JPH01261259A - Tl含有酸化物超電導成形体の製造方法 - Google Patents
Tl含有酸化物超電導成形体の製造方法Info
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- JPH01261259A JPH01261259A JP63086920A JP8692088A JPH01261259A JP H01261259 A JPH01261259 A JP H01261259A JP 63086920 A JP63086920 A JP 63086920A JP 8692088 A JP8692088 A JP 8692088A JP H01261259 A JPH01261259 A JP H01261259A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はTl含有酸化物超電導成形体の製造方法に関す
るものである。
るものである。
酸化物超電導体、特に液体N温度(77K)以上の臨界
温度(’rc)を有する高温超電導体は、′従来の液体
He極低温を必要とするNbTi、Nb a S n
、 N b N等に代って、実用材料として注目されて
いる。
温度(’rc)を有する高温超電導体は、′従来の液体
He極低温を必要とするNbTi、Nb a S n
、 N b N等に代って、実用材料として注目されて
いる。
前記高温超電導体の内Y B a ICu 5C)r−
x等の希土類系酸化物は、90に前後のT、に留まり、
水分等により急速に劣化し、且つ高価である等、工業材
料としての欠陥が指摘されている。
x等の希土類系酸化物は、90に前後のT、に留まり、
水分等により急速に劣化し、且つ高価である等、工業材
料としての欠陥が指摘されている。
これに代って、B i −3r−Ca−Cu酸化物は約
110にのTcを有するとされているが、通常80に前
後の低温相を生成し易く、高温相を安定して、且つ単相
的に合成する事が困難である。
110にのTcを有するとされているが、通常80に前
後の低温相を生成し易く、高温相を安定して、且つ単相
的に合成する事が困難である。
これに代わるものとして、3価の金属としてTiを用い
た複合Cu酸化物が最近見出されており、例えばT l
−B a −Ca −Cu酸化物は120に位のT、
を有しており、前記Bi系酸化物の欠陥を解消するもの
として期待されている。
た複合Cu酸化物が最近見出されており、例えばT l
−B a −Ca −Cu酸化物は120に位のT、
を有しており、前記Bi系酸化物の欠陥を解消するもの
として期待されている。
然しながら、前記Tl系酸化物においては、Tlが猛毒
元素であるばかりでなく、揮発性物質である為、組成が
一定で且つ均質な超電導物質を工業的規模で合成する事
が困難であった。即ちTl含有超電導体の合成に必要な
700°C以上の高温に加熱すると、Tffiは連発を
始めるので、組成が経時的に変動し易く、場所的にも部
分部分で変動があり、特に合成反応を超電導体全体にわ
たって充分に行なおうとする場合に前記組成変動が顕著
であった。
元素であるばかりでなく、揮発性物質である為、組成が
一定で且つ均質な超電導物質を工業的規模で合成する事
が困難であった。即ちTl含有超電導体の合成に必要な
700°C以上の高温に加熱すると、Tffiは連発を
始めるので、組成が経時的に変動し易く、場所的にも部
分部分で変動があり、特に合成反応を超電導体全体にわ
たって充分に行なおうとする場合に前記組成変動が顕著
であった。
その為、マイスナー効果による磁気シールドや臨界Ts
、@密度(Jc)等の実用特性に優れた超電導体を再現
性良く得る事が困難であった。
、@密度(Jc)等の実用特性に優れた超電導体を再現
性良く得る事が困難であった。
即ち、解決すべき技術課題として、下記(1)〜(4)
が挙げられる。
が挙げられる。
(1)猛毒物質であるTp、含有物質を、所望の条件で
、自由に且つ安全に処理して超電導体化出来、且つ実使
用出来る事。
、自由に且つ安全に処理して超電導体化出来、且つ実使
用出来る事。
(2)加熱処理時に、高温での揮発による組成変動を防
止し、且つ充分な高温反応処理を安定して実施出来る事
。
止し、且つ充分な高温反応処理を安定して実施出来る事
。
(3)外気物質や外力から保護され、必要に応じて電磁
気的に安定化された実用超電導成形体を能率的に製造出
来る事。
気的に安定化された実用超電導成形体を能率的に製造出
来る事。
(4)得られた超電導成形体は、優れた性能を有する事
。
。
(課題を解決する為の手段)
本発明は上記の点に鑑み鋭意検討の結果なされたもので
あり、その目的とするところは、組成が一定で且つ均質
な超電導物質を安全に製造する事が可能なTl含有超電
導成形体の製造方法を提供する事である。
あり、その目的とするところは、組成が一定で且つ均質
な超電導物質を安全に製造する事が可能なTl含有超電
