JPH07115872B2 - 酸化物超電導体およびその製造方法 - Google Patents
酸化物超電導体およびその製造方法Info
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- JPH07115872B2 JPH07115872B2 JP2157026A JP15702690A JPH07115872B2 JP H07115872 B2 JPH07115872 B2 JP H07115872B2 JP 2157026 A JP2157026 A JP 2157026A JP 15702690 A JP15702690 A JP 15702690A JP H07115872 B2 JPH07115872 B2 JP H07115872B2
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は新規組成の酸化物超電導体およびその製造方法
に関する。
に関する。
（従来の技術） Pb系Cu酸化物超電導体としては、従来から、結晶構造が
2213相構造であるPb2Sr2（Ca,Y）Cu3O8（R.J.Cava et a
l.,Nature 336,pp211,1988を参照）、2202相構造のPb2
（Sr,La）2Cu3O2（H.W.Zandbergen et al.,Physica C 1
59,pp81,1989参照）、1212相構造の（Pb,Sr）Sr2（Y,C
a）Cu2O7または（Pb,Cu）（Sr,Ba）２（Y,Ca）Cu2O
7（T.Rouillon et al.,Physica C 159,pp201,1989,また
は、S.Koriyama et al.,Physica C 166,pp413,1990参
照）、1213相構造であるPbSrBa（Y,Ca）Cu3O8（A.Tokiw
a et al.,Physica C 161,pp459,1989参照）、1201相構
造である（Pb,Cu）（Sr,La）2CuO5（日経超電導,1990年
５月14日参照）などが知られている。
2213相構造であるPb2Sr2（Ca,Y）Cu3O8（R.J.Cava et a
l.,Nature 336,pp211,1988を参照）、2202相構造のPb2
（Sr,La）2Cu3O2（H.W.Zandbergen et al.,Physica C 1
59,pp81,1989参照）、1212相構造の（Pb,Sr）Sr2（Y,C
a）Cu2O7または（Pb,Cu）（Sr,Ba）２（Y,Ca）Cu2O
7（T.Rouillon et al.,Physica C 159,pp201,1989,また
は、S.Koriyama et al.,Physica C 166,pp413,1990参
照）、1213相構造であるPbSrBa（Y,Ca）Cu3O8（A.Tokiw
a et al.,Physica C 161,pp459,1989参照）、1201相構
造である（Pb,Cu）（Sr,La）2CuO5（日経超電導,1990年
５月14日参照）などが知られている。
ただし、これらの超電導体の場合、その組成における酸
素量には不定比性があるため、上記した各組成式の酸素
量指標は理想状態を示すものであり、実際には、酸素量
が上記指標よりも若干ずれているものと考えられる。ま
た、上記した各組成の酸化物超電導体のうち、Ｙを含む
ものは、Ｙに代えて他の希土類元素を用いても超電導性
を示すことが知られている。
素量には不定比性があるため、上記した各組成式の酸素
量指標は理想状態を示すものであり、実際には、酸素量
が上記指標よりも若干ずれているものと考えられる。ま
た、上記した各組成の酸化物超電導体のうち、Ｙを含む
ものは、Ｙに代えて他の希土類元素を用いても超電導性
を示すことが知られている。
（発明が解決しようとする課題） ところで、超電導体材料を各種のセンサやデバイスなど
に使用する際には、それぞれの用途に応じて、種々の特
性が要求される。例えば、用途に応じた適当な臨界温度
を有すること、合成が容易であること、組織が緻密であ
ること、または取扱いが容易であることなどである。
に使用する際には、それぞれの用途に応じて、種々の特
性が要求される。例えば、用途に応じた適当な臨界温度
を有すること、合成が容易であること、組織が緻密であ
ること、または取扱いが容易であることなどである。
このような観点から、前記した各Pb系Cu酸化物超電導体
を検討してみると、例えば、2213相構造,2202相構造及
び1213相構造のものの合成は弱還元性の雰囲気中で酸化
物の混合粉である原料粉を焼成して行われるが、そのと
きの原料粉の焼成時においては、雰囲気中の酸素分圧を
厳密に制御することが必要であり、更には、焼成後に急
