JPH01291987A - 光情報記録媒体 - Google Patents
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Classifications
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
- B41M5/00—Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
- B41M5/26—Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
- C09B23/00—Methine or polymethine dyes, e.g. cyanine dyes
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、有機色素薄膜を有し、高密度エネルギービー
ムによって状態変化を生ぜしめることにより記録再生を
行なうヒートモードの光情報記録媒体に関する。
ムによって状態変化を生ぜしめることにより記録再生を
行なうヒートモードの光情報記録媒体に関する。
レーザー光線の照射を受けて変質する物質を基板上に担
持して記録層とし、該記録層の変質の様子を、記録層の
反射率の変化として読み取る方式の記録媒体が知られて
いる。近年この様な記録層として有機色素を用いること
が行なわれているが、読み取りに必要な高反射率と記録
に必要な高吸収率とを同一波長において実現することは
容易なことではなかったためこれらの媒体の反射率は2
0〜30%程度にとどまっていた。その理由は単一の色
素からなる色素膜の反射率が極大となる波長は、一般に
該色素膜の吸収極大波長より長波長側にあるため、記録
及び読み取りに用いるレーザー光の波長を色素膜の反射
率の極大波長に一致させるとその波長における吸収率は
低くなり、逆にレーザー光の波長を吸収極大波長に合わ
せるとその波長における反射率が低くなるからである。
持して記録層とし、該記録層の変質の様子を、記録層の
反射率の変化として読み取る方式の記録媒体が知られて
いる。近年この様な記録層として有機色素を用いること
が行なわれているが、読み取りに必要な高反射率と記録
に必要な高吸収率とを同一波長において実現することは
容易なことではなかったためこれらの媒体の反射率は2
0〜30%程度にとどまっていた。その理由は単一の色
素からなる色素膜の反射率が極大となる波長は、一般に
該色素膜の吸収極大波長より長波長側にあるため、記録
及び読み取りに用いるレーザー光の波長を色素膜の反射
率の極大波長に一致させるとその波長における吸収率は
低くなり、逆にレーザー光の波長を吸収極大波長に合わ
せるとその波長における反射率が低くなるからである。
一方、ある特定の波長において高反射率を有する色素と
、その波長において高吸収率を有する色素とを混合して
用いると、多くの場合反射率の低下が起こってしまう。
、その波長において高吸収率を有する色素とを混合して
用いると、多くの場合反射率の低下が起こってしまう。
したがって、情報の記録及び読み取りに用いるレーザー
光線の波長において高い反射率、たとえば20%以上、
好ましくは27%以上、と高い吸収率、たとえば20%
以上、好ましくは25%以上とを存する光情報記録媒体
が求められていた。
光線の波長において高い反射率、たとえば20%以上、
好ましくは27%以上、と高い吸収率、たとえば20%
以上、好ましくは25%以上とを存する光情報記録媒体
が求められていた。
したがって本発明の目的は、同一波長のレーザー光線に
対する反射率および吸収率が高く、したがって、同一波
長のレーザー光線を用いて情報の記録及び読み取りを十
分に行うことができる光情報記録媒体を提供することで
ある。
対する反射率および吸収率が高く、したがって、同一波
長のレーザー光線を用いて情報の記録及び読み取りを十
分に行うことができる光情報記録媒体を提供することで
ある。
本発明者は種々検討の結果、驚くべきことに、一般式(
1)で表わされる色素が、他の近赤外線を吸収する色素
と混合しても十分高い反射率を示す色素薄膜を与えるこ
とを見出し、本発明を完成した。
1)で表わされる色素が、他の近赤外線を吸収する色素
と混合しても十分高い反射率を示す色素薄膜を与えるこ
とを見出し、本発明を完成した。
すなわち、本発明の目的は、少なくとも1種の下記一般
式(1)で表わされる色素と、少なくとも1種の760
nmないし850 nmの波長の光を吸収する色素とを
同一基板上に担持せしめたことを特徴とする、760n
mないし850nmの波長のレーザー光線を用いて記録
、再生、あるいは消去を行なうための光情報記録媒体に
よって達成された。
式(1)で表わされる色素と、少なくとも1種の760
nmないし850 nmの波長の光を吸収する色素とを
同一基板上に担持せしめたことを特徴とする、760n
mないし850nmの波長のレーザー光線を用いて記録
、再生、あるいは消去を行なうための光情報記録媒体に
よって達成された。
一般式(1)
〔ただし、zlおよびz2は、アルキル基、了り−ル基
、アルケニル基または置換基を有するこれらの基を表わ
し、これらは互いに同一でも異なっていても、あるいは
ZlとZ2とが互いに連結して環を形成しても良く、 Qは、NまたはC−R6(R6は水素原子、アルキル基
またはアリール基)を表わし、 R1,R2およびR3は、アルキル基、アリール基、ア
ルケニル基または置換基を有するこれらの基を表わし、
互いに同一でも異なっていても、あるいはこれらの少な
くとも1つの基がLと連結して環を形成しても良く、 X−は陰イオンを表わし、 GはN−R’と連結して5または6員環を形成するため
の基を表わし、そして Lは5個のメチン基または置換メチン基が共役二重結合
を形成するように連結されて形成される三価の基を表わ
す〕 上記一般式(1)において、ZlおよびZ2は、互いに
連結して形成されたベンゼン環、ナフタレン環、置換基
を有するベンゼン環または置換基を有するナフタレン環
であり、Qは、NまたはC−Hであり、GがN−R3と
連結して形成される5または6員環がイミダゾキノキサ
リン環、キノリン環、ベンゾチアゾール環、ベンゾイミ
ダゾール環またはイミダゾキノリン環であることが好ま
しい。
、アルケニル基または置換基を有するこれらの基を表わ
し、これらは互いに同一でも異なっていても、あるいは
ZlとZ2とが互いに連結して環を形成しても良く、 Qは、NまたはC−R6(R6は水素原子、アルキル基
またはアリール基)を表わし、 R1,R2およびR3は、アルキル基、アリール基、ア
ルケニル基または置換基を有するこれらの基を表わし、
互いに同一でも異なっていても、あるいはこれらの少な
くとも1つの基がLと連結して環を形成しても良く、 X−は陰イオンを表わし、 GはN−R’と連結して5または6員環を形成するため
の基を表わし、そして Lは5個のメチン基または置換メチン基が共役二重結合
を形成するように連結されて形成される三価の基を表わ
す〕 上記一般式(1)において、ZlおよびZ2は、互いに
連結して形成されたベンゼン環、ナフタレン環、置換基
を有するベンゼン環または置換基を有するナフタレン環
であり、Qは、NまたはC−Hであり、GがN−R3と
連結して形成される5または6員環がイミダゾキノキサ
リン環、キノリン環、ベンゾチアゾール環、ベンゾイミ
ダゾール環またはイミダゾキノリン環であることが好ま
しい。
そして上記一般式(1)で表わされるイミダゾキノキサ
リン系色素は、特に下記の一般式(IA)を有すること
が好ましい。
リン系色素は、特に下記の一般式(IA)を有すること
が好ましい。
(ただし、R4、R” % R’およびR51はアルキ
ル基、アルケニル基又はアリール基を表わし、これらは
互いに同一でも異なっていても良く、Llは5個のメチ
ン基もしくは置換メチン基が共役二重結合により連結さ
れて生じる三価の基を表わし、Zは芳香族環を完成する
ための原子群を表わし、X−は陰イオンを表わす〕 上記一般式(IA)においてR4、R” 、R’% R
”およびZは、さらに置換基を有していてもよい。
ル基、アルケニル基又はアリール基を表わし、これらは
互いに同一でも異なっていても良く、Llは5個のメチ
ン基もしくは置換メチン基が共役二重結合により連結さ
れて生じる三価の基を表わし、Zは芳香族環を完成する
ための原子群を表わし、X−は陰イオンを表わす〕 上記一般式(IA)においてR4、R” 、R’% R
”およびZは、さらに置換基を有していてもよい。
これらの置換基のうち好ましいものは、C,l1ans
chらによって提唱されている疎水性パラメータ、π、
