JPH04202046A - 超電導セラミックス焼結体の製造方法 - Google Patents
超電導セラミックス焼結体の製造方法Info
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- JPH04202046A JPH04202046A JP2335594A JP33559490A JPH04202046A JP H04202046 A JPH04202046 A JP H04202046A JP 2335594 A JP2335594 A JP 2335594A JP 33559490 A JP33559490 A JP 33559490A JP H04202046 A JPH04202046 A JP H04202046A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的コ
(産業上の利用分野)
本発明は、臨界電流密度や臨界温度等の超電導特性の向
上を図った超電導セラミックス焼結体の製造方法に関す
る。
上を図った超電導セラミックス焼結体の製造方法に関す
る。
(従来の技術)
従来から、ある温度以下でその電気抵抗が零となる超電
導物質は数多く発見されており、それらを用いて電子デ
バイス等を実現しようとする試みも種々検討されてきて
いる。また、最近、液体窒素の沸点温度以上の転移温度
を有する、いわゆる高温超電導体が種々発見され、高価
な液体ヘリウムを必要としない超電導部材や超電導デバ
イスを実現する試みか関心を呼ぶに至っている。
導物質は数多く発見されており、それらを用いて電子デ
バイス等を実現しようとする試みも種々検討されてきて
いる。また、最近、液体窒素の沸点温度以上の転移温度
を有する、いわゆる高温超電導体が種々発見され、高価
な液体ヘリウムを必要としない超電導部材や超電導デバ
イスを実現する試みか関心を呼ぶに至っている。
上記高温超電導体としては、5r−La−Cu−0系の
層状ペロブスカイト型酸化物超電導体、転移温度が液体
窒素の沸点温度(−77K)より高いY−Ba−Cu−
0系で代表される酸素欠陥を有する欠陥ペロブスカイト
型酸化物超電導体、さらに転移温度の高いB1−3r−
Ca−Cu−0系やT l−Ba−Ca−Cu−0系等
の酸化物超電導体等が発見されている。
層状ペロブスカイト型酸化物超電導体、転移温度が液体
窒素の沸点温度(−77K)より高いY−Ba−Cu−
0系で代表される酸素欠陥を有する欠陥ペロブスカイト
型酸化物超電導体、さらに転移温度の高いB1−3r−
Ca−Cu−0系やT l−Ba−Ca−Cu−0系等
の酸化物超電導体等が発見されている。
このような酸化物超電導体は、結晶性の酸化物であるた
め、これらを各種形状の超電導部利として利用する場合
には、次のような方法により焼結体を作製して利用する
ことが考えられている。
め、これらを各種形状の超電導部利として利用する場合
には、次のような方法により焼結体を作製して利用する
ことが考えられている。
すなわち、まず目的とする酸化物超電導体の構成元素を
含有する出発原料を所定の比率で混合し、この混合粉末
を仮焼して結晶化させ、それ自体所定の温度で超電導特
性を示す超電導相の仮焼粉末を作製する。次いで、この
仮焼粉末をプレス成形等により所要の形状に成形した後
、この成形体を所定の温度で焼成し、さらに必要に応じ
て充分に酸素の供給できる雰囲気中でアニーリングを行
い超電導特性を向上させ、超電導セラミックス焼結体を
得ている。
含有する出発原料を所定の比率で混合し、この混合粉末
を仮焼して結晶化させ、それ自体所定の温度で超電導特
性を示す超電導相の仮焼粉末を作製する。次いで、この
仮焼粉末をプレス成形等により所要の形状に成形した後
、この成形体を所定の温度で焼成し、さらに必要に応じ
て充分に酸素の供給できる雰囲気中でアニーリングを行
い超電導特性を向上させ、超電導セラミックス焼結体を
得ている。
(発明が解決しようとする課題)
ところで、上記したような製造方法により得られる超電
導セラミックス焼結体の部品形状における超電導特性例
