JPH01747A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH01747A JPH01747A JP62-155825A JP15582587A JPH01747A JP H01747 A JPH01747 A JP H01747A JP 15582587 A JP15582587 A JP 15582587A JP H01747 A JPH01747 A JP H01747A
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- JP
- Japan
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- insulating layer
- conductive material
- opening
- contact hole
- aluminum
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- Pending
Links
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
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- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 11
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体装置の複数の導電層間の相互接続のため
のコンタクト孔（又は開口）の形成方法に関するもので
ある。ここで、コンタクト孔とは以下のものを指す。第
一導電性材料と第二導電性材料とを電気的に接続する場
合、前記第一導電性材料と前記第二導電性材料との間の
絶縁層に孔を穿ち、その孔を介して互いに接続する。こ
の孔をコンタクト孔と称する。
のコンタクト孔（又は開口）の形成方法に関するもので
ある。ここで、コンタクト孔とは以下のものを指す。第
一導電性材料と第二導電性材料とを電気的に接続する場
合、前記第一導電性材料と前記第二導電性材料との間の
絶縁層に孔を穿ち、その孔を介して互いに接続する。こ
の孔をコンタクト孔と称する。
従来の技術
従来の半導体装置の第一導電性材料上面の絶縁層の開口
形成には、絶縁層の厚さによらず、−枚の開口形成用マ
スクを用い、同時に形成していた。
形成には、絶縁層の厚さによらず、−枚の開口形成用マ
スクを用い、同時に形成していた。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、上記のようなコンタクト孔の開口の方法
では、第２図（＆）に示すように、第一導電性材料３４
と第二導電性材料３６との間の絶縁層３２の薄い部分の
コンタクト孔３８と絶縁層３２の厚い部分のコンタクト
孔４Ｑを同一の開口形成用マスクを用いて同時に形成す
るため、絶絶層の厚い部分のコンタクト孔４ｏを良好に
形成した場合には、絶縁層の薄い部分のコンタクト孔３
８が過剰に腐食され、第一導電性材料３４と第二導電性
材料３６との間に接続不良部４２が生じ、電気的接続が
不良となるという問題点があった。
では、第２図（＆）に示すように、第一導電性材料３４
と第二導電性材料３６との間の絶縁層３２の薄い部分の
コンタクト孔３８と絶縁層３２の厚い部分のコンタクト
孔４Ｑを同一の開口形成用マスクを用いて同時に形成す
るため、絶絶層の厚い部分のコンタクト孔４ｏを良好に
形成した場合には、絶縁層の薄い部分のコンタクト孔３
８が過剰に腐食され、第一導電性材料３４と第二導電性
材料３６との間に接続不良部４２が生じ、電気的接続が
不良となるという問題点があった。
また逆に、第２図（ｂ）に示すように、絶縁層の薄い部
分のコンタクト孔３８を良好に形成した場合にば、絶縁
層の厚い部分のコンタクト孔４０において、第一導電性
材料３４と第二導電性材料３６との間に未接続部４４が
生じてしまうという問題点があった。
分のコンタクト孔３８を良好に形成した場合にば、絶縁
層の厚い部分のコンタクト孔４０において、第一導電性
材料３４と第二導電性材料３６との間に未接続部４４が
生じてしまうという問題点があった。
本発明はこのような従来の問題点を解消し、第一導電性
材料と第二導電性材料とを、それらの間の絶縁層の厚さ
によらず、電気的に良好に接続するだめのコンタクト孔
を開口することができる半導体装置の製造方法を提供す
ることを目的とする。
材料と第二導電性材料とを、それらの間の絶縁層の厚さ
によらず、電気的に良好に接続するだめのコンタクト孔
を開口することができる半導体装置の製造方法を提供す
ることを目的とする。
問題点を解決するための手段
本発明は第一導電性材料上面に絶縁層を形成し。
絶縁層の厚い部分は第一開口形成用マスクにより第一開
口を設け、絶縁層の薄い部分は第二開口形成用マスクに
より第二開口を設け、第一開口と第二開口を介して第一
導電性材料と接触するように絶縁層上に第二導電性材料
を形成する半導体装置の製造方法である。
口を設け、絶縁層の薄い部分は第二開口形成用マスクに
