JPH0211134B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は、レーザ特に長波長側に発振波長を有
する半導体レーザを効果的に吸収し、別のエネル
ギーに変換しうる有機被膜に関し、詳しくは半導
体レーザを光源とした電子写真方式プリンターの
電子写真用感光被膜、半導体レーザによる書込み
と再生が可能な光デイスク用被膜あるいは赤外線
カツトフイルターなどに適用できる新規な有機被
膜に関する。 レーザを光源とした電子写真方式プリンター
は、画像情報に応じた電気信号によつて、レーザ
の変調を行なわせ、この変調されたレーザをガル
バノミラーなどによつて感光体上に光走査して静
電潜像を形成した後、トナー現像および転写を順
次施すことにより、所望の再生画像を形成するこ
とができる。この際に用いられていたレーザは、
一般にヘリウム−カドミウム（発振波長：441.6n
ｍ）やヘリウム−ネオン（発振波長：632.8nｍ）
などのガスレーザであつた。従つて、この様な光
源に対して用いられる感光体は、650nｍ程度ま
でに分光増感されていればよく、例えばポリビニ
ルカルバゾールとトリニトロフルオレノンとの電
荷移動錯体を感光層に用いたもの、セレンによつ
て増感させたテルル蒸着層を感光体に用いたも
の、電荷輸送層としてセレン蒸着層を導電層上に
形成し、このセレン蒸着層上にセレン−テルル蒸
着層を形成させたことからなる感光層を用いたも
の、増感色素によつて分光増感させた硫化カドミ
ウムを感光層に用いたもの、また有機顔料を含有
した電荷発生層と電荷輸送層に機能分離し、その
感光波長域を長波長側まで増感した感光層を用い
たものなどが知られている。 一方、光デイスク技術で用いる記録被膜は、光
学的に検出可能な小さな（例えば、約1μ）ピツ
トをらせん状又は円形のトラツク形態にして、高
密度情報を記憶することができる。この様なデイ
スクに情報を書込むには、レーザ感応層の表面に
集束したレーザを走査し、このレーザ光線が照射
された表面のみがピツトを形成し、このピツトを
らせん状又は円形トラツクの形態で形成する。レ
ーザ感応層は、レーザ・エネルギーを吸収して光
学的に検出可能なピツトを形成できる。例えば、
ヒートモード記録方式では、レーザ感応層は熱エ
ネルギーを吸収し、その個所に蒸発又は融解によ
り小さな凹部（ピツト）を形成できる。また、別
のヒートモード記録方式では、照射されたレー
ザ・エネルギーの吸収により、その個所に光学的
に検出可能な濃度差を有するピツトを形成でき
る。 この光デイスクに記録された情報は、レーザを
トラツクに沿つて走査し、ピツトが形成された部
分とピツトが形成されていない部分の光学的変化
を読み取ることによつて検出される。例えば、レ
ーザがトラツクに沿つて走査され、デイスクによ
り反射されたエネルギーがフオトデイテクターに
よつてモニターされる。ピツトが形成されていな
い時、フオトデイテクターの出力は低下し、一方
ピツトが形成されている時はレーザ光線は下層の
反射面によつて充分に反射されフオトデイテクタ
ーの出力は大きくなる。 この様な光デイスクに用いる記録媒体として、
これまでアルミニウム蒸着膜などの金属薄膜、ビ
スマス薄膜、酸化テルル薄膜やカルコゲナイト系
非晶質ガラス膜などの無機物質を主に用いたもの
が提案されている。 ところで、近年レーザとして小型でしかも低コ
ストの上、直接変調が可能な半導体レーザが開発
されているが、このレーザの発振波長が750nｍ
以上の波長を有していることが多い。従つて、こ
の様な半導体レーザを用いて記録及び（又は）再
生を行なう場合には、レーザ感応被膜の吸収特性
は長波長側に吸収ピーク（一般に750nｍ〜850n
ｍの領域）を有する必要がある。 しかし、これまでのレーザ感応被膜は、特に無
機材料を主成分として形成した被膜は、レーザ光
に対する反射率が高いため、レーザの利用率が低
くなり、高感度特性が得られない欠点を有してお
り、しかも感応波長域を750nｍ以上とすること
は、レーザ感応被膜の層構成を複雑化したり、特
に電子写真用感光被膜の場合では使用した増感染
料が繰り返し帯電−露光を行なつているうちに、
退色してしまうなどの欠点を有している。 この様なことから、近年750nｍ以上の波長光
に対して高感度特性を示す有機被膜が提案されて
いる。例えば米国特許第4315983号、「Reseach
Disclosure」20517（1981.5）に開示のピリリウム
