JPH06219896A - 酸化物超伝導体単結晶及びその製造方法 - Google Patents
酸化物超伝導体単結晶及びその製造方法Info
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- JPH06219896A JPH06219896A JP5028445A JP2844593A JPH06219896A JP H06219896 A JPH06219896 A JP H06219896A JP 5028445 A JP5028445 A JP 5028445A JP 2844593 A JP2844593 A JP 2844593A JP H06219896 A JPH06219896 A JP H06219896A
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 水や水蒸気に対して劣化の少ない酸化物超伝
導体単結晶及びその製造方法を提供すること、超高圧の
特殊な合成装置を用いて合成されることなく、Ｔｃが高
く且つ良質で十分な大きさを持つ優れた特性の酸化物超
伝導体単結晶及びその製造方法を提供すること。 【構成】 組成式がＬｎＳｒ2Ｃｕ3-xＭxＯy（但し、Ｌ
ｎはＹ元素及びランタノイド元素の元素群から選ばれた
１種類以上の元素又は原子団であり、且つＭが、Ｔｉ、
Ｖ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｗ及びＲｅの元素
群から選ばれた１種類以上の元素であり、且つ０．０５
≦ｘ≦０．７、６≦ｙ≦９である）と表されることを特
徴とする酸化物超伝導体単結晶及びその製造方法。
導体単結晶及びその製造方法を提供すること、超高圧の
特殊な合成装置を用いて合成されることなく、Ｔｃが高
く且つ良質で十分な大きさを持つ優れた特性の酸化物超
伝導体単結晶及びその製造方法を提供すること。 【構成】 組成式がＬｎＳｒ2Ｃｕ3-xＭxＯy（但し、Ｌ
ｎはＹ元素及びランタノイド元素の元素群から選ばれた
１種類以上の元素又は原子団であり、且つＭが、Ｔｉ、
Ｖ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｗ及びＲｅの元素
群から選ばれた１種類以上の元素であり、且つ０．０５
≦ｘ≦０．７、６≦ｙ≦９である）と表されることを特
徴とする酸化物超伝導体単結晶及びその製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、超伝導を利用した各種
センサー、電子素子、コンピューター及び医療機器等の
材料として、各種分野で利用することが可能な酸化物超
伝導体単結晶及びその製造方法に関する。
センサー、電子素子、コンピューター及び医療機器等の
材料として、各種分野で利用することが可能な酸化物超
伝導体単結晶及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年相次いで発見された銅を含む酸化物
超伝導体は、それ以前に知られていたニオブ系等の超伝
導臨界温度（Ｔｃ）を大きく上回るＴｃを持つ為、多く
の分野で応用研究が進められている。この様な銅を含む
酸化物超伝導体の主な例としてＹＢａ2Ｃｕ3Ｏy が挙げ
られる。更に、Ｓｒ、Ｌｎ（Ｙ又はランタノイド元素を
表す）、Ｃｕ及びＯからなる超伝導体としては、Japane
se Journal Applied Physics Vol.26 L804(1987)、Soli
d State Communications Vol.63 535(1987) 及び日本物
理学会１９９０年秋の分科会講演予稿集第３分冊２３４
頁 2p-PS-30 に発表されている様に、ＹＳｒ2Ｃｕ3Ｏy
の組成を有する超伝導体が知られている。又、Chemistr
y of Materials Vol.1 331(1989)では、ＹＳｒ2Ｃｕ3-x
ＭxＯy（Ｍ＝Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｐｂであり、０．４＜