冷処理を施すことが必要であって、必ずしも容易に合成
されるものとはいえない。また、1212相構造のうち（Pb
0.5Sr0.5）Sr2（Y,Ca）Cu2O7の組成のものは、その合成
を真空雰囲気中で進めることが必要である。
を検討してみると、例えば、2213相構造,2202相構造及
び1213相構造のものの合成は弱還元性の雰囲気中で酸化
物の混合粉である原料粉を焼成して行われるが、そのと
きの原料粉の焼成時においては、雰囲気中の酸素分圧を
厳密に制御することが必要であり、更には、焼成後に急
冷処理を施すことが必要であって、必ずしも容易に合成
されるものとはいえない。また、1212相構造のうち（Pb
0.5Sr0.5）Sr2（Y,Ca）Cu2O7の組成のものは、その合成
を真空雰囲気中で進めることが必要である。
このように、2213相構造,2202相構造,1213相構造および
1212相構造のうち前記組成のものは、いずれも、その合
成が容易とはいえない。
1212相構造のうち前記組成のものは、いずれも、その合
成が容易とはいえない。
しかも、上記構造のものの合成時には、前記したよう
に、合成は還元性または真空雰囲気中で進められるの
で、一般に原料である酸化物の融点が低下する。そのた
め、焼成温度は、酸化性雰囲気の場合よりも低温にする
ことが必要になり、その結果、得られる超電導体の組織
は緻密になりずらいという問題が生ずる。
に、合成は還元性または真空雰囲気中で進められるの
で、一般に原料である酸化物の融点が低下する。そのた
め、焼成温度は、酸化性雰囲気の場合よりも低温にする
ことが必要になり、その結果、得られる超電導体の組織
は緻密になりずらいという問題が生ずる。
なお、1201相構造および1212相構造のもののうち、組成
が（Pb,Cu）（Sr,Ba）２（Y,Ca）Cu2O7のものは酸化性
雰囲気中で合成できるので、上記したような問題は起こ
らないが、しかし、この組成のものは、有害元素である
Pbの含有量が多く、全体の取扱いに注意を払う必要があ
り、実用的なPb系Cu酸化物超電導体としては難点があ
る。
が（Pb,Cu）（Sr,Ba）２（Y,Ca）Cu2O7のものは酸化性
雰囲気中で合成できるので、上記したような問題は起こ
らないが、しかし、この組成のものは、有害元素である
Pbの含有量が多く、全体の取扱いに注意を払う必要があ
り、実用的なPb系Cu酸化物超電導体としては難点があ
る。
本発明は、Pb系Cu酸化物超電導体における上記した問題
を解決し、特別な焼成雰囲気の制御や急冷処理を必要と
せず、適当な酸化性雰囲気中で容易に緻密に合成するこ
とができ、Pb含有量も少ない新規なPb系Cu酸化物超電導
体とその製造方法の提供を目的とする。
を解決し、特別な焼成雰囲気の制御や急冷処理を必要と
せず、適当な酸化性雰囲気中で容易に緻密に合成するこ
とができ、Pb含有量も少ない新規なPb系Cu酸化物超電導
体とその製造方法の提供を目的とする。
（課題を解決するための手段・作用） ところで、1222相構造は、従来から蛍石型層として知ら
れている構造単位を含んでいる。そして、この蛍石型層
を含む銅酸化物の中には、例えば、（Nd,Ce）２（Nd,B
a）2Cu3O9のような超電導特性を示すものが存在する
（H.Sawa et al.,J.Phys.Soc.Japan,58,pp2252,1989参
照）。
れている構造単位を含んでいる。そして、この蛍石型層
を含む銅酸化物の中には、例えば、（Nd,Ce）２（Nd,B
a）2Cu3O9のような超電導特性を示すものが存在する
（H.Sawa et al.,J.Phys.Soc.Japan,58,pp2252,1989参
照）。
本発明者らは、この蛍石型層を含む銅酸化物超電導体の
多くはCeを含んでいること、酸化性雰囲気中でPb系Cu酸
化物超電導体に合成できること、しかも1222相構造のPb
系Cu酸化物超電導体は、前記した従来の1212相構造のPb
系Cu酸化物超電導体に比べてPb含有量が少ないことに着
目し、本発明のPb系Cu酸化物超電導体を開発することに
成功した。
多くはCeを含んでいること、酸化性雰囲気中でPb系Cu酸
化物超電導体に合成できること、しかも1222相構造のPb
系Cu酸化物超電導体は、前記した従来の1212相構造のPb
系Cu酸化物超電導体に比べてPb含有量が少ないことに着
目し、本発明のPb系Cu酸化物超電導体を開発することに
成功した。
すなわち、本発明においては、次式:Pba（M1-x-yCexS
ry）4Cu3-aOz（式中、Ｍは、Y,La,Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,H
o,Er,Yb,Luの群から選ばれる少なくとも１種を表し、a,
x,y,zは、それぞれ、0.3≦ａ≦0.7,0＜ｘ≦0.25,0.3≦