系染料や「J.Vac.Scl.T−echol.、18(1)、Jan.／
Feb.1981、P105〜P109に開示のスクエアリリウ
ム染料を含有した有機被膜が750nｍ以上のレー
ザに対して感応性であることが知られている。 しかし、一般に有機化合物は吸収特性が長波長
領域になるほど不安定で、わずかの温度上昇によ
つて分解されやすいなどの問題点を有すると同時
に電子写真方式プリンターあるいは光デイスクで
要求される各種の特性を満足する必要があるた
め、必ずしも実用性の点で十分に満足できる有機
被膜が開発されているものとは言えないのが現状
である。 従つて、本発明の第１の目的は、新規且つ有用
な有機被膜を提供することにある。 本発明の第２の目的は、長波長側、特に750n
ｍ以上に吸収帯をもつ有機被膜を提供することに
ある。 本発明の第３の目的は、熱と昇華に対して安定
な有機被膜を提供することにある。 本発明の第４の目的は、レーザを光源とした電
子写真方式プリンターの電子写真用感光被膜を提
供することにある。 本発明の第５の目的は、750nｍ以上の波長域
で高感度な特性を有する電子写真用感光被膜を提
供することある。 本発明の第６の目的は、光デイスク記録用被膜
を提供することにある。 本発明の第７の目的は、750nｍ以上の波長域
で高感度であり、しかも十分なＳ／Ｎ比を有する
光デイスク記録用被膜を提供することにある。 本発明のかかる目的は、下記一般式(1)で示され
る化合物を含有する有機被膜に達成される。 一般式(1) 式中R₁はメチル、エチル、プロピル、イソプ
ロピル、ブチル、ヘキシル等のアルキル基、置換
基を有していても良いフエニル基又はスチリル基
を表わす。置換基としてはメトキシ、エトキシ、
ブトキシ等のアルコキシ基、塩素、臭素、ヨウ素
等のハロゲン原子、メチル、エチル、プロピル、
イソプロピル等のアルキル基、ニトロ基、があげ
られる。R₂はｐ−フエニレン、１，４−ナフチ
レン等の隣接した２つの−CH＝CH−基と共役
二重結合系を形成する置換基を有していても良い
アリーレン基を示す。置換基としては塩素、臭
素、ヨウ素等のハロゲン原子、メチル、エチル等
のアルキル基、メトキシ、エトキシ等のアルコキ
シ基があげられる。R₃は置換基を有していても
良いフエニル基又はナフチル基を示す。置換基と
してはジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジプロ
ピルアミノ、ジブチルアミノ、ジフエニルアミ
ノ、フエニルアミノ、フエニルベンジルアミノ、
フエニルエチルアミノ等の置換アミノ基、モルホ
リノ、ピペリジニル、ピロリジノ等の環状アミノ
基、メトキシ、エトキシ、ブトキシ等のアルコキ
シ基があげられる。Ａ はBF₄ 、ClO₄ 、
CF₃COO 、PF₆ 、Cl 、Br 、Ｉ 、ClSO₃
、CH₃SO₃ 、C₂H₅SO₃ 、C₃H₇SO₃ 、
C₄H₉SO₃ 、C₅H₁₁SO₃ 、C₆H₁₃SO₃ 、
CH₃CHClSO₃ 、ClCH₂CH₂SO₃ 、

【式】ICH₂SO₃ 、

【式】

【式】

【式】 O₃SCH₂SO₃ 、 O₃SCH₂CH₂SO₃ 、

【式】 O₃SCH₂CH₂CH₂SO₃ 、
O₃SCH₂CH₂CH₂CH₂CH₂CH₂SO₃ 、
O₃SCH₂CH₂−Ｏ−CH₂CH₂SO₃

【式】

【式】

【式】

【式】などのアニオン残基を表 わす。 具体的な化合物例 本発明の有機被膜は、光デイスク記録に用いる
ことができる。例えば、第１図に示すような基板
１の上に前述の有機被膜２を形成した記録媒体と
することができる。かかる有機被膜２は、前述の
化合物を真空蒸着によつて形成でき、またバイン
ダー中に前述のナフトチオピリリウム化合物を含
有させた塗工液を塗布することによつても形成す
ることができる。塗工によつて被膜を形成する
際、前述の化合物はバインダー中に分散状態で含
有されていてもよく、あるいは非晶質状態で含有
されていてもよい。好適なバインダーとしては、
広範な樹脂から選択することができる。具体的に
は、ニトロセルロース、リン酸セルロース、硫酸
セルロース、酢酸セルロース、プロピオン酸セル
ロース、酪酸セルロース、ミリスチン酸セルロー
ス、パルミチン酸セルロース、酢酸・プロピオン
酸セルロース、酢酸・酪酸セルロースなどのセル
ロースエステル類、メチルセルロース、エチルセ
ルロース、プロピルセルロース、ブチルセルロー
スなどのセルロースエーテル類、ポリスチレン、
ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルブ
チラール、ポリビニルアセタール、ポリビニルア
ルコール、ポリビニルピロリドンなどのビニル樹
脂類、スチレン−ブタジエンコポリマー、スチレ
ン−アクリロニトリルコポリマー、スチレン−ブ
タジエン−アクリロニトリルコポリマー、塩化ビ
ニル−酢酸ビニルコポリマーなどの共重合樹脂
類、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアク
リレート、ポリブチルアクリレート、ポリアクリ
ル酸、ポリメタクリル酸、ポリアクリルアミド、
ポリアクリロニトリルなどのアクリル樹脂類、ポ
リエチレンテレフタレートなどのポリエステル
類、ポリ（４，4′−イソプロピリデンジフエニレ
ン−コ−１，４−シクロヘキシレンジメチレンカ
ーボネート）、ポリ（エチレンジオキシ−３，
3′−フエニレンチオカーボネート）、ポリ（４，
4′−イソプロピリデンジフエニレンカーボネート
−コ−テレフタレート）、ポリ（４，4′−イソプ
ロピリデンジフエニレンカーボネート）、ポリ
（４，4′−sec−ブチリデンジフエニレンカーボネ
ート）、ポリ（４，4′−イソプロピリデンジフエ
ニレンカーボネート−ブロツク−オキシエチレ
ン）などのポリアリレート樹脂類、あるいはポリ
アミド類、ポリイミド類、エポキシ樹脂類、フエ
ノール樹脂類、ポリエチレン、ポリプロピレン、
塩素化ポリエチレンなどのポリオレフイン類など
を用いることができる。 塗工の際に使用できる有機溶剤は、バインダー
の種類や前述の化合物をバインダー中に含有させ
る際、分散状態とするか、あるいは非晶質状態と
するかによつて異なつてくるが、一般には、メタ
ノール、エタノール、イソプロパノールなどのア
ルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、シ
クロヘキサノンなどのケトン類、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド
などのアミド類、ジメチルスルホキシドなどのス
ルホキシド類、テトラヒドロフラン、ジオキサ
ン、エチレングリコールモノメチルエーテルなど
のエーテル類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブ
チルなどのエステル類、クロロホルム、塩化メチ
レン、ジクロルエチレン、四塩化炭素、トリクロ
ルエチレンなどの脂肪族ハロゲン化炭化水素類あ
るいはベンゼン、トルエン、キシレン、リグロイ
ン、モノクロルベンゼン、ジクロルベンゼンなど
の芳香族類などを用いることができる。 塗工は、浸漬コーテイング法、スプレーコーテ
イング法、スピンナーコーテイング法、ビードコ
ーテイング法、マイヤーバーコーテイング法、ブ
レードコーテイング法、ローラーコーテイング
法、カーテンコーテイング法などのコーテイング
法を用いて行なうことができる。 バインダーとともに有機被膜２を形成する際、
前述のナフトチオピリリウム化合物の含有量は、
有機被膜２中において１〜90重量％、好ましくは
20〜70重量％である。また、有機被膜２の乾燥膜
厚あるいは蒸着膜厚は、10ミクロン以下、好まし
くは２ミクロン以下である。 基板１としては、ポリエステル、アクリル樹
脂、ポリオレフイン樹脂、フエノール樹脂、エポ
キシ樹脂、ポリアミド、ポリイミドなどのプラス
チツク、ガラスあるいは金属類などを用いること
ができる。 また、本発明は、第２図に示す様に基板１と有
機被膜２の間に反射層３を設けることができる。
反射層３は、アルミニウム、銀、クロムなどの反
射性金属の蒸着層又はラミネート層とすることが
できる。 有機被膜２は、第３図に示す集束されたレーザ
光源４の照射によつてピツト５を形成することが
できる。ピツト５の深さを有機被膜２の膜厚と同
一にすると、ピツト領域における反射率を増加さ
せることができる。読み出しの際、書込みに用い
たレーザ光線と同一の波長を有するが、強度の小
さいレーザ光線を用いれば、読み出し光がピツト
領域で大きく反射されるが、非ピツト領域におい
ては吸収される。また、別の方法は有機被膜２が
吸収する第１の波長のレーザ光線で実時間書込み
を行ない、読み出しに有機被膜２を実質的に透過
する第２の波長のレーザ光線を用いることであ
る。読み出しレーザ光線は、ピツト領域と非ピツ
ト領域における異なる膜厚によつて生じる反射相
の変化に応答することができる。 本発明の有機被膜は、アルゴンレーザ（発振波