ｘ＜１．０）の組成のものが知られている。
超伝導体は、それ以前に知られていたニオブ系等の超伝
導臨界温度（Ｔｃ）を大きく上回るＴｃを持つ為、多く
の分野で応用研究が進められている。この様な銅を含む
酸化物超伝導体の主な例としてＹＢａ2Ｃｕ3Ｏy が挙げ
られる。更に、Ｓｒ、Ｌｎ（Ｙ又はランタノイド元素を
表す）、Ｃｕ及びＯからなる超伝導体としては、Japane
se Journal Applied Physics Vol.26 L804(1987)、Soli
d State Communications Vol.63 535(1987) 及び日本物
理学会１９９０年秋の分科会講演予稿集第３分冊２３４
頁 2p-PS-30 に発表されている様に、ＹＳｒ2Ｃｕ3Ｏy
の組成を有する超伝導体が知られている。又、Chemistr
y of Materials Vol.1 331(1989)では、ＹＳｒ2Ｃｕ3-x
ＭxＯy（Ｍ＝Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｐｂであり、０．４＜
ｘ＜１．０）の組成のものが知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、前
記した従来例の中で、ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏy は水分や水蒸気
に弱く、数十時間の水分との接触により、容易にＢａＣ
Ｏ3 及びＣｕＯに分解してしまう為、応用上の問題点に
なっている。又、前記したJapanese Journal Applied P
hysics Vol.26 L804(1987)及びSolid State Communicat
ions Vol.63 535(1987) に発表された組成では、ＹＳｒ
2Ｃｕ3Ｏy で表される単相の良質な試料を合成すること
ができず、ＳｒＣｕＯ2 、Ｓｒ2ＣｕＯ3 、Ｙ2ＳｒＯ
4 、Ｙ2ＣｕＯ5 、ＳｒＣｕ2Ｏ2 及びＳｒ1.75Ｃｕ3Ｏ
5.13等の不純物を多量に析出する為、使用に耐えうるも
のではなかった。更に、多結晶試料である為、結晶粒界
に無数の超伝導の弱結合が存在して、必要とする特性を
持つジョセフソン接合等の各種のデバイスを、制御性よ
く作ることが困難であるという問題もあった。又、前記
した日本物理学会１９９０年秋の分科会講演予稿集第３
分冊２３４頁2p-PS-30 に発表された材料は、70 kbar、
1380 ℃という、一般的には得られない特殊な装置によ
り合成されており、更に、多結晶である為、各種のデバ
イスへの応用には適さないという問題もあった。又、前
記したChemistry of Materials Vol.1 331(1989)に発表
された材料は、Ｍ＝Ｃｏ、Ｆｅで超伝導を示すものの、
抵抗率が完全にゼロになる温度は１０Ｋ程度と低く、更
に、多結晶である為、各種のデバイスへの応用には適さ
ないという問題もあった。
記した従来例の中で、ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏy は水分や水蒸気
に弱く、数十時間の水分との接触により、容易にＢａＣ
Ｏ3 及びＣｕＯに分解してしまう為、応用上の問題点に
なっている。又、前記したJapanese Journal Applied P
hysics Vol.26 L804(1987)及びSolid State Communicat
ions Vol.63 535(1987) に発表された組成では、ＹＳｒ
2Ｃｕ3Ｏy で表される単相の良質な試料を合成すること
ができず、ＳｒＣｕＯ2 、Ｓｒ2ＣｕＯ3 、Ｙ2ＳｒＯ
4 、Ｙ2ＣｕＯ5 、ＳｒＣｕ2Ｏ2 及びＳｒ1.75Ｃｕ3Ｏ
5.13等の不純物を多量に析出する為、使用に耐えうるも
のではなかった。更に、多結晶試料である為、結晶粒界
に無数の超伝導の弱結合が存在して、必要とする特性を
持つジョセフソン接合等の各種のデバイスを、制御性よ
