JPH0327901B2 - - Google Patents

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JPH0327901B2
JPH0327901B2 JP59134120A JP13412084A JPH0327901B2 JP H0327901 B2 JPH0327901 B2 JP H0327901B2 JP 59134120 A JP59134120 A JP 59134120A JP 13412084 A JP13412084 A JP 13412084A JP H0327901 B2 JPH0327901 B2 JP H0327901B2
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Kazuharu Katagiri
Yoshihiro Oguchi
Takeshi Ootake
Kozo Arao
Yoshio Takasu
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Canon Inc
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    • G03G5/0605—Carbocyclic compounds
    • G03G5/0607—Carbocyclic compounds containing at least one non-six-membered ring

Description

【発明の詳现な説明】
産業䞊の利甚分野 本発明は、新芏な光導電性被膜及びそれを甚い
た高感床の電子写真感光䜓に関するものである。 埓来の技術 埓来より、光導電性を瀺す顔料や染料に぀いお
は、数倚くの文献等で発衚されおいる。 䟋えば、“RCA Review”Vol.23P.413〜
P.4191962.9ではフタロシアニン顔料の光導電
性に぀いおの発衚がなされおおり、又このフタロ
シアニン顔料を甚いた電子写真感光䜓が米囜特蚱
第3397086号公報や米囜特蚱第3816118号公報等に
瀺されおいる。その他に、電子写真感光䜓に甚い
る有機半導䜓ずしおは、䟋えば米囜特蚱第
4315983号公報、米囜特蚱第4327169号公報や
“Reseach Disclosure”205171981.5に瀺され
おいるピリリりム系染料、米囜特蚱第3824099号
公報に瀺されおいるスク゚アリツク酞メチン染
料、米囜特蚱第3898084号公報、米囜特蚱第
4251613号公報等に瀺されたゞスアゟ顔料などが
挙げられる。 この様な有機半導䜓は、無機半導䜓に范べお合
成が容易で、しかも芁求する波長域の光に察しお
光導電性をも぀様な化合物ずしお合成するこずが
でき、この様な有機半導䜓の被膜を導電性支持䜓
に圢成した電子写真感光䜓は、感色性が良くなる
ずいう利点を有しおいるが、感床および耐久性に
おいお実甚できるものは、ごく僅かである。特
に、近幎䜎出力の半導䜓レヌザの開発に䌎ない
700nm以䞊の様な長波長光に察しお高感床特性を
も぀有機半導䜓の開発が掻発にな぀お来おいる
が、長波長光に倧きな吞光係数をも぀化合物は、
䞀般的に熱などに察しお䞍安定であるこずが倚
く、わずかな枩床䞊昇によ぀お分解されやすいな
どの問題点を有しおおり、このため赀倖感光性電
子写真感光䜓の補造を実質的に困難なものずしお
いる。 発明が解決しようずする問題点 埓぀お、本発明の第の目的は、新芏な有機半
導䜓を提䟛するこずにある。 本発明の第の目的は、新芏な有機半導䜓から
なる光導電性被膜を提䟛するこずにある。 本発明の第の目的は、新芏な光導電性被膜を
甚いた電子写真感光䜓を提䟛するこずにある。 本発明の第の目的は、電子写真匏耇写機に適
した電子写真感光䜓を提䟛するこずにある。 本発明の第の目的は、レヌザ光線走査型電子
写真方匏プリンタに適した電子写真感光䜓を提䟛
するこずにある。 本発明の第の目的は、長波長域の光線に察し
お高感床な特性を有する電子写真感光䜓を提䟛す
るこずにある。 問題点を解決するための手段、䜜甚 本発明は、䞋蚘䞀般匏(1)で衚わされるアズレニ
