JPH01264930A - 酸化物超電導体の製造方法および応用製品 - Google Patents

酸化物超電導体の製造方法および応用製品

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JPH01264930A
JPH01264930A JP63091502A JP9150288A JPH01264930A JP H01264930 A JPH01264930 A JP H01264930A JP 63091502 A JP63091502 A JP 63091502A JP 9150288 A JP9150288 A JP 9150288A JP H01264930 A JPH01264930 A JP H01264930A
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JP
Japan
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oxide superconductor
oxide
temperature
composition
firing
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JP63091502A
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English (en)
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Yuichi Kamo
友一 加茂
Kazuhisa Higashiyama
和寿 東山
Teruo Kumagai
熊谷 輝夫
Katsuzo Aihara
勝蔵 相原
Shinpei Matsuda
松田 臣平
Michiya Okada
道哉 岡田
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E40/00Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
    • Y02E40/60Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment

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  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、超電導体の製造方法及びそれを用いる装置に
係り、特に高い臨界温度を有する酸化物超電導体に好適
な製造方法を提供するものである。
〔従来の技術〕
臨界温度が100〜125Kを示すTu−Ba−Ca−
Cu−0系の超電導体が最近発見された。
これ等の酸化物超電導体の一船釣爬造方法は、タリウム
、銅の酸化物とバリウム、カルシウムの炭酸塩もしくは
、酸化物を粉砕、混合して850〜915℃で5分〜3
時間と比較的短時間で焼成して得られる。サブミツテド
 トウ ネイチャ、1〜15頁、 1988年3月7日
(Submitted t。
Nature、p p、1”l 5.March 7.
1988)参照。
または、成形したペレットを金でラップしたり、石英管
内に密封して焼成される方法もある。例えば日経超電導
1988.3.21を参照。
〔発明が解決しようとする課題〕
上記した従来の製造方法によれば、得られた酸化物超電
導体の臨界温度は、106にと低いものが得られたり、
118〜125にの高い臨界温度を有するものが得られ
ても、単一の結晶相は得られず、複数の結晶構造相が混
在して合成される。
このために、超電導線材や薄膜デバイス等に応用するに
際して目的とする高い臨界温度が得られなかったり、高
い臨界温度が得られても動作時に重要膜な割を演する臨
界電流密度や臨界磁界が低いという問題点を有する。こ
れ等の原因については、まだ明確ではないが、Tfl−
Ba−Ca−Cu −○系酸化物超電導体には、組成の
異なる複数の超電導構造が存在することが考えられてお
り、焼成して超電導体を合成する時に、タリウム酸化物
が高い蒸気圧を有していることに起因していると考えら
れる。
本発明は上記した、超電導体合成過程に関係した問題点
を解決し、高い臨界温度を有し、均質で超電導転移のシ
ャープな特性を有する、臨界電流特性の優れた酸化物超
電導体の製造方法を提供することを目的としたものであ
る。
〔課題を解決するための手段〕
上記した目的を達成するために発明者等は鋭意研究した
結果、以下の方法を見出した。
タリウムと銅を含む組成物において、該組成物を850
℃以下の温度で焼成することを特徴とする酸化物超電導
の製造方法により、臨界温度の高い均質な超電導体を得
ることが出来る。またもう一つの方法は、タリウムと銅
を含む組成物を、タリウム酸化物の蒸気を含む雰囲気で
焼成しても、上記と同様の結果を得ることができる。
〔作用〕
本発明は、タリウムと銅を含む組成物を850℃以下の