く作ることが困難であるという問題もあった。又、前記
した日本物理学会１９９０年秋の分科会講演予稿集第３
分冊２３４頁2p-PS-30 に発表された材料は、70 kbar、
1380 ℃という、一般的には得られない特殊な装置によ
り合成されており、更に、多結晶である為、各種のデバ
イスへの応用には適さないという問題もあった。又、前
記したChemistry of Materials Vol.1 331(1989)に発表
された材料は、Ｍ＝Ｃｏ、Ｆｅで超伝導を示すものの、
抵抗率が完全にゼロになる温度は１０Ｋ程度と低く、更
に、多結晶である為、各種のデバイスへの応用には適さ
ないという問題もあった。
【０００４】従って、本発明の目的は、水や水蒸気に対
して劣化の少ない酸化物超伝導体単結晶及びその製造方
法を提供することにある。又、本発明の別の目的は、超
高圧の特殊な合成装置を用いて合成されることなく、Ｔ
ｃが高く且つ良質で十分な大きさを持つ優れた特性の酸
化物超伝導体単結晶及びその製造方法を提供することに
ある。
して劣化の少ない酸化物超伝導体単結晶及びその製造方
法を提供することにある。又、本発明の別の目的は、超
高圧の特殊な合成装置を用いて合成されることなく、Ｔ
ｃが高く且つ良質で十分な大きさを持つ優れた特性の酸
化物超伝導体単結晶及びその製造方法を提供することに
ある。
【０００５】
【問題点を解決するための手段】上記の目的は、以下の
本発明によって達成される。即ち、本発明は、組成式が
ＬｎＳｒ2Ｃｕ3-xＭxＯy （但し、ＬｎはＹ元素及びラ
ンタノイド元素の元素群から選ばれた１種類以上の元素
又は原子団であり、且つＭが、Ｔｉ、Ｖ、Ｇａ、Ｇｅ、
Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｗ及びＲｅの元素群から選ばれた１
種類以上の元素であり、且つ０．０５≦ｘ≦０．７、６
≦ｙ≦９である）と表されることを特徴とする酸化物超
伝導体単結晶及びその製造方法である。
本発明によって達成される。即ち、本発明は、組成式が
ＬｎＳｒ2Ｃｕ3-xＭxＯy （但し、ＬｎはＹ元素及びラ
ンタノイド元素の元素群から選ばれた１種類以上の元素
又は原子団であり、且つＭが、Ｔｉ、Ｖ、Ｇａ、Ｇｅ、
Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｗ及びＲｅの元素群から選ばれた１
種類以上の元素であり、且つ０．０５≦ｘ≦０．７、６
≦ｙ≦９である）と表されることを特徴とする酸化物超
伝導体単結晶及びその製造方法である。
【０００６】
【作用】本発明者らは、上記した従来技術の問題点を解
決すべく鋭意研究の結果、組成式がＬｎＳｒ2Ｃｕ3-xＭ
xＯy と表される酸化物の単結晶は、水や水蒸気に対し
て劣化が少なく、Ｔｃが高く、液体ヘリウム温度での利
用は勿論、簡単な冷却器によっても利用可能な優れた特
性を有することを知見して本発明に至った。又、酸化物
超伝導体結晶を製造する際に、構成元素成分よりなるフ
ラックス成分を最適化し、フラックスを溶融或は半溶融
させて溶融物或は半溶融物から単結晶を成長させること
により、優れた特性を有する上記の酸化物超伝導体単結
晶が得られることを知見して本発明に至った。即ち、本
発明によれば、製造条件を最適なものとすることによ
り、数ｍｍ角程度の単結晶を得ることが出来る。好まし
い製造条件としては、フラックス成分を最適化し、溶融
或は半溶融させる温度を９５０〜１３００℃とする。更
に、０．２ａｔｍ．の酸素分圧の高い雰囲気中でアニー
ル或は合成することにより、超電導体としての特性の向
上が図れる。又、製造される本発明の酸化物超伝導体単
結晶のサイズは、フラックスの組成の違いや、溶融或は
半溶融させる量等の製造条件により異なるが、上記した
様に数ｍｍ角程度の単結晶が得られる。又、酸素分圧等
の製造条件及びＣｕサイトに置換する元素Ｍの種類や置
換量により得られる酸化物の超伝導転移温度が変化する
が、１０数Ｋ〜７０ＫまでのＴｃのものを得ることが出
来る。