えば臨界電流密度は、現状では1000A/cJ程度で
あり、実用的な超電導部祠として十分な値を満足するに
は至っておらす、さらに臨界電流密度を向上させること
か強く望まれている。
導セラミックス焼結体の部品形状における超電導特性例
えば臨界電流密度は、現状では1000A/cJ程度で
あり、実用的な超電導部祠として十分な値を満足するに
は至っておらす、さらに臨界電流密度を向上させること
か強く望まれている。
また、臨界温度に関しても、−数的に確認されている温
度からさらに高くすることによって、超電導特性発現の
ための冷却時の熱的マージンをより大きくすることか可
能となるため、よりいっそうの向上が強く望まれている
。
度からさらに高くすることによって、超電導特性発現の
ための冷却時の熱的マージンをより大きくすることか可
能となるため、よりいっそうの向上が強く望まれている
。
一方、上述したような従来の超電導セラミックスの焼結
体の製造方法においては、焼結時における温度、時間、
雰囲気、さらにはアニーリング工程での条件等、変動要
因が多く、得られた超電導セラミックス焼結体の特性に
バラツキが生じやすいという問題もあった。
体の製造方法においては、焼結時における温度、時間、
雰囲気、さらにはアニーリング工程での条件等、変動要
因が多く、得られた超電導セラミックス焼結体の特性に
バラツキが生じやすいという問題もあった。
本発明は、上述したような課題に対処するためになされ
たもので、均質でかつ臨界電流密度や臨界温度等の超電
導特性をより向上させた酸化物超電導体の焼結体を再現
性よく得ることを可能にした超電導セラミックス焼結体
の製造方法を提供することを目的としている。
たもので、均質でかつ臨界電流密度や臨界温度等の超電
導特性をより向上させた酸化物超電導体の焼結体を再現
性よく得ることを可能にした超電導セラミックス焼結体
の製造方法を提供することを目的としている。
[発明の構成コ
(課題を解決するための手段)
本発明の超電導セラミックス焼結体の製造方法は、酸化
物超電導体からなる超電導セラミックス焼結体を製造す
るにあたり、前記酸化物超電導体の構成金属元素を所定
の比率で含む少なくとも1種の非超電導相粉末を原料粉
末とし、この原料粉末を所定の形状に成形する工程と、
前記成形体に対して熱処理を施し、前記原料粉末を酸化
物超電導体相に変態させるとともに、前記成形体を焼結
させる工程とを有することを特徴としている。
物超電導体からなる超電導セラミックス焼結体を製造す
るにあたり、前記酸化物超電導体の構成金属元素を所定
の比率で含む少なくとも1種の非超電導相粉末を原料粉
末とし、この原料粉末を所定の形状に成形する工程と、
前記成形体に対して熱処理を施し、前記原料粉末を酸化
物超電導体相に変態させるとともに、前記成形体を焼結
させる工程とを有することを特徴としている。
酸化物超電導体としては、多数のものが知られているか
、本発明においては希土類元素含有のペロブスカイト型
構造の酸化物超電導体や、Bi系、T1系、pb系等の
酸化物超電導体が適用される。
、本発明においては希土類元素含有のペロブスカイト型
構造の酸化物超電導体や、Bi系、T1系、pb系等の
酸化物超電導体が適用される。
ここでいう希土類元素を含有しペロブスカイト型構造を
有する酸化物超電導体は、超電導状態を実現できる゛も
のであればよく、 化学式: RE M2 CLI307−6−− (1)
(式中、]?EはY% La1Sc1Nd−Sm、 E
u、 GdXDy%HoXErSTm、YbXLu等の
希土類元素から選ばれた少なくとも 1種の元素を、M
はBas Sr、Caから選ばれた少なくとも 1種の
元素を、δは酸素欠陥を表し通常1以下の数、Cuの一
部はTi、 ■、Or、 Mn。
有する酸化物超電導体は、超電導状態を実現できる゛も
のであればよく、 化学式: RE M2 CLI307−6−− (1)
(式中、]?EはY% La1Sc1Nd−Sm、 E
u、 GdXDy%HoXErSTm、YbXLu等の
希土類元素から選ばれた少なくとも 1種の元素を、M
はBas Sr、Caから選ばれた少なくとも 1種の
