で測定した試料の温度をゆ
っくりと下げながら電圧端子に発生する電圧をモニター
し、電圧が急激に減少する温度を、試料が超電導転移を
始めた温度であると考え、その温度をここでは臨界温度
Ｔｃとしておく。また大気中、室温状態に７日間放置し
た後。
量を秤量し、まずＢ′元素の酸化物を除いた他のすべて
をメノウ乳鉢で粉砕、混合し大気中で９００℃で１０時
間保持する。これを粉砕し、４％Ｈ２＋９６％Ａｒ の
混合ガス気流中で、１０５０℃で５時間焼成する。これ
を再度粉砕し、これに各元素の比率が所定の値となるよ
うにＢ′元素の酸化物を加えて、十分に粉砕、混合する
。この粉末を直径２０■の円盤上にプレス成型し、４％
Ｈｚ＋９６％Ａｒ の混合ガス気流中で、８００℃から
９００℃で５時間焼成した。得られた焼結体の電気抵抗
の温度変化を、直流４端子法で測定した試料の温度をゆ
っくりと下げながら電圧端子に発生する電圧をモニター
し、電圧が急激に減少する温度を、試料が超電導転移を
始めた温度であると考え、その温度をここでは臨界温度
Ｔｃとしておく。また大気中、室温状態に７日間放置し
た後。
再度臨界温度Ｔｃを測定した。次の表に組成式％式％
る試料についてのＴｃ値の測定結果をまとめて示す。
実施例２５゜
元素群Ａ、Ａ’ 、Ｂ、Ｂ’及びＣの酸化物粉末の所定
量を秤量し、まずＢ′元素の酸化物を除いた他のすべて
をメノウ乳鉢で粉砕、混合し大気中で９００℃で１０時
間保持する。これを粉砕し。
量を秤量し、まずＢ′元素の酸化物を除いた他のすべて
をメノウ乳鉢で粉砕、混合し大気中で９００℃で１０時
間保持する。これを粉砕し。
４％Ｈ２＋９６％Ａｒ の混合ガス気流中で、１０５
０℃で５時間焼成する。これを再度粉砕し、これに各元
素の比率が所定の値となるようにＢ′元素の酸化物を加
えて、十分に粉砕、混合する。この粉末を直径２０■の
円盤上にプレス成型し、４％Ｈ２＋９６％Ａｒ の混合
ガス気流中で、８００℃から９００℃で５時間焼成した
。得られた焼結体の電気抵抗の温度変化を、直流４端子
法で測定した。試料の温度をゆっくりと下げながら電圧
端子に発生する電圧をモニターし、電圧が急激に減少す
る温度を、試料が超電導転移を始めた温度であると考え
、その温度をここでは臨界温度Ｔｃとしておく。また大
気中、室温状態に７日間放置した後、再度臨界温度Ｔｃ
を測定した。次の表に組成式（ＡＸ−ＸＡ’ ｘ）４（
Ｂｘ−ｙＢ’ ｙ）ｓｃｏ、ｚｏｘｏ＋ｚで表わせる試
料についてのＴｃ値の測定結果をまとめて示す。
０℃で５時間焼成する。これを再度粉砕し、これに各元
素の比率が所定の値となるようにＢ′元素の酸化物を加
えて、十分に粉砕、混合する。この粉末を直径２０■の
円盤上にプレス成型し、４％Ｈ２＋９６％Ａｒ の混合
ガス気流中で、８００℃から９００℃で５時間焼成した
。得られた焼結体の電気抵抗の温度変化を、直流４端子
法で測定した。試料の温度をゆっくりと下げながら電圧
端子に発生する電圧をモニターし、電圧が急激に減少す
る温度を、試料が超電導転移を始めた温度であると考え
、その温度をここでは臨界温度Ｔｃとしておく。また大
気中、室温状態に７日間放置した後、再度臨界温度Ｔｃ
を測定した。次の表に組成式（ＡＸ−ＸＡ’ ｘ）４（
Ｂｘ−ｙＢ’ ｙ）ｓｃｏ、ｚｏｘｏ＋ｚで表わせる試
料についてのＴｃ値の測定結果をまとめて示す。
実施例２６゜
元素群Ａ、Ａ’ 、Ｂ、Ｂ’及びＣの酸化物粉末の所定
量を秤量し、まずＢ′元素の酸化物を除いた他のすへて
をメノウ乳鉢で粉砕、混合し大気中で９００℃で１０時
間保持する。これを粉砕し、４％Ｈｚ＋９６％Ａｒ の
混合ガス気流中で、１０５０℃で５時間焼成する。これ
を再度粉砕し、これに各元素の比率が所定の値となるよ
うにＢ′元素の酸化物を加えて、十分に粉砕、混合する
。この粉末を直径２０■の円盤上にプレス成型し、４％
Ｈｚ＋９６％Ａｒ の混合ガス気流中で、８４０℃で
５時間焼成した。得られた焼結体の電気抵抗の温度変化
を、直流４端子法で測定した。試料の温度をゆっくりと
下げながら電圧端子に発生する電圧をモニターし、電圧
が急激に減少する温度を、試料が超電導転移を始めた温
度であると考え、その温度をここでは臨界温度Ｔｃとし
ておく。また大気中、室温状態に７日間放置した後、再
度臨界温度Ｔｃを測定した。次の表に組成式 ％式％ 実施例２７゜ ＳｒＯ，Ｖ２Ｏ３粉末をモル比で１ ： ０．５ に
なるように混合し、メノウ乳鉢で約１時間粉砕し、混合
する。これをアルミナ製のるつぼに入れて、９８０℃で
１０時間、空気中で焼成する。これを再度粉砕し、９８
０℃で１０時間、空気中で焼成する。これを４％Ｈ２＋
９６％Ａｒ の混合ガス気流中で、１０５０℃で５時間
焼成する。これを再度粉砕し、これにＴ Ｑ ２０８を
Ｓｒ：ＴＱの原子比が、１ ： ０．２ になるよう
に混合し、直径２０■の円盤状に成形する。これを４％
Ｈ２＋９６％Ｈｅの混合ガス気流中で、８４０℃で５時
間焼成する７、試料の温度が３００℃になったとき、Ｃ
Ｏｚガスを試料部に導入し、試料表面を緩酸化した後大
気中に試料を取だした。得られた焼結体の電気抵抗の温
