JPH04124013A - 酸化物超電導物質 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、新規な超電導物質に係り、特に安定な酸化物
超電導物質に関する。

〔従来の技術〕

高い臨界温度を持つ銅酸化物系のＬａ−Ｂａ−Ｃｕ−０
ペロブスカイト型構造の超電導体が発見された。（例え
ば、時開６３−２６０８５３　、時開６３−１９０７１
２など）その後、臨界温度が９０に級のＹ−Ｂ　ａ　−
Ｃｕ−０（Ｍ、　Ｋ、　Ｗｕ、　Ｊ、　Ｒ，Ａｓｈｂｕ
ｒｎ、　Ｃ。

Ｊ、　Ｔｏｒｎｇ、　Ｙ、　ＱＪａｎｄ　ａｎｄ　Ｃ，
Ｌ　Ｃｈｕ　：　Ｐｈｙｓ。

Ｒｅｖ、　Ｌｅｔｔ、、　５８（１９８７）９０８）が
発見され、液体窒素を冷媒とする超電導の応用技術が期
待されるようになった。

特により高い臨界温度を持つ材料の開発は、進歩がめざ
ましく、１９８８年には、Ｂ１−８ｒ−Ｃａ　−Ｃｕ−
○系の酸化物が臨界温度１１０に級の超電導体として発
見され（Ｈ，Ｍａｅｄａ、　Ｙ、　Ｔａｎａｋａ。

Ｍ、　Ｆｕｋｕｔｏｍｉ　ａｎｄ　Ｔ、　Ａｓａｎｏ　
：　Ｊｐｎ、　Ｊｒ＋Ａｐｐｌ。

Ｐｈｙｓ、　２７（１９８８）Ｌ　２０９）　、さらに
臨界温度が１２０に級のＴ　Ｑ−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−０
系酸化物超電導体が発見された（Ｚ、　Ｚ、　Ｓｈｅｎ
ｇ　ａｎｄ　Ａ、　Ｍ。

ＨｅｒＩｏａｎｎ　　：　　Ｎａｔｕｒｅ　　３２２（
１，９８８）５５）　　にれらは、いずれも銅酸化物を
含むペロブスカイトあるいはその類似の結晶構造をもつ
もので。

その荷電キャリアはホールであることが知られている。

一方荷電キャリアが電子である系としてＮｄ−Ｃｅ−Ｃ
ｕ−０酸化物が２０に級の超電導体として発見された（
Ｔ、　Ｔｏｋｕｒａ、　Ｈ，Ｔａｋａｇｉ、　Ｓ。

Ｕｃｈｉｄａ　：　Ｎａｔｕｒｅ　３３７．３４５−３
４７（１９８９）。

これらの−船釣な製造法は、それぞれの構成金属の炭酸
塩もしくは酸化物を粉末状に混合粉砕して、空気中ある
いは酸素中または還元雰囲気で８００〜１１００℃の温
度で５分〜数百時間焼成して得られる。しかしながら、
Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０、Ｂ１−８ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０，Ｔ
Ｑ−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−○系に代表される層状あるいは
複合層状ペロブスカイト構造には、暦数の異なる複数の
超電導体が存在し、それぞれ異なった臨界温度を持って
いる。それぞれの超電導体において、暦数の異なる構造
のあいだの自由エネルギー変化が小さく、合成に際して
それぞれを選択的に分別合成するのは非常に困難である
。例えば、Ｂ１−５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−○系においては。

Ｂ　ｉｚｓ　ｒｚＣｕｘｏａ　（臨界温度７に＝低温相
）、ＢｉｚＳｒ＋、ＣａｚＣｕｚ○６（臨界温度８０〜
９０に：中温相）、Ｂ　ｉ　ｚｓ　ｒｚｃ　ａ　ｚＣｕ
　８ｏｌｏ（臨界温度１１０に＝高温相）のそれぞれが
超電導体であり、この中で臨界温度の最も高いＢｉｚＳ
ｒｚＣａｚＣｕｓＯｘｏを合成するために原料の原子比
を２：２：２：３に調整しても焼結体は中温和と高温相
の混合状態として合成され、単一相を得ることは困難で
ある。

