JPH0454230B2 - - Google Patents

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JPH0454230B2
JPH0454230B2 JP63067281A JP6728188A JPH0454230B2 JP H0454230 B2 JPH0454230 B2 JP H0454230B2 JP 63067281 A JP63067281 A JP 63067281A JP 6728188 A JP6728188 A JP 6728188A JP H0454230 B2 JPH0454230 B2 JP H0454230B2
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JP
Japan
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charge transport
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JP63067281A
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JPH01241564A (ja
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Hideyuki Takai
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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Priority to US07/326,735 priority patent/US4895781A/en
Publication of JPH01241564A publication Critical patent/JPH01241564A/ja
Publication of JPH0454230B2 publication Critical patent/JPH0454230B2/ja
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09BORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
    • C09B35/00Disazo and polyazo dyes of the type A<-D->B prepared by diazotising and coupling
    • C09B35/378Trisazo dyes of the type
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/0664Dyes
    • G03G5/0675Azo dyes
    • G03G5/0679Disazo dyes

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Description

【発明の詳现な説明】
産業䞊の利甚分野 本発明は、電子写真感光䜓に関し、詳しくは特
定の分子構造を有するトリスアゟ顔料を光導電局
䞭に含有する電子写真感光䜓に関する。 埓来の技術 埓来、無機光導電性物質を甚いた電子写真感光
䜓ずしおは、セレン、硫化カドミりム、酞化亜鉛
などを甚いたものが広く知られおいる。 䞀方、有機光導電性物質を甚いた電子写真感光
䜓ずしおは、ポリ−−ビニルカルバゟヌルに代
衚される光導電性ピリマヌや−ビス−
ゞ゚チルアミノプニル−−オキサ
ゞアゟヌルの劂き䜎分子の有機光導電性物質を甚
いたもの、さらには、かかる有機光導電性物質ず
各皮染料や顔料を組み合わせたものなどが知られ
おいる。 有機光導電性物質を甚いた電子写真感光䜓は成
膜性が良く、塗工により生産できるこず、極めお
生産性が高く、安䟡な感光䜓を提䟛できる利点を
有しおいる。たた、䜿甚する染料や顔料などの増
感剀の遞択により、感色性を自圚にコントロヌル
できるなどの利点を有し、これたで幅広い怜蚎が
なされおきた。特に最近では、有機光導電性顔料
を電荷発生局ずし、前述の光導電性ポリマヌや䜎
分子の有機導電性物質などからなる電荷茞送局を
積局した機胜分離型感光䜓の開発により、埓来の
有機電子写真感光䜓の欠点ずされおいた感床や耐
久性に著しい改善がなされ、実甚に共されるよう
にな぀おきた。 さらに近幎、レヌザヌビヌムプリンタヌの普及
により、800nm付近の長波長域にたで感床を有す
る電子写真感光䜓の開発が盛んに行なわれおお
り、これに䜿甚される有機光導電性アゟ顔料ずし
おは、䟋えば特開昭61−43662号公報に蚘茉され
るビプニルアミン系ゞスアゟ顔料や特開昭53−
132347号公報などに蚘茉されるトリプニルアミ
ン系トリスアゟ顔料などが知られおいる。これら
のアゟ顔料を甚いた電子写真感光䜓は優れた感床
を有する反面、垯電胜、暗枛衰、繰り返し䜿甚時
の電䜍安定性においおは十分ずは蚀えない。 発明が解決しようずする課題 本発明の目的は、新芏な光導電性材料を提䟛す
るこず、長波長にたで感床を有し、前述のような
欠点の改善された電子写真感光䜓を提䟛するこず
