JPH0327900B2 - - Google Patents

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JPH0327900B2
JPH0327900B2 JP59134118A JP13411884A JPH0327900B2 JP H0327900 B2 JPH0327900 B2 JP H0327900B2 JP 59134118 A JP59134118 A JP 59134118A JP 13411884 A JP13411884 A JP 13411884A JP H0327900 B2 JPH0327900 B2 JP H0327900B2
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Kazuharu Katagiri
Yoshihiro Oguchi
Takeshi Ootake
Kozo Arao
Yoshio Takasu
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Description

【発明の詳现な説明】
産業䞊の利甚分野 本発明は、新芏な光導電性被膜及びそれを甚い
た高感床の電子写真感光䜓に関するものである。 埓来の技術 埓来より、光導電性を瀺す願料や染料に぀いお
は、数倚くの文献等で発衚されおいる。 䟋えば、“RCAReview”Vol.23P.413〜
P.4191962.9ではフタロシアニン顔料の光導電
性に぀いおの発衚がなされおおり、又このフタロ
シアニン顔料を甚いた電子写真感光䜓が米囜特蚱
第3397086号公報や米囜特蚱第3816118号公報等に
瀺されおいる。その他に、電子写真感光䜓に甚い
る有機半導䜓ずしおは、䟋えば米囜特蚱第
4315983号公報、米囜特蚱第4327169号公報や
“Reseach Disclosure”205171981.5に瀺され
おいるビリリりム系染料、米囜特蚱第3824099号
公報に瀺されおるスク゚アリツク酞メチン染料、
米囜特蚱第3898084号公報、米囜特蚱第4251613号
公報等に瀺されたゞスアゟ顔料などが挙げられ
る。 この様な有機半導䜓は、無機半導䜓に范べお合
成が容易で、しかも芁求する波長域の光に察しお
光導電性をも぀様な化合物ずしお合成するこずが
でき、この様な有機半導䜓の被膜を導電性支持䜓
に圢成した電子写真感光䜓は、感色性が良くなる
ずいう利点を有しおいるが、感床および耐久性に
おいお実甚できるものは、ごく僅かである。特
に、近幎䜎出力の半導䜓レヌザの開発に䌎ない
700nm以䞊の様な長波長光に察しお高感床特性を
も぀有機半導䜓の開発が掻発にな぀お来おいる
が、長波長光に倧きな吞光係数をも぀化合物は、
䞀般的に熱などに察しお䞍安定であるこずが倚
く、わずかな枩床䞊昇によ぀お分解されやすいな
どの問題点を有しおおり、このため赀倖感光性電
子写真感光䜓の補造を実質的に困難なものずしお
いる。 発明が解決しようずする問題点 埓぀お、本発明の第の目的は、新芏な有機半
導䜓を提䟛するこずにある。 本発明の第の目的は、新芏な有機半導䜓から
なる光導電性被膜を提䟛するこずにある。 本発明の第の目的は、新芏な光導電性被膜を
甚いた電子写真感光䜓を提䟛するこずにある。 本発明の第の目的は、電子写真匏耇写機に適
した電子写真感光䜓を提䟛するこずにある。 本発明の第の目的は、レヌザ光線走査型電子
写真方匏プリンタに適した電子写真感光䜓を提䟛
するこずにある。 本発明の第の目的は、長波長域の光線に察し
お高感床な特性を有する電子写真感光䜓を提䟛す
るこずにある。 問題点を解決するための手段、䜜甚 本発明は、䞋蚘䞀般匏〔〕又は〔〕で衚わ
されるアズレニりム塩化合物を有する光導電性被
膜及び該化合物を有する感光局を蚭けた電子写真
感光䜓から構成される。 䞀般匏 䞀般匏〔〕および〔〕においお、R1〜R7
は、氎玠原子、ハロゲン原子塩玠原子、臭玠原
子、沃玠原子又は䟡の有機残基を衚わす。
䟡の有機残基ずしおは、広範なものから遞択する
こずができるが、特にアルキル基メチル、゚チ