〔発明が解決しようとする課題〕

この結果、この超電導材料を線材、コイル、エレクトロ
ニクス素子、デバイスなどに応用するにあたって最も重
要な特性である臨界電流密度や臨界磁界が低くなるとい
った問題点が生じる。またこれら銅酸化物ペロブスカイ
ト系超電導体は、環境とりわけ炭酸ガス及び／または水
分によって化学分解したり、なかには粉砕などの機械加
工などによって結晶構造の崩壊がおこる、あるいは温度
、酸素分圧の変化によって結晶の酸素欠損を生じ、その
超電導特性を大きく低下させるなど環境安定性に問題が
ある。

〔課題を解決するための手段〕

従来の超電導体に関する問題点の原因については、まだ
明確ではないが、実用化にあたり、解決すべき点は多い
。本発明は、上記した問題点を解決する新しい超電導物
質にかかわり、臨界温度が高く、安定な酸化物超電導体
及びそれらを用いた超電導材料、デバイス、機器を提供
することを目的としたものである。

本発明のもう一つの目的は該酸化物超電導体の合成法を
提供することである。

上記目的を達成するために発明者らは鋭意研究した結果
、以下に示す組成、製造方法、応用デバイス、装置を発
見するにいたった。即ち化学組成式が一般式 Ａｘ−Ｂｙ−Ｂ′Ｚ−Ｃｖ−Ｏｗ 但し、 Ａ　＝アルカリ土金属、アルカリ金属、ランタニド金属
、イツトリウム、スカンジ ウムのうちから選ばれた少なくとも一 つ Ｂ　＝タリウム、釦、ビスマス、インジウム。

アンチモン、スズ、ニオビウム、バナ ジウム、チタン、マンガン、クロム。

鉄、コバルト、ニッケルのうちから選 ばれた少なくとも一つ Ｂ′＝タリウム、釦、ビスマス、インジウム。

アンチモン、スズ、ニオビウム、バナ ジウム、チタン、マンガン、クロム。

鉄、コバルト、ニッケルのうちから選 ばれた少なくとも一つ Ｃ＝銅 Ｏ＝酸素 ｘ　　＝Ｏ，Ｏ１〜３．０ ｙ　　＝０〜２．５ ｚ　　＝０〜２．５ ０≦Ｖ≦（ｙ＋ｚ）／２ ｗ　　＝２〜１６ であられされる組成物を、ＢまたはＢ′の元素の少なく
とも一方が複数の原子価を取るように酸素分圧を調整し
た雰囲気下で焼成することによって、臨界温度が高く、
安定な酸化物超電導体を造ることができる。

また蒸気圧の高いＢ、Ｂ’酸成分含む超電導体を合成す
るにあたっては、Ａ成分とＡ′成分の混合物あるいは焼
結粉末を予め例えばヘリウム、アルゴン、窒素、水素な
どの酸化不活性あるいは還元雰囲気下で焼成したものを
ＢまたはＢ′の元素の少なくとも一方が複数の原子価を
取るように酸素分圧を調整した雰囲気下でＢ、Ｂ’酸成
分気相と反応させて造ることもできる。

このようにして得られた該酸化物超電導体は、表面層に
非晶質相を形成、あるいは緩酸化処理、あるいは吸着水
素除去処理を施すことにより、さらに環境安定性を向上
することができる。

〔作用〕

本発明になる組成物の原料は、焼成時に反応して複合酸
化物を与えるものであれば特に限定はなく、化学組成式
が一般式 Ａｘ−Ｂｙ−Ｂ’　ｚ−Ｃｖ−Ｏｗ 但し、 Ａ　＝アルカリ土金属、アルカリ金属、ランタニド金属
、イツトリウム、スカンジ ウムのうちから選ばれた少なくとも一 つ Ｂ　＝タリウム、鉛、ビスマス、インジウム。

