JPH08181123A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】オーバーエッチングによるポリシリコン層への
ダメージを軽減する。 【作用】半導体装置の縦構造の中で深い部分にある拡散
層３と、比較的浅い部分にある第２のポリシリコン層６
へ同時エッチングが行われる際に、当該第２のポリシリ
コン層６を第１のポリシリコン層から成るダミーパター
ン４で囲まれた範囲で内部に傾斜させているため、第２
のポリシリコン層６の垂直方向の厚みが実質的に増加
し、このためオーバーエッチングされてもエッチングの
マージンが増加し、突き抜けが防止される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板上に選択酸
化膜を形成する工程と、前記選択酸化膜を除く半導体基
板上に拡散層を形成する工程と、前記半導体基板上に第
１のポリシリコン層を形成する工程と、前記第１のポリ
シリコン層を被覆する第１の層間絶縁膜を形成する工程
と、前記第１の層間絶縁膜上に第２のポリシリコン層を
形成する工程と、前記第２のポリシリコン層を被覆する
第２の層間絶縁膜を形成する工程と、前記第２のポリシ
リコン層及び前記拡散層上にコンタクト孔を同時形成す
るエッチング工程とを具備する半導体装置の製造方法に
関する。

【０００２】

【従来の技術】此種の従来の半導体装置の製造プロセス
について図５を基に説明する。図５に示す１１は半導体
基板で、先ず該半導体基板１１上に素子分離用の選択酸
化膜１２（ＬＯＣＯＳ）を形成する。次工程で、当該選
択酸化膜１２を除く半導体基板１１上に拡散層１３を形
成する。

【０００３】次工程で、図示しない第１のポリシリコン
層を形成し、これら選択酸化膜１２及び拡散層１３上の
全面に平坦に第１の層間絶縁膜１４を付着する。次工程
で、前記選択酸化膜１３の上方の第１の層間絶縁膜１４
上に第２のポリシリコン層１５を形成する。そして、前
記第２のポリシリコン層１５を第２の層間絶縁膜１６で
被覆した後、図示しないレジスト膜をマスクにしてエッ
チング処理して、図に示すように前記拡散層１３及び第
２のポリシリコン層１５への同時エッチングを行う。そ
のため、図に示すように半導体装置の縦構造の中で深い
部分にある拡散層１３と比較的浅い部分にある第２のポ
リシリコン層１５では、浅い部分にある第２のポリシリ
コン層１５上に早くコンタクト孔１７が形成され、拡散
層１３までコンタクト孔１７が形成されるまで前記ポリ
シリコン層１５がオーバーエッチングされる。このた
め、図に示すようにポリシリコン層１５が薄くなった
り、ひどい場合には突き抜けてしまうおそれがある。

【０００４】また、前述したポリシリコン層１５へのオ
ーバーエッチングによる突き抜けを防止するため、ポリ
シリコン層を厚くすることも考えられるが、それでは半
導体装置全体が厚くなってしまうことになり、好ましく
ない。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明はオー
バーエッチングによるポリシリコン層へのダメージを軽
減することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】そこで本発明は、半導体
基板上に選択酸化膜を形成する工程と、前記選択酸化膜
を除く半導体基板上に拡散層を形成する工程と、前記半
導体基板上に第１のポリシリコン層を形成する工程と、
前記第１のポリシリコン層を被覆する第１の層間絶縁膜
を形成する工程と、前記第１の層間絶縁膜上に第２のポ
リシリコン層を形成する工程と、前記第２のポリシリコ
ン層を被覆する第２の層間絶縁膜を形成する工程と、前
記第２のポリシリコン層及び前記拡散層上にコンタクト
孔を同時形成するエッチング工程とを具備する半導体装
置の製造方法において、前記第２のポリシリコン層上の
コンタクト孔を囲むように第１のポリシリコン層から成
るダミーパターンを形成することにより、前記第２のポ
リシリコン層に傾斜を設けてコンタクト孔のエッチング
工程を行うものである。

【０００７】

【作用】以上の構成から、半導体装置の縦構造の中で深
い部分にある拡散層と、比較的浅い部分にある第２のポ
リシリコン層へ同時エッチングが行われる際に、当該第
２のポリシリコン層を第１のポリシリコン層から成るダ
ミーパターンで囲まれた範囲で内部に傾斜させているた
め、第２のポリシリコン層の垂直方向の厚みが実質的に
増加し、このためオーバーエッチングされてもエッチン
グのマージンが増加し、突き抜け等が防止される。