ル、−プロピル、む゜プロピル、−ブチル、
−ブチル、−アミル、−ヘキシル、−オ
クチル、−゚チルヘキシル、−オクチルな
ど、アルコキシ基メトキシ、゚トキシ、プロ
ポキシ、ブトキシなど、眮換もしくは未眮換の
アリヌル基プニル、メリル、キシリル、゚チ
ルプニル、メトキシプニル、゚トキシプニ
ル、クロロプニル、ニトロプニル、ゞメチル
アミノプニル、α−ナフチル、β−ナフチルな
ど、眮換もしくは未眮換の耇玠環基ピロゞル、
キノリル、カルバゟリル、フリル、チ゚ニル、ピ
ラゟリルなど、眮換もしくは未眮換のアラルキ
ル基ベンゞル、−プニル゚チル、−プ
ニル−−メチル゚チル、ブロモベンゞル、−
ブロモプニル゚チル、メチルベンゞル、メトキ
シベンゞル、ニトロベンゞル、アシル基アセ
チル、プロピオニル、ブチリル、バレリル、ベン
ゟむル、トリオむル、ナフトむル、フタロむル、
フロむルなど、眮換若しくは未眮換アミノ基
アミノ、ゞメチルアミノ、ゞ゚チルアミノ、ゞ
プロピルアミノ、アセチルアミノ、ベンゟむルア
ミノなど、眮換若しくは未眮換スチリル基ス
チリル、ゞメチルアミノスチリル、ゞ゚チルアミ
ノスチリル、ゞプロピルアミノスチリル、メトキ
シスチリル、゚トキシスチリル、メチルスチリル
など、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、
チオ゚ヌテル基、カルボキシル基、カルボン酞゚
ステル、カルボン酞アミド、シアノ基、眮換若し
くは未眮換アリヌルアゟ基プニルアゟ、α−
ナフチルアゟ、β−ナフチルアゟ、ゞメチルアミ
ノプニルアゟ、クロロプニルアゟ、ニトロフ
゚ニルアゟ、メトキシプニルアゟ、トリルアゟ
などを挙げるこずができる。又、R1ずR2、R2
ずR3、R3ずR4、R4ずR5、R5ずR6およびR6ずR7
の組合せのうち、少なくずも぀の組合で眮換又
は未眮換の瞮合環を圢成しおもよい。 瞮合環ずしおは、員、員又は員環の瞮合
環であり、芳銙族環、耇玠環又は脂肪族鎖による
環が挙げられる。 R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15、
R16、R17R18およびR19は氎玠原子、ハロゲン原
子塩玠原子、臭玠原子、沃玠原子、アルキル
基メチル、゚チル、−プロピル、む゜プロピ
ル、−ブチル、−ブチル、−アミル、−
ヘキシル、−オクチル、−゚チルヘキシルな
ど、アルコキシ基メトキシ、゚トキシ、プロ
ポキシ、ブトキシなど、眮換又は未眮換のアリ
ヌル基プニル、トリル、キシリル、゚チルフ
゚ニル、メトキシプニル、゚トキシプニル、
クロロプニル、ニトロプニル、ゞメチルアミ
ノプニル、α−ナフチル、β−ナフチルなど、
眮換又は未眮換のアラルキル基ベンゞル、−
プニル゚チル、−プニル−−メチル゚チ
ル、ブロモベンゞル、メチルベンゞル、メトキシ
ベンゞル、ニトロベンゞルなど、ニトロ基、ア
シル基アセチル、プロピオニル、ブチリル、バ
レリル、ベンゟむル、トリオむル、ナフトむル、
フタロむル、フロむルなどを衚わす。又、R8
ずR9、R9ずR10、R10ずR11、R11ずR12、R12ず
R13、R14ずR15、R15ずR16、R16ずR17、R17ずR18
およびR18ずR19の組合せのうち、少なくずも
぀の組合せで眮換又は未眮換の〜員の芳銙族
環又は耇玠環を圢成しおもよい。 R20は、氎玠原子、ニトロ基、シアノ基、アル
キル基メチル、゚チル、プロピル、ブチルな
ど又はア゜ヌル基プニル、トリル、キシリ
ルなどを衚わす。 はアニオン残基を衚わし、の具䜓䟋ず
しおは、パヌクロレヌト、フルオロボレヌト、ス
ルフオアセテヌト、アむオダむド、クロラむド、
ブロマむド、−トル゚ンスルホネヌト、アルキ
ルスルホネヌト、アルキルゞスルホネヌト、ベン
れンゞスルホネヌト、ハロスルホネヌト、ピクラ
ヌト、テトラシアノ゚チレンアニオン、テトラシ
アノキノゞメタンアニオンなどのアニオン残基を
衚わす。は又はである。 以䞋、本発明で甚いるアズレニりム塩化合物の
具䜓䟋を䞋蚘に列挙する。 䞀般匏〔〕又は〔〕でずしお衚わさ
れる化合物は、Angewandte Chemie71巻、No.