決すべく鋭意研究の結果、組成式がＬｎＳｒ2Ｃｕ3-xＭ
xＯy と表される酸化物の単結晶は、水や水蒸気に対し
て劣化が少なく、Ｔｃが高く、液体ヘリウム温度での利
用は勿論、簡単な冷却器によっても利用可能な優れた特
性を有することを知見して本発明に至った。又、酸化物
超伝導体結晶を製造する際に、構成元素成分よりなるフ
ラックス成分を最適化し、フラックスを溶融或は半溶融
させて溶融物或は半溶融物から単結晶を成長させること
により、優れた特性を有する上記の酸化物超伝導体単結
晶が得られることを知見して本発明に至った。即ち、本
発明によれば、製造条件を最適なものとすることによ
り、数ｍｍ角程度の単結晶を得ることが出来る。好まし
い製造条件としては、フラックス成分を最適化し、溶融
或は半溶融させる温度を９５０〜１３００℃とする。更
に、０．２ａｔｍ．の酸素分圧の高い雰囲気中でアニー
ル或は合成することにより、超電導体としての特性の向
上が図れる。又、製造される本発明の酸化物超伝導体単
結晶のサイズは、フラックスの組成の違いや、溶融或は
半溶融させる量等の製造条件により異なるが、上記した
様に数ｍｍ角程度の単結晶が得られる。又、酸素分圧等
の製造条件及びＣｕサイトに置換する元素Ｍの種類や置
換量により得られる酸化物の超伝導転移温度が変化する
が、１０数Ｋ〜７０ＫまでのＴｃのものを得ることが出
来る。
【０００７】
【実施例】次に実施例を挙げて本発明を更に具体的に説
明する。 実施例 原料としてＹ2Ｏ3 、ＳｒＣＯ3 、ＣｕＯ、ＭｏＯ3 を
用い、ＹＳｒ2Ｃｕ2.8Ｍｏ0.2Ｏ7 、ＳｒＣｕＯ2 、Ｓ
ｒＹ2Ｏ4 、Ｙ2Ｃｕ2Ｏ5 なる組成式で表される酸化物
材料を予め調整した。これらを、ＹＳｒ2Ｃｕ2.8Ｍｏ
0.2Ｏ7 ＋Ａ ＳｒＣｕＯ2 ＋Ｂ ＳｒＹ2Ｏ4 ＋Ｃ Ｙ2Ｃ
ｕ2Ｏ5 ＋Ｄ ＣｕＯと表される一般式において、Ａ、
Ｂ、Ｃ及びＤが表１に示す配合比となる様に秤量した
後、混合した。次に、この混合物を白金るつぼに移し、
酸素分圧０．２ａｔｍの雰囲気中で、且つ９５０〜１３
００℃の温度範囲で、０．５〜１０時間、溶融或は半溶
融させた後、毎時１０℃以下の速度で９００℃まで徐冷
した。又、９００℃から室温までは、毎時６０℃以下の
速度で徐冷した。この結果得られた試料Ｎｏ．１〜１２
の単結晶試料は、ダイヤモンドカッターで切り出すこと
により取り出した。
明する。 実施例 原料としてＹ2Ｏ3 、ＳｒＣＯ3 、ＣｕＯ、ＭｏＯ3 を
用い、ＹＳｒ2Ｃｕ2.8Ｍｏ0.2Ｏ7 、ＳｒＣｕＯ2 、Ｓ
ｒＹ2Ｏ4 、Ｙ2Ｃｕ2Ｏ5 なる組成式で表される酸化物
材料を予め調整した。これらを、ＹＳｒ2Ｃｕ2.8Ｍｏ
0.2Ｏ7 ＋Ａ ＳｒＣｕＯ2 ＋Ｂ ＳｒＹ2Ｏ4 ＋Ｃ Ｙ2Ｃ
ｕ2Ｏ5 ＋Ｄ ＣｕＯと表される一般式において、Ａ、
Ｂ、Ｃ及びＤが表１に示す配合比となる様に秤量した
後、混合した。次に、この混合物を白金るつぼに移し、
酸素分圧０．２ａｔｍの雰囲気中で、且つ９５０〜１３
００℃の温度範囲で、０．５〜１０時間、溶融或は半溶
融させた後、毎時１０℃以下の速度で９００℃まで徐冷
した。又、９００℃から室温までは、毎時６０℃以下の
速度で徐冷した。この結果得られた試料Ｎｏ．１〜１２
の単結晶試料は、ダイヤモンドカッターで切り出すこと
により取り出した。
【０００８】得られた試料Ｎｏ．１〜１２の単結晶試料
について、室温から液体ヘリウム温度の範囲で、四端子
法による電気抵抗測定、及びＳＱＵＩＤ マグネットメ
ーターによる磁化率の測定を行った。又、単結晶の組成
分析については、ＥＰＭＡで測定を行った。その結果、
Ｃｕサイトに置換するＭｏ元素の量ｘは、０．１８〜
０．２５の値であった。表１に、試料Ｎｏ．１〜１２の
単結晶試料を得る為の製造条件として、単結晶製造中の
最高保持温度、及びフラックス成分の混合比であるＡ、
Ｂ、Ｃ及びＤの値を示した。又、得られた単結晶につい
ての典型的な大きさ及び超伝導臨界温度（Ｔｃ）を示
す。
について、室温から液体ヘリウム温度の範囲で、四端子
法による電気抵抗測定、及びＳＱＵＩＤ マグネットメ