より第二開口を設け、第一開口と第二開口を介して第一
導電性材料と接触するように絶縁層上に第二導電性材料
を形成する半導体装置の製造方法である。
作用
本発明は第−導電性材料上部の絶縁層の薄い部分は第一
開口形成用マスクを用いて第一開口を設け、絶縁層の厚
い部分は第二開口形成用マスクを用いて第二開口を設け
、第一開口と第二開口を介して第一導電性材料と接触す
るように絶縁層上に第二導電性材料を形成することにょ
シ、絶縁層の厚さの厚い部分と薄い部分のいずれの部分
においても、絶縁層下の第一導電性材料を過剰に腐食す
ることなく、良好な第一導電性材料と第二導電性材料と
の電気的接続が得られるものである。
開口形成用マスクを用いて第一開口を設け、絶縁層の厚
い部分は第二開口形成用マスクを用いて第二開口を設け
、第一開口と第二開口を介して第一導電性材料と接触す
るように絶縁層上に第二導電性材料を形成することにょ
シ、絶縁層の厚さの厚い部分と薄い部分のいずれの部分
においても、絶縁層下の第一導電性材料を過剰に腐食す
ることなく、良好な第一導電性材料と第二導電性材料と
の電気的接続が得られるものである。
実施例
第１図（２Ｌ）から第１図（Ｃ）に本発明の一実施例を
示す。
示す。
第１図（ａ）の１０は半導体基板、１２は絶縁層、１４
は第一アルミニウム、１６は第一レシスト、１８は絶縁
層の薄い部分のコンタクト孔である。
は第一アルミニウム、１６は第一レシスト、１８は絶縁
層の薄い部分のコンタクト孔である。
第１図（ｂ）の２０は絶縁層の厚い部分のコンタクト孔
、２２は第ニレジストである。第１図（Ｃ）の２４は第
ニアルミニウムである。
、２２は第ニレジストである。第１図（Ｃ）の２４は第
ニアルミニウムである。
第１図（ロ））の絶縁層の薄い部分のコンタクト孔１８
の形成には、絶縁層の薄い部分のコンタクト孔１８のみ
を形成するための開口形成用マスクを用いてその部分の
第一レジスト１６を除去し、第一フルミニラム１４を過
剰に腐食しないよう絶縁層を除去し、良好にコンタクト
孔を形成する。次に、第一レジスト１６をすべて除去し
、第ニレジスト２２を付加する。第１図（ｂ）の絶縁層
の厚い部分のコンタクト孔２ｏの形成には、絶縁層の厚
い部分のコンタクト孔２ｏのみを形成するための前記開
口形成用マスクとは異なる別の開口形成用マスクを用い
てその部分の第ニレジスト２２を除去し、第一アルミニ
ウム１４を過剰に腐食しないよう絶縁層を除去し、良好
にコンタクト孔を形成する。次に、第ニレジスト２２を
すべて除去する。
の形成には、絶縁層の薄い部分のコンタクト孔１８のみ
を形成するための開口形成用マスクを用いてその部分の
第一レジスト１６を除去し、第一フルミニラム１４を過
剰に腐食しないよう絶縁層を除去し、良好にコンタクト
孔を形成する。次に、第一レジスト１６をすべて除去し
、第ニレジスト２２を付加する。第１図（ｂ）の絶縁層
の厚い部分のコンタクト孔２ｏの形成には、絶縁層の厚
い部分のコンタクト孔２ｏのみを形成するための前記開
口形成用マスクとは異なる別の開口形成用マスクを用い
てその部分の第ニレジスト２２を除去し、第一アルミニ
ウム１４を過剰に腐食しないよう絶縁層を除去し、良好
にコンタクト孔を形成する。次に、第ニレジスト２２を
すべて除去する。
しかるのちに、第１図（Ｃ）に示すように、絶縁層上に
第ニアルミニウム２４を形成し、絶縁層の薄い部分のコ
ンタクト孔１８と絶縁層の厚い部分のコンタクト孔２０
のいずれにおいても第一アルミニウム１４と第ニアルミ
ニウム２４との良好な電気的接続を得る。
第ニアルミニウム２４を形成し、絶縁層の薄い部分のコ
ンタクト孔１８と絶縁層の厚い部分のコンタクト孔２０
のいずれにおいても第一アルミニウム１４と第ニアルミ
ニウム２４との良好な電気的接続を得る。
以上のように本実施例によれば、絶縁層の薄い部分ノコ
ンタクト孔と絶縁層の厚い部分のコンタクト孔とを、そ
れぞれ別の開口形成用マスクを用いて形成することによ
り、それぞれのコンタクト孔を良好に形成することがで
き、第一アルミニウムと第ニアルミニウムとの良好な電
気的接続を、それらの間の絶縁層の厚さによらず得るこ
とができる。
ンタクト孔と絶縁層の厚い部分のコンタクト孔とを、そ
れぞれ別の開口形成用マスクを用いて形成することによ
り、それぞれのコンタクト孔を良好に形成することがで
き、第一アルミニウムと第ニアルミニウムとの良好な電
気的接続を、それらの間の絶縁層の厚さによらず得るこ
とができる。
なお、本実施例において、第一アルミニウムとした第一
導電性材料と、第ニアルミニウムとした第二導電性材料
とを、アルミニウムのほかに５ポリシリコンあるいはポ
リサイドとしても、また、それらの組合せとしても本発
明による実用的効果が発揮される。
導電性材料と、第ニアルミニウムとした第二導電性材料
とを、アルミニウムのほかに５ポリシリコンあるいはポ
リサイドとしても、また、それらの組合せとしても本発
明による実用的効果が発揮される。
発明の詳細
な説明したように、本発明によれば、第一導電性材料上
面の絶縁層の厚い部分は第一開口形成用マスクを用いて
第一開口を設け、絶縁層の薄い部分は第二開口形成用マ
スクを用いて第二開口を設け、第一開口と第二開口を介