元素を、δは酸素欠陥を表し通常1以下の数、Cuの一
部はTi、 ■、Or、 Mn。
Pe、 Co、旧、Zn等で置換可能。以下同じ)で表
される酸化物等が例示される。
される酸化物等が例示される。
また、Bi系の酸化物超電導体としては、化学式: B
iz 5r2Ca2Cu30 、 −− (II):
B12(Sr、Ca)3Cu20 y −−(I[
[)等で表されるものが挙げられ、またII系の酸化物
超電導体としては、 化学式: T12 Ba2Ca2Cu30 y ・
・・−・−(IV): T+2 (Ba、Ca)3C
u20 、 −−−−・−(V)等で表されるものか挙
げられる。
iz 5r2Ca2Cu30 、 −− (II):
B12(Sr、Ca)3Cu20 y −−(I[
[)等で表されるものが挙げられ、またII系の酸化物
超電導体としては、 化学式: T12 Ba2Ca2Cu30 y ・
・・−・−(IV): T+2 (Ba、Ca)3C
u20 、 −−−−・−(V)等で表されるものか挙
げられる。
本発明において使用する原料粉末は、目的とする酸化物
超電導体の構成金属元素を所定の比率で含む非超電導相
粉末、例えば常電導相粉末や半導体相粉末からなるもの
であり、これら非超電導相粉末は1種もしくは2種以上
の混合粉末として使用される。
超電導体の構成金属元素を所定の比率で含む非超電導相
粉末、例えば常電導相粉末や半導体相粉末からなるもの
であり、これら非超電導相粉末は1種もしくは2種以上
の混合粉末として使用される。
このような原料粉末の具体例としては、目的とする酸化
物超電導体か上記(I)式で表されるY−Ba−Cu−
0系で代表される希土類元素含有の酸化物超電導体の場
合、例えば 化学式: RE M2 Cus 07−X ”
’ ”’ (Vl)(式中、Xは0.5≦x < 1
.0を満足する数を示す)を実質的に満足するものが挙
げられる。上記(VI)式で表されるように、酸素欠陥
を表すXの値を0.5≦x < 1.0の範囲とする
ことによって、結晶構造は正方品系となり、非超電導相
粉末すなわち正方晶相粉末となる。なお、Xの値をO<
X<05の範囲とすることにより、結晶構造は斜方
晶系となって、超電導特性を示す(例えば液体窒素温度
77にで)ようになる。
物超電導体か上記(I)式で表されるY−Ba−Cu−
0系で代表される希土類元素含有の酸化物超電導体の場
合、例えば 化学式: RE M2 Cus 07−X ”
’ ”’ (Vl)(式中、Xは0.5≦x < 1
.0を満足する数を示す)を実質的に満足するものが挙
げられる。上記(VI)式で表されるように、酸素欠陥
を表すXの値を0.5≦x < 1.0の範囲とする
ことによって、結晶構造は正方品系となり、非超電導相
粉末すなわち正方晶相粉末となる。なお、Xの値をO<
X<05の範囲とすることにより、結晶構造は斜方
晶系となって、超電導特性を示す(例えば液体窒素温度
77にで)ようになる。
また、211相と呼ばれるY2 BaCuO5粉末とB
aCuO2粉末との混合粉末等を用いることも可能であ
る。
aCuO2粉末との混合粉末等を用いることも可能であ
る。
上記(Vl)式で表される正方晶相粉末は、例えば以下
のようにして作製される。
のようにして作製される。
まず、Y s Ba−、Cu等の酸化物超電導体の構成
元素を十分混合する。混合の際には、Y203 、Ba
CO3、CuO等の酸化物や炭酸塩を原料として用いる
ことができるほか、他の焼成後酸化物に転化する硝酸塩
、水酸化物等の化合物を用いてもよい。
元素を十分混合する。混合の際には、Y203 、Ba
CO3、CuO等の酸化物や炭酸塩を原料として用いる
ことができるほか、他の焼成後酸化物に転化する硝酸塩
、水酸化物等の化合物を用いてもよい。
さらには共沈法等で得たシュウ酸塩等を用いてもよい。
酸化物超電導体を構成する元素は、基本的に化学量論比
□の組成となるように混合するが、多少製造条件等との
関係でずれていても差支えない。
□の組成となるように混合するが、多少製造条件等との
関係でずれていても差支えない。
次に、前述の混合粉末を上記Xの値が0.5≦x<1.