が−0,5ないし15の範囲の値のものである。なお、
疎水性パラメータは次の文献に従って算出することがで
きる。
chらによって提唱されている疎水性パラメータ、π、
が−0,5ないし15の範囲の値のものである。なお、
疎水性パラメータは次の文献に従って算出することがで
きる。
1 ) C0°Hansch ら、J、Med、Ch
em、 、第16巻、1207頁(1973年刊)、 2 ) C,Hanschら、同誌、第20巻、30
4頁(I) (1977年刊) R4、R4′、R5またはR″′で表わされる基として
好ましいものは、置換もしくは無置換のフェニル基、置
換もしくは無置換の低級アルキル基(炭素原子数は工な
いし8)または置換もしくは無置換の低級アルケニル基
(炭素原子数は2〜8)であり、さらに上述のC,Ha
nschらによって提唱されている疎水性パラメータ、
π、が−1ないし15の範囲の値の置換基を有していて
もよい。R4、R47、R5またはR5′が置換基を有
する場合において特に好ましい置換基は、ハロゲン原子
(F+ c a + Br。
em、 、第16巻、1207頁(1973年刊)、 2 ) C,Hanschら、同誌、第20巻、30
4頁(I) (1977年刊) R4、R4′、R5またはR″′で表わされる基として
好ましいものは、置換もしくは無置換のフェニル基、置
換もしくは無置換の低級アルキル基(炭素原子数は工な
いし8)または置換もしくは無置換の低級アルケニル基
(炭素原子数は2〜8)であり、さらに上述のC,Ha
nschらによって提唱されている疎水性パラメータ、
π、が−1ないし15の範囲の値の置換基を有していて
もよい。R4、R47、R5またはR5′が置換基を有
する場合において特に好ましい置換基は、ハロゲン原子
(F+ c a + Br。
■)、置換もしくは無置換のフェニル基(m−クロロフ
ェニル、p−メチルフェニルなど)、アルキルチオ基(
例えばメチルチオ、ブチルチオなど)置換もしくは無置
換のフェニルチオ基(例えばフェニルチオ、p−クロロ
フェニルチオ、m−メチルフェニルチオなど)、アルキ
ニル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、アシル基であ
る。
ェニル、p−メチルフェニルなど)、アルキルチオ基(
例えばメチルチオ、ブチルチオなど)置換もしくは無置
換のフェニルチオ基(例えばフェニルチオ、p−クロロ
フェニルチオ、m−メチルフェニルチオなど)、アルキ
ニル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、アシル基であ
る。
R4、R4’ 、R5、R”t’表わされる基のうち特
に好ましいものは、炭素原子数が2〜8の無置換アルキ
ル基または炭素原子数が2〜8の無置換アルケニル基で
あり、その中でもR4、R” 、R5、R5′が同一の
ものが最も好ましい。
に好ましいものは、炭素原子数が2〜8の無置換アルキ
ル基または炭素原子数が2〜8の無置換アルケニル基で
あり、その中でもR4、R” 、R5、R5′が同一の
ものが最も好ましい。
Zで表わされる原子群の例としては、ベンゼン環、ナフ
タレン環、アンスラセン環を完成するための原子群が挙
げられ、好ましいものはベンゼン環、ナフタレン環を完
成するための原子群であり、さらにR4、R” 、R’
またはH%L上の置換基として述べた置換基を有してい
てもよい。Zが置換基を有する場合において、特に好ま
しい置換基は、ハロゲン原子(F、 C1,Br、
I)、置換もしくは無置換のフェニル基(例えばフェニ
ル、m−クロロフェニル、p−メチルフェニルなど)、
アルキル、チオ基(例えばメチルチオ、ブチルチオなど
)、置換もしくは無置換のフェニルチオ基(例えばフェ
ニルチオ、p−クロロフェニルチオ、m−メチルフェニ
ルチオなど)、置換もしくは無置換のアルキル基(例え
ばメチル、トリフルオロメチル、ter t−アミルな
ど)、シアノ基、アルコキシカルボニル基(例えばプロ
ポキシカルボニル、ブトキシカルボニル、ベンジルオキ
シカルボニル、デシルオキシカルボニル、2−エチルへ
キシルオキシカルボニルなど)、アルキルもしくはアリ
ールスルホニル!(例えばブタンスルホニル、フェニル
スルホニル、オクタンスルホニルなど)である。
タレン環、アンスラセン環を完成するための原子群が挙
げられ、好ましいものはベンゼン環、ナフタレン環を完
成するための原子群であり、さらにR4、R” 、R’
またはH%L上の置換基として述べた置換基を有してい
てもよい。Zが置換基を有する場合において、特に好ま
しい置換基は、ハロゲン原子(F、 C1,Br、
I)、置換もしくは無置換のフェニル基(例えばフェニ
ル、m−クロロフェニル、p−メチルフェニルなど)、
アルキル、チオ基(例えばメチルチオ、ブチルチオなど
)、置換もしくは無置換のフェニルチオ基(例えばフェ
ニルチオ、p−クロロフェニルチオ、m−メチルフェニ
ルチオなど)、置換もしくは無置換のアルキル基(例え
ばメチル、トリフルオロメチル、ter t−アミルな
ど)、シアノ基、アルコキシカルボニル基(例えばプロ
ポキシカルボニル、ブトキシカルボニル、ベンジルオキ
シカルボニル、デシルオキシカルボニル、2−エチルへ
キシルオキシカルボニルなど)、アルキルもしくはアリ
ールスルホニル!(例えばブタンスルホニル、フェニル
スルホニル、オクタンスルホニルなど)である。
Zで表わされる原子群のうち特に好ましいものは、ハメ
ットのシグマ定数が−0,2ないし+0.7であるよう
な比較的電子供与性が弱い置換基を有するベンゼン環を
形成するための原子群であり、その中でもF、 C1,
Br、 Iなどのハロゲン原子で置換されたベンゼン環
を形成するための原子群が好ま、しい。
ットのシグマ定数が−0,2ないし+0.7であるよう
な比較的電子供与性が弱い置換基を有するベンゼン環を
形成するための原子群であり、その中でもF、 C1,
Br、 Iなどのハロゲン原子で置換されたベンゼン環
を形成するための原子群が好ま、しい。
L’ (一般式(1)におけるLも同様)で表わされる
三価の基は5個のメチン基または置換メチン基が共役二
重結合により連結されて生じる三価の基を表わすが、特
に一般式(a)〜(「)で表わされるものが好ましい。
三価の基は5個のメチン基または置換メチン基が共役二
重結合により連結されて生じる三価の基を表わすが、特
に一般式(a)〜(「)で表わされるものが好ましい。
(f)
−CIl=C−CIl=CL−C+(−一般式(a)〜
(f)においてYは水素原子または1価の基を表わす。
(f)においてYは水素原子または1価の基を表わす。
この場合、1価の基としては、メチル基などの低級アル
キル基、置換もしくは無置換フェニル基、ベンジル基な
どのアラルキル基、メトキシ基などの低級アルコキシ基
、ジメチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、メチルフェ
ニルアミノ基、モルフォリノ基、イミダゾリジノ基、エ
トキシカルボニルピペラジノ基などのジ置換アミノ基、
アセトキシ基などのアルキルカルボニルオキシ基、メチ
ルチオ基などのアルキルチオ基、シアノ基、ニトロ基、
F、C1,Brなどのハロゲン原子などであることが好
ましい。
キル基、置換もしくは無置換フェニル基、ベンジル基な
どのアラルキル基、メトキシ基などの低級アルコキシ基
、ジメチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、メチルフェ
ニルアミノ基、モルフォリノ基、イミダゾリジノ基、エ
トキシカルボニルピペラジノ基などのジ置換アミノ基、
アセトキシ基などのアルキルカルボニルオキシ基、メチ
ルチオ基などのアルキルチオ基、シアノ基、ニトロ基、
F、C1,Brなどのハロゲン原子などであることが好
ましい。
なお1.1で表わされる三価の基のうち特に好ましいも
のは(a)で表わされるものである。
のは(a)で表わされるものである。
X−で表わされる陰イオンは、陽イオン部分の電荷を中
和するのに必要な数の陰電荷を供給するためのものであ
って、−価もしくは二価のイオンである。
和するのに必要な数の陰電荷を供給するためのものであ
って、−価もしくは二価のイオンである。
X−で表わされる陰イオンの例としては、i−。
Br−、I−などのハロゲンイオン、SO4”−、ll
5Ot−2CI30SO+−などのアルキル硫酸イオン
、パラトルエンスルホン酸イオン、ナフタレン−1,5
−ジスルホン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、トリ
