JPH01201060A - 超電導体の製造方法 - Google Patents
超電導体の製造方法Info
- Publication number
- JPH01201060A JPH01201060A JP63026294A JP2629488A JPH01201060A JP H01201060 A JPH01201060 A JP H01201060A JP 63026294 A JP63026294 A JP 63026294A JP 2629488 A JP2629488 A JP 2629488A JP H01201060 A JPH01201060 A JP H01201060A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- superconductor
- temperature
- oxide
- melted
- heat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 17
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 18
- 229910014454 Ca-Cu Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 abstract description 2
- 229910015901 Bi-Sr-Ca-Cu-O Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 7
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012768 molten material Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- -1 inorganic acid salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000001694 spray drying Methods 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000975 co-precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 238000010583 slow cooling Methods 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は超電導体の製造方法に関し、より詳しくは臨界
温度、零抵抗温度の高いＢｌ −Ｓｒ −Ｃａ−Ｃｕ
系酸化物超電導体の製造方法に関する。
温度、零抵抗温度の高いＢｌ −Ｓｒ −Ｃａ−Ｃｕ
系酸化物超電導体の製造方法に関する。
従来の超電導体は主にＬ−Ｂａ−Ｃｕ系酸化物（ＬはＹ
、Ｓｃ、 ランタノイド元素）であり、この代表的な製
法は原料粉末を所定の割合で混合し、８００〜９００℃
で熱処理した後、粉砕、成形して８５０〜９５０℃で焼
成して焼結体とし、この焼結体の臨界温度を高くするた
めに空気中あるいは酸素ガス中で室温まで徐冷するか酸
素ガス中で低い温度（３００〜４００℃）で熱処理して
いた。しかし、この超電導体はＹ、Ｌａ等が資源的に乏
しいため高価であることと臨界温度が約９０°にと限界
に直面していた。
、Ｓｃ、 ランタノイド元素）であり、この代表的な製
法は原料粉末を所定の割合で混合し、８００〜９００℃
で熱処理した後、粉砕、成形して８５０〜９５０℃で焼
成して焼結体とし、この焼結体の臨界温度を高くするた
めに空気中あるいは酸素ガス中で室温まで徐冷するか酸
素ガス中で低い温度（３００〜４００℃）で熱処理して
いた。しかし、この超電導体はＹ、Ｌａ等が資源的に乏
しいため高価であることと臨界温度が約９０°にと限界
に直面していた。
そこで最近、資源的に入手しゃすいＢｉ −５ｒ −Ｃ
ａ −Ｃｕ系酸化物の超電導体が発見された。この超電
導体はＢｉ２Ｏ３，５ｒＣ０３゜Ｃａｂ、ＣｕＯを所定
の割合で計量した後、十分混合して７００〜８００℃で
加熱した後、粉砕成形して８００〜８４０℃で焼成して
焼結体としたものと言われており、新聞情報によれば臨
界温度が１０５’Ｋ。
ａ −Ｃｕ系酸化物の超電導体が発見された。この超電
導体はＢｉ２Ｏ３，５ｒＣ０３゜Ｃａｂ、ＣｕＯを所定
の割合で計量した後、十分混合して７００〜８００℃で
加熱した後、粉砕成形して８００〜８４０℃で焼成して
焼結体としたものと言われており、新聞情報によれば臨
界温度が１０５’Ｋ。
零抵抗温度が７５°にのデータが得られたとしている。
Ｂｉ −Ｓｒ −Ｃａ−Ｃｕ系酸化物はＹ−Ｂａ−Ｃｕ
系酸化物に比べて融点が低く約８５０℃以上で部分溶融
する。従って、焼結体の製造に当っては８５０℃よりか
なり低い温度で熱処理しなければならず焼結体の密度、