温度で焼成するか、もしくはタリウム酸化物蒸気圧雰囲
気で焼成することにより達成される。
以下にその詳細を説明する1組成物の原料は、焼成反応
によって酸化物となるものであれば特に限定はなく、タ
リウム、銅、アルカリ土類の元素の酸化物、硝酸塩、炭
酸塩、ハロゲン化物、有機酸塩、錯体などが用いられる
。中でも酸化物、硝酸塩、炭酸塩を原料とすることは好
ましい。組成物を作るにあたり、その方法についても特
に限定はなく、原料物質の固体を混合粉砕する方法や、
原料物質の水溶液から上記組成物の前駆体である混合水
酸化物や混合炭酸塩、あるいはこれ等を複合した形態で
作る方法、またはタリウム、銅及びアルカリ土類の中の
特定の二〜三成分を予め焼成せしめ、中間体を形成した
後に残余の成分を添加して合成する方法がある。またも
う一つの方法としては、スパッタ法やCVD法、溶射な
どの方法で膜状に組成物を形成する方法などもある。こ
れ等の方法は、超電導体の用途によって適宜選ぶことが
できる。例えばエレクトロニクス素子などは、スパッタ
やCVDなどの成膜法が好ましく、線材を塑性加工する
にあたっては、原料粉末を混合する方法や、原料塩類の
水溶液から混合固形物を前駆体として得る方法(例えば
共沈法など)は好ましい方法である。得られた組成物は
、予備焼成される。これは組成物中の炭酸塩、水酸化物
、硝酸塩などの形態のものを分解して、酸化物あるいは
複合酸化物の形態にする工程である。この予備焼成の温
度は650℃以下が望ましい。従って原料塩の形態によ
っては、分解が進行しない場合も生ずるが、これは酸化
物超電導体の特性に影響はない。予備焼成された原料混
合物は、これを粉砕混合し、望ましい形に成形したあと
に850 ’C以下の温度で焼成される。焼成温度を8
50℃以下とするのは、この組成物中の酸化タリウムは
、−気圧、大気中では、717℃で液化し、さらに87
5℃で酸素が脱離した液体の低次酸化物となり、この低
次酸化物は1080℃で760 mm Hgの蒸気圧を
有する蒸気圧の高い成分となる。従って低次酸化物への
転移温度以下で焼成することが均質な酸化物超電導体を
得るポイントとなる。また均質な酸化物超電導体が合成
できても、焼成温度が850℃以上ではその臨界温度は
100〜110に程度と低く、850℃以下で焼成した
ものについては115〜125にの高い臨界温度のもの
が得られる。
得られた酸化物超電導体を塑性加工法で線材化する方法
を以下に述べる。予め合成された酸化物超電導体は、ラ
イカイ機あるいはボールミルで平均粒子径が数μm〜数
十μm程度に粉砕する。この粉体を4〜10nn径の金
属パイプに充填し、これをスウエージャーで延伸しin
nnn下の細線とする。この線材をそのままか、あるい
はさらにロールで圧延してテープ状にプレスしたものを
850℃以下の温度で焼成することによって、超電導線
材を得ることが出きる。特にこの線材を用いてコイルを
作る場合には塑性加工した線材をコイル状。
に巻いたあとに850 ’C以下の温度で焼成すること
が出来る。線材に用いられる材料は塑性を有し耐熱性が
あれば特に限定されないが、A g r A g−Pd
、Cu−Niなどは好ましいものである。
次に膜状酸化物超電導体の調製法について詳細に説明す
る。膜状酸化物超電導体の製法には塗布法、スパッタ法
、CVD法、溶射法などあるが、これ等は常法に従って
作られる。ここで−例としてスパッタ法について以下に
述べる。
ターゲットは、タリウム、銅、アルカリ土類の混合酸化
物の焼結体あるいは、これらの中の複数成分の複合酸化
物と残余の成分の酸化物の焼結体が用いられる。これを
用いてタリウム、銅、アルカリ土類を含む組成物を基板
状にスパッタ法で添着する。得られた膜状組成物は、空
気中もしくは酸素中で、850℃以下の温度で焼成する
と膜状酸化物超電導体が得られる。
以上いくつかの酸化物超電導体の合成法を説明して来た
が、いずれの場合にも850℃以下の温度で焼成するこ
とが高臨界温度を有する均質な超電導体を得るには必須
である。この時の焼成時間は2時間以上であれば良いが
、本質的には、組成物が、反応して酸化物超電導体合成
に充分な時間で成形体の形によって幾分時間が変化する
〔実施例〕
以下に、本発明の詳細な説明するが、以下は本発明を説
明する一例でありこれに限定されることはない。
〈実施例1〉 TQ2039.14g、BaCO55,92g。
CaC0a 3.OOgおよびCuO4,71gをメノ
ウ製うイカイ機で約30分粉砕混合する。得られた粉末
を磁性アルミナルツボにとり、こ九を650℃で3時間
焼成する。焼成した粉末を再び、メノウ製うイカイ機で
約30分粉砕した粉末を。
820℃、空気中雰囲気で3時間焼成する。得られた粉
末をメノウ製うイカイ機で約30分粉砕し、この粉末4
gを直径30nmのペレットに成形する。
このペレットを空気中、830℃で3時間焼成する。得
られたペレットはTQ:Ba:Ca:Cuを4:3:3
:6の原子比で構成される酸化物であった。このペレッ
