JP3603673B2 - ボンディングパッド構造の製法 - Google Patents
ボンディングパッド構造の製法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3603673B2 JP3603673B2 JP16744599A JP16744599A JP3603673B2 JP 3603673 B2 JP3603673 B2 JP 3603673B2 JP 16744599 A JP16744599 A JP 16744599A JP 16744599 A JP16744599 A JP 16744599A JP 3603673 B2 JP3603673 B2 JP 3603673B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- electrode layer
- pad electrode
- bonding
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/03—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/0212—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers
- H01L2224/02122—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/02163—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body on the bonding area
- H01L2224/02165—Reinforcing structures
- H01L2224/02166—Collar structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/04042—Bonding areas specifically adapted for wire connectors, e.g. wirebond pads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/05001—Internal layers
- H01L2224/05005—Structure
- H01L2224/05009—Bonding area integrally formed with a via connection of the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05556—Shape in side view
- H01L2224/05557—Shape in side view comprising protrusions or indentations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05556—Shape in side view
- H01L2224/05558—Shape in side view conformal layer on a patterned surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0105—Tin [Sn]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、集積回路装置等に用いるに好適なボンディングパッド構造の製法に関し、特に絶縁膜のボンディング下地となる領域に複数の凹部を設けると共にこれらの凹部を覆って上面が凹凸状をなすようにパッド電極層を形成したことにより電気的測定時のプローブダメージの軽減とボンディング強度の向上とを図ったものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、MOS型IC等のボンディングパッド構造としては、図13,14に示すものが知られている。図14は、図13のX−X’線に沿う断面を示す。
【0003】
シリコン等の半導体基板1の表面には、シリコンオキサイド等のフィールド絶縁膜2が形成され、絶縁膜2の上には、ポリシリコン等のゲート電極層(図示せず)を覆って層間絶縁膜3が形成される。
【0004】
絶縁膜3においてボンディング下地となる領域には、1層目の金属配線形成工程を流用してAl系金属(Al又はAl合金)からなるパッド電極層4が形成される。絶縁膜3の上には、電極層4を覆ってシリコンナイトライド等の絶縁性保護膜5が形成され、保護膜5には、電極層4の被ボンディング部を露呈する接続孔5aが形成される。
【0005】
図15は、従来の3層形式のボンディングパッド構造を示すもので、図14と同様の部分には同様の符号を付して詳細な説明を省略する。図13の( )内には、図15中の対応する構成要素の符号を示してある。
【0006】
絶縁膜3の上には、パッド電極層4を覆って層間絶縁膜6Aが形成され、絶縁膜6Aには、電極層4の中央部を露呈する接続孔6aが形成される。絶縁膜6Aの上には、2層目の金属配線形成工程を流用してAl系金属からなるパッド電極層7が接続孔6a内で電極層4に接触するように形成される。