フルオロメタンスルホン酸イオン、オクタンスルホン酸
イオンなどのスルホン酸イオン、酢酸イオン、p−クロ
ロ安息香酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、シュウ酸
イオン、コハク酸イオンなどのカルボン酸イオン、PF
b−、’BF4− 、 ClO4−。
5Ot−2CI30SO+−などのアルキル硫酸イオン
、パラトルエンスルホン酸イオン、ナフタレン−1,5
−ジスルホン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、トリ
フルオロメタンスルホン酸イオン、オクタンスルホン酸
イオンなどのスルホン酸イオン、酢酸イオン、p−クロ
ロ安息香酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、シュウ酸
イオン、コハク酸イオンなどのカルボン酸イオン、PF
b−、’BF4− 、 ClO4−。
10、− 、 タングステン酸イオン、タングストリン
酸イオンなどのへテロポリ酸イオン、82PO4−。
酸イオンなどのへテロポリ酸イオン、82PO4−。
NO,\ピクリン酸イオンなどのフェノラートイオンな
どが挙げられる。
どが挙げられる。
X−で表わされる陰イオンとして好ましいものは、C1
−、Br−、I−、CH30SO:l−、パラトルエン
スルホン酸イオン、p−クロロベンゼンスルホン酸イオ
ン、メタンスルホン酸イオン、ブタンスルホン酸イオン
、ナフタレン−1,5−ジスルホン酸イオン、トリフル
オロメタンスルホン酸イオンなどのパーフルオロスルホ
ン酸イオン、PFb−。
−、Br−、I−、CH30SO:l−、パラトルエン
スルホン酸イオン、p−クロロベンゼンスルホン酸イオ
ン、メタンスルホン酸イオン、ブタンスルホン酸イオン
、ナフタレン−1,5−ジスルホン酸イオン、トリフル
オロメタンスルホン酸イオンなどのパーフルオロスルホ
ン酸イオン、PFb−。
BF4− 、 ClO4−などであり、特に好ましいも
のは、トリフルオロメタンスルホン酸イオン、PF6−
。
のは、トリフルオロメタンスルホン酸イオン、PF6−
。
ClO4−であり、この中でも、爆発の心配が無い点で
トリフルオロメタンスルホン酸イオンとPFb−とが最
も好ましい。
トリフルオロメタンスルホン酸イオンとPFb−とが最
も好ましい。
本発明において一般式(1)で表わされる色素とともに
用いられる760nmないし850nmの波長の光を吸
収する色素としては種々の構造を有するものがある。そ
の例としては、シアニン色素、オキソノール色素、メロ
シアニン色素、アズレニウム色素、ビリリウム色素、お
よびチアピリリウム色素などのポリメチン系色素、フタ
ロシアニン金属錯体やナフタロシアニン金属錯体などの
アザアヌレン系金属錯体色素、アゾ色素、ナフトキノン
色素やアントラキノン色素などのキノン系色素、ニッケ
ルビス(1,2−ベンゼンジチオレート)などの金属錯
体、トリス(4−ジメチルアミノフェニル)アミニウム
塩などのアミニウム系色素、インドフェノール系色素、
トリインドリルメタンなどのトリアリールメタン系色素
などが挙げられる。
用いられる760nmないし850nmの波長の光を吸
収する色素としては種々の構造を有するものがある。そ
の例としては、シアニン色素、オキソノール色素、メロ
シアニン色素、アズレニウム色素、ビリリウム色素、お
よびチアピリリウム色素などのポリメチン系色素、フタ
ロシアニン金属錯体やナフタロシアニン金属錯体などの
アザアヌレン系金属錯体色素、アゾ色素、ナフトキノン
色素やアントラキノン色素などのキノン系色素、ニッケ
ルビス(1,2−ベンゼンジチオレート)などの金属錯
体、トリス(4−ジメチルアミノフェニル)アミニウム
塩などのアミニウム系色素、インドフェノール系色素、
トリインドリルメタンなどのトリアリールメタン系色素
などが挙げられる。
本発明において一般式(1)で表わされる化合物ととも
に用いられる7 60 nmないし850nmの光を吸
収する色素として好ましいものは下記−般式(H)で表
わされるものである。
に用いられる7 60 nmないし850nmの光を吸
収する色素として好ましいものは下記−般式(H)で表
わされるものである。
一般式(II)
ΦQ b / ==甲(Mト)よ
〔式中中および甲はそれぞれ芳香族環が縮合していても
よいインドレニン環残基、チアゾール環残基、オキサゾ
ール環残基、セレナゾール環残基、テルラゾール環残基
、イミダゾール環残基、ピリジン環残基、イミダゾ[4
,5−b)キノキサリン環残基、イミダゾ(4,5−b
)キノリン環残基であり、L′は7個のメチン基又は置
換メチン基が共役二重結合で連結されて形成される3価
の基を表わし、xL−は2価の陰イオンを表わし、lは
lもしくは2を表わし、XトはΦ、L′、もしくは重上
に置換して分子内塩を形成していてもよい。〕 一般式(11)においてΦもしくは甲で表わされるヘテ
ロ環残基の例としては以下のものが挙げられるが、本発
明の範囲はこれらのみに限定されるものではない。
よいインドレニン環残基、チアゾール環残基、オキサゾ
ール環残基、セレナゾール環残基、テルラゾール環残基
、イミダゾール環残基、ピリジン環残基、イミダゾ[4
,5−b)キノキサリン環残基、イミダゾ(4,5−b
)キノリン環残基であり、L′は7個のメチン基又は置
換メチン基が共役二重結合で連結されて形成される3価
の基を表わし、xL−は2価の陰イオンを表わし、lは
lもしくは2を表わし、XトはΦ、L′、もしくは重上
に置換して分子内塩を形成していてもよい。〕 一般式(11)においてΦもしくは甲で表わされるヘテ
ロ環残基の例としては以下のものが挙げられるが、本発
明の範囲はこれらのみに限定されるものではない。
チアゾール環
チアゾール、4−メチルチアゾ
ール、4−フェニルチアゾール、
5−メチルチアゾール、5−フ
ェニルチアゾール、4.5−ジ
フェニルチアゾール、4,5−
ジメチルチアゾールなど
ベンゾチアゾール環
ベンゾチアゾール、4−クロロ
ベンゾチアゾール、5−クロロ
ベンゾチアゾール、6−クロロ
ベンゾチアゾール、7−クロロ
ベンゾチアゾール、4−メチル
ベンゾチアゾール、5−メチル
ベンゾチアゾール、6−メチル
ベンゾチアゾール、5−ブロモ
ベンゾチアゾール、6−ブロモ
ベンゾチアゾール、4−フェニ
ルベンゾチアゾール、5−フェ
ニルベンゾチアゾール、4−メ
トキシベンゾチアゾール、5−
メトキシベンゾチアゾール、6
一メドキシベンゾチアゾール、
5−ヨードベンゾチアゾール、
4−エトキシベンヅチアゾール、
テトラヒドロペンヅチアゾール、
5.6−シメトキシヘンゾチア
ゾール、5.6−シオキシメチ
レンベンゾチアゾールなど
ナフトチアゾール環
α−ナフトチアゾール、β−ナ
フトチアゾール、5−メトキシ
一β−ナフトチアゾール、5−
エトキシ−β−ナフトチアゾ−
ル、8−メトキシ−α−ナフト
チアゾール、7−メドキシーα
−ナフトチアゾールなど
チアナフチノー7′、6′、4.5−チアゾール環
4′−メトキシチアナフテノー
7′、6′、4.5−チアゾ−
ルなど
オキサゾール環
4−メチルオキサゾール、5−
メチルオキサゾール、4.5−
ジフェニルオキサゾール、4゜
5−ジメトキシオキサゾールな
ど
ベンゾオキサゾール環
ベンゾオキサゾール、5−クロ
ロベンゾオキサゾール、5−メ
チルベンゾオキサゾール、5−
フェニルベンゾオキサゾール、
5−フェニルヘンジオキサジー
ル、5,6−シメチルベンゾオ
キサゾール、4,6−ジメチル
ベンゾオキサゾール、5−エト
キシベンゾオキサゾール、6−
クロロベンゾオキサゾールなど
セレナゾール環
4−メチルセレナゾール、4−
フェニルセレナゾールなど
ベンゾセレナゾール環
ベンゾセレナゾール、5−クロ
ロベンゾセレナゾール、5−メ
トキシベンゾセレナゾール、テ
トラヒドロベンゾセレナゾール
など
ナフトセレナゾール環
α−ナフトセレナゾール、β−
ナフトセレナゾールなど
チアゾリン環
チアゾリン、4−メチルチアゾ
リンなど
2−キノリン環
キノリン、3−メチルキノリン、
5−メチルキノリン、7−メチ
ルキノリン、8−メチルキノリ
ン、6−クロロキノリン、8−
クロロキノリン、6−メドキシ
キノリン、6−エトキシキノリ
ンなど
4−キノリン環
キノリン、6−メドキシキノリ
ン、7−メチルキノリン、8−
メチルキノリンなど ゛
1−イソキノリン環
イソキノリン、3.4−ジヒド
ロイソキノリンなど
3−イソキノリン環
イソキノリンなど
3.3−ジアルキルインドレニン環
3.3−ジメチルインドレニ
ン、3,3.5−トリメチルイ
ンドレニン、5−クロロ−3゜
3−ジメチルインドレニン、5