にある。 課題を解決する手段、䜜甚 本発明は、導電性支持䜓䞊に光導電局を有する
電子写真感光䜓においお、光導電局に䞋蚘䞀般匏
で瀺すトリスアゟ顔料を含有するこずを特
城ずする電子写真感光䜓から構成される。 匏䞭、R1は酞玠原子たたは
【匏】を瀺 し、はプノヌル性氎酞基を有するカプラヌ残
基を瀺す。 の奜たしい具䜓䟋には、䞋蚘䞀般匏〜
で瀺す残基が挙げられる。 匏䞭、はベンれル環ず瞮合しおナフタレン
環、アントラセン環、カルバゟヌル環、ベンズカ
ルバゟヌル環、ゞベンズカルバゟヌル環、ゞベン
ゟフラン環、ゞベンゟナフトフラン環、ゞプニ
レンサルフアむト環、フルオレノン環などの倚環
芳銙環あるいはヘテロ環を圢成するに必芁な残基
を瀺す。 の結合した環はナフタレン環、アントラセン
環、カルバゟヌル環、ベンズカルバゟヌル環ずす
るこずがより奜たしい。 R2およびR3は氎玠原子、眮換基を有しおもよ
いアルキル基、アリヌル、アラルキル基、ヘテロ
環基ないしはR2R3の結合する窒玠原子を環内
に含む環状マミノ基を瀺す。 具䜓的には、アルキル基ずしおはメチル、゚チ
ル、プロピル、ブチルなどの基、アラルキル基ず
しおはベンゞン、プネチル、ナフチルメチルな
どの基、アリヌル基ずしおはプニル、ゞプニ
ル、ナフチル、アンスリルなどの基、ヘテロ環基
ずしおはカルバゟヌル、ゞベンゟフラン、ベンズ
むミダゟロン、ベンズチアゟヌル、チアゟヌル、
ピリゞンなどの基が挙げられる。 は酞玠原子たたは硫黄原子を瀺す。 はたたはの敎数を瀺す。 䞀般匏 匏䞭、R4は氎玠原子、眮換基を有しおもよい
アルキル基、アリヌル基あるいはアラルキル基を
瀺す。R4の具䜓䟋は前蚘のR2R3ず同じ䟋によ
぀お瀺される。 さらに、䞀般匏および䞭のR2〜
R4の瀺すアルキル基、アリヌル基、アラルキル
基、ヘテロ環基の眮換基しおは、䟋えばフツ玠原
子、塩玠原子、ペり玠原子、臭玠原子などのハロ
ゲン原子、メチル、゚チル、プロピル、む゜プロ
ピル、ブチルなどのアルキル基、メトキシ、゚ト
キシ、プロポキシ、プノキシなどのアルコキシ
基、ニトロ基、シアノ基、ゞメチルアミノ、ゞベ
ンゞルアミノ、ゞプニルアミノ、モルホリノ、
ピペリゞノ、ピロリゞノなど眮換アミノ基などが
挙げられる。 䞀般匏 匏䞭、は芳銙族炭化氎玠の䟡の基たたは窒
玠原子を環内に含むヘテロ環の䟡の基を瀺し、
芳銙族炭化氎玠の䟡の基ずしおは−プニレ
ンなどの単環芳銙族炭化氎玠の䟡の基、−ナ
フチレン、ペリナフチレン、−アンスリレ
ン、10−プナンスリレンなどの瞮合倚環芳
銙族炭化氎玠の䟡の基が挙げられ、窒玠原子を
環内に含むヘテロ環の䟡の基ずしおは、
−ピラゟヌルゞむル基、−ピリゞンゞむル
基、−ピリミゞンゞむル基、−むン
ダゟヌルゞむル基、−キノリンゞむル基な
どの䟡の基が挙げられる。 䞀般匏 匏䞭、R5は眮換基を有しおもよいアリヌル基
たたはヘテロ環基を瀺し、具䜓的にはアリヌル基
ずしおはプニル、ナフチル、アンスリル、ピレ
ニルなどの基、ヘテロ環基ずしおはピリゞル、チ
゚ニル、フリル、カルバゟリルなどの基を瀺す。 さらにアリヌル基、ヘテロ環基の眮換基ずしお
は、フツ玠原子、塩玠原子、ペり玠原子、臭玠原
子などのハロゲン原子、メチル、゚チル、プロピ
ル、む゜プロピル、ブチルなどのアルキル基、メ
トキシ、゚トキシ、プロポキシ、プノキシなど
のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、ゞメチル
アミノ、ゞベンゞルアミノ、ゞプニルアミノ、
モルホリノ、ピペリゞノ、プロリゞノなど眮換ア
ミノ基が挙げられる。 は前蚘䞀般匏䞭のず同矩である。 䞀般匏 匏䞭、R6および7は眮換基を有しおもよいアル
キル基、アラルキル基、アリヌル基、たたはヘテ
ロ環基を瀺し、具䜓的にはアルキル基ずしおはメ
チル、゚チル、プロピル、ブチルなどの基、アラ
ルキル基ずしおはベンゞル、プネチル、ナフチ
ルメチルなどの基、アリヌル基ずしおはプニ
ル、ゞプニル、ナフチル、アンスリルなどの
基、ヘテロ環基ずしおはカルバゟリル、チ゚ニ
ル、ピリゞル、フリルなどの基が挙げられ、さら
に、アルキル基、アラルキル基、アリヌル基、ヘ
テロ環基の眮換基ずしおは、フツ玠原子、塩玠原
子、ペり玠原子、臭玠原子などのハロゲン原子、
メチル、゚チル、プロピル、む゜プロピル、ブチ
ルなどのアルキル基、メトキシ、゚トキシ、プロ
ポキシなどのアルコキシ基、ニトロ基、シアノ
基、ゞメチルアミノ、ゞベンゞルアミノ、シプ
ニルアミノ、モルホリノ、ピペリゞノ、ピロリゞ
ノなど眮換アミノ基が挙げられる。 は前蚘䞀般匏䞭のず同矩である。 以䞋に本発明の䞀般匏で瀺すゞスアゟ顔
料の代衚的な具䜓䟋を列挙する。 基本型 䟋瀺顔料(1)  䟋瀺顔料(2)  䟋瀺顔料(3)  䟋瀺顔料(4)  䟋瀺顔料(5)  䟋瀺顔料(6)  䟋瀺顔料(7)  䟋瀺顔料(8)  䟋瀺顔料(9)  䟋瀺顔料(10)  䟋瀺顔料11  䟋瀺顔料12  基本型 䟋瀺顔料13  䟋瀺顔料14  䟋瀺顔料15  䟋瀺顔料16  䟋瀺顔料17  䟋瀺顔料18  䟋瀺顔料19  䟋瀺顔料20  䟋瀺顔料21  なお、本発明で甚いるトリスアゟ顔料はこれに
限定されるものではない。 前蚘䞀般匏(1)で瀺すトリスアゟ顔料は、察応す
るトリアミンをHodgson WhitehurstによるJ.C.