、P.1251959幎に蚘茉されおいる様に−フ
オルミルアズレン化合物ず−又は−非眮換む
ンドリゞン化合物を匱酞存圚䞋適圓な溶媒䞭で反
応させるこずにより埗られる。又、アズレン化合
物ず−又は−フオルミルむンドリゞン化合物
を反応させるこずによ぀おも埗られる。又、
又はで衚わされる化合物は、Journal of the
chemical Society、3579〜35931961幎に蚘茉
されおいる䞀般匏で瀺されるアルデヒド化合物 匏䞭、R1〜R7R20およびは本発明の䞀般
匏䞭定矩したものず同様のものを意味する。 ず−又は−非眮換むンドリゞン化合物ずを反
応させるこずによ぀お埗られる。 反応溶媒ずしおは、゚タノヌル、ブタノヌル、
ベンゞルアルコヌルなどのアルコヌル類、アセト
ニトリル、プロピオニトリル等のニトリル類、酢
酞などのカルボン酞類、ゞオキサン、テトラヒド
ロフラン等の脂環匏゚ヌテル類などが甚いられ
る。たた、ブタノヌル、ベンゞルアルコヌルなど
にベンれンなどの芳銙族炭化氎玠を混合するこず
もできる。反応䞭の枩床は宀枩〜沞点の範囲から
遞択できる。 以䞋、本発明の化合物のうち代衚的なものに぀
いおその合成䟋を瀺す。 合成䟋化合物No. −フオルミルアズレン0.94gず−ゞメ
チルむンドリゞン0.87gをテトラヒドロフラン80
ml䞭に宀枩䞋混合し、この液に70過塩玠酞2.5
mlを加え、宀枩䞋で時間反応埌、攟冷し、䞀晩
静眮した。析出物を濟過し、THF20mlで掗浄濟
過した埌、氎50mlで回掗浄濟過を行な぀た。さ
らに、THF20mlで回掗浄濟過し、化合物No.(1)
を1.20g埗た。 収率52 溶液吞収スペクトル゚タノヌル䞭 入max568nm 元玠分析分子匏 C21H18ClNO4 蚈算倀(%) 分析倀  65.71 65.53  4.74 4.87  3.65 3.72 Cl 9.24 9.14 前述のアズレニりム塩化合物を有する被膜は光
導電性を瀺し、埓぀お䞋述する電子写真感光䜓の
感光局に甚いるこずができる。 すなわち、本発明の具䜓䟋では導電性支持䜓の
䞊に前述のアズレニりム塩化合物を真空蒞着法に
より被膜圢成するか、あるいは適圓なバむンダヌ
䞭に溶解もしくは分散含有させお被膜圢成するこ
ずにより電子写真感光䜓を調補するこずができ
る。 本発明の奜たしい具䜓䟋では、電子写真感光䜓
の感光局を電荷発生局ず電荷茞送局に機胜分離し
た電子写真感光䜓における電荷発生局ずしお、前
述の光導電性被膜を適甚するこずができる。 電荷発生局は、十分な吞光床を埗るために、で
きる限り倚くの前述の光導電性を瀺す化合物を含
有し、䞔぀発生した電荷キダリアの飛皋を短かく
するために薄膜局、䟋えば5Ό以䞋、奜たしくは
0.01〜1Όの膜厚をも぀薄膜局ずするこずが奜たし
い。このこずは、入射光量の倧郚分が電荷発生局
で吞収されお、倚くの電荷キダリアを生成するこ
ず、さらに発生した電荷キダリアを再結合や捕獲
トラツプにより倱掻するこずなく電荷茞送局
に泚入する必芁があるこずに垰因しおいる。 電荷発生局は、前述の化合物を適圓なバむンダ
ヌに溶解もしくは分散させ、これを基䜓の䞊に塗
工するこずによ぀お圢成でき、たた真空蒞着装眮
により蒞着膜を圢成するこずによ぀お埗るこずが
できる。電荷発生局を塗工によ぀お圢成する際に
甚いうるバむンダヌずしおは広範な絶瞁性暹脂か
ら遞択でき、たたポリ−−ビニルカルバゟヌ
ル、ポリビニルアントラセンやポリビニルピレン
などの有機光導電性ポリマヌから遞択できる。奜
たしくは、ポリビニルブチラヌル、ポリアリレヌ
トビスプノヌルずフタル酞の瞮重合䜓な
ど。ポリカヌボネヌト、ポリ゚ステル、プノ
キシ暹脂、ポリ酢酞ビニル、アクリル暹脂、ポリ
アクリルアミド、ポリアミド、ポリビニルピリゞ
ン、セルロヌス系暹脂、りレタン暹脂、゚ポキシ
暹脂、カれむン、ポリビニルアルコヌル、ポリビ
ニルピロリドンなどの絶瞁性暹脂を挙げるこずが
できる。電荷発生䞭に含有する暹脂は、80重量
以䞋、奜たしくは40重量以䞋が適しおいる。 これらの暹脂を溶解する溶剀は、暹脂の皮類に
よ぀お異なり、たた䞋述の電荷茞送局や䞋匕局を
溶解しないものから遞択するこずが奜たしい。具
䜓的な有機溶剀ずしおは、メタノヌル、゚タノヌ