−クロロー3−エチルー3−メ
チルインドレニン、α−ナフト
−3,3−ジメチルインドレニ
ン、β−ナフト−3,3−ジメ
チルインドレニンなど
2−ピリジン環
ピリジン、3−メチルビリジン、
4−メチルビリジン、5−メチ
ルビリジン、3,4−ジメチル
ピリジン、4−クロロピリジン
など
4−ピリジン環
2−メチルビリジン、3−メチ
ルビリジン、3−クロロピリジ
ン、2.6−ジメチルピリジン
など
1.3−ジアルキルイミダゾール環
1、 3−ジメチルイミダゾール、
1.3−ジエチル−4−フェニ
ルイミダゾール、l、3−ジブ
チル−4,5−ジメチルイミダ
ゾールなど
1.3−ジアルキルベンズイミダゾール環1.3−メチ
ルベンズイミダゾ −ル、1,3−ジブチル−4− メチルベンズイミダゾール、1 .3−ジエチル−5,6−シフ ロロベンズイミダゾールなど 1.3−ジアルキルナフトイミダゾール環1.3−ジメ
チル−β−ナフト イミダゾールなど 1.3−ジアルキルイミダゾキノキサリン環1.3−ジ
イソブチルイミダゾ キノキサリン、1.3−ジアリ ル−7−クロロイミダゾキノキ サリン、1.3−ジ(2,メチ ルブチル)−6,7−ジクロロ イミダゾキノキサリン、1.3 一ジ(2−エチルヘキシル)= 6.7−シフチルイミダゾキノ キサリンなど 1.3−ジアルキルイミダゾキノリン環1.3−ジエチ
ルイミダゾキノ リンなど −i式(II)においてΦおよび甲で表わされるヘテロ
環のうち好ましいものは、ベンゾチアゾール環、ナフト
チアゾール環、ベンズイミダゾール環、ナフトイミダゾ
ール環、イミダゾ(4,5−b〕キノキサリン環、イミ
ダゾ(4,5−b)キノリン環、3.3−ジアルキルイ
ンドレニン環、および3,3−ジアルキルナフトインド
レニン環である。
ルベンズイミダゾ −ル、1,3−ジブチル−4− メチルベンズイミダゾール、1 .3−ジエチル−5,6−シフ ロロベンズイミダゾールなど 1.3−ジアルキルナフトイミダゾール環1.3−ジメ
チル−β−ナフト イミダゾールなど 1.3−ジアルキルイミダゾキノキサリン環1.3−ジ
イソブチルイミダゾ キノキサリン、1.3−ジアリ ル−7−クロロイミダゾキノキ サリン、1.3−ジ(2,メチ ルブチル)−6,7−ジクロロ イミダゾキノキサリン、1.3 一ジ(2−エチルヘキシル)= 6.7−シフチルイミダゾキノ キサリンなど 1.3−ジアルキルイミダゾキノリン環1.3−ジエチ
ルイミダゾキノ リンなど −i式(II)においてΦおよび甲で表わされるヘテロ
環のうち好ましいものは、ベンゾチアゾール環、ナフト
チアゾール環、ベンズイミダゾール環、ナフトイミダゾ
ール環、イミダゾ(4,5−b〕キノキサリン環、イミ
ダゾ(4,5−b)キノリン環、3.3−ジアルキルイ
ンドレニン環、および3,3−ジアルキルナフトインド
レニン環である。
L′表わされる三価の基のうち好ましいものは下記一般
式(g)ないしくj2)で表わされるものである。
式(g)ないしくj2)で表わされるものである。
(j)
(k)
−CI(=(、−CローC3−CI= □Y
′ (Iり −CH=CH−Cl1冨C−C11=CH−CH=Y′ 一般式(g)〜(1)においてY′は水素原子または1
価の基を表わす。この場合、1価の基としては、メチル
基などの低級アルキル基、置換もしくは無置換フェニル
基、ベンジル基などのアラルキル基、メトキシ基などの
低級アルコキシ基、ジメチルアミノ基、ジフェニルアミ
ノ基、メチルフェニルアミノ基、モルフォリノ基、イミ
ダゾリジノ基、エトキシカルボニルピペラジノ基などの
ジ置換アミノ基、アセトキシ基などのアルキルカルボニ
ルオキシ基、メチルチオ基などのアルキルチオ基、シア
ノ基、ニトロ基、F、l!、Brなどのハロゲン原子な
どであることが好ましい。
′ (Iり −CH=CH−Cl1冨C−C11=CH−CH=Y′ 一般式(g)〜(1)においてY′は水素原子または1
価の基を表わす。この場合、1価の基としては、メチル
基などの低級アルキル基、置換もしくは無置換フェニル
基、ベンジル基などのアラルキル基、メトキシ基などの
低級アルコキシ基、ジメチルアミノ基、ジフェニルアミ
ノ基、メチルフェニルアミノ基、モルフォリノ基、イミ
ダゾリジノ基、エトキシカルボニルピペラジノ基などの
ジ置換アミノ基、アセトキシ基などのアルキルカルボニ
ルオキシ基、メチルチオ基などのアルキルチオ基、シア
ノ基、ニトロ基、F、l!、Brなどのハロゲン原子な
どであることが好ましい。
なおL′で表わされる三価の基のうち特に好ましいもの
は上記一般式(1)で表わされるものである。
は上記一般式(1)で表わされるものである。
M−で表わされる陰イオンは、陽イオン部分の電荷を中
和するのに必要な数の陰電荷を供給するためのものであ
って、−価もしくは二価のイオンである。
和するのに必要な数の陰電荷を供給するためのものであ
って、−価もしくは二価のイオンである。
M−で表わされる陰イオンの例としては、C1−Br−
、I−などのハロゲンイオン、SO,”−、HSO3−
CIi、OSO,−などのアルキル硫酸イオン、パラト
ルエンスルホン酸イオン、ナフタレン−L 5−ジス
ルホン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、トリフルオ
ロメタンスルホン酸イオン、オクタンスルホン酸イオン
などのスルホン酸イオン、酢酸イオン、p−クロロ安息
香酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、シュウ酸イオン
、コハク酸イオンなどのカルボン酸イオン、PFb−、
BF4− 、 C7!a−io、−、タングステン酸イ
オン、タングストリン酸イオンなどのへテロポリ酸イオ
ン、)12PO,−。
、I−などのハロゲンイオン、SO,”−、HSO3−
CIi、OSO,−などのアルキル硫酸イオン、パラト
ルエンスルホン酸イオン、ナフタレン−L 5−ジス
ルホン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、トリフルオ
ロメタンスルホン酸イオン、オクタンスルホン酸イオン
などのスルホン酸イオン、酢酸イオン、p−クロロ安息
香酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、シュウ酸イオン
、コハク酸イオンなどのカルボン酸イオン、PFb−、
BF4− 、 C7!a−io、−、タングステン酸イ
オン、タングストリン酸イオンなどのへテロポリ酸イオ
ン、)12PO,−。
NO,−、ピクリン酸イオンなどのフェノラートイオン
などが挙げられる。
などが挙げられる。
M−で表わされる陰イオンとして好ましいものは、C1
−、Br−、I−、CH30SO3−Iパラトルエンス
ルホン酸イオン、p−クロロベンゼンスルポン酸イオン
、メタンスルホン酸イオン、ブタンスルホン酸イオン、
ナフタレン−1,5−ジスルホン酸イオン、トリフルオ
ロメタンスルホン酸イオンなどのパーフルオロスルホン
酸イオン、pp、−。
−、Br−、I−、CH30SO3−Iパラトルエンス
ルホン酸イオン、p−クロロベンゼンスルポン酸イオン
、メタンスルホン酸イオン、ブタンスルホン酸イオン、
ナフタレン−1,5−ジスルホン酸イオン、トリフルオ
ロメタンスルホン酸イオンなどのパーフルオロスルホン
酸イオン、pp、−。
BF4− 、 ClO4−などであり、特に好ましいも
のは、トリフルオロメタンスルホン酸イオン、PF6−
。
のは、トリフルオロメタンスルホン酸イオン、PF6−
。
ClO4−であり、この中でも、爆発の心配が無い点で
トリフルオロメタンスルホン酸イオンとPF、−とが最
も好ましい。
トリフルオロメタンスルホン酸イオンとPF、−とが最
も好ましい。
上記一般式(II)で表わされる化合物のうち特に好ま
しいのは下記一般式(III)で表わされる化合物であ
る。
しいのは下記一般式(III)で表わされる化合物であ
る。
一般式(II[)
I2
〔ただし、ZllおよびzI2は、アルキル基、アリー
ル基、アルケニル基または置換基を有するこれらの基を
表わし、これらは互いに同一でも異なっていても、ある
いはZll とz12とが互いに連結して環を形成して
も良く、 GOは、NまたはCR16(11716は水素原子、ア
ルキル基または了り−ル基)を表わし、 R11、R12および)llffは、アルキル基、アリ
ール基、アルケニル基または置換基を有するこれらの基
を表わし、互いに同一でも異なっていても、あるいはこ
れらの少なくとも1つの基がLと連結して環を形成して
も良く、 M−は陰イオンを表わし GoはN−R1″と連結して5または6員環を形成する