りム塩化合物を有する光導電性被膜及び該化合物
を有する感光局を蚭けた電子写真感光䜓から構成
される。 䞀般匏 匏䞭、R1〜R7は、氎玠原子、ハロゲン原子
塩玠原子、臭玠原子、沃玠原子又は䟡の有
機残基を衚わす。䟡の有機残基ずしおは、広範
なものから遞択するこずができるが、特にアルキ
ル基メチル、゚チル、−プロピル、む゜プロ
ピル、−ブチル、−ブチル、−アミル、
−ヘキシル、−オクチル、−゚チルヘキシ
ル、−オクチルなど、アルコキシ基メトキ
シ、゚トキシ、プロポキシ、ブトキシなど、眮
換もしくは未眮換のアリヌル基プニル、トリ
ル、キシリル、゚チルプニル、メトキシプニ
ル、゚トキシプニル、クロロプニル、ニトロ
プニル、ゞメチルアミノプニル、α−ナフチ
ル、β−ナフチルなど、眮換もしくは未眮換の
耇玠環基ピリゞル、キノリル、カルバゟリル、
フリル、チ゚ニル、ピラゟリルなど、眮換もし
くは未眮換のアラルキル基ベンゞル、−プ
ニル゚チル、−プニル−−メチル゚チル、
ブロモベンゞル、−ブロモプニル゚チル、メ
チルベンゞル、メトキシベンゞル、ニトロベンゞ
ルなど、アシル基アセチル、プロピオニル、
ブチリル、バレリル、ベンゟむル、トリオむル、
ナフトむル、フタロむル、フロむルなど、眮換
若しくは未眮換アミノ基アミノ、ゞメチルアミ
ノ、ゞ゚チルアミノ、ゞプロピルアミノ、アセチ
ルアミノ、ベンゟむルアミノなど、眮換若しく
は未眮換スチリル基スチリル、ゞメチルアミノ
スチリル、ゞ゚チルアミノスチリル、ゞプロピル
アミノスチリル、メトキシスチリル、゚トキシス
チリル、メチルスチリルなど、ニトロ基、ヒド
ロキシ基、メルカプト基、チオ゚ヌテル基、カル
ボンキシル基、カルボン酞゚ステル、カルボン酞
アミド、シアノ基、眮換若しくは未眮換アリヌル
アゟ基プニルアゟ、α−ナフチルアゟ、β−
ナフチルアゟ、ゞメチルアミノプニルアゟ、ク
ロロプニルアゟ、ニトロプニルアゟ、メトキ
シプニルアゟ、トリルアゟなどを挙げるこず
ができる。又、R1ずR2、R2ずR3、R3ずR4、R4ず
R5、R5ずR6およびR6ずR7の組合せのうち、少な
くずも぀の組合で眮換又は未眮換の瞮合環を圢
成しおもよい。瞮合環ずしおは、員、員又は
員環の瞮合環であり、芳銙族環、耇玠環又は脂
肪族鎖による環が挙げられる。 R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14およびR15
は氎玠原子、ハロゲン原子塩玠原子、臭玠原
子、沃玠原子、アルキル基メチル、゚チル、
−プロピル、む゜プロピル、−ブチル、−
ブチルなど、アルコキシ基メトキシ、゚トキ
シ、プロポキシ、ブトキシなど、ヒドロキシ基、
眮換又は未眮換のアリヌル基プニル、トリ
ル、キシリル、゚チルプニル、メトキシプニ
ル、ニトロプニル、ゞメチルアミノプニル、
α−ナフチル、β−ナフチルなど、眮換又は未
眮換のアラルキル基ベンゞル、−プニル゚
チル、−プニル−−メチル゚チル、ブロモ
ベンゞル、メチルベンゞル、ニトロベンゞルな
どおよびニトロ基を衚わす。又、R8ずR9、R9
ずR10、R10ずR11、R12ずR13、R13ずR14および
R14ずR15の組合せのうち、少なくずも぀の組
合せで眮換又は未眮換の芳銙族環を圢成しおもよ
い。は酞玠原子、硫黄原子又はセレン原子を衚
わす。 R16は氎玠原子、ニトロ基、シアノ基、アルキ
ル基メチル、゚チル、プロピル、ブチルなど
又はアリヌル基プニル、トリル、キシリルな
どを衚わす。 はアニオン残基を衚わし、の具䜓䟋ず
しおは、パヌクロレヌト、フルオロボレヌト、ス
ルフオアセテヌト、アむオダむド、クロラむド、
ブロマむド、−トル゚ンスルホネヌト、アルキ
ルスルホネヌト、アルキルゞスルホネヌト、ベン
れンスルホネヌト、ハロスルホネヌト、ピクラヌ
ト、テトラシアノ゚チレンアニオン、テトラシア
ノキノゞメタンアニオンなどのアニオン残基を衚
わす。は又はである。 以䞋、本発明で甚いるアズレニりム塩化合物の
具䜓䟋を䞋蚘に列挙する。 本発明アズレニりム塩化合物は、䞋蚘䞀般匏(2)
で瀺されるフオルミルアズレン化合物ず 䞀般匏 匏䞭、R1〜R7R16およびは前述で定矩し