度変化を、直流４端子法で測定した。試料の温度が低下
するにつれて抵抗値はゆっくりと減少して行くが、１４
０に付近で不連続な大きな抵抗のドロップが観測された
。交流帯磁率法によってマイスナー効果を調べたところ
、試料中の体積率にして約２０％程度の部分が超電導状
態であることが確認できた。７日間大気中、室温に放置
した後にもういちど交流帯磁率法によってマイスナー効
果を調べたところ、試料中の体積率にして約２０％程度
の部分が超電導状態であった。
量を秤量し、まずＢ′元素の酸化物を除いた他のすへて
をメノウ乳鉢で粉砕、混合し大気中で９００℃で１０時
間保持する。これを粉砕し、４％Ｈｚ＋９６％Ａｒ の
混合ガス気流中で、１０５０℃で５時間焼成する。これ
を再度粉砕し、これに各元素の比率が所定の値となるよ
うにＢ′元素の酸化物を加えて、十分に粉砕、混合する
。この粉末を直径２０■の円盤上にプレス成型し、４％
Ｈｚ＋９６％Ａｒ の混合ガス気流中で、８４０℃で
５時間焼成した。得られた焼結体の電気抵抗の温度変化
を、直流４端子法で測定した。試料の温度をゆっくりと
下げながら電圧端子に発生する電圧をモニターし、電圧
が急激に減少する温度を、試料が超電導転移を始めた温
度であると考え、その温度をここでは臨界温度Ｔｃとし
ておく。また大気中、室温状態に７日間放置した後、再
度臨界温度Ｔｃを測定した。次の表に組成式 ％式％ 実施例２７゜ ＳｒＯ，Ｖ２Ｏ３粉末をモル比で１ ： ０．５ に
なるように混合し、メノウ乳鉢で約１時間粉砕し、混合
する。これをアルミナ製のるつぼに入れて、９８０℃で
１０時間、空気中で焼成する。これを再度粉砕し、９８
０℃で１０時間、空気中で焼成する。これを４％Ｈ２＋
９６％Ａｒ の混合ガス気流中で、１０５０℃で５時間
焼成する。これを再度粉砕し、これにＴ Ｑ ２０８を
Ｓｒ：ＴＱの原子比が、１ ： ０．２ になるよう
に混合し、直径２０■の円盤状に成形する。これを４％
Ｈ２＋９６％Ｈｅの混合ガス気流中で、８４０℃で５時
間焼成する７、試料の温度が３００℃になったとき、Ｃ
Ｏｚガスを試料部に導入し、試料表面を緩酸化した後大
気中に試料を取だした。得られた焼結体の電気抵抗の温
度変化を、直流４端子法で測定した。試料の温度が低下
するにつれて抵抗値はゆっくりと減少して行くが、１４
０に付近で不連続な大きな抵抗のドロップが観測された
。交流帯磁率法によってマイスナー効果を調べたところ
、試料中の体積率にして約２０％程度の部分が超電導状
態であることが確認できた。７日間大気中、室温に放置
した後にもういちど交流帯磁率法によってマイスナー効
果を調べたところ、試料中の体積率にして約２０％程度
の部分が超電導状態であった。
実施例２８゜
Ｓｒ○＋Ｖ２Ｏ３の粉末をモル比で１ ： ０．５
になるように混合し、 メノウ乳鉢で約１時間粉砕し、
混合する。これをアルミナ製のるつぼに入れて、９８０
℃で１０時間、空気中で焼成する。これを再度粉砕し、
９８０”Ｃで１０時間、空気中で焼成する。これを４％
Ｈｚ＋９６％Ａｒ の混合ガス気流中で、１０５０℃
で５時間焼成する。これを再度粉砕し、これにＴＱｚＯ
ｓをＳｒ：ＴＱの原子比が、１ ： ０．２ になる
ように混合し、直径２０ａｍの円盤状に成形する。これ
を４％Ｈｚ＋９６％Ｈｅの混合ガス気流中で、８４０℃
で５時間焼成する。
になるように混合し、 メノウ乳鉢で約１時間粉砕し、
混合する。これをアルミナ製のるつぼに入れて、９８０
℃で１０時間、空気中で焼成する。これを再度粉砕し、
９８０”Ｃで１０時間、空気中で焼成する。これを４％
Ｈｚ＋９６％Ａｒ の混合ガス気流中で、１０５０℃
で５時間焼成する。これを再度粉砕し、これにＴＱｚＯ
ｓをＳｒ：ＴＱの原子比が、１ ： ０．２ になる
ように混合し、直径２０ａｍの円盤状に成形する。これ
を４％Ｈｚ＋９６％Ｈｅの混合ガス気流中で、８４０℃
で５時間焼成する。
得られた焼結体の電気抵抗の温度変化を、直流４端子法
で測定した。試料の温度が低下するにつれて抵抗値はゆ
っくりと減少して行くが、１４０に付近で不連続な大き
な抵抗のドロップが観測された。交流帯磁率法によって
マイスナー効果を調べたところ、試料中の体積率にして
約２０％程度の部分が超電導状態であることが確認でき
た。
で測定した。試料の温度が低下するにつれて抵抗値はゆ
っくりと減少して行くが、１４０に付近で不連続な大き
な抵抗のドロップが観測された。交流帯磁率法によって
マイスナー効果を調べたところ、試料中の体積率にして
約２０％程度の部分が超電導状態であることが確認でき
た。
７日間大気中、室温に放置した後にもういちど交流帯磁
率法によってマイスナー効果を調べたところ、試料中の
体積率にして約５％程度の部分が超電導状態であった。
率法によってマイスナー効果を調べたところ、試料中の
体積率にして約５％程度の部分が超電導状態であった。
実施例２９゜
Ｓｒ○，ＶｚＯ＋ｓの粉末をモル比で２ ： ０．４５
になるように混合し、メノウ乳鉢で約１時間粉砕し、混
合する。これをアルミナ製のるつぼに入れて、９８０℃
で１０＃１ｌｆｆ、空気中で焼成する。これを再度粉砕