導成形体の製造方法を提供する事である。
即ち本発明は、Tl含有酸化物超電導物質の原料粉体で
ある単体酸化物又は複合酸化物(以下酸化物と称す)を
所定の割合で配合し、金属製容器内に減圧下で封止した
後、700°C以上で加熱処理する事を特徴とするTf
含有酸化物超電導成形体の製造方法である。
ある単体酸化物又は複合酸化物(以下酸化物と称す)を
所定の割合で配合し、金属製容器内に減圧下で封止した
後、700°C以上で加熱処理する事を特徴とするTf
含有酸化物超電導成形体の製造方法である。
T Q −B a −Ca −Cu酸化物を製造する場
合を例にとると、前記Tl含有酸化物超電導物質の原料
粉体である酸化物としては、T1202、BaO1Ca
O1CuO又はB a −Ca 複合酸化物、Cu −
B a −Ca 73合酸化物、Cu−Ba複合酸化物
等を用いる事が出来、更にこれらの過酸化物を用いても
差し支えない。
合を例にとると、前記Tl含有酸化物超電導物質の原料
粉体である酸化物としては、T1202、BaO1Ca
O1CuO又はB a −Ca 複合酸化物、Cu −
B a −Ca 73合酸化物、Cu−Ba複合酸化物
等を用いる事が出来、更にこれらの過酸化物を用いても
差し支えない。
これらの原料酸化物は、所望の配合で混合されてから、
例えば金属面、金属管等の金属製容器内に充填され、減
圧下で封止される。前記金属製容器の材質としては、後
続の加熱処理温度で融解しないものを用いる必要があり
、Cu、Ag、Au、PL、Fe、ステンレススチール
、N1、Ni−Fe合金、モネル、ハステロイ等の超合
金等が挙げられる。特に耐酸化性の金属、中でも貴金属
を用いると有用である。
例えば金属面、金属管等の金属製容器内に充填され、減
圧下で封止される。前記金属製容器の材質としては、後
続の加熱処理温度で融解しないものを用いる必要があり
、Cu、Ag、Au、PL、Fe、ステンレススチール
、N1、Ni−Fe合金、モネル、ハステロイ等の超合
金等が挙げられる。特に耐酸化性の金属、中でも貴金属
を用いると有用である。
前記金属製容器内への封入に先立つ配合物の充填は、熱
処理時における反応性を向上させる為、出来るだけ密に
行なう事が望ましく、配合物を予めCIP等により加圧
成形しておくと良い。
処理時における反応性を向上させる為、出来るだけ密に
行なう事が望ましく、配合物を予めCIP等により加圧
成形しておくと良い。
前記配合物の充填密度を更にあげる為には、金属製容器
内に封止後、熱処理に先立って断面減少率50%以上の
減面加工を加える事が望ましく、その加工方法としては
、押出、プレス、圧延、スウェージング、鍛造、引抜き
等任意の方法をとる事が出来る。
内に封止後、熱処理に先立って断面減少率50%以上の
減面加工を加える事が望ましく、その加工方法としては
、押出、プレス、圧延、スウェージング、鍛造、引抜き
等任意の方法をとる事が出来る。
又配合物の充la密度をあげる為の他の効果的方法は、
配合粉を金属製容器内へ充填する前に、混合粉砕処理す
る事である。前記混合粉砕処理は、アトライターやボー
ルミルを用いて、機械的エネルギーを粉末に付与する事
によって行なう事が出来、少なく共1hr以上処理する
事が望ましい。
配合粉を金属製容器内へ充填する前に、混合粉砕処理す
る事である。前記混合粉砕処理は、アトライターやボー
ルミルを用いて、機械的エネルギーを粉末に付与する事
によって行なう事が出来、少なく共1hr以上処理する
事が望ましい。
更に前記原料酸化物の他に、貴金属やその酸化物を配合
する事も充填密度向上の効果があって、有用である。
する事も充填密度向上の効果があって、有用である。
以上の様にして、封止された金属製容器は、必要に応じ
て前記減面加工が行なわれたり、或いは所望の形状に変
形加工された後、加熱処理される。
て前記減面加工が行なわれたり、或いは所望の形状に変
形加工された後、加熱処理される。
前記熱処理温度は、700 ’C未満であると、Tl含
有超電導体の合成反応が充分に行なわれないので、70
0°C以上で加熱処理する事が望ましく、通常大気中又
は0□気流中で熱処理される。
有超電導体の合成反応が充分に行なわれないので、70
0°C以上で加熱処理する事が望ましく、通常大気中又
は0□気流中で熱処理される。
本発明方法においては、Tl含有酸化物超電導成形体の
製造に際して、原料酸化物を金属製容器内に封止してか
ら加熱処理しているので、有毒物質の外界への飛散はも
とより、超電導体の組成変動を実質上皆無にする事が出
来る。
製造に際して、原料酸化物を金属製容器内に封止してか
ら加熱処理しているので、有毒物質の外界への飛散はも
とより、超電導体の組成変動を実質上皆無にする事が出
来る。
又原料酸化物を減圧下で金属製容器内に封止しているの
で、外気物質や外力から保護され、全工程にわたって形
状が安定した超電導成形体とする事が出来る。
で、外気物質や外力から保護され、全工程にわたって形
状が安定した超電導成形体とする事が出来る。