アンチモン、スズ、ニオビウム、バナ ジウム、チタン、マンガン、クロム。

鉄、コバルト、ニッケルのうちから選 ばれた少なくとも−っ Ｂ’　＝タリウム、鉛、ビスマス、インジウム。

アンチモン、スズ、ニオビウム、バナ ジウム、チタン、マンガン、クロム。

鉄、コバルト、ニッケルのうちから選 ばれた少なくとも一つ Ｃ；綱 ○　＝酸素 ｘ　　＝０．０１〜３．０ ｙ　　　＝０〜２．５ ２　　＝○〜２．５ ０≦Ｖ≦（ｙ＋ｚ）／２ ｗ　　　＝２〜１６ であられされる組成物を構成するＡ、Ｂ、Ｂ’　Ｃ元素
の酸化物、硝酸塩、炭酸塩、アンモニウム塩、ハロゲン
化物、有機酸塩、有機金属錯体などを用いることができ
る。中でも酸化物、アンモニウム塩、有機酸塩などをも
ちいることは好ましい。また、Ａ元素の組合せにより、
Ｂ、Ｂ’　、Ｃ元素の原子価を最適に調整することがで
きる。

原料の混合に関しても各成分が均質に分散混合していれ
ば特に限定はなく、原料物質の固体を直接混合粉砕する
方法や、原料の水溶液あるいは非水溶液から上記組成物
の前駆体である不溶性の混合水酸化物、混合蓚酸塩及び
混合錯塩あるいはこれらを複合した形態でつく方法、例
えば、共沈法（逐次沈殿法、緊密共沈法なと）、沈殿混
線法などが上げられる。また、原料物質の二〜三の成分
を予め共沈法や沈殿混線法で調製したあとに残余の成分
の溶液を含浸して合成することもできる。

またＡ、Ｂ、Ｂ’　、Ｃの二つ以上の混合原料を予め高
温で溶融し、これを急冷して非晶質物をつくり、これを
焼成することによって合成することもできる。

上記のような方法で調製された組成物の焼成は。

混合粉末のままあるいはペレットなどの形状に成形した
ものを７００’Ｃ以上の温度で焼成することによって合
成することができる。この時の雰囲気は、Ｂ、Ｂ’　ま
たはＣの元素の少なくとも一方が複数の原子価を取るよ
うに酸素分圧を調整することが必要である。またこのよ
うな焼成法で合成するときは焼成体を再度粉砕して焼成
する工程を複数回繰り返すことは、均質で体積率の高い
、特性の優れた超電導体を合成するためには有効な方法
である 合成反応は、上記したような通常の粉末あるいはペレッ
トなどを焼成して得る他に、蒸着法、スパッタ法、ＣＶ
Ｄ法や溶射法などで組成物を直接膜状に形成する方法な
ども好ましい方法である。

この時、膜をつくる基板を加熱する方法や酸素分圧を調
整したガスを活性化したものを膜に供給しながら形成す
ることは、良質の薄膜を形成する上で好ましい方法であ
る。薄膜を形成するさいに、蒸気圧の高いＢ、Ｂ’酸成
分含む超電導膜では、成膜した後にこの膜をＢ、Ｂ’酸
成分蒸気雰囲気でアニールする方法やＡ成分、Ｂ成分　
Ｂ　／成分。

Ｃ成分あるいはＡ、Ｂ混合成分とＡ、、Ｂ’酸成分その
結晶構造、組成に合わせて交互に積層する方法は有効で
ある。またこの交互積層方法は特定の結晶構造の超電導
体を選択的に合成する方法としても有効な方法である。

得られた酸化物超電導体を線材化する方法には、塑性加
工法のように、超電導体あるいは粉末混合原料を金属パ
イプに充填して、これを延伸加工して、細線化する方法
、基板上に溶射法、ＣＶＤ法、スパッタ法、蒸着法など
で成膜して、テープ状線材とする方法や超電導体あるい
はその原料を融液化してこれを芯材に塗布する方法、溶
湯急冷法。

超電導体あるいはその原料粉末をバインダーとともにス
ラリーあるいはペースト化してテープキャスティング法
、印刷法で線状に加工する方法がとられる。以下に塑性
加工法で線材化する場合を例にとって詳細に説明する。

予め、前に述べた方法で合成された超電導材料をライカ
イ機あるいはボールミルで平均粒径が数ミクロンから十
数ミクロン程度に粉砕する。この粉末を４〜１０ＩＩｇ
径の金属パイプ（例えば、金。