し、９８０℃で１０時間、空気中で焼成する。これを４
％Ｈ２＋９６％Ａｒ の混合ガス気流中で、１０５０
℃で５時間焼成する。これを再度粉砕し、これにＴＬｚ
Ｏ８をＳｒ：Ｔｆｌの原子比が、２ ： ０．２ に
なるように混合し、直径２０ｍの円盤状に成形する。こ
れを４％Ｈ２＋９６％Ａｒの混合ガス気流中で、８４０
”Ｃで５時間焼成する。試料の温度が３００℃になった
とき、ＣＯ２ガスを試料部に導入し、試料表面を緩酸化
した後大気中に試料を取だした。得られた焼結体の電気
抵抗の温度変化を、直流４端子法で測定した。試料の温
度が低下するにつれて抵抗値はゆっくりと減少して行く
が、７５に付近で不連続な大きな抵抗のドロップが観測
された。交流帯磁率法によってマイスナー効果を調べた
ところ、試料中の体積率にして約１５％程度の部分が超
電導状態であることが確認できた。７日間大気中、室温
に放置した後にもういちど交流帯磁率法によってマイス
ナー効果を調べたところ、試料中の体積率にして約１４
％程度の部分が超電導状態であった。
になるように混合し、メノウ乳鉢で約１時間粉砕し、混
合する。これをアルミナ製のるつぼに入れて、９８０℃
で１０＃１ｌｆｆ、空気中で焼成する。これを再度粉砕
し、９８０℃で１０時間、空気中で焼成する。これを４
％Ｈ２＋９６％Ａｒ の混合ガス気流中で、１０５０
℃で５時間焼成する。これを再度粉砕し、これにＴＬｚ
Ｏ８をＳｒ：Ｔｆｌの原子比が、２ ： ０．２ に
なるように混合し、直径２０ｍの円盤状に成形する。こ
れを４％Ｈ２＋９６％Ａｒの混合ガス気流中で、８４０
”Ｃで５時間焼成する。試料の温度が３００℃になった
とき、ＣＯ２ガスを試料部に導入し、試料表面を緩酸化
した後大気中に試料を取だした。得られた焼結体の電気
抵抗の温度変化を、直流４端子法で測定した。試料の温
度が低下するにつれて抵抗値はゆっくりと減少して行く
が、７５に付近で不連続な大きな抵抗のドロップが観測
された。交流帯磁率法によってマイスナー効果を調べた
ところ、試料中の体積率にして約１５％程度の部分が超
電導状態であることが確認できた。７日間大気中、室温
に放置した後にもういちど交流帯磁率法によってマイス
ナー効果を調べたところ、試料中の体積率にして約１４
％程度の部分が超電導状態であった。
実施例３０゜
Ｓ ｒ Ｏ、Ｖ２Ｏ１１（７）粉末をモル比で２：０．
５ になるように混合し、メノウ乳鉢で約１時間粉砕
し。
５ になるように混合し、メノウ乳鉢で約１時間粉砕
し。
混合する。これをアルミナ製のるつぼに入れて、９８０
℃で１０時間、空気中で焼成する。これを再度粉砕し、
９８０℃で１０時間、空気中で焼成する。これを４％Ｈ
ｘ＋９６％Ａ、 ｒ の混合ガス気流中で、１０５０
℃で５時間焼成する。これを再度粉砕し、これにＴＱｚ
ＯａをＳｒ：ＴΩの原子比が、２ ： ０．２ にな
るように混合し、直径２０１Ｉ１１の円盤状に成形する
。これを４％Ｉ（２＋９６％Ａｒの混合ガス気流中で、
８４．０℃で５時間焼成する。
℃で１０時間、空気中で焼成する。これを再度粉砕し、
９８０℃で１０時間、空気中で焼成する。これを４％Ｈ
ｘ＋９６％Ａ、 ｒ の混合ガス気流中で、１０５０
℃で５時間焼成する。これを再度粉砕し、これにＴＱｚ
ＯａをＳｒ：ＴΩの原子比が、２ ： ０．２ にな
るように混合し、直径２０１Ｉ１１の円盤状に成形する
。これを４％Ｉ（２＋９６％Ａｒの混合ガス気流中で、
８４．０℃で５時間焼成する。
得られた焼結体の電気抵抗の温度変化を、直流４端子法
で測定した。試料の温度が低下するにつれて抵抗値はゆ
っくりと減少して行くが、７５に付近で不連続な大きな
抵抗のドロップが観測された。
で測定した。試料の温度が低下するにつれて抵抗値はゆ
っくりと減少して行くが、７５に付近で不連続な大きな
抵抗のドロップが観測された。
交流帯磁率法によってマイスナー効果を調へたところ、
試料中の体積率にして約１５％程度の部分が超電導状態
であることが確認できた。７日間大気中、室温に放置し
た後にもういちど交流帯磁率法によってマイスナー効果
を調べたところ、試料中の体積率にして約２％程度の部
分が超電導状態であった。
試料中の体積率にして約１５％程度の部分が超電導状態
であることが確認できた。７日間大気中、室温に放置し
た後にもういちど交流帯磁率法によってマイスナー効果
を調べたところ、試料中の体積率にして約２％程度の部
分が超電導状態であった。
実施例３］。
実施例１において作成した超電導体の粉末を、内径３閣
、外径４■の銀製のパイプに充填しする。
、外径４■の銀製のパイプに充填しする。
これをドローベンチにより、銀製パイプの外径が５ｍ＋
から２ｍｍに減少するまで線引き加工した。これを水素
ガスの濃度が４％になるようにヘリウムガスで濃度調整
したガスを流通した環境下で８１０℃で１０時間加熱し
た。得られた超電導線材の臨界電流密度を測定したとこ
ろ、７７Ｋにおいて、１１０００Ａ／ａ＃であった。
から２ｍｍに減少するまで線引き加工した。これを水素
ガスの濃度が４％になるようにヘリウムガスで濃度調整
したガスを流通した環境下で８１０℃で１０時間加熱し
