JPH09502959A - バリウムおよびストロンチウムの少なくとも１つとタリウム、銅、酸素およびフッ素を含有する超伝導体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 ＭがＢａでありそしてｘが約０．１０から約０．６５であるか或はＭがＳｒでありそしてｘが約０．３５から約０．７５である名目上の式ＴｌＭ₂ＣｕＯ_5-xＦ_xで表される超伝導組成物を開示する。

Description

【発明の詳細な説明】 バリウムおよびストロンチウムの少なくとも１つとタリウム、銅、酸素およ びフッ素を含有する超伝導体発明の分野 本発明は新規なフッ素置換Ｔｌ−Ｍ−Ｃｕ酸化物超伝導体を提供し、ここでＭ はＢａ、Ｓｒまたはこれらの混合物である。発明の背景 Ｔｌ−Ｃａ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系で数多くの超伝導化合物が見いだされているが 、ＢａがＳｒで置き換えられた類似超伝導化合物を高純度相として合成するのは 一般に不可能である。Ｔｌ−Ｃａ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系では単一（ｓｉｎｇｌｅ） および二重（ｄｏｕｂｌｅ）両方のＴｌ−Ｏ層構造材料が合成されているが、Ｔ ｌ−Ｃａ−Ｓｒ−Ｃｕ−Ｏ系で合成されたのは単−Ｔｌ−Ｏ層構造材料のみであ り、このような相を有する構造物の安定化は置換体を導入することで行われてい た。 Ｚ．Ｙ．Ｃｈｅｎ他はＳｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｃｏｍｍｕｎ．８３、８９５ （１９９２）の中で、名目上の組成がＴｌＳｒ₂ＣａＣｕ₂Ｏ_7-xＡ_x［ここで、Ａ はＦであり、そしてｘ＝０．０−１．５である］のサンプルはほぼ単一相であり そして３５−５０Ｋの転移温度で超伝導を示すことを開示している。ＡがＣｌで ｘ＝０−０．５の場合、少量のＣｌが上記サンプルの超伝導性を壊しそして１２ １２相の生成を妨害することを確認した。 カルシウムを全く含まない単一Ｔｌ−Ｏ層構造材料は式ＴｌＳｒ₂ＣｕＯ₅およ びＴｌＢａ₂ＣｕＯ₅で表される。Ａ．Ｋ．ＧａｎｇｕｌｉおよびＭ．Ａ．Ｓｕｂ ｒａｍａｎｉａｎはＪ．Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｃｈｅｍ．９３、２５０（１９９１）の中で、ＴｌＳｒ₂ＣｕＯ₅は金属質であり そして４．２Ｋになると超伝導性が観察されなくなることを開示している。従っ て、本出願者らは単に公知超伝導体にフッ素を付加させようとするものでない。 Ｔｌ−Ｓｒ−Ｃｕ−Ｏ組成物が超伝導を示すようになるには別の元素、例えばＬ ａまたはＮｄなどを加える必要があることを見い出した。Ｍ．Ａ．Ｓｕｂｒａｍ ａｎｉａｎはＭａｔ．Ｒｅｓ．Ｂｕｌｌ．２５、１９１（１９９０）の中で、式 ＴｌＳｒ_2-xＲ_xＣｕＯ₅［式中、ＲはＬａまたはＮｄであり、そしてｘ＝０．６ から１．０である］で表される酸化物は正方晶系構造を有する単一相であること を開示している。このような酸化物は３５−４８Ｋの範囲の転移温度で超伝導性 を示す。バリウム含有組成物に関しては、Ｈ．Ｃ．Ｋｕ他がＪｐｎ．Ｊ．Ａｐｐ ｌ．Ｐｈｙｓ．２８、Ｌ９２３（１９８９）の中で、ＴｌＢａ₂ＣｕＯ₅は金属質 であり、準安定な超伝導転移が約２５Ｋの開始点で起こりそしてゼロ抵抗になる のは１０Ｋであることを開示している。