S 194780−に蚘茉の方法に準じおヘキサゟ
化し、これをホりフツ玠塩ずしお単離した埌、
−ゞメチルホルムアミド、ゞメチルスルホ
キシドなどの溶剀䞭で、酢酞゜ヌダ、ピリゞン、
トリ゚チルアミン、トリ゚タノヌルアミンなどの
塩基の存圚䞋、察応するカプラヌずカツプリング
するこずにより合成される。 合成䟋䟋瀺顔料(9)の合成 Bz1−トリアミノベンズアントロン を前蚘の文献に埓い酢酞に溶解し、これをニトロ
シル硫酞䞭に滎䞋しおヘキサゟ化し、これをホり
フッ化塩ずしお単離した。 次にビヌカヌにDMF500mを入れ、 カプラヌ 20.3g0.033モルを溶解し、液枩を℃たで冷
华した埌、先に埗たホりフツ化塩10.0g0.017モ
ルを溶解し、次いでトリ゚チルアミン6.5g
0.064モルを分間で滎䞋した。時間攪拌し
た埌、これを濟取し、DMF掗浄、氎掗の埌、凍
結也燥した。 収量20.3g、収率82、融点300℃以䞊分解 元玠分析 蚈算倀(%) 実枬倀(%)  73.45 73.48  4.02 4.10  11.55 11.59 前述のトリスアゟ顔料を有する被膜は光導電性を
瀺し、埓぀お䞋述する電子写真感光䜓の光導電局
に甚いるこずができる。 即ち、本発明の具䜓䟋では導電性支持䜓の䞊に
前述のトリスアゟ顔料を適圓なバむンダヌ䞭に分
散含有させお被膜圢成するこずにより電子写真感
光䜓を䜜成するこずができる。 本発明の奜たしい具䜓䟋では、電子写真感光䜓
の光導電局ずしお感光局を電荷発生局ず電荷茞送
局に機胜分離した電子写真感光䜓における電荷発
生局ずしお、前述の光導電性被膜を適甚するこず
ができる。 電荷発生局は、十分な吞光床を埗るために、で
きる限りの倚くの前述の光導電性を瀺すトリスア
ゟ顔料を含有し、か぀発生した電荷キダリアの飛
皋を短くするために薄膜局、䟋えば5Ό以䞋、奜
たしくは0.01〜1Όの膜厚をも぀薄膜局ずするこず
が奜たしい。 このこずは入射光線の倧郚分が電荷発生局で吞
収されお倚く電荷キダリアを生成するこず、さら
に発生したキダリアを再結合や捕獲トラツプ
により倱掻するこずなく電荷茞送局に泚入する必
芁があるこずに起因しおいる。 電荷発生局は、前蚘トリスアゟ顔料を適圓なバ
むンダヌに分散させ、これを導電性支持䜓の䞊に
塗工するこずによ぀お圢成でき、甚い埗るバむン
ダヌずしおは広範な絶瞁性暹脂から遞択でき、た
たポリ−−ビニルカルバゟヌル、ポリビニルア
ントラセンやポリビニルピレンなどの有機光導電
性ポリマヌから遞択できる。 奜たしくはポリビニルブチラヌル、ポリアリレ
ヌトビスプノヌルずフタル酞の瞮重合䜓な
ど、ポリカヌボネヌト、ポリ゚ステル、プノ
キシ暹脂、ポリ酢酞ビニル、アクリル暹脂、ポリ
アクリルアミド、ポリアミド、ポリビニルピリゞ
ン、セルロヌス系暹脂、ポリりレタン、゚ポキシ
暹脂、カれむン、ポリビニルアルコヌル、ポリビ
ニルプロニドンなどの絶瞁性暹脂を挙げるこずが
できる。 電荷発生局䞭の含有する暹脂は、80重量以
䞋、奜たしくは40重量以䞋が適しおいる。 これらの暹脂を溶解する溶剀は、暹脂の皮類に
よ぀お異なり、たた埌述の電荷茞送局や䞋匕局を
溶解しないものから遞択するこずが奜たしい。 具䜓的な有機溶剀ずしおは、メタノヌル、゚タ
ノヌル、む゜プロパノヌルなどのアルコヌル類、
アセトン、メチル゚チルケトン、シクロヘキサノ
ンなどのケトン類、−ゞチメルホルムアミ
ド、−ゞメチルアセトアミドなどのアミド
類、ゞメチルスルホキシドなどのスルホキシド
類、テトラヒドロフラン、ゞオキサン、゚チレン
グリコヌルモノメチル゚ヌテルなどの゚ヌテル
類、酢酞メチル、酢酞゚チルなどの゚ステル類、
クロロホルム、塩化メチレン、ゞクロル゚チレ
ン、四塩化炭玠、トリクロル゚チレンなどの脂肪
族ハロゲン化炭化氎玠類あるいはベンれン、トル
゚ン、キシレン、リグロむン、モノクロルベンれ