た。得られた超電導線材の臨界電流密度を測定したとこ
ろ、７７Ｋにおいて、１１０００Ａ／ａ＃であった。
実施例３２゜
実施例３において作成した超電導体の粉末を、内径３ｍ
＋、外径４Ｉの銀製のパイプに充填しする。
＋、外径４Ｉの銀製のパイプに充填しする。
これをドローベンチにより、銀製パイプの外径が５ｍｍ
から２ｍｍに減少するまで線引き加工した。これを水素
ガスの濃度が４％になるようにヘリウムガスで濃度調整
したガスを流通した環境下で８４０℃で１０時間加熱し
た。得られた超電導線材の臨界電流密度を測定したとこ
ろ、７７Ｋにおいて、１２０００Ａ／ｄであった。
から２ｍｍに減少するまで線引き加工した。これを水素
ガスの濃度が４％になるようにヘリウムガスで濃度調整
したガスを流通した環境下で８４０℃で１０時間加熱し
た。得られた超電導線材の臨界電流密度を測定したとこ
ろ、７７Ｋにおいて、１２０００Ａ／ｄであった。
実施例３３゜
実施例５において作成した超電導体の粉末を′、内径３
ｒｒｒｎ 、外径４ＩＩＩ１１の銀製のパイプに充填
しする。
ｒｒｒｎ 、外径４ＩＩＩ１１の銀製のパイプに充填
しする。
これをドローベンチにより、銀製パイプの外径が５ｎＩ
から２閣に減少するまで線引き加工した。これを水素ガ
スの濃度が４％になるようにヘリウムガスで濃度調整し
たガスを流通した環境下で８６０℃で１０時間加熱した
。得られた超電導線材の臨界電流密度を測定したところ
、７７Ｋにおいて、１５０００Ａ、／ｃｄであった。
から２閣に減少するまで線引き加工した。これを水素ガ
スの濃度が４％になるようにヘリウムガスで濃度調整し
たガスを流通した環境下で８６０℃で１０時間加熱した
。得られた超電導線材の臨界電流密度を測定したところ
、７７Ｋにおいて、１５０００Ａ、／ｃｄであった。
実施例３４゜
実施例６において作成した超電導体の粉末を、内径３ｍ
、外径４Ｉの銀製のパイプに充填しする。
、外径４Ｉの銀製のパイプに充填しする。
これをドローベンチにより、銀製パイプの外径が５Ｉか
ら２ｍに減少するまで線引き加工した。これを水素ガス
の濃度が４％になるようにヘリウムガスで濃度！１１整
したガスを流通した環境下で８７０℃で１０時間加熱し
た。得られた超電導線材の臨界電流密度を測定したとこ
ろ、７７Ｋにおいて、１００００Ａ／Ｊであった。
ら２ｍに減少するまで線引き加工した。これを水素ガス
の濃度が４％になるようにヘリウムガスで濃度！１１整
したガスを流通した環境下で８７０℃で１０時間加熱し
た。得られた超電導線材の臨界電流密度を測定したとこ
ろ、７７Ｋにおいて、１００００Ａ／Ｊであった。
実施例３５゜
実施例７において作成した超電導体の粉末を、内径３
ｍ 、外径４ｍの銀製のパイプに充填しする。
ｍ 、外径４ｍの銀製のパイプに充填しする。
これをドローベンチにより、銀製パイプの外径が５ｎＩ
から２ｍに減少するまで線引き加工した。これを水素ガ
スの濃度が４％になるようにヘリウムガスで濃度調整し
たガスを流通した環境下で８９０℃で１０時間加熱した
。得られた超電導線材の臨界電流密度を測定したところ
、７７Ｋにおいて、１．４０００Ａ／ｆｆｌであった。
から２ｍに減少するまで線引き加工した。これを水素ガ
スの濃度が４％になるようにヘリウムガスで濃度調整し
たガスを流通した環境下で８９０℃で１０時間加熱した
。得られた超電導線材の臨界電流密度を測定したところ
、７７Ｋにおいて、１．４０００Ａ／ｆｆｌであった。
実施例３６゜
実施例８において作成した超電導体の粉末を、内径３
ｍ 、外径４ｗｍの銀製のパイプに充填しする。
ｍ 、外径４ｗｍの銀製のパイプに充填しする。
これをドローベンチにより、銀製パイプの外径が５閣か
ら２ＩＩ１１に減少するまで線引き加工した。これを水
素ガスの濃度が４％になるようにヘリウムガスで濃度調
整したガスを流通した環境下で８４０℃で１０時間加熱
した。得られた超電導線材の臨界電流密度を測定したと
ころ、７７Ｋにおいて。
ら２ＩＩ１１に減少するまで線引き加工した。これを水
素ガスの濃度が４％になるようにヘリウムガスで濃度調
整したガスを流通した環境下で８４０℃で１０時間加熱
した。得られた超電導線材の臨界電流密度を測定したと
ころ、７７Ｋにおいて。
１６０００Ａ／ａｌｌであった。
Claims (14)
- １．Ｎｂ，Ｖ，Ｔｉ，Ｔａのうち、単独或は複数の元素
と、Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｙ，希土類，Ｌｉ，Ｎａから選
ばれる単独或は複数の元素と、Ｔｌ，Ｂｉ，Ｐｂ，Ｉｎ
，Ｓｎ，Ｓｂから選ばれる単独或は複数の元素と、酸素
を主たる成分として同時に含んでいる超電導物質に、Ｃ
ｒ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｗ，
Ｃ，Ｎ，Ｓ，Ｐ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓｅのうち、単独
或は複数の元素を、該超電導物質に対してモル比で０．