銀、金−パラジウム、銀−パラジウム、銅−ニッケル、
銅−アルミニウムなど）に充填して、これをスェージャ
−で延伸し１閣以下の線状に加工する。これをこのまま
用いるかあるいはさらにロール、プレスなどで圧延して
テープ状にしたものを７００℃以上の温度で焼結するこ
とによって超電導線材を製造することができる。

この焼結によって超電導粉末は結合することになるので
、線材をコイル状に加工したり、配線加工などの目的に
適応する場合には、その形状に加工した後に焼結するこ
とが好ましい。この時シース線材中で異方性超電導体の
配向性を高める目的で、予め板状結晶粒を合成し、これ
に剪断力与えながら加工する方法やシース中に充填され
た超電導体あるいは原料を溶融して一方向凝固する方法
は有効である。

さらに、該超電導体の環境安定性を向上させる為に、次
のような処理を施す。該超電導体の形状は、粉末、バル
ク、膜、線材等のいずれでも良く、該処理は、合成、製
造過程における最適な工程において行う、該処理の一つ
は、該超電導体の表面層を非晶質化するものである。例
えば、レーザを用いて該超電導体の表面層を急熱急冷す
ることにより非晶質化する。あるいは、アルゴン、窒素
。

酸素等のイオンを打ち込むイオンプランテーション法に
より、表面の結晶性を乱して非晶質化する。

あるいは、電子または中性子を照射することにより表面
層に非晶質相を形成する。もう一つの処理は、表面の緩
酸化処理である。例えば、最終の熱処理の冷却時に炭酸
ガスあるいはドライアイス等を用いて表面の緩酸化をす
ることができる。またもう一つの処理は、表面の吸着水
素を除去する処理である。該処理は一つあるいは二つ以
上の処理を続けて行うことができる。

〔実施例〕

実施例１゜ ＮＨ４ＶＯ３，ＳｒＯ，ＣｅＯ２，Ｔｍ２Ｏ３を出発原
料として用い、Ｖ：Ｓｒ：Ｃｅ：ＴＱの原子比が１　：
　０．９　：　０．１　：　０．２　　となるように秤
量する。まず、ＴΩＺＯ３以外の原料粉末を混合し、９
８０℃で１０時間、大気中で焼成する。該粉末を粉砕、
混合後、φ２０Ｔｍのペレットに成形し。

４％Ｈｘ／　Ｈｅ　　ガス雰囲気下、１０５０℃で５時
間焼成する。該粉末を粉砕、混合後、φ２０ｍｍのペレ
ットに成形し、再度４％Ｈ２／Ｈｅ　ガス雰囲気下、１
０５０℃で５時間焼成する。該粉末を粉砕、Ｔｌ２１１
０３を加えて均一に混合した後、φ２０圃のペレットに
成形した。このペレットから約２ｎｏ　Ｘ　３　ａｎ　
Ｘ　２０　ｎｏの試料片を切り出し、Ａｕ管に４％Ｈｚ
／Ｈｅ　　ガス雰囲気下で、封印した。該試料を４％Ｈ
ｚ／Ｈｅ　　ガス雰囲気下、８５０℃で５時間焼成した
。この試料をＡｕ管から取り出し、電気抵抗の温度依存
性を直流４端子法により測定したところ、試料温度の低
下にともなって１００に近傍までほぼ直線的に減少して
いくが、９６に付近で急激に抵抗が落ち始め、９０にで
抵抗値は零になった。次に、レーザーを用いてこの試料
の表面を急熱急冷し、表面層を非晶質化した。レーザー
は、エキシマレーザ−を用い、１００ｍＪ／ａｔ、１０
０Ｈｚでパルス照射した。照射後の試料の非晶質相の厚
さを走査型電子顕微鏡を用いて調べたところ、３〜１０
μｍであった。この試料を１力月間、空気中に放置した
後、電気抵抗の温度依存性を直流４端子法により測定し
たところ１作製直後と同等の変化を示し、環境安定性が
向上しているのが分った・ 実施例２゜ ＶｚＯｓ、ＳｒＯ，Ｂａｄ、Ｃａｂ、ＣｅＣ）ｚ＋ＴＱ
ｚＯｓを出発原料として用い、原子比が表１となるよう
に秤量する。まず、ＴＱｚＯｓ以外の原料粉末を混合し
、１０００℃で１０時間、大気中で焼成する。

