JP7463644B2 - 多層印刷回路基板、その製造方法およびこれを用いた半導体装置 - Google Patents
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Description
[関連出願の相互参照]
本出願は、２０１８年９月２０日付の韓国特許出願第１０－２０１８－０１１３２４８号および２０１９年９月１９日付の韓国特許出願第１０－２０１９－０１１５３５４号に基づく優先権の利益を主張し、当該韓国特許出願の文献に開示された全ての内容は本明細書の一部として含まれる。
本出願は、２０１８年９月２０日付の韓国特許出願第１０－２０１８－０１１３２４８号および２０１９年９月１９日付の韓国特許出願第１０－２０１９－０１１５３５４号に基づく優先権の利益を主張し、当該韓国特許出願の文献に開示された全ての内容は本明細書の一部として含まれる。
本発明は、薄い厚さを有し、かつ優れた耐久性を有する多層印刷回路基板、その製造方法およびこれを用いた半導体装置に関する。
最近の電子機器は、ますます小型化、軽量化、高機能化している。このために、小型機器を中心としてビルドアップＰＣＢ（Ｂｕｉｌｄ－ｕｐ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ）の応用分野が急速に拡大することによって、多層印刷回路基板の使用が急速に増えている。
多層印刷回路基板は、平面的配線から立体的な配線が可能であり、特に産業用電子分野では、ＩＣ（ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）、ＬＳＩ（ｌａｒｇｅ ｓｃａｌｅ ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）などの機能素子の集積度向上と共に電子機器の小型化、軽量化、高機能化、構造的な電気的機能統合、組立時間の短縮およびコスト節減などに有利な製品である。
最近では、キャリアフィルムのような脱着性コアフィルムを活用したコアレス多層印刷回路基板を通して、より薄い厚さを実現する技術が活発に研究されている。特に、このようなコアレス多層印刷回路基板の内部で使用される絶縁材料としては、主にプリプレグが幅広く使用されている。
しかし、絶縁材料としてプリプレグを適用する場合、プリプレグ内部の繊維補強材により多層印刷回路基板の厚さを十分に薄型化しにくい限界があった。また、単純に絶縁材料としての厚さを薄く設定するために繊維補強材を除いた高分子樹脂フィルムのみを適用する場合、脆性が増加してキャリアフィルムの脱着工程時に多層印刷回路基板が破損する限界があった。
そこで、プリプレグより薄い厚さを有し、かつ優れた耐久性を有する多層印刷回路基板の開発が要求されている。
本発明は、薄い厚さを有し、かつ優れた耐久性を有する多層印刷回路基板を提供するものである。
また、本発明は、前記多層印刷回路基板の製造方法を提供するものである。
また、本発明は、前記多層印刷回路基板を含む半導体装置を提供するものである。
また、本発明は、前記多層印刷回路基板の製造方法を提供するものである。
また、本発明は、前記多層印刷回路基板を含む半導体装置を提供するものである。
前記課題を解決するために、本明細書においては、絶縁パターンおよび金属パターンを含む複数のビルドアップ層を含む樹脂積層体；および前記樹脂積層体の上面および下面に形成されたレジストパターン層；を含み、前記ビルドアップ層に含まれている絶縁パターンの厚さが１５μｍ以下である、多層印刷回路基板を提供する。
本明細書においてはまた、キャリアフィルムの両面に金属層を積層しパターンを形成する第１段階と；前記金属層上に絶縁層を積層しパターンを形成する第２段階と；前記絶縁層上に金属層を積層しパターンを形成する第３段階と；前記金属層上にレジスト層を形成する第４段階と；前記第１段階のキャリアフィルムと金属層を剥離し、剥離された金属層の表面にレジスト層を積層しパターンを形成する第５段階と；を含み、前記絶縁層は、厚さが１５μｍ以下である樹脂コーティング金属薄膜を含み、前記第３段階以降、第２段階および第３段階を１回以上繰り返して進行する多層印刷回路基板の製造方法が提供される。
本明細書においてはまた、多層印刷回路基板を含む、半導体装置が提供される。
以下、発明の具体的な実施形態による多層印刷回路基板、その製造方法およびこれを用いた半導体装置についてより詳細に説明する。
Ｉ．多層印刷回路基板
発明の一実施形態によれば、絶縁パターンおよび金属パターンを含む複数のビルドアップ層を含む樹脂積層体；および前記樹脂積層体の上面および下面に形成されたレジストパターン層；を含み、前記ビルドアップ層に含まれている絶縁パターンの厚さが１５μｍ以下である、多層印刷回路基板が提供され得る。
発明の一実施形態によれば、絶縁パターンおよび金属パターンを含む複数のビルドアップ層を含む樹脂積層体；および前記樹脂積層体の上面および下面に形成されたレジストパターン層；を含み、前記ビルドアップ層に含まれている絶縁パターンの厚さが１５μｍ以下である、多層印刷回路基板が提供され得る。
本発明者らは前記一実施形態の多層印刷回路基板のように、樹脂積層体に含まれているそれぞれのビルドアップ層に含まれている絶縁パターンの厚さを１５μｍ以下に薄型化させることによって、合計５層のビルドアップ層が積層された多層印刷回路基板の厚さを７５μｍ以下、合計７層のビルドアップ層が積層された多層印刷回路基板の厚さを１０５μｍ以下に超薄型化できることを実験を通じて確認して発明を完成した。
特に、前記一実施形態の多層印刷回路基板では、樹脂積層体の上下面にレジスト層を形成することによって、超薄型化された多層印刷回路基板の製造時にも破れなどの製品破損を防止して優れた耐久性を実現することができる。
従来には主に樹脂組成物を製織したガラス繊維に含浸したプリプレグを絶縁層として用いて多層印刷回路基板を製造してきたが、樹脂積層体に含まれているそれぞれのビルドアップ層に含まれている絶縁パターンの厚さが１６μｍ以上に増加しながら、合計５層のビルドアップ層が積層された多層印刷回路基板の厚さが８０μｍ以上、合計７層のビルドアップ層が積層された多層印刷回路基板の厚さが１１２μｍ以上に増加する限界があった。
（１）樹脂積層体
前記多層印刷回路基板は、絶縁パターンおよび金属パターンを含む複数のビルドアップ層を含む樹脂積層体を含み得る。前記樹脂積層体は２以上、あるいは２～２０個のビルドアップ層が積層された形態をなし、パネル（Ｐａｎｅｌ）と称する。前記ビルドアップ層には絶縁パターンおよび金属パターンが含まれ得る。
前記多層印刷回路基板は、絶縁パターンおよび金属パターンを含む複数のビルドアップ層を含む樹脂積層体を含み得る。前記樹脂積層体は２以上、あるいは２～２０個のビルドアップ層が積層された形態をなし、パネル（Ｐａｎｅｌ）と称する。前記ビルドアップ層には絶縁パターンおよび金属パターンが含まれ得る。
具体的には、前記ビルドアップ層それぞれには絶縁パターンおよび金属パターンが含まれ得、互いに隣接したビルドアップ層に含まれている金属パターンは互いに接触して電気的信号を伝達し得る。
前記金属パターンは、後述する多層印刷回路基板の製造方法上、金属層の部分的なエッチングにより得られる金属ブロックを意味する。前記金属パターンに含まれている金属の例としては金、銀、銅、錫、ニッケル、アルミニウム、チタンなどの金属またはこれらの２種以上の混合物を含む合金などが挙げられ、前記金属パターンの厚さは１μｍ～２０μｍ、または５μｍ～１５μｍ、または９μｍ～１１μｍであり得る。前記金属パターンの厚さが過度に増加する場合、前記金属パターンを形成するために過剰の金属が必要となり、これにより、原料コストが増加して経済的な面において効率性が減少でき、薄型化および高集積化された半導体装置への適用が難しい。
前記絶縁パターンは、後述する多層印刷回路基板の製造方法上、絶縁層の部分的なエッチングにより得られる高分子樹脂ブロックを意味する。より具体的には、前記多層印刷回路基板の製造方法上、絶縁層として樹脂コーティング金属薄膜を使用する場合、前記絶縁パターンは、樹脂コーティング金属薄膜に含まれている樹脂コーティング層を意味する。
前記絶縁パターンの厚さは１５μｍ以下、または１０μｍ以下、または１μｍ～１５μｍ、または１μｍ～１０μｍ、または５μｍ～１０μｍ、または６μｍ～８μｍであり得る。前記絶縁パターンの厚さが過度に増加する場合、前記絶縁パターンを形成するために過剰の絶縁材料が必要となり、これにより、原料コストが増加して経済的な面において効率性が減少でき、薄型化および高集積化された半導体装置への適用が難しい。
前記絶縁パターンに具体的な組成は特に限定されないが、好ましくは、前記絶縁パターンは、ｉ）スルホン基、カルボニル基、ハロゲン基、ニトロ基、シアノ基またはハロゲン基で置換または非置換された炭素数１～２０のアルキル基、ｉｉ）ニトロ基、シアノ基またはハロゲン基で置換または非置換された炭素数６～２０のアリール基、ｉｉｉ）ニトロ基、シアノ基またはハロゲン基で置換または非置換された炭素数２～３０のヘテロアリール基、およびｉｖ）ニトロ基、シアノ基またはハロゲン基で置換または非置換された炭素数１～２０のアルキレン基からなる群から選択される１種以上の官能基を１以上含むアミン化合物；熱硬化性樹脂；および熱可塑性樹脂；を含む硬化物と、前記硬化物間に分散した無機充填材を含み得る。
より具体的には、前記絶縁パターンは、ｉ）スルホン基、カルボニル基、ハロゲン基、ニトロ基、シアノ基またはハロゲン基で置換または非置換された炭素数１～２０のアルキル基、ｉｉ）ニトロ基、シアノ基またはハロゲン基で置換または非置換された炭素数６～２０のアリール基、ｉｉｉ）ニトロ基、シアノ基またはハロゲン基で置換または非置換された炭素数２～３０のヘテロアリール基、およびｉｖ）ニトロ基、シアノ基またはハロゲン基で置換または非置換された炭素数１～２０のアルキレン基からなる群から選択される１種以上の官能基を１以上含むアミン化合物；熱硬化性樹脂；熱可塑性樹脂；および無機充填材；を含み、前記アミン化合物および熱硬化性樹脂の総和１００重量部に対して、前記熱可塑性樹脂を４０重量部～９０重量部で含み、１２０℃～１８０℃の範囲で２０００Ｐａ・ｓ以下の複素粘度を有する金属薄膜コーティング用熱硬化性樹脂組成物の硬化物を含み得る。
前記絶縁パターンではエポキシとアミン硬化剤などで構成された樹脂システムおよび一定含有量の熱可塑性樹脂を導入して樹脂の流れ性を確保するため、樹脂の種類および混合比を最適化する特徴がある。
より具体的には、特定アミン硬化剤を使用し、樹脂の硬化反応を容易に制御することができる。さらに具体的には、アミン硬化剤の官能基を調整して樹脂の硬化反応時生じる結合の数を調整することによってモジュラスを低くすることができる。これにより耐クラック性は増加するようになり、同じ引張力または衝撃に対してより安定性を有することができる。
前記ｉ）スルホン基、カルボニル基、ハロゲン基、ニトロ基、シアノ基またはハロゲン基で置換または非置換された炭素数１～２０のアルキル基、ｉｉ）ニトロ基、シアノ基またはハロゲン基で置換または非置換された炭素数６～２０のアリール基、ｉｉｉ）ニトロ基、シアノ基またはハロゲン基で置換または非置換された炭素数２～３０のヘテロアリール基、およびｉｖ）ニトロ基、シアノ基またはハロゲン基で置換または非置換された炭素数１～２０のアルキレン基からなる群から選択される１種以上の官能基を１以上含むアミン化合物；熱硬化性樹脂；および熱可塑性樹脂；を含む硬化物または前記金属薄膜コーティング用熱硬化性樹脂組成物のコーティング硬化物のガラス転移温度（Ｔｇ）は２２０℃～２４０℃を有する。
また、前記ｉ）スルホン基、カルボニル基、ハロゲン基、ニトロ基、シアノ基またはハロゲン基で置換または非置換された炭素数１～２０のアルキル基、ｉｉ）ニトロ基、シアノ基またはハロゲン基で置換または非置換された炭素数６～２０のアリール基、ｉｉｉ）ニトロ基、シアノ基またはハロゲン基で置換または非置換された炭素数２～３０のヘテロアリール基、およびｉｖ）ニトロ基、シアノ基またはハロゲン基で置換または非置換された炭素数１～２０のアルキレン基からなる群から選択される１種以上の官能基を１以上含むアミン化合物；熱硬化性樹脂；および熱可塑性樹脂；を含む硬化物または前記金属薄膜コーティング用熱硬化性樹脂組成物のコーティング硬化物は、ＩＰＣ－ＴＭ－６５０（２．４．１８．３）により、Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ Ｔｅｓｔｉｎｇ Ｍａｃｈｉｎｅ（Ｉｎｓｔｒｏｎ３３６５）装備を用いて測定したＭＤ方向の引張伸び率が１％以上、または１％～１０％、または２％～５％、または３％～４％、または３．６％～３．８％であり得る。
すなわち、単分子系からなる樹脂組成物と共に引張テストをした結果、同一厚さで比較した時の破断までの伸び率（ｅｌｏｎｇａｔｉｏｎ）がさらに優れていることを観察することができ、これにより耐クラック性に優れていることを確認することができる。
したがって、本発明は、従来の単分子系からなる樹脂コーティング銅箔に比べて同一厚さで比較時耐クラック性に優れ、半導体素子の性能向上に寄与することができる。
また、レオメータ最低粘度区間（ｗｉｎｄｏｗ）が広くなって流れ性およびパターン充填性に有利になる。好ましくは、金属箔積層工程の温度区間内で、最小粘度を維持する区間（ｗｉｎｄｏｗ）を広げることによって樹脂の流れ性を向上させる効果がある。
例えば、パターンを埋めるのに適する複素粘度を２０００Ｐａ．ｓ以下であると仮定するとき、前記金属薄膜コーティング用熱硬化性樹脂組成物の場合、前記粘度条件を満たす温度区間は１２０℃～１８０℃で非常に広い。すなわち、積層工程区間内の流れ性が高くパターン充填性に優れ、熱硬化性樹脂組成物がコーティングされた金属薄膜の耐クラック性を向上させることができる。
前記金属薄膜コーティング用熱硬化性樹脂組成物は、アミン化合物、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、および無機充填材を含み得る。
前記成分の含有量が大きく限定されるものではないが、前記金属薄膜コーティング用熱硬化性樹脂組成物から製造される最終製品の物性などを考慮して上述した成分を含み得、これら成分間の含有量比などは後述するとおりである。
