JP2002164381A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

半導体装置及びその製造方法

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JP2002164381A JP2000360812A JP2000360812A JP2002164381A JP 2002164381 A JP2002164381 A JP 2002164381A JP 2000360812 A JP2000360812 A JP 2000360812A JP 2000360812 A JP2000360812 A JP 2000360812A JP 2002164381 A JP2002164381 A JP 2002164381A
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film
polysilicon layer
semiconductor device
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Toshiyuki Ueno
俊幸 上野
Aiko Ikeda
藍子 池田
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ワイヤボンディング時の加熱温度を十分に高
くすることができない場合であっても、良好なワイヤボ
ンディング特性を得ることが可能な半導体装置及びその
製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 カラー用のＣＣＤ固体撮像素子のパッド
電極部において、第１のポリシリコン層１４や凸形状の
ポリシリコン層１８ａ等からなる下地層の表面が凹凸形
状をなしているため、その上に形成されたＡｌパッド電
極２２表面も、下地層の表面形状に対応した凹凸形状と
なっている。それ故、このＡｌパッド電極２２とその表
面にボンディングされたＡｕワイヤ２６とが接合してい
る界面は、凹凸形状が互いに嵌合した状態となり、その
接触面積が増大して、両者の密着性が向上するため、カ
ラーフィルタへの影響等を考慮して、ボンディング時の
加熱温度を通常のＩＣの場合の３００℃前後から例えば
１６０〜２００℃にまで大幅に下げても、必要十分な接
合強度を実現して、良好なワイヤボンディング特性が得
られる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置及びその
製造方法に係り、特に接続ワイヤがボンディングされる
パッド電極を有する半導体装置及びその製造方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の組立工程においては、半導
体チップとパッケージとを電気的に接続する方法の一つ
として、半導体チップ表面のパッド電極とパッケージの
インナーリードとを金属ワイヤで結線するワイヤボンデ
ィングが用いられている。そして、このワイヤボンディ
ングにおいて、金属ワイヤをパッド電極やインナーリー
ドに接合する際には、熱と荷重を付加する熱圧着法や、
これに更に超音波を付加する超音波併用熱圧着法などが
用いられている。そして、その際の加熱温度は、半導体
チップの種類によって種々の条件があるが、例えば通常
のＩＣ（集積回路）においては３００℃前後である。
【０００３】また、ワイヤボンディングの対象となるパ
ッド電極としては、Ａｌ（アルミニウム）電極が一般的
であるが、その構造については、近年種々の工夫がなさ
れている。例えば特開平１０−３２１８２８号公報に記
載の図１に示されるように、固体撮像素子のＡｌパッド
電極の下層に例えばポリシリコン層を形成した２層構造
のパッド電極部が提案されている。これは、ウェーハ・
プロセス終了後のプローブ・テストにおいて、プローブ
針をＡｌパッド電極に当てる際に、プローブ針がパッド
電極を突き破ってしまうことを防止するためである。な
お、この下層ポリシリコン層は、ポリシリコン層からな
る配線層を形成する際に、同時的に形成されるため、工
程数の増加を招くものではない。
【０００４】更に、最近においては、固体撮像素子のＡ
ｌパッド電極の下層に設けるポリシリコン層として、１
層だけでは十分ではなく、２層のポリシリコン層を設け
る場合もある。即ち、図８（ａ）及びそのＢ部を拡大し