機械強度が低いものしか得られない。又、超電導体の結
晶構造は７５０℃以上から品出が始まり８００〜８２０
℃で晶出が終了するので超電導体の合成、焼結に当って
は７５０〜８５０℃の狭い温度条件に限定されていた。
系酸化物に比べて融点が低く約８５０℃以上で部分溶融
する。従って、焼結体の製造に当っては８５０℃よりか
なり低い温度で熱処理しなければならず焼結体の密度、
機械強度が低いものしか得られない。又、超電導体の結
晶構造は７５０℃以上から品出が始まり８００〜８２０
℃で晶出が終了するので超電導体の合成、焼結に当って
は７５０〜８５０℃の狭い温度条件に限定されていた。
本件発明者らは上記の問題を解決すべく、又さらに臨界
温度の高い超電導体を得る目的で種々研究した結果、Ｂ
ｉ −Ｓｒ −Ｃａ −Ｃｕ系酸化物を融点以上で溶
解した後、融点未満の温度で熱処理を加えることにより
臨界温度の高く、かつ焼結密度の高い超電導体が得られ
ることを発見して本件発明を完成するに到った。
温度の高い超電導体を得る目的で種々研究した結果、Ｂ
ｉ −Ｓｒ −Ｃａ −Ｃｕ系酸化物を融点以上で溶
解した後、融点未満の温度で熱処理を加えることにより
臨界温度の高く、かつ焼結密度の高い超電導体が得られ
ることを発見して本件発明を完成するに到った。
すなわち本件発明の要旨はＢｉ −Ｓｒ −Ｃａ −
Ｃｕ系酸化物超電導体の製造方法において、当該酸化物
を融解し、次いで酸素含有雰囲気下、７５０〜８５０℃
の温度で熱処理することを特徴とする超電導体の製造方
法にあり、又本発明は溶融酸化物を冷却後そのまま又は
粉末化し成形した後、前記熱処理手段を講じる方法も、
さらにＢｉ −５ｒ −Ｃａ −Ｃｕ系酸化物をセラミ
ックス又は金属の基板に塗布した後、前記融解、熱処理
を施した方法も含まれる。
Ｃｕ系酸化物超電導体の製造方法において、当該酸化物
を融解し、次いで酸素含有雰囲気下、７５０〜８５０℃
の温度で熱処理することを特徴とする超電導体の製造方
法にあり、又本発明は溶融酸化物を冷却後そのまま又は
粉末化し成形した後、前記熱処理手段を講じる方法も、
さらにＢｉ −５ｒ −Ｃａ −Ｃｕ系酸化物をセラミ
ックス又は金属の基板に塗布した後、前記融解、熱処理
を施した方法も含まれる。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明における原料はＢｉ 、Ｓｒ、Ｃａ、Ｃｕの酸化
物、水酸化物、無機酸塩、有機酸塩等を用いることがで
きる。夫々の原料は粉末状態で混合したもの、又は共沈
法、ゾルゲル法、スプレードライ法等で作製して用いる
。原料の混合比は元素比でＢｉ ：Ｓｒ ：Ｃａ ：
Ｃｕ−に１：１：２が好ましい。
物、水酸化物、無機酸塩、有機酸塩等を用いることがで
きる。夫々の原料は粉末状態で混合したもの、又は共沈
法、ゾルゲル法、スプレードライ法等で作製して用いる
。原料の混合比は元素比でＢｉ ：Ｓｒ ：Ｃａ ：
Ｃｕ−に１：１：２が好ましい。
本発明ではこの混合物を次に融点以上に加熱して融解す
る。融解はそのまま融解してもよく、又加熱処理した後
成形したものを融解してもよい。
る。融解はそのまま融解してもよく、又加熱処理した後
成形したものを融解してもよい。
そのまま融解する場合は９００℃以上で十分融解させ均
一組成の溶融体を作ることが好ましい。
一組成の溶融体を作ることが好ましい。
加熱、成形する場合は例えば粉末混合法を例にとるとＢ
ｉ２Ｏ３，５ｒＣ０３，Ｃａｂ、ＣｕＯの粉末を所定の
割合で計量して、湿式あるいは乾式混合した後７００〜
８００℃で熱処理し、原料を熱分解、焼成した後、粉砕
して、その後成形する。
ｉ２Ｏ３，５ｒＣ０３，Ｃａｂ、ＣｕＯの粉末を所定の
割合で計量して、湿式あるいは乾式混合した後７００〜
８００℃で熱処理し、原料を熱分解、焼成した後、粉砕
して、その後成形する。
原料混合物をそのまま融解する場合でも、加熱した後粉
砕して粉末とする場合でも融解に先立ち、粉末を有機系
のバインダーに混合し、アルミナジルコニア、マグネシ
ア、シリコン等のセラミックス、又は銅、ステンレス等
の金属の基板にパターンを形成してもよい。又、スプレ
ードライ法によって粉末を混合した水あるいは有機系バ
インダーを基板に吹きつけて皮膜を形成する方法をとっ
てもよい。
砕して粉末とする場合でも融解に先立ち、粉末を有機系
のバインダーに混合し、アルミナジルコニア、マグネシ
ア、シリコン等のセラミックス、又は銅、ステンレス等
の金属の基板にパターンを形成してもよい。又、スプレ
ードライ法によって粉末を混合した水あるいは有機系バ
インダーを基板に吹きつけて皮膜を形成する方法をとっ
てもよい。
以上述べた混合物、成形体、あるいは基板上に形成した
パターン、皮膜は次に融点以上の温度に加熱して融解す
る。混合物をそのまま融解する場合は完全に融解するこ
とが好ましいが、その他の場合は、望ましくは８５０〜
９００℃の温度で部分融解させた方が超電導特性の優れ