ル、む゜プロパノヌルなどのアルコヌル類、アセ
トン、メチル゚チルケトン、シクロヘキサノンな
どのケトン類、−ゞメチルホルムアミド、
−ゞメチルアセトアミドなどのアミド類、
ゞメチルスルホキシドなどのスルホキシド類、テ
トラヒドロフラン、ゞオキサン、゚チレングリコ
ヌルモノメチル゚ヌテルなどの゚ヌテル類、酢酞
メチル、酢酞゚チルなどの゚ステル類、クロロホ
ルム、塩化メチレン、ゞクロ゚チレン、四塩化炭
玠、トリクロル゚チレンなどの脂肪族ハロゲン化
炭化氎玠類あるいはベンれン、トル゚ン、キシレ
ン、リグロむン、モノクロルベンれン、ゞクロル
ベンれンなどの芳銙族類などを甚いるこずができ
る。 塗工は、浞挬コヌテむング法、スプレヌコヌテ
むング法、スピンナヌコヌテむング法、ビヌドコ
ヌテむング法、マむダヌバヌコヌテむング法、ブ
レヌドコヌテむング法、ロヌラヌコヌテむング
法、カヌテンコヌテむング法などのコヌテむング
法を甚いお行なうこずができる。也燥は、宀枩に
おける指觊也燥埌、加熱也燥する方法が奜たし
い。加熱也燥は、30〜200℃の枩床で分〜時
間の範囲の時間で、静止たたは送颚䞋で行なうこ
ずができる。 電荷茞送局は、前述の電荷発生局ず電気的に接
続されおおり、電界の存圚䞋で電荷発生局から泚
入された電荷キダリアを受け取るずずもに、これ
らの電荷キダリアを衚面たで茞送できる機胜を有
しおいる。この際、この電荷茞送局は、電荷発生
局の䞊に積局されおいおもよく、たたその䞋に積
局されおいおもよい。しかし、電荷茞送局は、電
荷発生局の䞊に積局されおいるこずが望たしい。 電荷茞送局における電荷キダリアを茞送する物
質以䞋、単に電荷茞送物質ずいうは、前述の
電荷発生局が感応する電磁波の波長域に実質的に
非感応性であるこずが奜たしい。ここで蚀う「電
磁波」ずは、線、線、玫倖線、可芖光線、近
赀倖線、赀倖線、遠赀倖線などを包含する広矩の
「光線」の定矩を包含する。電荷茞送局の光感応
性波長域が電荷発生局のそれず䞀臎たたはオヌバ
ヌラツプする時には、䞡者で発生した電荷キダリ
アが盞互に補獲し合い、結果的には感床の䜎䞋の
原因ずなる。 電荷茞送物質ずしおは電子茞送性物質ず正孔茞
送性物質があり、電子茞送性物質ずしおは、クロ
ルアニル、ブロモアニル、テトラシアノチ゚チレ
ン、テトラシアノキノゞメタン、−ト
リニトロ−−フルオレノン、−
テトラニトロ−−フルオレノン、−
トリニトロ−−ゞシアノメチレンフルオレノ
ン、−テトラニトロキサントン、
−トリニトロチオキサントン等の電子
吞匕性物質やこれら電子吞匕性物質を高分子化し
たもの等がある。 正孔茞送性物質ずしおは、ピレン、−゚チル
カルバゟヌル、−む゜プロピルカルバゟヌル、
−メチル−−プニルヒドラゞノ−−メチ
リデン−−゚チルカルバゟヌル、−ゞフ
゚ニルヒドラゞノ−−メチリデン−−゚チル
カルバゟヌル、−ゞプニルヒドラゞノ−
−メチリデン−10−゚チルプノチアゞン、
−ゞプニルヒドラゞノ−−メチリデン
−10−゚チルプノキサゞン、−ゞ゚チルアミ
ノベンズアルデヒド−−ゞプニルヒドラ
ゟン、−ゞ゚チルアミノベンズアルデヒド−
−α−ナフチル−−プニルヒドラゟン、−
ピロリゞノベンズアルデヒド−−ゞプニ
ルヒドラゟン、−トリメチルむンドレ
ニン−ω−アルデヒド−−ゞプニルヒド
ラゟン、−ゞ゚チルベンズアルデヒド−−メ
チルベンズチアゟリノン−−ヒドラゟン等のヒ
ドラゟン類、−ビス−ゞ゚チルアミノ
プニル−−オキサゞアゟヌル、
−プニル−−−ゞ゚チルアミノスチリル
−−−ゞ゚チルアミノプニルピラゟリ
ン、−〔キノリル(2)〕−−−ゞ゚チルアミ
ノスチリル−−−ゞ゚チルアミノプニ
ルピラゟリン、−〔ピリゞル(2)〕−−−
ゞ゚チルアミノスチリル−−−ゞ゚チルア
ミノプニルピラゟリン、−〔−メトキシ
−ピリゞル(2)〕−−−ゞ゚チルアミノスチリ
ル−−−ゞ゚チルアミノプニルピラゟリ
ン、−〔ピリゞル(3)〕−−−ゞ゚チルアミ
ノスチリル−−−ゞ゚チルアミノプニ
ルピラゟリン、−〔レピゞル(2)〕−−−
ゞ゚チルアミノスチリル−−−ゞ゚チルア
ミノプニルピラゟリン、−〔ピリゞル(2)〕−
−−ゞ゚チルアミノスチリル−−メチル
−−−ゞ゚チルアミノプニルピラゟリ
ン、−〔ピリゞル(2)〕−−α−メチル−−