た図８（ｂ）に示されるように、固体撮像素子のパッド
電極部においては、所定の素子が形成された半導体基板
１０上に、絶縁膜１２を介して、第１のポリシリコン層
１４が堆積されている。また、この第１のポリシリコン
層１４上に、熱酸化薄膜１６を介して、第２のポリシリ
コン層１８が形成されている。更に、この第２のポリシ
リコン層１８上に、ＢＰＳＧ（Boro-Phospho-Silicate
Glass）薄膜２０を介して、Ａｌパッド電極２２ｘが形
成されている。そして、このようなパッド電極部におけ
る第１のポリシリコン層１４、熱酸化薄膜１６、第２の
ポリシリコン層１８、及びＢＰＳＧ薄膜２０がＡｌパッ
ド電極２２ｘの下地層をなして、プローブ・テストの際
のプローブ針によるＡｌパッド電極２２ｘの破損を防止
している。
【０００５】また、固体撮像素子の全面を被覆している
絶縁膜２４に開口された開口部により、パッド電極部に
おけるＡｌパッド電極２２ｘ表面は露出している。そし
て、この絶縁膜２４の開口部に露出したＡｌパッド電極
２２ｘ表面に、例えばＡｕ（金）ワイヤ２６ｘを用いて
ワイヤボンディングすると、図９（ａ）及びそのＢ部を
拡大した図９（ｂ）に示されるようになる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、例えば
カラー用のＣＣＤ（Charge Coupled Device）撮像素子
を作製する場合、上記図９（ａ）、（ｂ）に示されるよ
うなワイヤボンディングを行う際には、カラーフィルタ
への影響等を考慮すると、ワイヤボンディング時の加熱
温度を通常のＩＣの場合のように３００℃前後まで上げ
ることは好ましくない。従って、現在の加熱温度は例え
ば１６０〜２００℃に設定されている。
【０００７】このため、パッド電極部におけるＡｌパッ
ド電極２２ｘとＡｕワイヤ２６ｘとの接合強度は通常の
ＩＣの場合よりも脆弱となり、Ａｌパッド電極２２ｘの
表面状態や膜厚によっては一旦ボンディングしたＡｕワ
イヤ２６ｘがＡｌパッド電極２２ｘ表面から剥離して、
特性不良を生じたり、信頼性の劣化を招いたりする恐れ
が生じる。
【０００８】そこで本発明は、上記事情に鑑みてなされ
たものであって、ワイヤボンディング時の加熱温度を十
分に高くすることができない場合であっても、良好なワ
イヤボンディング特性を得ることが可能な半導体装置及
びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題は、以下に述べ
る本発明に係る半導体装置及びその製造方法によって達
成される。即ち、請求項１に係る半導体装置は、接続ワ
イヤがボンディングされるパッド電極を有する半導体装
置であって、このパッド電極表面が、凹凸形状となって
いることを特徴とする。
【００１０】このように請求項１に係る半導体装置にお
いては、パッド電極表面が凹凸形状となっていることに
より、このパッド電極表面に接続ワイヤがボンディング
された場合、パッド電極表面と接続ワイヤとの接触面積
が増大し、両者の密着性が向上するため、たとえワイヤ
ボンディング時の加熱温度が従来よりも低温に設定され
ても、必要十分な接合強度が実現され、ボンディング不
良が防止される。
【００１１】なお、上記請求項１に係る半導体装置にお
いて、パッド電極の下に下層膜が設けられており、この
下層膜のパッド電極との界面が、パッド電極表面の凹凸
形状に対応する凹凸形状となっていることが好適である
（請求項２）。
【００１２】この場合、パッド電極の下の下層膜の存在
により、パッド電極部は多層構造となり、ウェーハ・プ
ロセス終了後のプローブ・テストにおいて、プローブ針
がパッド電極を突き破ってしまうことが容易に防止され
る。また、パッド電極のみの１層構造の場合、その表面
が凹凸形状になると、パッド電極の厚さが局所的に薄膜
化する部分が生じ、特性不良や信頼性劣化の原因となる
恐れがあるが、下層膜のパッド電極との界面がパッド電
極表面の凹凸形状に対応する凹凸形状となっていれば、
パッド電極は常に略一定の厚さを確保することになり、
特性不良や信頼性劣化を招く恐れはなくなる。
【００１３】また、請求項３に係る半導体装置の製造方
法は、所定の素子が形成された半導体基板表面のパッド
電極形成予定領域に、下層膜を形成する第１の工程と、
この下層膜を加工して、表面に凹凸形状を形成する第２
の工程と、この下層膜上に、金属膜を堆積して、表面が
下層膜表面の凹凸形状に対応する凹凸形状となっている