ーターによる磁化率の測定を行った。又、単結晶の組成
分析については、ＥＰＭＡで測定を行った。その結果、
Ｃｕサイトに置換するＭｏ元素の量ｘは、０．１８〜
０．２５の値であった。表１に、試料Ｎｏ．１〜１２の
単結晶試料を得る為の製造条件として、単結晶製造中の
最高保持温度、及びフラックス成分の混合比であるＡ、
Ｂ、Ｃ及びＤの値を示した。又、得られた単結晶につい
ての典型的な大きさ及び超伝導臨界温度（Ｔｃ）を示
す。
【０００９】表１から、本発明により得られた酸化物超
伝導体単結晶は、いずれも十分な大きさを有し、且つＴ
ｃが２０Ｋ以上の超伝導体となることがわかる。又、Ｘ
線ラウエ回折パターンにより、単結晶であることを確認
した。又、図１に、試料番号１の電気抵抗率の温度依存
性のグラフを示したが、約４０Ｋから超伝導転移が始ま
り、３５Ｋでゼロ抵抗になっていることがわかる。更
に、試料番号１について、１０００℃で酸素分圧４００
ａｔｍの条件下でアニール処理を行ったところ、Ｔｃが
７０Ｋまで上昇した。このことから、本発明の酸化物超
伝導体単結晶の製造方法としては、酸素分圧の高い高圧
酸素処理が有効であることがわかる。又、Ｙ元素の代わ
りにランタノイド元素を使用しても同様な結果が得られ
た。又、Ｃｕサイトに置換する元素Ｍ及び置換量Ｘが、
Ｍ＝Ｔｉ、Ｖ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｗ及び
Ｒｅであり、且つ、０．０５≦ｘ≦０．７を満たす酸化
物超伝導体単結晶についても、本発明の製造方法によっ
て、若干の単結晶のサイズ及びＴｃの違いはあるもの
の、同様の結果が得られた。
伝導体単結晶は、いずれも十分な大きさを有し、且つＴ
ｃが２０Ｋ以上の超伝導体となることがわかる。又、Ｘ
線ラウエ回折パターンにより、単結晶であることを確認
した。又、図１に、試料番号１の電気抵抗率の温度依存
性のグラフを示したが、約４０Ｋから超伝導転移が始ま
り、３５Ｋでゼロ抵抗になっていることがわかる。更
に、試料番号１について、１０００℃で酸素分圧４００
ａｔｍの条件下でアニール処理を行ったところ、Ｔｃが
７０Ｋまで上昇した。このことから、本発明の酸化物超
伝導体単結晶の製造方法としては、酸素分圧の高い高圧
酸素処理が有効であることがわかる。又、Ｙ元素の代わ
りにランタノイド元素を使用しても同様な結果が得られ
た。又、Ｃｕサイトに置換する元素Ｍ及び置換量Ｘが、
Ｍ＝Ｔｉ、Ｖ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｗ及び
Ｒｅであり、且つ、０．０５≦ｘ≦０．７を満たす酸化
物超伝導体単結晶についても、本発明の製造方法によっ
て、若干の単結晶のサイズ及びＴｃの違いはあるもの
の、同様の結果が得られた。
【００１０】又、本発明のフラックス成分以外のものを
用いて製造実験を行ったところ、得られた結晶のサイズ
は、１×１×０．１ｍｍ3 未満であり、良質な酸化物超
伝導体単結晶を製造することが出来なかった。更に、フ
ラックスの溶融或は半溶融する温度を、本発明の実施態
様である９５０〜１３００℃の条件を満たさない範囲に
おいて製造実験を行ったが、９５０℃より低温ではフラ
ックスが溶融或は半溶融せず、１３００℃より高温では
ＣｕＯの蒸発が激しくなり過ぎる為、共に単結晶の製造
には好ましくなかったい。
用いて製造実験を行ったところ、得られた結晶のサイズ
は、１×１×０．１ｍｍ3 未満であり、良質な酸化物超
伝導体単結晶を製造することが出来なかった。更に、フ
ラックスの溶融或は半溶融する温度を、本発明の実施態
様である９５０〜１３００℃の条件を満たさない範囲に
おいて製造実験を行ったが、９５０℃より低温ではフラ
ックスが溶融或は半溶融せず、１３００℃より高温では
ＣｕＯの蒸発が激しくなり過ぎる為、共に単結晶の製造
には好ましくなかったい。
【００１１】
【表１】 表１ 実施例１における組成比と得られた結晶サイズ及
びＴｃ値
びＴｃ値
【００１２】上記の様にして得られた本発明の酸化物超