ｙ＜0.5,8.5≦ｚ≦9.5を満足する数を表す）で示される
組成を有し、かつ、その結晶構造が1222相構造であるこ
とを特徴とする酸化物超電導体が提供され、また、少な
くともPb、Sr,Ce,M（ただし、ＭはY,La,Nd,Sm,Eu,Gd,T
b,Dy,Ho,Er,Yb,Luの群から選ばれる少なくとも１種を表
す）およびCuを含む原料物質を、上記組成となるように
混合し、得られた混合粉を、酸化性雰囲気中において、
900℃をこえ、かつ、1150℃未満の温度域で焼成するこ
とを特徴とする酸化物超電導体の製造方法が提供され
る。
ry）4Cu3-aOz（式中、Ｍは、Y,La,Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,H
o,Er,Yb,Luの群から選ばれる少なくとも１種を表し、a,
x,y,zは、それぞれ、0.3≦ａ≦0.7,0＜ｘ≦0.25,0.3≦
ｙ＜0.5,8.5≦ｚ≦9.5を満足する数を表す）で示される
組成を有し、かつ、その結晶構造が1222相構造であるこ
とを特徴とする酸化物超電導体が提供され、また、少な
くともPb、Sr,Ce,M（ただし、ＭはY,La,Nd,Sm,Eu,Gd,T
b,Dy,Ho,Er,Yb,Luの群から選ばれる少なくとも１種を表
す）およびCuを含む原料物質を、上記組成となるように
混合し、得られた混合粉を、酸化性雰囲気中において、
900℃をこえ、かつ、1150℃未満の温度域で焼成するこ
とを特徴とする酸化物超電導体の製造方法が提供され
る。
本発明の酸化物超電導体は、上記した組成を有し、か
つ、結晶構造が1222相構造であるPb系Cu酸化物超電導体
である。
つ、結晶構造が1222相構造であるPb系Cu酸化物超電導体
である。
本発明の超電導体の結晶構造を、上記組成においてＭが
Euの場合を例にして第１図に示す。
Euの場合を例にして第１図に示す。
この結晶構造は、格子定数ａが3.8Å,cが約29Åの正方
晶として、TlBa2（M,Ce）2Cu2O8（Ｍは前記したと同じ
意味を有する）やPb−Pr−Sr−Cu−Ｏ系の材料として知
られている（Tl系については、C.Matin et al.,Mcd.Phy
s.Lett.B3,pp993,1989を参照。またPb系については、安
達ら、第37回応用物理学関係連合講演会予稿集第１分
冊,pp131を参照）。しかし、これらは、いずれも超電導
物質ではない。
晶として、TlBa2（M,Ce）2Cu2O8（Ｍは前記したと同じ
意味を有する）やPb−Pr−Sr−Cu−Ｏ系の材料として知
られている（Tl系については、C.Matin et al.,Mcd.Phy
s.Lett.B3,pp993,1989を参照。またPb系については、安
達ら、第37回応用物理学関係連合講演会予稿集第１分
冊,pp131を参照）。しかし、これらは、いずれも超電導
物質ではない。
本発明の超電導体において、指数ａが0.3より小または
0.7より大である場合は、その結晶構造には、1222相の
外に例えば1212相のような不純物相が生成し、そのため
超電導特性の劣化が認められるので、ａの値は、0.3〜
0.7の範囲に規制することが必要である。
0.7より大である場合は、その結晶構造には、1222相の
外に例えば1212相のような不純物相が生成し、そのため
超電導特性の劣化が認められるので、ａの値は、0.3〜
0.7の範囲に規制することが必要である。
また、Ceの含有量を表す指数ｘは、０＜ｘ≦0.25の範囲
内に規制される。この範囲を外れると、1222相構造を有
するPb系Cu酸化物超電導体にならないからである。
内に規制される。この範囲を外れると、1222相構造を有
するPb系Cu酸化物超電導体にならないからである。
更に、Srの含有量を表す指数ｙは0.3≦ｙ＜0.5の範囲内
に規制される。この範囲を外れると、指数ｘの場合と同
様に、1222相構造のPb系Cu酸化物超電導体が得られな
い。
に規制される。この範囲を外れると、指数ｘの場合と同
様に、1222相構造のPb系Cu酸化物超電導体が得られな
い。
また、酸素の含有量ｚは後述する焼成条件や冷却条件に
よって変化するが、得られた合成体が超電導体となるよ
うな量であることが必要で、具体的には、8.5≦ｚ≦9.5
の範囲内となるように規制される。ｚがこの範囲から外
れると超電導特性が劣化するからである。
よって変化するが、得られた合成体が超電導体となるよ
うな量であることが必要で、具体的には、8.5≦ｚ≦9.5
の範囲内となるように規制される。ｚがこの範囲から外
れると超電導特性が劣化するからである。
本発明の超電導体は次にようにして合成することができ
る。まず、Pb,Ce,Sr,CuおよびＭを含む原料物質の粉末