更に前記配合粉を封止した金属製容器の減面加工や該配
合粉の粉砕処理等の機械的処理を予め加える事により、
目的とする超電導体の合成反応を能率良く、且つ均質に
進行させる事が可能である。
合粉の粉砕処理等の機械的処理を予め加える事により、
目的とする超電導体の合成反応を能率良く、且つ均質に
進行させる事が可能である。
〔実施例1〕
次に本発明を実施例により更に具体的に説明する。
原料粉体としてT l t Os、BaO1Cab、及
びCuOを用い、モル比でTI!、:Ba:Ca:Cu
=2:2:1:2となる様に配合し、ボールミルで4h
r混合粉砕処理した。これをAgパイプ(内径10mm
φ、外径15mmφ)にプレス充填してから、減圧(0
,1Torr)L、、電子ビーム溶接により封止した1
本品に静水圧押出により所定の減面加工を施してから、
850℃でtohr、0□気流中で加熱処理した。この
様にして得られたTl含有酸化物超電導成形体について
、4端子法により臨界温度(T、)を測定した。得られ
た結果を第1表に示した。
びCuOを用い、モル比でTI!、:Ba:Ca:Cu
=2:2:1:2となる様に配合し、ボールミルで4h
r混合粉砕処理した。これをAgパイプ(内径10mm
φ、外径15mmφ)にプレス充填してから、減圧(0
,1Torr)L、、電子ビーム溶接により封止した1
本品に静水圧押出により所定の減面加工を施してから、
850℃でtohr、0□気流中で加熱処理した。この
様にして得られたTl含有酸化物超電導成形体について
、4端子法により臨界温度(T、)を測定した。得られ
た結果を第1表に示した。
(比較例1〕
実施例1で用いたのと同じ配合粉をプレスでペレット成
形してから、実施例1と同様に加熱処理した(但し処理
時間は0.5 h r及び1ohrとした)、この場合
についても)n昇温度(T、)を測定し、その結果を第
1表に併記した。
形してから、実施例1と同様に加熱処理した(但し処理
時間は0.5 h r及び1ohrとした)、この場合
についても)n昇温度(T、)を測定し、その結果を第
1表に併記した。
第1表から明らかな様に、実施例1−1−71゜4品は
いずれも臨界温度(T、)が高く、減面加工率と共にT
cが向上している。一方実施例品と同じ<1Oir熱処
理した比較例1−2品は超電導体が得られず、0.5
h r熱処理した比較例1−1品は、f19にのTcし
か得られなかった。
いずれも臨界温度(T、)が高く、減面加工率と共にT
cが向上している。一方実施例品と同じ<1Oir熱処
理した比較例1−2品は超電導体が得られず、0.5
h r熱処理した比較例1−1品は、f19にのTcし
か得られなかった。
〔実施例2〕 。
実施例1と同様にして得られた混合粉砕粉を、Ag−4
0Pd函体(内寸法・−厚さ:10mm、輻:30mm
、長さ:60mm、外寸法・−・・厚さ:20mm、幅
:40mm、長さニア0mm)にプレス充填してから、
実施例1と同様に減圧封止した0本品を厚さ(外寸法)
5mm迄圧延してからA r −20%02雰囲気のH
IPで390気圧、820℃の処理を1.5 h r行
なった。
0Pd函体(内寸法・−厚さ:10mm、輻:30mm
、長さ:60mm、外寸法・−・・厚さ:20mm、幅
:40mm、長さニア0mm)にプレス充填してから、
実施例1と同様に減圧封止した0本品を厚さ(外寸法)
5mm迄圧延してからA r −20%02雰囲気のH
IPで390気圧、820℃の処理を1.5 h r行
なった。
(実施例3〕
実施例1と同様の配合粉をトルエン中に分散させ、マグ
ネティックスクーラーで4hr混合した粉砕処理なしの
配合粉を、実施例2と同様の函体にプレス充填してから
、実施例1と同様に減圧封止した0本品を厚さ(外寸法
)5mm迄圧延してからA r−20%0□雰囲気のH
IPで390気圧、820°Cの処理を1.5 h r
行なった。
ネティックスクーラーで4hr混合した粉砕処理なしの
配合粉を、実施例2と同様の函体にプレス充填してから
、実施例1と同様に減圧封止した0本品を厚さ(外寸法
)5mm迄圧延してからA r−20%0□雰囲気のH
IPで390気圧、820°Cの処理を1.5 h r
行なった。
(比較例2〕
実施例1と同様にして得られた混合粉砕粉を、プレスで
ペレット成形(厚さ:0.7mm)してから、実施例2
と同様の加熱処理を行なった。
ペレット成形(厚さ:0.7mm)してから、実施例2
と同様の加熱処理を行なった。
この様にして得られた実施例2〜3品及び比較例2品に
ついて実施例1品と同様に臨界温度(TC)を測定し、
その結果を第2表に示した。
ついて実施例1品と同様に臨界温度(TC)を測定し、
その結果を第2表に示した。
次に超電導体の厚さを同じにする為、実施例2及び3品
はそれぞれ2枚重ね、比較例2品は1枚で、液体N、中
にて磁気シールド効果を測定した。
はそれぞれ2枚重ね、比較例2品は1枚で、液体N、中
にて磁気シールド効果を測定した。