た材料が得られる。
パターン、皮膜は次に融点以上の温度に加熱して融解す
る。混合物をそのまま融解する場合は完全に融解するこ
とが好ましいが、その他の場合は、望ましくは８５０〜
９００℃の温度で部分融解させた方が超電導特性の優れ
た材料が得られる。
融解した材料は続いて７５０〜８５０℃で熱処理して超
電導体の構造を成長させる。熱処理は３０分以上行うの
が好ましく１０時間を超えて行っても余り意味はない。
電導体の構造を成長させる。熱処理は３０分以上行うの
が好ましく１０時間を超えて行っても余り意味はない。
熱処理は空気又は酸素等の酸素含有雰囲気とする。
融解した材料は急冷して大気中に取り出して、そのまま
又は粉砕して粉末成形後、更に７５０〜８５０℃で熱処
理してもよいし、融解した物を７５０〜８５０℃に冷却
して熱処理を行っても、材料の超電導特性は余り変わら
ない。上記熱処理において８５０℃を超える温度では材
料が融解してしまうし、７５０℃未満では超電導性の改
善がみられない。
又は粉砕して粉末成形後、更に７５０〜８５０℃で熱処
理してもよいし、融解した物を７５０〜８５０℃に冷却
して熱処理を行っても、材料の超電導特性は余り変わら
ない。上記熱処理において８５０℃を超える温度では材
料が融解してしまうし、７５０℃未満では超電導性の改
善がみられない。
熱処理後の材料は冷却する。冷却については特に条件の
制限はない。本発明において、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０系等
で行われている５００℃以下での酸素雰囲気中での１０
時間以上の熱処理は必要なく、かえって材料の超電導特
性が悪化する。
制限はない。本発明において、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０系等
で行われている５００℃以下での酸素雰囲気中での１０
時間以上の熱処理は必要なく、かえって材料の超電導特
性が悪化する。
本発明の方法によれば材料を融解させた後、再度７５０
〜８５０℃の温度で熱処理することにより超電導体の構
造が成長しやすくなり、材料中の非超電導性の割合も減
少することが判明した。又、本発明において１０００℃
以下の温度で処理すればアルミナ、ジルコニア、マグネ
シア、シリコン等のセラミックス又は銅、ステンレス等
の金属の基板と反応することなく、材料を融解させるこ
とにより、付着強度の高い、高密度、平滑な超電導体の
パターンや皮膜等を形成することが可能である。
〜８５０℃の温度で熱処理することにより超電導体の構
造が成長しやすくなり、材料中の非超電導性の割合も減
少することが判明した。又、本発明において１０００℃
以下の温度で処理すればアルミナ、ジルコニア、マグネ
シア、シリコン等のセラミックス又は銅、ステンレス等
の金属の基板と反応することなく、材料を融解させるこ
とにより、付着強度の高い、高密度、平滑な超電導体の
パターンや皮膜等を形成することが可能である。
材料を溶融しない温度、例えば８２０℃で焼結させた場
合は、焼結密度は向上せず、又焼結体の機械強度も低い
。一方例えば８５０〜９００℃で部分融解させた後、熱
処理を加えた材料は超電導性の臨界温度も高く、緻密で
機械強度も高い焼結体となる。
合は、焼結密度は向上せず、又焼結体の機械強度も低い
。一方例えば８５０〜９００℃で部分融解させた後、熱
処理を加えた材料は超電導性の臨界温度も高く、緻密で
機械強度も高い焼結体となる。
以下実施例を挙げて本発明を更に詳しく説明する。
〔実施例１〕
ＢＩ ＯＳ ｒ ＣＯａ 、Ｃａ ＯｌＣｕ （ＯＨ）
２２３″ を元素比でＢｌ ：Ｓｒ ：Ｃａ ：Ｃｕ−に１：
１：２の組成に秤量しエチルアルコールを加え十分混合
した後アルミナボートに入れ大気中７５０℃で４時間焼
成した。得られた黒色粉末を粉砕混合し、荷重７ｔｏｎ
／ｃ−で１０ｍｍφ×１龍に成形した。次にこの成形物
を８８０℃２時間融解し、次いで炉温を８００℃に下げ
更に３時間熱処理した。炉が６００℃まで冷却された段
階で試料を炉から取り出し急冷した。黒色焼結体の電気
抵抗を四端子法で測定したところ、臨界温度Ｔｃは１１
５°に１零抵抗部度Ｔｅは９０°にの超電導体か得られ
た。液体窒素温度７７°Ｋにおける臨界電流密度Ｊｃは
２０ＯＡ／ｃ−であった。
２２３″ を元素比でＢｌ ：Ｓｒ ：Ｃａ ：Ｃｕ−に１：
１：２の組成に秤量しエチルアルコールを加え十分混合
した後アルミナボートに入れ大気中７５０℃で４時間焼
成した。得られた黒色粉末を粉砕混合し、荷重７ｔｏｎ
／ｃ−で１０ｍｍφ×１龍に成形した。次にこの成形物
を８８０℃２時間融解し、次いで炉温を８００℃に下げ
更に３時間熱処理した。炉が６００℃まで冷却された段
階で試料を炉から取り出し急冷した。黒色焼結体の電気
抵抗を四端子法で測定したところ、臨界温度Ｔｃは１１
５°に１零抵抗部度Ｔｅは９０°にの超電導体か得られ