伝導体単結晶と、比較例としてＹＢａ2Ｃｕ3Ｏy 単結晶
について、耐水性の試験を行った。４０℃で飽和水蒸気
圧下の同一条件下に３日間、比較例のＹＢａ2Ｃｕ3Ｏy
単結晶を放置したところ、ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏy 単結晶は変
色して大部分が崩壊していた。この崩壊物をＸＤ測定に
よって調べたところ、ＢａＣＯ3 やＣｕＯが主な成分で
あった。この結果から、ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏy 単結晶は、水
の存在により激しく劣化することがわかる。これに対
し、本発明の酸化物超伝導体単結晶について、上記した
と同一条件下で耐水試験を行ったところ、試験前後で試
料に殆ど変化が見られず、超伝導特性についても大きな
変化は見られなかった。表２に、本発明の典型的な酸化
物超伝導体単結晶ＹＳｒ2Ｃｕ2.8Ｍｏ0.2Ｏ7.1につい
て、耐水試験前後における２８０Ｋでの電気抵抗率、超
伝導転移開始温度（Ｔｃ onset）及び超伝導転移終了温
度（Ｔｃ end）を示す。この結果、本発明の酸化物超伝
導体単結晶は、耐水性に優れていることがわかる。
伝導体単結晶と、比較例としてＹＢａ2Ｃｕ3Ｏy 単結晶
について、耐水性の試験を行った。４０℃で飽和水蒸気
圧下の同一条件下に３日間、比較例のＹＢａ2Ｃｕ3Ｏy
単結晶を放置したところ、ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏy 単結晶は変
色して大部分が崩壊していた。この崩壊物をＸＤ測定に
よって調べたところ、ＢａＣＯ3 やＣｕＯが主な成分で
あった。この結果から、ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏy 単結晶は、水
の存在により激しく劣化することがわかる。これに対
し、本発明の酸化物超伝導体単結晶について、上記した
と同一条件下で耐水試験を行ったところ、試験前後で試
料に殆ど変化が見られず、超伝導特性についても大きな
変化は見られなかった。表２に、本発明の典型的な酸化
物超伝導体単結晶ＹＳｒ2Ｃｕ2.8Ｍｏ0.2Ｏ7.1につい
て、耐水試験前後における２８０Ｋでの電気抵抗率、超
伝導転移開始温度（Ｔｃ onset）及び超伝導転移終了温
度（Ｔｃ end）を示す。この結果、本発明の酸化物超伝
導体単結晶は、耐水性に優れていることがわかる。
【００１３】
【表２】 表２ ＹＳｒ2Ｃｕ2.8Ｍｏ0.2Ｏ7.1 の耐水試験結果
【００１４】
【効果】以上説明した様に、本発明の酸化物超伝導体単
結晶は、超伝導転移温度が２０Ｋ以上と十分に高い為、
安易な冷却装置によっても使用することが出来る。又、
本発明の酸化物超伝導体単結晶は、水分や水蒸気に比較
的強く、使用環境に大きな制約を受けることがない。更
に、本発明の酸化物超伝導体単結晶の製造方法により、
上記の様な優れた特性を有する十分な大きさを持った良
質な単結晶を得ることが出来、超伝導材料の工業的利用
を達成する上で極めて有用である。
結晶は、超伝導転移温度が２０Ｋ以上と十分に高い為、
安易な冷却装置によっても使用することが出来る。又、
本発明の酸化物超伝導体単結晶は、水分や水蒸気に比較
的強く、使用環境に大きな制約を受けることがない。更
に、本発明の酸化物超伝導体単結晶の製造方法により、
上記の様な優れた特性を有する十分な大きさを持った良
質な単結晶を得ることが出来、超伝導材料の工業的利用
を達成する上で極めて有用である。
【図１】試料番号１の本発明の酸化物超伝導体単結晶に
ついての電気抵抗率の温度依存性のグラフである。
ついての電気抵抗率の温度依存性のグラフである。
Claims (4)
- 【請求項１】 組成式がＬｎＳｒ2Ｃｕ3-xＭxＯy （但
し、ＬｎはＹ元素及びランタノイド元素の元素群から選
ばれた１種類以上の元素又は原子団であり、Ｍが、Ｔ