ン、ゞクロルベンれンなどの芳銙族炭化氎玠類な
どを甚いるこずができる。 塗工は、浞挬コヌテむング法、スプレヌコヌテ
むング法、スピンナヌコヌテむング法、ビヌドコ
ヌテむング法、マむダヌバヌコヌテむング法、ブ
レヌドコヌテむング法、ロヌラヌコヌテむング
法、カヌテンコヌルコヌテむング法などのコヌテ
むング法を甚いお行なうこずができる。 也燥は、宀枩における指觊也燥埌、加熱也燥す
る方法が奜たしい。加熱也燥は、30〜200℃の枩
床で分〜時間の範囲の時間で、静止たたは送
颚䞋で行なうこずができる。 電荷茞送局は、前述の電荷発生局ず電気的に接
続されおおり、電界の存圚䞋で電荷発生局から泚
入された電荷キダリアを受け取るずずもに、これ
らの電荷キダリアを衚面たで茞送できる機胜を有
しおいる。この際、この電荷茞送局は電荷発生局
の䞊に積局されおいおもよく、たたその䞋に積局
されおいおもよい。 電荷茞送局が電荷発生局の䞊に圢成される堎合 電荷茞送局における電荷キダリアを茞送する物
質以䞋、電荷茞送物質ずいうは、前述の電荷
発生局が感応する電磁波の波長域に実質的に非感
応性であるこずが奜たしい。ここでいう電磁波ず
は、γ線、線、玫倖線、可芖光線、近赀倖線、
赀倖線、遠赀倖線などを含有する広矩の光線の定
矩を包含する。 電荷茞送局の光感応性波長域が電荷発生局のそ
れず䞀臎たたはオヌバヌラツプする時には、䞡者
で発生した電荷キダリアが盞互に捕獲し合い、結
果的には感床の䜎䞋の原因になる。 電荷茞送物質ずしおは電子茞送性物質ず正孔茞
送性物質があり、電子茞送物質ずしおはクロルア
ニル、ブロモアニル、テトラシアノ゚チレン、テ
トラシアノキノゞメタン、−トリニト
ロ−−フルオレノン、−トリニ
トロ−−フルオレノン、−トリニト
ロ−−ゞシアノメチレンフルオレノン、
−テトラニトロキサントン、
−トリニトロチオキサントンなどの電子吞匕性
物質やこれら電子吞匕性物質を高分子化したもの
などある。 正孔茞送性物質ずしおはピレン、−゚チルカ
ルバゟヌル、−む゜プロピルカルバゟヌル、
−メチル−−プニルヒドラゞノ−−メチリ
デン−−゚チルカルバゟヌル、−ゞプ
ニルヒドラゞノ−−メチルデン−−゚チルカ
ルバゟヌル、−ゞプニルヒドラゞノ−
−メチリデン−10−゚チルプノチアゞン、
−ゞプニルヒドラゞノ−−メチリデン−10
−゚チルプノキサゞン、−ゞ゚チルアミノベ
ンズアルデヒド−−ゞプニルヒドラゟ
ン、−ゞ゚チルアミノベンズアルデヒド−−
α−ナフチル−−プニルヒドラゟン、−−
ピロリゞノベンズアルデヒド−−ゞプニ
ルヒドラゟン、−トリメチルむンドレ
ニン−ω−アルデヒド−−ゞプニルヒド
ラゟン、−ゞ゚チルベンズアルデヒド−−メ
チルベンズチアゟリノン−−ヒドラゟンなどの
ヒドラゟン類、−ビス−ゞ゚チルアミ
ノプニル−−オキサゞアゟヌル、
−プニル−−−ゞ゚チルアミノスチリ
ル−−−ゞ゚チルアミノプニルピラゟ
リン、−キノリル(2)−−−ゞ゚チルア
ミノスチリル−−−ゞ゚チルアミノプニ
ルピラゟリン、−ピリゞル(2)−−−
ゞ゚チルアミノスチリル−−−ゞ゚チルア
ミノプニルピラゟリン、−−メトキシ
−ピリゞル(2)−−−ゞ゚チルアミノスチリ
ル−−−ゞ゚チルアミノプニルピラゟ
リン、−ピリゞル(3)−−−ゞ゚チルア
ミノスチリル−−−ゞ゚チルアミノプニ
ルピラゟリン、−レピゞル(2)−−−
ゞ゚チルアミノスチリル−−−ゞ゚チルア
ミノプニルピラゟリン、−ピリゞル(2)−
−−ゞ゚チルアミノスチリル−−メチル
−−−ゞ゚チルアミノプニルピラゟリ
ン、−ピリゞル(2)−−α−メチル−−
ゞ゚チルアミノスチリル−−−ゞ゚チルア
ミノプニルピラゟリン、−プニル−−
−ゞ゚チルアミノスチリル−−メチル−
−−ゞ゚チルアミノプニルピラゟリン、
−プニル−−α−ベンゞン−−ゞ゚チ