再び、安定な超伝導組成物を達成するに はＬａまたはＮｄを存在させる必要がある。式ＴｌＢａ_2-xＲ_xＣｕＯ₅［式中、 ＲはＬａまたはＮｄであり、そしてｘ＝０．２から０．６である］で表される酸 化物は正方晶系構造を有し、４０Ｋ以上の転移温度で超伝導を示す。 本発明は、Ｃａ、ＬａまたはＮｄが存在していない新規なＴｌ−Ｍ−Ｃｕ−Ｏ 型超伝導体を提供するものである。 発明の要約 本発明は、名目上の式ＴｌＭ₂ＣｕＯ_5-xＦ_x［式中、ＭはＢａ、Ｓｒまたはこ れらの混合物であり、ＭがＢａの時のｘは約０．１０から約０．６５であり、そ してＭがＳｒの時のｘは約０．３５から約０．７５であ る］で表される単一相超伝導体を包含する。ＭがＢａとＳｒの混合物である場合 、Ｍ中のＳｒ量が０から１００％に上昇するにつれてｘの下限は約０．１０から 約０．３５に上昇すると共にｘの上限は約０．６５から約０．７５に上昇する。 このような組成物は少なくとも約３５Ｋの温度に超伝導開始点を示す。 本発明は更に導電材料内に電流を電気抵抗損（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ ｒｅｓ ｉｓｔｉｖｅ ｌｏｓｓｅｓ）なしに流す方法を包含し、この方法は、名目上の 式ＴｌＭ₂ＣｕＯ_5-xＦ_x［式中、ＭがＢａでありそしてｘが約０．１０から約０ ．６５であるか、或はＭがＳｒでありそしてｘが約０．３５から約０．７５であ る］で表される組成物を含む導電材料を上記組成物のＴ_cより低い温度に冷却し た後、上記導電材料を上記温度より低い温度に維持しながらこの材料の中に電流 の流れを開始させることを含む。 図の簡単な説明 図１に、実施例２の組成物ＴｌＳｒ₂ＣｕＯ_4.5Ｆ_0.5に関するＸ線粉末回折パ ターンを示す。 図２に、実施例２の組成物および比較組成物ＢおよびＣに関する抵抗を温度の 関数として示す。 発明の詳細な説明 本発明は、名目上の式ＴｌＭ₂ＣｕＯ_5-xＦ_x［式中、ＭがＳｒでありそしてｘ が約０．１０から約０．６５であるか、或はＭがＢａでありそしてｘが約０．３ ５から約０．７５である］で表される超伝導組成物を包含する。好適な組成物に は、ＭがＳｒでありそしてｘが約０．４０から約０．６０である組成物、および ＭがＢａでありそしてｘが約０．４ ０から約０．５０である組成物が含まれる。 本発明の超伝導組成物は以下に示す方法で製造可能である。Ｔｌ：Ｍ：Ｃｕの 原子比が１：２：１になりそしてＦ：Ｔｌの比がｘに等しくなるように反応体Ｍ Ｏ₂、ＭＯ、ＴｌＦ、Ｔｌ₂Ｏ₃およびＣｕＯの量を選択する。ｘが種々の値を有 する名目上の式ＴｌＭ₂ＣｕＯ_5-xＦ_xで表される酸化物を生じさせるに必要な、 種々の反応体の適切な相対的特定重量を、本実施例の中に開示する。めのう乳鉢 の中で上記反応体を徹底的に粉砕する。この混合した粉末を直接加熱してもよい か、或はこれを成形してペレットまたは他の成形物にした後これを加熱すること も可能である。この粉末またはペレットを加熱するに先立って、これらを、反応 性を示さない金属、例えば金などで出来ている管の中に密封する。少なくとも約 ０．５Ｋバール（５０ＭＰａ）の外部圧力を用い、１分当たり約５℃の速度で上 記管を加熱して約８００℃の温度にする。好適には、この圧力を約３Ｋバール（ ３ＭＰａ）にする。