ゞ゚チルアミノスチリル−−−ゞ゚チルア
ミノプニルピラゟリン、−プニル−−
−ゞ゚チルアミノスチリル−−メチル−
−−ゞ゚チルアミノプニルピラゟリン、
−プニル−−α−ベンゞル−−ゞ゚チ
ルアミノスチリル−−−ゞ゚チルアミノフ
゚ニルピラゟリン、スピロピラゟリンなどのピ
ラゟリン類、−−ゞ゚チルアミノスチリル
−−ゞ゚チルアミノベンズオキサゟヌル、−
−ゞ゚チルアミノプニル−−−ゞ゚
チルアミノプニル−−−クロロプニ
ルオキサゟヌル等のオキサゟヌル系化合物、
−−ゞ゚チルアミノスチリル−−ゞ゚チル
アミノベンゟチアゟヌル等のチアゟヌル系化合
物、ビス−ゞ゚チルアミノ−−メチルプ
ニル−プニルメタン等のトリアリヌルメタン
系化合物、−ビス−−ゞ゚チル
アミノ−−メチルプニルヘプタン、
−テトラキス−−ゞメチル
アミノ−−メチルプニル゚タン等のポリア
リヌルアルカン類、トリプニルアミン、ポリ−
−ビニルカルバゟヌル、ポリビニルピレン、ポ
リビニルアントラセン、ポリビニルアクリゞン、
ポリ−−ビニルプニルアントラセン、ピレン
−ホルムアルデヒド暹脂、゚チルカルバゟヌルホ
ルムアルデヒド暹脂等がある。 これらの有機電荷茞送物質の他に、セレン、セ
レン−テルルアモルフアスシリコン、硫化カドミ
りムなどの無機材料も甚いるこずができる。 たた、これらの電荷茞送物質は、皮たたは
皮以䞊組合せお甚いるこずができる。 電荷茞送物質に成膜性を有しおいない時には、
適圓なバむンダヌを遞択するこずによ぀お被膜圢
成できる。バむンダヌずしお䜿甚できる暹脂は、
䟋えばアクリル暹脂、ポリアリレヌト、ポリ゚ス
テル、ポリカヌボネヌト、ポリスチレン、アクリ
ロニトリル−スチレンコポリマヌ、アクリロニト
リル−ブタゞ゚ンコポリマヌ、ポリビニルブチラ
ヌル、ポリビニルホルマヌル、ポリスルホン、ポ
リアクリルアミド、ポリアミド、塩玠化ゎムなど
の絶瞁性暹脂、あるいはポリ−−ビニルカルバ
ゟヌル、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピ
レンなどの有機光導電性ポリマヌを挙げるこずが
できる。 電荷茞送局は、電荷キダリアを茞送できる限界
があるので、必芁以䞊に膜厚を厚くするこずがで
きない。䞀般的には、〜30Όであるが、奜たし
い範囲は〜20Όである。塗工によ぀お電荷茞送
局を圢成する際には、前述した様な適圓なコヌテ
むング法を甚いるこずができる。 この様な電荷発生局ず電荷茞送局の積局構造か
らなる感光局は、導電局を有する基䜓の䞊に蚭け
られる。導電局を有する基䜓ずしおは、基䜓自䜓
が電導性をも぀もの、䟋えばアルミニりム、アル
ミニりム合金、銅、亜鉛、ステンレス、バナゞり
ム、モリブデン、クロム、チタン、ニツケル、む
ンゞりム、金や癜金などを甚いるこずができ、そ
の他にアルミニりム、アルミニりム合金、酞化む
ンゞりム、酞化錫、酞化むンゞりム䞀酞化錫合金
などを真空蒞着法によ぀お被膜圢成された局を有
するプラスチツク䟋えばポリ゚チレン、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ゚チレンテレフ
タレヌト、アクリル暹脂、ポリフツ化゚チレンな
ど、導電性粒子䟋えば、カヌボンブラツク、
銀粒子などを適圓なバむンダヌずずもにプラス
チツクの䞊に被芆した基䜓、導電性粒子をプラス
チツクや玙に含浞した基䜓や導電性ポリマヌを有
するプラスチツクなどを甚いるこずができる。 導電局ず感光局の䞭間に、バリダヌ機胜ず接着
機胜をも぀䞋匕局を蚭けるこずもできる。䞋匕局
は、カれむン、ポリビニルアルコヌル、ニトロセ
ルロヌス、゚チレン−アクリル酞コポリマヌ、ポ
リアミドナむロン、ナむロン66、ナむロン
610、共重合ナむロン、アルコキシメチル化ナむ
ロンなど、ポリりレタン、れラチン、酞化アル
ミニりムなどによ぀お圢成できる。 䞋匕局の膜厚は、0.1〜5Ό、奜たしくは0.5〜3ÎŒ
が適圓である。 導電局、電荷発生局、電荷茞送局の順に積局し
た感光䜓を䜿甚する堎合においお電荷茞送物質が
電子茞送性物質からなるずきは、電荷茞送局衚面
を正に垯電する必芁があり、垯電埌露光するず露
光郚では電荷発生局においお生成した電子が電荷
茞送局に泚入され、そのあず衚面に達しお正電荷