長488nｍ）、ヘリウム−ネオンレーザ（発振波長
633nｍ）ヘリウム−カドミウムレーザ（発振波
長442nｍ）などのガスレーザーの照射によつて
記録することも可能であるが、好ましくは750n
ｍ以上の波長を有するレーザ、特にガリウム−ア
ルミニウム−ヒ素半導体レーザ（発振波長780n
ｍ）などの近赤外あるいは赤外領域に発振波長を
有するレーザ光線の照射によつて記録する方法が
適している。また、読み出しのためには、前述の
レーザ光線を用いることができる。この際、書込
みと読み出しを同一波長のレーザで行なうことが
でき、また異なる波長のレーザで行なうことがで
きる。 本発明の別の具体例では、電子写真感光体の感
光層として適用することができる。また、かかる
感光層を電荷発生層と電荷輸送層に機能分離した
電子写真感光体における電荷発生層としても適用
することができる。 電荷発生層は、十分な吸光度を得るために、で
きる限り多くの前述の光導電性を示す化合物を含
有し、且つ発生した電荷キヤリアの飛程を短かく
するために薄膜層、例えば５ミクロン以下、好ま
しくは0.01ミクロン〜１ミクロンの膜厚をもつ薄
膜層とすることが好ましい。このことは、入射光
量の大部分が電荷発生層で吸収されて、多くの電
荷キヤリアを生成すること、さらに発生した電荷
キヤリアを再結合や補獲（トラツプ）により失活
することなく電荷輸送層に注入する必要があるこ
とに帰因している。 電荷発生層は、前述の化合物を適当なバインダ
ーに分散させ、これを基体の上に塗工することに
よつて形成でき、また真空蒸着装置により蒸着膜
を形成することによつて得ることができる。電荷
発生層を塗工によつて形成する際に用いうるバイ
ンダーとしては広範な絶縁性樹脂から選択でき、
またポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニル
アントラセンやポリビニルピレンなどの有機光導
電性ポリマーから選択できる。好ましくは、ポリ
ビニルブチラール、ポリアリレート（ビスフエノ
ールＡとフタル酸の縮重合体など）、ポリカーボ
ネート、ポリエステル、フエノキシ樹脂、ポリ酢
酸ビニル、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹
脂、ポリアミド、ポリビニルピリジン、セルロー
ス系樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイ
ン、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリド
ンなどの絶縁性樹脂を挙げることができる。電荷
発生層中に含有する樹脂は、80重量％以下、好ま
しくは40重量％以下が適している。 これらの樹脂を溶解する溶剤は、樹脂の種類に
よつて異なり、また下述の電荷輸送層や下引層を
溶解しないものから選択することが好ましい。具
体的な有機溶剤としては、メタノール、エタノー
ル、イソプロパノールなどのアルコール類、アセ
トン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンな
どのケトン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドなどのアミド類、
ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類、テ
トラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコ
ールモノメチルエーテルなどのエーテル類、酢酸
メチル、酢酸エチルなどのエステル類、クロロホ
ルム、塩化メチレン、ジクロルエチレン、四塩化
炭素、トリクロルエチレンなどの脂肪族ハロゲン
化炭化水素類あるいはベンゼン、トルエン、キシ
レン、リグロイン、モノクロルベンゼン、ジクロ
ルベンゼンなどの芳香族類などを用いることがで
きる。 塗工は、浸漬コーテイング法、スプレーコーテ
イング法、スピンナーコーテイング法、ビードコ
ーテイング法、マイヤーバーコーテイング法、ブ
レードコーテイング法、ローラーコーテイング
法、カーテンコーテイング法などのコーテイング
法を用いて行なうことができる。乾燥は、室温に
おける指触乾燥後、加熱乾燥する方法が好まし
い。加熱乾燥は、30℃〜200℃の温度で５分〜２
時間の範囲の時間で、静止または送風下で行なう
ことができる。 電荷輸送層は、前述の電荷発生層と電気的に接