ための基を表わし、そして L′は一般式(II)において定義したとおりである。
ル基、アルケニル基または置換基を有するこれらの基を
表わし、これらは互いに同一でも異なっていても、ある
いはZll とz12とが互いに連結して環を形成して
も良く、 GOは、NまたはCR16(11716は水素原子、ア
ルキル基または了り−ル基)を表わし、 R11、R12および)llffは、アルキル基、アリ
ール基、アルケニル基または置換基を有するこれらの基
を表わし、互いに同一でも異なっていても、あるいはこ
れらの少なくとも1つの基がLと連結して環を形成して
も良く、 M−は陰イオンを表わし GoはN−R1″と連結して5または6員環を形成する
ための基を表わし、そして L′は一般式(II)において定義したとおりである。
〕
上記一般式(III)において、Z目および212は、
互いに連結して形成されたベンゼン環、ナフタレン環、
置換基を有するベンゼン環または置換基を有するナフタ
レン環であり、Qoは、NまたはC−Hであり、Goが
N R11と連結して形成される5または6員環がイ
ミダゾキノキサリン環、インドレニン環、キノリン環、
ベンゾチアゾール環、ベンゾイミダゾール環またはイミ
ダゾキノリン環であることが好ましい。
互いに連結して形成されたベンゼン環、ナフタレン環、
置換基を有するベンゼン環または置換基を有するナフタ
レン環であり、Qoは、NまたはC−Hであり、Goが
N R11と連結して形成される5または6員環がイ
ミダゾキノキサリン環、インドレニン環、キノリン環、
ベンゾチアゾール環、ベンゾイミダゾール環またはイミ
ダゾキノリン環であることが好ましい。
そして上記一般式(III)で表わされる色素は、特に
下記の一般式([[IA)を有することが好ましい。
下記の一般式([[IA)を有することが好ましい。
〔ただし、1714 、R141、RISおよびR15
1はアルキル基、アルケニル基又は了り−ル基を表わし
、これらは互いに同一でも異なっていても良く、L′、
「は前記定義のとおりである。
1はアルキル基、アルケニル基又は了り−ル基を表わし
、これらは互いに同一でも異なっていても良く、L′、
「は前記定義のとおりである。
上記一般式(III A)においてRI4.17141
.1lls、RIS rおよびTは、さらに置換基を有
していてもよい。これらの置換基のうち好ましいものは
、C1Hanschらによって提唱されている疎水性パ
ラメータ、π、が−1ないし15の範囲の値のものであ
る。なお、疎水性パラメータは次の文献に従って算出す
ることができる。
.1lls、RIS rおよびTは、さらに置換基を有
していてもよい。これらの置換基のうち好ましいものは
、C1Hanschらによって提唱されている疎水性パ
ラメータ、π、が−1ないし15の範囲の値のものであ
る。なお、疎水性パラメータは次の文献に従って算出す
ることができる。
1 ) C,Hanschら、J、Med、Chem
、 、第16巻、1207頁(1973年刊)、 2 ) C,Hanschら、同誌、第20巻、30
4頁(1977年刊) R14、RI4 r 、RISまたはR15′で表わさ
れる基として好ましいものは、置換もしくは無置換のフ
ェニル基、置換もしくは無置換の低級アルキル基(炭素
原子数1〜8)または置換もしくは無置換の低級アルケ
ニル基(炭素原子数は2〜8)であり、さらに上述のC
0Hansch らによって提唱されている疎水性パラ
メータ、π、が−1ないし15の範囲の値の置換基を有
していてもよい。R+4、R141、RISまたはR1
5′が置換基を有する場合において特に好ましい置換基
は、ハロゲン原子(F。
、 、第16巻、1207頁(1973年刊)、 2 ) C,Hanschら、同誌、第20巻、30
4頁(1977年刊) R14、RI4 r 、RISまたはR15′で表わさ
れる基として好ましいものは、置換もしくは無置換のフ
ェニル基、置換もしくは無置換の低級アルキル基(炭素
原子数1〜8)または置換もしくは無置換の低級アルケ
ニル基(炭素原子数は2〜8)であり、さらに上述のC
0Hansch らによって提唱されている疎水性パラ
メータ、π、が−1ないし15の範囲の値の置換基を有
していてもよい。R+4、R141、RISまたはR1
5′が置換基を有する場合において特に好ましい置換基
は、ハロゲン原子(F。
(1,Br、 I) 、置換もしくは無置換のフェニル
基(m−クロロフェニル、p−メチルフェニルなど)ア
ルキルチオ基(例えばメチルチオ、ブチルチオなど)、
置換もしくは無置換のフェニルチオ基(例えばフェニル
チオ、p−クロロフェニルチオ、m−メチルフェニルチ
オなど)、アシルオキシ基である。
基(m−クロロフェニル、p−メチルフェニルなど)ア
ルキルチオ基(例えばメチルチオ、ブチルチオなど)、
置換もしくは無置換のフェニルチオ基(例えばフェニル
チオ、p−クロロフェニルチオ、m−メチルフェニルチ
オなど)、アシルオキシ基である。
R14、R141,11715またはRIS+で表わさ
れる基のうち特に好ましいものは、炭素原子数が2〜8
の無置換アルキル基または炭素原子数が2〜8の無置換
アルケニル基であり、その中でもR14、RI4 r
、RIS 、 RIS Lが同一のものが最も好ましい
。
れる基のうち特に好ましいものは、炭素原子数が2〜8
の無置換アルキル基または炭素原子数が2〜8の無置換
アルケニル基であり、その中でもR14、RI4 r
、RIS 、 RIS Lが同一のものが最も好ましい
。
Tで表わされる原子群の例としては、ベンゼン環、ナフ
タレン環、アンスラセン環を完成するための原子群が挙
げられ、好ましいものはベンゼン環、ナフタレン環を完
成するための原子群であり、さらにRI4、R147、
RISまたはRIS ’上の置換基として述べた置換基
を有してもよい。Tが置換基を有する場合において、特
に好ましい置換基は、ハロゲン原子(F、C1,Br、
I)、置換もしくは無置換のフェニルM(例えばフェニ
ル、m−クロロフェニル、p−メチルフェニルなど)、
アルキルチオ基(例えばメチルチオ、ブチルチオなど)
、置換もしくは無置換のフェニルチオ基(例えばフェニ
ルチオ、p−クロロフェニルチオ、m−メチルフェニル
チオなど)、置換もしくは無置換のアルキル基(例えば
メチル、トリフルオロメチル、tert−アミルなど)
、シアノ基、アルコキシカルボニル基(例えばプロポキ
シカルボニル、ブトキシカルボニル、ベンジルオキシカ
ルボニル、デシルオキシカルボニル、2−エチルへキシ
ルオキシカルボニルなど)、アルキルもしくは了り−ル
スルホニル基(例えばブタンスルホニル、フェニルスル
ホニル、オクタンスルホ、ニルなど)である。
タレン環、アンスラセン環を完成するための原子群が挙
げられ、好ましいものはベンゼン環、ナフタレン環を完
成するための原子群であり、さらにRI4、R147、
RISまたはRIS ’上の置換基として述べた置換基
を有してもよい。Tが置換基を有する場合において、特
に好ましい置換基は、ハロゲン原子(F、C1,Br、
I)、置換もしくは無置換のフェニルM(例えばフェニ
ル、m−クロロフェニル、p−メチルフェニルなど)、
アルキルチオ基(例えばメチルチオ、ブチルチオなど)
、置換もしくは無置換のフェニルチオ基(例えばフェニ
ルチオ、p−クロロフェニルチオ、m−メチルフェニル
チオなど)、置換もしくは無置換のアルキル基(例えば
メチル、トリフルオロメチル、tert−アミルなど)
、シアノ基、アルコキシカルボニル基(例えばプロポキ
シカルボニル、ブトキシカルボニル、ベンジルオキシカ
ルボニル、デシルオキシカルボニル、2−エチルへキシ
ルオキシカルボニルなど)、アルキルもしくは了り−ル
スルホニル基(例えばブタンスルホニル、フェニルスル
ホニル、オクタンスルホ、ニルなど)である。
Tで表わされる原子群のうち特に好ましいものは、ハメ
ットのシグマ定数が−0,2ないし+0.7であるよう
な比較的電子供与性が弱い置換基を有するベンゼン環を
形成するための原子群であり、その中でもF、CA、B
r、1などのハロゲン原子で置換されたベンゼン環を形
成するための原子群が好ましい。
ットのシグマ定数が−0,2ないし+0.7であるよう
な比較的電子供与性が弱い置換基を有するベンゼン環を
形成するための原子群であり、その中でもF、CA、B
r、1などのハロゲン原子で置換されたベンゼン環を形
成するための原子群が好ましい。
次に本発明の一般式(1)で表わされる色素の具体例を
挙げるが、本発明はこれらのみに限定されるものではな
い。
挙げるが、本発明はこれらのみに限定されるものではな
い。
!−3
I−4
しhLl’:+ 間、 L