【０００８】

【実施例】以下、本発明の一実施例を図に基づき詳述す
る。図１に示す１は半導体基板で、先ず該半導体基板１
上におよそ４０００Å程の素子分離用の選択酸化膜２
（ＬＯＣＯＳ）を形成し、次工程で当該選択酸化膜２を
除いた前記半導体基板１上に拡散層３を形成する。

【０００９】続いて、前記選択酸化膜２上に後述するコ
ンタクト孔形成工程で形成するコンタクト孔８を囲むよ
うに例えばおよそ４０００Å程の第１のポリシリコン層
から成るダミーパターン４を形成する。この第１のポリ
シリコン層は、ゲート電極や配線等の形成にも用いられ
る。次工程で、図２に示すようにこれらその上面にダミ
ーパターン４を形成した選択酸化膜２や前記拡散層３上
の全面に平坦に第１の層間絶縁膜５を付着する。尚、ダ
ミーパターン４上面から当該第１の層間絶縁膜５上面ま
ではおよそ２０００Å程である。

【００１０】次工程で、前記選択酸化膜２の上方の第１
の層間絶縁膜５上に電極用の第２のポリシリコン層６を
形成する。このとき、図２に示すように当該第２のポリ
シリコン層６は前記ダミーパターン４により当該ダミー
パターン４で囲まれた範囲で内部に傾斜面を形成する。
そして、図３に示すように前記第２のポリシリコン層６
上層面からおよそ２０００Åの厚さで第２の層間絶縁膜
７を平坦に堆積する。この第２の層間絶縁膜７は、例え
ばＬＰＣＶＤ等のカバリジの良好な方法で形成するの
で、図に示すような傾斜面の第２のポリシリコン層６に
対しても同等の膜厚にデポジションすることができる。

【００１１】続いて、図４に示すように図示しないレジ
スト膜をマスクにして異方性エッチング処理して、図に
示すように前記拡散層３及び第２のポリシリコン層６へ
の同時エッチングを行う。このとき、前述したように前
記第２のポリシリコン層６は前記ダミーパターン４で囲
まれた範囲で内部に傾斜しているので、第２のポリシリ
コン層６の垂直方向の厚みが実質的に増加している。こ
のため、オーバーエッチングされてもエッチングのマー
ジンが増加し、突き抜け等を防止できる。

【００１２】

【発明の効果】以上、本発明によれば半導体装置の縦構
造の中で深い部分にある拡散層と、比較的浅い部分にあ
る第２のポリシリコン層への同時エッチングを行いコン
タクト孔を形成するものにおいて、第１のポリシリコン
層から成るダミーパターンにより、コンタクト孔部分は
傾斜面に仕上がっているので前記第２のポリシリコン層
の厚みは実質的に増加しており、特にコンタクトエッチ
ングを異方性で行う場合、垂直方向の厚みが増すことに
より、エッチングのマージンが増すという利点がある。

【００１３】更に、本発明は工程を追加することなしに
第１のポリシリコン層からダミーパターンを形成するこ
とができ、生産性がよいという利点もある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体装置の製造プロセスを説明する
断面図である。

【図２】同じく半導体装置の製造プロセスを説明する断
面図である。

【図３】同じく半導体装置の製造プロセスを説明する断
面図である。

【図４】同じく半導体装置の製造プロセスを説明する断
面図である。

【図５】従来の半導体装置の製造プロセスを説明する断
面図である。

【符号の説明】

１ 半導体基板 ２ 選択酸化膜 ３ 拡散層 ４ ダミーパターン（第１のポリシリコン層） ５ 第１の層間絶縁膜 ６ 第２のポリシリコン層 ７ 第２の層間絶縁膜 ８ コンタクト孔

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体基板上に選択酸化膜を形成する工
   程と、前記選択酸化膜を除く半導体基板上に拡散層を形
   成する工程と、前記半導体基板上に第１のポリシリコン
   層を形成する工程と、前記第１のポリシリコン層を被覆
   する第１の層間絶縁膜を形成する工程と、前記第１の層
   間絶縁膜上に第２のポリシリコン層を形成する工程と、
   前記第２のポリシリコン層を被覆する第２の層間絶縁膜
   を形成する工程と、前記第２のポリシリコン層及び前記
   拡散層上にコンタクト孔を同時形成するエッチング工程
   とを具備する半導体装置の製造方法において、前記第２
   のポリシリコン層上のコンタクト孔を囲むように第１の
   ポリシリコン層から成るダミーパターンを形成すること
   により、前記第２のポリシリコン層に傾斜を設けてコン
   タクト孔のエッチング工程を行うことを特徴とする半導
   体装置の製造方法。
2. 【請求項２】 前記エッチングは異方性エッチングであ
   ることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造
   方法。