【0007】
絶縁膜6Aの上には、電極層7を覆って層間絶縁膜6Bが形成され、絶縁膜6Bには、電極層7の中央部を露呈する接続孔6bが形成される。絶縁膜6Bの上には、3層目の金属配線形成工程を流用してAl系金属からなるパッド電極層8が接続孔6b内で電極層7に接触するように形成される。絶縁膜6Bの上には、電極層8を覆ってシリコンナイトライド等の絶縁性保護膜9が形成され、保護膜9には、電極層8の被ボンディング部を露呈する接続孔9aが形成される。
【0008】
図14又は図15に示したボンディングパッド構造において、方形状の接続孔5a又は9aの一辺の長さL(図13)は、80μm程度である。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
図14に示したボンディングパッド構造によると、ウエーハ状態でパッド電極層4にプローブPBを当てて電気的測定を行なう際にプローブPBで電極層4の表面をスクラッチすることによって電極層4の表面にスクラッチ溝4aが生ずることがあった。また、図15のボンディングパッド構造においても、ウエーハ状態での電気的測定に際してプローブPBによりパッド電極層8にスクラッチ溝8aが生ずることがあった。このようにパッド電極層にスクラッチ溝が形成されると、パッド電極層は、スクラッチ溝の下で厚さがほぼ半減する。なお、プローブPBの先端部の直径R(図14)は、20〜50μm程度である。
【0010】
スクラッチ溝4a(又は8a)を有するパッド電極層4(又は8)に対して、図13,15に示すようにAu(金)線等のワイヤをボンディングすると、スクラッチ溝4a(又は8a)で電極層4(又は8)の厚さが不足するため、ボンド部BDの接着強度(ボンディング強度)が低下することが判明した。
【0011】
図15の構成では、電極層8の下に電極層7,4が存在するので、厚さ不足の問題が生じないと考えられやすい。しかし、最近の配線構造では、各レベルの配線層の表面にTiN等の反射防止膜を形成するので、例えば電極層7の表面に反射防止膜が存在することになる。一般に、反射防止膜はボンディング性能が良好でないので、電極層8に対するワイヤボンディングは、電極層4に対するワイヤボンディングと同様に実質的に1層に対するワイヤボンディングとなり、スクラッチ溝8aによる厚さ不足の問題を免れない。
【0012】
この発明の目的は、電気的測定時のプローブダメージを軽減すると共にボンディング強度を向上させることができる新規なボンディングパッド構造の製法を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】
この発明に係るボンディングパッド構造の第1の製法は、
基板を覆って絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜においてボンディング下地となる領域に複数の凹部を形成する工程と、
前記絶縁膜の上に前記複数の凹部を覆って上面が凹凸状をなすようにパッド電極層を形成する工程と
を含むボンディングパッド構造の製法であって、
前記絶縁膜に前記複数の凹部を形成する工程では、レジスト層をマスクとする異方性エッチングにより前記複数の凹部を形成した後該レジスト層を除去した状態で等方性エッチングを行なうことにより前記複数の凹部に基づく凹凸段差をなだらかにすることを特徴とするものである。
【0014】
第1の製法に係るボンディングパッド構造によれば、パッド電極層にプローブを当てて電気的測定を行なう際に、プローブにかかる接触圧は、すべてパッド電極層で受けるのではなく、凹部の底面等にも分散させられるので、スクラッチ溝は生じても浅いものとなり、プローブダメージが軽減される。また、スクラッチ溝が生じても、凹部内のパッド電極材が導電路を提供するので、配線抵抗の増大を回避することができる。さらに、パッド電極層にワイヤ又は半田バンプ等をボンディングする際には、パッド電極層の表面にスクラッチ溝が生じていても、凹部内にパッド電極材が確保されているため、パッド電極層の厚さが不足することがなく、しかもスクラッチ溝以外の部分ではパッド電極層の上面が凹凸状をなしているため、ワイヤ又は半田バンプ等のボンド部に対して十分な接着面積が与えられる。従って、ボンディング強度の向上が可能となる。
【0015】
この発明に係るボンディングパッド構造の第2の製法は、
基板を覆って絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜においてボンディング下地となる領域に、第 1 のパッド電極層に重ねて第1の層間絶縁膜を形成し、該第1の層間絶縁膜に重ねて第2のパッド電極層を形成しというようにして交互に重ねて第1〜第n(nは2以上の整数)のパッド電極層及び第(n−1)までの層間絶縁膜を形成する工程とを含み、
前記第1〜第nのパッド電極層及び第(n−1)までの層間絶縁膜を形成する工程では、前記第(n−1)までの層間絶縁膜のいずれにも接続孔を形成してその上下のパッド電極層を該接続孔を介して相互接続すると共に前記第(n−1)の層間絶縁膜には前記接続孔として複数の接続孔を形成した後、前記第nのパッド電極層を前記複数の接続孔を覆って上面が凹凸状をなすように形成するボンディングパッド構造の製法であって、