0の範囲となるように、大気雰囲気中等で800℃〜9
20℃程度の温度で仮焼する。この後、上記仮焼物をボ
ールミル、サンドグラインダ、その他公知の手段により
粉砕する。
0の範囲となるように、大気雰囲気中等で800℃〜9
20℃程度の温度で仮焼する。この後、上記仮焼物をボ
ールミル、サンドグラインダ、その他公知の手段により
粉砕する。
上記仮焼によって、基本的にY−Ba−Cu−0系等の
酸化物超電導体と同一の構成元素比で、結晶構造か正方
晶系の粉末、すなわち本発明で用いる原料粉末が得られ
る。
酸化物超電導体と同一の構成元素比で、結晶構造か正方
晶系の粉末、すなわち本発明で用いる原料粉末が得られ
る。
また、目的とする酸化物超電導体か上記(II)式や(
m)式で表されるBi系の酸化物超電導体の場合の原料
粉末は、上記希土類系と同様に酸素数を調整することに
よって得られる。
m)式で表されるBi系の酸化物超電導体の場合の原料
粉末は、上記希土類系と同様に酸素数を調整することに
よって得られる。
本発明の製造方法においては、上述したような非超電導
相の原料粉末を用いて、プレス成形法、射出成形法、ス
リップキャスティング法等の各種公知の成形手段により
、ブロック状、線状、管状等の目的に応じた形状の成形
体を作製する。
相の原料粉末を用いて、プレス成形法、射出成形法、ス
リップキャスティング法等の各種公知の成形手段により
、ブロック状、線状、管状等の目的に応じた形状の成形
体を作製する。
次に、上記成形体を目的とする酸化物超電導体に応した
温度で焼成した後、必要に応じて酸素を供給しながら室
温近傍まで徐冷したり、あるいは酸素の充分に供給可能
な雰囲気中で300℃〜800°C程度の温度で数時間
保持してアニーリング処理を施し、上記原料粉末を焼結
させるとともに、原料粉末の非超電導相を超電導相に変
態させて、目的とする超電導セラミックス焼結体を得る
。
温度で焼成した後、必要に応じて酸素を供給しながら室
温近傍まで徐冷したり、あるいは酸素の充分に供給可能
な雰囲気中で300℃〜800°C程度の温度で数時間
保持してアニーリング処理を施し、上記原料粉末を焼結
させるとともに、原料粉末の非超電導相を超電導相に変
態させて、目的とする超電導セラミックス焼結体を得る
。
(作 用)
= 9−
本発明の超電導セラミックス焼結体の製造方法において
は、焼結体の原料粉末として、熱処理により酸化物超電
導体に成り得る非超電導相粉末を用いている。そして、
この非超電導相粉末の成形体を焼結させる際に、非超電
導相から超電導相に変態させているため、この相変態の
際に双晶か均一に導入される。この双晶の導入は、全方
位に対して内部ひずみを解放するとともに、双晶自体は
磁束線のピンニングセンターとして機能する。
は、焼結体の原料粉末として、熱処理により酸化物超電
導体に成り得る非超電導相粉末を用いている。そして、
この非超電導相粉末の成形体を焼結させる際に、非超電
導相から超電導相に変態させているため、この相変態の
際に双晶か均一に導入される。この双晶の導入は、全方
位に対して内部ひずみを解放するとともに、双晶自体は
磁束線のピンニングセンターとして機能する。
したがって、良好な超電導特性、例えば臨界温度や臨界
電流を有する超電導セラミックス焼結体が再現性よく得
られる。
電流を有する超電導セラミックス焼結体が再現性よく得
られる。
(実施例)
次に、本発明の実施例について説明する。
実施例1
まず、それぞれ粒径1〜5μmとしたY2O3粉末0.
5mol 、BaCO3粉末2mol 、CuO粉末3
molを十分に混合し、大気中、920℃で4時間焼成
した後に粉砕した。
5mol 、BaCO3粉末2mol 、CuO粉末3
molを十分に混合し、大気中、920℃で4時間焼成
した後に粉砕した。
上記粉末の結晶構造をX線回折によって調べたところ、
結晶構造が正方品系で、前述した(Vl)式におけるX
の値が0.5のYBa2Cu30 b5で表される正方
晶相粉末であることを確認した。
結晶構造が正方品系で、前述した(Vl)式におけるX
の値が0.5のYBa2Cu30 b5で表される正方
晶相粉末であることを確認した。
上記正方晶相粉末を原料粉末として用い、プレス圧30
0kg/ cdの条件によるプレス成形により、外径2
5mm X内径10mmX厚さ 6’、5mmのペレッ
ト状の成形体を作製した。
0kg/ cdの条件によるプレス成形により、外径2
5mm X内径10mmX厚さ 6’、5mmのペレッ
ト状の成形体を作製した。
次いで、この成形体を焼成炉内に設置し、940℃まで
昇温し、この温度で酸素ガスを供給しながら4時間保持
して焼結させた後、600℃まで酸素ガスを供給しなが
ら徐冷し、この温度で15時間保持した後、5℃/時間
で550℃まで冷却し、さらにこの温度で15時間保持
した後、室温まで炉冷して目的とする超電導セラミック
ス焼結体を得た。
昇温し、この温度で酸素ガスを供給しながら4時間保持
して焼結させた後、600℃まで酸素ガスを供給しなが
ら徐冷し、この温度で15時間保持した後、5℃/時間
で550℃まで冷却し、さらにこの温度で15時間保持
した後、室温まで炉冷して目的とする超電導セラミック
ス焼結体を得た。
このようにして得た超電導セラミックス焼結体の結晶構
造をX線回折によって調べたところ、結晶構造が斜方晶
系で、前述した(Vl)式におけるXの値が0.■のY
Ba2Cu306.9で表される超電導相焼結体である
ことを確認した。この超電導セラミックス焼結体の臨界
