JPH0113216B2 - - Google Patents
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- JPH0113216B2 JPH0113216B2 JP7055580A JP7055580A JPH0113216B2 JP H0113216 B2 JPH0113216 B2 JP H0113216B2 JP 7055580 A JP7055580 A JP 7055580A JP 7055580 A JP7055580 A JP 7055580A JP H0113216 B2 JPH0113216 B2 JP H0113216B2
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- JP
- Japan
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- electrode
- base
- emitter
- insulating film
- forming
- Prior art date
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- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の多層電極の形成方法に関
する。
する。
従来の半導体装置の多層電極では第１層目の電
極と第２層目の電極とを絶縁物層を介して形成
し、第２層目の電極はボンデイングパツドとなる
ため大きく第１層目の電極と完全に重なつてしま
う。この結果第１層目の電極に起因する不良例え
ば第１層目電極の短絡は第２層目電極の存在の故
に完成後は発見できない危惧を有していた。
極と第２層目の電極とを絶縁物層を介して形成
し、第２層目の電極はボンデイングパツドとなる
ため大きく第１層目の電極と完全に重なつてしま
う。この結果第１層目の電極に起因する不良例え
ば第１層目電極の短絡は第２層目電極の存在の故
に完成後は発見できない危惧を有していた。
本発明は斯点に鑑みてなされ、従来の欠点を完
全に除去した半導体装置の多層電極の形成方法を
提供するものであり、以下に第１図乃至第４図を
参照して本発明の一実施例を詳述する。
全に除去した半導体装置の多層電極の形成方法を
提供するものであり、以下に第１図乃至第４図を
参照して本発明の一実施例を詳述する。
第１図に示す如くシリコン半導体基板１にベー
ス領域２およびエミツタ領域３の如き拡散領域を
形成し、基板１表面はシリコン酸化膜の様な第１
絶縁膜４で被覆する。ベースおよびエミツタ領域
２，３上の第１絶縁膜４に選択エツチングにより
コンタクト孔を形成しアルミニウムの如き導電金
属を蒸着してベースおよびエミツタ領域２，３に
オーミツク接触し第１絶縁膜４上に拡がる第１電
極となるベースおよびエミツタ電極５，６を形成
する。本工程で本発明の特徴とするモニター電極
７を第４図に示す如く拡散領域外の不活性な部分
の第１絶縁膜４上に同時に形成する。モニター電
極７は第１電極となるベースおよびエミツタ電極
５，６と同じ離間距離を有する複数本のストライ
プ状に形成され、第１電極の形状に類似させて形
成する。
ス領域２およびエミツタ領域３の如き拡散領域を
形成し、基板１表面はシリコン酸化膜の様な第１
絶縁膜４で被覆する。ベースおよびエミツタ領域
２，３上の第１絶縁膜４に選択エツチングにより
コンタクト孔を形成しアルミニウムの如き導電金
属を蒸着してベースおよびエミツタ領域２，３に
オーミツク接触し第１絶縁膜４上に拡がる第１電
極となるベースおよびエミツタ電極５，６を形成
する。本工程で本発明の特徴とするモニター電極
７を第４図に示す如く拡散領域外の不活性な部分
の第１絶縁膜４上に同時に形成する。モニター電
極７は第１電極となるベースおよびエミツタ電極
５，６と同じ離間距離を有する複数本のストライ
プ状に形成され、第１電極の形状に類似させて形
成する。
次に第２図に示す様に第１電極およびモニター
電極７を被覆する様に第２絶縁膜８を付着する。
第２絶縁膜８としてはポリイミド、CVD酸化膜
あるいはシリコン窒化膜が適している。モニター
電極７上の第２絶縁膜４は平担であるのでモニタ
ー電極７のパターンが第２絶縁膜４を通して見え
る。
電極７を被覆する様に第２絶縁膜８を付着する。
第２絶縁膜８としてはポリイミド、CVD酸化膜
あるいはシリコン窒化膜が適している。モニター
電極７上の第２絶縁膜４は平担であるのでモニタ
ー電極７のパターンが第２絶縁膜４を通して見え
る。
続いて第３図に示す様に第１電極上の第２絶縁
膜８に選択エツチングによりコンタクト孔を形成
し第１電極を露出させ、アルミニウムの如き導電
金属を蒸着して第１電極にオーミツク接触する第
２電極９を第２絶縁膜８上に形成する。第２電極
は前述したモニター電極７と絶対に重ならない様
に設計される。第４図で実線は第１電極とモニタ