続されており、電界の存在下で電荷発生層から注
入された電荷キヤリアを受け取るとともに、これ
らの電荷キヤリアを表面まで輸送できる機能を有
している。この際、この電荷輸送層は、電荷発生
層の上に積層されていてもよく、またその下に積
層されていてもよい。しかし、電荷輸送層は、電
荷発生層の上に積層されていることが望ましい。 電荷輸送層における電荷キヤリアを輸送する物
質（以下、単に電荷輸送物質という）は、前述の
電荷発生層が感応する電磁波の波長域に実質的に
非感応性であることが好ましい。ここで言う「電
磁波」とは、γ線、Ｘ線、紫外線、可視光線、近
赤外線、赤外線、遠赤外線などを包含する広義の
「光線」の定義を包含する。電荷輸送層の光感応
性波長域が電荷発生層のそれと一致またはオーバ
ーラツプする時には、両者で発生した電荷キヤリ
アが相互に補獲し合い、結果的には感度の低下の
原因となる。 電荷輸送物質としては電子輸送性物質と正孔輸
送性物質があり、電子輸送性物質としては、クロ
ルアニル、ブロモアニル、テトラシアノエチレ
ン、テトラシアノキノジメタン、２，４，７−ト
リニトロ−９−フルオレノン、２，４，５，７−
テトラニトロ−９−フルオレノン、２，４，７−
トリニトロ−９−ジシアノメチレンフルオレノ
ン、２，４，５，７−テトラニトロキサントン、
２，４，８−トリニトロチオキサントン等の電子
吸引性物質やこれら電子吸引性物質を高分子化し
たもの等がある。 正孔輸送性物質としては、ピレン、Ｎ−エチル
カルバゾール、Ｎ−イソプロピルカルバゾール、
Ｎ−メチル−Ｎ−フエニルヒドラジノ−３−メチ
リデン−９−エチルカルバゾール、Ｎ，Ｎ−ジフ
エニルヒドラジノ−３−メチリデン−９−エチル
カルバゾール、Ｎ，Ｎ−ジフエニルヒドラジノ−
３−メチリデン−10−エチルフエノチアジン、
Ｎ，Ｎ−ジフエニルヒドラジノ−３−メチリデン
−10−エチルフエノキサジン、Ｐ−ジエチルアミ
ノベンズアルデヒド−Ｎ，Ｎ−ジフエニルヒドラ
ゾン、Ｐ−ジエチルアミノベンズアルデヒド−Ｎ
−α−ナフチル−Ｎ−フエニルヒドラゾン、Ｐ−
ピロリジノベンズアルデヒド−Ｎ，Ｎ−ジフエニ
ルヒドラゾン、１，３，３−トリメチルインドレ
ニン−ω−アルデヒド−Ｎ，Ｎ−ジフエニルヒド
ラゾン、Ｐ−ジエチルベンズアルデヒド−３−メ
チルベンズチアゾリノン−２−ヒドラゾン等のヒ
ドラゾン類、２，５−ビス（Ｐ−ジエチルアミノ
フエニル）−１，３，４−オキサジアゾール、１
−フエニル−３−（Ｐ−ジエチルアミノスチリル）
−５−（Ｐ−ジチルアミノフエニル）ピラゾリン、
１−〔キノリル(2)〕−３−（Ｐ−ジエチルアミノス
チリル）−５−（Ｐ−ジエチルアミノフエニル）ピ
ラゾリン、１−〔ピリジル(2)〕−３−（Ｐ−ジエチ
ルアミノスチリル）−５−（Ｐ−ジエチルアミノフ
エニル）ピラゾリン、１−〔６−メトキシ−ピリ
ジン(2)〕−３−（Ｐ−ジエチルアミノスチリル）−
５−（Ｐ−ジエチルアミノフエニル）ピラゾリン、
１−〔ピリジン(3)〕−３−（Ｐ−ジエチルアミノス
チリル）−５−（Ｐ−ジエチルアミノフエニル）ピ
ラゾリン、１−〔レピジル(2)〕−３−（Ｐ−ジエチ
ルアミノスチリル）−５−（Ｐ−ジエチルアミノフ
エニル）ピラゾリン、１−〔ピリジル(2)〕−３−
（Ｐ−ジエチルアミノスチリル）−４−メチル−５
−（Ｐ−ジエチルアミノフエニル）ピラゾリン、
１−〔ピリジル(2)〕−３−（α−メチル−Ｐ−ジエ
チルアミノスチリル）−５−（Ｐ−ジエチルアミノ
フエニル）ピラゾリン、１−フエニル−３−（Ｐ
−ジエチルアミノスチリル）−４−メチル−５−
（Ｐ−ジエチルアミノフエニル）ピラゾリン、１
−フエニル−３−（α−ベンジル−Ｐ−ジエチル
アミノスチリル）−５−（Ｐ−ジエチルアミノフエ
ニル）ピラゾリン、スピロピラゾリンなどのピラ
ゾリン類、２−（Ｐ−ジエチルアミノスチリル）−
６−ジエチルアミノベンズオキサゾール、２−
（Ｐ−ジエチルアミノフエニル）−４−（Ｐ−ジメ
チルアミノフエニル）−５−（２−クロロフエニ
ル）オキサゾール等のオキサゾール系化合物、２
−（Ｐ−ジエチルアミノスチリル）−６−ジエチル
アミノベンゾチアゾール等のチアゾール系化合
物、ビス（４−ジエチルアミノ−２−メチルフエ
ニル）−フエニルメタン等のトリアリールメタン
系化合物、１，１−ビス（４−Ｎ，Ｎ−ジエチル
アミノ−２−メチルフエニル）ヘプタン、１，
１，２，２−テトラキス（４−Ｎ，Ｎ−ジメチル
アミノ−２−メチルフエニル）エタン等のポリア