、112シl帝3■−7 しzHs PF3− 1.;
2H5■−10 ■−12 ニーCaHq 1−C41
1gi−C411q ’+−
CaHqZO4− ■−15 しにυ4− しにU4− (C11□)20czlls (C
1l□) 20C211Scxo、c) ニーCaHq PF6 e ”−C,H・ ■−26 i−C4)1q し!υ4− ■−28 次に本発明の一般式(II)で表わされる化合物をはじ
めとする、一般式(1)の化合物とともに用いられる化
合物の具体例を挙げるが、本発明の範囲はこれらのみに
限定されるものではない。
、112シl帝3■−7 しzHs PF3− 1.;
2H5■−10 ■−12 ニーCaHq 1−C41
1gi−C411q ’+−
CaHqZO4− ■−15 しにυ4− しにU4− (C11□)20czlls (C
1l□) 20C211Scxo、c) ニーCaHq PF6 e ”−C,H・ ■−26 i−C4)1q し!υ4− ■−28 次に本発明の一般式(II)で表わされる化合物をはじ
めとする、一般式(1)の化合物とともに用いられる化
合物の具体例を挙げるが、本発明の範囲はこれらのみに
限定されるものではない。
ロー1
■−3
ll
1]!1
1(il
+1−8
n−i。
■−11
■−12
■−13
i−C,Hq
■−14
しIl、 L;にυm−[;+13■−16
■−17
■−18
しH3しトいυ3− [;H。
■−19
■−20
Il−21
し、u、utu= CMυa−L:zH41X;lh
■−22 ■−23 ■−24 しzH5l−C2H5 ■−25 ■−26 ■−27 ■−28 ■−四 ■−30 ■−31 ■−32 本発明において一般式(1)で表わされる色素と、一般
式(II)で表わされる化合物をはじめとする、これと
併用される化合物との重量比は100:1ないし1 :
10.好ましくは10:1ないし1:5が適当である
。
■−22 ■−23 ■−24 しzH5l−C2H5 ■−25 ■−26 ■−27 ■−28 ■−四 ■−30 ■−31 ■−32 本発明において一般式(1)で表わされる色素と、一般
式(II)で表わされる化合物をはじめとする、これと
併用される化合物との重量比は100:1ないし1 :
10.好ましくは10:1ないし1:5が適当である
。
本発明の一般式(1)および(I[)で表わされる化合
物はたとえば大有機化学(朝倉書店)含窒素化合物I4
32ページなどの底置に記載された方法を参考にして合
成することができる。すなわちΦ−CH,をたとえばヨ
ウ化エチルなどのアルキル化剤と反応させてφ中の窒素
原子をアルキル化してφOC1hlOを得る。(φは一
般式(II)中の定義と同じ。) 次いでこの四級塩を1.1.3.3−テトラメトキシプ
ロパンあるいはグルタコンアルデヒドなどのジアルデヒ
ドや、1,7−ジアザ−1,7−ジフェニル−1,3,
5−ヘプタトリエンなどのポリメチン源と縮合させるこ
とによって合成することができる。とくにイミダゾ(4
,5−b)キノキサリン骨格を有する色素の合成法は米
国特許3.431.111号に記載されている方法を参
考にして合成することができる。
物はたとえば大有機化学(朝倉書店)含窒素化合物I4
32ページなどの底置に記載された方法を参考にして合
成することができる。すなわちΦ−CH,をたとえばヨ
ウ化エチルなどのアルキル化剤と反応させてφ中の窒素
原子をアルキル化してφOC1hlOを得る。(φは一
般式(II)中の定義と同じ。) 次いでこの四級塩を1.1.3.3−テトラメトキシプ
ロパンあるいはグルタコンアルデヒドなどのジアルデヒ
ドや、1,7−ジアザ−1,7−ジフェニル−1,3,
5−ヘプタトリエンなどのポリメチン源と縮合させるこ
とによって合成することができる。とくにイミダゾ(4
,5−b)キノキサリン骨格を有する色素の合成法は米
国特許3.431.111号に記載されている方法を参
考にして合成することができる。
本発明の光記録媒体において、一般式(1)で表わされ
る色素は単独で用いても、2種以上併用してもよく、ま
た読取り耐久性向上のため種々の酸化防止剤や一重項酸
素クエンチャーを併用することも有効である。また、種
々の樹脂を併用してもよい。
る色素は単独で用いても、2種以上併用してもよく、ま
た読取り耐久性向上のため種々の酸化防止剤や一重項酸
素クエンチャーを併用することも有効である。また、種
々の樹脂を併用してもよい。
あるいは遷移金属イオンを添加してキレートを形成させ
て用いることにより耐久性を増すこともできる。
て用いることにより耐久性を増すこともできる。
本発明の光記録媒体に使用されるクエンチャ−としては
、種々のものを用いることができる。このようなりエン
チャーとしては、再生劣化を低下させ、色素との相溶性
が良好な遷移金属錯体が好ましい。この場合、中心金属
として好ましいものは、Ni、 Co、CuSPd、
Ptなどである。
、種々のものを用いることができる。このようなりエン
チャーとしては、再生劣化を低下させ、色素との相溶性
が良好な遷移金属錯体が好ましい。この場合、中心金属
として好ましいものは、Ni、 Co、CuSPd、
Ptなどである。
新規なりエンチャーの例としては次の一般式(A)また
は(B)で示されるものがあげられる。
は(B)で示されるものがあげられる。
♂
(式中、(Cat+)および(Catz)は錯体を中性
ならしめるために必要な陽イオンを示し、M、およびM
2はニッケル、銅、コバルト、パラジウムまたは白金を
示す、nは1または2を示す、)前記一般式(A)また
はCB)で表わされる化合物において、(Ca t l
)または(Cat、)で表わされる陽イオンのうち無機
陽イオンとしては、アルカリ金属(たとえば、Li、
Na、 Kなど)、アルカリ土類金属(Mg、 Ca、
Baなど)もしくはNH,。をあげることができる。
ならしめるために必要な陽イオンを示し、M、およびM
2はニッケル、銅、コバルト、パラジウムまたは白金を
示す、nは1または2を示す、)前記一般式(A)また
はCB)で表わされる化合物において、(Ca t l
)または(Cat、)で表わされる陽イオンのうち無機
陽イオンとしては、アルカリ金属(たとえば、Li、
Na、 Kなど)、アルカリ土類金属(Mg、 Ca、
Baなど)もしくはNH,。をあげることができる。
また有機陽イオンとしては、第四級アンモニウムイオン
または第四級ホスホニウムイオンをあげることができる
。
または第四級ホスホニウムイオンをあげることができる
。
前記一般式(A)または〔B〕で表わされる化合物にお
いてMlまたはM□を好ましい順に挙げるとニッケル、
コバルト、銅、パラジウム、白金の順である。
いてMlまたはM□を好ましい順に挙げるとニッケル、
コバルト、銅、パラジウム、白金の順である。
−m式(A)または(B)の金属錯体は平面四配位の立
体構造を有する。なお一般式(B)の化合物ではチオケ
トン基が中心金属に関して対称又は非対称にあるかは一
義的に決らないが、本発明では便宜的に一般式(B)の
ように表わす。
体構造を有する。なお一般式(B)の化合物ではチオケ
トン基が中心金属に関して対称又は非対称にあるかは一
義的に決らないが、本発明では便宜的に一般式(B)の
ように表わす。
前記一般式(A)または(B)で表わされる化合物は次
のようにして合成することができる。
のようにして合成することができる。
一般式[A)’(n=2)の化合物は二硫化炭素とナト
リウムを反応させて得られるジソディウム=1.3−ジ
チオール−2−チオン−4,5−ジチオレートを先ず、
亜鉛錯体とし、これに塩化ベンゾイルを反応させ、ビス
ベンゾイルチオ体とする。これをアルカリで分解した後
、金属塩を反応させて得られる。
リウムを反応させて得られるジソディウム=1.3−ジ
チオール−2−チオン−4,5−ジチオレートを先ず、
亜鉛錯体とし、これに塩化ベンゾイルを反応させ、ビス
ベンゾイルチオ体とする。これをアルカリで分解した後
、金属塩を反応させて得られる。
又、一般式(A)(n=1)の化合物は、上で得られた
錯体(n=2)を適当な酸化剤で酸化して得られる。
錯体(n=2)を適当な酸化剤で酸化して得られる。
一般式[B)(n=2)の化合物は、先ず、二硫化炭素
とナトリウムを反応させて得られるジソデイウムー1.
3−ジチオール−2−チオン−4゜5−ジチオレートを
、約130℃に加熱してジソデイウムー1.2−ジチオ
ール−3−チオン−4゜5−ジチオレートに異性化させ
る。これを亜鉛錯体とし、これに塩化ベンゾイルを反応
させ、ビスベンゾイルチオ体とする。これをアルカリで
分解した後、金属塩を反応させて得られる。
とナトリウムを反応させて得られるジソデイウムー1.