第 表 該粉末を粉砕、混合後、φ２０ｍ＋のペレットに成形し
、４％Ｈｚ　／　Ｈｅ　　ガス雰囲気下、１０５０℃で
５時間焼成する。該粉末を粉砕、混合後、φ２０■のペ
レットに成形し、再度４％Ｈ２／Ｈｅガス雰囲気下、１
０５０℃で５時間焼成する。該粉末を粉砕、ＴＲｚＯｓ
を加えて均一に混合した後、φ１０ＩＩＩ１１のペレッ
トに成形し、アルミナボート中に置いた。この際Ｔｆｌ
が揮散し易いため、ペレットの前にＴｌ１１２０３粉末
を置いた。このペレットを４％Ｈ２／Ｈｅ　　ガス雰囲
気下、８６０℃で５時間焼成し、その後１０℃／＋＋＋
ｉｎで５００℃まで炉冷した。ここで炭酸ガスを注入し
、緩酸化処理を行いながら室温まで炉冷した。この試料
の電気抵抗の温度依存性を直流４端子法により測定した
ところ、表１に示すようなＴｃオンセントを示した。

この試料を２週間、空気中に放置した後、電気抵抗の温
度依存性を直流４端子法により測定したところ、Ｔｃオ
ンセットの劣化はほとんど無く、環境安定性が向上して
いるのが分かった。また、これらの試料の微構造と組成
をＳＥＭ−ＥＤＸ装置を用いて調べたところ、粒径ｏ、
０１〜５０μｍのＴＱ、金属が焼結体中に分散している
のが勿かった。

実施例３ Ｔ　Ｑ　２０ｓ、Ｂａｄ、ＣｅＯ２をＴＱ：Ｂａ：Ｃｅ
の原子比が１　：　０．７　：　０．３となるように秤
量し、混合後、９００℃で１０時間、大気中で焼成し、
粉末Ａを得る。一方、ＮＨ４ＶＯ３，Ｓ　ｒ○を■：Ｓ
ｒの原子比が１＝１となるように秤量し、混合後、９０
０℃で１０時間、大気中で焼成する。該粉末を粉砕、混
合後、さらに４％Ｈ２／　Ｈｅ　　ガス雰囲気下、１０
５０℃で５時間焼成し、粉末Ｂを得る。粉末Ａ及び粉末
ＢをＴＲ：Ｖの原子比が］：１になるように秤量、混合
後、φ２０ｍｍのペレットに成形した。このペレットか
ら約２　＋ｎｍ　Ｘ　３　ｒｍＸ２０１ｍ＋の試料片を
切り出し、該試料片をＡ　ｕＰｄ管に、４％Ｈ２／　Ｈ
ｅ　　ガス雰囲気下で封印した。該封印試料を４％Ｈ２
／Ｈｅ　　ガス雰囲気下、７００℃で５時間焼成した。

二の試料をＡｕ−Ｐｄ管から取り出し、電気抵抗の温度
依存性を直流４端子法により測定したところ、Ｔｃオン
セット７０Ｋを示した。次にこの試料にイオンを照射し
た。Ｎ２イオンを電圧２００ＫｅＶで４Ｘ１０１’ａｔ
ｏｍｓ／ａｄ注入した。この試料を２週間、空気中に放
置した後、電気抵抗の温度依存性を直流４端子法により
測定したところ、Ｔｃオンセットの劣化はほとんど無く
、環境安定性が向上しているのが分かった。

実施例４ 表２に示した仕込み組成の粉末を秤量、混合後、φ２０
１１１１１のペレットに成形し、４％Ｈ２／　Ｈｅ　　
ガス雰囲気下、９００℃で２時間焼成した。その後５℃
／ｍｊｎで６００℃まで炉冷した。ここで炭酸ガスを注
入し、緩酸化処理を行いながらさらに室温まで炉冷した
。これら試料の電気抵抗の温度依存性を直流４端子法に
より測定したところ、表２に示すようなＴ’ｃオンセッ
トを示した。この試料筒 表 を２力月、 空気中に放置した後、 電気抵抗の温度 依存性を直流４＠子法により測定したところ、Ｔｃオン
セットの劣化はほとんど無く、環境安定性が向上してい
るのが分かった。