リールアルカン類、トリフエニルアミン、ポリ−
Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポ
リビニルアントラセン、ポリビニルアクリジン、
ポリ−９−ビニルフエニルアントラセン、ピレン
−ホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホ
ルムアルデヒド樹脂等がある。 これらの有機電荷輸送物質の他に、セレン、セ
レン−テルルアモルフアスシリコン、硫化カドミ
ウムなどの無機材料も用いることができる。 また、これらの電荷輸送物質は、１種または２
種以上組合せて用いることができる。 電荷輸送物質に成膜性を有していない時には、
適当なバインダーを選択することによつて被膜形
成できる。バインダーとして使用できる樹脂は、
例えばアクリル樹脂、ポリアリレート、ポリエス
テル、ポリカーボネート、ポリスチレン、アクリ
ロニトリル−スチレンコポリマー、アクリロニト
リル−ブタジエンコポリマー、ポリビニルブチラ
ール、ポリビニルホルマール、ポリスルホン、ポ
リアクリルアミド、ポリアミド、塩素化ゴムなど
の絶縁性樹脂、あるいはポリ−Ｎ−ビニルカルバ
ゾール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピ
レンなどの有機光導電性ポリマーを挙げることが
できる。 電荷輸送層は、電荷キヤリアを輸送できる限界
があるので、必要以上に膜厚を厚くすることがで
きない。一般的には、５ミクロン〜30ミクロンで
あるが、好ましい範囲は８ミクロン〜20ミクロン
である。塗工によつて電荷輸送層を形成する際に
は前述した様な適当なコーテイング法を用いるこ
とができる。 この様な電荷発生層と電荷輸送層の積層構造か
らなる感光層は、導電層を有する基体の上に設け
られる。導電層を有する基体としては、基体自身
が導電性をもつもの、例えばアルミニウム、アル
ミニウム合金、銅、亜鉛、ステンレス、バナジウ
ム、モリブデン、クロム、チタン、ニツケル、イ
ンジウム、金や白金などを用いることができ、そ
の他にアルミニウム、アルミニウム合金、酸化イ
ンジウム、酸化錫、酸化インジウム−酸化錫合金
などを真空蒸着法によつて被膜形成された層を有
するプラスチツク（例えばポリエチレン、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフ
タレート、アクリル樹脂、ポリフツ化エチレンな
ど）、導電性粒子（例えば、カーボンブラツク、
銀粒子など）を適当なバインダーとともにプラス
チツクの上に被覆した基体、導電性粒子をプラス
チツクや紙に含浸した基体や導電性ポリマーを有
するプラスチツクなどを用いることができる。 導電層と感光層の中間に、バリヤー機能と接着
機能をもつ下引層を設けることもできる。下引層
は、カゼイン、ポリビニルアルコール、ニトロセ
ルロース、エチレン−アクリル酸コポリマー、ポ
リアミド（ナイロン６、ナイロン66、ナイロン
610、共重合ナイロン、アルコキシメチル化ナイ
ロンなど）、ポリウレタン、ゼラチン、酸化アル
ミニウムなどによつて形成できる。 下引層の膜厚は、0.1ミクロン〜５ミクロン、
好ましくは0.5ミクロン〜３ミクロンが適当であ
る。 導電層、電荷発生層、電荷輸送層の順に積層し
た感光体を使用する場合において電荷輸送物質が
電子輸送性物質からなるときは、電荷輸送層表面
を正に帯電する必要があり、帯電後露光すると露
光部では電荷発生層において生成した電子が電荷
輸送層に注入され、そのあと表面に達して正電荷
を中和し、表面電位の減衰が生じ未露光部との間
に静電コントラストが生じる。この様にしてでき
た静電潜像を負荷電性のトナー現像すれば可視像
が得られる。これを直接定着するか、あるいはト
ナー像を紙やプラスチツクフイルム等に転写後、
現像し定着することができる。 また、感光体上の静電潜像を転写紙の絶縁層上
に転写後現像し、定着する方法もとれる。現像剤
の種類や現像方法、定着方法は公知のものや公知
の方法のいずれを採用しても良く、特定のものに
限定されるものではない。 一方、電荷輸送物質が正孔輸送物質から成る場
合、電荷輸送層表面を負に帯電する必要があり、
帯電後、露光すると露光部では電荷発生層におい
て生成した正孔が電荷輸送層に注入され、その後
表面に達して負電荷を中和し、表面電位の減衰が
生じ未露光部との間に静電コントラストが生じ
る。現像時には電子輸送物質を用いた場合とは逆