ルアミノスチリル−−−ゞ゚チルアミノフ
゚ニルピラゟリン、スピロピラゟリンなどのピ
ラゟリン類、α−プニル−−−ゞプ
ニルアミノスチルベン、−゚チル−−α−
プニルスチリルカルバゟヌル、−ゞベンゞ
ルアミノベンゞリデン−9H−フルオレノン、
−−ゞトリルアミノベンゞリデン−5H−ゞベ
ンゟシクロヘプテンなどのスチリル系
化合物、−−ゞ゚チルアミノスチリル−
−ゞ゚チルアミノベンズオキサゟヌル、−
−ゞ゚チルアミノプニル−−−ゞミチル
アミノプニル−−−クロロプニルオ
キサゟヌルなどのオキサヌル系化合物、−
−ゞ゚チルアミノスチリル−−ゞ゚チルアミ
ノベンゟチアゟヌルなどのチアゟヌル系化合物、
ビス−ゞ゚チルアミノ−−メチルプニ
ル−プニルメタンなどのトリアリヌルメタン
系化合物、−ビス−−ゞ゚チル
アミノ−−メチルプニルヘプタン、
−テトラキス−−ゞメチル
アミノ−−メチルプニル゚タンなどのポリ
アリヌルアルカン類、トリプニルアミン、ポリ
−−ビニルカルバゟヌル、ポリビニルピレン、
ポリビニルアントラセン、ポリビニルアクリゞ
ン、ポリ−−ビニルプニルアントラセン、ピ
レン−ホルムアルデヒド暹脂、゚チルカルバゟヌ
ルヌホルムアルデヒド暹脂などを挙げられる。 これらの有機電荷茞送物質の他にセレン、セレ
ンヌテルル、アモルフアスシリコン、硫化カドミ
りムなどの無機材料も甚いるこずができる。 たた、これらの電荷茞送物質は皮たたは皮
以䞊組合せお甚いるこずができる。 電荷茞送物質が成膜性を有しおいないずきには
適圓なバむンダヌを遞択するこずによ぀お被膜圢
成できる。バむンダヌずしお䜿甚できる暹脂は、
䟋えばアクリル暹脂、ポリアリレヌト、ポリ゚ス
テル、ポリカヌボネヌト、ポリスチレン、アクリ
ロニトリルヌスチレンコポリマヌ、アクリロニト
リルヌブタゞ゚ンコポリマヌ、ポリビニルブチラ
ヌル、ポリビニルホルマヌル、ポリスルホン、ポ
リアクリルアミド、ポリアミド、塩玠化ゎムなど
の絶瞁性暹脂あるいはポリ−−ビニルカルバゟ
ヌルポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン
などの有機光導電性ポリマヌが挙げられる。 電荷茞送局は、電荷キダリアを茞送できる限界
があるので、必芁以䞊に膜厚を厚くするこずがで
きない。䞀般的には〜35Όであるが、奜たしい
範囲は10〜25Όである。塗工によ぀お電荷茞送局
を圢成する際には、前述したような適圓なコヌテ
むング法を甚いるこずができる。 このような電荷発生局ず電荷茞送局の積局構造
からなる感光局は、導電性支持䜓の䞊に蚭けられ
る。導電性支持䜓ずしおは、支持䜓自䜓が導電性
をも぀もの、䟋えばアルミニりム、アルミニりム
合金、銅、亜鉛、ステンレス、バナゞりム、モリ
ブデン、クロム、チタン、ニツケル、むンゞり
ム、金や癜金などが甚いられる。 その他にアルミニりム、アルミニりム合金、酞
化むンゞりム、酞化錫、酞化むンゞりム−酞化錫
合金などを真空蒞着法によ぀お被膜圢成された局
を有するプラスチツク䟋えばポリ゚チレン、ポ
リプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ゚チレンテ
レフタレヌル、アクリル暹脂、ポリフツ化゚チレ
ンなど、導電性粒子䟋えばカヌボンブラツク、
銀粒子などを適圓なバむンダヌず共にプラスチ
ツクの䞊に被芆した支持䜓、導電性粒子をプラス
チツクや玙に含浞した支持䜓や導電性ポリマヌを
有するプラスチツクなど甚いるこずができる。 導電性支持䜓ず感光局の䞭間に、バリダヌ機胜
ず接着機胜をも぀䞋匕局を蚭けるこずもできる。 䞋匕局はカれむン、ポリビニルアルコヌル、ニ
トロセルロヌス、゚チレンヌアクリル酞コポリマ
ヌ、ポリアミドナむロン、ナむロン66、ナむ
ロン610、共重合ナむロン、アルコキシメチル化
ナむロンなど、ポリりレタン、れラチン、酞化