具体的には、前記熱硬化性樹脂組成物は、ｉ）スルホン基、カルボニル基、ハロゲン基、ニトロ基、シアノ基またはハロゲン基で置換または非置換された炭素数１～２０のアルキル基、ｉｉ）ニトロ基、シアノ基またはハロゲン基で置換または非置換された炭素数６～２０のアリール基、ｉｉｉ）ニトロ基、シアノ基またはハロゲン基で置換または非置換された炭素数２～３０のヘテロアリール基、およびｉｖ）ニトロ基、シアノ基またはハロゲン基で置換または非置換された炭素数１～２０のアルキレン基からなる群から選択される１種以上の官能基を１以上含むアミン化合物を含み得る。前記アミン化合物は、アミン硬化剤として使用され得る。
この時、前記アミン化合物に含まれている炭素数１～２０のアルキル基、炭素数６～２０のアリール基、炭素数２～３０のヘテロアリール基および炭素数１～２０のアルキレン基は、それぞれ独立して、ニトロ基、シアノ基およびハロゲン基からなる群から選択される１種以上の官能基で置換され得る。
前記アミン化合物に含まれたｉ）スルホン基、カルボニル基、ハロゲン基、ニトロ基、シアノ基またはハロゲン基で置換または非置換された炭素数１～２０のアルキル基、ｉｉ）ニトロ基、シアノ基またはハロゲン基で置換または非置換された炭素数６～２０のアリール基、ｉｉｉ）ニトロ基、シアノ基またはハロゲン基で置換または非置換された炭素数２～３０のヘテロアリール基、およびｉｖ）ニトロ基、シアノ基またはハロゲン基で置換または非置換された炭素数１～２０のアルキレン基からなる群から選択される１種以上の官能基は強力な電子求引基（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｗｉｔｈｄｒａｗｉｎｇ Ｇｒｏｕｐ、ＥＷＧ）として、前記電子求引基を含むアミン化合物は電子求引基を含まないアミン化合物に比べて反応性が減少し、これから樹脂組成物の硬化反応を容易に制御することができる。
したがって、前記アミン化合物によって組成物の硬化反応程度を調整して流動性を向上させて回路パターンの充填性が向上することができる。
前記アミン化合物はｉ）スルホン基、カルボニル基、ハロゲン基、ニトロ基、シアノ基またはハロゲン基で置換または非置換された炭素数１～２０のアルキル基、ｉｉ）ニトロ基、シアノ基またはハロゲン基で置換または非置換された炭素数６～２０のアリール基、ｉｉｉ）ニトロ基、シアノ基またはハロゲン基で置換または非置換された炭素数２～３０のヘテロアリール基、およびｉｖ）ニトロ基、シアノ基またはハロゲン基で置換または非置換された炭素数１～２０のアルキレン基からなる群から選択される１種以上の官能基を１以上含み、２～５個のアミン基を含む芳香族アミン化合物であり得る。
より具体的には、前記アミン化合物は、下記化学式１～３からなる群から選択される１種以上の化合物を含み得る。
[化学式１]
上記化学式１中、Ａは、スルホン基、カルボニル基、または炭素数１～１０のアルキレン基であり、Ｘ１～Ｘ８は、それぞれ独立して、ニトロ基、シアノ基、水素原子、ハロゲン基、炭素数１～６のアルキル基、炭素数６～１５のアリール基、または炭素数２～２０のヘテロアリール基であり、Ｒ１、Ｒ１'、Ｒ２およびＲ２'は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン基、炭素数１～６のアルキル基、炭素数６～１５のアリール基、または炭素数２～２０のヘテロアリール基であり、ｎは１～１０の整数であり得る。
前記炭素数１～１０のアルキレン基、炭素数１～６のアルキル基、炭素数６～１５のアリール基、および炭素数２～２０のヘテロアリール基はそれぞれ独立して、ニトロ基、シアノ基およびハロゲン基からなる群から選択される１種以上の官能基で置換され得る。
[化学式２]
上記化学式２中、Ｙ１～Ｙ８は、それぞれ独立して、ニトロ基、シアノ基、水素原子、ハロゲン基、炭素数１～６のアルキル基、炭素数６～１５のアリール基、または炭素数２～２０のヘテロアリール基であり、Ｒ３、Ｒ３'、Ｒ４およびＲ４'は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン基、炭素数１～６のアルキル基、炭素数６～１５のアリール基、または炭素数２～２０のヘテロアリール基であり、ｍは１～１０の整数であり、前記炭素数１～６のアルキル基、炭素数６～１５のアリール基、および炭素数２～２０のヘテロアリール基はそれぞれ独立して、ニトロ基、シアノ基およびハロゲン基からなる群から選択される１種以上の官能基で置換され得る。
[化学式３]
上記化学式３中、Ｚ１～Ｚ４は、それぞれ独立して、ニトロ基、シアノ基、水素原子、ハロゲン基、炭素数１～６のアルキル基、炭素数６～１５のアリール基、または炭素数２～２０のヘテロアリール基であり、Ｒ５、Ｒ５'、Ｒ６およびＲ６'は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン基、炭素数１～６のアルキル基、炭素数６～１５のアリール基、または炭素数２～２０のヘテロアリール基であり、前記炭素数１～６のアルキル基、炭素数６～１５のアリール基、および炭素数２～２０のヘテロアリール基はそれぞれ独立して、ニトロ基、シアノ基およびハロゲン基からなる群から選択される１種以上の官能基で置換され得る。
前記アルキル基は、アルカン（ａｌｋａｎｅ）から由来した１価の官能基であり、例えば、直鎖状、分枝状または環状として、メチル、エチル、プロピル、イソブチル、ｓｅｃ－ブチル、ｔｅｒｔ－ブチル、ペンチル、ヘキシルなどであり得る。前記アルキル基に含まれている一つ以上の水素原子はそれぞれ置換基で置換可能である。
前記アルキレン基は、アルカン（ａｌｋａｎｅ）から由来した２価の官能基であり、例えば、直鎖状、分枝状または環状として、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソブチレン基、ｓｅｃ－ブチレン基、ｔｅｒｔ－ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基などであり得る。前記アルキレン基に含まれている一つ以上の水素原子は、それぞれ前記アルキル基の場合と同様の置換基で置換可能である。
前記アリール基は、アレーン（ａｒｅｎｅ）から由来した１価の官能基であり、例えば、単環式または多環式であり得る。具体的には、単環式アリール基としては、フェニル基、ビフェニル基、テルフェニル基、スチルベニル基などであり得るが、これらに限定されるものではない。多環式アリール基としては、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、ピレニル基、ペリレニル基、クリセニル基、フルオレニル基などであり得るが、これらに限定されるものではない。このようなアリール基のうち一つ以上の水素原子は、それぞれ前記アルキル基の場合と同様の置換基で置換可能である。
前記ヘテロアリール基は、異種原子としてＯ、ＮまたはＳを含むヘテロ環基であって、炭素数は特に限定されないが、炭素数２～３０であり得る。ヘテロ環基の例としては、チオフェン基、フラン基、ピロール基、イミダゾール基、チアゾール基、オキサゾール基、オキサジアゾール基、トリアゾール基、ピリジル基、ビピリジル基、トリアジン基、アクリジル基、ピリダジン基、キノリニル基、イソキノリン基、インドール基、カルバゾール基、ベンゾオキサゾール基、ベンゾイミダゾール基、ベンゾチアゾール基、ベンゾカルバゾール基、ベンゾチオフェン基、ジベンゾチオフェン基、ベンゾフラニル基およびジベンゾフラン基などがあるが、これらにのみ限定されるものではない。このようなヘテロアリール基のうち一つ以上の水素原子は、それぞれ前記アルキル基の場合と同様の置換基で置換可能である。
前記「置換」という用語は、化合物内の水素原子の代わりに他の官能基が結合することを意味し、置換される位置は水素原子が置換される位置すなわち、置換基が置換可能な位置であれば限定されず、２以上置換される場合、２以上の置換基は互いに同一または異なってもよい。
より具体的には、上記化学式１は、下記化学式１－１で表される化合物を含み得る。
[化学式１－１]
[化学式１－１]
上記化学式１－１中、Ａ、Ｘ１～Ｘ８、Ｒ１、Ｒ１'、Ｒ２およびＲ２'、ｎに対する内容は上記化学式１で上述した内容を含む。
上記化学式１－１の具体的な例としては、４，４'－ｄｉａｍｉｎｏｄｉｐｈｅｎｙｌｓｕｌｆｏｎｅ（化学式１－１中、Ａはスルホン基、Ｘ１～Ｘ８、Ｒ１、Ｒ１'、Ｒ２およびＲ２'はそれぞれ独立して水素原子であり、ｎは１である。）、ｂｉｓ（４－ａｍｉｎｏｐｈｅｎｙｌ）ｍｅｔｈａｎｏｎｅ（化学式１－１中、Ａはカルボニル基、Ｘ１～Ｘ８、Ｒ１、Ｒ１'、Ｒ２およびＲ２'はそれぞれ独立して水素原子であり、ｎは１である。）、４，４'－（ｐｅｒｆｌｕｏｒｏｐｒｏｐａｎｅ－２，２－ｄｉｙｌ）ｄｉａｎｉｌｉｎｅ（化学式１－１中、Ａはｐｅｒｆｌｕｏｒｏｐｒｏｐａｎｅ－２，２－ｄｉｙｌ、Ｘ１～Ｘ８、Ｒ１、Ｒ１'、Ｒ２およびＲ２'はそれぞれ独立して水素原子であり、ｎは１である。）、４，４'－（２，２，２－ｔｒｉｆｌｕｏｒｏｅｔｈａｎｅ－１，１－ｄｉｙｌ）ｄｉａｎｉｌｉｎｅ（化学式１－１中、Ａは２，２，２－ｔｒｉｆｌｕｏｒｏｅｔｈａｎｅ－１，１－ｄｉｙｌ、Ｘ１～Ｘ８、Ｒ１、Ｒ１'、Ｒ２およびＲ２'はそれぞれ独立して水素原子であり、ｎは１である。）などが挙げられる。
また、上記化学式２は、下記化学式２－１で表される化合物を含み得る。
[化学式２－１]
[化学式２－１]
上記化学式２－１中、Ｙ１～Ｙ８、Ｒ３、Ｒ３'、Ｒ４およびＲ４'、ｍに対する内容は上記化学式２で上述した内容を含む。
上記化学式２－１の具体的な例としては、２，２'，３，３'，５，５'，６，６'－ｏｃｔａｆｌｕｏｒｏｂｉｐｈｅｎｙｌ－４，４'－ｄｉａｍｉｎｅ（化学式２－１中、Ｙ１～Ｙ８はハロゲンとしてフッ素基、Ｒ３、Ｒ３'、Ｒ４およびＲ４'はそれぞれ独立して水素原子であり、ｍは１である。）、２，２'－ｂｉｓ（ｔｒｉｆｌｕｏｒｏｍｅｔｈｙｌ）ｂｉｐｈｅｎｙｌ－４，４'－ｄｉａｍｉｎｅ（Ｙ２およびＹ７はそれぞれトリフルオロメチル基であり、Ｙ１、Ｙ３、Ｙ４、Ｙ５、Ｙ６、Ｙ８は水素原子、Ｒ３、Ｒ３'、Ｒ４およびＲ４'はそれぞれ独立して水素原子であり、ｍは１である。）などが挙げられる。
また、上記化学式３は、下記化学式３－１で表される化合物を含み得る。
[化学式３－１]
[化学式３－１]
上記化学式３－１中、Ｚ１～Ｚ４、Ｒ５、Ｒ５'、Ｒ６およびＲ６'に対する内容は上記化学式３で上述した内容を含む。
上記化学式３－１の具体的な例としては、２，３，５，６－ｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｂｅｎｚｅｎｅ－１，４－ｄｉａｍｉｎｅ（化学式３－１中、Ｚ１～Ｚ４はハロゲンとしてフッ素基、Ｒ５、Ｒ５'、Ｒ６およびＲ６'はそれぞれ独立して水素原子である。）などが挙げられる。
前記アミン化合物と樹脂成分（具体的には、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との合計）の全体重量に対してアミン化合物の含有量が５重量％～５０重量％、または１０重量％～２０重量％であり得る。前記アミン化合物の含有量が５重量％未満で過度に減少する場合、未硬化が発生し得、前記アミン化合物の含有量が５０重量部超過で過度に増加する場合、硬化速度が増加して熱硬化性樹脂組成物の流動性が減少し得、また、未反応のアミン化合物によって熱硬化性樹脂組成物を用いた金属薄膜の機械的物性が低下し得る。
一方、前記金属薄膜コーティング用熱硬化性樹脂組成物は、熱硬化性樹脂を含み得る。
前記熱硬化性樹脂は、ジシクロペンタジエン系エポキシ樹脂およびビフェニル系エポキシ樹脂を含み得る。具体的には、前記ジシクロペンタジエン系エポキシ樹脂１００重量部に対して前記ビフェニル系エポキシ樹脂の含有量が１００重量部未満、または１重量部～９０重量部、または５重量部～８０重量部、または１０重量部～７０重量部、または２０重量部～５０重量部であり得る。
前記熱硬化性樹脂は、ジシクロペンタジエン系エポキシ樹脂およびビフェニル系エポキシ樹脂を含み得る。具体的には、前記ジシクロペンタジエン系エポキシ樹脂１００重量部に対して前記ビフェニル系エポキシ樹脂の含有量が１００重量部未満、または１重量部～９０重量部、または５重量部～８０重量部、または１０重量部～７０重量部、または２０重量部～５０重量部であり得る。
より具体的には、前記ビフェニル系エポキシ樹脂は、下記化学式１１で表されるエポキシ樹脂であり得、前記ジシクロペンタジエン系エポキシ樹脂は、下記化学式１２で表されるエポキシ樹脂であり得る。
[化学式１１]
上記化学式１１中、
ｎは、０または１～５０の整数である。
[化学式１２]
上記化学式１２中、ｎは、０または１～５０の整数である。
[化学式１１]
ｎは、０または１～５０の整数である。
[化学式１２]
前記ジシクロペンタジエン系エポキシ樹脂の具体的な例としては、Ｎｉｐｐｏｎ ｋａｙａｋｕ社製のＸＤ－１０００が挙げられ、前記ビフェニル系エポキシ樹脂の具体的な例としては、Ｎｉｐｐｏｎ ｋａｙａｋｕ社製のＮＣ－３０００Ｈが挙げられる。
また、前記熱硬化性樹脂は、ビスマレイミド樹脂、シアネートエステル樹脂およびビスマレイミド－トリアジン樹脂からなる群から選択される１種以上の樹脂をさらに含むことができる。
前記ビスマレイミド樹脂は、通常金属薄膜コーティング用熱硬化性樹脂組成物に使用されるものを制限なく使用することができ、その種類は限定されない。好ましい一例としては、前記ビスマレイミド樹脂は、下記化学式１３で表されるジフェニルメタン型ビスマレイミド樹脂、下記化学式１４で表されるフェニレン型ビスマレイミド樹脂、下記化学式１５で表されるビスフェノールＡ型ジフェニルエーテルビスマレイミド樹脂、および下記化学式１６で表されるジフェニルメタン型ビスマレイミドおよびフェニルメタン型マレイミド樹脂のオリゴマーで構成されたビスマレイミド樹脂からなる群から選択される１種以上であり得る。
[化学式１３]
上記化学式１３中、
Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立して、Ｈ、ＣＨ３またはＣ２Ｈ５である。
[化学式１４]
[化学式１５]
[化学式１６]
上記化学式１６中、
ｎは、０または１～５０の整数である。
[化学式１３]
Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立して、Ｈ、ＣＨ３またはＣ２Ｈ５である。
[化学式１４]