この反応体が入っている管を上記条件下に少なくとも約１時 間保持する。次に、この管を室温に冷却した後、圧力を大気圧に戻す。次に、こ の管を切り開いてサンプルを回収してもよい。揮発性のあるタリウムに加えて酸 素およびフッ素が失われないようにするには該反応体を密封容器内で加熱する必 要がある。フッ素置換されたＴｌＭ₂ＣｕＯ_5-xＦ_x酸化物を製造するには大気圧 以上の圧力を用いる必要がある。 本分野の技術者に知られている通常の手段でＴｌＭ₂ＣｕＯ_5-xＦ_x生成物を粉 砕して粉末にし、そしてこの粉末を用いてＸ線回折粉末パターンを得ることがで きる。上記Ｘ線回折粉末パターンから本発明の超伝導体の格子パラメーターを測 定し、正方晶系単位格子を基準にして割り出 した結果、ＭがＳｒの時、格子パラメーターａは約０．３８ｎｍで格子パラメー ターｃは約０．９０ｎｍであり、そしてＭがＢａの時、格子パラメーターａは約 ０．３８ｎｍで格子パラメーターｃは約０．９６ｎｍであった。上記格子パラメ ーターはフッ素含有量が高くなるに伴って上昇した。このＸ線回折パターンは、 上記超伝導体が本質的に単一相であることを示している。 よく知られている四探針技術を用いて抵抗測定を行うか或は磁気フラックスエ クスクルージョン（ｍａｇｎｅｔｉｃ ｆｌｕｘ ｅｘｃｌｕｓｉｏｎ）、即ち マイスナー効果を観察することで、超伝導性を実証することができる。この効果 は、Ｅ．ＰｏｌｔｕｒａｋおよびＢ．ＦｉｓｈｅｒがＰｈｙｓｉｃａｌ Ｒｅｖ ｉｅｗ Ｂ、３６、５５８６（１９８７）（引用することによって本明細書に組 み入れられる）の論文中で記述している方法で測定可能である。本発明の超伝導 組成物は少なくとも３５Ｋの温度に超伝導開始点を示す。温度に対する抵抗の曲 線がゼロに降下し始める温度か或はフラックスエクスクルージョンが起こり始め る温度が、超伝導開始点であり、これを本明細書の以下でＴ_cと呼ぶものとする 。 本発明は更に導電材料内に電流を電気抵抗損なしに流す方法を包含し、この方 法は、名目上の式ＴｌＭ₂ＣｕＯ_5-xＦ_x［式中、ＭがＢａでありそしてｘが約０ ．１０から約０．６５であるか、或はＭがＳｒでありそしてｘが約０．３５から 約０．７５である］で表される組成物を含む導電材料を上記組成物のＴ_cより低 い温度に冷却した後、上記導電材料を上記温度より低い温度に維持しながらこの 材料の中に電流の流れを開始させることを含む。本明細書で用いる好適な組成物 は、ＭがＢａであり そしてｘが約０．４０から約０．５０である組成物、或はＭがＳｒでありそして ｘが約０．４０から約０．６０である組成物である。本分野の技術者によく知ら れている様式で上記材料を液体窒素または液体ヘリウムに接触させることにより 、超伝導転移温度Ｔ_cより低い温度に至る冷却を達成することができる。好適に は、この導電材料をワイヤーまたはバーの形状にする。次に、本分野の技術者に よく知られている方法、例えば起電力または磁場誘導などを用いて電流の流れを 開始させる。上記流れは全く電気抵抗損なしに得られる。最小限の電力損失で非 常に高い磁場を得るには、上述したワイヤーを巻いてコイルまたはソレノイドに してもよく、そしてこのコイル中に何らかの電流を誘導する前に、これを液体ヘ リウムまたは液体窒素に接触させてもよい。また、上記場を用いて鉄道車両の如 き大型物体を空中に浮かすことも可能である。 