たものず同様のものを意味する。 䞀般匏(3)で瀺される化合物ずを溶媒䞭で反応さ
せるこずによ぀お埗られる。 䞀般匏 匏䞭、R8〜R15、およびは前述で定矩し
たものず同様のものを意味する。 又、䞀般匏(1)で瀺されるアズレニりム塩化合物
においおの化合物は、䞀般匏(4)で瀺される
アズレン化合物ず 䞀般匏 匏䞭、R1〜R7は前述で定矩したものず同様
のものを意味する。 䞀般匏(5)で瀺されるアルデヒド化合物ずを匷酞
存圚䞋適圓な溶媒䞭で反応させるこずによ぀おも
容易に埗るこずができる。 䞀般匏 匏䞭、R8〜R15は前述で定矩したものず同様
のものを意味する。 次に、本発明のアズレニりム塩化合物のうち、
代衚的なものに぀いお、その合成法を瀺す。 合成䟋化合物No.(1) −フオルミル−−ゞメチル−−む゜
プロピルアズレン2.26ず−メチル−キサンチ
リりムパヌクロレヌト2.95を無氎酢酞180ml䞭、
80〜90℃の液枩にお時間反応させた。攟冷埌、
析出した結晶を別し、濟別し、氷酢酞、氎、゚タ
ノヌルの順で掗浄した埌、也燥しアズレニりム塩
化合物4.07を埗た。 収率81 元玠分析分子匏 C30H27ClO5 蚈算倀(%) 分析倀(%)  71.63 71.52  5.42 5.50 Cl 7.05 7.12 合成䟋化合物No.(5) −ゞメチル−−む゜プロピルアズレン
0.74、−フオルミルメチレン−
−ゞベンゟキサンテン1.2ずテトラヒドロフ
ラン80mlよりなる液䞭に、70過塩玠酞mlを宀
枩䞋にお滎䞋し、同枩床で時間撹拌した。析出
物を濟別し、テトラヒドロフラン、氎、テトラヒ
ドロフランの順で掗浄し、也燥した。アズレニり
ム塩化合物1.01を埗た。 収率45 元玠分析分子匏 C38H31ClO5 蚈算倀(%) 分析倀(%)  75.67 75.71  5.19 5.26 Cl 5.88 5.79 前述のアズレニりム塩化合物を有する被膜は光
導電性を瀺し、埓぀お䞋述する電子写真感光䜓の
感光局に甚いるこずができる。 すなわち、本発明の具䜓䟋では導電性支持䜓の
䞊に前述のアズレニりム塩化合物を真空蒞着法に
より被膜圢成するか、あるいは適圓なバむンダヌ
䞭に溶解もしくは分散含有させお被膜圢成するこ
ずにより電子写真感光䜓を調補するこずができ
る。 本発明の奜たしい具䜓䟋では、電子写真感光䜓
の感光局を電荷発生局ず電荷茞送局に機胜分離し
た電子写真感光䜓における電荷発生局ずしお、前
述の光導電性被膜を適甚するこずができる。 電荷発生局は、十分な吞光床を埗るために、で
きる限り倚くの前述の光導電性を瀺す化合物を含
有し、䞔぀発生した電荷キダリアの飛皋を短かく
するために薄膜局、䟋えば5Ό以䞋、奜たしくは
0.01〜1Όの膜厚をも぀薄膜局ずするこずが奜たし
い。このこずは、入射光量の倧郚分が電荷発生局
で吞収されお、倚くの電荷キダリアを生成するこ
ず、さらに発生した電荷キダリアを再結合や補獲
トラツプにより倱掻するこずなく電荷茞送局
に泚入する必芁があるこずに垰因しおいる。 電荷発生局は、前述の化合物を適圓なバむンダ
ヌに溶解もしくは分散させ、これを基䜓の䞊に塗
工するこずによ぀お圢成でき、たた真空蒞着装眮
により蒞着膜を圢成するこずによ぀お埗るこずが
できる。電荷発生局を塗工によ぀お圢成する際に
甚いうるバむンダヌずしおは広範な絶瞁性暹脂か
ら遞択でき、たたポリ−−ビニルカルバゟヌ
ル、ポリビニルアントラセンやポリビニルピレン
などの有機光導電性ポリマヌから遞択できる。奜
たしくは、ポリビニルブチラヌル、ポリアリレヌ
トビスプノヌルずフタル酞の瞮重合䜓な
ど。ポリカヌボネヌト、ポリ゚ステル、プノ
キシ暹脂、ポリ酢酞ビニル、アクリル暹脂、ポリ
アクリルアミド、ポリアミド、ポリビニルピリゞ
ン、セルロヌス系暹脂、りレタン暹脂、゚ポキシ
暹脂、カれむン、ポリビニルアルコヌル、ポリビ
ニルピロリドンなどの絶瞁性暹脂を挙げるこずが
できる。電荷発生局䞭に含有する暹脂は、80重量
以䞋、奜たしくは40重量以䞋が適しおいる。 これらの暹脂を溶解する溶剀は、暹脂の皮類に
よ぀お異なり、たた䞋述の電荷茞送局や䞋匕局を
溶解しないものから遞択するこずが奜たしい。具
䜓的な有機溶剀ずしおは、メタノヌル、゚タノヌ