ｎは、０または１～５０の整数である。
また、前記シアネート系樹脂の具体的な例としてシアネートエステル樹脂が挙げられ、通常金属薄膜コーティング用熱硬化性樹脂組成物に使用されるものを制限なく使用することができ、その種類は限定されない。
好ましい一例としては、前記シアネートエステル樹脂は、下記化学式１７で表されるノボラック型シアネート樹脂、下記化学式１８で表されるジシクロペンタジエン型シアネート樹脂、下記化学式１９で表されるビスフェノール型シアネート樹脂およびこれらの一部がトリアジン化したプレポリマーが挙げられ、これらは単独あるいは２種以上混合して使用することができる。
[化学式１７]
上記化学式１７中、
ｎは、０または１～５０の整数である。
[化学式１８]
上記化学式１８中、
ｎは、０または１～５０の整数である。
[化学式１９]
上記化学式１９中、
Ｒは、
、または
である。
[化学式１７]
ｎは、０または１～５０の整数である。
[化学式１８]
ｎは、０または１～５０の整数である。
[化学式１９]
Ｒは、
より具体的には、上記化学式１９のシアネート樹脂はＲの種類によって、それぞれビスフェノールＡ型シアネート樹脂、ビスフェノールＥ型シアネート樹脂、ビスフェノールＦ型シアネート樹脂、またはビスフェノールＭ型シアネート樹脂であり得る。
そして、前記ビスマレイミド樹脂としてはビスマレイミド－トリアジン樹脂などが挙げられ、前記ビスマレイミド－トリアジン樹脂は、通常金属薄膜コーティング用熱硬化性樹脂組成物に使用されるものを制限なく使用することができ、その種類は限定されない。前記ビスマレイミド樹脂の好ましい例としては、ＤＡＩＷＡ ＫＡＳＥＩ社製のＢＭＩ－２３００などが挙げられる。
特に、前記金属薄膜コーティング用樹脂組成物は、前記アミン化合物１００重量部に対して前記熱硬化性樹脂の含有量を４００重量部以下で含み、高い含有量で投入されたフィラーによる熱硬化性樹脂の物性変化を防止し、フィラーの影響なしに熱硬化性樹脂がより十分な水準で均一に硬化できるように誘導し、最終的に製造される製品の信頼性が向上することができ、靭性（Ｔｏｕｇｈｎｅｓｓ）のような機械的物性も増加させることができ、ガラス転移温度を十分に低くすることができる。
従来には前記アミン硬化剤１００重量部に対して前記熱硬化性樹脂の含有量を４００重量部以下で含ませるように、アミン硬化剤を相対的に過量添加した時に、熱硬化性樹脂の過度な硬化によって流動性および成形性が減少する限界があった。しかし、前述したように電子求引基（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｗｉｔｈｄｒａｗｉｎｇ Ｇｒｏｕｐ、ＥＷＧ）を含み、反応性が減少した特定アミン硬化剤を過量に添加しても、硬化剤の反応性の減少によって熱硬化性樹脂の硬化速度が急激に上昇することを抑制することができ、金属薄膜コーティング用樹脂組成物やこれから得られる金属薄膜での長期間保管時にも高い流れ性を示して優れた流動性を有することができる。
具体的には、前記金属薄膜コーティング用熱硬化性樹脂組成物は、前記アミン硬化剤１００重量部に対して前記熱硬化性樹脂の含有量が４００重量部以下、または１５０重量部～４００重量部、または１８０重量部～３００重量部、または１８０重量部～２９０重量部、または１９０重量部～２９０重量部、または２４０重量部～２６０重量部であり得る。前記アミン硬化剤または熱硬化性樹脂が２種以上の混合物である場合、アミン硬化剤混合物１００重量部に対して熱硬化性樹脂混合物の含有量も４００重量部以下、または１５０重量部～４００重量部、または１８０重量部～３００重量部、または１８０重量部～２９０重量部、または１９０重量部～２９０重量部、または２４０重量部～２６０重量部であり得る。
前記アミン硬化剤１００重量部に対して前記熱硬化性樹脂の含有量を４００重量部超過で過度に増加する場合、高含量で投入されたフィラーの影響で熱硬化性樹脂がより十分な水準まで均一に硬化することが難しく、最終的に製造される製品の信頼性が減少し得、靭性（Ｔｏｕｇｈｎｅｓｓ）のような機械的物性も減少し得る。
また、前記アミン化合物および樹脂成分（具体的には、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂の合計）の全体重量に対してエポキシ樹脂の含有量が３０重量％～８０重量％であり、ビスマレイミド樹脂の含有量が１重量％～２０重量％であり得る。好ましくは、前記エポキシ樹脂の含有量は、前記アミン化合物および樹脂成分（具体的には、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂の合計）の総和に対して３５重量％～７０重量％であり得る。また、前記ビスマレイミド樹脂の含有量は、前記アミン化合物および樹脂成分（具体的には、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂の合計）の総和に対して１重量％～１０重量％であり得る。
前記エポキシ樹脂の使用量が３０重量％未満であれば高いＴｇの実現が難しい問題があり、８０重量％を超えると流れ性が悪くなる問題がある。
前記ビスマレイミド樹脂の使用量が１重量％未満であれば所望する物性の実現ができない問題があり、２０重量％を超えると未反応基が多く耐化学性などの特性に悪影響を及ぼす。
一方、前記金属薄膜コーティング用樹脂組成物は、下記数式１から計算される当量比が１．４以上、または１．４～２．５、または１．４５～２．５、または１．４５～２．１、または１．４５～１．８、または１．４９～１．７５、または１．６～１．７であり得る。
[数式１]
当量比＝前記アミン硬化剤に含有された総活性水素当量／前記熱硬化性樹脂に含有された総硬化性官能基当量
当量比＝前記アミン硬化剤に含有された総活性水素当量／前記熱硬化性樹脂に含有された総硬化性官能基当量
より具体的には、前記数式１において、前記アミン硬化剤に含有された総活性水素当量は、前記アミン硬化剤の総重量（単位：ｇ）を前記アミン硬化剤の活性水素単位当量（ｇ／ｅｑ）で割った値を意味する。
前記アミン硬化剤が２種以上の混合物である場合、それぞれの化合物別に重量（単位：ｇ）を活性水素単位当量（ｇ／ｅｑ）で割った値を求め、それを合計した値で前記数式１のアミン硬化剤に含有された総活性水素当量を求める。
前記アミン硬化剤に含有された活性水素は、アミン硬化剤に存在するアミノ基（－ＮＨ２）に含有された水素原子を意味し、前記活性水素が熱硬化性樹脂の硬化性官能基との反応により硬化構造を形成し得る。
また、前記数式１において、前記熱硬化性樹脂に含有された総硬化性官能基当量は、前記熱硬化性樹脂の総重量（単位：ｇ）を前記熱硬化性樹脂の硬化性官能基単位当量（ｇ／ｅｑ）で割った値を意味する。
前記熱硬化性樹脂が２種以上の混合物である場合、それぞれの化合物別に重量（単位：ｇ）を硬化性官能基単位当量（ｇ／ｅｑ）で割った値を求め、それを合計した値で前記数式１の熱硬化性樹脂に含有された総硬化性官能基当量を求める。
前記熱硬化性樹脂に含有された硬化性官能基は、前記アミン硬化剤の活性水素との反応により硬化構造を形成する官能基を意味し、前記熱硬化性樹脂の種類によって硬化性官能基の種類も変わる。
例えば、前記熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場合、前記エポキシ樹脂に含有された硬化性官能基はエポキシ基であり、前記熱硬化性樹脂としてビスマレイミド樹脂を用いる場合、前記ビスマレイミド樹脂に含有された硬化性官能基はマレイミド基であり得る。
すなわち、前記金属薄膜コーティング用樹脂組成物が前記数式１から計算される当量比が１．４以上を満たすことは、すべての熱硬化性樹脂に含有された硬化性官能基が硬化反応を起こすことができる程度の十分な水準のアミン硬化剤が含まれていることを意味する。したがって、前記金属薄膜コーティング用樹脂組成物において前記数式１から計算される当量比が１．４未満に減少する場合、高含量で投入されたフィラーの影響で熱硬化性樹脂がより十分な水準まで均一に硬化することが難しく、最終的に製造される製品の信頼性が減少し、機械的物性も減少する短所がある。
一方、前記金属薄膜コーティング用熱硬化性樹脂組成物は、熱可塑性樹脂を含み得る。
前記熱可塑性樹脂は、硬化後、靭性（Ｔｏｕｇｈｎｅｓｓ）を増加させる効果があり、熱膨張係数および弾性率を低くして金属薄膜の反り（Ｗａｒｐａｇｅ）を緩和させる役割を果たすことができる。前記熱可塑性樹脂の具体的な例としては、（メタ）アクリレート系高分子が挙げられる。
前記熱可塑性樹脂は、硬化後、靭性（Ｔｏｕｇｈｎｅｓｓ）を増加させる効果があり、熱膨張係数および弾性率を低くして金属薄膜の反り（Ｗａｒｐａｇｅ）を緩和させる役割を果たすことができる。前記熱可塑性樹脂の具体的な例としては、（メタ）アクリレート系高分子が挙げられる。
前記（メタ）アクリレート系高分子の例は大きく限定されるものではなく、例えば（メタ）アクリレート系単量体由来の繰り返し単位と（メタ）アクリロニトリル由来の繰り返し単位が含まれるアクリル酸エステル共重合体；またはブタジエン由来の繰り返し単位が含まれるアクリル酸エステル共重合体であり得る。例えば、前記（メタ）アクリレート系高分子は、ブチルアクリレート、エチルアクリレート、アクリロニトリル、メチルメタクリレート、グリシジルメタクリレートなどの単量体をそれぞれ１重量％～４０重量％の範囲内（単量体全体の総重量に対して）で使用して共重合した共重合体であり得る。
前記（メタ）アクリレート系高分子は、５００，０００～１，０００，０００の重量平均分子量を有することができる。前記（メタ）アクリレート系高分子の重量平均分子量が小さすぎると、硬化後の靭性（Ｔｏｕｇｈｎｅｓ）の増加や熱膨張率および弾性率の減少に対する効果が減少して技術的に不利であり得る。また、前記（メタ）アクリレート系高分子の重量平均分子量が大きすぎると、流動性を減少させる。
本明細書において、重量平均分子量はＧＰＣ法によって測定したポリスチレン換算の重量平均分子量を意味する。前記ＧＰＣ法によって測定したポリスチレン換算の重量平均分子量を測定する過程では、通常知られている分析装置と示差屈折率検出器（Ｒｅｆｒａｃｔｉｖｅ Ｉｎｄｅｘ Ｄｅｔｅｃｔｏｒ）などの検出器および分析用カラムを用い、通常適用される温度条件、溶媒、ｆｌｏｗ ｒａｔｅを適用することができる。前記測定条件の具体的な例として、Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｉｅｓ ＰＬｇｅｌ ＭＩＸ－Ｂ ３００ｍｍ長さのカラムを用いてＷａｔｅｒｓ ＰＬ－ＧＰＣ２２０機器を用いて、評価温度は１６０℃であり、１，２，４－トリクロロベンゼンを溶媒として使用し、流速は１ｍＬ／ｍｉｎの速度で、サンプルは１０ｍｇ／１０ｍＬの濃度で調製した後、２００μＬの量で供給し、ポリスチレン標準を用いて形成された検定曲線を用いてＭｗの値を求める。ポリスチレン標準品の分子量は、２，０００／１０，０００／３０，０００／７０，０００／２００，０００／７００，０００／２，０００，０００／４，０００，０００／１０，０００，０００の９種を使用した。
前記熱可塑性樹脂の好ましい例としては、Ｎｅｇａｍｉ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ Ｃｏ．，ＬＴＤ社製のＰＡＲＡＣＲＯＮ ＫＧ－３０１５Ｐなどが挙げられる。
一方、前記アミン化合物および熱硬化性樹脂の総和１００重量部に対して、前記熱可塑性樹脂を４０重量部～９０重量部で含み得る。好ましくは、前記熱可塑性樹脂は、アミン化合物および熱硬化性樹脂の総和１００重量部に対して４１重量部～８０重量部、または４２重量部～７０重量部、または４２．７重量部～６７重量部を含み得る。前記熱可塑性樹脂の含有量が４０重量部未満であれば樹脂の流れ性が多すぎて厚さ偏差が増加する問題があり、９０重量部超過すると流れ性が少なすぎてパターン充填性が劣る問題がある。
また、前記金属薄膜コーティング用熱硬化性樹脂組成物は、無機充填材を含み得る。
前記無機充填材は、通常金属薄膜コーティング用熱硬化性樹脂組成物に使用されるものを制限なく使用することができ、具体的な例としては、シリカ、アルミニウムトリヒドロキシド、マグネシウムヒドロキシド、モリブデンオキシド、ジンクモリブデート、ジンクボレート、ジンクスタネート、アルミナ、クレー、カオリン、タルク、焼成カオリン、焼成タルク、マイカ、ガラス短繊維、ガラス微細パウダーおよび中空ガラスが挙げられ、これらからなる群から選択される１種以上であり得る。
前記金属薄膜コーティング用熱硬化性樹脂組成物は、前記アミン化合物および熱硬化性樹脂の総和１００重量部に対して前記無機充填材の含有量が２００重量部～５００重量部、または２０５重量部～４５０重量部、または２１０重量部～４００重量部を含み得る。前記無機充填材の含有量が少なすぎると熱膨張係数が増加してリフロー（ｒｅｆｌｏｗ）工程時反り現象が深刻化し、印刷回路基板の剛性が減少する問題がある。
また、前記表面処理された充填材を使用時、ナノ粒径の小さいサイズとマイクロ粒径の大きいサイズを共に使用してパッキング密度（ｐａｃｋｉｎｇ ｄｅｎｓｉｔｙ）を高めて充填率を高めることができる。
前記無機充填材は、平均粒径が異なる２種以上の無機充填材を含み得る。具体的には、前記２種以上の無機充填材のうち少なくとも１種が平均粒径が０．１μｍ～１００μｍである無機充填材であり、他の１種が平均粒径が１ｎｍ～９０ｎｍである無機充填材であり得る。
前記平均粒径が０．１μｍ～１００μｍである無機充填材１００重量部に対して前記平均粒径が１ｎｍ～９０ｎｍである無機充填材の含有量が１重量部～３０重量部であり得る。
前記無機充填材は、耐湿性、分散性を向上させる観点からシランカップリング剤で表面処理されたシリカを使用することができる。
前記無機充填材を表面処理する方法は、シランカップリング剤を表面処理剤として用いてシリカ粒子を乾式または湿式で処理する方法を用いることができる。例えば、シリカ粒子１００重量部を基準として０．０１重量部～１重量部のシランカップリング剤を使用して湿式方法でシリカを表面処理して使用することができる。