前記第(n−1)の層間絶縁膜に前記複数の接続孔を形成する際には、レジスト層をマスクとする異方性エッチングにより前記複数の接続孔を形成した後該レジスト層を除去した状態で等方性エッチングを行なうことにより前記複数の接続孔に基づく凹凸段差をなだらかにすることを特徴とするものである。
【0016】
第2の製法に係るボンディングパッド構造によれば、前述したと同様にして電気的測定時のプローブダメージが軽減される。また、ワイヤ又は半田バンプ等のボンディング時には、最上層(第n)のパッド電極層の表面にスクラッチ溝が生じ且つ最上層のパッド電極層の直下のパッド電極層の表面にTiN等の反射防止膜が存在する場合であっても、接続孔内にパッド電極材が確保されているため、パッド電極の厚さが不足することがなく、しかもスクラッチ溝以外の部分ではパッド電極層の上面が凹凸状をなしているため、ワイヤ又は半田バンプ等のボンド部に対して十分な接着面積が与えられる。従ってボンディング強度の向上が可能となる。
【0017】
上記した第1及び第2の製法によれば、レジスト層をマスクとする異方性エッチングにより凹部又は接続孔を形成した後レジスト層を除去した状態で等方性エッチングを行なうことにより凹部又は接続孔に基づく凹凸段差をなだらかにし、この後凹部又は接続孔を覆って上面が凹凸状をなすようにパッド電極層を形成するようにしたので、パッド電極層の上面を凹凸状にするのが容易となり、凹部又は接続孔の開口サイズを小さくしてより多くの凹部又は接続孔を形成することができる。従って、プローブダメージ軽減効果及びボンディング強度改善効果を一層向上させることができる。
【0018】
【発明の実施の形態】
図1は、この発明の第1の実施形態に係る1層形式のボンディングパッド構造を示すもので、図2には、図1の構造の断面を示す。図1,2に示すボンディングパッド構造は、MOS型IC等で用いることができる。
【0019】
シリコン等の半導体基板10の表面には、シリコンオキサイド等のフィールド絶縁膜12が形成され、絶縁膜12の上には、ポリシリコンなどのゲート電極層(図示せず)を覆ってBPSG(ボロン・リン・ケイ酸ガラス)等の層間絶縁膜14が形成される。
【0020】
絶縁膜14においてボンディング下地となる領域には、一例として4本の溝14a〜14dが互いに平行に離間して形成される。絶縁膜14の上には、Al系金属からなるパッド電極層16が溝14a〜14dを覆って上面が凹凸状をなすように形成される。14a等の溝(凹部)は、縦横に交差するように形成してもよい。
【0021】
絶縁膜14の上には、シリコンナイトライド等の絶縁性保護膜18が電極層16を覆って形成され、保護膜18には、電極層16の被ボンディング部を露呈する接続孔18aが形成される。方形状の接続孔18aの一辺の長さは、80μm程度にすることができる。接続孔18aの形状は、円形等であってもよい。
【0022】
一例として、図2に示すように電極層16の厚さをAとすると、14a等の溝の深さBをA〜2Aとし、14a等の溝の幅Cを2Aとし、14b,14c等の溝の間隔Dを4Aとすることができる。通常、Aは、0.5〜1.0μm程度である。14a等の溝の幅Cは、2A〜5Aの範囲内で適宜選定することができる。一具体例としては、A=1μm、B=0.6〜0.8μm、C=1μm、D=2μmとすることができる。
【0023】
図1,2のボンディングパッド構造によれば、パッド電極層16に図14のPBのようなプローブを当てて電気的測定を行なう際に、プローブにかかる接触圧は、すべて電極層16で受けるのではなく、14a等の溝の底面等にも分散させられる。従って、スクラッチ溝は生じても比較的浅いものとなり、プローブダメージが軽減される。また、スクラッチ溝が生じても、14a等の溝内のパッド電極材が導電路を提供するので、配線抵抗の増大を回避することができる。
【0024】
その上、パッド電極層16にAu線等のワイヤをボンディングする際には、電極層16の表面にスクラッチ溝が生じていても14a等の溝内にAl系金属が確保されているため、電極層16の厚さが不足することなく、しかもスクラッチ溝以外の部分では電極層16の上面が凹凸状をなしているため、ワイヤのボンド部に対して十分な接着面積が与えられる。従って、ボンディング強度を向上させることができる。
【0025】
次に、図3〜6を参照して図1,2のボンディングパッド構造の製法を説明する。
【0026】
図3の工程では、半導体基板10の表面を覆うフィールド絶縁膜12の上に、CVD(ケミカル・ベーパー・デポジション)法等によりBPSGからなる層間絶縁膜14を形成する。そして、周知のホトリソグラフィ処理により絶縁膜14の上に互いに離間した平行溝20a〜20dを有するレジスト層20を形成する。このときのホトリソグラフィ処理は、図示しないIC領域において接続孔を形成する際のホトリソグラフィ処理を流用することができる。
【0027】
図4の工程では、レジスト層20をマスクとするドライエッチング処理により平行溝20a〜20dに対応した溝14a〜14dを絶縁膜14に形成する。このときのドライエッチング処理は、図示しないIC領域において接続孔を形成するためのドライエッチング処理を流用することができる。なお、溝14a〜14dの底部には、破線14Sで示すように絶縁膜14を薄く残存させるようにしてもよい。