実施例５ ｒｆマグネトロンスパッタリング法を用いて、超電導膜
を作成した。まず、スパッタを表３の条件で行った。得
られた膜をＴΩ２０３粉末存在下で、４％Ｈ２／　Ｈｅ
　　ガス雰囲気中、８ｏＯ℃で１時間第　　３　　表 熱処理し、膜中にＴＱを拡散させ、超電導膜とした。得
られた膜の電気抵抗の温度依存性を直流４端子法により
測定したところ、Ｔｃオンセットは１２７Ｋを示した９
次に、レーザーを用いてこの試料の表面を急熱急冷し、
表面層を非晶質化した。レーザーは、エキシマレーザ−
を用い、３０ｍＪ／ａＪ、６０Ｈｚでパルス照射した。

この試料を１週間、空気中に放置した後、電気抵抗の温
度依存性を直流４端子法により測定したところ５作製直
後と同等の変化を示し、環境安定性が向上しているのが
分かった。

実施例６ 実施例５と同様な方法で組成を変えたターゲットを用い
て膜を作成した。得られた膜をＴＱ２０ｓ粉末存在下で
、４％Ｈ２／　Ｈｅ　　ガス雰囲気中、６５０〜８００
℃で１〜３時間熱処理し、膜中にＴＱを拡散させ、超電
導膜とした。表４に、用いたターゲット組成と得られた
超電導膜のＴｃオン第 表 セントを示した。熱処理時には３００℃まで炉冷した後
、炭酸ガスを注入し、緩酸化処理を行った。

これらの試料を２週間、空気中に放置した後、電気抵抗
の温度依存性を直流４端子法により測定したところ、Ｔ
ｃオンセットの劣化はほとんど無く、環境安定性が向上
しているのが分かった。