トから、15 m X 5 re X厚さllInのピ
ースを切り出し、これに、インジウム半田で四端子を接
合した。この試験片を四端子抵抗法で、抵抗温度曲線を
求めた。その結果、オンセットの臨界温度が130K、
抵抗が零となる温度は120にであった。
く比較例1〉 第1の実施例と同じ組成の650℃で3時間焼成した粉
末4gを直径30mmに成形したペレットを空気中で、
900℃で5分焼成した。このペレットから、実施例1
と同様の方法で試験片を切り出し四端子抵抗法で、抵抗
温度曲線を求めた。その結果、オンセットの臨界温度1
18K、抵抗が零になる温度は104にであった。
〈比較例2〉 第1の実施例と同様の方法で混合し、650℃で予備焼
成したTQ :Ba :Ca :Cuが1:1:1:2
の粉末を実施例1と同様の方法でペレットにして、これ
を900℃で5分、30分、5時間それぞれの時間で焼
成し、これから試験片を切り出して、四端子抵抗法で測
定した。結果を第1表に示す。
第  1  表 30分以上焼成したものは、絶縁体で超電導特性を示さ
なかった。
〈実施例2〉 実施例1と同様の方法でTQ:Ba:Ca:Cuが2:
2:2:3,4:3:3:4,1:1:1:2の組成と
なる酸化物ペレットを合成し、四端子抵抗法で測定した
。結果を第2表に示す。
第  2  表 いずれの場合にも119に以上で抵抗は零となつた。こ
の中でT Q / B a / Ca / Cuが2/
2/2/3の試料についてインダクタンスの温度変化を
測定したところ、オンセットのTcは126にであった
〈実施例3〉 T12 :Ba :Ca :Cuが4:3:3:6の原
子比である酸化物焼結体をターゲットとして、MgO単
結晶を基板として、スパッタリング法で膜状組成物を製
造した。この時、用いたMgO基板は、単結晶の(10
0)面を用いた9加速電圧2kV、ArガスI X 1
02Torrの条件下で製作し、膜厚は5μmであった
。得られた膜状組成物を空気中雰囲気、830℃で3時
間焼成処理をした。この試験片を四端子抵抗法で、抵抗
の温度変化を測定したところ、オンセットの臨界温度は
123に、抵抗は118にで零となった。
〈実施例4〉 実施例1の方法で調整された酸化物超電導体ペレット3
枚を、ボールミルにて粉砕し、平均粒径3〜5μmとな
った粉末を直径6mの銀パイプに充填し、これをドロー
ベンチで直径約1.8 rrtaまで延伸し、線状成形
体とした。これをロール圧延機で、厚さ0.1  rr
tnまで圧延し、テープ状とした。
得られたテープ状成形体を酸素気流中840℃で3時間
焼成処理した。このテープ状線材長さ20mの試験片に
四端子を接合した。この時電圧検出用端子間の距離は1
0+nmであった。この試験片を液体窒素中に浸漬し、
電流端子から直流電流で、電圧・電流特性を評価したと
ころ、電圧検出端子間電圧が、1μVになった時の電流
密度は4200A/dであった。
〔発明の効果〕
以上実施例で本発明を説明したが、本発明によれば、臨
界温度が118に以上の高い特性を有する酸化物超電導
体が得られる。また均質性に優れた線材や薄膜を製造す
ることができ、結果として高い臨界電流密度を達成する
ことができる。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、タリウムと銅を含む組成物を850℃以下で焼成す
    ることを特徴とする酸化物超電導体の製造方法。 2、タリウム、銅とアルカリ土類を含む組成物を850
    ℃以下で焼成することを特徴とする酸化物超電導体の製
    造方法。 3、タリウム、銅、カルシウム、バリウムを含む組成物
    を850℃以下の温度で焼成することを特徴とする酸化
    物超電導体の製造方法。 4、特許請求の範囲1〜3項のいずれか1項において、
    前記組成物又は、酸化物超電導体を基板上に添着もしく
    は、管状構造物内に充填した後に、850℃以下の温度
    で焼成することを特徴とする酸化物超電導体構造物の製
    造方法。 5、特許請求の範囲第4項よりなる酸化物超電導体で構
    成されることを特徴とするコイル、及び該コイルを用い
    たマグネット。 6、特許請求の範囲第4項よりなる酸化物超電導体で構
    成されることを特徴とする電子回路素子。 7、特許請求の範囲第4項よりなる酸化物超電導体で構
    成されることを特徴とする電気配線。 8、特許請求の範囲1〜3項のいずれか1項の組成物を
    タリウム酸化物の蒸気を含む環境下で焼成することを特
    徴とする酸化物超電導体の製造方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH01286977A (ja) * 1988-05-11 1989-11-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 超電導体の製造方法
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