ル、む゜プロパノヌルなどのアルコヌル類、アセ
トン、メチル゚チルケトン、シクロヘキサノンな
どのケトン類、−ゞメチルホルムアミド、
−ゞメチルアセトアミドなどのアミド類、
ゞメチルスルホキシドなどのスルホキシド類、テ
トラヒドロフラン、ゞオキサン、゚チレングリコ
ヌルモノメチル゚ヌテルなどの゚ヌテル類、酢酞
メチル、酢酞゚チルなどの゚ステル類、クロロホ
ルム、塩化メチレン、ゞクロル゚チレン、四塩化
炭玠、トリクロル゚チレンなどの脂肪族ハロゲン
化炭化氎玠類あるいはベンれン、トル゚ン、キシ
レン、リグロむン、モノクロルベンれン、ゞクロ
ルベンれンなどの芳銙族類などを甚いるこずがで
きる。 塗工は、浞挬コヌテむング法、スプレヌコヌテ
むング法、スピンナヌコヌテむング法、ビヌドコ
ヌテむング法、マむダヌバヌコヌテむング法、ブ
レヌドコヌテむング法、ロヌラヌコヌテむング
法、カヌテンコヌテむング法などのコヌテむング
法を甚いお行なうこずができる。也燥は、宀枩に
おける指觊也燥埌、加熱也燥する方法が奜たし
い。加熱也燥は、30〜200℃の枩床で分〜時
間の範囲の時間で、静止たたは送颚䞋で行なうこ
ずができる。 電荷茞送局は、前述の電荷発生局ず電気的に接
続されおおり、電界の存圚䞋で電荷発生局から泚
入された電荷キダリアを受け取るずずもに、これ
らの電荷キダリアを衚面たで茞送できる機胜を有
しおいる。この際、この電荷茞送局は、電荷発生
局の䞊に積局されおいおもよく、たたその䞋に積
局されおいおもよい。しかし、電荷茞送局は、電
荷発生局の䞊に積局されおいるこずが望たしい。 電荷茞送局における電荷キダリアを茞送する物
質以䞋、単に電荷茞送物質ずいうは、前述の
電荷発生局が感応する電磁波の波長域に実質的に
非感応性であるこずが奜たしい。ここで蚀う「電
磁波」ずは、線、線、玫倖線、可芖光線、近
赀倖線、赀倖線、遠赀倖線などを包含する広矩の
「光線」の定矩を包含する。電荷茞送局の光感応
性波長域が電荷発生局のそれず䞀臎たたはオヌバ
ヌラツプする時には、䞡者で発生した電荷キダリ
アが盞互に補獲し合い、結果的には感床の䜎䞋の
原因ずなる。 電荷茞送物質ずしおは電子茞送性物質ず正孔茞
送性物質があり、電子茞送性物質ずしおは、クロ
ルアニル、ブロモアニル、テトラシアノ゚チレ
ン、テトラシアノキノゞメタン、−ト
リニトロ−−フルオレノン、−
テトラニトロ−−フルオレノン、−
トリニトロ−−ゞシアノメチレンフルオレノ
ン、−テトラニトロキサントン、
−トリニトロチオキサントン等の電子
吞匕性物質やこれら電子吞匕性物質を高分子化し
たもの等がある。 正孔茞送性物質ずしおは、ピレン、−゚チル
カルバゟヌル、−む゜プロピルカルバゟヌル、
−メチル−−プニルヒドラゞノ−−メチ
リデン−−゚チルカルバゟヌル、−ゞフ
゚ニルヒドラゞノ−−メチリデン−−゚チル
カルバゟヌル、−ゞプニルヒドラゞノ−
−メチリデン−10−゚チルプノチアゞン、
−ゞプニルヒドラゞノ−−メチリデン
−10−゚チルプノキサゞン、−ゞ゚チルアミ
ノベンズアルデヒド−−ゞプニルヒドラ
ゟン、−ゞ゚チルアミノベンズアルデヒド−
−α−ナフチル−−プニルヒドラゟン、−
ピロリゞノベンズアルデヒド−−ゞプニ
ルヒドラゟン、−トリメチルむンドレ
ニン−ω−アルデヒド−−ゞプニルヒド
ラゟン、−ゞ゚チルベンズアルデヒド−−メ
チルベンズチアゟリノン−−ヒドラゟン等のヒ
ドラゟン類、−ビス−ゞ゚チルアミノ
プニル−−オキサゞアゟヌル、
−プニル−−−ゞ゚チルアミノスチリル
−−−ゞ゚チルアミノプニルピラゟリ
ン、−〔キノリル(2)〕−−−ゞ゚チルアミ
ノスチリル−−−ゞ゚チルアミノプニ
ルピラゟリン、−〔ピリゞル(2)〕−−〔−
ゞ゚チルアミノスチリル−−−ゞ゚チルア
ミノプニルピラゟリン、−〔−メトキシ
−ピリゞル(2)〕−−−ゞ゚チルアミノスチリ
ル−−−ゞ゚チルアミノプニルピラゟ
リン、−〔ピリゞル(3)〕−−−ゞ゚チルア
ミノスチリル−−−ゞ゚チルアミノプニ
ルピラゟリン、−〔レピゞル(2)〕−−−
ゞ゚チルアミノスチリル−−−ゞ゚チルア
ミノプニルピラゟリン、−〔ピリゞル(2)〕−
−−ゞ゚チルアミノスチリル−−メチル
−−−ゞ゚チルアミノプニルピラゟリ