〔発明の効果〕

本発明によれば、臨界温度、臨界磁界、臨界電流密度。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、化学組成式が一般式 Ａｘ−Ｂｙ−Ｂ′Ｚ−Ｃｖ−Ｏｗ 但し、 Ａ＝アルカリ土金属、アルカリ金属、ラ ンタニド金属、イットリウム、スカ ンジウムのうちから選ばれた少なく とも一つ Ｂ＝タリウム、鉛、ビスマス、インジウ ム、アンチモン、スズ、ニオビウム、 バナジウム、チタン、マンガン、ク ロム、鉄、コバルト、ニッケルのう ちから選ばれた少なくとも一つ Ｂ′＝タリウム、鉛、ビスマス、インジウ ム、アンチモン、スズ、ニオビウム、 バナジウム、チタン、マンガン、ク ロム、鉄、コバルト、ニッケルのう ちから選ばれた少なくとも一つ Ｃ＝銅 Ｏ＝酸素 ｘ＝０．０１〜３．０ ｙ＝０〜２．５ ｚ＝０〜２．５ ０≦ｖ≦（ｙ＋ｚ）／２ ｗ＝２〜１６ で表される組成物であって、表面層に非晶質相を持つこ
   とを特徴とする超電導物質。 ２、請求項１において、レーザ照射により、表面層に非
   晶質相を形成することを特徴とする超電導物質。 ３、請求項１において、イオンインプランテーション法
   を用いて、表面層に非晶質相を形成することを特徴とす
   る超電導物質。 ４、請求項１において、電子あるいは中性子を照射する
   ことにより、表面層に非晶質相を形成することを特徴と
   する超電導物質。 ５、化学組成式が一般式 Ａｘ−Ｂｙ−Ｂ′ｚ−Ｃｖ−Ｏｗ 但し、 Ａ＝アルカリ土金属、アルカリ金属、ラ ンタニド金属、イットリウム、スカ ンジウムのうちから選ばれた少なく とも一つ Ｂ＝タリウム、鉛、ビスマス、インジウ ム、アンチモン、スズ、ニオビウム、 バナジウム、チタン、マンガン、ク ロム、鉄、コバルト、ニッケルのう ちから選ばれた少なくとも一つ Ｂ′＝タリウム、鉛、ビスマス、インジウ ム、アンチモン、スズ、ニオビウム、 バナジウム、チタン、マンガン、ク ロム、鉄、コバルト、ニッケルのう ちから選ばれた少なくとも一つ Ｃ＝銅 Ｏ＝酸素 ｘ＝０．０１〜３．０ ｙ＝０〜２．５ ｚ＝０〜２．５ ０≦ｖ≦（ｙ＋ｚ）／２ ｗ＝２〜１６ で表される組成物であり、かつＴｌ金属を含有すること
   を特徴とする超電導物質。 ６、請求項５において、粒径０．０１〜５０μｍのＴｌ
   金属が超電導相内に分散していることを特徴とする超電
   導物質。 ７、化学組成式が一般式 Ａｘ−Ｂｙ−Ｂ′ｚ−Ｃｖ−Ｏｗ 但し、 Ａ＝アルカリ土金属、アルカリ金属、ラ ンタニド金属、イットリウム、スカ ンジウムのうちから選ばれた少なく とも一つ Ｂ＝タリウム、鉛、ビスマス、インジウ ム、アンチモン、スズ、ニオビウム、 バナジウム、チタン、マンガン、ク ロム、鉄、コバルト、ニッケルのう ちから選ばれた少なくとも一つ Ｂ′＝タリウム、鉛、ビスマス、インジウ ム、アンチモン、スズ、ニオビウム、 バナジウム、チタン、マンガン、ク ロム、鉄、コバルト、ニッケルのう ちから選ばれた少なくとも一つ Ｃ＝銅 Ｏ＝酸素 ｘ＝０．０１〜３．０ ｙ＝０〜２．５ ｚ：０〜２．５ ０≦ｖ≦（ｙ＋ｚ）／２ ｗ＝２〜１６ で表される組成物であり、表面に緩酸化処理をほどこし
   たことを特徴とする超電導物質。 ８、請求項７において、表面の緩酸化処理を、炭酸ガス
   あるいはドライアイスを用いることを特徴とする超電導
   物質。 ９、化学組成式が一般式 Ａｘ−Ｂｙ−Ｂ′ｚ−Ｃｖ−Ｏｗ 但し、 Ａ＝アルカリ土金属、アルカリ金属、ラ ンタニド金属、イットリウム、スカ ンジウムのうちから選ばれた少なく とも一つ Ｂ＝タリウム、鉛、ビスマス、インジウ ム、アンチモン、スズ、ニオビウム、 バナジウム、チタン、マンガン、ク ロム、鉄、コバルト、ニッケルのう ちから選ばれた少なくとも一つ Ｂ′＝タリウム、鉛、ビスマス、インジウ ム、アンチモン、スズ、ニオビウム、 バナジウム、チタン、マンガン、ク ロム、鉄、コバルト、ニッケルのう ちから選ばれた少なくとも一つ Ｃ＝銅 Ｏ＝酸素 ｘ＝０．０１〜３．０ ｙ＝０〜２．５ ｚ＝０〜２．５ ０≦ｖ≦（ｙ＋ｚ）／２ ｗ＝２〜１６ で表される組成物であり、表面の吸着水素除去の処理を
   施したことを特徴とする超電導物質。 １０、請求項７において、窒化処理あるいはフッ化処理
   を行うことにより表面の吸着水素を除去することを特徴
   とする超電導物質。 １１、請求項１、５、７及び９においてその形状が粉末
   、バルク、ペレットであることを特徴とする超電導物質
   。 １２、請求項１、５、７及び９の超電導物質を含み、そ
   の形状が線状または平板状であることを特徴とする超電
   導物質。 １３、請求項１２において、該超電導物質以外の導電性
   物質で被覆された線状又は構造物でつくられる面を被覆
   する形状であることを特徴とする超電導物質。 １４、請求項１、５、７及び９記載の超電導物質を含み
   、その形状が厚み１０μｍ以下の薄膜であることを特徴
   とする超電導物質。