【0028】
図5の工程では、スパッタ法等により絶縁膜14の上に溝14a〜14dを覆ってAl系金属層16Aを被着する。このとき、上面が凹凸状をなすようにAl系金属層16Aを形成する。このときのAl系金属被着処理は、図示しないIC領域において1層目の金属配線を形成する際のAl系金属被着処理を流用することができる。
【0029】
図6の工程では、ホトリソグラフィ及び選択的ドライエッチング処理によりAl系金属層16Aを所定のパッド電極パターンに従ってパターニングしてパッド電極層16を形成する。このときのパターニング処理は、図示しないIC領域において1層目の金属配線を形成するためのパターニング処理を流用することができる。
【0030】
図7は、この発明の第2の実施形態に係る1層形式のボンディングパッド構造を示すもので、図2と同様の部分には同様の符号を付して詳細な説明を省略する。
【0031】
図7のボンディングパッド構造の特徴は、絶縁膜14に6本の溝14a〜14fを設けると共にこれらの溝に基づく凹凸段差をなだらかにし、溝14a〜14fを覆って上面が凹凸状をなすようにパッド電極層16を形成したことである。
【0032】
図8〜10は、図7のものと同様のボンディングパッド構造の製法を示すもので、図3〜6と同様の部分には同様の符号を付してある。
【0033】
図8の工程では、前述した図3の工程に続いてレジスト層20をマスクとする異方性ドライエッチング処理により絶縁膜14に溝14a〜14dを形成する。この場合、溝14a〜14dの底部に絶縁膜14を薄く残す。
【0034】
図9の工程では、レジスト層20を除去した後等方性ドライエッチング処理を基板上面に施す。この結果、溝14a〜14dに基づく凹凸段差がなだらかになる。
【0035】
図10の工程では、図5,6について前述したと同様にして絶縁膜14の上にAl系金属からなるパッド電極層16を溝14a〜14dを覆って上面が凹凸状をなすように形成する。なお、隣り合う溝の中心間の距離(ピッチ)Eは、図2に示した厚さAを用いると、6Aとすることができる。
【0036】
図8〜10の製法によれば、溝14a〜14dに基づく凹凸段差をなだらかにしてからパッド電極層16を形成するので、電極層16の上面を凹凸状にするのが容易となる。このため、図7に示すように溝の開口サイズを小さくしてより多くの溝14a〜14fを形成することができ、プローブダメージ軽減効果及びボンディング強度改善効果を一層向上させることができる。なお、図7の構造において、ピッチFは、図2に示した厚さAを用いると、4Aとすることができる。
【0037】
図11は、この発明の第3の実施形態に係る1層形式のボンディングパッド構造を示すもので、図1と同様の部分には同様の符号を付して詳細な説明を省略する。
【0038】
図11のボンディングパッド構造の特徴は、溝14a〜14dの代りに円形の孔M11〜M14,M21〜M24,M31〜M34,M41〜M44,M51〜M54をマトリクス状に絶縁膜14に形成し、これらの孔を覆って上面が凹凸状をなすようにパッド電極層16を形成したことである。M11等の孔(凹部)の形状は、円形に限らず、方形等であってもよい。図11の構造によれば、図1のものと同様にプローブダメージ軽減効果及びボンディング強度改善効果が得られる。
【0039】
図12は、この発明の第4の実施形態に係る3層形式のボンディングパッド構造を示すもので、図1と同様の部分には同様の符号を付して詳細な説明を省略する。
【0040】
絶縁膜14の上には、1層目の金属配線形成工程を流用してAl系金属からなるパッド電極層30が形成される。また、絶縁膜14の上には、電極層30を覆って層間絶縁膜32が形成され、絶縁膜32には、電極層30の中央部を露呈する接続孔32aが形成される。
【0041】
絶縁膜32の上には、2層目の金属配線形成工程を流用してAl系金属からなるパッド電極層34が接続孔32a内で電極層30に接触するように形成される。また、絶縁膜32の上には、電極層34を覆って層間絶縁膜36が形成され、絶縁膜36には、図示しないIC領域における2層目配線に対する接続孔形成工程を流用して接続孔36a〜36eが形成される。36a等の接続孔は、図1に示したように平行に離間した溝として形成したり、縦横に交差する溝として形成したり、図11に示したように多数の孔として形成したりすることができる。
【0042】
絶縁膜36の上には、3層目の金属配線形成工程を流用して接続孔36a〜36eを覆って上面が凹凸状をなすようにAl系金属からなるパッド電極層38が形成される。電極層38は、接続孔36a〜36eの底部で電極層34にオーミック接触する。
【0043】
絶縁膜36の上には、電極層38を覆ってシリコンナイトライド等の絶縁性保護膜40が形成され、保護膜40には、電極層38の被ボンディング部を露呈する接続孔40aが形成される。
【0044】
図12のボンディングパッド構造によれば、図1,2について前述したと同様にして電気的測定時に電極層38が受けるプローブダメージが軽減される。また、ワイヤボンディング時には、電極層38の表面にスクラッチ溝が生じ且つ電極層34の表面にTiN等の反射防止膜が存在する場合であっても、接続孔36a〜36e内にAl系金属が確保されているため、電極層38の厚さが不足することがなく、しかもスクラッチ溝以外の部分では電極層38の上面が凹凸状をなしているため、ワイヤのボンド部に対して十分な接着面積が与えられる。従って、ボンディング強度を向上させることができる。