金属膜からなるパッド電極を形成する第３の工程と、を
有することを特徴とする。
【００１４】このように請求項３に係る半導体装置の製
造方法においては、下層膜表面を加工して凹凸形状を形
成した後、この下層膜上に金属膜を堆積し、表面が下層
膜表面の凹凸形状に対応する凹凸形状となっている金属
膜からなるパッド電極を形成することにより、パッド電
極表面が凹凸形状となると共に、パッド電極の厚さが常
に略一定になり、更にパッド電極の下に下層膜が存在す
る多層構造となるパッド電極部が容易に実現される。即
ち、上記請求項２に係る半導体装置が容易に実現され
る。このため、たとえワイヤボンディング時の加熱温度
が従来よりも低温に設定されても、必要十分な接合強度
が実現され、ボンディング不良が防止される。
【００１５】なお、上記請求項３に係る半導体装置の製
造方法において、前記第２の工程、即ち下層膜を加工し
て表面に凹凸形状を形成する工程が、リソグラフィ技術
及びエッチング技術を用いて、下層膜表面を選択的にエ
ッチングして、凹凸形状を形成する工程であることが好
適である（請求項４）。この場合、当業者にとっては熟
知のリソグラフィ技術及びエッチング技術が用いられる
ため、下層膜表面の凹凸形状、延いてはこの下層膜表面
の凹凸形状に対応するパッド電極表面の凹凸形状が容易
に且つ高精度に形成される。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら、
本発明の実施の形態を説明する。図１(ａ)は本発明の一
実施の形態に係るカラー用の固体撮像装置のワイヤボン
ディングがなされたパッド電極部を示す概略断面図であ
り、図１(ｂ)はその部分拡大図である。また、図２〜図
７はそれぞれ図１のカラー用の固体撮像装置の製造方法
を説明するための工程図であって、図２〜図５はそれぞ
れ図１(ｂ)に対応する概略断面図、図６(ａ)は図１(ａ)
に対応する概略断面図、図６(ｂ)は図６(ａ)の概略平
面図、図７(ａ)、 (ｂ)はそれぞれ図１(ａ) 、 (ｂ)に
対応する概略断面図である。
【００１７】図１（ａ）及びそのＡ部を拡大した図１
（ｂ）に示されるように、本実施の形態に係るカラー用
の固体撮像装置のパッド電極部においては、所定の素子
が形成された半導体基板１０上に、絶縁膜１２を介し
て、第１のポリシリコン層１４が堆積されている。ま
た、この第１のポリシリコン層１４上には、熱酸化薄膜
１６を介して、マトリクス状に配置された例えば厚さ
０．５〜１．０μｍの凸形状のポリシリコン層１８ａが
形成されている。この凸形状のポリシリコン層１８ａ
は、ＢＰＳＧ薄膜２０によって被覆されている。
【００１８】即ち、パッド電極部における第１のポリシ
リコン層１４、熱酸化薄膜１６、凸形状のポリシリコン
層１８ａ、及びＢＰＳＧ薄膜２０がＡｌパッド電極２２
の下地層をなしている。そして、この下地層の表面は、
０．５〜１．０μｍの段差をもつ凹凸形状となってい
る。
【００１９】また、この表面が凹凸形状となっている下
地層上、即ちＢＰＳＧ薄膜２０上には、Ａｌパッド電極
２２が形成されている。そして、このＡｌパッド電極２
２表面も、第１のポリシリコン層１４や凸形状のポリシ
リコン層１８ａ等からなる下地層表面の凹凸形状に対応
して、段差０．５〜１．０μｍの凹凸形状となってい
る。
【００２０】また、カラー用の固体撮像素子の全面は絶
縁膜２４によって被覆されているものの、この絶縁膜２
４に開口された開口部により、パッド電極部におけるＡ
ｌパッド電極２２表面は露出している。なお、このＡｌ
パッド電極２２表面を露出させている開口部は、例えば
１辺が１００μｍの正方形をなしている。
【００２１】そして、この絶縁膜２４の開口部に露出し
たＡｌパッド電極２２の凹凸形状をなしている表面に、
例えばＡｕワイヤ２６がボンディングされている。この
ために、Ａｌパッド電極２２とＡｕワイヤ２６とが接合
している界面は、段差０．５〜１．０μｍの凹凸形状が
互いに嵌合した状態となっている。なお、Ａｌパッド電
極２２表面と接合しているＡｕワイヤ２６のボール部分
は、その高さが例えば３２μｍであり、その径が例えば
８０μｍである。
【００２２】次に、図1に示すカラー用のＣＣＤ固体撮
像素子の製造方法を、図２〜図７を用いて説明する。こ
こで、先ず、図２に示されるように、カラー用のＣＣＤ
固体撮像素子のパッド電極部において、既に所定の素子
が形成された半導体基板１０上に、絶縁膜１２を介し