具体的には、前記シランカップリング剤としては、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ－フェニル－３－アミノプロピルトリメトキシシランおよびＮ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシランなどのアミノシランカップリング剤、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシランなどのエポキシシランカップリング剤、３－メタクリロキシプロピルトリメトキシシランなどのビニルシランカップリング剤、Ｎ－２－（Ｎ－ビニルベンジルアミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシランヒドロクロリドなどの陽イオンシランカップリング剤およびフェニルシランカップリング剤が挙げられ、シランカップリング剤は単独で使用され得、または必要に応じて少なくとも二つのシランカップリング剤を組み合わせて使用することができる。
より具体的には、前記シラン化合物は、芳香族アミノシランまたは（メタ）アクリルシランを含むことができ、前記平均粒径が０．１μｍ～１００μｍである無機充填材としては芳香族アミノシランが処理されたシリカを使用することができ、前記平均粒径が１ｎｍ～９０ｎｍである無機充填材としては（メタ）アクリルシランが処理されたシリカを使用することができる。前記芳香族アミノシランが処理されたシリカの具体的な例としてはＳＣ２０５０ＭＴＯ（Ａｄｍａｎｔｅｃｈｓ社製）が挙げられ、前記（メタ）アクリルシランが処理されたシリカの具体的な例としてはＡＣ４１３０Ｙ（Ｎｉｓｓａｎ ｃｈｅｍｉｃａｌ社製）が挙げられる。前記（メタ）アクリルは、アクリルまたはメタクリルを全て含む意味で使用された。
そして、前記金属薄膜コーティング用熱硬化性樹脂組成物は、必要に応じて溶剤を添加して溶液で使用することができる。前記溶剤としては樹脂成分に対して良好な溶解性を示すものであれば、その種類は特に限定されず、アルコール系、エーテル系、ケトン系、アミド系、芳香族炭化水素系、エステル系、ニトリル系などを使用することができ、これらは単独または２種以上併用した混合溶剤を利用することもできる。
また、前記金属薄膜コーティング用熱硬化性樹脂組成物は、樹脂組成物固有の特性を損なわない限り、その他熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂およびこれらのオリゴマーおよびエラストマーのような多様な高分子化合物、その他難燃性化合物または添加剤をさらに含むこともできる。これらは通常使用されるものから選択されるものであれば特に限定しない。例えば、添加剤としては紫外線吸収剤、酸化防止剤、光重合開始剤、蛍光増白剤、光増感剤、顔料、染料、増粘剤、滑剤、消泡剤、分散剤、レベリング剤、光沢剤などがあり、目的に合わせて混合して使用することも可能である。
前記その他熱硬化性樹脂の例としてはエポキシ樹脂が挙げられ、前記エポキシ樹脂としてはその種類は限定されないが、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、フェノールノボラックエポキシ樹脂、フェニルアラルキル型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタンエポキシ樹脂、ナフタレン系エポキシ樹脂、またはこれらの混合物などを使用することができる。
具体的には、前記エポキシ樹脂は、下記化学式５で表されるビスフェノール型エポキシ樹脂、下記化学式６で表されるノボラック型エポキシ樹脂、下記化学式７で表されるフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、下記化学式８で表されるテトラフェニルエタン型エポキシ樹脂、下記化学式９および１０で表されるナフタレン型エポキシ樹脂からなる群から選択される１種以上を使用することができる。
[化学式５]
上記化学式５中、
Ｒは、
、または
であり、
ｎは、０または１～５０の整数である。
[化学式５]
Ｒは、
ｎは、０または１～５０の整数である。
より具体的には、上記化学式５のエポキシ樹脂はＲの種類によって、それぞれビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂、またはビスフェノールＳ型エポキシ樹脂であり得る。
[化学式６]
[化学式６]
Ｒは、ＨまたはＣＨ３であり、
ｎは、０または１～５０の整数である。
より具体的には、上記化学式３のノボラック型エポキシ樹脂はＲの種類によって、それぞれフェノールノボラック型エポキシ樹脂またはクレゾールノボラック型エポキシ樹脂であり得る。
[化学式７]
[化学式８]
[化学式９]
[化学式１０]
一方、前記金属薄膜コーティング用熱硬化性樹脂組成物は、上述したアミン化合物を含むことができ、前記アミン化合物以外の追加的な硬化剤をさらに含むこともできる。
上述した各成分を混合してコーティング用ワニスを製造し、これを金属箔でコーティングした後、硬化および乾燥する過程により簡単な方法で樹脂コーティング金属薄膜を製造することができる。
このような構成を有する前記金属薄膜コーティング用熱硬化性樹脂組成物は、レオメータ最低粘度区間が１２０℃～１８０℃の範囲で２０００Ｐａ・ｓ以下の複素粘度の条件を満たすことができる。
すなわち、パターンを埋めるのに適する複素粘度が２０００Ｐａ・ｓ以下であると仮定すると、本発明で提示する樹脂組成物の場合、前記粘度条件を満たす温度区間が１２０℃～１８０℃で非常に広い。すなわち、積層工程区間内の流れ性が高いため、樹脂積層後の空の空間が発生せずパターン充填性に優れる。
前記金属薄膜コーティング用熱硬化性樹脂組成物は、前記のような優れた樹脂の流れ性を有することによって、金属薄膜とこれを用いて金属積層板を作るか、またはビルドアップ過程で流れ性を確保することができ、微細パターンを容易に満たすことができ、また薄膜の耐クラック性を向上させることができる。
前記絶縁パターンとして使用された硬化物の厚さは１５μｍ以下、または１０μｍ以下、または１μｍ～１５μｍ、または１μｍ～１０μｍ、または５μｍ～１０μｍ、または６μｍ～８μｍであり得る。
（２）レジストパターン層
前記多層印刷回路基板は、前記樹脂積層体の上面および下面に形成されたレジストパターン層を含み得る。前記レジストパターン層は、開口パターンを有するレジストパターンを含み得る。前記レジストパターンは、後述する多層印刷回路基板の製造方法上、レジスト層の部分的なエッチングにより得られるレジストブロックを意味する。
前記多層印刷回路基板は、前記樹脂積層体の上面および下面に形成されたレジストパターン層を含み得る。前記レジストパターン層は、開口パターンを有するレジストパターンを含み得る。前記レジストパターンは、後述する多層印刷回路基板の製造方法上、レジスト層の部分的なエッチングにより得られるレジストブロックを意味する。
前記レジストパターン層は、前記樹脂積層体の上面および下面に形成されて、超薄型化された多層印刷回路基板の製造時にも破れなどの製品破損を防止して優れた耐久性を実現することができる。
前記レジストパターン層に含まれているレジストの例としては、アルカリ可溶性や非熱硬化性の感光性ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）などが挙げられる。前記レジストパターン層の厚さは１μｍ～２０μｍ、または５μｍ～１５μｍ、または９μｍ～１０μｍであり得る。
ＩＩ．多層印刷回路基板の製造方法
本発明の他の一実施形態によれば、キャリアフィルムの両面に金属層を積層しパターンを形成する第１段階と；前記金属層上に絶縁層を積層しパターンを形成する第２段階と；前記絶縁層上に金属層を積層しパターンを形成する第３段階と；前記金属層上にレジスト層を形成する第４段階と；前記第１段階のキャリアフィルムと金属層を剥離し、剥離された金属層の表面にレジスト層を積層しパターンを形成する第５段階と；を含み、前記絶縁層は、厚さが１５μｍ以下である樹脂コーティング金属薄膜を含み、前記第３段階以降、第２段階および第３段階を１回以上繰り返して進行する多層印刷回路基板の製造方法を提供する。
本発明の他の一実施形態によれば、キャリアフィルムの両面に金属層を積層しパターンを形成する第１段階と；前記金属層上に絶縁層を積層しパターンを形成する第２段階と；前記絶縁層上に金属層を積層しパターンを形成する第３段階と；前記金属層上にレジスト層を形成する第４段階と；前記第１段階のキャリアフィルムと金属層を剥離し、剥離された金属層の表面にレジスト層を積層しパターンを形成する第５段階と；を含み、前記絶縁層は、厚さが１５μｍ以下である樹脂コーティング金属薄膜を含み、前記第３段階以降、第２段階および第３段階を１回以上繰り返して進行する多層印刷回路基板の製造方法を提供する。
前記他の一実施形態の多層印刷回路基板の製造方法によって前記一実施形態の多層印刷回路基板を得ることができる。
前記多層印刷回路基板の製造方法は、キャリアフィルムを臨時コア層にして、キャリアフィルムの上面および下面にそれぞれ金属層と絶縁層の積層／パターン形成を繰り返した以後、キャリアフィルムを除去することによって単一の工程で２個の樹脂積層体（パネル）を形成することができる。
特に、樹脂積層体の製造時、使用される絶縁層として１５μｍ以下の厚さを有する樹脂コーティング金属薄膜を適用することによって、樹脂積層体の総厚さを顕著に減らして、薄型化および高集積化された半導体装置への適用可能性を高めることができる。また、前記樹脂コーティング金属薄膜は、絶縁性を有する樹脂層と共に前記樹脂層表面に金属薄膜を含み、絶縁層を形成した以後に金属層を形成する過程で別途のシード層を導入しなくても容易に金属層を積層することができる。
また、前記キャリアフィルムを除去する過程で発生する樹脂積層体の破損を防止するために、キャリアフィルムの除去以前に樹脂積層体上面にレジスト層を形成し、キャリアフィルムを除去した以降にも樹脂積層体の残った上面にレジスト層をさらに形成する２回のレジスト層コーティングにより樹脂積層体の耐久性を向上させることができる。
具体的には、前記第１段階は、キャリアフィルムの両面に金属層を積層しパターンを形成する段階である。前記キャリアフィルムは、金属層と絶縁層の積層の支持体となる基材フィルムであって、前記キャリアフィルムの一面およびこれと対向する反対面それぞれに金属層が積層され得る。
前記金属層に含まれている金属の例としては、金、銀、銅、錫、ニッケル、アルミニウム、チタンなどの金属またはこれらの２種以上の混合物を含む合金などが挙げられ、前記金属層の厚さは１μｍ～２０μｍ、または５μｍ～１５μｍ、または７μｍ～９μｍであり得る。前記金属層の厚さが２０μｍ超過で過度に増加する場合、前記金属層を形成するために過剰の金属が必要となり、これにより、原料コストが増加して経済的な面において効率性が減少でき、薄型化および高集積化された半導体装置への適用が難しい。
前記キャリアフィルムの具体的な例は大きく限定されるものではなく、高分子、金属、ゴムなどの有機、無機素材が多様に適用され得る。具体的な例としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエステルフィルム、ポリイミドフィルム、ポリアミドイミドフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリスチレンフィルムなどのプラスチックフィルムを使用することができる。前記キャリアフィルムの厚さは１０μｍ～１００μｍであり得る。
前記キャリアフィルムの両面に金属層を積層する方法の例としては、前記キャリアフィルムの両面に金属薄膜を形成する段階と；前記金属薄膜上に金属を蒸着させる段階とを含む方法を使用することができる。
具体的には、前記キャリアフィルムの両面に金属薄膜を形成する段階では、前記キャリアフィルム表面に金、銀、銅、錫、ニッケル、アルミニウム、チタンなどの金属またはこれらの２種以上の混合物を含む合金などを蒸着する方法が挙げられる。
前記蒸着方法の例としては、乾式蒸着工程または湿式蒸着工程が挙げられ、具体的な前記乾式蒸着工程の例としては、真空蒸着、イオンプレーティング、スパッタリング方法などが挙げられる。一方、具体的な前記湿式蒸着工程の例としては、多様な金属の無電解メッキなどがあり、より具体的には無電解銅メッキを使用することができる。また、前記蒸着前または後に粗化処理工程をさらに含むことができる。
前記金属薄膜上に金属を蒸着させる段階においても上述した蒸着方法を同様に適用できる。
前記金属層にパターンを形成する方法の例は大きく限定されるものではないが、例えば、前記金属層上にパターン化された感光性樹脂層を形成する段階と；前記パターン化された感光性樹脂層によって露出した金属層を除去する段階とを含む方法を使用することができる。
前記金属層上にパターン化された感光性樹脂層を形成する段階で、前記感光性樹脂層は、パターンが形成された状態で前記金属層上に積層されるか、または積層された以降にパターンが形成され得るが、より好ましくは、前記金属層上に積層された以降にパターンが形成され得る。前記感光性樹脂層の例としては、アルカリ可溶性や非熱硬化性の感光性ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）などが挙げられる。
前記金属層上に感光性樹脂層を形成する方法は大きく限定されず、例えば、感光性ドライフィルムレジストのようなフィルム形状の感光性樹脂を金属層上に積層させる方法、またはスプレーやディッピング方法で感光性樹脂組成物を金属層上にコーティングし、圧着する方法などを使用することができる。
前記金属層上にパターン化された感光性樹脂層を形成する段階は、前記金属層上に形成された感光性樹脂層を露光およびアルカリ現像する段階を含み得る。この場合、前記感光性樹脂層を金属層に対する保護層、またはパターニングマスクとして使用することができる。
前記金属層上に形成された感光性樹脂層を露光およびアルカリ現像する段階で、前記金属層上に形成された感光性樹脂層の厚さは３μｍ～６０μｍ、または５μｍ～３０μｍであり得る。前記感光性樹脂層の厚さが６０μｍ超過で過度に増加する場合、解像度が減少することができる。
前記感光性樹脂層を露光する方法の例は大きく限定されるものではないが、例えば、前記感光性樹脂層に所定のパターンの形成されたフォトマスクを接触し紫外線を照射するか、マスクに含まれている所定のパターンをプロジェクション対物レンズを通してイメージングした後、紫外線を照射するか、またはレーザダイオード（Ｌａｓｅｒ Ｄｉｏｄｅ）を光源に使用して直接イメージングした後、紫外線を照射するなどの方式などを通して選択的に露光することができる。この時、紫外線照射条件の例としては、５ｍＪ／ｃｍ２～６００ｍＪ／ｃｍ２の光量で照射することが挙げられる。