２以下の量を添加したことを特徴とする超電導体。 - ２．Ｎｂ，Ｖ，Ｔｉ，Ｔａのうち、単独或は複数の元素
と、Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｙ，希土類，Ｌｉ，Ｎａから選
ばれる単独或は複数の元素と、Ｔｌ，Ｂｉ，Ｐｂ，Ｉｎ
，Ｓｎ，Ｓｂから選ばれる単独或は複数の元素と、酸素
を主たる成分として同時に含んでいる超電導物質に関し
て、該超電導物質の主たる成分のうちの１種または２種
或は３種類を、Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，
Ａｇ，Ｃｄ，Ｗ，Ｃ，Ｎ，Ｓ，Ｐ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｓ，
Ｓｅのうちの単独或は複数の元素によって、モル比で０
．２以下の量だけ置換したことを特徴とする超電導体。 - ３．化学組成が、 一般式Ａ−Ａ′−Ｂ−Ｂ′−Ｏ ただし Ａ：Ｂａ，Ｓｒ，Ｋ，Ｎａ，Ｌａ，Ｃｅの 少なくとも１つ Ａ′：Ｓｒ，Ｃａ，Ｙ，希土類，Ｌｉのうちの少なくと
も１つ Ｂ：Ｎｂ，Ｖ，Ｔｉ，Ｔａのうちの少なく とも１つ Ｂ′：Ｔｌ，Ｂｉ，Ｐｂ，Ｓｎ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｃｕのう
ちの少なくとも１つ Ｏ：酸素 である超電導物質に、Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，
Ｚｎ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｗ，Ｃ，Ｎ，Ｓ，Ｐ，Ｓｉ，Ｇｅ，
Ａｓ，Ｓｅのうち、単独或は複数の元素を、該超電導物
質に対してモル比で０．２以下の量を添加したことを特
徴とする超電導体。 - ４．化学組成が、 一般式Ａ−Ａ′−Ｂ−Ｂ′−Ｏ ただし Ａ：Ｂａ，Ｓｒ，Ｋ，Ｎａ，Ｌａ，Ｃｅの 少なくとも１つ Ａ′：Ｓｒ，Ｃａ，Ｙ，希土類，Ｌｉのうちの少なくと
も１つ Ｂ：Ｎｂ，Ｖ，Ｔｉ，Ｔａのうちの少なく とも１つ Ｂ′：Ｔｌ，Ｂｉ，Ｐｂ，Ｓｎ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｃｕのう
ちの少なくとも１つ Ｏ：酸素 である超電導物質に関して、該超電導物質の主たる成分
のうちの１種または２種或は３種類を、Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃ
ｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｗ，Ｃ，Ｎ，Ｓ，
Ｐ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓｅのうちの単独或は複数の元
素によって、モル比で０．２以下の量だけ置換したこと
を特徴とする超電導物質。 - ５．組成式が、 （Ａ＿１＿−＿ｘＡ′＿ｘ）（Ｂ＿１＿−＿ｙＢ′＿ｙ
）Ｏ＿３＿＋＿ｚただし０≦ｘ≦１ ０≦ｙ≦１ −０．５≦ｚ≦１ Ａ：Ｂａ，Ｓｒ，Ｋ，Ｎａ，Ｌａ，Ｃｅの 少なくとも１つ Ａ′：Ｓｒ，Ｃａ，Ｙ，希土類，Ｌｉのうちの少なくと
も１つ Ｂ：Ｎｂ，Ｖ，Ｔｉ，Ｔａのうちの少なく とも１つ Ｂ′：Ｔｌ，Ｂｉ，Ｐｂ，Ｓｎ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｃｕのう
ちの少なくとも１つ Ｏ：酸素 である超電導物質に関して、該超電導物質の主たる成分
のうちの１種または２種或は３種類を、Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃ
ｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｗ，Ｃ，Ｎ，Ｓ，
Ｐ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓｅのうちの単独或は複数の元
素によって、モル比で０．２以下の量だけ置換した超電
導物質、或はＣｒ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ａ
ｇ，Ｃｄ，Ｗ，Ｃ，Ｎ，Ｓ，Ｐ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓ
ｅのうちの単独或は複数の元素を、該超電導物質に対し
てモル比で０．２以下の量を添加したことを特徴とする
超電導体。 - ６．請求項３記載の物質のうち、その組成式が、Ａ＿２
ＢＢ′Ｏ＿５＿＋＿ｚ或はＡ＿２ＢＢ′＿２Ｏ＿６＿＋
＿ｚただし−１≦ｚ≦１．５ Ａ：Ｂａ，Ｓｒ，Ｋ，Ｎａ，Ｌａ，Ｃｅの 少なくとも１つ Ａ′：Ｓｒ，Ｃａ，Ｙ，希土類，Ｌｉのうちの少なくと
も１つ Ｂ：Ｎｂ，Ｖ，Ｔｉ，Ｔａのうちの少なく とも１つ Ｂ′：Ｔｎ，Ｂｉ，Ｐｂ，Ｓｎ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｃｕのう
ちの少なくとも１つ Ｏ：酸素 である超電導物質に関して、該超電導物質の主たる成分