に正電荷性トナーを用いる必要がある。 また、本発明の別の具体例では、前述のヒドラ
ゾン類、ピラゾリン類、オキサゾール類、チアゾ
ール類、トリアリールメタン類、ポリアリールア
ルカン類、トリフエニルアミン、ポリ−Ｎ−ビニ
ルカルバゾール類など有機光導電性物質や酸化亜
鉛、硫化カドミウム、セレンなどの無機光導電性
物質の増感剤として前述のナフトチオピリリウム
化合物を含有させた有機被膜とすることができ
る。この有機被膜は、これらの光導電性物質と前
述の化合物をバインダーとともに塗工によつて被
膜形成される。また、別の具体例では、前述のナ
フトチオピリリウム化合物を含有する有機被膜を
感光層として用いることができる。 いずれの感光体においても、用いる顔料は一般
式(1)で示される化合物から選ばれる少なくとも１
種類の顔料を含有し、必要に応じて光吸収の異な
る顔料を組合せて使用した感光体の感度を高めた
り、パンクロマチツクな感光体を得るなどの目的
で一般式(1)で示される化合物を２種類以上組合せ
たり、または公知の染料、顔料から選ばれた電荷
発生物質と組合せて使用することも可能である。 本発明の有機被膜は、前述の光デイスク記録体
や電子写真感光体のレーザ感応被膜として用いる
他に、赤外線カツトフイルター、太陽電池あるい
は光センサーなどにも用いることができる。太陽
電池は、例えば酸化インジウムとアルミニウムを
電極として、これらの間に前述の有機被膜をサン
ドイツチ構造とすることによつて調整できる。 本発明の有機被膜は、従来のレーザ用電子写真
感光体と比較して750nｍ以上の波長域で著しく
高感度とすることができ、また従来の光デイスク
記録体と比較しても高感度でしかも十分に改善さ
れたＳ／Ｎ比を与えることができる。さらに、本
発明で用いる化合物は、750nｍ以上に吸収ピー
クを有しているにもかかわらず、熱に対して極め
て安定している利点を有している。 以下、本発明を実施例に従つて説明する。 実施例 １ アルミニウムシリンダー上にカゼインのアンモ
ニア水溶液（カゼイン11.2ｇ、28％アンモニア水
１ｇ、水222ml）を浸漬コーテイング法で塗工し、
乾燥して塗工量1.0mg／m²の下引層を形成した。 次に、前述の化合物No.(1)の化合物１重量部、ブ
チラール樹脂（エスレツクBM−２：積水化学(株)
製）１重量部とイソプロピルアルコール30重量部
をボールミル分散機で４時間分散した。この分散
液を先に形成した下引層の上に浸漬コーテイング
法で塗工し、乾燥して電荷発生層を形成した。こ
の時の膜厚は0.3μであつた。 次に、Ｐ−ジエチルアミノベンズアルデヒド−
Ｎ−フエニル−Ｎ−α−ナフチルヒドラゾン１重
量部、ポリスルホン樹脂（P1700：ユニオンカー
バイト社製、）１重量部とモノクロルベンゼン６
重量部を混合し、撹拌機で撹拌溶解した。この液
を電荷発生層の上に浸漬コーテイング法で塗工
し、乾燥して電荷輸送層を形成した。この時の膜
厚は、12μであつた。 こうして調製した感光体に−5KVのコロナ放
電を行なつた。この時の表面電位を測定した（初
期電位V₀）。さらに、この感光体を５秒間暗所で
放置した後の表面電位を測定した（暗減衰V₅）。
感度は、暗減衰した後の電位V₅を1/2に減衰する
に必要な露光量（Ｅ1/2マイクロジユール／cm²）
を測定することによつて評価した。この際、光源
としてガリウム、アルミニウム・ヒ素半導体レー
ザー（発振波長780nｍ）を用いた。これらの結
果は、次のとおりであつた。 V₀：−480ボルト V₅：−465ボルト Ｅ1/2：9.8マイクロジユール／cm² 実施例 ２〜10 実施例１で用いた化合物No.(1)の化合物に代え
て、第１表に示す化合物をそれぞれ用いたほか
は、実施例１と全く同様の方法で感光体を調製
し、この感光体の特性を測定した。これらの結果
を第１表に示す。

【表】

【表】 実施例 11 厚さ100ミクロン厚のアルミ板上にカゼインの
アンモニア水溶液を塗布し、乾燥して膜厚1.1ミ
クロンの下引層を形成した。 次に、２，４，７−トリニトロ−９−フルオレ
ノン５ｇとポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール（数平
均分子量300000）５ｇをテトラヒドロフラン70ml
に溶かして電荷移動錯化合物を形成した。この電
荷移動錯化合物と前述の化合物No.(3)の化合物１ｇ
をポリエステル樹脂（バイロン：東洋紡製）５ｇ
をテトラヒドロフラン70mlに溶かした液に加え、
分散した。この分散液を下引層の上に乾燥後の膜
厚が12ミクロンとなる様に塗布し、乾燥した。こ
うして調製した感光体の帯電特性を実施例１と同
様の方法で測定した。これの結果は、次のとおり
であつた。但し、帯電極性はとした。 V₀：510ボルト V₅：485ボルト Ｅ1/2：12.5マイクロジユール／cm² 実施例 12 アルミ蒸着ポリエチレンテレフタレートフイル
ムのアルミ面上に膜厚1.1ミクロンのポリビニル
アルコールの被膜を形成した。 次に、実施例１で用いた前述の化合物No.(4)の化
合物の分散液を先に形成したポリビニルアルコー
ル層の上に乾燥後の膜厚が0.5ミクロンとなる様
にマイヤーバーで塗布し、乾燥して電荷発生層を
形成した。 次に、構造式 のピラゾリン化合物５ｇとポリアリレート樹脂
（ビスフエノールＡとテレフタル酸−イノフタル
酸の縮重合体）５ｇをテトラヒドロフラン70mlに
溶かした液を電荷発生層の上に乾燥後の膜厚が10
ミクロンとなる様に塗布し、乾燥して電荷輸送層
を形成した。 こうして調製した感光体の帯電特性を実施例１
と同様の方法によつて測定した。これの結果は、
次のとおりであつた。 V₀：−470ボルト V₅：−450ボルト Ｅ1/2：11.2マイクロジユール／cm² 前述の各実施例から判るとおり、本発明の電子
写真感光体は、750nｍ以上の波長域で著しい高
感度特性を有するとともに、初期電位や暗減衰な
どの帯電特性に優れている。 実施例 13 ニトロセルロース溶液（ダイセル化学工業(株)
製；オーハーレスラツカー：ニトロセルロース25
重量％のメチルエチルケトン溶液）12重量部、前
述の化合物No.(4)の化合物３重量部およびメチルエ
チルケトン70重量部を混合し、十分に撹拌した。
この容液をアルミ蒸着ガラス板上に浸漬コーテイ
ング法により塗布した後、乾燥して0.6ｇ／m²の
記録層を得た。 こうして作成した光デイスク記録体をターンテ
ーブル上に取り付け、ターンテーブルをモータで
1800rpmの回転を与えながら、スポツトサイズ
1.0ミクロンに集束した５ｍＷおよび8MHzのガリ
ウム−アルミニウム−ヒ素半導体レーザ（発振波
長780nｍ）を記録層面にトラツク状で照射して
記録を行なつた。 この記録された光デイスクの表面を走査型電子
顕微鏡で観察したところ、鮮明なピツトが認めら
れた。また、この光デイスクに低出力のガリウム
−アルミニウム−ヒ素半導体レーザを入射し、反
射光の検知を行なつたところ、十分なＳ／Ｎ比を
有する波長が得られた。 実施例 14 前述の化合物No.(5)の化合物500mgを蒸着用モリ
ブテンボートに入れ、１×10^-6mmHg以下に排気
した後、アルミ蒸着ガラス板に蒸着した。蒸着中
は真空室内の圧力が10^-5mmHg以上に上昇しない
様にヒーターを制御しながら、0.2ミクロンの蒸
着膜を形成させた。 こうして作成した光デイスク記録体に実施例13
と同様の方法で情報を記憶させたところ、実施例
13と同様の鮮明なピツトが認められ、また実施例
13と同様の方法で情報を再生したが、この際十分
なＳ／Ｎ比を有する波形が認められた。 実施例 15 前述の化合物No.(10)の化合物を実施例13と同様の
方法でアルミ蒸着ガラス板の上に蒸着して、0.2
ミクロンの記録層を有する光デイスク記録体を作
成した。 この光デイスク記録体に実施例13と同様の方法
で情報を記録させてから、再生したところ、十分
なＳ／Ｎ比を有する波長が認められた。又、情報
を書き込みした後の記録層面を走査型電子顕微鏡
で観察したところ、鮮明なピツトが形成されてい
た。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は、本発明の有機被膜を光
デイスク記録体に用いた時の断面図で、第３図は
この光デイスク記録体の実施態様を示す説明図で
ある。 １……基板、２……有機被膜、３……反射層、
４……レーザ光線、５……ピツト。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 下記一般式(1)で示される化合物を含有するこ
   とを特徴とする有機被膜。 一般式 （式中R₁はアルキル基、置換基を有していても
   良いフエニル基又はスチリル基を表わす。R₂は
   隣接した２つの−CH＝CH−基と共役二重結合
   系を形成する置換基を有していても良いアリーレ
   ン基を表わす。R₃は置換基を有していても良い
   フエニル基又はナフチル基を表わす。Ａはアニオ
   ン残基を表わす。）