を充分に混合する。このときに用いる混合物質として
は、例えば、上記した各元素を含む酸化物，炭酸塩，硝
酸塩，シュウ酸塩，水酸化物などをあげることができ
る。
る。まず、Pb,Ce,Sr,CuおよびＭを含む原料物質の粉末
を充分に混合する。このときに用いる混合物質として
は、例えば、上記した各元素を含む酸化物，炭酸塩，硝
酸塩，シュウ酸塩，水酸化物などをあげることができ
る。
また、各原料物質の混合割合は、それらに含まれている
上記の各金属元素が、合成後にPda（M1-x-yCexSry）4Cu
3-aの組成となるように決められる。
上記の各金属元素が、合成後にPda（M1-x-yCexSry）4Cu
3-aの組成となるように決められる。
ついで、得られた混合粉を酸化性雰囲気中で焼成する。
酸化性雰囲気においては、従来のように、その酸素分圧
を格別制御する必要はなく、適用する雰囲気は、例え
ば、大気であってもよく、また、100％の酸素ガス雰囲
気であってもよい。
を格別制御する必要はなく、適用する雰囲気は、例え
ば、大気であってもよく、また、100％の酸素ガス雰囲
気であってもよい。
焼成温度は、900℃をこえ、かつ、1150℃未満の温度域
に設定される。この焼成温度が900℃以下の場合は、122
2相構造の生成反応が充分に進行せず、上記組成でかつ
緻密な組織のPb系Cu酸化物超電導体の合成が進まない。
また焼成温度が1150℃以上の場合は、Pbの揮散が進み、
それに応じて、1222相構造以外の不純物相が生成しはじ
める。
に設定される。この焼成温度が900℃以下の場合は、122
2相構造の生成反応が充分に進行せず、上記組成でかつ
緻密な組織のPb系Cu酸化物超電導体の合成が進まない。
また焼成温度が1150℃以上の場合は、Pbの揮散が進み、
それに応じて、1222相構造以外の不純物相が生成しはじ
める。
上記した温度域においては、Pb系の1222相構造の生成反
応は、部分溶融状態を経ながら進行していく。そのた
め、上記温度域で焼成することにより、Pb系の1222相構
造の生成反応が迅速に進み、その結果、極めて短時間
で、本発明の1222相構造のPb系Cu酸化物超電導体が合成
される。好ましい焼成温度は1000〜1080℃である。
応は、部分溶融状態を経ながら進行していく。そのた
め、上記温度域で焼成することにより、Pb系の1222相構
造の生成反応が迅速に進み、その結果、極めて短時間
で、本発明の1222相構造のPb系Cu酸化物超電導体が合成
される。好ましい焼成温度は1000〜1080℃である。
焼成時間があまり長くなるとPbの揮散が進んで不純物相
が生成しはじめることにより超電導特性の劣化を招き、
また、焼成時間が短すぎると、上記した部分溶融状態で
進行する1222相構造の生成が不充分となるので、上記し
た焼成温度における焼成時間は、0.5〜５時間の範囲内
に設定されることが好ましい。
が生成しはじめることにより超電導特性の劣化を招き、
また、焼成時間が短すぎると、上記した部分溶融状態で
進行する1222相構造の生成が不充分となるので、上記し
た焼成温度における焼成時間は、0.5〜５時間の範囲内
に設定されることが好ましい。
焼成の終了後、合成体を冷却して本発明の超電導体が得
られる。
られる。
このときの冷却速度は、部分溶融温度（約900℃）の直
下の温度までは10℃/min以上であることが好ましい。冷
却温度がこれより遅くなるとPbの揮散量が多くなるから
である。部分溶融温度直下の温度から300℃程度まで
は、５℃/min以下の冷却速度であることが好ましい。こ
れ以上の冷却速度の場合は、超電導特性の発現に不可欠
な冷却時における酸素の取り込みが不充分となるからで
ある。
下の温度までは10℃/min以上であることが好ましい。冷
却温度がこれより遅くなるとPbの揮散量が多くなるから
である。部分溶融温度直下の温度から300℃程度まで
は、５℃/min以下の冷却速度であることが好ましい。こ
れ以上の冷却速度の場合は、超電導特性の発現に不可欠
な冷却時における酸素の取り込みが不充分となるからで
ある。
（発明の実施例） 実施例１〜11,比較例１〜11 PbO,CeO2,Eu2O3,SrCO3,CuOの各粉末（いずれも純度99.9
％以上）を、第１表に示した組成となるように充分混合
した。
％以上）を、第１表に示した組成となるように充分混合
した。
得られた各混合粉を、850℃の空気中で10時間仮焼した
のち、それを成形し、その成形体を第１表に示した条件
の下で焼成し、最後に焼成体を１℃/minの速度で冷却し
た。
のち、それを成形し、その成形体を第１表に示した条件
の下で焼成し、最後に焼成体を１℃/minの速度で冷却し
た。
得られた各試料につき、Ｘ線回折法でその生成相を同定