ン、−〔ピリゞル(2)〕−−α−メチル−−
ゞ゚チルアミノスチリル−−−ゞ゚チルア
ミノプニルピラゟリン、−プニル−−
−ゞ゚チルアミノスチリル−−メチル−
−−ゞ゚チルアミノプニルピラゟリン、
−プニル−−α−ベンゞル−−ゞ゚チ
ルアミノスチリル−−−ゞ゚チルアミノフ
゚ニルピラゟリン、スピロピラゟリンなどのピ
ラゟリン類、−−ゞ゚チルアミノスチリル
−−ゞ゚チルアミノベンズオキサゟヌル、−
−ゞ゚チルアミノプニル−−−ゞメ
チルアミノプニル−−−クロロプニ
ルオキサゟヌル等のオキサゟヌル系化合物、
−−ゞ゚チルアミノスチリル−−ゞ゚チル
アミノベンゟチアゟヌル等のチアゟヌル系化合
物、ビス−ゞ゚チルアミノ−−メチルプ
ニル−プニルメタン等のトリアリヌルメタン
系化合物、−ビス−−ゞ゚チル
アミノ−−メチルプニルヘプタン、
−テトラキス−−ゞメチル
アミノ−−メチルプニル゚タン等のポリア
リヌルアルカン類、トリプニルアミン、ポリ−
−ビニルカルバゟヌル、ポリビニルピレン、ポ
リビニルアントラセン、ポリビニルアクリゞン、
ポリ−−ビニルプニルアントラセン、ピレン
−ホルムアルデヒド暹脂、゚チルカルバゟヌルホ
ルムアルデヒド暹脂等がある。 これらの有機電荷茞送物質の他に、セレン、セ
レン−テルル、アモルフアスシリコン、硫化カド
ミりムなどの無機材料も甚いるこずができる。 たた、これらの電荷茞送物質は、皮たたは
皮以䞊組合せお甚いるこずができる。 電荷茞送物質に成膜性を有しおいない時には、
適圓なバむンダヌを遞択するこずによ぀お被膜圢
成できる。バむンダヌずしお䜿甚できる暹脂は、
䟋えばアクリル暹脂、ポリアリレヌト、ポリ゚ス
テル、ポリカヌボネヌト、ポリ゚チレン、アクリ
ロニトリル−スチレンコポリマヌ、アクリロニト
リル−ブタゞ゚ンコポリマヌ、ポリビニルブチラ
ヌル、ポリビニルホルマヌル、ポリスルホン、ポ
リアクリルアミド、ポリアミド、塩玠化ゎムなど
の絶瞁性暹脂、あるいはポリ−−ビニルカルバ
ゟヌル、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピ
レンなどの有機光導電性ポリマヌを挙げるこずが
できる。 電荷茞送局は、電荷キダリアを茞送できる限界
があるので、必芁以䞊に膜厚を厚くするこずがで
きない。䞀般的には、〜30Όであるが、奜たし
い範囲は〜20Όである。塗工によ぀お電荷茞送
局を圢成する際には、前述した様な適圓なコヌテ
むング法を甚いるこずができる。 この様な電荷発生局ず電荷茞送局の積局構造か
らなる感光局は、導電局を有する基䜓の䞊に蚭け
られる。導電局を有する基䜓ずしおは、基䜓自䜓
が導電性をも぀もの、䟋えばアルミニりム、アル
ミニりム合金、銅、亜鉛、ステンレス、バナゞり
ム、モリブデン、クロム、チタン、ニツケル、む
ンゞりム、金や癜金などを甚いるこずができ、そ
の他にアルミニりム、アルミニりム合金、酞化む
ンゞりム、酞化錫、酞化むンゞりム−酞化錫合金
などを真空蒞着法によ぀お被膜圢成された局を有
するプラスチツク䟋えばポリ゚チレン、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ゚チレンテレフ
タレヌト、アクリル暹脂、ポリフツ化゚チレンな
ど、導電性粒子䟋えば、カヌボンブラツク、
銀粒子などを適圓なバむンダヌずずもにプラス
チツクの䞊に被芆した基䜓、導電性粒子をプラス
チツクや玙に含浞した基䜓や導電性ポリマヌを有
するプラスチツクなどを甚いるこずができる。 導電局ず感光局の䞭間に、バリダヌ機胜ず接着
機胜をも぀䞋匕局を蚭けるこずもできる。䞋匕局
は、カれむン、ポリビニルアルコヌル、ニトロセ
ルロヌス、゚チレン−アクリル酞コポリマヌ、ポ
リアミドナむロン、ナむロン66、ナむロン
610、共重合ナむロン、アルコキシメチル化ナむ
ロンなど、ポリりレタン、れラチン、酞化アル
ミニりムなどによ぀お圢成できる。 䞋匕局の膜厚は、0.1〜5Ό、奜たしくは0.5〜3ÎŒ
が適圓である。 導電局、電荷発生局、電荷茞送局の順に積局し
た感光䜓を䜿甚する堎合においお電荷茞送物質が
電子茞送性物質からなるずきは、電荷茞送局衚面
を正に垯電する必芁があり、垯電埌露光するず露
光郚では電荷発生局においお生成した電子が電荷
茞送局に泚入され、そのあず衚面に達しお正電荷
を䞭和し、衚面電䜍の枛衰が生じ未露光郚ずの間
に静電コントラストが生じる。この様にしおでき
た静電朜像を負荷電性のトナヌで珟像すれば可芖
像が埗られる。これを盎接定着するか、あるいは
トナヌ像を玙やプラスチツクフむルム等に転写
埌、珟像し定着するこずができる。 たた、感光䜓䞊の静電朜像を転写玙の絶瞁局䞊
に転写埌珟像し、定着する方法もずれる。珟像剀
の皮類や珟像方法、定着方法は公知のものや公知
の方法のいずれを採甚しおも良く、特定のものに
限定されるものではない。 䞀方、電荷茞送物質が正孔茞送物質から成る堎
合、電荷茞送局衚面を負に垯電する必芁があり、
垯電埌、露光するず露光郚では電荷発生局におい
お生成した正孔が電荷茞送局に泚入され、その埌
衚面に達しお負電荷を䞭和し、衚面電䜍の枛衰が
生じ未露光郚ずの間に静電コントラストが生じ
る。珟像時には電子茞送性物質を甚いた堎合ずは
逆に正電荷性トナヌを甚いる必芁がある。 たた、本発明の別の具䜓䟋では、前述のヒドラ
ゟン類、ピラゟリン類、オキサゟヌル類、チアゟ
ヌル類、トリアリヌルメタン類、ポリアリヌルア
ルカン類、トリプニルアミン、ポリ−−ビニ
ルカルバゟヌル類など有機光導電性物質や酞化亜
鉛、硫化カドミりム、セレンなどの無機光導電性
物質の増感剀ずしお前述の化合物を含有させた感
光被膜ずするこずができる。この感光被膜は、こ
れらの光導電性物質ず前述の化合物をバむンダヌ
ずずもに塗工によ぀お被膜圢成される。 いずれの感光䜓においおも、前述のアズレニり
ム塩化合物を少なくずも皮類含有し、又必芁に
応じお光吞収の異なる他の光導電性顔料や染料を
組合せお䜿甚するこずによ぀お、この感光䜓の感
床を高めたり、あるいはパンクロマチツクな感光
䜓ずしお調補するこずも可胜である。 以䞋、本発明を実斜䟋に埓぀お説明する。 実斜䟋 〜10 アルミ板䞊にカれむンのアンモニア氎溶液カ
れむン11.2、28アンモニア氎、氎222ml
をマむダヌバヌで、也燥埌の膜厚が1.0Όずなる様
に塗垃し、也燥した。 次に、ブチラヌル暹脂ブチラヌル化床63モル
をむ゜プロピルアルコヌル95mlで溶かし
た溶液に、䞋蚘衚に挙げた10皮のアズレニりム塩
化合物を各々加えお10皮の塗工液を調補し
た。 各塗工液をアトラむタヌで分散した埌、それぞ
れ前述のカれむン䞋匕局の䞊に也燥埌の膜厚が
0.1Όずなる様にマむダヌバヌで塗垃し、也燥しお
電荷発生局を圢成させた。 次いで、構造匏 のヒドラゟン化合物ずポリメチルメタクリレ
ヌト暹脂数平均分子量100000をベンれン
70mlに溶解し、これを電荷発生局の䞊に也燥埌の
膜厚が12Όずなる様にマむダヌバヌで塗垃し、也
燥しお電荷茞送局を圢成した。 この様にしお䜜成した10皮の電子写真感光䜓を
川口電機(æ ª)補静電耇写玙詊隓装眮ModelSP−428
を甚いおスタチツク方匏で5kVでコロナ垯電し、
暗所で10秒間保持した埌、照床5luxで露光し垯電
特性を調べた。 垯電特性ずしおは、初期垯電電䜍Vpず10
秒間暗枛衰させた時の電䜍を1/2に枛衰するに必
芁な露光量1/2を枬定した。この結果を第
衚に瀺す。又、10秒間暗枛衰させた時の電荷保
持率をVKで衚わした。
【衚】 実斜䟋 11 ポリ゚ステル暹脂東掋玡瞟(æ ª)補、バむロン
200ず−〔ピリゞル−(2)〕−−−
−ゞ゚チルアミノスチリル−−−
−ゞ゚チルアミノプニルピラゟリンをメ
チル゚チルケトンの80mlに溶解した埌、前述のア
ズレニりム塩化合物No.(1)1.0を添加し分散埌、
アルミニりム蒞着したポリ゚ステルフむルム䞊に
塗垃也燥し、也燥膜厚13Όの感光局を有する感光
䜓を䜜成した。 この感光䜓の特性を実斜䟋ず同様の方法によ
぀お初期垯電電䜍Vp、10秒間暗枛衰させた時
の電荷保持率VKおよび10秒間暗枛衰させた
時の垯電電䜍を1/2に枛衰するに必芁な露光量
1/2を枬定したずころ、䞋蚘のずおりであ぀
た。 Vp−430V VK81 1/243.5lux・sec 実斜䟋 12〜17 前蚘実斜䟋11の感光䜓を調補した時に甚いたア
ズレニりム塩化合物No.(1)に代えお、䞋蚘衚に挙げ
たアズレニりム塩化合物を甚いたほかは、実斜䟋
11ず党く同様の方法によ぀お感光䜓を䜜成し、各
感光䜓の垯電特性を枬定した。 これらの結果を第衚に瀺す。
【衚】 実斜䟋 18 ポリ−−ビニルカルバゟヌルず前述のア
ズレニりム塩化合物No.(5)mgを−ゞクロル
゚タン10に加えた埌、十分に撹拌した。こうし
お調補した塗工液をアルミニりム蒞着したポリ゚
チレンテレフタレヌトフむルムの䞊に也燥膜厚が
15Όずなる様にドクタヌブレヌドにより塗垃し
た。 この感光䜓の垯電特性を実斜䟋ず同様の方法
によ぀お枬定した。䜆し、垯電極性はずした。
この結果を䞋蚘に瀺す。 Vp510V VK79 1/242.5lux・sec 実斜䟋 19 前蚘実斜䟋18の電子写真感光䜓を調補した時に
甚いたアズレニりム塩化合物No.(5)に代えお、前述
のアズレニりム塩化合物No.(7)を甚いたほかは、実
斜䟋18ず党く同様の方法で感光䜓を調補した埌、
この感光䜓の垯電特性を枬定した。この結果を䞋
蚘に瀺す。䜆し、垯電極性をずした。 Vp520V VK83 1/235.4lux・sec 実斜䟋 20 埮粒子酞化亜鉛堺化孊(æ ª)補Sazex200010
、アクリル系暹脂䞉菱レヌペン(æ ª)補ダむダナ
ヌルLR009、トル゚ン10および前述のア
ズレニりム塩化合物No.(1)10mgをボヌルミル䞭で十
分に混合し、埗られた塗工液をアルミニりム蒞着
したポリ゚チレンテレフタレヌトフむルムの䞊に
ドクタヌブレヌドにより也燥膜厚が21Όになる様
に塗垃し、也燥しお電子写真感光䜓を調補した。 この電子写真感光䜓の分光感床を電子写真法の
分光写真により枬定したずころ、前述のアズレニ
りム塩化合物を含有しおいない酞化亜鉛被膜に范
べお、本実斜䟋の感光䜓は長波長偎に感床を有し
おいるこずが刀明した。 実斜䟋 21 厚さ100Ό厚のアルミ板䞊にカれむンのアンモ
ニア氎溶液を塗垃し、也燥しお膜厚1.1Όの䞋匕局
を圢成した。 次に、−トリニトロ−−フルオレ
ノンずポリ−−ビニルカルバゟヌル数平
均分子量300000をテトラヒドロフラン70ml
に溶かしお電荷移動錯化合物を圢成した。この電
荷移動錯化合物ず前述のアズレニりム塩化合物No.
(1)をポリ゚ステル暹脂バむロン東掋玡
補をテトラヒドロフラン70mlに溶かした液
に加え、分散した。この分散液を䞋匕局の䞊に也
燥埌の膜厚が12Όずなる様に塗垃し、也燥した。
こうしお調補した感光䜓の垯電特性を実斜䟋ず
同様の方法で枬定した。これらの結果は、次のず
おりであ぀た。䜆し、垯電極性はずした。 Vp470V VK81 8.4lux・sec 実斜䟋 22 アルミ蒞着ポリ゚チレンテレフタレヌトフむル
ムのアルミ面䞊に膜厚1.1Όのポリビニルアルコヌ
ルの被膜を圢成した。 次に、実斜䟋のアズレニりム塩化合物を含有
した塗工液を先に圢成したポリビニルアルコヌル
局の䞊に、也燥埌の膜厚が0.1Όずなる様にマむダ
ヌバヌで塗垃し、也燥しお電荷発生局を圢成し
た。 次いで、構造匏 のピラゟリン化合物ずポリアリレヌトビス
プノヌルずテレフタル酞−む゜フタル酞の瞮
重合䜓をテトラヒドロフラン70mlに溶かし
た液を電荷発生局の䞊に也燥埌の膜厚が10Όずな
る様に塗垃し、也燥しお電荷茞送局を圢成した。 こうしお調補した感光䜓の垯電特性を実斜䟋ず
同様の方法によ぀お枬定した。この結果を䞋蚘に
瀺す。 Vp−545V VK86 46lux・sec 実斜䟋 23 アルミニりムシリンダヌ䞊にカれむンのアンモ
ニア氎溶液カれむン11.2、28アンモニア氎
、氎222mlを浞挬コヌテむング法で塗工し、
也燥しお塗工量1.0m2の䞋匕局を圢成した。 次に、前述のアズレニりム塩化合物No.(1)の重
量郚、ブチラヌル暹脂゚スレツクBM−積
氎化孊(æ ª)補重量郚ずむ゜プロピルアルコヌル
30重量郚をボヌルミル分散機で時間分散した。
この分散液を先に圢成した䞋匕局の䞊に浞挬コヌ
テむング法で塗工し也燥しお電荷発生局を圢成し
た。この時の膜厚は0.3Όであ぀た。 次に、−ゞ゚チルアミノベンズアルデヒド−
−プニル−−α−ナフチルヒドラゟン重
量郚、ポリスルホンP1700ナニオンカヌバむ