即ち超電導体の一方の側で電磁石により20Gauss
の磁場を発生せしめ、前記超電導体の反対側に置いたガ
ウスメーターによりシールド効果を測定して、その結果
を第2表に併記した。
の磁場を発生せしめ、前記超電導体の反対側に置いたガ
ウスメーターによりシールド効果を測定して、その結果
を第2表に併記した。
第 2 表
第2表から明らかな様に、本発明例2〜3品はいずれも
臨界温度(T、)が高く、シールド効果も優れている。
臨界温度(T、)が高く、シールド効果も優れている。
一方比較例2品はTcが低く、シールド効果も低い値し
か得られなかった。
か得られなかった。
本発明方法によれば、組成が一定で且つ均質であり、従
って優れた超電導特性を有するTl含有超電導体を安全
に製造する事が出来、マグネットやケーブル用線材はも
とより、磁気シールド体等広範囲の応用が可能であって
、工業上顕著な効果を奏するものである。
って優れた超電導特性を有するTl含有超電導体を安全
に製造する事が出来、マグネットやケーブル用線材はも
とより、磁気シールド体等広範囲の応用が可能であって
、工業上顕著な効果を奏するものである。
更に本発明方法は、上記用途やデバイス等に有用な超電
導体薄膜を製造する際に使用されるスパッタ等のターゲ
ットの製造にも好適である。即ち実施例2に示した様な
板杖の金属被覆超電導体を得てから、片側の面の金属を
機械加工や化学的エツチング等で除去して超電導体を露
出せしめる事により、ターゲットとして利用する事が出
来る。
導体薄膜を製造する際に使用されるスパッタ等のターゲ
ットの製造にも好適である。即ち実施例2に示した様な
板杖の金属被覆超電導体を得てから、片側の面の金属を
機械加工や化学的エツチング等で除去して超電導体を露
出せしめる事により、ターゲットとして利用する事が出
来る。
この際、除去されなかった残余の金属は、機構的支持体
となるばかりでなく、スパッタリング時の発熱を伝熱放
熱する重要な役目を兼有する事が出来る。
となるばかりでなく、スパッタリング時の発熱を伝熱放
熱する重要な役目を兼有する事が出来る。
Claims (1)
- Tl含有酸化物超電導物質の原料粉体である単体酸化
物又は複合酸化物を所定の割合で配合し、金属製容器内
に減圧下で封止した後、700℃以上で加熱処理する事
を特徴とするTl含有酸化物超電導成形体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63086920A JPH01261259A (ja) | 1988-04-08 | 1988-04-08 | Tl含有酸化物超電導成形体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63086920A JPH01261259A (ja) | 1988-04-08 | 1988-04-08 | Tl含有酸化物超電導成形体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01261259A true JPH01261259A (ja) | 1989-10-18 |
Family
ID=13900292
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63086920A Pending JPH01261259A (ja) | 1988-04-08 | 1988-04-08 | Tl含有酸化物超電導成形体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01261259A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01264930A (ja) * | 1988-04-15 | 1989-10-23 | Hitachi Ltd | 酸化物超電導体の製造方法および応用製品 |
JPH0465319A (ja) * | 1990-07-04 | 1992-03-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 酸化物超伝導材料の製造方法 |
-
1988
- 1988-04-08 JP JP63086920A patent/JPH01261259A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01264930A (ja) * | 1988-04-15 | 1989-10-23 | Hitachi Ltd | 酸化物超電導体の製造方法および応用製品 |
JPH0465319A (ja) * | 1990-07-04 | 1992-03-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 酸化物超伝導材料の製造方法 |
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