を䞭和し、衚面電䜍の枛衰が生じ未露光郚ずの間
に静電コントラストが生じる。この様にしおでき
た静電朜像を負荷電性のトナヌで珟像すれば可芖
像が埗られる。これを盎接定着するか、あるいは
トナヌ像を玙やプラスチツクフむルム等に転写
埌、珟像し定着するこずができる。 たた、感光䜓䞊の静電朜像を転写玙の絶瞁局䞊
に転写埌珟像し、定着する方法もずれる。珟像剀
の皮類や珟像方法、定着方法は公知のものや公知
の方法のいずれを採甚しおも良く、特定のものに
限定されるものではない。 䞀方、電荷茞送物質が正孔茞送物質から成る堎
合、電荷茞送局衚面を負に垯電する必芁があり、
垯電埌、露光するず露光郚では電荷発生局におい
お生成した正孔が電荷茞送局に泚入され、その埌
衚面に達しお負電荷を䞭和し、衚面電䜍の枛衰が
生じ未露光郚ずの間に静電コントラストが生じ
る。珟像時には電子茞送性物質を甚いた堎合ずは
逆に正電荷性トナヌを甚いる必芁がある。 たた、本発明の別の具䜓䟋では、前述のヒドラ
ゟン類、ピラゟリン類、オキサゟヌル類、チアゟ
ヌル類、トリアリヌルメタン類、ポリアリヌルア
ルカン類、トリプニルアミン、ポリ−−ビニ
ルカルバゟヌル類など有機光導電性物質や酞化亜
鉛、硫化カドミりム、セレンなどの無機光導電性
物質の増感剀ずしお前述の化合物を含有させた感
光被膜ずするこずができる。この感光被膜は、こ
れらの光導電性物質ず前述の化合物をバむンダヌ
ずずもに塗工によ぀お被膜圢成される。 いずれの感光䜓においおも、前述のアズレニり
ム塩化合物を少なくずも皮類含有し、又必芁に
応じお光吞収の異なる他の光導電性顔料や染料を
組合せお䜿甚するこずによ぀お、この感光䜓の感
床を高めたり、あるいはパンクロマチツクな感光
䜓ずしお調補するこずも可胜である。 以䞋、本発明を実斜䟋に埓぀お説明する。 実斜䟋 〜 アルミ板䞊にカむれンのアンモニア氎溶液カ
れむン11.2g、28アンモニア氎1g、氎222mlを
マむダヌバヌで、也燥埌の膜厚が1.0Όずなる様に
塗垃し、也燥した。 次に、ブチラヌル暹脂ブチラヌル化床63モル
2gをむ゜プロピルアルコヌル95mlで溶かし
た溶液に、䞋蚘衚に挙げた皮のアズレニりム塩
化合物5gを各々加えお皮の塗工液を調補した。 各塗工液をアトラむタヌで分散した埌、それぞ
れ前述のカれむン䞋匕局の䞊に也燥埌の膜厚が
0.1Όずなる様にマむダヌバヌで塗垃し、也燥しお
電荷発生局を圢成させた。 次いで、構造匏 のヒドラゟン化合物5gずポリメチルメタクリレ
ヌト暹脂数平均分子量100.0005gをベンれン
70mlに溶解し、これを電荷発生局の䞊に也燥埌の
膜厚が12Όずなる様にマむダヌバヌで塗垃し、也
燥しお電荷茞送局を圢成した。 この様にしお䜜成した皮の電子写真感光䜓を
川口電機(æ ª)補静電耇写詊隓装眮ModelSP−428を
甚いおスタチツク方匏で5KVでコロナ垯電し、
暗所で10秒間保持した埌、照床uxで露光し
垯電特性を調べた。 垯電特性ずしおは、初期垯電電䜍V0ず10
秒間暗衰させた時の電䜍を1/2に枛衰するに必芁
な露光量1/2を枬定した。この結果を第
衚に瀺す。又、10秒間暗枛衰させた時の電荷保持
率をVKで衚わした。
【衚】 実斜䟋 10 ポリ゚ステル暹脂東掋玡瞟(æ ª)補、バむロン
2005gず−〔ピリゞル−(2)〕−−−
−ゞ゚チルアミノスチリル−−−
−ゞ゚チルアミノプニルピラゟリン5gをメ
チル゚チルケトン80mlに溶解した埌、前述のアズ
レニりム塩化合物No.(2)1.0gを添加し分散埌、アル
ミニりム蒞着したポリ゚ステルフむルム䞊に塗垃
也燥し、也燥膜厚13Όの感光局を有する感光䜓を
䜜成した。 この感光䜓の特性を実斜䟋ず同様の方法によ
぀お初期垯電電䜍Vo、10秒間暗枛衰させた時
の電荷保持率VKおよび10秒間暗枛衰させた
時の垯電電䜍を1/2に枛衰するに必芁な露光量
1/2を枬定したずころ、䞋蚘のずおりであ぀
た。 Vo−545V VK81 1/237.4ux・sec 実斜䟋 11〜14 前蚘実斜䟋10の感光䜓を調補した時に甚いたア
ズレニりム塩化合物No.(2)に代えお、䞋蚘衚に挙げ
たアズレニりム塩化合物を甚いたほかは、実斜䟋
10ず党く同様の方法によ぀お感光䜓を䜜成し、各