また、前記感光性樹脂層を現像する方法の例としては、アルカリ現像液を処理する方法が挙げられる。前記アルカリ現像液の例は大きく限定されるものではないが、例えば、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、燐酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、アンモニア、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、アミン類などのアルカリ水溶液を使用することができ、好ましくは３０℃、１％炭酸ナトリウム現像液を使用することができる。前記アルカリ現像液の具体的な使用量は、特に限定されない。
前記感光性樹脂層パターンによって露出した金属層を除去する段階で、前記感光性樹脂パターンは、金属層にパターンを形成するためのレジストの役割に使用される。したがって、前記感光性樹脂層パターンによって露出した金属層とは、表面で感光性樹脂層と接触しない金属層部分を意味する。
具体的には、前記感光性樹脂層パターンによって露出した金属層を除去する段階は、エッチング液がパターンが形成された感光性樹脂層を通過して金属層に接触する段階を含み得る。
前記エッチング液は、金属層の種類によって選択され、感光性樹脂層に影響を与えない物質を使用することが好ましい。
前記第２段階は、前記金属層上に絶縁層を積層しパターンを形成する段階である。第２段階で、金属層は第１段階を経た後にパターンが形成された金属層を意味する。
前記金属層上に形成される絶縁層は、厚さが１５μｍ以下である樹脂コーティング金属薄膜を含み得る。具体的には、前記樹脂コーティング金属薄膜の厚さは１５μｍ以下、または１０μｍ以下、または１μｍ～１５μｍ、または１μｍ～１０μｍ、または５μｍ～１０μｍ、または８μｍ～１０μｍであり得る。前記樹脂コーティング金属薄膜の厚さが過度に増加する場合、前記絶縁層を形成するために過剰の絶縁材料が必要となり、これにより、原料コストが増加して経済的な面において効率性が減少でき、薄型化および高集積化された半導体装置への適用が難しい。
前記樹脂コーティング金属薄膜は、金属箔、および前記金属箔の少なくとも一面に形成された樹脂硬化物と、前記樹脂硬化物間に分散した無機充填材を含み、前記樹脂硬化物は、ｉ）スルホン基、カルボニル基、ハロゲン基、ニトロ基、シアノ基またはハロゲン基で置換または非置換された炭素数１～２０のアルキル基、ｉｉ）ニトロ基、シアノ基またはハロゲン基で置換または非置換された炭素数６～２０のアリール基、ｉｉｉ）ニトロ基、シアノ基またはハロゲン基で置換または非置換された炭素数２～３０のヘテロアリール基、およびｉｖ）ニトロ基、シアノ基またはハロゲン基で置換または非置換された炭素数１～２０のアルキレン基からなる群から選択される１種以上の官能基を１以上含むアミン化合物；熱硬化性樹脂；および熱可塑性樹脂；を含む硬化物であり得る。
また、前記樹脂コーティング金属薄膜は、金属箔、および前記金属箔の少なくとも一面に形成された樹脂硬化物を含み、前記樹脂硬化物は、ｉ）スルホン基、カルボニル基、ハロゲン基、ニトロ基、シアノ基またはハロゲン基で置換または非置換された炭素数１～２０のアルキル基、ｉｉ）ニトロ基、シアノ基またはハロゲン基で置換または非置換された炭素数６～２０のアリール基、ｉｉｉ）ニトロ基、シアノ基またはハロゲン基で置換または非置換された炭素数２～３０のヘテロアリール基、およびｉｖ）ニトロ基、シアノ基またはハロゲン基で置換または非置換された炭素数１～２０のアルキレン基からなる群から選択される１種以上の官能基を１以上含むアミン化合物；熱硬化性樹脂；熱可塑性樹脂；および無機充填材；を含み、前記アミン化合物および熱硬化性樹脂の総和１００重量部に対して、前記熱可塑性樹脂を４０重量部～９０重量部で含み、１２０℃～１８０℃の範囲で２０００Ｐａ・ｓ以下の複素粘度を有する金属薄膜コーティング用熱硬化性樹脂組成物の硬化物であり得る。
前記金属箔は、銅箔；アルミ箔；ニッケル、ニッケル－リン、ニッケル－錫合金、ニッケル－鉄合金、鉛または鉛－錫合金を中間層とし、この両面に互いに異なる厚さの銅層を含む３層構造の複合箔；またはアルミニウムと銅箔を複合した２層構造の複合箔を含む。
好ましい一実施形態によれば、本発明に使用される金属箔は、銅箔やアルミ箔が用いられ、約２μｍ～２００μｍの厚さを有するものを使用できるが、その厚さは約２μｍ～３５μｍであることが好ましい。好ましくは、前記金属箔としては銅箔を使用する。また、本発明によると金属箔としてニッケル、ニッケル－リン、ニッケル－錫合金、ニッケル－鉄合金、鉛、または鉛－錫合金などを中間層とし、その両面に０．５μｍ～１５μｍの銅層と１０μｍ～３００μｍの銅層を設けた３層構造の複合箔またはアルミニウムと銅箔を複合した２層構造複合箔を使用することもできる。
前記樹脂硬化物の厚さは１５μｍ以下、または１０μｍ以下、または１μｍ～１５μｍ、または１μｍ～１０μｍ、または５μｍ～１０μｍ、または６μｍ～８μｍであり得る。このような硬化物は、金属箔上に厚さが薄く形成されても、金属箔に対して優れた熱的、機械的物性を示すことができる。前記硬化物の厚さが特定の数値ほど増加または減少する場合樹脂コーティング金属薄膜から測定される物性も一定の数値ほど変化することができる。
一方、前記樹脂硬化物に対する内容は、前記一実施形態で上述した内容を全て含む。
前記樹脂コーティング金属薄膜は、金属薄膜コーティング用熱硬化性樹脂組成物を金属薄膜にコーティングする段階と；前記金属薄膜にコーティングされた熱硬化性樹脂組成物を硬化する段階と；を含んで形成することができる。
前記一実施形態で金属薄膜コーティング用熱硬化性樹脂組成物に対して上述した各成分を混合してコーティング用ワニスを製造し、これを金属箔にコーティングした後、硬化および乾燥する過程により簡単な方法で樹脂コーティング金属薄膜を製造することができる。
また、樹脂の硬化反応を調整して積層工程の温度区間内の最小粘度が維持する区間を長くする。好ましくは、前記硬化条件は、１８０℃～２５０℃の温度で１時間～４時間行われ得る。
また、前記金属薄膜コーティング用熱硬化性樹脂組成物を金属箔にコーティングする方法は大きく制限されず、この分野でよく知られたコーティング方法が用いられる。
一例として、金属箔に金属薄膜コーティング用熱硬化性樹脂組成物をコーター装置に入れ、一定の厚さでコーティングする方法が用いられる。前記コーター装置は、コンマコーター、ブレードコーター、リップコーター、ロッドコーター、スクイズコーター、リバースコーター、トランスファーロールコーター、グラビアコーターまたはスプレーコーターなどが用いられる。
また、流れ性評価のためにキャリアフィルムを使用することができ、前記キャリアフィルムとしては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエステルフィルム、ポリイミドフィルム、ポリアミドイミドフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリスチレンフィルムなどのプラスチックフィルムを使用することができる。
一方、前記コーティングに使用されるワニスは、熱硬化性樹脂組成物に溶剤を添加した状態であり得る。前記樹脂ワニス用溶剤は、前記樹脂成分と混合可能であり、良好な溶解性を有するものであれば特に限定しない。これらの具体的な例としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンおよびシクロヘキサノンなどのケトン、ベンゼン、トルエンおよびキシレンなどの芳香族ハイドロカーボン、およびジメチルホルムアミドおよびジメチルアセトアミドなどのアミド、メチルセロソルブ、ブチルセロソルブなどの脂肪族アルコールなどがある。
一方、前記絶縁層にパターンを形成する方法の例は大きく限定されるものではないが、例えば、レーザを用いた加工方式で、ＣＯ２またはＹＡＧレーザドリルを使用することができる。
前記第３段階は、前記絶縁層上に金属層を積層しパターンを形成する段階である。第３段階で、絶縁層は第２段階を経た後にパターンが形成された絶縁層を意味する。
前記絶縁層上に金属層を形成しパターンを形成する具体的な方法は、前記第１段階と同様である。
一方、前記第３段階以降、第２段階および第３段階を１回以上繰り返して進行することができる。すなわち、前記第３段階を進行してから、再び第２段階を進行した後、第３段階を進行する１回の繰り返し工程を進行することができる。第２段階と第３段階を複数回繰り返して進行することによって、樹脂積層体内には多層のビルドアップフィルムを積層することができる。
前記第４段階は、前記金属層上にレジスト層を形成する段階である。上述のようにキャリアフィルムを除去する第５段階で発生する樹脂積層体の破損を防止するために、キャリアフィルムの除去前である第４段階で樹脂積層体上面にレジスト層を形成して樹脂積層体の耐久性を向上させることができる。
前記レジスト層の例としては、アルカリ可溶性や非熱硬化性の感光性ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）などが挙げられる。前記レジスト層の厚さは１μｍ～２０μｍ、または５μｍ～１５μｍ、または９μｍ～１０μｍであり得る。
前記第５段階は、前記第１段階のキャリアフィルムと金属層を剥離し、剥離された金属層の表面にレジスト層を積層しパターンを形成する段階である。
特に、前記第１段階のキャリアフィルムと金属層との結合力は、前記第２段階の金属層と絶縁層との結合力よりも小さく、前記キャリアフィルムの一面に金属層を接着した後でもこれらの物理的剥離が可能で、キャリアフィルムを容易に除去することができる。これは、前記絶縁層に使用される絶縁材料の成分上特徴によって、前記絶縁層の金属に対する接着力が向上したためである。
前記剥離された金属層表面にはレジスト層を積層でき、前記レジスト層の例としては、アルカリ可溶性や非熱硬化性の感光性ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）などが挙げられる。前記レジスト層の厚さは１μｍ～２０μｍ、または５μｍ～１５μｍ、または９μｍ～１０μｍであり得る。
前記レジスト層を積層した後には、前記レジスト層にパターンを形成することができる。前記パターンを形成するレジスト層は、樹脂積層体の上面および下面に含まれているすべてのレジスト層またはこのうち少なくとも一つであり得る。
前記レジスト層にパターンを形成する方法の例としては、露光およびアルカリ現像が挙げられる。前記レジスト層を露光する方法の例は大きく限定されるものではないが、例えば、前記レジスト層に所定のパターンの形成されたフォトマスクを接触し紫外線を照射するか、マスクに含まれている所定のパターンをプロジェクション対物レンズを通してイメージングした後、紫外線を照射するか、またはレーザダイオード（Ｌａｓｅｒ Ｄｉｏｄｅ）を光源に使用して直接イメージングした後、紫外線を照射するなどの方式などを通して選択的に露光することができる。この時、紫外線照射条件の例としては、５ｍＪ／ｃｍ２～６００ｍＪ／ｃｍ２の光量で照射することが挙げられる。
また、前記レジスト層を現像する方法の例としては、アルカリ現像液を処理する方法が挙げられる。前記アルカリ現像液の例は大きく限定されるものではないが、例えば、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、燐酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、アンモニア、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、アミン類などのアルカリ水溶液を使用することができ、好ましくは３０℃、１％炭酸ナトリウム現像液を使用することができる。前記アルカリ現像液の具体的な使用量は、特に限定されない。
ＩＩＩ．半導体装置
本発明のさらに他の一実施形態によれば、前記一実施形態の多層印刷回路基板を含む半導体装置を提供する。前記半導体装置に含まれている多層印刷回路基板に対する内容は、前記一実施形態で上述した内容を全て含む。
前記多層印刷回路基板は公知の方法によって半導体装置に導入することができ、前記多層印刷回路基板が超薄型化および強い耐久性を有しているので、薄型化および高集積化された半導体装置にも適用可能である。
本発明のさらに他の一実施形態によれば、前記一実施形態の多層印刷回路基板を含む半導体装置を提供する。前記半導体装置に含まれている多層印刷回路基板に対する内容は、前記一実施形態で上述した内容を全て含む。
前記多層印刷回路基板は公知の方法によって半導体装置に導入することができ、前記多層印刷回路基板が超薄型化および強い耐久性を有しているので、薄型化および高集積化された半導体装置にも適用可能である。
本発明によれば、薄い厚さを有し、かつ優れた耐久性を有する多層印刷回路基板、その製造方法およびこれを用いた半導体装置が提供され得る。
発明を下記の実施例でより詳しく説明する。ただし、下記の実施例は本発明を例示するものに過ぎず、本発明の内容がこれらの実施例によって限定されるものではない。
＜製造例：絶縁層の製造＞
製造例１：樹脂コーティング銅箔
（１）金属薄膜コーティング用熱硬化性樹脂組成物の製造
下記表１の組成により、各成分をメチルエチルケトンに固形分４０％に合わせて投入して混合した後、４００ｒｐｍの速度で１日常温で攪拌し、ロータリーエバポレーター（ｒｏｔａｒｙ ｅｖａｐｏｒａｔｏｒ）を用いて粘度調整および脱泡を行い、金属薄膜コーティング用樹脂組成物（樹脂ワニス）を製造した。
製造例１：樹脂コーティング銅箔
（１）金属薄膜コーティング用熱硬化性樹脂組成物の製造
下記表１の組成により、各成分をメチルエチルケトンに固形分４０％に合わせて投入して混合した後、４００ｒｐｍの速度で１日常温で攪拌し、ロータリーエバポレーター（ｒｏｔａｒｙ ｅｖａｐｏｒａｔｏｒ）を用いて粘度調整および脱泡を行い、金属薄膜コーティング用樹脂組成物（樹脂ワニス）を製造した。
（２）樹脂コーティング銅箔の製造