のうちの１種または２種或は３種類を、Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃ
ｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｗ，Ｃ，Ｎ，Ｓ，
Ｐ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓｅのうちの単独或は複数の元
素によって、モル比で０．２以下の量だけ置換した超電
導物質、或はＣｒ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ａ
ｇ，Ｃｄ，Ｗ，Ｃ，Ｎ，Ｓ，Ｐ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓ
ｅのうちの単独或は複数の元素を、該超電導物質に対し
てモル比で０．２以下の量を添加したことを特徴とする
超電導体。 - ７．請求項３記載の物質のうち、その組成式が、Ａ＿２
Ａ′Ｂ＿２Ｂ′Ｏ＿７＿＋＿ｚ或はＡ＿２Ａ′Ｂ＿２Ｂ
′＿２Ｏ＿８＿＋＿ｚただし−１≦ｚ≦１．５ Ａ：Ｂａ，Ｓｒ，Ｋ，Ｎａ，Ｌａ，Ｃｅの 少なくとも１つ Ａ′：Ｓｒ，Ｃａ，Ｙ，希土類，Ｌｉのうちの少なくと
も１つ Ｂ：Ｎｂ，Ｖ，Ｔｉ，Ｔａのうちの少なく とも１つ Ｂ′：Ｔｎ，Ｂｉ，Ｐｂ，Ｓｎ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｃｕのう
ちの少なくとも１つ Ｏ：酸素 である超電導物質に関して、該超電導物質の主たる成分
のうちの１種または２種或は３種類を、Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃ
ｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｗ，Ｃ，Ｎ，Ｓ，
Ｐ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓｅのうちの単独或は複数の元
素によって、モル比で０．２以下の量だけ置換した超電
導物質、或はＣｒ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ａ
ｇ，Ｃｄ，Ｗ，Ｃ，Ｎ，Ｓ，Ｐ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓ
ｅのうちの単独或は複数の元素を、該超電導物質に対し
てモル比で０．２以下の量を添加したことを特徴とする
超電導体。 - ８．請求項３記載の物質のうち、その組成式が、Ａ＿２
Ａ′＿２Ｂ＿３Ｂ′Ｏ＿９＿＋＿ｚ或はＡ＿２Ａ′＿２
Ｂ＿３Ｂ′＿２Ｏ＿１＿０＿＋＿ｚただし−１≦ｚ≦１
．５ Ａ：Ｂａ，Ｓｒ，Ｋ，Ｎａ，Ｌａ，Ｃｅの 少なくとも１つ Ａ′：Ｓｒ，Ｃａ，Ｙ，希土類，Ｌｉのうちの少なくと
も１つ Ｂ：Ｎｂ，Ｖ，Ｔｉ，Ｔａのうちの少なく とも１つ Ｂ′：Ｔｌ，Ｂｉ，Ｐｂ，Ｓｎ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｃｕのう
ちの少なくとも１つ Ｏ：酸素 である超電導物質に関して、該超電導物質の主たる成分
のうちの１種または２種或は３種類を、Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃ
ｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｗ，Ｃ，Ｎ，Ｓ，
Ｐ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓｅのうちの単独或は複数の元
素によって、モル比で０．２以下の量だけ置換した超電
導物質、或はＣｒ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ａ
ｇ，Ｃｄ，Ｗ，Ｃ，Ｎ，Ｓ，Ｐ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓ
ｅのうちの単独或は複数の元素を、該超電導物質に対し
てモル比で０．２以下の量を添加したことを特徴とする
超電導体。 - ９．請求項３記載の物質のうち、その組成式が、（Ａ＿
１＿−＿ｘＡ′＿ｘ）＿２ＢＯ＿４＿＋＿ｚただし０≦
ｘ≦１ −１≦ｚ≦１ Ａ：Ｂａ，Ｓｒ，Ｋ，Ｎａ，Ｌａ，Ｃｅの 少なくとも１つ Ａ′：Ｓｒ，Ｃａ，Ｙ，希土類，Ｌｉのうちの少なくと
も１つ Ｂ：Ｎｂ，Ｖ，Ｔｉ，Ｔａのうちの少なく とも１つ Ｂ′：Ｔｌ，Ｂｉ，Ｐｂ，Ｓｎ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｃｕのう
ちの少なくとも１つ Ｏ：酸素 である超電導物質に関して、該超電導物質の主たる成分
のうちの１種または２種或は３種類を、Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃ
ｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｗ，Ｃ，Ｎ，Ｓ，