た。液体窒素温度７７°Ｋにおける臨界電流密度Ｊｃは
２０ＯＡ／ｃ−であった。
〔比較例１〕
実施例１の方法で作製した１０ｍ＋ｓφＸ１ｍ＋ｓの成
形体を８２０℃、５時間熱処理した後、６００℃で炉か
ら取り出し急冷した。このものの臨界温度Ｔｃは８５°
に１零抵抗部度Ｔｃは６０°にであった。尚超電導特性
のグラフを第１図に示す。
形体を８２０℃、５時間熱処理した後、６００℃で炉か
ら取り出し急冷した。このものの臨界温度Ｔｃは８５°
に１零抵抗部度Ｔｃは６０°にであった。尚超電導特性
のグラフを第１図に示す。
〔実施例２〕
実施例１で作製した原料粉をポリビニルアルコールに混
合してアルミナ基板上に線状を描いた後９００℃で１０
分融解し、次いで８２０℃で１時間熱処理した。炉内で
徐冷した後、その特性を１ｌ）Ｉ定したところ、臨界温
度Ｔｃは１００’に、零抵抗温度は７０°にであった。
合してアルミナ基板上に線状を描いた後９００℃で１０
分融解し、次いで８２０℃で１時間熱処理した。炉内で
徐冷した後、その特性を１ｌ）Ｉ定したところ、臨界温
度Ｔｃは１００’に、零抵抗温度は７０°にであった。
本発明に係る超電導体の製造方法によれば、超電導体の
構造が成長しやすくなり材料中の非超電導相の割合も減
少する。
構造が成長しやすくなり材料中の非超電導相の割合も減
少する。
融解しない温度で焼結させた材料では焼結密度材料では
緻密で機械強度も高い焼結体となり、超電導特性も向上
する。特に臨界温度Ｔｃは従来のｙ−Ｂａ −Ｃｕ −
０系に比べて約２０′にも高い。
緻密で機械強度も高い焼結体となり、超電導特性も向上
する。特に臨界温度Ｔｃは従来のｙ−Ｂａ −Ｃｕ −
０系に比べて約２０′にも高い。
又、本発明において８５０〜１０００℃で材料を融解さ
せる事によりＢｌ −Ｓｒ −Ｃａ −Ｃｕ系酸化物
はセラミックスや金属の基板と反応することなく付着強
度の高い、緻密で平滑な超電導体の皮膜を形成すること
ができる。
せる事によりＢｌ −Ｓｒ −Ｃａ −Ｃｕ系酸化物
はセラミックスや金属の基板と反応することなく付着強
度の高い、緻密で平滑な超電導体の皮膜を形成すること
ができる。
本発明の方法により製造される超電導体材料は送電用線
材、マグネット線材、磁気シールド材、デバイス用配線
に好適に用いることができる。
材、マグネット線材、磁気シールド材、デバイス用配線
に好適に用いることができる。
第１図は実施例１で製造された超電導体の電気抵抗の温
度依存性を示すグラフである。 図中 Ｔｃ・・・臨界温度 Ｔｃ・・・零抵抗温度
度依存性を示すグラフである。 図中 Ｔｃ・・・臨界温度 Ｔｃ・・・零抵抗温度
Claims (3)
- １．Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ系酸化物超電導体の製造方
法において、当該酸化物を融解し、次いで酸素含有雰囲
気下、７５０〜８５０℃の温度で熱処理することを特徴
とする超電導体の製造方法。 - ２．Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ系酸化物超電導体の製造方
法において、当該酸化物を融解し、次いで冷却後そのま
ま又は粉末化し成型した後酸素含有雰囲気下、７５０〜
８５０℃の温度で熱処理することを特徴とする超電導体
の製造方法。 - ３．Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ系酸化物をセラミックス又
は金属の基板に塗布した後、当該酸化物を融解し、次い
で酸素含有雰囲気下、７５０〜８５０℃の温度で熱処理
することを特徴とする超電導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63026294A JPH01201060A (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | 超電導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63026294A JPH01201060A (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | 超電導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01201060A true JPH01201060A (ja) | 1989-08-14 |
Family
ID=12189301
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63026294A Pending JPH01201060A (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | 超電導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01201060A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01226783A (ja) * | 1988-03-04 | 1989-09-11 | Res Dev Corp Of Japan | スクリーン印刷によるＢｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系超伝導膜の製造方法 |
| US5089468A (en) * | 1989-03-30 | 1992-02-18 | Ngk Insulators, Ltd. | Process for producing bismuth-based superconducting oxide |
-
1988
- 1988-02-05 JP JP63026294A patent/JPH01201060A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01226783A (ja) * | 1988-03-04 | 1989-09-11 | Res Dev Corp Of Japan | スクリーン印刷によるＢｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系超伝導膜の製造方法 |
| US5089468A (en) * | 1989-03-30 | 1992-02-18 | Ngk Insulators, Ltd. | Process for producing bismuth-based superconducting oxide |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Gallagher et al. | Oxygen stoichiometry in Ba2YCu3Ox | |
| JP3089294B2 (ja) | 超電導テープ材の製造方法 | |
| EP0493007B1 (en) | Rare earth oxide superconducting material and process for producing the same | |
| US5151407A (en) | Method of producing Bi-Sr-Ca-Cu-O superconducting materials in cast form | |
| JPH01201060A (ja) | 超電導体の製造方法 | |
| JPH04275920A (ja) | Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ 型の高温超電導体及びその製造法 | |
| JPH0238359A (ja) | 超電導体の製造方法 | |
| US5378682A (en) | Dense superconducting bodies with preferred orientation | |
| JP2677882B2 (ja) | ビスマス系酸化物超電導体の製造方法 | |
| JPH01252535A (ja) | 超電導体の製造方法 | |
| JP2634187B2 (ja) | タリウム系酸化物超電導体の製造方法 | |
| JP2685951B2 (ja) | ビスマス系超電導体の製造方法 | |
| JPH01203258A (ja) | 酸化物超電導焼結体の製造方法 | |
| JPH01208360A (ja) | 超電導体の製造方法 | |
| JP2971504B2 (ja) | Ｂｉ基酸化物超電導体の製造方法 | |
| Koshy et al. | The structural and superconducting properties of the YBa2Cu3O7− δ‐HfO2 system | |
| JP3394297B2 (ja) | 超電導性組成物の製造方法 | |
| JP2545443B2 (ja) | 酸化物超電導体の製造方法 | |
| JPH01203257A (ja) | 超電導体の製造方法 | |
| JPH0264019A (ja) | Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系超電導酸化物厚膜の製造方法 | |
| JPH03112810A (ja) | 酸化物超伝導膜の作製方法 | |
| JPS63291815A (ja) | 超電導体の製造方法 | |
| Everding et al. | Preparation of YBa 2 Cu 3 O 7–x high-T c ceramic superconductors from melt | |
| JPH01103949A (ja) | 超伝導材料組成物の製造法 | |
| JPH01208359A (ja) | 超電導体の製造方法 |