コンマコーターで前記金属薄膜コーティング用樹脂組成物を銅箔（厚さ２μｍ、Ｍｉｔｓｕｉ社製）にコーティング（コーティング厚さ：６μｍ）した後、２２０℃および３５ｋｇ／ｃｍ２の条件で１００分間硬化した。次いで、１７ｃｍｘ１５ｃｍ大きさで裁断して、製造例１の樹脂コーティング銅箔を製作した。
コンマコーターで前記金属薄膜コーティング用樹脂組成物を銅箔（厚さ２μｍ、Ｍｉｔｓｕｉ社製）にコーティング（コーティング厚さ：６μｍ）した後、２２０℃および３５ｋｇ／ｃｍ２の条件で１００分間硬化した。次いで、１７ｃｍｘ１５ｃｍ大きさで裁断して、製造例１の樹脂コーティング銅箔を製作した。
製造例２：樹脂コーティング銅箔
（１）金属薄膜コーティング用熱硬化性樹脂組成物の製造
下記表１の組成により、各成分をメチルエチルケトンに固形分４０％に合わせて投入して混合した後、４００ｒｐｍの速度で１日常温で攪拌し、ロータリーエバポレーター（ｒｏｔａｒｙ ｅｖａｐｏｒａｔｏｒ）を用いて粘度調整および脱泡を行い、金属薄膜コーティング用樹脂組成物（樹脂ワニス）を製造した。
（１）金属薄膜コーティング用熱硬化性樹脂組成物の製造
下記表１の組成により、各成分をメチルエチルケトンに固形分４０％に合わせて投入して混合した後、４００ｒｐｍの速度で１日常温で攪拌し、ロータリーエバポレーター（ｒｏｔａｒｙ ｅｖａｐｏｒａｔｏｒ）を用いて粘度調整および脱泡を行い、金属薄膜コーティング用樹脂組成物（樹脂ワニス）を製造した。
（２）樹脂コーティング銅箔の製造
コンマコーターで前記金属薄膜コーティング用樹脂組成物を銅箔（厚さ２μｍ、Ｍｉｔｓｕｉ社製）にコーティング（コーティング厚さ：８μｍ）した後、２２０℃および３５ｋｇ／ｃｍ２の条件で１００分間硬化した。次いで、１７ｃｍｘ１５ｃｍ大きさで裁断して、製造例２の樹脂コーティング銅箔を製作した。
コンマコーターで前記金属薄膜コーティング用樹脂組成物を銅箔（厚さ２μｍ、Ｍｉｔｓｕｉ社製）にコーティング（コーティング厚さ：８μｍ）した後、２２０℃および３５ｋｇ／ｃｍ２の条件で１００分間硬化した。次いで、１７ｃｍｘ１５ｃｍ大きさで裁断して、製造例２の樹脂コーティング銅箔を製作した。
製造例３：プリプレグ
（１）熱硬化性樹脂組成物の製造
下記表１の組成により、各成分をメチルエチルケトンに固形分４０％に合わせて投入して混合した後、４００ｒｐｍの速度で１日常温で攪拌し、ロータリーエバポレーター（ｒｏｔａｒｙ ｅｖａｐｏｒａｔｏｒ）を用いて粘度調整および脱泡を行い、金属薄膜コーティング用樹脂組成物（樹脂ワニス）を製造した。
（１）熱硬化性樹脂組成物の製造
下記表１の組成により、各成分をメチルエチルケトンに固形分４０％に合わせて投入して混合した後、４００ｒｐｍの速度で１日常温で攪拌し、ロータリーエバポレーター（ｒｏｔａｒｙ ｅｖａｐｏｒａｔｏｒ）を用いて粘度調整および脱泡を行い、金属薄膜コーティング用樹脂組成物（樹脂ワニス）を製造した。
（２）プリプレグの製造
前記攪拌したワニスを製織したガラス繊維（Ｇｌａｓｓ Ｆａｂｒｉｃ）（厚さ１２μｍ、旭硝子社製）に含浸させた後、１８０℃の温度で２～５分間熱風乾燥して、１６μｍ厚さのプリプレグを製造した。
前記攪拌したワニスを製織したガラス繊維（Ｇｌａｓｓ Ｆａｂｒｉｃ）（厚さ１２μｍ、旭硝子社製）に含浸させた後、１８０℃の温度で２～５分間熱風乾燥して、１６μｍ厚さのプリプレグを製造した。
製造例４：プリプレグ
（１）熱硬化性樹脂組成物の製造
下記表１の組成により、各成分をメチルエチルケトンに固形分４０％に合わせて投入して混合した後、４００ｒｐｍの速度で１日常温で攪拌し、ロータリーエバポレーター（ｒｏｔａｒｙ ｅｖａｐｏｒａｔｏｒ）を用いて粘度調整および脱泡を行い、金属薄膜コーティング用樹脂組成物（樹脂ワニス）を製造した。
（１）熱硬化性樹脂組成物の製造
下記表１の組成により、各成分をメチルエチルケトンに固形分４０％に合わせて投入して混合した後、４００ｒｐｍの速度で１日常温で攪拌し、ロータリーエバポレーター（ｒｏｔａｒｙ ｅｖａｐｏｒａｔｏｒ）を用いて粘度調整および脱泡を行い、金属薄膜コーティング用樹脂組成物（樹脂ワニス）を製造した。
（２）プリプレグの製造
前記攪拌したワニスを製織したガラス繊維（Ｇｌａｓｓ Ｆａｂｒｉｃ）（厚さ１２μｍ、旭硝子社製）に含浸させた後、１８０℃の温度で２～５分間熱風乾燥して、１８μｍ厚さのプリプレグを製造した。
前記攪拌したワニスを製織したガラス繊維（Ｇｌａｓｓ Ｆａｂｒｉｃ）（厚さ１２μｍ、旭硝子社製）に含浸させた後、１８０℃の温度で２～５分間熱風乾燥して、１８μｍ厚さのプリプレグを製造した。
製造例５および製造例６：樹脂コーティング銅箔
（１）金属薄膜コーティング用熱硬化性樹脂組成物の製造
下記表２の組成により、各成分をメチルエチルケトンに固形分４０％に合わせて投入して混合した後、４００ｒｐｍの速度で１日常温で攪拌し、ロータリーエバポレーター（ｒｏｔａｒｙ ｅｖａｐｏｒａｔｏｒ）を用いて粘度調整および脱泡を行い、金属薄膜コーティング用樹脂組成物（樹脂ワニス）を製造した。
（１）金属薄膜コーティング用熱硬化性樹脂組成物の製造
下記表２の組成により、各成分をメチルエチルケトンに固形分４０％に合わせて投入して混合した後、４００ｒｐｍの速度で１日常温で攪拌し、ロータリーエバポレーター（ｒｏｔａｒｙ ｅｖａｐｏｒａｔｏｒ）を用いて粘度調整および脱泡を行い、金属薄膜コーティング用樹脂組成物（樹脂ワニス）を製造した。
（２）樹脂コーティング銅箔の製造
コンマコーターで前記金属薄膜コーティング用樹脂組成物を銅箔（厚さ２μｍ、Ｍｉｔｓｕｉ社製）にコーティング（コーティング厚さ：６μｍ）した後、２２０℃および３５ｋｇ／ｃｍ２の条件で１００分間硬化した。次いで、１７ｃｍｘ１５ｃｍ大きさで裁断して、製造例５および製造例６の樹脂コーティング銅箔を製作した。
コンマコーターで前記金属薄膜コーティング用樹脂組成物を銅箔（厚さ２μｍ、Ｍｉｔｓｕｉ社製）にコーティング（コーティング厚さ：６μｍ）した後、２２０℃および３５ｋｇ／ｃｍ２の条件で１００分間硬化した。次いで、１７ｃｍｘ１５ｃｍ大きさで裁断して、製造例５および製造例６の樹脂コーティング銅箔を製作した。
製造例１および製造例５の樹脂コーティング銅箔で銅箔をエッチングして除去した後、レオメータにより粘度を測定した（温度に応じた粘度測定条件、昇温速度５℃／ｍｉｎ、周波数：１０Ｈｚ）。
その結果、製造例１においての樹脂層は、複素粘度が２０００Ｐａ・ｓ以下である温度区間が１２０～１８０℃である反面、製造例５における樹脂層は、複素粘度が２０００Ｐａ・ｓ以下である温度区間はなかった。
また、製造例１および製造例６においての樹脂コーティング銅箔で銅箔をエッチングして除去した後、ＩＰＣ－ＴＭ－６５０（２．４．１８．３）により、Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ Ｔｅｓｔｉｎｇ Ｍａｃｈｉｎｅ（Ｉｎｓｔｒｏｎ３３６５）装備を用いてＭＤ方向の引張伸び率を測定した。
その結果、製造例１においての樹脂層は引張伸び率が３．８％である反面、製造例６においての樹脂層は引張伸び率が０．９％で、実施例に比べて非常に低く測定されることを確認することができた。
＜実施例：多層印刷回路基板の製造＞
実施例１
下記図１に示すように、次の工程順序により多層印刷回路基板を製造した。
実施例１
下記図１に示すように、次の工程順序により多層印刷回路基板を製造した。
＜１＞５０～１００μｍ厚さのキャリアフィルムＣの両面に５μｍ厚さの極薄銅箔（Ｍ０、ＭＯ'）をラミネートした。
＜２＞以降、前記極薄銅箔Ｍ０の表面にアルゴンと酸素の混合ガスを蒸着装備に供給しながらスパッタリング法を使用して銅（Ｃｕ）金属を０．５μｍ厚さに蒸着してシード層（ｓｅｅｄ ｌａｙｅｒ）を形成し、電解メッキを通して９μｍ厚さの銅箔層Ｍ１を形成した。
前記銅箔層Ｍ１上に１５μｍ厚さの感光性ドライフィルムレジストＫＬ１０１５（コーロンインダストリー社製）を１１０℃でラミネートし、前記感光性ドライフィルムレジスト上に直径が３０μｍの円形のネガ型フォトマスクを接触させ、紫外線を照射（２５ｍＪ／ｃｍ２の光量）した後、３０℃、１％炭酸ナトリウム現像液を通して前記感光性ドライフィルムレジストを現像した。この時、露出した銅箔層Ｍ１をエッチングにより除去してパターンを形成した。以降、５０℃温度の３％水酸化ナトリウムレジスト剥離液を使用して残っている感光性ドライフィルムレジストを除去した。
前記銅箔層Ｍ１上に絶縁層Ｄ１２として前記製造例１で得られた８μｍ厚さの樹脂コーティング銅箔をラミネートした。この時、前記樹脂コーティング銅箔の樹脂層を銅箔層Ｍ１と接着させた。
その後、前記絶縁層Ｄ１２を２００℃の温度で１時間熱硬化させた後、ＣＯ２レーザドリルを用いてエッチングしてビアホールを形成した。
その後、前記ビアホール表面に、アルゴンと酸素の混合ガスを蒸着装備に供給しながらスパッタリング法を使用して銅（Ｃｕ）金属を０．５μｍ厚さに蒸着してシード層（ｓｅｅｄ ｌａｙｅｒ）を形成し、電解メッキを通して７μｍ厚さの銅箔層Ｍ２を形成した。
前記銅箔層Ｍ２上に１５μｍ厚さの感光性ドライフィルムレジストＫＬ１０１５（コーロンインダストリー社製）を１１０℃でラミネートし、前記感光性ドライフィルムレジスト上に直径が３０μｍの円形のネガ型フォトマスクを接触させ、紫外線を照射（２５ｍＪ／ｃｍ２の光量）した後、３０℃、１％炭酸ナトリウム現像液を通して前記感光性ドライフィルムレジストを現像した。この時、露出した銅箔層Ｍ２をエッチングにより除去してパターンを形成した。その後、５０℃温度の３％水酸化ナトリウムレジスト剥離液を使用して残っている感光性ドライフィルムレジストを除去した。
その後、前記銅箔層Ｍ２上に絶縁層Ｄ２３として前記製造例２で得られた１０μｍ厚さの樹脂コーティング銅箔をラミネートした。この時、前記樹脂コーティング銅箔の樹脂層を銅箔層Ｍ２と接着させた。
その後、前記絶縁層Ｄ２３を２００℃の温度で１時間熱硬化させた後、ＣＯ２レーザドリルを用いてエッチングしてビアホールを形成した。
その後、前記ビアホール表面に、アルゴンと酸素の混合ガスを蒸着装備に供給しながらスパッタリング法を使用してチタニウム（Ｔｉ）金属を５０ｎｍ、銅（Ｃｕ）金属を０．５μｍ厚さに蒸着してシード層（ｓｅｅｄ ｌａｙｅｒ）を形成し、電解メッキを通して９μｍ厚さの銅箔層Ｍ３を形成した。
前記銅箔層Ｍ３上に１５μｍ厚さの感光性ドライフィルムレジストＫＬ１０１５（コーロンインダストリー社製）を１１０℃でラミネートし、前記感光性ドライフィルムレジスト上に直径が３０μｍの円形のネガ型フォトマスクを接触させ、紫外線を照射（２５ｍＪ／ｃｍ２の光量）した後、３０℃、１％炭酸ナトリウム現像液を通して前記感光性ドライフィルムレジストを現像した。この時、露出した銅箔層Ｍ３をエッチングにより除去してパターンを形成した。その後、５０℃温度の３％水酸化ナトリウムレジスト剥離液を使用して残っている感光性ドライフィルムレジストを除去して、第１パネルＰＮ－１を製造した。
前記極薄銅箔ＭＯ'表面にも前記第１パネルと同様の方法で、銅箔層Ｍ１'、絶縁層Ｄ１２'、銅箔層Ｍ２'、絶縁層Ｄ２３'、銅箔層Ｍ３'が順次に積層された第２パネルＰＮ－２を形成した。
＜３＞前記第１パネルＰＮ－１表面に９μｍ厚さの感光性ドライフィルムレジストＫＬ１０１５（コーロンインダストリー社製）（ＳＲ ＢＴＭ）を１１０℃でラミネートした。前記第２パネルＰＮ－２表面にも９μｍ厚さの感光性ドライフィルムレジストＫＬ１０１５（コーロンインダストリー社製）（ＳＲ ＢＴＭ'）を１１０℃でラミネートした。
＜４＞極薄銅箔Ｍ０とキャリアフィルム（Ｃ）を分離してキャリアフィルムを除去した。
＜５＞前記第１パネルＰＮ－１表面の極薄銅箔ＭＯをエッチングして除去し、９μｍ厚さの感光性ドライフィルムレジストＫＬ１０１５（コーロンインダストリー社製）（ＳＲ ＴＯＰ）を１１０℃でラミネートした。
＜６＞前記感光性ドライフィルムレジスト（ＳＲ ＴＯＰ）上に直径が３０μｍの円形のネガ型フォトマスクを接触させ、紫外線を照射（２５ｍＪ／ｃｍ２の光量）した後、３０℃、１％炭酸ナトリウム現像液を通して前記感光性ドライフィルムレジスト（ＳＲ ＴＯＰ）を現像して、一定のパターンを形成した。
感光性ドライフィルムレジスト（ＳＲ ＢＴＭ）にも同様の方法で、一定のパターンを形成して多層印刷回路基板を製造した。
＜７＞第２パネルＰＮ－２に対しても、前記＜５＞～＜６＞の工程を進行して、多層印刷回路基板を製造した。
実施例２
次の工程順序により多層印刷回路基板を製造した。
次の工程順序により多層印刷回路基板を製造した。
＜１＞前記実施例１の＜１＞と同様の方法で進行した。
＜２＞前記極薄銅箔Ｍ０表面に、アルゴンと酸素の混合ガスを蒸着装備に供給しながらスパッタリング法を使用して銅（Ｃｕ）金属を０．５μｍ厚さに蒸着してシード層（ｓｅｅｄ ｌａｙｅｒ）を形成し、電解メッキを通して９μｍ厚さの銅箔層Ｍ１を形成した。
前記銅箔層Ｍ１上に１５μｍ厚さの感光性ドライフィルムレジストＫＬ１０１５（コーロンインダストリー社製）を１１０℃でラミネートし、前記感光性ドライフィルムレジスト上に直径が３０μｍの円形のネガ型フォトマスクを接触させ、紫外線を照射（２５ｍＪ／ｃｍ２の光量）した後、３０℃、１％炭酸ナトリウム現像液を通して前記感光性ドライフィルムレジストを現像した。この時、露出した銅箔層Ｍ１をエッチングにより除去してパターンを形成した。その後、５０℃温度の３％水酸化ナトリウムレジスト剥離液を使用して残っている感光性ドライフィルムレジストを除去した。
前記銅箔層Ｍ１上に絶縁層Ｄ１２として前記製造例１で得られた８μｍ厚さの樹脂コーティング銅箔をラミネートした。この時、前記樹脂コーティング銅箔の樹脂層を銅箔層Ｍ１と接着させた。
その後、前記絶縁層Ｄ１２を２００℃の温度で１時間熱硬化させた後、ＣＯ２レーザドリルを用いてエッチングしてビアホールを形成した。
その後、前記ビアホール表面に、アルゴンと酸素の混合ガスを蒸着装備に供給しながらスパッタリング法を使用して銅（Ｃｕ）金属を０．５μｍ厚さに蒸着してシード層（ｓｅｅｄ ｌａｙｅｒ）を形成し、電解メッキを通して８μｍ厚さの銅箔層Ｍ２を形成した。
前記銅箔層Ｍ２上に１５μｍ厚さの感光性ドライフィルムレジストＫＬ１０１５（コーロンインダストリー社製）を１１０℃でラミネートし、前記感光性ドライフィルムレジスト上に直径が３０μｍの円形のネガ型フォトマスクを接触させ、紫外線を照射（２５ｍＪ／ｃｍ２の光量）した後、３０℃、１％炭酸ナトリウム現像液を通して前記感光性ドライフィルムレジストを現像した。この時、露出した銅箔層Ｍ２をエッチングにより除去してパターンを形成した。その後、５０℃温度の３％水酸化ナトリウムレジスト剥離液を使用して残っている感光性ドライフィルムレジストを除去した。