温度と臨界電流密度をそれぞれ4端子法で測定したとこ
ろ、臨界温度は93にであり、臨界電流密度は77にで
2000A/ c♂であった。
造をX線回折によって調べたところ、結晶構造が斜方晶
系で、前述した(Vl)式におけるXの値が0.■のY
Ba2Cu306.9で表される超電導相焼結体である
ことを確認した。この超電導セラミックス焼結体の臨界
温度と臨界電流密度をそれぞれ4端子法で測定したとこ
ろ、臨界温度は93にであり、臨界電流密度は77にで
2000A/ c♂であった。
また、上記超電導セラミックス焼結体の結晶組織を透過
型電子顕微鏡により観察したところ、[110]方位の
2方向からほぼ90°で交差するような形態で双晶か導
入されていることを確認した。
型電子顕微鏡により観察したところ、[110]方位の
2方向からほぼ90°で交差するような形態で双晶か導
入されていることを確認した。
比較例1
それぞれ粒径1〜5μmとしたY2O3粉末0.5mo
l 、BaC0a粉末2mol 、CuO粉末3m01
を十分に混合し、酸素気流中、930℃で10時間焼成
した後に粉砕した。
l 、BaC0a粉末2mol 、CuO粉末3m01
を十分に混合し、酸素気流中、930℃で10時間焼成
した後に粉砕した。
上記粉末の結晶構造をX線回折によって調べたところ、
結晶構造が斜方晶系で、前述した(Vl)式におけるX
の値が0.1のYBa2Cu306.9で表される超電
導相粉末であることを確認した。
結晶構造が斜方晶系で、前述した(Vl)式におけるX
の値が0.1のYBa2Cu306.9で表される超電
導相粉末であることを確認した。
上記超電導相粉末を原料粉末として用い、実施例1と同
一条件で超電導セラミックス焼結体を作製し、臨界温度
と臨界電流密度をそれぞれ4端子法で111定したとこ
ろ、臨界温度は93にであり、臨界電流密度は77にて
1’000A/c+#であった。
一条件で超電導セラミックス焼結体を作製し、臨界温度
と臨界電流密度をそれぞれ4端子法で111定したとこ
ろ、臨界温度は93にであり、臨界電流密度は77にて
1’000A/c+#であった。
[発明の効果コ
以上の説明したように、本発明の超電導セラミックス焼
結体の製造方法によれば、焼成段階で非超電導相から超
電導相に変態させていることによって、均質でかつ臨界
電流密度や臨界温度等の超電導特性をより向上させた酸
化物超電導体の焼結体を再現性よく得ることが可能とな
る。
結体の製造方法によれば、焼成段階で非超電導相から超
電導相に変態させていることによって、均質でかつ臨界
電流密度や臨界温度等の超電導特性をより向上させた酸
化物超電導体の焼結体を再現性よく得ることが可能とな
る。
出願人 株式会社 東芝
代理人 弁理士 須 山 佐 −
Claims (2)
- (1)酸化物超電導体からなる超電導セラミックス焼結
体を製造するにあたり、 前記酸化物超電導体の構成金属元素を所定の比率で含む
少なくとも1種の非超電導相粉末を原料粉末とし、この
原料粉末を所定の形状に成形する工程と、 前記成形体に対して熱処理を施し、前記原料粉末を酸化
物超電導体相に変態させると共に、前記成形体を焼結さ
せる工程と を有することを特徴とする超電導セラミックス焼結体の
製造方法。 - (2)請求項1記載の超電導セラミックス焼結体の製造
方法において、 前記原料粉末は、 一般式:REM_2Cu_3O_7_−_x(式中、R
EはYを含む希土類元素から選ばれた少なくとも1種の
元素を、MはBa、Sr、Caから選ばれた少なくとも
1種の元素を示し、xは0.5≦x<1.0を満足する
数を示す) で実質的に表される正方晶相粉末であることを特徴とす
る超電導セラミックス焼結体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2335594A JPH04202046A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 超電導セラミックス焼結体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2335594A JPH04202046A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 超電導セラミックス焼結体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04202046A true JPH04202046A (ja) | 1992-07-22 |
Family
ID=18290335
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2335594A Pending JPH04202046A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 超電導セラミックス焼結体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04202046A (ja) |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP2335594A patent/JPH04202046A/ja active Pending
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