非常に高い効率で電流を流す目的か或は医学用途の磁気画像形成または粒子加 速装置のための磁場を与える目的で、本発明の超伝導組成物および方法を用いる ことができる。本超伝導組成物はまたジョセフソン装置、例えば超伝導量子干渉 装置（ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ ｑｕａｎｔｕｍ ｉｎｔｅｒｆｅｒｅ ｎｃｅ ｄｅｖｉｃｅｓ）（ＳＱＵＩＤＳ）などおよびジョセフソン効果を基と する装置、例えば高速サンプリング回路および電圧標準などで用いるにも有用で ある。 発明に関する実施例 実施例１−４ 比較実験Ａ−Ｄ 各実施例１−４および比較実験Ａ−Ｄに関して、表Ｉに示す量でＳｒＯ₂、Ｔ ｌＦ、Ｔｌ₂Ｏ₃およびＣｕＯをめのう乳鉢内で約３０分間粉砕 することを通して、名目上の式ＴｌＳｒ₂ＣｕＯ_5-xＦ_xにおいてｘ＝０．２、０ ．３、０．４、０．５、０．６、０．７、０．８および１．０に相当する組成物 を調製した。 各組成物に関して、上記粉末をプレス加工して直径が１０ｍｍで厚さが約３ｍ ｍのペレットにした。一定組成物の２つのペレットを金製管に入れ、この管を溶 接で密封した。次に、このペレットが入っている金製管をオーブンの中に入れ、 ３Ｋバール（３ｘ１０⁸Ｐａ）の圧力下、１分当たり５℃の速度で加熱して８０ ０℃にし、そして上記条件下に３時間保持した。次に、この炉をオフにして上記 管を室温に冷却した。次に、この管を切り開いてペレットを回収した。各組成物 のペレットの１つを粉砕して粉末にし、これを用いてＸ線粉末回折パターンを得 た。正方晶系単位格子を基準にしてこれらのパターンを割り出した。上記超伝導 組成物に関するＸ線粉末回折パターンは、この組成物が本質的に単一相であるこ とを示していた。このＸ線粉末回折パターンから決定した格子パラメーターａお よびｃを表ＩＩＩに示す。実施例２の組成物ＴｌＳｒ₂ＣｕＯ_4.5Ｆ_0.5の場合に 得られたＸ線粉末回折パターンを図１に示し、 そして観察および計算ｄ面間隔、相対強度および観察反射指数を表ＩＩに示す。 約１０，０００ｐｓｉ（７ｘ１０⁷Ｐａ）の圧力を用いて各組成物の粉末をプ レス加工して２ｍｍｘ２ｍｍｘ４ｍｍのバーにした。電流が１０μａの四探針技 術を用いて抵抗測定を行った。実施例２と比較実験ＢおよびＣの組成物に関する 温度に対する抵抗のプロットを図２に示す。比較実験ＡおよびＢの組成物は金属 質でありそして比較実験ＣおよびＤの組成物は半導質であることを確認した。実 施例１−４の組成物に関する導電開始点Ｔ_cもまた表ＩＩＩに示す。磁気フラッ クスエクスクルージョン測定により、実施例１−４が超伝導性を示すことを実証 した。 実施例５−９ 比較実験Ｅ−Ｈ 各実施例５−８および比較実験Ｅ−Ｈに関して、表ＩＶに示す量でＢａＯ₂、 ＢａＯ、ＴｌＦ、Ｔｌ₂Ｏ₃およびＣｕＯをめのう乳鉢内で約３０分間粉砕するこ とを通して、名目上の式ＴｌＢａ₂ＣｕＯ_5-xＦ_xにおいてｘ＝０．１、０．２、 ０．３、０．４、０．５、０．６、０．７、０．８および１．０に相当する組成 物を調製した。 各組成物に関して、上記粉末をプレス加工して直径が１０ｍｍで厚さが約３ｍ ｍのペレットにした。一定組成物の２つのペレットを金製管に入れ、この管を溶 接で密封した。次に、このペレットが入っている金製管をオーブンの中に入れ、 ３Ｋバール（３ｘ１０⁸Ｐａ）の圧力下、１分当たり５℃の速度で加熱して８０ ０℃にし、そして上記条件下に３時間保持した。