前記銅箔層Ｍ２上に絶縁層Ｄ２３として前記製造例１で得られた８μｍ厚さの樹脂コーティング銅箔をラミネートした。この時、前記樹脂コーティング銅箔の樹脂層を銅箔層Ｍ２と接着させた。
その後、前記絶縁層Ｄ２３を２００℃の温度で１時間熱硬化させた後、ＣＯ２レーザドリルを用いてエッチングしてビアホールを形成した。
その後、前記ビアホール表面に、アルゴンと酸素の混合ガスを蒸着装備に供給しながらスパッタリング法を使用して銅（Ｃｕ）金属を０．５μｍ厚さに蒸着してシード層（ｓｅｅｄ ｌａｙｅｒ）を形成し、電解メッキを通して８μｍ厚さの銅箔層Ｍ３を形成した。
前記銅箔層Ｍ３上に１５μｍ厚さの感光性ドライフィルムレジストＫＬ１０１５（コーロンインダストリー社製）を１１０℃でラミネートし、前記感光性ドライフィルムレジスト上に直径が３０μｍの円形のネガ型フォトマスクを接触させ、紫外線を照射（２５ｍＪ／ｃｍ２の光量）した後、３０℃、１％炭酸ナトリウム現像液を通して前記感光性ドライフィルムレジストを現像した。この時、露出した銅箔層Ｍ３をエッチングにより除去してパターンを形成した。その後、５０℃温度の３％水酸化ナトリウムレジスト剥離液を使用して残っている感光性ドライフィルムレジストを除去した。
その後、前記銅箔層Ｍ３上に絶縁層Ｄ３４として前記製造例２で得られた１０μｍ厚さの樹脂コーティング銅箔をラミネートした。この時、前記樹脂コーティング銅箔の樹脂層を銅箔層Ｍ３と接着させた。
その後、前記絶縁層Ｄ３４を２００℃の温度で１時間熱硬化させた後、ＣＯ２レーザドリルを用いてエッチングしてビアホールを形成した。
その後、前記ビアホール表面に、アルゴンと酸素の混合ガスを蒸着装備に供給しながらスパッタリング法を使用してチタニウム（Ｔｉ）金属を５０ｎｍ、銅（Ｃｕ）金属を０．５μｍ厚さに蒸着してシード層（ｓｅｅｄ ｌａｙｅｒ）を形成し、電解メッキを通して９μｍ厚さの銅箔層Ｍ４を形成した。
前記銅箔層Ｍ４上に１５μｍ厚さの感光性ドライフィルムレジストＫＬ１０１５（コーロンインダストリー社製）を１１０℃でラミネートし、前記感光性ドライフィルムレジスト上に直径が３０μｍの円形のネガ型フォトマスクを接触させ、紫外線を照射（２５ｍＪ／ｃｍ２の光量）した後、３０℃、１％炭酸ナトリウム現像液を通して前記感光性ドライフィルムレジストを現像した。この時、露出した銅箔層Ｍ４をエッチングにより除去してパターンを形成した。その後、５０℃温度の３％水酸化ナトリウムレジスト剥離液を使用して残っている感光性ドライフィルムレジストを除去して、第１パネルＰＮ－１を製造した。
前記極薄銅箔ＭＯ'表面にも前記第１パネルと同様の方法で、銅箔層Ｍ１'、絶縁層Ｄ１２'、銅箔層Ｍ２'、絶縁層Ｄ２３'、銅箔層Ｍ３'、絶縁層Ｄ３４'、銅箔層Ｍ４'が順次に積層された第２パネルＰＮ－２を形成した。
＜３＞～＜７＞前記実施例１の＜３＞～＜７＞と同様の方法で進行した。
＜比較例：多層印刷回路基板の製造＞
比較例１
前記実施例１の工程＜２＞で、絶縁層Ｄ１２として製造例１で得られた８μｍ厚さの樹脂コーティング銅箔の代わりに前記製造例３で得られた１６μｍ厚さのプリプレグ（ＰＰＧ）を使用し、絶縁層Ｄ２３として製造例２で得られた１０μｍ厚さの樹脂コーティング銅箔の代わりに前記製造例４で得られた１８μｍ厚さのプリプレグ（ＰＰＧ）を使用し、多層積層体の各層の厚さを下記表３の通り変更したことを除いて前記実施例１と同様の方法で、多層印刷回路基板を製造した。
比較例１
前記実施例１の工程＜２＞で、絶縁層Ｄ１２として製造例１で得られた８μｍ厚さの樹脂コーティング銅箔の代わりに前記製造例３で得られた１６μｍ厚さのプリプレグ（ＰＰＧ）を使用し、絶縁層Ｄ２３として製造例２で得られた１０μｍ厚さの樹脂コーティング銅箔の代わりに前記製造例４で得られた１８μｍ厚さのプリプレグ（ＰＰＧ）を使用し、多層積層体の各層の厚さを下記表３の通り変更したことを除いて前記実施例１と同様の方法で、多層印刷回路基板を製造した。
比較例２
前記実施例２の工程＜２＞で、絶縁層Ｄ１２および絶縁層Ｄ２３として製造例１で得られた８μｍ厚さの樹脂コーティング銅箔の代わりに前記製造例４で得られた１８μｍ厚さのプリプレグ（ＰＰＧ）を使用し、絶縁層Ｄ３４として製造例２で得られた１０μｍ厚さの樹脂コーティング銅箔の代わりに前記製造例４で得られた１８μｍ厚さのプリプレグ（ＰＰＧ）を使用し、多層積層体の各層の厚さを下記表３の通り変更したことを除いて前記実施例２と同様の方法で、多層印刷回路基板を製造した。
前記実施例２の工程＜２＞で、絶縁層Ｄ１２および絶縁層Ｄ２３として製造例１で得られた８μｍ厚さの樹脂コーティング銅箔の代わりに前記製造例４で得られた１８μｍ厚さのプリプレグ（ＰＰＧ）を使用し、絶縁層Ｄ３４として製造例２で得られた１０μｍ厚さの樹脂コーティング銅箔の代わりに前記製造例４で得られた１８μｍ厚さのプリプレグ（ＰＰＧ）を使用し、多層積層体の各層の厚さを下記表３の通り変更したことを除いて前記実施例２と同様の方法で、多層印刷回路基板を製造した。
前記表３に示したように、製造例１および製造例２で得られた樹脂コーティング銅箔を絶縁層として使用した実施例の場合、銅箔層が３層含まれている実施例１の多層印刷回路基板の厚さが６１μｍ、銅箔層が４層含まれている実施例２の多層印刷回路基板の厚さが８０μｍに非常に薄く具現され、かつ破損や破れの問題が発生しなかった。反面、製造例３および製造例４で得られたプリプレグを絶縁層として使用した比較例の場合、銅箔層が３層含まれている比較例１の多層印刷回路基板の厚さが８１μｍ、銅箔層が４層含まれている比較例２の多層印刷回路基板の厚さが１２０μｍで、実施例に比べて非常に厚く測定される限界があった。
Ｃ：キャリアフィルム
Ｍ０、ＭＯ'：極薄銅箔
ＳＲ ＴＯＰ、ＳＲ ＴＯＰ'：レジスト
Ｍ１、Ｍ１'：銅箔層
Ｄ１２、Ｄ１２'：絶縁層
Ｍ２、Ｍ２'：銅箔層
Ｄ２３、Ｄ２３'：絶縁層
Ｍ３、Ｍ３'：銅箔層
Ｄ３４、Ｄ３４'：絶縁層
Ｍ４、Ｍ４'：銅箔層
ＳＲ ＢＴＭ、ＳＲ ＢＴＭ'：レジスト
ＰＮ－１：第１パネル
ＰＮ－２：第２パネル
＜１＞～＜６＞：工程の進行順序
Ｍ０、ＭＯ'：極薄銅箔
ＳＲ ＴＯＰ、ＳＲ ＴＯＰ'：レジスト
Ｍ１、Ｍ１'：銅箔層
Ｄ１２、Ｄ１２'：絶縁層
Ｍ２、Ｍ２'：銅箔層
Ｄ２３、Ｄ２３'：絶縁層
Ｍ３、Ｍ３'：銅箔層
Ｄ３４、Ｄ３４'：絶縁層
Ｍ４、Ｍ４'：銅箔層
ＳＲ ＢＴＭ、ＳＲ ＢＴＭ'：レジスト
ＰＮ－１：第１パネル
ＰＮ－２：第２パネル
＜１＞～＜６＞：工程の進行順序
Claims (16)
- 絶縁パターンおよび金属パターンを含む複数のビルドアップ層を含む樹脂積層体と；
前記樹脂積層体の上面および下面に形成されたレジストパターン層と；を含み、
前記ビルドアップ層に含まれている絶縁パターンの厚さが６μｍ～８μｍであり、
前記絶縁パターンは、
ｉ）スルホン基、カルボニル基、ハロゲン基、ニトロ基、シアノ基またはハロゲン基で置換または非置換された炭素数１～２０のアルキル基、ｉｉ）ニトロ基、シアノ基またはハロゲン基で置換または非置換された炭素数６～２０のアリール基、ｉｉｉ）ニトロ基、シアノ基またはハロゲン基で置換または非置換された炭素数２～３０のヘテロアリール基、およびｉｖ）ニトロ基、シアノ基またはハロゲン基で置換または非置換された炭素数１～２０のアルキレン基からなる群から選択される１種以上の官能基を１以上含むアミン化合物；熱硬化性樹脂；熱可塑性樹脂；および無機充填材；を含み、前記アミン化合物および熱硬化性樹脂の総和１００重量部に対して、前記熱可塑性樹脂を４０重量部～９０重量部で含み、１２０℃～１８０℃の範囲で２０００Ｐａ・ｓ以下の複素粘度を有する金属薄膜コーティング用熱硬化性樹脂組成物の硬化物を含み、
下記数式１から計算される当量比が１．４以上である、多層印刷回路基板：
[数式１]
当量比＝前記アミン化合物に含有された総活性水素当量／前記熱硬化性樹脂に含有された総硬化性官能基当量。 - 前記絶縁パターンは、
ｉ）スルホン基、カルボニル基、ハロゲン基、ニトロ基、シアノ基またはハロゲン基で置換または非置換された炭素数１～２０のアルキル基、ｉｉ）ニトロ基、シアノ基またはハロゲン基で置換または非置換された炭素数６～２０のアリール基、ｉｉｉ）ニトロ基、シアノ基またはハロゲン基で置換または非置換された炭素数２～３０のヘテロアリール基、およびｉｖ）ニトロ基、シアノ基またはハロゲン基で置換または非置換された炭素数１～２０のアルキレン基からなる群から選択される１種以上の官能基を１以上含むアミン化合物；熱硬化性樹脂；および熱可塑性樹脂；を含む硬化物と、前記硬化物間に分散した無機充填材を含む、請求項１に記載の多層印刷回路基板。 - 前記熱硬化性樹脂は、ジシクロペンタジエン系エポキシ樹脂およびビフェニル系エポキシ樹脂を含む、請求項１または２に記載の多層印刷回路基板。
- 前記ジシクロペンタジエン系エポキシ樹脂１００重量部に対して前記ビフェニル系エポキシ樹脂の含有量が１００重量部未満である、請求項３に記載の多層印刷回路基板。
- 前記熱硬化性樹脂は、ビスマレイミド樹脂、シアネートエステル樹脂およびビスマレイミド－トリアジン樹脂からなる群から選択される１種以上の樹脂をさらに含む、請求項２から４のいずれか一項に記載の多層印刷回路基板。
- 前記アミン化合物１００重量部に対して前記熱硬化性樹脂を４００重量部以下で含む、請求項２から５のいずれか一項に記載の多層印刷回路基板。
- 前記アミン化合物は、２～５個のアミノ基を含む芳香族アミン化合物を含む、請求項２から６のいずれか一項に記載の多層印刷回路基板。
- 前記熱可塑性樹脂は、（メタ）アクリレート系高分子を含む、請求項２から７のいずれか一項に記載の多層印刷回路基板。
- 前記（メタ）アクリレート系高分子は、
（メタ）アクリレート系単量体由来の繰り返し単位と（メタ）アクリロニトリル由来の繰り返し単位が含まれているアクリル酸エステル共重合体；またはブタジエン由来の繰り返し単位が含まれているアクリル酸エステル共重合体である、請求項８に記載の多層印刷回路基板。 - 前記（メタ）アクリレート系高分子は、５００，０００～１，０００，０００の重量平均分子量を有する、請求項８または９に記載の多層印刷回路基板。
- 前記アミン化合物および熱硬化性樹脂の総和１００重量部に対して前記無機充填材の含有量が２００重量部～５００重量部である、請求項２から１０のいずれか一項に記載の多層印刷回路基板。
- 前記無機充填材は、平均粒径が異なる２種以上の無機充填材を含むことができ、
前記２種以上の無機充填材のうち少なくとも１種が平均粒径が０．１μｍ～１００μｍである無機充填材であり、他の１種が平均粒径が１ｎｍ～９０ｎｍである無機充填材である、請求項２から１１のいずれか一項に記載の多層印刷回路基板。 - キャリアフィルムの両面に金属層を積層しパターンを形成する第１段階と；
前記金属層上に絶縁層を積層しパターンを形成する第２段階と；
前記絶縁層上に金属層を積層しパターンを形成する第３段階と；
前記金属層上にレジスト層を積層しパターンを形成する第４段階と；
前記第１段階のキャリアフィルムと金属層を剥離し、剥離された金属層の表面にレジスト層を形成する第５段階と；を含み、
前記絶縁層は、厚さが８μｍ～１０μｍである樹脂コーティング金属薄膜を含み、
前記第３段階以降、第２段階および第３段階を１回以上繰り返して進行し、
前記樹脂コーティング金属薄膜は、
金属箔、および
前記金属箔の少なくとも一面に形成された樹脂硬化物を含み、
前記樹脂硬化物は、ｉ）スルホン基、カルボニル基、ハロゲン基、ニトロ基、シアノ基またはハロゲン基で置換または非置換された炭素数１～２０のアルキル基、ｉｉ）ニトロ基、シアノ基またはハロゲン基で置換または非置換された炭素数６～２０のアリール基、ｉｉｉ）ニトロ基、シアノ基またはハロゲン基で置換または非置換された炭素数２～３０のヘテロアリール基、およびｉｖ）ニトロ基、シアノ基またはハロゲン基で置換または非置換された炭素数１～２０のアルキレン基からなる群から選択される１種以上の官能基を１以上含むアミン化合物；熱硬化性樹脂；熱可塑性樹脂；および無機充填材；を含み、前記アミン化合物および熱硬化性樹脂の総和１００重量部に対して、前記熱可塑性樹脂を４０重量部～９０重量部で含み、１２０℃～１８０℃の範囲で２０００Ｐａ・ｓ以下の複素粘度を有する金属薄膜コーティング用熱硬化性樹脂組成物の硬化物であり、
下記数式１から計算される当量比が１．４以上である、多層印刷回路基板の製造方法：
[数式１]
当量比＝前記アミン化合物に含有された総活性水素当量／前記熱硬化性樹脂に含有された総硬化性官能基当量。 - 前記第１段階のキャリアフィルムと金属層との結合力は、前記第２段階の金属層と絶縁層との結合力よりも小さい、請求項１３に記載の多層印刷回路基板の製造方法。
- 前記樹脂コーティング金属薄膜は、
金属箔、および
前記金属箔の少なくとも一面に形成された樹脂硬化物と、前記樹脂硬化物間に分散した無機充填材を含み、
前記樹脂硬化物は、ｉ）スルホン基、カルボニル基、ハロゲン基、ニトロ基、シアノ基またはハロゲン基で置換または非置換された炭素数１～２０のアルキル基、ｉｉ）ニトロ基、シアノ基またはハロゲン基で置換または非置換された炭素数６～２０のアリール基、ｉｉｉ）ニトロ基、シアノ基またはハロゲン基で置換または非置換された炭素数２～３０のヘテロアリール基、およびｉｖ）ニトロ基、シアノ基またはハロゲン基で置換または非置換された炭素数１～２０のアルキレン基からなる群から選択される１種以上の官能基を１以上含むアミン化合物；熱硬化性樹脂；および熱可塑性樹脂；を含む硬化物である、請求項１３または１４に記載の多層印刷回路基板の製造方法。 - 請求項１から１２のいずれか一項に記載の多層印刷回路基板を含む、半導体装置。
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113396137A (zh) * | 2019-02-06 | 2021-09-14 | 中央硝子株式会社 | 1,1,1-三氟-2,2-双芳基乙烷的制造方法、和1,1,1-三氟-2,2-双芳基乙烷 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005133055A (ja) | 2003-02-03 | 2005-05-26 | Sekisui Chem Co Ltd | 樹脂組成物、基板用材料及び基板用フィルム |