し、また、４端子法で電気抵抗率を測定して超電導特性
を調べた。
し、また、４端子法で電気抵抗率を測定して超電導特性
を調べた。
以上の結果を一括して第１表に示した。
実施例10の超電導体につき、電気抵抗率および直流帯磁
率の温度依存性を調べ、その結果を、第２図および第３
図として示した。
率の温度依存性を調べ、その結果を、第２図および第３
図として示した。
第２図から明らかなように、本発明の超電導体は、その
電気抵抗率が、超電導転移により、25Kから減少しはじ
め10Kでゼロになる。また、第３図から明らかなよう
に、直流帯磁率は、超電導によるマイスナー効果のた
め、25K以下で負の値になっている。
電気抵抗率が、超電導転移により、25Kから減少しはじ
め10Kでゼロになる。また、第３図から明らかなよう
に、直流帯磁率は、超電導によるマイスナー効果のた
め、25K以下で負の値になっている。
また、実施例１の超電導体のＸ線（CuKα）回折パター
ンを第４図に示した。第４図から明らかなように、この
超電導体は、格子定数ａは約3.8Å,cが約29.6Åの正方
晶で全ての回折ピークが指数づけでき、全体として1222
相構造の単一相になっている。
ンを第４図に示した。第４図から明らかなように、この
超電導体は、格子定数ａは約3.8Å,cが約29.6Åの正方
晶で全ての回折ピークが指数づけでき、全体として1222
相構造の単一相になっている。
実施例12〜28 第２表で示したように、元素Ｍの種類を変えたことを除
いては、実施例１の場合と同様にして各種の超電導体を
合成した。得られた各超電導体はいずれも極めて緻密で
あった。それらの生成相および超電導特性を一括して第
２表に示した。
いては、実施例１の場合と同様にして各種の超電導体を
合成した。得られた各超電導体はいずれも極めて緻密で
あった。それらの生成相および超電導特性を一括して第
２表に示した。
実施例29〜31 実施例１と同じ混合粉を実施例１の場合と同じ条件で焼
成したのち、得られた焼成体を850℃,800℃および700℃
のそれぞれの温度に10分間で冷却したのち、更に、１℃
/minの速度で室温まで冷却して、冷却条件の異なる３種
類の超電導体を製造した。
成したのち、得られた焼成体を850℃,800℃および700℃
のそれぞれの温度に10分間で冷却したのち、更に、１℃
/minの速度で室温まで冷却して、冷却条件の異なる３種
類の超電導体を製造した。
これら３種類の超電導体はその結晶構造がいずれも1222
相構造であり、またそのTc（オンセット）はいずれも28
Kであって、実施例１の超電導体よりも特性が優れてい
た。
相構造であり、またそのTc（オンセット）はいずれも28
Kであって、実施例１の超電導体よりも特性が優れてい
た。
実施例32 実施例11の超電導体を、１気圧の酸素雰囲気中で800℃
に１時間保持したのち、１℃/minの速度で室温まで冷却
した。その冷却過程では、600℃,500℃.400℃,300℃の
各温度でそれぞれ10時間保持した。
に１時間保持したのち、１℃/minの速度で室温まで冷却
した。その冷却過程では、600℃,500℃.400℃,300℃の
各温度でそれぞれ10時間保持した。
得られた熱処理品につき、電気抵抗率の温度依存性を測
定した。その結果を第５図に示した。
定した。その結果を第５図に示した。
図から明らかなように、30K以下で超電導転移による電
気抵抗率の低下が認められ、その特性は実施例11よりも
向上している。
気抵抗率の低下が認められ、その特性は実施例11よりも
向上している。
なお、Ｘ線回折によれば、この熱処理品の結晶構造は12
22相構造であり、熱処理による結晶構造の変化は認めら
れなかった。
22相構造であり、熱処理による結晶構造の変化は認めら
れなかった。
（発明の効果） 以上の説明で明らかなように、本発明の酸化物超電導体
は、1222相構造を有する新規なPb系Cu酸化物超電導体で
あり、20〜30Kの超電導転移温度を有し、その組織は極
めて緻密であり、また、Pb含有量も少ないので取扱いが
容易である。この超電導体は、Pbを含有しているので、
他の酸化物超電導体に比べて、加工性に優れ、新しいセ
ンサやデバイス等の素材となり得る。
は、1222相構造を有する新規なPb系Cu酸化物超電導体で
あり、20〜30Kの超電導転移温度を有し、その組織は極
めて緻密であり、また、Pb含有量も少ないので取扱いが
容易である。この超電導体は、Pbを含有しているので、
他の酸化物超電導体に比べて、加工性に優れ、新しいセ
ンサやデバイス等の素材となり得る。
また、本発明方法では、酸化性雰囲気内で行われるので
焼成温度を高くすることができ、その結果、組織の緻密
な酸化物超電導体を容易に、かつ、低コストで合成する
ことができる。
焼成温度を高くすることができ、その結果、組織の緻密