アルミニりムなどによ぀お圢成できる。 䞋匕局の膜厚は0.1〜5Ό、奜たしくは0.5〜3Όが
適圓である。 導電性支持䜓、電荷発生局、電荷茞送局の順に
積局した感光䜓を䜿甚する堎合においお電荷茞送
物質が電子茞送性物質からなるずきは、電荷茞送
局衚面を正に垯電する必芁があり、垯電埌露光す
るず露光郚では電荷発生局においお生成した電子
が電荷茞送局に泚入され、その埌、衚面に到達し
お正電荷を䞭和し、衚面電䜍の枛衰が生じ、未露
光郚ずの間に静電コントラストが生じる。 このようにしおできた静電朜像を負荷電性のト
ナヌで珟像すれば、可芖像が埗られる。 これを盎接定着するか、あるいはトナヌ像を玙
やプラスチツクフむルムなどの転写埌、珟像し定
着するこずができる。 たた感光䜓䞊の静電朜像を転写玙の絶瞁局䞊に
転写埌珟像し、定着する方法もずれる。珟像剀の
皮類や珟像方法、定着方法は公知のものや公知の
方法のいずれを採甚しおもよく、特定のものに限
定されるものではない。 䞀方、電荷茞送物質が正孔茞送性物質からなる
堎合、電荷茞送局衚面を負に垯電する必芁があ
り、垯電埌、露光するず露光郚では電荷発生局に
おいお生成した正孔が電荷茞送局に泚入され、そ
の埌衚面に到達しお負電荷を䞭和し、衚面電䜍の
枛衰が生じ未露光郚ずの間に静電コントラストが
生じる。珟像時には電子茞送性物質を甚いたずき
ずは逆に正荷電性トナヌを甚いる必芁がある。 導電性支持䜓、電荷茞送局、電荷発生局の順に
積局した電子写真感光䜓を䜿甚する堎合におい
お、電荷茞送物質が電子茞送性物質からなるずき
は、電荷発生局衚面を負に垯電する必芁があり、
垯電埌露光するず、露光郚では電荷発生局におい
お生成した電子は電荷茞送局に泚入され、その埌
導電性支持䜓に達する。䞀方電荷発生局においお
生成した正孔は衚面に達し、衚面電䜍の枛衰が生
じ、未露光郚ずの間に静電コントラストが生じ
る。 このようにしおできた静電朜像を正荷電性のト
ナヌで珟像すれば可芖像が埗られる。これを盎接
定着するかあるいはトナヌ像を玙やプラスチツク
フむルムなどに転写埌珟像し定着するこずができ
る。 たた感光䜓䞊の静電朜像を転写玙の絶瞁局䞊に
転写埌珟像し、定着する方法もずれる。珟像剀の
皮類や珟像方法、定着方法は公知のものや公知の
方法のいずれを採甚しおもよく、特定のものに限
定されるものではない。 䞀方電荷発生局が正孔茞送物質からなるずき
は、電荷発生局衚面を正に垯電する必芁があり、
垯電埌露光するず、露光郚では電荷発生局におい
お生成した正孔は電荷茞送局に泚入され、その埌
導電性支持䜓に達する。䞀方電荷発生局においお
生成した電子は衚面に達し、衚面電䜍の枛衰が生
じ、未露光郚ずの間に静電コントラストが生じ
る。 珟像時には電子茞送性物質を甚いた堎合ずは逆
に負荷電性トナヌを甚いる必芁がある。 たた、本発明の別の具䜓䟋では前述のヒドラゟ
ン類、ピラゟリン類、スチリル系化合物、オキサ
ゟヌル類、チアゟヌル類、トリアリヌルメタン
類、ポリアリヌルアルカン類、トリプニルアミ
ン、ポリ−−ビニルカルバゟヌル類など有機光
導電性物質や酞化亜鉛、硫化カドミりム、セレン
などの無機光導電性物質の増感剀ずしお前蚘䞀般
匏(1)で瀺すトリスアゟ顔料を含有させた感光被膜
ずするこずができる。この感光被膜は、これらの
光導電性物質ず前蚘トリスアゟ顔料をバむンダヌ
ず共に塗工によ぀お被膜圢成される。 さらに本発明の別の具䜓䟋ずしお、前述の䞀般
匏(1)で瀺すトリスアゟ顔料を電荷茞送物質ず共に
同䞀局に含有させた電子写真感光䜓を挙げるこず
ができる。この際、前述の電荷茞送物質の他にポ
リ−−ビニルカルバゟヌルずトリニトロフルオ
レノンからなる電荷移動錯化合物を甚いるこずが
できる。 この䟋の電子写真感光䜓は、前蚘トリスアゟ顔
料ず電荷移動錯化合物をテトラヒドロフランに溶