Ｐ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓｅのうちの単独或は複数の元
素によって、モル比で０．２以下の量だけ置換した超電
導物質、或はＣｒ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ａ
ｇ，Ｃｄ，Ｗ，Ｃ，Ｎ，Ｓ，Ｐ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓ
ｅのうちの単独或は複数の元素を、該超電導物質に対し
てモル比で０．２以下の量を添加したことを特徴とする
超電導体。 - １０．請求項３記載の物質のうち、その組成式が、（Ａ
＿１＿−＿ｘＡ′＿ｘ）＿３（Ｂ＿１＿−＿ｙＢ′＿ｙ
）＿２Ｏ＿７＿＋＿ｚただし０≦ｘ≦１ ０≦ｙ≦１ −１≦ｚ≦１ Ａ：Ｂａ，Ｓｒ，Ｋ，Ｎａ，Ｌａ，Ｃｅの 少なくとも１つ Ａ′：Ｓｒ，Ｃａ，Ｙ，希土類，Ｌｉのうちの少なくと
も１つ Ｂ：Ｎｂ，Ｖ，Ｔｉ，Ｔａのうちの少なく とも１つ Ｂ′：Ｔｌ，Ｂｉ，Ｐｂ，Ｓｎ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｃｕのう
ちの少なくとも１つ Ｏ：酸素 である超電導物質に関して、該超電導物質の主たる成分
のうちの１種または２種或は３種類を、Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃ
ｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｗ，Ｃ，Ｎ，Ｓ，
Ｐ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓｅのうちの単独或は複数の元
素によって、モル比で０．２以下の量だけ置換した超電
導物質、或はＣｒ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ａ
ｇ，Ｃｄ，Ｗ，Ｃ，Ｎ，Ｓ，Ｐ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓ
ｅのうちの単独或は複数の元素を、該超電導物質に対し
てモル比で０．２以下の量を添加したことを特徴とする
超電導体。 - １１．請求項３記載の物質のうち、その組成式が、（Ａ
＿１＿−＿ｘＡ′＿ｘ）＿４（Ｂ＿１＿−＿ｙＢ′＿ｙ
）＿３Ｏ＿１＿０＿＋＿ｚただし０≦ｘ≦１ ０≦ｙ≦１ −１≦ｚ≦１ Ａ：Ｂａ，Ｓｒ，Ｋ，Ｎａ，Ｌａ，Ｃｅの 少なくとも１つ Ａ′：Ｓｒ，Ｃａ，Ｙ，希土類，Ｌｉのうちの少なくと
も１つ Ｂ：Ｎｂ，Ｖ，Ｔｉ，Ｔａのうちの少なく とも１つ Ｂ′：Ｔｌ，Ｂｉ，Ｐｂ，Ｓｎ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｃｕのう
ちの少なくとも１つ Ｏ：酸素 である超電導物質に関して、該超電導物質の主たる成分
のうちの１種または２種或は３種類を、Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃ
ｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｗ，Ｃ，Ｎ，Ｓ，
Ｐ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓｅのうちの単独或は複数の元
素によって、モル比で０．２以下の量だけ置換し超電導
物質に、或はＣｒ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ａ
ｇ，Ｃｄ，Ｗ，Ｃ，Ｎ，Ｓ，Ｐ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓ
ｅのうちの単独或は複数の元素を、該超電導物質に対し
てモル比で０．２以下の量を添加したことを特徴とする
超電導体。 - １２．請求項１ないし２記載の物質のうち、その組成式
が、 （Ａ＿１＿−＿ｘＡ′＿ｘ）（Ｂ＿１＿−＿ｙＢ′＿ｙ
）（Ｏ＿１＿−＿ｗＸ＿ｗ）＿３＿＋＿ｚただし Ａ：Ｂａ，Ｓｒ，Ｋ，Ｎａ，Ｌａ，Ｃｅの 少なくとも１つ Ａ′：Ｓｒ，Ｃａ，Ｙ，希土類，Ｌｉのうちの少なくと
も１つ Ｂ：Ｎｂ，Ｖ，Ｔｉ，Ｔａのうちの少なく とも１つ Ｂ′：Ｔｌ，Ｂｉ，Ｐｂ，Ｓｎ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｃｕのう
ちの少なくとも１つ Ｏ：酸素 Ｘ：Ｎ，Ｓ，Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒのうちの少な くとも１つ ０≦ｘ≦１ ０≦ｙ≦１ ０≦ｗ≦１ −１≦ｚ≦１．５ である超電導物質に関して、該超電導物質の主たる成分
のうちの１種または２種或は３種類を、Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃ
ｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｗ，Ｃ，Ｎ，Ｓ，
Ｐ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓｅのうちの単独或は複数の元