な酸化物超電導体を容易に、かつ、低コストで合成する
ことができる。
第１図は本発明の酸化物超電導体の結晶構造を示す概略
図、第２図は実施例10の電気抵抗率の温度依存性を示す
グラフ、第３図は実施例10の直流帯磁率の温度依存性を
示すグラフ、第４図は実施例１のＸ線回折パターンを示
すグラフ、第５図は実施例32の電気抵抗率の温度依存性
を示すグラフである。
図、第２図は実施例10の電気抵抗率の温度依存性を示す
グラフ、第３図は実施例10の直流帯磁率の温度依存性を
示すグラフ、第４図は実施例１のＸ線回折パターンを示
すグラフ、第５図は実施例32の電気抵抗率の温度依存性
を示すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 999999999 古河電気工業株式会社 東京都千代田区丸の内２丁目６番１号 (72)発明者 前田 敏彦 東京都江東区東雲１丁目14番３号 財団法 人国際超電導産業技術研究センター超電導 工学研究所内 (72)発明者 作山 和弘 東京都江東区東雲１丁目14番３号 財団法 人国際超電導産業技術研究センター超電導 工学研究所内 (72)発明者 郡山 慎一 東京都江東区東雲１丁目14番３号 財団法 人国際超電導産業技術研究センター超電導 工学研究所内 (72)発明者 一瀬 中 東京都江東区東雲１丁目14番３号 財団法 人国際超電導産業技術研究センター超電導 工学研究所内 (72)発明者 山内 尚雄 東京都江東区東雲１丁目14番３号 財団法 人国際超電導産業技術研究センター超電導 工学研究所内 (72)発明者 田中 昭二 東京都江東区東雲１丁目14番３号 財団法 人国際超電導産業技術研究センター超電導 工学研究所内 (56)参考文献 特開 昭63−281321（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】次式:Pba（M1-x-yCexSry）4Cu3-aOz（式
中、Ｍは、Y,La,Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Yb,Luの群か
ら選ばれる少なくとも１種を表し、a,x,y,zは、それぞ
れ、0.3≦ａ≦0.7,0＜ｘ≦0.25,0.3≦ｙ＜0.5,8.5≦ｚ
≦9.5を満足する数を表す）で示される組成を有し、か
つ、その結晶構造が1222相構造であることを特徴とする
酸化物超電導体。 - 【請求項２】次式:Pba（M1-x-yCexSry）4Cu3-a（式中、
Ｍは、Y,La,Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Yb,Luの群から選
ばれる少なくとも１種を表し、a,x,y,zは、それぞれ、
0.3≦ａ≦0.7,0＜ｘ≦0.25,0.3≦ｙ＜0.5を満足する数
を表す）で示される組成となるように各成分の原料物質
の粉末を混合し、得られた混合粉を、酸化性雰囲気中に
おいて、900℃をこえ、かつ、1150℃未満の温度域で焼
成することを特徴とする酸化物超電導体の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2157026A JPH07115872B2 (ja) | 1990-06-14 | 1990-06-14 | 酸化物超電導体およびその製造方法 |
| US07/712,264 US5252544A (en) | 1990-06-14 | 1991-06-07 | Oxide superconductor having the formula Pba (M1-x-y Cex Sry)4 Cu3-a Oz where M is at least one rare earth element |
| DE69103692T DE69103692T2 (de) | 1990-06-14 | 1991-06-14 | Supraleitfähiges Oxyd und Verfahren zu seiner Herstellung. |
| EP91109748A EP0463506B1 (en) | 1990-06-14 | 1991-06-14 | Oxide superconductor and its manufacturing method |
| US08/091,832 US5407908A (en) | 1990-06-14 | 1993-07-13 | Method of manufacturing an oxide superconductor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2157026A JPH07115872B2 (ja) | 1990-06-14 | 1990-06-14 | 酸化物超電導体およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0446015A JPH0446015A (ja) | 1992-02-17 |
| JPH07115872B2 true JPH07115872B2 (ja) | 1995-12-13 |
Family
ID=15640563
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2157026A Expired - Lifetime JPH07115872B2 (ja) | 1990-06-14 | 1990-06-14 | 酸化物超電導体およびその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5252544A (ja) |
| EP (1) | EP0463506B1 (ja) |
| JP (1) | JPH07115872B2 (ja) |
| DE (1) | DE69103692T2 (ja) |
Families Citing this family (2)
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|---|---|---|---|---|
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| US6541112B1 (en) * | 2000-06-07 | 2003-04-01 | Dmc2 Degussa Metals Catalysts Cerdec Ag | Rare earth manganese oxide pigments |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN87102231A (zh) * | 1987-03-27 | 1988-10-12 | 中国科学院物理研究所 | 高温超导材料及其制备方法 |
| JPS63281321A (ja) * | 1987-05-14 | 1988-11-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 酸化物超伝導材料の線材化方法 |
| JPS63307114A (ja) * | 1987-06-08 | 1988-12-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 超伝導体の製造方法 |
| JPH02107518A (ja) * | 1988-10-17 | 1990-04-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 酸化物超伝導材料 |
| JPH0764560B2 (ja) * | 1990-10-31 | 1995-07-12 | 財団法人国際超電導産業技術研究センター | 層状銅酸化物 |
-
1990
- 1990-06-14 JP JP2157026A patent/JPH07115872B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-06-07 US US07/712,264 patent/US5252544A/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-06-14 EP EP91109748A patent/EP0463506B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-06-14 DE DE69103692T patent/DE69103692T2/de not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-07-13 US US08/091,832 patent/US5407908A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0446015A (ja) | 1992-02-17 |
| EP0463506A1 (en) | 1992-01-02 |
| DE69103692T2 (de) | 1995-02-02 |
| DE69103692D1 (de) | 1994-10-06 |
| US5252544A (en) | 1993-10-12 |
| US5407908A (en) | 1995-04-18 |
| EP0463506B1 (en) | 1994-08-31 |
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