ー電極であり、点線は第２電極である。
膜８に選択エツチングによりコンタクト孔を形成
し第１電極を露出させ、アルミニウムの如き導電
金属を蒸着して第１電極にオーミツク接触する第
２電極９を第２絶縁膜８上に形成する。第２電極
は前述したモニター電極７と絶対に重ならない様
に設計される。第４図で実線は第１電極とモニタ
ー電極であり、点線は第２電極である。
斯上した本発明の多層電極では第２電極により
第１電極が覆われてもモニター電極７により第１
電極の形状モニターが行なえる。このため第１電
極のエツチング不良による電極短絡はモニター電
極にも同様に現れるので完成後であつても第１電
極の不良を容易に確認でき不良原因を正確に判別
できる。またモニター電極７の位置から第１電極
の形状も推測できる利点も有している。
第１電極が覆われてもモニター電極７により第１
電極の形状モニターが行なえる。このため第１電
極のエツチング不良による電極短絡はモニター電
極にも同様に現れるので完成後であつても第１電
極の不良を容易に確認でき不良原因を正確に判別
できる。またモニター電極７の位置から第１電極
の形状も推測できる利点も有している。
第１図乃至第３図は本発明を説明する断面図、
第４図は本発明のモニター電極を説明する上面図
である。 主な図番の説明、１は半導体基板、５，６は第
１電極、７はモニター電極、８は第２絶縁膜、９
は第２電極である。
第４図は本発明のモニター電極を説明する上面図
である。 主な図番の説明、１は半導体基板、５，６は第
１電極、７はモニター電極、８は第２絶縁膜、９
は第２電極である。
Claims (1)
- １ 所望のベースおよびエミツタ拡散領域を有す
る半導体基板の一主面を被覆する第１絶縁膜上に
前記ベースおよびエミツタ拡散領域と夫々オーミ
ツク接触する第１ベースおよびエミツタ電極を形
成し前記第１ベースおよびエミツタ電極を被覆す
る第２絶縁膜を形成し前記第１ベースおよびエミ
ツタ電極上の第２絶縁膜にコンタクト孔をエツチ
ングして形成し前記第２絶縁膜上に前記第１エミ
ツタ電極とオーミツク接触し前記第１エミツタ電
極全体および前記第１ベース電極の大部分と重な
る第２エミツタ電極および前記第１ベース電極と
オーミツク接触する第２ベース電極とを形成する
半導体装置の多層電極の形成方法に於いて、前記
第１絶縁膜上に第１ベースおよびエミツタ電極と
同時に形成し前記ベースおよびエミツタ拡散領域
以外の不活性な部分に前記第１ベースおよびエミ
ツタ電極と類似し同じ離間距離を有したエツチン
グのモニター電極を設け前記第２ベースおよびエ
ミツタ電極形成後の前記第１電極のエツチングの
平面的形状モニターとすることを特徴とした半導
体装置の多層電極の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7055580A JPS5723220A (en) | 1980-05-26 | 1980-05-26 | Formation of multilayer electrode for semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7055580A JPS5723220A (en) | 1980-05-26 | 1980-05-26 | Formation of multilayer electrode for semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5723220A JPS5723220A (en) | 1982-02-06 |
| JPH0113216B2 true JPH0113216B2 (ja) | 1989-03-03 |
Family
ID=13434881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7055580A Granted JPS5723220A (en) | 1980-05-26 | 1980-05-26 | Formation of multilayer electrode for semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5723220A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04145210A (ja) * | 1990-12-15 | 1992-05-19 | Aoyama Seisakusho:Kk | ワッシャ組込みボルトの製造法 |
-
1980
- 1980-05-26 JP JP7055580A patent/JPS5723220A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5723220A (en) | 1982-02-06 |
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