素によって、モル比で０．２以下の量だけ置換した超電
導物質、或はＣｒ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ａ
ｇ，Ｃｄ，Ｗ，Ｃ，Ｎ，Ｓ，Ｐ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓ
ｅのうちの単独或は複数の元素を、該超電導物質に対し
てモル比で０．２以下の量を添加したことを特徴とする
超電導体。 - １３．請求項１ないし１２のいずれか１つに記載の物質
を含んだ超電導線材。 - １４．Ｎｂ，Ｖ，Ｔｉ，Ｔａのうち、単独或は複数の元
素と、Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｙ，希土類，Ｌｉ，Ｎａから
選ばれる単独或は複数の元素と、Ｔｌ，Ｂｉ，Ｐｂ，Ｉ
ｎ，Ｓｎ，Ｓｂから選ばれる単独或は複数の元素と、酸
素を主たる成分として同時に含んでいる超電導物質に、
Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｗ
，Ｃ，Ｎ，Ｓ，Ｐ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓｅのうち、単
独或は複数の元素を、該超電導物質に対してモル比で０
．２以下の量を添加したことを特徴とする超電導物質を
合成する過程において、濃度０．１％以上の水素ガスを
含む雰囲気のもとで８００℃以上の高温に加熱する工程
と、その後にＣＯ＿２ガスによって緩酸化する工程を含
むことを特徴とする超電導物質の合成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2244045A JPH04124032A (ja) | 1990-09-17 | 1990-09-17 | 超電導体及びその合成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2244045A JPH04124032A (ja) | 1990-09-17 | 1990-09-17 | 超電導体及びその合成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04124032A true JPH04124032A (ja) | 1992-04-24 |
Family
ID=17112903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2244045A Pending JPH04124032A (ja) | 1990-09-17 | 1990-09-17 | 超電導体及びその合成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04124032A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007019795A1 (fr) * | 2005-08-16 | 2007-02-22 | Wanhai Sun | Substance superconductrice et son procede de preparation |
| JP2009107925A (ja) * | 2001-06-13 | 2009-05-21 | Seiko Epson Corp | セラミックス、ならびに誘電体キャパシタ、アクチュエータ、光変調器、及び超音波センサ |
| JP2012020927A (ja) * | 2010-07-15 | 2012-02-02 | Silberline Manufacturing Co Inc | 酸化マンガンバナジウムタンタル、およびそれで被覆されたブラックメタリック効果を有する顔料 |
-
1990
- 1990-09-17 JP JP2244045A patent/JPH04124032A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009107925A (ja) * | 2001-06-13 | 2009-05-21 | Seiko Epson Corp | セラミックス、ならびに誘電体キャパシタ、アクチュエータ、光変調器、及び超音波センサ |
| WO2007019795A1 (fr) * | 2005-08-16 | 2007-02-22 | Wanhai Sun | Substance superconductrice et son procede de preparation |
| JP2012020927A (ja) * | 2010-07-15 | 2012-02-02 | Silberline Manufacturing Co Inc | 酸化マンガンバナジウムタンタル、およびそれで被覆されたブラックメタリック効果を有する顔料 |
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