【0045】
図12のボンディングパッド構造を製造する際には、図8〜10に関して前述した方法により接続孔36a〜36e及び電極層38を形成することができる。このようにすると、図7に関して前述したと同様にしてプローブダメージ軽減効果及びボンディング強度改善効果を一層向上させることができる。
【0046】
この発明は、上記した実施形態に限定されるものではなく、種々の改変形態で実施可能なものである。例えば、次のような変更が可能である。
【0047】
(1)図12のボンディングパッド構造において、パッド電極層34及び層間絶縁膜36を省略して2層形式のボンディングパッド構造としたり、パッド電極層及び層間絶縁膜を追加して4層以上の多層型式のボンディングパッド構造としたりしてもよい。
【0048】
(2)上記した実施形態において、パッド電極層16又は38には、ワイヤをボンディングする代りに半田バンプ等の突起電極を設け、この突起電極を介して基板10をいわゆるフリップ・チップ形式で配線基板上の配線層にボンディングするようにしてもよい。パッド電極層16又は38は、ワイヤボンディングに関して前述したと同様にして半田バンプ等の突起電極のボンディング強度の向上に寄与する。
【0049】
(3)上記した実施形態では、半導体基板上で配線層につながるパッド電極層16又は38を例示したが、セラミック又はプラスチック等の配線基板上で配線層につながるパッド電極層をパッド電極層16又は38と同様に構成してもよい。この場合、配線基板に設けたパッド電極層には、基板10のパッド電極層(16又は38)に設けた半田バンプ等の突起電極を直接ボンディングすることができ、配線基板に設けたパッド電極層(16又は38と同様のもの)は、ボンディング強度の向上に寄与する。
【0050】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、絶縁膜に設けた複数の凹部を覆って上面が凹凸状をなすようにパッド電極層を形成したので、電気的測定時のプローブダメージを軽減できると共に配線抵抗の増大を回避でき、しかもボンディング強度の向上が可能となる効果が得られる。
【0051】
また、最上層の層間絶縁膜に複数の接続孔を設けると共に最上層のパッド電極層を複数の接続孔を覆って上面が凹凸状をなすように形成したので、電気的測定時のプローブダメージを軽減可能となり、しかも最上層のパッド電極層の表面にスクラッチ溝が生じ且つ最上層のパッド電極層の直下のパッド電極層の表面にTiN等の反射防止膜が存在してもボンディング強度の向上が可能となる効果が得られる。
【0052】
さらに、複数の凹部又は接続孔を形成するための選択エッチング処理において異方性エッチングにより凹部又は接続孔を形成した後レジスト層を除去してから等方性エッチングを行なうことにより凹部又は接続孔に基づく凹凸段差をなだらかにし、この後凹部又は接続孔を覆って上面が凹凸状をなすようにパッド電極層を形成するので、凹部又は接続孔の数を多くしてもパッド電極層の上面を凹凸状にするのが容易であり、プローブダメージ軽減効果及びボンディング強度改善効果を一層向上可能となる利点もある。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の第1の実施形態に係る1層型式のボンディングパッド構造を示す一部断面斜視図である。
【図2】図1のボンディングパッド構造を示す断面図である。
【図3】図1のボンディングパッド構造の製法におけるレジスト層形成工程を示す基板断面図である。
【図4】図3の工程に続くエッチング工程を示す基板断面図である。
【図5】図4の工程に続くAl系金属被着工程を示す基板断面図である。
【図6】図5の工程に続くパターニング工程を示す基板断面図である。
【図7】この発明の第2の実施形態に係る1層型式のボンディングパッド構造を示す基板断面図である。
【図8】図7のものと同種のボンディングパッド構造の製法における異方性エッチング工程を示す基板断面図である。
【図9】図8の工程の後レジスト層除去工程に続く等方性エッチング工程を示す基板断面図である。
【図10】図9の工程に続くパッド電極層形成工程を示す基板断面図である。
【図11】この発明の第3の実施形態に係る1層型式のボンディングパッド構造を示す一部断面図斜視図である。
【図12】この発明の第4の実施形態に係る3層型式のボンディングパッド構造を示す基板断面図である。
【図13】従来のボンディングパッド構造を示す上面図である。
【図14】図13のX−X’線に沿う基板断面図である。
【図15】従来のボンディングパッド構造の他の例を示す基板断面図である。
【符号の説明】
10:半導体基板、12,14,32,36:絶縁膜、16,30,34,38:パッド電極層、18,40:保護膜。
Claims (2)
- 基板を覆って絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜においてボンディング下地となる領域に複数の凹部を形成する工程と、