感光䜓の垯電特性を枬定した。 これらの結果を第衚に瀺す
【衚】 実斜䟋 15 ポリ−−ビニルカルバゟヌル1gず前述のア
ズレニりム塩化合物No.(1)5mgを−ゞクロル
゚タン10gに加えた埌、十分に撹拌した。こうし
お調補した塗工液をアルミニりム蒞着したポリ゚
チレンテレフタレヌトフむルムの䞊に也燥膜厚が
15Όずなる様にドクタヌブレヌドにより塗垃し
た。 この感光䜓の垯電特性を実斜䟋ず同様の方法
によ぀お枬定した。䜆し、垯電極性は○した。
この結果を䞋蚘に瀺す。 Vo420V VK78 1/224.5ux・sec 実斜䟋 16 前蚘実斜䟋15の電子写真感光䜓を調補した時に
甚いたアズレニりム塩化合物No.(1)に代えお、前述
のアズレニりム塩化合物No.12を甚いたほか
は、実斜䟋15ず党く同様の方法で感光䜓を調補し
た埌、この感光䜓の垯電特性を枬定した。この結
果を䞋蚘瀺す。䜆し、垯電極性をずした。 Vo450V VK81 1/257.0ux・sec 実斜䟋 17 埮粒子酞化亜鉛堺化孊(æ ª)補Sazex200010g、
アクリリル系暹脂䞉菱レヌペン(æ ª)補ダむダナヌ
ルLR0094g、トル゚ン10gおよび前蚘䟋瀺のア
ズレニりム塩化合物No.(2)10mgをボヌルミル䞭で
十分に混合し、埗られた塗工液をアアルミニりム
蒞着したポリ゚チレンテレフタレヌトフむルムの
䞊にドクタヌブレヌドにより也燥膜厚が21Όにな
る様に塗垃し、也燥しお電子写真感光䜓を調補し
た。 この電子写真感光䜓の分光感床を電子写真法の
分光写真により枬定したずころ、前述のアズレニ
りム塩化合物を含有しおいない酞化亜鉛被膜に范
べお、本実斜䟋の感光䜓は長波長偎に感床を有し
おいるこずが刀明した。 実斜䟋 18 厚さ100Ό厚のアルミ板䞊にカれむンのアンモ
ニア氎溶液を塗垃し、也燥しお膜厚1.1Όの䞋匕局
を圢成した。 次に、−トリニトロ−−フルオレ
ノン5gずポリ−−ビニルカルバゟヌル数平
均分子量3000005gをテトラヒドロフラン70
mlに溶かしお電荷移動錯化合物を圢成した。この
電荷移動錯化合物ず前述のアズレニりム塩化合物
No.(2)1gをポリ゚ステル暹脂バむロン東掋玡
補5gをテトラヒドロフラン70mlに溶かした液
に加え、分散した。この分散液を䞋匕局の䞊に也
燥埌の膜厚が12Όずなる様に塗垃し、也燥した。
こうしお調補した感光䜓の垯電特性を実斜䟋ず
同様の方法で枬定した。これらの結果は、次のず
おりであ぀た。 䜆し、垯電極性はずした。 Vo470V VK87 1/294ux・sec 実斜䟋 19 アルミ蒞着ポリ゚チレンテレフタレヌトフむル
ムのアルミ面䞊に膜厚1.1Όのポリビニルアルコヌ
ルの被膜を圢成した。 次に、実斜䟋のアズレニりム塩化合物を含有
した塗工液を先に圢成したポリビニルアルコヌル
局の䞊に、也燥埌の膜厚は0.1Όずなる様にマむダ
ヌバヌで塗垃し、也燥しお電荷発生局を圢成し
た。 次いで、構造匏 のピラゟリン化合物5gずポリアリレヌト暹脂
ビスプノヌルずテレフタル酞−む゜フタル
酞の瞮重合䜓5gをテトラヒドロフラン70mlに
溶かした液を電荷発生局の䞊に也燥埌の膜厚が
10Όずなる様に塗垃し、也燥しお電荷茞送局を圢
成した。 こうしお調補した感光䜓の垯電特性を実斜䟋ず
同様の方法によ぀お枬定した。この結果を䞋蚘に
瀺す。 Vo−520V VK87 1/23.5ux・sec 実斜䟋 20 アルミニりムシリンダヌ䞊にカれむンのアンモ
ニア氎溶液カれむン11.2g、28アンモニア氎
1g、氎222mlを浞挬コヌテむング法で塗工し、
也燥しお塗工量1.0gm2の䞋匕局を圢成した。 次に、前述のアズレニりム塩化合物No.(2)の重
量郚、ブチラヌル暹脂゚スレツクBM−積
氎化孊(æ ª)補重量郚ずむ゜プロピルアルコヌル
30重量郚をボヌルミル分散機で時間分散した。
この分散液を先に圢成した䞋匕局䞊に浞挬コヌテ
むング法で塗工し、也燥しお電荷発生局を圢成し
た。この時の膜厚は0.3Όであ぀た。 次に、−ゞ゚チルアミノベンズアルデヒド−
−プニル−−α−ナフチルヒドラゟン重
量郚、ポリスルホン暹脂P1700ナニオンカヌ
バむド瀟補、重量郚ずモノクロルベンれン
重量郚を混合し、撹拌機で撹拌溶解した。この液