して第一導電性材料と接触するように絶縁層上に第二導
電性材料を形成することにより、絶縁層の厚さの厚い部
分と薄い部分のいずれの部分においても、第一導電性材
料と第二導電性材料との良好な電気的接続を得ることが
でき、半導体装置の歩留りを向上させることができ、そ
の実用的効果は絶大である。
面の絶縁層の厚い部分は第一開口形成用マスクを用いて
第一開口を設け、絶縁層の薄い部分は第二開口形成用マ
スクを用いて第二開口を設け、第一開口と第二開口を介
して第一導電性材料と接触するように絶縁層上に第二導
電性材料を形成することにより、絶縁層の厚さの厚い部
分と薄い部分のいずれの部分においても、第一導電性材
料と第二導電性材料との良好な電気的接続を得ることが
でき、半導体装置の歩留りを向上させることができ、そ
の実用的効果は絶大である。
第１図（１Ｌ）から（０）は本発明の一実施例のプロセ
スフローの説明図、第２図（ａ） 、 （ｂ）は従来の
半導体装置の製造方法の説明図である。 １ｏ・・・・・・半導体基板、１２・・・・・・絶縁層
、１４．・・・・・・第一アルミニウム、１６・・・・
・・第一レシスト、１８・・・・・・絶縁層の薄い部分
のコンタクト孔、２ｏ・・・・・・絶縁層の厚い部・分
のコンタクト孔、２２・・・・・・第ニレジスト、２４
・・・・・・第ニアルミニウム。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名ＩＱ
−−−＋４体基板 Ｔ２−′−絶縁層 第 １ａ ！４− 名−フル
＝ ＝ｔｈ１乙−・ 篤−しジズト ７８−、Ｍ縁漫の薄い部分の ４ｏ、。′９″Ｉ ｎ−絶縁層の厚い部分の ２４−第二アルミニウム 第１図 （Ｃ） ３０−半導体基板 、、、 ′−＊ｓｍｓ
スフローの説明図、第２図（ａ） 、 （ｂ）は従来の
半導体装置の製造方法の説明図である。 １ｏ・・・・・・半導体基板、１２・・・・・・絶縁層
、１４．・・・・・・第一アルミニウム、１６・・・・
・・第一レシスト、１８・・・・・・絶縁層の薄い部分
のコンタクト孔、２ｏ・・・・・・絶縁層の厚い部・分
のコンタクト孔、２２・・・・・・第ニレジスト、２４
・・・・・・第ニアルミニウム。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名ＩＱ
−−−＋４体基板 Ｔ２−′−絶縁層 第 １ａ ！４− 名−フル
＝ ＝ｔｈ１乙−・ 篤−しジズト ７８−、Ｍ縁漫の薄い部分の ４ｏ、。′９″Ｉ ｎ−絶縁層の厚い部分の ２４−第二アルミニウム 第１図 （Ｃ） ３０−半導体基板 、、、 ′−＊ｓｍｓ
Claims (1)
- 第一導電性材料上面に厚さの不均一な絶縁層を形成し
、前記絶縁層の厚い部分に第一開口形成用マスクにより
第一開口を設け、前記絶縁層の薄い部分に第二開口形成
用マスクにより第二開口を設け、前記第一開口又は前記
第二開口を介して前記第一導電性材料と接触するように
前記絶縁層上に第二導電性材料を形成することを特徴と
する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15582587A JPS64747A (en) | 1987-06-23 | 1987-06-23 | Manufacture of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15582587A JPS64747A (en) | 1987-06-23 | 1987-06-23 | Manufacture of semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01747A true JPH01747A (ja) | 1989-01-05 |
| JPS64747A JPS64747A (en) | 1989-01-05 |
Family
ID=15614313
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15582587A Pending JPS64747A (en) | 1987-06-23 | 1987-06-23 | Manufacture of semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS64747A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2797988B2 (ja) * | 1994-12-14 | 1998-09-17 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| GB0406887D0 (en) * | 2004-03-26 | 2004-04-28 | Boc Group Plc | Gear assembly |
-
1987
- 1987-06-23 JP JP15582587A patent/JPS64747A/ja active Pending
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