前記絶縁膜の上に前記複数の凹部を覆って上面が凹凸状をなすようにパッド電極層を形成する工程と
を含むボンディングパッド構造の製法であって、
前記絶縁膜に前記複数の凹部を形成する工程では、レジスト層をマスクとする異方性エッチングにより前記複数の凹部を形成した後該レジスト層を除去した状態で等方性エッチングを行なうことにより前記複数の凹部に基づく凹凸段差をなだらかにすることを特徴とするボンディングパッド構造の製法。 - 基板を覆って絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜においてボンディング下地となる領域に、第 1 のパッド電極層に重ねて第1の層間絶縁膜を形成し、該第1の層間絶縁膜に重ねて第2のパッド電極層を形成しというようにして交互に重ねて第1〜第n(nは2以上の整数)のパッド電極層及び第(n−1)までの層間絶縁膜を形成する工程とを含み、
前記第1〜第nのパッド電極層及び第(n−1)までの層間絶縁膜を形成する工程では、前記第(n−1)までの層間絶縁膜のいずれにも接続孔を形成してその上下のパッド電極層を該接続孔を介して相互接続すると共に前記第(n−1)の層間絶縁膜には前記接続孔として複数の接続孔を形成した後、前記第nのパッド電極層を前記複数の接続孔を覆って上面が凹凸状をなすように形成するボンディングパッド構造の製法であって、
前記第(n−1)の層間絶縁膜に前記複数の接続孔を形成する際には、レジスト層をマスクとする異方性エッチングにより前記複数の接続孔を形成した後該レジスト層を除去した状態で等方性エッチングを行なうことにより前記複数の接続孔に基づく凹凸段差をなだらかにすることを特徴とするボンディングパッド構造の製法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16744599A JP3603673B2 (ja) | 1999-06-14 | 1999-06-14 | ボンディングパッド構造の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16744599A JP3603673B2 (ja) | 1999-06-14 | 1999-06-14 | ボンディングパッド構造の製法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000357708A JP2000357708A (ja) | 2000-12-26 |
JP3603673B2 true JP3603673B2 (ja) | 2004-12-22 |
Family
ID=15849847
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16744599A Expired - Fee Related JP3603673B2 (ja) | 1999-06-14 | 1999-06-14 | ボンディングパッド構造の製法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3603673B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100396787B1 (ko) * | 2001-11-13 | 2003-09-02 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 패키지용 인쇄회로기판의 와이어 본딩패드 형성방법 |
JP4674522B2 (ja) * | 2004-11-11 | 2011-04-20 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
JP4730895B2 (ja) * | 2004-12-10 | 2011-07-20 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 針痕検出装置および針痕検出方法 |
JP6029829B2 (ja) * | 2012-01-11 | 2016-11-24 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス |
JP2018060879A (ja) * | 2016-10-04 | 2018-04-12 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置 |
-
1999
- 1999-06-14 JP JP16744599A patent/JP3603673B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2000357708A (ja) | 2000-12-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5703408A (en) | Bonding pad structure and method thereof | |
US5707894A (en) | Bonding pad structure and method thereof | |