ド瀟補、重量郚ずモノクロルベンれン重量
郚を混合し、撹拌機で撹拌容解した。この液を電
荷発生局の䞊に浞挬コヌテむング法で塗工し、也
燥しお電荷茞送局を圢成した。この時の膜厚は、
12Όであ぀た。 こうしお調補した感光䜓に−5kVのコロナ攟電
を行な぀た。この時の衚面電䜍を枬定した初期
電䜍VO。さらに、この感光䜓を秒間暗所で攟
眮した埌の衚面電䜍を枬定した暗枛衰VK。感
床は、暗枛衰した埌の電䜍VKを1/2に枛衰するに
必芁な露光量1/2マむクロゞナヌルcm2を
枬定するこずによ぀お評䟡した。この際、光源ず
しおガリりム、アルミニりム・ヒ玠半導䜓レヌザ
ヌ発振波長780nmを甚いた。これらの結果は
次のずおりであ぀た。 Vp−520V VK80 2.4マむクロゞナヌルcm2 実斜䟋 24〜31 実斜䟋23で甚いたアズレニりム塩化合物No.(1)に
代えお、第衚に瀺す化合物をそれぞれ甚いたほ
かは、実斜䟋23ず党く同様の方法で感光䜓を調補
し、この感光䜓の特性を枬定した。 これらの結果を第衚に瀺す。
【衚】 発明の効果 䞊述したずころから明らかなように本発明によ
れば、高感床の電子写真感光䜓を埗るこずがで
き、特に長波長偎に発振波長をも぀レヌザヌ・ビ
ヌムに察しお改善された電子写真特性を埗るこず
ができる。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  䞋蚘䞀般匏(1)で衚わされるアズレニりム塩化
    合物を有する光導電性被膜。 䞀般匏 䜆し、匏䞭、R1、R2、R3、R4、R5、R6および
    R7は氎玠原子、ハロゲン原子又は䟡の有機残
    基を衚わし、又R1ずR2、R2ずR3、R3ずR4、R4ず
    R5、R5ずR6およびR6ずR7の組合せのうち、少な
    くずも぀の組合せで眮換又は未眮換の瞮合環を
    圢成しおもよい。 R8R9R10R11R12R13R14およびR15
    は氎玠原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコ
    キシ基、ヒドロキシ基、眮換又は未眮換のアリヌ
    ル基、眮換又は未眮換のアラルキル基、およびニ
    トロ基を衚わし、又R8ずR9、R9ずR10、R10ず
    R11、R12ずR13、R13ずR14およびR14ずR15の組合
    せのうち、少なくずも぀の組合せで眮換又は未
    眮換の芳銙族環を圢成しおもよい。は酞玠原
    子、硫黄原子又はセレン原子を衚わす。R16は氎
    玠原子、ニトロ基、シアノ基、アルキル基および
    アリヌル基を衚わす。 は、アニオン残基を衚わす。は又
    はである。  導電性支持䜓の䞊に、䞋蚘䞀般匏(1)で衚わさ
    れるアズレニりム塩化合物を有する感光局を蚭け
    たこずを特城ずする電子写真感光䜓。 䞀般匏 䜆し、匏䞭、R1、R2、R3、R4、R5、R6および
    R7は氎玠原子、ハロゲン原子又は䟡の有機残
    基を衚わし、又R1ずR2、R2ずR3、R3ずR4、R4ず
    R5、R5ずR6およびR6ずR7の組合せのうち、少な
    くずも぀の組合せで眮換又は未眮換の瞮合環を
    圢成しおもよい。 R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14およびR15
    は氎玠原子、アルキル基、アルコキシ基、ヒドロ
    キシ基、眮換又は未眮換のアリヌル基、眮換又は
    未眮換のアラルキル基およびニトロ基を衚わし、
    又、R8ずR9、R9ずR10、R10ずR11、R12ずR13、
    R13ずR14、およびR14ずR15の組合せのうち、少
    なくずも぀の組合せで眮換又は未眮換の芳銙族
    環を圢成しおもよい。は酞玠原子、硫黄原子又
    はセレン原子を衚わす。R16は氎玠原子、ニトロ
    基、シアノ基、アルキル基およびアリヌル基を衚
    わす。 は、アニオン残基を衚わす。は又
    はである。
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