JPH01208360A - 超電導体の製造方法 - Google Patents
超電導体の製造方法Info
- Publication number
- JPH01208360A JPH01208360A JP63033444A JP3344488A JPH01208360A JP H01208360 A JPH01208360 A JP H01208360A JP 63033444 A JP63033444 A JP 63033444A JP 3344488 A JP3344488 A JP 3344488A JP H01208360 A JPH01208360 A JP H01208360A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- superconductor
- temperature
- atmosphere
- heat
- oxygen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229910014454 Ca-Cu Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 8
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 15
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 7
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000010791 quenching Methods 0.000 abstract description 2
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 abstract description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 13
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 10
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- -1 inorganic acid salts Chemical class 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 238000001694 spray drying Methods 0.000 description 2
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 2
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000975 co-precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000010583 slow cooling Methods 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明の超電導体の製造方法に関し、より詳しくはＢｌ
−Ｓｒ −Ｃａ −Ｃｕ系酸化物超電導体を工業応
用上、好適に製造する方法に関するものである。
−Ｓｒ −Ｃａ −Ｃｕ系酸化物超電導体を工業応
用上、好適に製造する方法に関するものである。
〔従来の技術］
従来の超電導体は主にＬ−Ｂａ−Ｃｕ系酸化物（ＬはＹ
、Ｓｃ、ランタノイド元素）であり、この代表的な製法
は原料粉末を所定の割合で混合し、８００〜９００℃で
熱処理した後、粉砕、成形して８５０〜９５０℃で焼成
して焼結体とし、この焼結体の臨界温度を高くするため
に空気中あるいは酸素ガス中で室温まで徐冷するか酸素
ガス中で低い温度（３００〜４００℃）で熱処理してい
た。しかし、この超電導体はＹ”、Ｌａ等が資源的に乏
しいため高価であることと臨界温度が約９０°にと限界
に直面していた。
、Ｓｃ、ランタノイド元素）であり、この代表的な製法
は原料粉末を所定の割合で混合し、８００〜９００℃で
熱処理した後、粉砕、成形して８５０〜９５０℃で焼成
して焼結体とし、この焼結体の臨界温度を高くするため
に空気中あるいは酸素ガス中で室温まで徐冷するか酸素
ガス中で低い温度（３００〜４００℃）で熱処理してい
た。しかし、この超電導体はＹ”、Ｌａ等が資源的に乏
しいため高価であることと臨界温度が約９０°にと限界
に直面していた。
そこで最近、資源的に人手しゃすいＢ１−８ｒ −Ｃａ
−Ｃｕ系酸化物の超電導体が発見された。この超電導
体はＢ ｉＯＳ ｒ ＣＯａ 。
−Ｃｕ系酸化物の超電導体が発見された。この超電導
体はＢ ｉＯＳ ｒ ＣＯａ 。
２ ３’
Ｃａｂ、ＣｕＯを所定の割合で計量した後、十分混合し
て７００〜８００℃で加熱した後、粉砕成形して８００
〜８４０ ”で焼成して焼結体としたものと言われてお
り、新聞情報によれば臨界温度、零抵抗温度とも一段と
向上したデータが得られたとじている。
て７００〜８００℃で加熱した後、粉砕成形して８００
〜８４０ ”で焼成して焼結体としたものと言われてお
り、新聞情報によれば臨界温度、零抵抗温度とも一段と
向上したデータが得られたとじている。
［発明が解決しようとする課題］
Ｂｉ −３ｒ −Ｃａ−Ｃｕ系酸化物はＹ−Ｂａ−Ｃｕ
系酸化物と同様に酸素含有雰囲気下で熱処理し、超電導
体の結晶構造の析出、焼結等を行っている。この場合、
熱処理の温度は通常７００〜８８０℃である。酸素含有
雰囲気下でこのような高温で熱処理を行う場合、炉内発
熱部あるいは超電導体を支持する基板には酸化されない
セラミックス材料が用いられている。一方、超電導材料
の応用が進む中で、金属基板上に超電導体のパターンあ
るいは被膜を施したり、金属パイプに超電導材料を充填
し、引伸ばす方法により超電導細線を得ようとする動き
など酸化を嫌う金属と超電導材料との複合化の要請が高
まっている。
系酸化物と同様に酸素含有雰囲気下で熱処理し、超電導
体の結晶構造の析出、焼結等を行っている。この場合、
熱処理の温度は通常７００〜８８０℃である。酸素含有
雰囲気下でこのような高温で熱処理を行う場合、炉内発
熱部あるいは超電導体を支持する基板には酸化されない
セラミックス材料が用いられている。一方、超電導材料
の応用が進む中で、金属基板上に超電導体のパターンあ
るいは被膜を施したり、金属パイプに超電導材料を充填
し、引伸ばす方法により超電導細線を得ようとする動き
など酸化を嫌う金属と超電導材料との複合化の要請が高
まっている。
しかし、現在用いられている熱処理方法は酸素含有雰囲
気下で熱処理するものであり、この条件下で熱処理する
と金属全体が酸化され、変形、強度低下が生じ実用化に
は問題があった。またセラミック製の超電導体製造炉に
は大きさに制限があり大型の超電導構造物を熱処理でき
なかった。
気下で熱処理するものであり、この条件下で熱処理する
と金属全体が酸化され、変形、強度低下が生じ実用化に
は問題があった。またセラミック製の超電導体製造炉に
は大きさに制限があり大型の超電導構造物を熱処理でき
なかった。
［課題を解決するための手段］
本件発明者は金属との複合が可能となり、臨界温度、零
抵抗温度の高い超電導体の開発を目的として研究を進め
た結果、Ｂｉ −５ｒ −Ｃａ −Ｃｕ系酸化物を酸
素含有雰囲気下で熱処理して超電導体の結晶構造を形成
した後、酸素ガスを含まないガス雰囲気で熱処理するこ
とにより、超電導性の特性が従来のものと劣らないもの
であり、且つ金属などとの複合性のよい超電導体が得ら
れることを発見し本件発明を完成した。
抵抗温度の高い超電導体の開発を目的として研究を進め
た結果、Ｂｉ −５ｒ −Ｃａ −Ｃｕ系酸化物を酸
素含有雰囲気下で熱処理して超電導体の結晶構造を形成
した後、酸素ガスを含まないガス雰囲気で熱処理するこ
とにより、超電導性の特性が従来のものと劣らないもの
であり、且つ金属などとの複合性のよい超電導体が得ら
れることを発見し本件発明を完成した。
すなわち、本件発明の要旨はＢｌ −３ｒ −Ｃａ−Ｃ
ｕ系酸化物超電導体の製造方法において、当該酸化物を
酸素含有雰囲気下、７００〜８８０℃で熱処理し、次い
で粉砕、混合、成形して酸素ガスを含まない雰囲気下、
７５０〜８８０℃で熱処理することを特徴とする超電導
体の製造方法にある。
ｕ系酸化物超電導体の製造方法において、当該酸化物を
酸素含有雰囲気下、７００〜８８０℃で熱処理し、次い
で粉砕、混合、成形して酸素ガスを含まない雰囲気下、
７５０〜８８０℃で熱処理することを特徴とする超電導
体の製造方法にある。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明における原料はＢｉ 、Ｓｒ、Ｃａ、Ｃｕの酸化
物、水酸化物、無機酸塩、有機酸塩を用いることかでき
る。それぞれの原料は粉末状態で混合したもの、又は共
沈法、ゾルゲル法、スプレードライ法などで作成して用
いる。原料の混合比は元素比でＢ１ ： Ｓｒ ：
Ｃａ ： Ｃｕ −１： １ ： １ ：２が好ましい
。又、原料に酒石酸などの有機酸を加えて均一分散性を
向上させてもよい。
物、水酸化物、無機酸塩、有機酸塩を用いることかでき
る。それぞれの原料は粉末状態で混合したもの、又は共
沈法、ゾルゲル法、スプレードライ法などで作成して用
いる。原料の混合比は元素比でＢ１ ： Ｓｒ ：
Ｃａ ： Ｃｕ −１： １ ： １ ：２が好ましい
。又、原料に酒石酸などの有機酸を加えて均一分散性を
向上させてもよい。
本発明では、これらの原料を空気、酸素ガス等の酸素含
有雰囲気下７００〜８８０℃で一定時間熱処理し、超電
導体の結晶構造とする。この場合、原料混合物を酸素含
有雰囲気下で８８０℃を上回る温度で一旦融解させ、さ
らに７００〜８８０℃で結晶の晶出を行ってもよい。原
料混合物を７００〜８８０℃で熱処理したものはＢ１
−３ｒ −Ｃａ −Ｃｕ系の化合酸化物を構成しており
超電導性が付与される。
有雰囲気下７００〜８８０℃で一定時間熱処理し、超電
導体の結晶構造とする。この場合、原料混合物を酸素含
有雰囲気下で８８０℃を上回る温度で一旦融解させ、さ
らに７００〜８８０℃で結晶の晶出を行ってもよい。原
料混合物を７００〜８８０℃で熱処理したものはＢ１
−３ｒ −Ｃａ −Ｃｕ系の化合酸化物を構成しており
超電導性が付与される。
前記８８０℃を超える温度では材料が溶融してしまい超
電導体の結晶とならず、７００℃未満では超電導性の付
与が十分でない。
電導体の結晶とならず、７００℃未満では超電導性の付
与が十分でない。
次に、本発明ではこの焼結体を粉砕、混合、成形する。
本発明において成形とは充填、パターン形成、塗布、皮
膜形成など所定の形態に構成することを含む概念である
。例えば粉末を有機系のバインダーに混合し、アルミナ
、ジルコニア、マグネシア、シリコン等のセラミックス
、又は銅、ステンレス等の金属の基板にパターンを形成
する方法やスプレードライ法によって粉末を混合した水
あるいは有機系バインダーを基板に吹きつけて皮膜を形
成する方法などである。
膜形成など所定の形態に構成することを含む概念である
。例えば粉末を有機系のバインダーに混合し、アルミナ
、ジルコニア、マグネシア、シリコン等のセラミックス
、又は銅、ステンレス等の金属の基板にパターンを形成
する方法やスプレードライ法によって粉末を混合した水
あるいは有機系バインダーを基板に吹きつけて皮膜を形
成する方法などである。
次に、この成形したものを酸素ガスを含まないガス雰囲
気下で７５０〜８８０℃で熱処理する。すなわち、前記
酸素含有雰囲気下で熱処理して超電導体の結晶構造とし
たものは未だ輸送電流を流せる程の超電導体には至って
いないので、この第２段階の熱処理が必要になるのであ
る。ところで従来の技術ではこの第２段階の熱処理にお
いても酸素を含有する雰囲気で行うことが必須とされて
きた。
気下で７５０〜８８０℃で熱処理する。すなわち、前記
酸素含有雰囲気下で熱処理して超電導体の結晶構造とし
たものは未だ輸送電流を流せる程の超電導体には至って
いないので、この第２段階の熱処理が必要になるのであ
る。ところで従来の技術ではこの第２段階の熱処理にお
いても酸素を含有する雰囲気で行うことが必須とされて
きた。
それはＢｉ 、Ｓｒ、Ｃａ、Ｃｕの化合物からの脱酸素
を防ぎ、酸素を補給しつつＢｉ −３ｒ −Ｃａ−Ｃ
ｕ系酸化物の超電導性結晶構造を完成するためである。
を防ぎ、酸素を補給しつつＢｉ −３ｒ −Ｃａ−Ｃ
ｕ系酸化物の超電導性結晶構造を完成するためである。
ところが本件発明者の研究によると、前記第１段階の酸
素含有雰囲気で熱処理したものは、その後の熱処理にお
いては酸素ガスを含まないガス雰囲気で行っても結晶内
部の酸素量はほとんど変化せず、超電導性の向上に十分
寄与することが判明した。このため、酸化を嫌う金属な
どとの複合性超電導体への応用が可能となった。
素含有雰囲気で熱処理したものは、その後の熱処理にお
いては酸素ガスを含まないガス雰囲気で行っても結晶内
部の酸素量はほとんど変化せず、超電導性の向上に十分
寄与することが判明した。このため、酸化を嫌う金属な
どとの複合性超電導体への応用が可能となった。
酸素ガスを含まないガス雰囲気は不活性ガス、特に窒素
ガス又はアルゴン等の希ガス族元素ガスが好ましい。熱
処理温度は７５０〜８８０℃で行ない、８８０℃を超え
る場合は融解してしまい７５０℃未満では超電導性の向
上が十分ではない。
ガス又はアルゴン等の希ガス族元素ガスが好ましい。熱
処理温度は７５０〜８８０℃で行ない、８８０℃を超え
る場合は融解してしまい７５０℃未満では超電導性の向
上が十分ではない。
熱処理後は、より高い臨界温度、零抵抗温度を得るため
に、５００〜７ＱＯ℃内の所定の温度まで徐冷し、その
後急冷することが好ましい。徐冷は５”Ｃ／ ｓ Ｉ
ｎ以下で行うのが好ましく、又徐冷に代って５００〜７
４０℃の温度で一定時間保持する方法でも同じ効果があ
る。急冷は一般的には炉から取り出し室温まで急冷する
ことによって行う。室温まで急冷に要する時間は１０分
以内が好ましく、より好ましくは１分以内である。急冷
する目的は、５００℃未満の温度で長時間保存あるいは
徐冷すると焼結体中に一定量残存する非超電導相が粒界
へ選択析出し、さらに超電導体の結晶構造が臨界温度の
低い超電導体の結晶構造に変化してしまうからである。
に、５００〜７ＱＯ℃内の所定の温度まで徐冷し、その
後急冷することが好ましい。徐冷は５”Ｃ／ ｓ Ｉ
ｎ以下で行うのが好ましく、又徐冷に代って５００〜７
４０℃の温度で一定時間保持する方法でも同じ効果があ
る。急冷は一般的には炉から取り出し室温まで急冷する
ことによって行う。室温まで急冷に要する時間は１０分
以内が好ましく、より好ましくは１分以内である。急冷
する目的は、５００℃未満の温度で長時間保存あるいは
徐冷すると焼結体中に一定量残存する非超電導相が粒界
へ選択析出し、さらに超電導体の結晶構造が臨界温度の
低い超電導体の結晶構造に変化してしまうからである。
以上、述べた方法で得られた超電導体は臨界温度が９０
’に以上、零抵抗温度が７０〜８５嘔のものが容易に得
られる。
’に以上、零抵抗温度が７０〜８５嘔のものが容易に得
られる。
以下、実施例を挙げて本発明を更に詳しく説明する。
［実施例１］
Ｂ１（Ｎｏ ） ”５ＨＯ，Ｓｒ（ＮＯ３）２゜Ｃ
ａ（Ｎｏ３） ２−４Ｈ２０，Ｃｕ（ＮＯａ） ２−３
Ｈ２０を元素比でＢｉ ：Ｓｒ ：Ｃａ ：Ｃｕ −
１：１：１：２の割合で秤量し２００ｍ１の純水に混合
させる。次いでこの溶液に酒石酸、エチレングリコール
を適量加え、９０℃で３時間、撹拌混合し、青白色ゲル
状物質を得た。
ａ（Ｎｏ３） ２−４Ｈ２０，Ｃｕ（ＮＯａ） ２−３
Ｈ２０を元素比でＢｉ ：Ｓｒ ：Ｃａ ：Ｃｕ −
１：１：１：２の割合で秤量し２００ｍ１の純水に混合
させる。次いでこの溶液に酒石酸、エチレングリコール
を適量加え、９０℃で３時間、撹拌混合し、青白色ゲル
状物質を得た。
次いで４００℃２時間、８００℃１時間大気中で熱処理
して得た黒色粉末を粉砕混合し、７ｔｏｎ／ｃｊの荷重
を加えてｌＯｍ＋ｓφＸ１ｍ＋ｓの成形体を得た。
して得た黒色粉末を粉砕混合し、７ｔｏｎ／ｃｊの荷重
を加えてｌＯｍ＋ｓφＸ１ｍ＋ｓの成形体を得た。
この成形体を８５０℃３時間、窒素雰囲気で熱処理した
後、電源を切り窒素雰囲気を保ったまま２時間経過し炉
内温度が６００℃に下がった段階で試料を炉から取り出
し１分以内で室温まで急冷した。この焼結体の臨界温度
Ｔｃは９５＠に、零抵抗温度Ｔｃは８Ｇ’にであった。
後、電源を切り窒素雰囲気を保ったまま２時間経過し炉
内温度が６００℃に下がった段階で試料を炉から取り出
し１分以内で室温まで急冷した。この焼結体の臨界温度
Ｔｃは９５＠に、零抵抗温度Ｔｃは８Ｇ’にであった。
［実施例 ２］
実施例１で作製した黒色粉末を成形し、このものを３ｃ
ｊＸ１＋ｍｔの銅板の上に置き、８５０℃３時間アルゴ
ン雰囲気で熱処理した。この後、アルゴン雰囲気を保っ
たまま、２時間経過し、炉内温度が６００℃に下がった
段階で試料を炉から取り出し、１分以内で室温まで急冷
した。銅板表面は黒色に変色しているが機械強度は変化
しておらず、又焼結体の臨界温度Ｔｃは９０１、零抵抗
温度は７５＠にであった。
ｊＸ１＋ｍｔの銅板の上に置き、８５０℃３時間アルゴ
ン雰囲気で熱処理した。この後、アルゴン雰囲気を保っ
たまま、２時間経過し、炉内温度が６００℃に下がった
段階で試料を炉から取り出し、１分以内で室温まで急冷
した。銅板表面は黒色に変色しているが機械強度は変化
しておらず、又焼結体の臨界温度Ｔｃは９０１、零抵抗
温度は７５＠にであった。
［比 較 例］
実施例２においてアルゴン雰囲気の代りに酸素雰囲気と
した以外は実施例２と同じ条件操作を行い試験を実施し
た。焼結体の臨界温度は９２”Ｋ、零抵抗温度は７７°
にであったが、銅板は酸化され変形するとともに機械強
度は大幅に低下した。
した以外は実施例２と同じ条件操作を行い試験を実施し
た。焼結体の臨界温度は９２”Ｋ、零抵抗温度は７７°
にであったが、銅板は酸化され変形するとともに機械強
度は大幅に低下した。
［発明の効果］
本発明に係る超電導体の製造方法によれば酸素ガスを含
まないガス雰囲気で熱処理することにより、金属基板、
金属炉内壁を酸化させ強度低下をもたらすことなしに超
電導体を製造することができる。
まないガス雰囲気で熱処理することにより、金属基板、
金属炉内壁を酸化させ強度低下をもたらすことなしに超
電導体を製造することができる。
本発明の方法により、超電導体と金属を複合した材料の
製造が容易となり、具体的には磁気シールド用超電導体
被覆金属構造物、金属被覆超電導線材、マグネット線材
、送電用線材、マグネット線材の製造が容易となる。
製造が容易となり、具体的には磁気シールド用超電導体
被覆金属構造物、金属被覆超電導線材、マグネット線材
、送電用線材、マグネット線材の製造が容易となる。
Claims (2)
- １．Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ系酸化物超電導体の製造方
法において、当該酸化物を酸素含有雰囲気下、７００〜
８８０℃で熱処理し、次いで粉砕、混合、成形して酸素
ガスを含まない雰囲気下、７５０〜８８０℃で熱処理す
ることを特徴とする超電導体の製造方法。 - ２．請求項１において酸素ガスを含まない雰囲気が窒素
ガス又は希ガス族元素ガスである超電導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63033444A JPH01208360A (ja) | 1988-02-15 | 1988-02-15 | 超電導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63033444A JPH01208360A (ja) | 1988-02-15 | 1988-02-15 | 超電導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01208360A true JPH01208360A (ja) | 1989-08-22 |
Family
ID=12386703
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63033444A Pending JPH01208360A (ja) | 1988-02-15 | 1988-02-15 | 超電導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01208360A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01226783A (ja) * | 1988-03-04 | 1989-09-11 | Res Dev Corp Of Japan | スクリーン印刷によるＢｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系超伝導膜の製造方法 |
-
1988
- 1988-02-15 JP JP63033444A patent/JPH01208360A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01226783A (ja) * | 1988-03-04 | 1989-09-11 | Res Dev Corp Of Japan | スクリーン印刷によるＢｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系超伝導膜の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3332350B2 (ja) | 超伝導体及びその使用方法 | |
| JPH0440289B2 (ja) | ||
| JP2672926B2 (ja) | イットリウム系超伝導体の製造方法 | |
| JPH01208360A (ja) | 超電導体の製造方法 | |
| EP1770190B1 (en) | METHOD OF FABRICATING RE-Ba-Cu-O SUPERCONDUCTOR | |
| US5270292A (en) | Method for the formation of high temperature semiconductors | |
| JPH0238359A (ja) | 超電導体の製造方法 | |
| JPH01201060A (ja) | 超電導体の製造方法 | |
| JP2007070157A (ja) | 超伝導セラミックス薄膜の形成方法 | |
| JPH01208359A (ja) | 超電導体の製造方法 | |
| JP2859283B2 (ja) | 酸化物超電導体 | |
| JP2685951B2 (ja) | ビスマス系超電導体の製造方法 | |
| JPH01203257A (ja) | 超電導体の製造方法 | |
| JP4153651B2 (ja) | 酸化物超電導材料の種結晶及びこれを用いた酸化物超電導材料の製造方法 | |
| JPH02258665A (ja) | 超伝導材料の製造方法 | |
| JPH01252535A (ja) | 超電導体の製造方法 | |
| JPH02221125A (ja) | 酸化物超電導体および製造方法 | |
| JPH01160861A (ja) | 超電導セラミクスの異方成長法 | |
| JPS63291815A (ja) | 超電導体の製造方法 | |
| JPH07187671A (ja) | 酸化物超電導体及びその製造方法 | |
| JPH0193483A (ja) | 超電導材料の製造方法 | |
| JPH03112810A (ja) | 酸化物超伝導膜の作製方法 | |
| JPH08725B2 (ja) | ビスマス系超電導体の製造法 | |
| JPH02275717A (ja) | 針状結晶超電導体及びその製造法 | |
| JPH04202046A (ja) | 超電導セラミックス焼結体の製造方法 |