JP2974022B1 (ja) | 半導体装置のボンディングパッド構造 | |
JP5202151B2 (ja) | パッド下側esd及びパッド下側アクティブボンディング用ボンドパッドスタック | |
US20080258298A1 (en) | Semiconductor devices and methods of fabricating the same | |
JP3453170B2 (ja) | 改良型半導体ボンドパッド構成体及びその製造方法 | |
US5055906A (en) | Semiconductor device having a composite insulating interlayer | |
JP2002319587A (ja) | 半導体装置 | |
JPH01280337A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JP3603673B2 (ja) | ボンディングパッド構造の製法 | |
JPH06105709B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
KR19990052264A (ko) | 다층 패드를 구비한 반도체 소자 및 그 제조방법 | |
TW201025442A (en) | Passivation structure and fabricating method thereof | |
JP3915670B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPH07161722A (ja) | 半導体装置のパッド構造 | |
JPS6322464B2 (ja) | ||
JP3729680B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
JPS5833705B2 (ja) | タソウハイセンオ ユウスルハンドウタイソウチ | |
JP2555924B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPH1154508A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP4740536B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
KR100471171B1 (ko) | 반도체 소자의 다층 본딩 패드 구조 및 그 제조 방법 | |
JP2005019696A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2002164381A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2002246411A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040518 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040614 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20040811 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040907 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040920 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313532 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071008 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081008 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091008 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101008 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101008 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111008 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111008 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121008 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121008 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131008 Year of fee payment: 9 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |