JP2761727B2 - 酸化物超電導体の製法 - Google Patents
酸化物超電導体の製法Info
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- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、例えば磁気浮上列車及び粒子加速器等の超
電導コイル部分や電子デバイス等に使用される高臨界電
流密度を有する酸化物超電導体の製法に関するものであ
る。
電導コイル部分や電子デバイス等に使用される高臨界電
流密度を有する酸化物超電導体の製法に関するものであ
る。
現在、超電導体はNbTi,Nb3Snなどに代表される金属系
超電導体が実用化されているが、その臨界温度（Tc）は
たかだか20K程度までである。
超電導体が実用化されているが、その臨界温度（Tc）は
たかだか20K程度までである。
しかしながら近年、希土類元素、アルカリ土類元素及
び酸化銅の混合物からなる複合酸化物系超電導体はその
Tcが従来の超電導体と比べ著しく高いものであること
が、フィジカル レビューレターズ58（1978）第908頁
から第910頁（Physical Review Letters 58（1978）pp9
08−910）などにおいて発表され、冷媒として高価で極
低温（4.2K）の液体ヘリウムよりも比較的高温（77K）
の液体窒素で充分使用可能となった。それゆえ、この酸
化物超電導体の各種利用分野における実用化の目度に大
きな前進がみられた。これらの発表に伴い上記利用分野
におけるバルク状又は薄膜状の酸化物超電導体におい
て、そのTcをさらに常温まで高めようとする研究と平行
して、77Kにおける臨界電流密度（Jc）を向上させる研
究がさかんに行われている。
び酸化銅の混合物からなる複合酸化物系超電導体はその
Tcが従来の超電導体と比べ著しく高いものであること
が、フィジカル レビューレターズ58（1978）第908頁
から第910頁（Physical Review Letters 58（1978）pp9
08−910）などにおいて発表され、冷媒として高価で極
低温（4.2K）の液体ヘリウムよりも比較的高温（77K）
の液体窒素で充分使用可能となった。それゆえ、この酸
化物超電導体の各種利用分野における実用化の目度に大
きな前進がみられた。これらの発表に伴い上記利用分野
におけるバルク状又は薄膜状の酸化物超電導体におい
て、そのTcをさらに常温まで高めようとする研究と平行
して、77Kにおける臨界電流密度（Jc）を向上させる研
究がさかんに行われている。
この酸化物超電導体の実用化には、その用途に応じ材
料の性能、特に臨界温度（Tc）と臨界電流密度（Jc）の
向上が要求される。
料の性能、特に臨界温度（Tc）と臨界電流密度（Jc）の
向上が要求される。
RE1Ba2Cu3O７−δ（RE:希土類元素）系組成の酸化物
超電導体は、斜方系に属し、その単位の格子パラメータ
はほぼａ＝3.89Å、ｂ＝3.82Å、ｃ＝11.67Åであり、
物理的な特性も大きな異方性を有することが明確になっ
ている。その為、SrTiO3,MgOなどの単結晶基板上にエピ
タキシャル成長させて、Ｃ軸配向させた薄膜の場合、そ
のJcは１×106A/cm2（磁場が0Tの時でかつ77Kにおい
て）に達している。しかし乍ら、これに比べ通常の粉体
固体反応で製造した焼結体においては、１×103A/cm
2（磁場が0Tの時でかつ77Kにおいて）程度とかなり小さ
い。この値は、磁界を印加することによりさらに下が
り、1Tの時１×102A/cm2程度となる。
超電導体は、斜方系に属し、その単位の格子パラメータ
はほぼａ＝3.89Å、ｂ＝3.82Å、ｃ＝11.67Åであり、
物理的な特性も大きな異方性を有することが明確になっ
ている。その為、SrTiO3,MgOなどの単結晶基板上にエピ
タキシャル成長させて、Ｃ軸配向させた薄膜の場合、そ
のJcは１×106A/cm2（磁場が0Tの時でかつ77Kにおい
て）に達している。しかし乍ら、これに比べ通常の粉体
固体反応で製造した焼結体においては、１×103A/cm
2（磁場が0Tの時でかつ77Kにおいて）程度とかなり小さ
い。この値は、磁界を印加することによりさらに下が
り、1Tの時１×102A/cm2程度となる。
このように、従来の酸化物超電導体の電流密度は金属
系の超電導体に比べ低く、実用的レベルに達していない
のが現状である。
系の超電導体に比べ低く、実用的レベルに達していない
のが現状である。
本発明の目的は臨界温度Tcを劣化させることなく、臨
界電流密度Jcを向上し得るRE1Ba2Cu3O７−δ系の酸化物
超電導体の製法を提供するにある。
界電流密度Jcを向上し得るRE1Ba2Cu3O７−δ系の酸化物
超電導体の製法を提供するにある。
本発明者等は上記問題点に対し、研究を進めた結果、
RE1Ba2Cu3O７−δ（RE＝希土類元素）粉末に対し液相形
成成分としてRE2O3粉末をRE1Ba2Cu3O７−δ 1モルに対
し、0.01〜0.20モルに相当する量で添加混合し、これを
成形後、酸化性雰囲気で液相成形成分が溶出し得る焼成
温度で保持後、冷却することによりRE1Ba2Cu3O７−δの
結晶が再配列し、一方向に緻密に積層された結晶組織が
形成され、それにより臨界電流密度Jcが1500Oeの磁場内
で１×103A/cm2以上の酸化超電導体が得られることを知
見したものである。以後、化学式中のREの説明を省略す
る。
RE1Ba2Cu3O７−δ（RE＝希土類元素）粉末に対し液相形
成成分としてRE2O3粉末をRE1Ba2Cu3O７−δ 1モルに対
し、0.01〜0.20モルに相当する量で添加混合し、これを
成形後、酸化性雰囲気で液相成形成分が溶出し得る焼成
温度で保持後、冷却することによりRE1Ba2Cu3O７−δの
結晶が再配列し、一方向に緻密に積層された結晶組織が
形成され、それにより臨界電流密度Jcが1500Oeの磁場内
で１×103A/cm2以上の酸化超電導体が得られることを知
見したものである。以後、化学式中のREの説明を省略す
る。
以下、本発明を詳述する。なお、化学式中のREに関す
る但書きは省略して説明する。
る但書きは省略して説明する。
Y1Ba2Cu3O７−δ系に代表されるRE1Ba2Cu3O７−δ系
酸化物超電導体の製造には、通常、Y1Ba2Cu3O７−δ合
成粉をつくり、これを成形後、酸化雰囲気で焼結するこ
とによって多結晶の焼結超電導体を得る方法が用いられ
ている。この方法によれば結晶組織は等軸的なものとな
るが、RE1Ba2Cu3O７−δ系結晶はそれ自体、異方性をも
ち、電気的特性も結晶軸方向により異なることが知られ
ている。
酸化物超電導体の製造には、通常、Y1Ba2Cu3O７−δ合
成粉をつくり、これを成形後、酸化雰囲気で焼結するこ
とによって多結晶の焼結超電導体を得る方法が用いられ
ている。この方法によれば結晶組織は等軸的なものとな
るが、RE1Ba2Cu3O７−δ系結晶はそれ自体、異方性をも
ち、電気的特性も結晶軸方向により異なることが知られ
ている。
よって、上記のような等軸的な結晶組織の多結晶体に
おいては、各結晶の向きがまちまちであるため、その電
気的特性は最も低い特性の結晶の向きに支配されること
になる。また、電気的特性に対し粒界が影響することは
もちろんの事である。
おいては、各結晶の向きがまちまちであるため、その電
気的特性は最も低い特性の結晶の向きに支配されること
になる。また、電気的特性に対し粒界が影響することは
もちろんの事である。
本発明によれば、多結晶の酸化物超電導体において、
その板状結晶を同一方向に緻密に積層した組織とするこ
とにより、各結晶粒子の結晶軸による電気的特性の異方
性の影響が低減され、且つ積層構造であることから結晶
粒子相互の粒界相が薄く、粒子が密に接着する。粒界相
が薄くなるとその粒界のポテンシャルが粒界の厚い従来
のRE1Ba2Cu3O７−δの粒界ポテンシャルに比べ低くな
る。このような理由により、単位面積あたりの電流密度
は大きく向上することとなる。
その板状結晶を同一方向に緻密に積層した組織とするこ
とにより、各結晶粒子の結晶軸による電気的特性の異方
性の影響が低減され、且つ積層構造であることから結晶
粒子相互の粒界相が薄く、粒子が密に接着する。粒界相
が薄くなるとその粒界のポテンシャルが粒界の厚い従来
のRE1Ba2Cu3O７−δの粒界ポテンシャルに比べ低くな
る。このような理由により、単位面積あたりの電流密度
は大きく向上することとなる。
本発明の製法によれば、RE1Ba2Cu3O７−δ粉に対し液
相形成成分としてRE2O3粉末を添加し、これを成形後、
酸化性雰囲気で且つ、液相形成成分が溶出する温度にて
保持する。
相形成成分としてRE2O3粉末を添加し、これを成形後、
酸化性雰囲気で且つ、液相形成成分が溶出する温度にて
保持する。
この時、RE1Ba2Cu3O７−δは下記 2RE1Ba2Cu3O７−δ→RE2Ba1Cu1O5＋3BaCuO2＋2CuO に示すように、RE2Ba1Cu1O5とBaCuO2とCuOとから成る液
相成分とに分離し、RE2Ba1Cu1O5結晶を液相成分が取り
囲んだ状態となる。
相成分とに分離し、RE2Ba1Cu1O5結晶を液相成分が取り
囲んだ状態となる。
その後冷却過程においてRE2Ba1Cu1O5とBaCuO2とCuOが
包晶反応によって再結合しRE1Ba2Cu3O７−δが再生成さ
れる。この時、RE1Ba2Cu3O７−δ結晶はRE2Ba1Cu1O5の
結晶の向きに従って成長する。よって本発明によれば、
液相形成成分として添加したRE2O3が液相形成後、この
液相成分が系外に溶出（流動）する過程においてRE2Ba1
Cu1O5を一方向に配向させることにより、RE1Ba2Cu3O
７−δ結晶をその方向に配向させることが可能となり、
結果として、前述したような板状結晶を同一方向に緻密
に積層した組織の酸化物超電導体を得ることができる。
包晶反応によって再結合しRE1Ba2Cu3O７−δが再生成さ
れる。この時、RE1Ba2Cu3O７−δ結晶はRE2Ba1Cu1O5の
結晶の向きに従って成長する。よって本発明によれば、
液相形成成分として添加したRE2O3が液相形成後、この
液相成分が系外に溶出（流動）する過程においてRE2Ba1
Cu1O5を一方向に配向させることにより、RE1Ba2Cu3O
７−δ結晶をその方向に配向させることが可能となり、
結果として、前述したような板状結晶を同一方向に緻密
に積層した組織の酸化物超電導体を得ることができる。
本発明において用いられるRE1Ba2Cu3O７−δ粉末は固
相反応法、共沈法、ゾル−ゲル法、気相合成法等によっ
て合成された任意のものを用いることができるが、好ま
しくは平均粒径0.5〜3.0μｍのものを用いる。
相反応法、共沈法、ゾル−ゲル法、気相合成法等によっ
て合成された任意のものを用いることができるが、好ま
しくは平均粒径0.5〜3.0μｍのものを用いる。
RE2O3の液相形成成分は焼成時の液相生成温度を下げ
るために0.5〜2.0μｍの微粉であることが望ましい。
るために0.5〜2.0μｍの微粉であることが望ましい。
本発明におけるRE2O3の液相形成成分の添加量は前述
したように焼成−冷却過程においてRE2Ba1Cu1O5結晶を
配向し得る液相成分の溶出（流動）を生じせしめる量に
設定される。よって、この液相形成成分の量が少なすぎ
るとRE2Ba1Cu1O5結晶の配向がなされず結果として再生
成されるRE1Ba2Cu3O７−δ結晶を配向することができ
ず、臨界電流密度の向上が望めない。一方、液相形成成
分の量が多すぎるとRE2Ba1Cu1O5の配向は生じるが、最
終的にRE1Ba2Cu3O７−δ結晶の粒界にBaCuO2,CuO,Y2Ba1
Cu1O5の結晶が多く析出し、臨界電流密度の極端な低下
を生じる。このような理由からRE2O3の液相形成成分の
量はRE1Ba2Cu3O７−δ粉末１モル当たり、0.01〜20モ
ル、特に0.03〜0.10モルに設定される。
したように焼成−冷却過程においてRE2Ba1Cu1O5結晶を
配向し得る液相成分の溶出（流動）を生じせしめる量に
設定される。よって、この液相形成成分の量が少なすぎ
るとRE2Ba1Cu1O5結晶の配向がなされず結果として再生
成されるRE1Ba2Cu3O７−δ結晶を配向することができ
ず、臨界電流密度の向上が望めない。一方、液相形成成
分の量が多すぎるとRE2Ba1Cu1O5の配向は生じるが、最
終的にRE1Ba2Cu3O７−δ結晶の粒界にBaCuO2,CuO,Y2Ba1
Cu1O5の結晶が多く析出し、臨界電流密度の極端な低下
を生じる。このような理由からRE2O3の液相形成成分の
量はRE1Ba2Cu3O７−δ粉末１モル当たり、0.01〜20モ
ル、特に0.03〜0.10モルに設定される。
このように配合された粉末はミル等により均一混合
後、成形を行う。
後、成形を行う。
成形に際しては公知の成形手段が採用される。具体的
にはドクターブレード法、引上げ法、押出し法、プレス
成形法等が挙げられ、さらに伸線の製造に際し、Ag等の
管内に入れ、これを伸線加工することももちろん可能で
ある。
にはドクターブレード法、引上げ法、押出し法、プレス
成形法等が挙げられ、さらに伸線の製造に際し、Ag等の
管内に入れ、これを伸線加工することももちろん可能で
ある。
このようにして得られた成形体は酸化雰囲気で焼成さ
れる。また、この時の温度は前述した液相形成成分が系
外に溶出するような焼成温度、言い換えれば系内で液相
が流動し、RE2Ba1Cu1O5結晶を配向し得る温度に設定さ
れる。具体的には、大気中で980〜1150℃、酸素中で100
0〜1200℃に設定する。この焼成温度を大気中で980℃よ
り低く、あるいは酸素中で1000℃より低く設定すると液
相形成成分の溶出、流動が生じないため、結晶を配向す
ることができず、臨界電流密度は向上しない。
れる。また、この時の温度は前述した液相形成成分が系
外に溶出するような焼成温度、言い換えれば系内で液相
が流動し、RE2Ba1Cu1O5結晶を配向し得る温度に設定さ
れる。具体的には、大気中で980〜1150℃、酸素中で100
0〜1200℃に設定する。この焼成温度を大気中で980℃よ
り低く、あるいは酸素中で1000℃より低く設定すると液
相形成成分の溶出、流動が生じないため、結晶を配向す
ることができず、臨界電流密度は向上しない。
一方、空気中で1150℃より高く、あるいは酸素中で12
00℃より高くするとRE1Ba2Cu3O７−δ結晶が再生成され
難くなり、RE2Ba1Cu1O5のままで残存し超電導を示さな
くなる。
00℃より高くするとRE1Ba2Cu3O７−δ結晶が再生成され
難くなり、RE2Ba1Cu1O5のままで残存し超電導を示さな
くなる。
焼成における最高温度での保持時間は試料の形状によ
り決定されるが、ほぼ３〜30分間保持される。
り決定されるが、ほぼ３〜30分間保持される。
焼成後の冷却過程は前述したようにRE2Ba1Cu1O5と、B
aCuO2,CuOとの包晶反応によって生成されるるRE1Ba2Cu3
O７−δ結晶を成長を促進する。この時の冷却温度はRE1
Ba2Cu3O７−δの結晶粒子の大きさに影響を与えるが、
一般には50〜200℃/hrの速度で冷却すれば良い。
aCuO2,CuOとの包晶反応によって生成されるるRE1Ba2Cu3
O７−δ結晶を成長を促進する。この時の冷却温度はRE1
Ba2Cu3O７−δの結晶粒子の大きさに影響を与えるが、
一般には50〜200℃/hrの速度で冷却すれば良い。
このようにして得られたRE1Ba2Cu3O７−δ系酸化物超
電導体は、後述する実施例からも明らかな通り優れた特
性を示すもので、臨界温度Tcが77K以上で、臨界電流密
度1000A/cm2（1500Oe磁場、77K）以上が達成さされる。
電導体は、後述する実施例からも明らかな通り優れた特
性を示すもので、臨界温度Tcが77K以上で、臨界電流密
度1000A/cm2（1500Oe磁場、77K）以上が達成さされる。
なお、本発明において今まで述べた化学式中のREは一
般的希土類元素であり、具体的にはY,Lu,Yb,Tm,Er,Ho,D
y,Gd,Eu,Sm,Ndが挙げられる。
般的希土類元素であり、具体的にはY,Lu,Yb,Tm,Er,Ho,D
y,Gd,Eu,Sm,Ndが挙げられる。
さらに、本発明によれば、RE1Ba2Cu3O７−δにおける
Ba,Cu,Oのそれぞれに対し、RE1Ba2Cu3O７−δ系の超電
導特性を劣化させない範囲において他の元素で一部置換
したものにももちろん適用することができる。
Ba,Cu,Oのそれぞれに対し、RE1Ba2Cu3O７−δ系の超電
導特性を劣化させない範囲において他の元素で一部置換
したものにももちろん適用することができる。
以下、本発明を次の例で説明する。
〔実施例１〕 Y2O3 9.09モル％とBaCO3 36.36モル％と、CuO 54.55
モル％を混合し、混合粉末を880℃で５時間仮焼後、粉
砕し、Y1Ba2Cu3O７−δの粉末（平均粒径2.0μｍ）を得
た。このY1Ba2Cu3O７−δ粉末１モルに対し、0.05〜0.1
5モル％Y2O3粉末（平均粒径1.0μｍ）を混合した。この
Y1Ba2Cu3O７−δ粉末とY2O3の混合粉末を12mmφのペレ
ット状に成形した。この成形体を空気中で980〜1150
℃、酸素中で1000〜1200℃、１〜２時間焼成した後、10
0℃/hrの速度で冷却しさらに酸素中600℃で５時間のア
ニールを行い、その後、200℃までゆっくり冷却し、４
×３×0.8mmの大きさに、試料を加工した。
モル％を混合し、混合粉末を880℃で５時間仮焼後、粉
砕し、Y1Ba2Cu3O７−δの粉末（平均粒径2.0μｍ）を得
た。このY1Ba2Cu3O７−δ粉末１モルに対し、0.05〜0.1
5モル％Y2O3粉末（平均粒径1.0μｍ）を混合した。この
Y1Ba2Cu3O７−δ粉末とY2O3の混合粉末を12mmφのペレ
ット状に成形した。この成形体を空気中で980〜1150
℃、酸素中で1000〜1200℃、１〜２時間焼成した後、10
0℃/hrの速度で冷却しさらに酸素中600℃で５時間のア
ニールを行い、その後、200℃までゆっくり冷却し、４
×３×0.8mmの大きさに、試料を加工した。
尚、Y2O3の添加量および焼成条件を第１表に示すよう
に変えて試料１〜８を作成した。
に変えて試料１〜８を作成した。
得られた試料に対し、四端子法により温度に対する抵
抗変化を調べ、オンセット温度（Tco）、オフセット温
度（Tce）を調べた。
抗変化を調べ、オンセット温度（Tco）、オフセット温
度（Tce）を調べた。
また、振動試料型磁力計により前記試料のＭ−Ｈヒス
テリシスにおいて、昇磁カーブと減磁カーブとの磁化の
差ΔＭは 式 ΔＭ＝μｏ・ｄ・Jc として表わされる。ここで、μｏは真空の透磁率、ｄは
板状サンプルの巾1/2、Jcは臨界電流密度を表わす。ヒ
ステリシスカーブから前記式を用いて磁化の差ΔＭより
臨界電流密度Jcを求めた。また各試料に対し、電子顕微
鏡により結晶組織を観察し、Y1Ba2Cu3O７−δ結晶を配
向の有無を確認した。
テリシスにおいて、昇磁カーブと減磁カーブとの磁化の
差ΔＭは 式 ΔＭ＝μｏ・ｄ・Jc として表わされる。ここで、μｏは真空の透磁率、ｄは
板状サンプルの巾1/2、Jcは臨界電流密度を表わす。ヒ
ステリシスカーブから前記式を用いて磁化の差ΔＭより
臨界電流密度Jcを求めた。また各試料に対し、電子顕微
鏡により結晶組織を観察し、Y1Ba2Cu3O７−δ結晶を配
向の有無を確認した。
第１表から明らかなように、焼成温度が所定の範囲よ
り低い場合（試料番号1,4）は、結晶の配向がわずかし
か確認できず、それに伴って、臨界電流密度は向上しな
かった。また、焼成温度が高い場合（試料番号3,6）
は、結晶の配向は確認できるが、Y1Ba2Cu3O７−δ結晶
の再生成が少なく、1500Oeの磁場では超電導を示さず、
臨界電流密度の測定ができなかった。さらに添加物の量
が0.01モルを下回る場合（試料番号７）は、結晶の配向
が一部にしか認められず、臨界電流密度も低いものであ
った。また、添加量が0.20モルを越える場合（試料番号
10）は、結晶の配向は認められたが結晶の粒界が多く残
存し、超電導特性を示さなかった。
り低い場合（試料番号1,4）は、結晶の配向がわずかし
か確認できず、それに伴って、臨界電流密度は向上しな
かった。また、焼成温度が高い場合（試料番号3,6）
は、結晶の配向は確認できるが、Y1Ba2Cu3O７−δ結晶
の再生成が少なく、1500Oeの磁場では超電導を示さず、
臨界電流密度の測定ができなかった。さらに添加物の量
が0.01モルを下回る場合（試料番号７）は、結晶の配向
が一部にしか認められず、臨界電流密度も低いものであ
った。また、添加量が0.20モルを越える場合（試料番号
10）は、結晶の配向は認められたが結晶の粒界が多く残
存し、超電導特性を示さなかった。
これに対し、他の本発明の試料2,5,8,9はいずれも優
れた特性を示し、Tceが88K以上、臨界電流密度1000A/cm
2以上が達成された。
れた特性を示し、Tceが88K以上、臨界電流密度1000A/cm
2以上が達成された。
（発明の効果） 以上詳述した通り、本発明によればRE1Ba2Cu3O７−δ
結晶が一方向に緻密に積層された結晶組織を有する超電
導体が得られ、それにより臨界温度Tcを劣化させること
なく臨界電流密度Jcを1500Oeの磁場下で１×103A/cm2以
上に高めることができる。
結晶が一方向に緻密に積層された結晶組織を有する超電
導体が得られ、それにより臨界温度Tcを劣化させること
なく臨界電流密度Jcを1500Oeの磁場下で１×103A/cm2以
上に高めることができる。
Claims (2)
- 【請求項１】RE1Ba2Cu3O７−δ（RE:希土類元素）粉末
に、液相形成成分として、該RE1Ba2Cu3O７−δ 1モル当
たり、0.01〜0.20モルのRE2O3（RE;希土類元素）粉末を
加えた混合粉末を成形後、酸化性雰囲気で前記液相形成
成分が溶出し得る焼成温度で保持後、冷却して結晶の再
配列を生ぜしめることを特徴とする酸化物超電導体の製
法。 - 【請求項２】前記液相形成成分が溶出し得る焼成温度が
大気中で980〜1150℃、酸素中で1000〜1200℃である特
許請求の範囲第１項記載の酸化物超電導体の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63087881A JP2761727B2 (ja) | 1988-04-08 | 1988-04-08 | 酸化物超電導体の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63087881A JP2761727B2 (ja) | 1988-04-08 | 1988-04-08 | 酸化物超電導体の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01264952A JPH01264952A (ja) | 1989-10-23 |
| JP2761727B2 true JP2761727B2 (ja) | 1998-06-04 |
Family
ID=13927211
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63087881A Expired - Lifetime JP2761727B2 (ja) | 1988-04-08 | 1988-04-08 | 酸化物超電導体の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2761727B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01192720A (ja) * | 1988-01-27 | 1989-08-02 | Fujitsu Ltd | 超伝導薄膜の形成方法 |
-
1988
- 1988-04-08 JP JP63087881A patent/JP2761727B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01264952A (ja) | 1989-10-23 |
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