次に、この炉をオフにして上記 管を室温に冷却した。次に、この管を切り開いてペレットを回収した。各組成物 のペレットの１つを粉砕して粉末にし、これを用いてＸ線粉末回折パターンを得 た。正方晶系単位格子を基準にしてこれらのパターンを割り出した。上記超伝導 組成物に関するＸ線粉末回折パターンは、実施例５−８の組成物が本質的に単一 相であることを示していた。実施例９のＸ線粉末回折パターンには弱い不純ライ ンが含まれていた。このＸ線粉末回折パターンから決定した格子パラメーターａ およびｃを表Ｖに示す。比較実験Ｆ−Ｈの組成物は不純相であり、超伝導の証拠 を全く示さなかった。 約１０，０００ｐｓｉ（７ｘ１０⁷Ｐａ）の圧力を用いて各組成物の粉末をプ レス加工して２ｍｍｘ２ｍｍｘ４ｍｍのバーにした。電流が１０μａの四探針技 術を用いて抵抗測定を行った。実施例５−９の組成物に関する導電開始点Ｔ_cも また表Ｖに示す。実験Ｅの組成物は弱い超伝導を示す不純相であった。磁気フラ ックスエクスクルージョン測定により、実施例５−９が超伝導性を示すことを実 証した。

【手続補正書】特許法第１８４条の８ 【提出日】１９９５年８月１８日 【補正内容】 ｓ．Ｂｕｌｌ．２５、１９１（１９９０）の中で、式ＴｌＳｒ_2-xＲ_xＣｕＯ₅ ［式中、ＲはＬａまたはＮｄであり、そしてｘ＝０．６から１．０である］で表 される酸化物は正方晶系構造を有する単一相であることを開示している。このよ うな酸化物は３５−４８Ｋの範囲の転移温度で超伝導性を示す。バリウム含有組 成物に関しては、Ｈ．Ｃ．Ｋｕ他がＪｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．２８、Ｌ ９２３（１９８９）の中で、ＴｌＢａ₂ＣｕＯ₅は金属質であり、準安定な超伝導 転移が約２５Ｋの開始点で起こりそしてゼロ抵抗になるのは１０Ｋであることを 開示している。再び、安定な超伝導組成物を達成するにはＬａまたはＮｄを存在 させる必要がある。式ＴｌＢａ_2-xＲ_xＣｕＯ₅［式中、ＲはＬａまたはＮｄであ り、そしてｘ＝０．２から０．６である］で表される酸化物は正方晶系構造を有 し、４０Ｋ以上の転移温度で超伝導を示す。 本発明は、Ｃａ、ＬａまたはＮｄが存在していない新規なＴｌ−Ｍ−Ｃｕ−Ｏ 型超伝導体を提供するものである。 発明の要約 本発明は、名目上の式ＴｌＭ₂ＣｕＯ_5-xＦ_x［式中、ＭはＢａ、Ｓｒまたはこ れらの混合物であり、ＭがＢａの時のｘは０．１から０．６５であり、そしてＭ がＳｒの時のｘは０．３５から０．７５である］で表される単一相超伝導体を包 含する。ＭがＢａとＳｒの混合物である場合、Ｍ中のＳｒ量が０から１００％に 上昇するにつれてｘの下限は０．１０から０．３５に上昇すると共にｘの上限は ０．６５から０．７５に上昇する。このような組成物は少なくとも３５Ｋの温度 に超伝導開始点を示す。 本発明は更に導電材料内に電流を電気抵抗損（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ｌｏｓｓｅｓ）なしに流す改良方法を包含し、この方法 は、名目上の式ＴｌＭ₂ＣｕＯ_5-xＦ_x［式中、ＭがＢａでありそしてｘが０．１ ０から０．６５であるか、或はＭがＳｒでありそしてｘが０．３５から０．