| JP2008270697A (ja) | 2007-03-28 | 2008-11-06 | Hitachi Chem Co Ltd | プリント配線板 |
| JP2010229356A (ja) | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Hitachi Chem Co Ltd | 熱硬化性絶縁樹脂組成物、並びにこれを用いた支持体付絶縁フィルム、プリプレグ、積層板及び多層プリント配線板 |
| JP2015163694A (ja) | 2014-01-31 | 2015-09-10 | ソマール株式会社 | 接着シート |
| JP2017157666A (ja) | 2016-03-01 | 2017-09-07 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板、半導体装置、配線基板の製造方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP2017193614A (ja) | 2016-04-19 | 2017-10-26 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | プリプレグ、金属張積層板及びプリント配線板 |
| WO2018047861A1 (ja) | 2016-09-08 | 2018-03-15 | 凸版印刷株式会社 | 配線基板及び配線基板の製造方法 |
Family Cites Families (39)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2259812B (en) | 1991-09-06 | 1996-04-24 | Toa Gosei Chem Ind | Method for making multilayer printed circuit board having blind holes and resin-coated copper foil used for the method |
| TW331698B (en) | 1996-06-18 | 1998-05-11 | Hitachi Chemical Co Ltd | Multi-layered printed circuit board |
| WO2001074927A1 (fr) * | 2000-03-31 | 2001-10-11 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Procede de production d'un nouveau polymere de silicone, polymere de silicone produit selon ledit procede, composition de resine thermodurcissable, film de resine, feuille metallique avec matiere isolante, film isolant avec feuille metallique de chaque cote, plaque metallique, plaque metallique multicouche et carte de circu |
| JP4876317B2 (ja) * | 2001-02-23 | 2012-02-15 | 東レ株式会社 | 半導体装置用接着剤組成物およびそれを用いた半導体装置用接着剤シート、半導体接続用基板ならびに半導体装置 |
| KR100743231B1 (ko) | 2001-05-10 | 2007-07-27 | 엘지전자 주식회사 | 인쇄회로기판의 제조방법 |
| JP2004111544A (ja) | 2002-09-17 | 2004-04-08 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 多層配線基板 |
| EP1633175A4 (en) | 2003-09-29 | 2009-11-11 | Ibiden Co Ltd | INSULATION INTERIOR FOR PRINTED CONNECTION CARD, PRINTED CONNECTION CARD, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME |
| CN1795227B (zh) * | 2003-12-26 | 2010-09-29 | 积水化学工业株式会社 | 脱模薄膜 |
| JP4929784B2 (ja) | 2006-03-27 | 2012-05-09 | 富士通株式会社 | 多層配線基板、半導体装置およびソルダレジスト |
| JP5501759B2 (ja) * | 2007-05-21 | 2014-05-28 | 日立化成株式会社 | 接着剤組成物及びこれを用いた接着フィルム |
| JP5295596B2 (ja) | 2008-03-19 | 2013-09-18 | 新光電気工業株式会社 | 多層配線基板およびその製造方法 |
| KR100957787B1 (ko) | 2008-03-24 | 2010-05-12 | 삼성전기주식회사 | 다층 기판 제조 방법 및 다층 기판 |
| KR101694138B1 (ko) | 2009-01-19 | 2017-01-09 | 아지노모토 가부시키가이샤 | 수지 조성물 |
| US20110291300A1 (en) * | 2009-02-12 | 2011-12-01 | Takashi Hirano | Dicing sheet-attached film for forming semiconductor protection film, method for producing semiconductor device using the same, and semiconductor device |
| JP5549329B2 (ja) * | 2010-04-02 | 2014-07-16 | 住友ベークライト株式会社 | 回路基板用熱硬化性組成物 |
| JP2012089750A (ja) * | 2010-10-21 | 2012-05-10 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体封止充てん用熱硬化性樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2013000995A (ja) * | 2011-06-17 | 2013-01-07 | Panasonic Corp | 金属張積層板、及びプリント配線板 |
| JP6036837B2 (ja) | 2012-09-26 | 2016-11-30 | 日立化成株式会社 | 多層配線板、及び、多層配線板の製造方法 |
| KR20150063370A (ko) | 2012-09-27 | 2015-06-09 | 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 | 다층 기판의 제조 방법, 다층 절연 필름 및 다층 기판 |
| KR102022430B1 (ko) | 2013-05-28 | 2019-09-18 | 엘지이노텍 주식회사 | 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 절연층을 포함하는 인쇄 회로 기판 |
| JP6217165B2 (ja) | 2013-06-20 | 2017-10-25 | 住友ベークライト株式会社 | プライマー層付きプリプレグ、プライマー層付き金属箔、金属張積層板、プリント配線基板、半導体パッケージおよび半導体装置 |
| JP6131135B2 (ja) | 2013-07-11 | 2017-05-17 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板及びその製造方法 |
| JP6221620B2 (ja) * | 2013-10-22 | 2017-11-01 | 住友ベークライト株式会社 | 金属張積層板、プリント配線基板、および半導体装置 |
| KR101601815B1 (ko) | 2014-02-06 | 2016-03-10 | 삼성전기주식회사 | 임베디드 기판, 인쇄회로기판 및 그 제조 방법 |
| US10611876B2 (en) * | 2014-04-04 | 2020-04-07 | Daicel Corporation | Epoxy-amine adduct, thermoplastic resin composition, sizing agent, sizing agent coated carbon fiber, and fiber-reinforced composite material |
| KR102211741B1 (ko) | 2014-07-21 | 2021-02-03 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 및 인쇄회로기판의 제조 방법 |
| JP2016034996A (ja) * | 2014-08-01 | 2016-03-17 | 日本化薬株式会社 | エポキシ樹脂組成物、プリプレグ及び金属張積層板、プリント配線基板 |
| JP2016035987A (ja) * | 2014-08-04 | 2016-03-17 | イビデン株式会社 | 電子部品内蔵配線板及びその製造方法 |
| CN106715578B (zh) * | 2014-09-11 | 2019-05-10 | 帝人株式会社 | 热固化性树脂组合物 |
| KR102231099B1 (ko) | 2014-09-26 | 2021-03-23 | 삼성전기주식회사 | 절연필름용 수지 조성물 |
| JP2016082089A (ja) | 2014-10-17 | 2016-05-16 | イビデン株式会社 | プリント配線板 |
| WO2016074288A1 (zh) * | 2014-11-11 | 2016-05-19 | 广东生益科技股份有限公司 | 一种热固性树脂组合物及用其制作的预浸料与层压板 |
| JP2016096281A (ja) | 2014-11-17 | 2016-05-26 | イビデン株式会社 | キャビティ付き配線板及びその製造方法 |
| JP6592962B2 (ja) | 2015-05-22 | 2019-10-23 | 住友ベークライト株式会社 | 熱硬化性樹脂組成物、キャリア付樹脂膜、プリント配線基板、および半導体装置 |
| CN107709468B (zh) | 2015-07-06 | 2020-06-16 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 树脂组合物、预浸料、覆金属箔层叠板和印刷电路板 |
| JP6672953B2 (ja) | 2016-03-29 | 2020-03-25 | 味の素株式会社 | 樹脂シート |
| JP6594264B2 (ja) | 2016-06-07 | 2019-10-23 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板及び半導体装置、並びにそれらの製造方法 |
| KR101947150B1 (ko) | 2016-08-09 | 2019-02-12 | 주식회사 엘지화학 | 절연층 제조방법 및 다층인쇄회로기판 제조방법 |
| EP3674346B1 (en) * | 2017-08-21 | 2023-01-11 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Resin composition, prepreg, metal-foil-clad laminate, resin sheet, and printed wiring board |
-
2019
- 2019-09-19 KR KR1020190115354A patent/KR102257926B1/ko active IP Right Grant
- 2019-09-20 JP JP2020539785A patent/JP7463644B2/ja active Active
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- 2019-09-20 EP EP19862372.0A patent/EP3726944A4/en active Pending
- 2019-09-20 CN CN201980010655.8A patent/CN111656874B/zh active Active
- 2019-09-20 TW TW108134013A patent/TWI807102B/zh active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005133055A (ja) | 2003-02-03 | 2005-05-26 | Sekisui Chem Co Ltd | 樹脂組成物、基板用材料及び基板用フィルム |
| JP2008270697A (ja) | 2007-03-28 | 2008-11-06 | Hitachi Chem Co Ltd | プリント配線板 |
| JP2010229356A (ja) | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Hitachi Chem Co Ltd | 熱硬化性絶縁樹脂組成物、並びにこれを用いた支持体付絶縁フィルム、プリプレグ、積層板及び多層プリント配線板 |
| JP2015163694A (ja) | 2014-01-31 | 2015-09-10 | ソマール株式会社 | 接着シート |
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