て、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法に
より第１のポリシリコン層１４を堆積した後、例えば熱
酸化を行ってその表面に熱酸化薄膜１６を形成する。ま
た、その熱酸化薄膜１６上に、例えばＣＶＤ法により第
２のポリシリコン層１８を堆積する。なお、このときの
第２のポリシリコン層１８の厚さは例えば０．５〜１．
０μｍとする。
【００２３】次いで、図３に示されるように、リソグラ
フィ技術及びエッチング技術を用いて、第２のポリシリ
コン層１８を選択的にエッチングして、マトリクス状に
配置された厚さ０．５〜１．０μｍの凸形状のポリシリ
コン層１８ａを形成する。
【００２４】次いで、図４に示されるように、例えばＣ
ＶＤ法を用いて、基体全面にＢＰＳＧ薄膜２０を堆積
し、マトリクス状に配置された凸形状のポリシリコン層
１８ａを被覆する。こうして、パッド電極部において、
第１のポリシリコン層１４、熱酸化薄膜１６、凸形状の
ポリシリコン層１８ａ、及びＢＰＳＧ薄膜２０からなる
下地層を形成する。そして、この下地層の表面形状は、
０．５〜１．０μｍの段差をもつ凹凸形状となってい
る。
【００２５】なお、このとき、第１のポリシリコン層１
４、熱酸化薄膜１６、及び第２のポリシリコン層１８の
形成、第２のポリシリコン層１８の選択的なエッチン
グ、並びにＢＰＳＧ薄膜２０の形成、即ちパッド電極部
における下地層の形成プロセスは、カラー用のＣＣＤ固
体撮像素子を作製する際の他のプロセス、例えば配線層
を形成する等のプロセスと同時的に行うことが可能であ
る。
【００２６】次いで、図５に示されるように、基体全面
にＡｌ膜を堆積した後、リソグラフィ技術及びエッチン
グ技術を用いて所定の形状にパターニングし、Ａｌパッ
ド電極２２を形成する。なお、このとき、Ａｌパッド電
極２２表面は、第１のポリシリコン層１４や凸形状のポ
リシリコン層１８ａ等からなる下地層表面の凹凸形状に
対応して、段差０．５〜１．０μｍの凹凸形状となる。
【００２７】次いで、図６（ａ）、（ｂ）に示されるよ
うに、基体全面に絶縁膜２４を堆積した後、リソグラフ
ィ技術及びエッチング技術を用いて選択的なエッチング
を行い、Ａｌパッド電極２２表面を露出させる開口部を
形成する。
【００２８】次いで、図７（ａ）及びそのＡ部を拡大し
た図７（ｂ）に示されるように、ワイヤボンディングを
行い、絶縁膜２４の開口部に露出したＡｌパッド電極２
２の凹凸形状をなしている表面にＡｕワイヤ２６を熱圧
着する。従って、Ａｌパッド電極２２とＡｕワイヤ２６
とが接合している界面は、段差０．５〜１．０μｍの凹
凸形状が互いに嵌合した状態となる。
【００２９】なお、このワイヤボンディングの際の加熱
温度は、カラー用の固体撮像素子のカラーフィルタへの
影響等を考慮して、通常のＩＣの場合の３００℃前後よ
り大幅に低い温度、例えば１６０〜２００℃とする。こ
のようにして、カラー用のＣＣＤ固体撮像素子のパッド
電極部の形成とそのパッド電極部へのワイヤボンディン
グを行う。
【００３０】以上のように本実施の形態によれば、カラ
ー用のＣＣＤ固体撮像素子のパッド電極部において、Ａ
ｌパッド電極２２表面がマトリクス状に配置された０．
５〜１．０μｍの段差をもつ凹凸形状となっており、こ
の下地層表面の凹凸形状に対応してこの下地層上に形成
されているも凹凸形状となっており、このＡｌパッド電
極２２表面にＡｕワイヤ２６がボンディングされている
ことにより、Ａｌパッド電極２２とＡｕワイヤ２６との
接触面積が増大し、両者の密着性が向上するため、カラ
ーフィルタへの影響を考慮して、ボンディング時の加熱
温度を通常のＩＣの場合の３００℃前後から例えば１６
０〜２００℃にまで大幅に下げても、必要十分な接合強
度を実現して、良好なワイヤボンディング特性を得るこ
とができる。
【００３１】また、このとき、Ａｌパッド電極２２は、
その表面の凹凸形状にも拘らず、常に略一定の厚さを確
保しているため、Ａｌパッド電極２２の局部的な薄膜化
による特性不良や信頼性の劣化を招くこともない。更
に、Ａｌパッド電極２２の下に第１のポリシリコン層１
４等からなる下層膜が存在している多層構造となってい
るため、ウェーハ・プロセス終了後のプローブ・テスト
において、プローブ針がパッド電極を突き破ってしまう
ことを容易に防止することができる。
【００３２】また、このようなカラー用のＣＣＤ固体撮
像素子のパッド電極部の形成方法として、半導体基板１