７５ である］で表される組成物を含む導電材料を上記組成物のＴ_cより低い温度に冷 却した後、上記導電材料を上記温度より低い温度に維持しながらこの材料の中に 電流の流れを開始させることを特徴とする。 図の簡単な説明 図１に、実施例２の組成物ＴｌＳｒ₂ＣｕＯ_4.5Ｆ_0.5に関するＸ線粉末回折パ ターンを示す。 図２に、実施例２の組成物および比較組成物ＢおよびＣに関する抵抗を温度の 関数として示す。 発明の詳細な説明 本発明は、名目上の式ＴｌＭ₂ＣｕＯ_5-xＦ_x［式中、ＭがＳｒでありそしてｘ が０．１０から０．６５であるか、或はＭがＢａでありそしてｘが０．３５から ０．７５である］で表される超伝導組成物を包含する。好適な組成物には、Ｍが Ｓｒでありそしてｘが０．４０から０．６０である組成物、およびＭがＢａであ りそしてｘが０．４０から０．５０である組成物が含まれる。 本発明の超伝導組成物は以下に示す方法で製造可能である。Ｔｌ：Ｍ：Ｃｕの 原子比が１：２：：１になりそしてＦ：Ｔｌの比がｘに等しくなるように反応体 ＭＯ₂、ＭＯ、ＴｌＦ、Ｔｌ₂Ｏ₃およびＣｕＯの量を選択する。ｘが種々の値を 有する名目上の式ＴｌＭ₂ＣｕＯ_5-xＦ_xで表される酸化物を生じさせるに必要な 、種々の反応体の適切な相対的特定 重量を、本実施例の中に開示する。めのう乳鉢の中で上記反応体を徹底的に粉砕 する。この混合した粉末を直接加熱してもよいか、或はこれを成形してペレット または他の成形物にした後これを加熱することも可能である。この粉末またはペ レットを加熱するに先立って、これらを、反応性を示さない金属、例えば金など で出来ている管の中に密封する。少なくとも約０．５Ｋバール（５０ＭＰａ）の 外部圧力を用い、１分当たり約５℃の速度で上記管を加熱して約８００℃の温度 にする。好適には、この圧力を約３Ｋバール（３ＭＰａ）にする。この反応体が 入ってい に降下し始める温度か或はフラックスエクスクルージョンが起こり始める温度が 、超伝導開始点であり、これを本明細書の以下でＴ_cと呼ぶものとする。 本発明は更に導電材料内に電流を電気抵抗損なしに流す改良方法を包含し、こ の方法は、名目上の式ＴｌＭ₂ＣｕＯ_5-xＦ_x［式中、ＭがＢａでありそしてｘが ０．１０から０．６５であるか、或はＭがＳｒでありそしてｘが０．３５から０ ．７５である］で表される組成物を含む導電材料を上記組成物のＴ_cより低い温 度に冷却した後、上記導電材料を上記温度より低い温度に維持しながらこの材料 の中に電流の流れを開始させることを特徴とする。本明細書で用いる好適な組成 物は、ＭがＢａでありそしてｘが０．４０から０．５０である組成物、或はＭが Ｓｒでありそしてｘが０．４０から０．６０である組成物である。本分野の技術 者によく知られている様式で上記材料を液体窒素または液体ヘリウムに接触させ ることにより、超伝導転移温度Ｔ_cより低い温度に至る冷却を達成することがで きる。好適には、この導電材料をワイヤーまたはバーの形状にする。次に、本分 野の技術者によく知られている方法、例えば起電力または磁場誘導などを用いて 電流の流れを開始させる。上記流れは全く電気抵抗損なしに得られる。最小限の 電力損失で非常に高い磁場を得るには、上述したワイヤーを巻いてコイルまたは ソレノイドにしてもよく、そしてこのコイル中に何らかの電流を誘導する前に、 これを液体ヘリウムまたは液体窒素に接触させてもよい。また、上記場を用いて 鉄道車両の如き大型物体を空中に浮かすことも可能である。 