ｉ、Ｖ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｗ及びＲｅの
元素群から選ばれた１種類以上の元素であり、且つ０．
０５≦ｘ≦０．７、６≦ｙ≦９である）と表されること
を特徴とする酸化物超伝導体単結晶。 - 【請求項２】 請求項１に記載の酸化物超伝導体単結晶
の製造方法において、構成元素成分よりなるフラックス
が、ＬｎＳｒ2Ｃｕ3-xＭxＯy ＋Ａ ＳｒＣｕＯ2 ＋Ｂ
ＳｒＬｎ2Ｏ4 ＋Ｃ Ｌｎ2Ｃｕ2Ｏ5 ＋Ｄ ＣｕＯと表し
た時に、０≦Ａ≦９、且つ０≦Ｂ≦０．２５、且つ０≦
Ｃ≦１、且つ０≦Ｄ≦９であり、且つ該フラックスを溶
融或は半溶融させた溶融物或は半溶融物から酸化物超伝
導体単結晶を成長させることを特徴とする酸化物超伝導
体単結晶の製造方法。 - 【請求項３】 フラックスを溶融或は半溶融させる温度
が、９５０〜１３００℃である請求項２に記載の酸化物
超伝導体単結晶の製造方法。 - 【請求項４】 製造雰囲気を酸素分圧０．２ａｔｍ以上
とする請求項２に記載の酸化物超伝導体単結晶の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5028445A JPH06219896A (ja) | 1993-01-26 | 1993-01-26 | 酸化物超伝導体単結晶及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5028445A JPH06219896A (ja) | 1993-01-26 | 1993-01-26 | 酸化物超伝導体単結晶及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06219896A true JPH06219896A (ja) | 1994-08-09 |
Family
ID=12248880
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5028445A Pending JPH06219896A (ja) | 1993-01-26 | 1993-01-26 | 酸化物超伝導体単結晶及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06219896A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5863325A (en) * | 1995-05-31 | 1999-01-26 | Bridgestone Corporation | Process for producing high purity silicon carbide powder for preparation of a silicon carbide single crystal and single crystal |
| CN105399131A (zh) * | 2015-12-23 | 2016-03-16 | 安徽工业大学 | 一种钆酸锶纳米针及其制备方法 |
-
1993
- 1993-01-26 JP JP5028445A patent/JPH06219896A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5863325A (en) * | 1995-05-31 | 1999-01-26 | Bridgestone Corporation | Process for producing high purity silicon carbide powder for preparation of a silicon carbide single crystal and single crystal |
| CN105399131A (zh) * | 2015-12-23 | 2016-03-16 | 安徽工业大学 | 一种钆酸锶纳米针及其制备方法 |
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