０上に絶縁膜１２を介して第１のポリシリコン層１４を
堆積し、この第１のポリシリコン層１４上に熱酸化薄膜
１６を介して第２のポリシリコン層１８を堆積し、この
第２のポリシリコン層１８をリソグラフィ技術及びエッ
チング技術を用いて選択的にエッチングして、マトリク
ス状に配置された凸形状のポリシリコン層１８ａを形成
し、更に、この凸形状のポリシリコン層１８ａを被覆す
るＢＰＳＧ薄膜２０を堆積して、表面が０．５〜１．０
μｍの段差をもつ凹凸形状となっている下地層を形成し
た後、この下地層上にＡｌ膜を堆積してＡｌパッド電極
２２を形成する方法を採っていることにより、当業者に
とっては熟知の技術のみを使用して、表面が凹凸形状と
なっているＡｌパッド電極２２を容易に且つ高精度に形
成すると共に、その下方に第１のポリシリコン層１４や
凸形状のポリシリコン層１８ａ等からなる下層膜が存在
する多層構造を容易に形成することができる。
【００３３】また、このとき、第１のポリシリコン層１
４や凸形状のポリシリコン層１８ａ等からなる下層膜の
形成プロセスは、カラー用の固体撮像素子を作製する際
の他のプロセス、例えば配線層を形成する等のプロセス
と同時的に行うことが可能であるため、新たな工程の増
加を招くこともない。
【００３４】なお、上記実施の形態においては、カラー
用のＣＣＤ固体撮像素子のパッド電極部の構造及びその
形成方法について述べているが、カラー用のＣＣＤ固体
撮像素子に限定する必要はなく、ワイヤボンディング時
の加熱温度の低温化が望ましい全ての半導体装置に本発
明は適用される。
【００３５】また、パッド電極は、Ａｌパッド電極２２
に限らず、Ａｌ−Ｃｕ（銅）パッド電極やＣｕパッド電
極等、他の材料を用いた電極でもよい。また、下地層の
主要構造として、第１のポリシリコン層１４及び凸形状
のポリシリコン層１８ａからなる２層構造を採用してい
るが、凸形状のポリシリコン層１８ａのみからなる１層
構造を採用してもよい。更に、下地層の主要層として、
ポリシリコン層の替わりに、タングステン層や絶縁層を
用いることも可能である。
【００３６】
【発明の効果】以上詳細に説明した通り、本発明に係る
半導体装置の製造方法によれば、次のような効果を奏す
ることができる。即ち、請求項１に係る半導体装置によ
れば、パッド電極表面が凹凸形状となっていることによ
り、パッド電極表面と接続ワイヤとの接触面積を増大さ
せ、両者の密着性を向上することが可能になるため、た
とえワイヤボンディング時の加熱温度を従来よりも低く
設定しても、必要十分な接合強度を実現して、ワイヤボ
ンディング不良を防止することができる。従って、ワイ
ヤボンディング時の加熱温度を通常の半導体装置を作製
する場合よりも低温に設定することが要求される場合で
あっても、良好なワイヤボンディング特性を得ることが
できる。
【００３７】また、請求項２に係る半導体装置によれ
ば、パッド電極の下に下層膜が設けられており、この下
層膜のパッド電極との界面が、パッド電極表面の凹凸形
状に対応する凹凸形状となっていることにより、パッド
電極部が多層構造となるため、ウェーハ・プロセス終了
後のプローブ・テストにおいて、プローブ針がパッド電
極を突き破ってしまうことを容易に防止することができ
る。また、パッド電極の表面が凹凸形状となっても、局
所的な薄膜化を招くことなく、常に略一定の厚さを確保
することが可能なため、局所的な薄膜化に起因する特性
不良や信頼性の劣化を防止することができる。
【００３８】また、請求項３に係る半導体装置の製造方
法によれば、下層膜を加工して表面に凹凸形状を形成し
た後、この下層膜上に金属膜を堆積し、表面が下層膜表
面の凹凸形状に対応する凹凸形状となっている金属膜か
らなるパッド電極を形成することにより、パッド電極表
面が凹凸形状になると共に、そのパッド電極の厚さが常
に略一定になり、更にパッド電極の下に下層膜が存在す
る多層構造となるパッド電極部を容易に実現することが
できる。従って、パッド電極表面に接続ワイヤをボンデ
ィングする場合に、パッド電極表面と接続ワイヤとの接
触面積を増大させ、両者の密着性を向上することが可能
になるため、たとえワイヤボンディング時の加熱温度を
従来よりも低く設定しても、必要十分な接合強度を実現
して、ワイヤボンディング不良を防止することが可能に
なり、ワイヤボンディング時の加熱温度を通常の半導体
装置の場合よりも低温に設定することが要求されても、