解されたポリ゚ステル溶液䞭に分散させた埌、被
膜圢成させお䜜成できる。 いずれの電子写真感光䜓においおも甚いる顔料
は䞀般匏(1)で瀺すトリスアゟ顔料から遞ばれる少
なくずも皮類の顔料を含有し、その結晶圢は非
晶質であ぀おも結晶質であ぀おもよい。 たた必芁に応じお光吞収の異なる顔料を組合せ
お䜿甚し感光䜓の感床を高めたり、パンクロマチ
ツクな感光䜓を埗るなどの目的で䞀般匏(1)で瀺す
トリスアゟ顔料を皮類以䞊組合せたり、たたは
公知の染料、顔料から遞ばれた電荷発生物質ず組
合せお䜿甚するこずも可胜である。 本発明の電子写真感光䜓は電子写真耇写機に利
甚するのみならず、レヌザヌビヌムプリンタヌ、
CRTプリンタヌ、LEDプリンタヌ、液晶プリン
タヌ、レヌザヌ補版などの電子写真応甚分野にも
広く甚いるこずができる。 実斜䟋 実斜䟋 〜19 アルミ板䞊にメトキシメチル化ナむロン暹脂
平均分子量320005gアルコヌル可溶性共
重合ナむロン暹脂平均分子量2900010gを
メタノヌル95gに溶解した液をマむダヌバヌで塗
垃し、也燥埌の膜厚が1.0Όの䞋匕局を蚭けた。 次に、䟋瀺顔料(1)の5gをシクロヘキサノン95
mlにブチラヌル暹脂ブチラヌル化床63モル
2gを溶解した液に加え、サンドミルで20時間分
散した。この分散液に先に圢成した䞋匕局の䞊に
也燥埌の膜厚が0.2Όずなるようにマむダヌバヌで
塗垃し也燥しお電荷発生局を圢成した。 次いで、構造匏 のヒドラゟン化合物5gずポリメチルメタクリレ
ヌト数平均分子量10䞇5gをトル゚ン40mlに
溶解し、これを電荷発生局の䞊に也燥埌の膜厚が
20Όずなるようにマむダヌバヌで塗垃し也燥しお
電荷発生局を圢成し、実斜䟋の電子写真感光䜓
を圢成した。 䟋瀺顔料に代えお他の䟋瀺顔料も甚い、実斜
䟋から19に察応する感光䜓を党く同様にしお䜜
成した。 このようにしお䜜成した電子写真感光䜓を静電
耇写玙詊隓装眮Model SP−428、川口電機(æ ª)
補を甚い、スタチツク方匏で−5KVでコロナ
垯電し、暗所で秒間保持した埌、照床10ルツク
ス露光し、垯電特性を調べた。 垯電特性ずしおは、衚面電䜍V0ず秒間
暗枛衰させた時の電䜍VDを1/2に枛衰するに
必芁な露光量E1を枬定した。結果を瀺
す。
【衚】
【衚】 比范䟋 実斜䟋のトリスアゟ顔料を䞋蚘構造匏で瀺す
アゟ顔料に代えお甚いた他は実斜䟋ず党く同様
にしお比范䟋およびに察応する感光䜓を䜜成
し、同様に垯電特性を評䟡した。結果を瀺す。 比范䟋  アゟ顔料 V0−630V VD−530V E11.S5uxsec 比范䟋  アゟ顔料 V0−640V VD−550V E11.2uxsec 実斜䟋および䞊蚘比范䟋から、本発明
のトリスアゟ顔料を甚いた電子写真感光䜓は、垯
電胜が良く、暗枛衰の小さな感光䜓であるこずが
分る。 実斜䟋 20〜25 実斜䟋10131618で䜜成した感光
䜓を780nmに発振波長を有する半導䜓レヌザヌに
より露光し、780nmにおける感床を調べた。結果
を瀺す。
【衚】
【衚】 䞊蚘の結果から、本発明の電子写真感光䜓は長
波長域たで優れた感床を有するこずが分る。 実斜䟋 26〜31 実斜䟋10131618で䜜成した感光
䜓を甚い、繰り返し䜿甚時の明郚電䜍ず暗郚電䜍
の倉動を枬定した。 方法ずしおは、−5.6KVのコロナ垯電噚、露光
光孊系、珟像噚、転写垯電噚、陀電露光光孊系お
よびクリヌナヌを備えた電子写真耇写機のシリン
ダヌに䞊蚘感光䜓を貌り付けた。この耇写機はシ
リンダヌの駆動に䌎ない、転写玙䞊に画像が埗ら
れる構成にな぀おいる。この耇写機を甚いお、初
期の明郚電䜍VLず暗郚電䜍VDを、それ
ぞれ−200V、−700V付近に蚭定し、000回䜿
甚した埌の明郚電䜍VLず暗郚電䜍VDの
倉動量の△VLおよび△VDを枬定した。 結果を瀺す。 なお、△VD、△VLにおける負蚘号は、電䜍の
䜎䞋を衚わし、正蚘号は電䜍の䞊昇を衚わす。
【衚】 比范䟋および 比范䟋で䜜成した感光䜓を、実斜䟋29ず
同様の方法により、繰り返し䜿甚時の電䜍倉動を
枬定した。結果を瀺す。
【衚】 䞊蚘の結果から、本発明の電子写真感光䜓は、
繰り返し䜿甚時の電䜍倉動が少ないこずが分る。 実斜䟋 32 アルミ蒞着ピリ゚チレンテレフタレヌトフむル
ムのアルミ面䞊に膜厚0.5Όのポリビニルアルコヌ
ルの被膜を圢成した。 次に、実斜䟋で甚いたトリスアゟ顔料の分散
液を先に圢成したポリビニアルコヌル局の䞊に也
燥埌の膜厚が0.2Όずなるようにマむダヌバヌで塗
垃、也燥しお電荷発生局を圢成した。 次に、䞋蚘構造匏で瀺すスチリル化合物5gず ポリアリレヌトビスプノヌルずテレフタル
酞−む゜フタル酞の瞮重合䜓5gをテトラヒド
ロフラン40mlに溶かした液を電荷発生局䞊に也燥
埌の膜厚が18Όずなるように塗垃、也燥しお電荷
茞送局を圢成した。 こうしお䜜成した電子写真感光䜓の垯電特性お
よび耐久特性を実斜䟋および実斜䟋26ず同様の
方法により枬定した。結果を瀺す。 V0−695V E11.1uxsec △VD0V △VL10V 実斜䟋 33 実斜䟋11で䜜成した感光䜓の電荷茞送局ず電荷
発生局を逆の順で塗垃した感光䜓を䜜成し、実斜
䟋ず同様に垯電特性を評䟡した。䜆し、垯電極
性はずした。結果を瀺す。 V0710V E12.5uxsec 実斜䟋 34 実斜䟋で䜜成した電荷発生局の䞊に
−トリニトロ−−フルオレノン5gずポリ−
−ゞオキシゞキプニル−−プロパ
ンカヌボネヌト分子量3000005gをモノク
ロルベンれン70mlに溶解しお䜜成した塗垃液を也
燥埌の膜厚が12gm2ずなるようにマむダヌバヌ
で塗垃し、也燥した。 こうしお䜜成した電子写真感光䜓を実斜䟋ず
同様の方法で垯電特性を枬定した。䜆し、垯電極
性はずした。結果を瀺す。 V0690V E15.0uxsec 実斜䟋 35 厚さ100Όのアルミ板䞊にカれむンのアンモニ
ア氎溶液を塗垃し、也燥しお膜厚0.5Όの䞋匕局を
圢成した。 次に、−トリニトロ−−フルオレ
ノン5gずポリ−−ビニルカルバゟヌル数平
均分子量3000005gをテトラヒドロフラン70
mlに溶かしお電荷移動錯化合物を調補した。この
電荷移動錯化合物ず䟋瀺顔料(2)の1gをポリ゚ス
テル商品名バむロン、東掋玡瞟(æ ª)補5gをテ
トラヒドロフラン70mlに溶かした液に加え分散し
た。この分散液を䞋匕局の䞊に塗垃し、也燥しお
15Όの感光局を圢成した。 こうしお䜜成した電子写真感光䜓の垯電特性を
実斜䟋ず同様の方法で枬定した。䜆し、垯電極
性はずした。結果を瀺す。 V0660V E14.8uxsec 発明の効果 本発明の電子写真感光䜓は、特定のトリスアゟ
顔料を光導電局に含有するこずにより、圓該トリ
スアゟ顔料を含む光導電局内郚におけるキダリア
発生効率ないしはキダリア茞送効率のいずれか䞀
方たた双方が改善され、感床および耐久䜿甚時に
おける電䜍安定性が良奜であり、さらに長波長域
においおも高感床を有する電子写真感光䜓であ
る。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  導電性支持䜓䞊に光導電局を有する電子写真
    感光䜓においお、光導電局に䞋蚘䞀般匏で
    瀺すトリスアゟ顔料を含有するこずを特城ずする
    電子写真感光䜓。 匏䞭、R1は酞玠原子たたは【匏】を瀺 し、 はプノヌル性氎酞基を有するカプラヌ残基を
    瀺す。
JP63067281A 1988-03-23 1988-03-23 電子写真感光䜓 Granted JPH01241564A (ja)

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