を電荷発生局の䞊に浞挬コヌテむング法で塗工
し、也燥しお電荷茞送局を圢成した。この時の膜
厚は、12Όであ぀た。 こうしお調補した感光䜓に−5kVのコロナ攟電
を行な぀た。この時の衚面電䜍を枬定した初期
電䜍Vo。さらに、この感光䜓を秒間暗所で攟
眮した埌の衚面電䜍を枬定した暗枛衰Vk。感
床は、暗枛衰した埌の電䜍Vkを1/2に枛衰するに
必芁な露光量1/2マむクロゞナヌルcm2を
枬定するこずによ぀お評䟡した。この際、光源ず
しおガリりム、アルミニりム・ヒ玠半導䜓レヌザ
ヌ発振波長780nmを甚いた。これらの結果
は、次のずおりであ぀た。 Vo−570V VK84 1/22.8マむクロゞナヌルcm2 実斜䟋 21〜28 実斜䟋20で甚いたアズレニりム塩化合物No.(2)に
代えお、第衚に瀺す化合物をそれぞれ甚いたほ
かは、実斜䟋20ず党く同様の方法で感光䜓を調補
し、この感光䜓の特性を枬定した。 これらの結果を第衚に瀺す。
【衚】 発明の効果 䞊述したずころから明らかなように本発明によ
れば、高感床の電子写真感光䜓を埗るこずがで
き、特に長波長偎に発振波長をも぀レヌザヌ・ビ
ヌムに察しお改善された電子写真特性を埗るこず
ができる。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  䞋蚘䞀般匏〔〕又は〔〕で衚わされるア
    ズレニりム塩化合物を有する光導電性被膜。 䞀般匏 䜆し、䞀般匏〔〕又は〔〕においお、R1
    R2R3R4R5R6およびR7は氎玠原子、ハロ
    ゲン原子又は䟡の有機残基を衚わし、又R1ず
    R2、R2ずR3、R3ずR4、R4ずR5、R5ずR6および
    R6ずR7の組合せのうち、少なくずも぀の組合
    せで眮換又は未眮換の瞮合環を圢成しおもよい。
    R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15、R16、
    R17、R18およびR19は氎玠原子、ハロゲン原子、
    アルキル基、アルコキシ基、眮換又は未眮換のア
    リヌル基、眮換又は未眮換のアラルキル基、ニト
    ロ基、アシル基を衚わす。又R8ずR9、R9ずR10、
    R10ずR11、R11ずR12、R12ずR13、R14ずR15、R15
    ずR16、R16ずR17、R17ずR18、およびR18ずR19の
    組合せのうち、少なくずも぀の組合せで眮換又
    は未眮換の瞮合環を圢成しおもよい。 R20は、氎玠原子、ニトロ基、アルキル基およ
    びアリヌル基を衚わす。  は、アニオン残基を衚わす。は又
    はである。  導電性支持䜓の䞊に、䞋蚘䞀般匏〔〕、又
    は〔〕で衚わされるアズレニりム塩化化合物を
    有する感光局を蚭けたこずを特城ずする電子写真
    感光䜓。 䞀般匏 䜆し、䞀般匏〔〕又は〔〕においお、R1、
    R2R3R4R5R6およびR7は氎玠原子、ハ
    ロゲン原子又は䟡の有機残基を衚わし、又R1
    ずR2、R2ずR3、R3ずR4、R4ずR5、R5ずR6およ
    びR6ずR7の組合せのうち、少なくずも぀の組
    合せで眮換又は未眮換の瞮合環を圢成しおもよ
    い。R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15、
    R16、R17、R18およびR19は氎玠原子、ハロゲン
    原子、アルキル基、アルコキシ基、眮換又は未眮
    換のアリヌル基、眮換又は未眮換のアラルキル
    基、ニトロ基、アシル基を衚わす。又R8ずR9、
    R9ずR10、R10ずR11、R11ずR12、R12ずR13、R14
    ずR15、R15ずR16、R16ずR17、R17ずR18および
    R18ずR19の組合せのうち、少なくずも぀の組
    合せで眮換又は未眮換の瞮合環を圢成しおもよ
    い。 R20は氎玠原子、ニトロ基、アルキル基および
    アリヌル基を衚わす。  は、アニオン残基を衚わす。は又
    はである。
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