3−ジチオール−2−チオン−4゜5−ジチオレートを
、約130℃に加熱してジソデイウムー1.2−ジチオ
ール−3−チオン−4゜5−ジチオレートに異性化させ
る。これを亜鉛錯体とし、これに塩化ベンゾイルを反応
させ、ビスベンゾイルチオ体とする。これをアルカリで
分解した後、金属塩を反応させて得られる。
又、一般式CB)(n−1)は上で得られた錯体(Il
−2)を適当な酸化剤で酸化して得られる。
−2)を適当な酸化剤で酸化して得られる。
一般式(A)またはCB)の化合物を得るための中間体
である1、3−ジチオール−2−チオン−4,5−ジチ
オレートアニオンは、上記の如(Naによる還元法の他
に電気化学的な還元によっても得られる。
である1、3−ジチオール−2−チオン−4,5−ジチ
オレートアニオンは、上記の如(Naによる還元法の他
に電気化学的な還元によっても得られる。
前記一般式(A)で表わされる化合物のうち好ましいも
のを例示すれば次の通りである。
のを例示すれば次の通りである。
し−一、−J し−−−−J し−1−
−J し−一一−J1 1
l 1<<<< その他のクエンチャ−としては特開昭59−17829
5号に記載されている化合物などの以下の化合物が挙げ
られる。
−J し−一一−J1 1
l 1<<<< その他のクエンチャ−としては特開昭59−17829
5号に記載されている化合物などの以下の化合物が挙げ
られる。
(i)ビスジチオ−α−ジケトン系
Rl 、 R4はアルキル基、アリール基、アルキルチ
オ基、アリールチオ基、またはシアノ基を表わし、Mは
2価の遷移金属原子を表わす。
オ基、アリールチオ基、またはシアノ基を表わし、Mは
2価の遷移金属原子を表わす。
(ii )ビスフエニルジチオール系
R5、R&はアルキル基、シアノ基またはハロゲン原子
を表わし、Mは2価の遷移金属子を表わす。
を表わし、Mは2価の遷移金属子を表わす。
(iii )アセチルアセトナートキレート系(iv)
ジチオカルバミン酸キレート系(v)ビスフェニルチオ
ール系 (vi)チオカテコールキレート系 (vi)サリチルアルデヒドオキシム系(vii )チ
オビスフェルレートキレート系(i×)亜ホスホン酸キ
レート系 (x)ベンゾエート系 (xi) ヒンダードアミン系 (にif)遷移金属塩 この他次式で表わされるアミニウム系もしくはジイモニ
ウム系化合物が挙げられ、具体例としては日本化薬株式
会社製IRQ−002、I RQ−003、IRQ−0
22、IRG−023が挙げられる。
ジチオカルバミン酸キレート系(v)ビスフェニルチオ
ール系 (vi)チオカテコールキレート系 (vi)サリチルアルデヒドオキシム系(vii )チ
オビスフェルレートキレート系(i×)亜ホスホン酸キ
レート系 (x)ベンゾエート系 (xi) ヒンダードアミン系 (にif)遷移金属塩 この他次式で表わされるアミニウム系もしくはジイモニ
ウム系化合物が挙げられ、具体例としては日本化薬株式
会社製IRQ−002、I RQ−003、IRQ−0
22、IRG−023が挙げられる。
Rz
(式中Rはアルキル基又は了り−ル基を表わす、)本発
明において、前記色素のカチオンと、クエンチャ−のア
ニオンとの結合体を使用することもできる。
明において、前記色素のカチオンと、クエンチャ−のア
ニオンとの結合体を使用することもできる。
クエンチャ−は前記色素1モルあたり1.一般に0.0
5〜12モル、好ましくは0.1〜1.2モル使用され
る。
5〜12モル、好ましくは0.1〜1.2モル使用され
る。
クエンチャ−は色素薄膜記録層に含有させることが好ま
しいが、記録層とは別の層に含有させてもよい。本発明
の光記録媒体には、必要により、さらに基板上に下引き
層を、また記録層上に保護層を、また基板上もしくは記
録層上に反射層を設けることができる。
しいが、記録層とは別の層に含有させてもよい。本発明
の光記録媒体には、必要により、さらに基板上に下引き
層を、また記録層上に保護層を、また基板上もしくは記
録層上に反射層を設けることができる。
基板としては既知のものを任意に使用することができる
。その代表的な例にはガラスまたはプラスチックがあり
、プラスチックとしてはアクリル、ポリカーボネート、
ポリスルホン、ポリイミド、非晶質ポリオレフィン、エ
ポキシ樹脂、ポリエステルなどが用いられる。その形状
はディスク状、カード状、シート状、ロールフィルム状
など種々のものが可能である。
。その代表的な例にはガラスまたはプラスチックがあり
、プラスチックとしてはアクリル、ポリカーボネート、
ポリスルホン、ポリイミド、非晶質ポリオレフィン、エ
ポキシ樹脂、ポリエステルなどが用いられる。その形状
はディスク状、カード状、シート状、ロールフィルム状
など種々のものが可能である。
ガラスまたはプラスチック基板には記録時のトラッキン
グを容易にするために案内溝を形成させてもよい。また
ガラスまたはプラスチック基板にはプラスチックバイン
ダーまたは無機酸化物、無機硫化物などの下引き層を設
けてもよい。基板よりも熱伝導率の低い下引き層が好ま
しい。また記録層同士を内側にして2枚の記録媒体を対
向させたいわゆるエアーサンドインチ構造にすることも
可能である。
グを容易にするために案内溝を形成させてもよい。また
ガラスまたはプラスチック基板にはプラスチックバイン
ダーまたは無機酸化物、無機硫化物などの下引き層を設
けてもよい。基板よりも熱伝導率の低い下引き層が好ま
しい。また記録層同士を内側にして2枚の記録媒体を対
向させたいわゆるエアーサンドインチ構造にすることも
可能である。
本発明における記録層の形成は、例えば、一般式(1)
で表わされる色素およびクエンチャ−を有機溶剤(例え
ばメタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、
2.2,3.3−テトラフルオロプロパツールなどのフ
ッ素化アルコール類、ジクロロメタン、ジクロロエタン
、アセトンなど)に溶解し、必要に応じて適当なバイン
ダー(例えばPVA5PVP、ポリビニルブチラール、
ポリカーボネート、ニトロセルロース、ポリビニルホル
マール、メチルビニルエーテル、塩素化パラフィン、無
水マレイン酸共重合体、スチレン−ブタジェン共重合体
、キシレン系樹脂)を加え、この溶液を塗布(例えばス
ピンコード)することによって行なえるし、又は色素と
クエンチャ−を共蒸着するかあるいは一般式(1)で表
わされる色素を真空蒸着したのち、クエンチャ−を塗布
することによって行なえる。バインダーを使用する場合
には、バインダーの重量は色素重量の0.01〜2倍が
好ましい。また一般式(1)の色素をいわゆるラングミ
ュア−プロジェット法により薄膜として用いることもで
きる。
で表わされる色素およびクエンチャ−を有機溶剤(例え
ばメタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、
2.2,3.3−テトラフルオロプロパツールなどのフ
ッ素化アルコール類、ジクロロメタン、ジクロロエタン
、アセトンなど)に溶解し、必要に応じて適当なバイン
ダー(例えばPVA5PVP、ポリビニルブチラール、
ポリカーボネート、ニトロセルロース、ポリビニルホル
マール、メチルビニルエーテル、塩素化パラフィン、無
水マレイン酸共重合体、スチレン−ブタジェン共重合体
、キシレン系樹脂)を加え、この溶液を塗布(例えばス
ピンコード)することによって行なえるし、又は色素と
クエンチャ−を共蒸着するかあるいは一般式(1)で表
わされる色素を真空蒸着したのち、クエンチャ−を塗布
することによって行なえる。バインダーを使用する場合
には、バインダーの重量は色素重量の0.01〜2倍が
好ましい。また一般式(1)の色素をいわゆるラングミ
ュア−プロジェット法により薄膜として用いることもで
きる。
本発明における記録層は1層又は2層以上設ける。
記録層内又はこれに隣接する層内には、色素の劣化を防
ぐため、酸化防止剤もしくは褪色防止剤を存在させても
よい。
ぐため、酸化防止剤もしくは褪色防止剤を存在させても
よい。
記録層の膜厚は、通常0.01μm〜2μm、好ましく
は0.02〜0.8μmの範囲である。
は0.02〜0.8μmの範囲である。
半導体レーザまたはHe −Neレーザなどの反射層を
設ける場合は、基板に反射層を設は次にこの反射層の上
に前述したような方式によって記録層を設けることによ
るか、あるいは基板に記録層を設け、次いでこの上に反
射層を設けるかのいずれかの方法がある。
設ける場合は、基板に反射層を設は次にこの反射層の上
に前述したような方式によって記録層を設けることによ
るか、あるいは基板に記録層を設け、次いでこの上に反
射層を設けるかのいずれかの方法がある。
反射層は蒸着法、スパッタリング法、イオンブレーティ
ング法な2の他、次のような方法によって作ることがで
きる。
ング法な2の他、次のような方法によって作ることがで
きる。
例えば水溶性樹脂(PVP、PVAなど)に金属塩また
は、金属錯塩を溶解させ、さらに、還元剤を加えた溶液
を基板に塗布し、50℃〜150℃好ましくは60℃〜
100℃で加熱乾燥させることによって形成される。
は、金属錯塩を溶解させ、さらに、還元剤を加えた溶液
を基板に塗布し、50℃〜150℃好ましくは60℃〜
100℃で加熱乾燥させることによって形成される。
樹脂に対する金属塩または金属錯塩の量は重量比でO0
1〜工0好ましくは0.5〜1.5である。この際、記
録層の膜厚は金属粒子反射層が0.01〜0.1μmで
ありそして光吸収層が0.01〜1μmの範囲が適当で
ある。
1〜工0好ましくは0.5〜1.5である。この際、記
録層の膜厚は金属粒子反射層が0.01〜0.1μmで
ありそして光吸収層が0.01〜1μmの範囲が適当で
ある。
金属塩または金属錯塩としては、硝酸銀、シアン化銀カ
リウム、シアン化金カリウム、銀アンミン錯体、銀シア
ン錯体、金塩または金シアン錯体などを使用できる。還
元剤としてはホルマリン、酒石酸、酒石酸塩、還元剤、
次亜燐酸塩、水素化硼素ナトリウム、ジメチルアミンボ
ランなどを使用できる。還元剤は金属塩または金属錯塩
1モルに対し0.2〜10モル好ましくは0.5〜4モ
ルの範囲で使用できる。
リウム、シアン化金カリウム、銀アンミン錯体、銀シア