良好なワイヤボンディング特性を得ることができる。
【００３９】また、請求項４に係る半導体装置の製造方
法によれば、下層膜表面を加工して凹凸形状を形成する
際に、リソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、
下層膜表面を選択的にエッチングして、凹凸形状を形成
することにより、当業者にとっては熟知の技術のみが用
いられるため、下層膜表面の凹凸形状、延いてはパッド
電極表面の凹凸形状を容易に且つ高精度に形成すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】(ａ)は本発明の一実施の形態に係るカラー用の
固体撮像装置のワイヤボンディングがなされたパッド電
極部を示す概略断面図であり、 (ｂ)はその部分拡大図
である。
【図２】図１の固体撮像装置の製造方法を説明するため
の工程図（その１）であって、図１(ｂ)に対応する概略
断面図である。
【図３】図１の固体撮像装置の製造方法を説明するため
の工程図（その２）であって、図１(ｂ)に対応する概略
断面図である。
【図４】図１の固体撮像装置の製造方法を説明するため
の工程図（その３）であって、図１(ｂ)に対応する概略
断面図である。
【図５】図１の固体撮像装置の製造方法を説明するため
の工程図（その４）であって、図１(ｂ)に対応する概略
断面図である。
【図６】図１の固体撮像装置の製造方法を説明するため
の工程図（その５）であって、(ａ)は図１(ａ) に対応
する概略断面図であり、 (ｂ)は(ａ)の概略平面図であ
る。
【図７】図１の固体撮像装置の製造方法を説明するため
の工程図（その６）であって、(ａ)、 (ｂ)はそれぞれ
図１(ａ) 、 (ｂ)に対応する概略断面図である。
【図８】(ａ)は従来の固体撮像装置のパッド電極部を示
す概略断面図であり、 (ｂ)はその部分拡大図である。
【図９】図８の固体撮像装置のパッド電極部にワイヤボ
ンディングがなされた状態を示す概略断面図であり、
(ｂ)はその部分拡大図である。
【符号の説明】
１０……半導体基板、１２……絶縁膜、１４……第１の
ポリシリコン層、１６……熱酸化薄膜、１８……第２の
ポリシリコン層、１８ａ……凸形状のポリシリコン層、
２０……ＢＰＳＧ薄膜、２２……Ａｌパッド電極、２４
……絶縁膜、２６……Ａｕワイヤ。
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4M118 AA10 AB01 EA18 GC07 HA30 5F033 HH04 HH08 HH09 HH11 HH19 MM15 MM26 PP06 QQ08 QQ09 QQ73 QQ76 RR15 SS11 TT02 VV07 XX12 XX17 5F044 EE01 EE06 EE13

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 接続ワイヤがボンディングされるパッド
    電極を有する半導体装置であって、 前記パッド電極表面が、凹凸形状となっていることを特
    徴とする半導体装置。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置において、 前記パッド電極の下に下層膜が設けられており、 前記下層膜の前記パッド電極との界面が、前記パッド電
    極表面の凹凸形状に対応する凹凸形状となっていること
    を特徴とする半導体装置。
  3. 【請求項３】 所定の素子が形成された半導体基板表面
    のパッド電極形成予定領域に、下層膜を形成する第１の
    工程と、 前記下層膜を加工して、表面に凹凸形状を形成する第２
    の工程と、 前記下層膜上に、金属膜を堆積して、表面が前記下層膜
    表面の凹凸形状に対応する凹凸形状となっている前記金
    属膜からなるパッド電極を形成する第３の工程と、 を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  4. 【請求項４】 請求項３記載の半導体装置の製造方法に
    おいて、 前記第２の工程が、リソグラフィ技術及びエッチング技
    術を用いて、前記下層膜表面を選択的にエッチングし
    て、凹凸形状を形成する工程であることを特徴とする半
    導体装置の製造方法。
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