非常に高い効率で電流を流す目的か或は医学用途の磁気画像形成または粒子加 速装置のための磁場を与える目的で、本発明の超伝導組成物お よび方法を用いることができる。本超伝導組成物はまたジョセフソン装 請求の範囲 １． 名目上の式ＴｌＭ₂ＣｕＯ_5-xＦ_x［式中、ＭはＢａ、Ｓｒまたはこれら の混合物であり、ＭがＢａの時のｘは０．１０から０．６５であり、そしてＭが Ｓｒの時のｘは０．３５から０．７５であり、そしてＭがＢａとＳｒの混合物で ある時、Ｍ中のＳｒ量が０から１００％に上昇するにつれてｘの下限が０．１０ から０．３５に上昇しそしてｘの上限が０．６５から０．７５に上昇する］で表 される超伝導組成物。 ２． 少なくとも３５Ｋの超伝導転移温度を示す請求の範囲第１項の超伝導組 成物。 ３． 単一相である請求の範囲第１項の超伝導組成物。 ４． ＭがＢａでありそしてｘが０．４０から０．５０である請求の範囲第１ 項の超伝導組成物。 ５． ＭがＳｒでありそしてｘが０．４０から０．６０である請求の範囲第１ 項の超伝導組成物。 ６． 電気的損失を起こさせることなく導電材料内に電流を流す方法であって 、名目上の式ＴｌＭ₂ＣｕＯ_5-xＦ_x［式中、ＭがＢａでありそしてｘが０．１０ から０．６５であるか、或はＭがＳｒでありそしてｘが０．３５から０．７５で ある］で表される組成物を含む導電材料を上記組成物のＴ_cより低い温度に冷却 した後、上記導電材料を上記温度より低い温度に維持しながら上記導電材料の中 に電流の流れを開始させることを特徴とする方法。 ７． ＭがＢａでありそしてｘが０．４０から０．５０である請求の範囲第６ 項の方法。 ８． ＭがＳｒでありそしてｘが０．４０から０．６０である請求の 範囲第６項の方法。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １． 名目上の式ＴｌＭ₂ＣｕＯ_5-xＦ_x［式中、ＭはＢａ、Ｓｒまたはこれら の混合物であり、ＭがＢａの時のｘは約０．１０から約０．６５であり、そして ＭがＳｒの時のｘは約０．３５から約０．７５であり、そしてＭがＢａとＳｒの 混合物である時、Ｍ中のＳｒ量が０から１００％に上昇するにつれてｘの下限が 約０．１０から約０．３５に上昇しそしてｘの上限が約０．６５から約０．７５ に上昇する］で表される超伝導組成物。 ２． 少なくとも約３５Ｋの超伝導転移温度を示す請求の範囲第１項の超伝導 組成物。 ３． 単一相である請求の範囲第１項の超伝導組成物。 ４． ＭがＢａでありそしてｘが約０．４０から約０．５０である請求の範囲 第１項の超伝導組成物。 ５． ＭがＳｒでありそしてｘが約０．４０から約０．６０である請求の範囲 第１項の超伝導組成物。 ６． 電気的損失を起こさせることなく導電材料内に電流を流す方法であって 、名目上の式ＴｌＭ₂ＣｕＯ_5-xＦ_x［式中、ＭがＢａでありそしてｘが約０．１ ０から約０．６５であるか、或はＭがＳｒでありそしてｘが約０．３５から約０ ．７５である］で表される組成物を含む導電材料を上記組成物のＴ_cより低い温 度に冷却した後、上記導電材料を上記温度より低い温度に維持しながら上記導電 材料の中に電流の流れを開始させることを含む方法。 ７． ＭがＢａでありそしてｘが約０．４０から約０．５０である請求の範囲 第６項の方法。 ８． ＭがＳｒでありそしてｘが約０．４０から約０．６０である請求の範囲 第６項の方法。