ン錯体、金塩または金シアン錯体などを使用できる。還
元剤としてはホルマリン、酒石酸、酒石酸塩、還元剤、
次亜燐酸塩、水素化硼素ナトリウム、ジメチルアミンボ
ランなどを使用できる。還元剤は金属塩または金属錯塩
1モルに対し0.2〜10モル好ましくは0.5〜4モ
ルの範囲で使用できる。
本発明の光記録媒体において、情報の記録はレーザ(例
えば半導体レーザ、He −Neレーザなど)などのス
ポット状の高エネルギービームを基板を通しであるいは
基板と反対側より記録層に照射することにより行われ、
記録層に吸収された光が熱に変換され、記録層にビット
(穴)が形成される。
えば半導体レーザ、He −Neレーザなど)などのス
ポット状の高エネルギービームを基板を通しであるいは
基板と反対側より記録層に照射することにより行われ、
記録層に吸収された光が熱に変換され、記録層にビット
(穴)が形成される。
また情報の読み出しはレーザビームを記録の閾値エネル
ギー以下の低出力で照射し、ビア)部とピットが形成さ
れていない部分の反射光量もしくは透過光量の変化を検
出することにより行われる。
ギー以下の低出力で照射し、ビア)部とピットが形成さ
れていない部分の反射光量もしくは透過光量の変化を検
出することにより行われる。
以下、実施例を挙げて本発明の詳細な説明するが、本発
明の範囲はこれらのみに限定されるものではない。
明の範囲はこれらのみに限定されるものではない。
実施例1゜
表1に示す化合物の1%1.2−ジクロロエタン溶液を
表面硬化した溝付アクリル板(1,6μピツチ、深さ7
50人)にスピンコードするか、あるいは1%2.2.
3.3−テトラフルオロプロパツール溶液を射出成形し
た溝付ポリカーボネート板(1,6μピツチ、深さ75
0人)にスピンコードシて乾燥した。こうして作成した
記録媒体に下記の条件で記録、再生を行ない、結果を表
1に示した。この表から本発明の記録媒体(試料番号1
0〜21)は高反射率を示すと同時に吸光率も高く、高
いC/Nを与えることがわかる。なお−形式(りで表わ
される化合物と併用する色素(−形式(n)で表わされ
る色素など)と−形式(I)で表わされる色素との混合
比は1:4であった。
表面硬化した溝付アクリル板(1,6μピツチ、深さ7
50人)にスピンコードするか、あるいは1%2.2.
3.3−テトラフルオロプロパツール溶液を射出成形し
た溝付ポリカーボネート板(1,6μピツチ、深さ75
0人)にスピンコードシて乾燥した。こうして作成した
記録媒体に下記の条件で記録、再生を行ない、結果を表
1に示した。この表から本発明の記録媒体(試料番号1
0〜21)は高反射率を示すと同時に吸光率も高く、高
いC/Nを与えることがわかる。なお−形式(りで表わ
される化合物と併用する色素(−形式(n)で表わされ
る色素など)と−形式(I)で表わされる色素との混合
比は1:4であった。
記録及び再生条件
レーザ :半導体レーザ(GaA I As)レ
ーザーの波長 :830nm ビーム径 =1.6μ請 線 速 :5m/s m/式ワー :2〜10mW 記録周波数 :2.5M)1g 記録デエーティー二50% 再生パワー :0.4mW 〔発明の効果〕 本発明の光情報記録媒体は、同一波長のレーザー光線に
対する反射率及び吸収率が高いので、同一波長のレーデ
−光線を用いて情報の記録及び読み取りを十分に行うこ
とができる。また、反射率が高いために読み取り装置の
負担が軽減し、しかも吸光率はピット形成に十分な範囲
にあり、その結果、C/N比も向上する。
ーザーの波長 :830nm ビーム径 =1.6μ請 線 速 :5m/s m/式ワー :2〜10mW 記録周波数 :2.5M)1g 記録デエーティー二50% 再生パワー :0.4mW 〔発明の効果〕 本発明の光情報記録媒体は、同一波長のレーザー光線に
対する反射率及び吸収率が高いので、同一波長のレーデ
−光線を用いて情報の記録及び読み取りを十分に行うこ
とができる。また、反射率が高いために読み取り装置の
負担が軽減し、しかも吸光率はピット形成に十分な範囲
にあり、その結果、C/N比も向上する。
Claims (1)
- (1)少なくとも1種の下記一般式( I )で表わされ
る色素と少なくとも1種の760nmないし850nm
の波長の光を吸収する色素とを同一基板上に担持せしめ
たことを特徴とする、760nmないし850nmの波
長のレーザー光線を用いて記録、再生、あるいは消去を
行なうための光情報記録媒体。 一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔ただし、Z^1およびZ^2は、アルキル基、アリー
ル基、アルケニル基または置換基を有するこれらの基を
表わし、これらは互いに同一でも異なっていても、ある
いはZ^1とZ^2とが互いに連結して環を形成しても
良く、 Qは、NまたはC−R^6(R^6は水素原子、アルキ
ル基またはアリール基)を表わし、 R^1、R^2およびR^3は、アルキル基、アリール
基、アルケニル基または置換基を有するこれらの基を表
わし、互いに同一でも異なっていても、あるいはこれら
の少なくとも1つの基がLと連結して環を形成しても良
く、 X^−は陰イオンを表わし、 GはN−R^3と連結して5または6員環を形成するた
めの基を表わし、そして Lは5個のメチン基または置換メチン基が共役二重結合
を形成するように連結されて形成される三価の基を表わ
す〕
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63123589A JP2588422B2 (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63123589A JP2588422B2 (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 光情報記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01291987A true JPH01291987A (ja) | 1989-11-24 |
JP2588422B2 JP2588422B2 (ja) | 1997-03-05 |
Family
ID=14864338
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63123589A Expired - Fee Related JP2588422B2 (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2588422B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5419999A (en) * | 1990-03-27 | 1995-05-30 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Optical recording medium and recording/reproducing method therefor |
JP2006021543A (ja) * | 2005-09-20 | 2006-01-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光情報記録媒体及び情報の記録方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59198193A (ja) * | 1983-04-26 | 1984-11-09 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
JPS60118748A (ja) * | 1983-12-01 | 1985-06-26 | Tdk Corp | 光安定化シアニン色素およびその製造方法 |
JPS60162691A (ja) * | 1984-02-03 | 1985-08-24 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
-
1988
- 1988-05-20 JP JP63123589A patent/JP2588422B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59198193A (ja) * | 1983-04-26 | 1984-11-09 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
JPS60118748A (ja) * | 1983-12-01 | 1985-06-26 | Tdk Corp | 光安定化シアニン色素およびその製造方法 |
JPS60162691A (ja) * | 1984-02-03 | 1985-08-24 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5419999A (en) * | 1990-03-27 | 1995-05-30 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Optical recording medium and recording/reproducing method therefor |
JP2006021543A (ja) * | 2005-09-20 | 2006-01-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光情報記録媒体及び情報の記録方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2588422B2 (ja) | 1997-03-05 |
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R370 | Written measure of declining of transfer procedure |
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