TWI672336B - 用於半導體封裝的樹脂組成物以及使用此組成物的預浸料以及金屬包覆層壓板 - Google Patents

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Abstract

本發明關於一種用於半導體封裝的樹脂組成物，其具有高流動特性、低熱膨脹特徵以及極佳機械特性；以及使用此組成物的預浸料以及金屬包覆層壓板。

Description

用於半導體封裝的樹脂組成物以及使用此組成物的預浸料以及金屬包覆層壓板
[相關申請案之交叉參考]
本申請案主張2017年3月22日申請的韓國專利申請案第10-2017-0036104號以及2018年2月13日申請的韓國專利申請案第10-2018-0018018號的優先權，其全部揭露內容以引用的方式併入本文中。
本發明關於一種用於半導體封裝的樹脂組成物，其具有高流動特性、低熱膨脹特徵以及極佳機械特性；以及使用此組成物的預浸料以及金屬包覆層壓板。更具體言之，本發明關於一種用於半導體封裝的熱固性樹脂組成物以及使用此組成物的預浸料，所述熱固性樹脂組成物能夠製備即使經由印刷電路板(printed circuit board，PCB)的回焊製程展現極佳物理特性的預浸料以及金屬包覆層壓板。
用於習知印刷電路板的銅包覆層壓板(copper clad laminate)如下製造，用熱固性樹脂清漆浸漬玻璃織物(glass fabric)基板，使基板半固化以形成預浸料，且接著將預浸料與銅箔一起加壓以及加熱。預浸料用於在銅包覆層壓板上組態以及構建(build-up)電路圖案。
近年來，由於電子裝置、通信裝置、個人電腦、智慧型電話以及類似物的高效能、厚度減少以及重量減少已加快，以及亦需要較薄的半導體封裝，所以對於用於半導體封裝的較薄印刷電路板的需要增長。
然而，印刷電路板硬度在薄化製程之後降低，且歸因於晶片與印刷電路板之間的熱膨脹速率差異而發生半導體封裝彎曲(warpage)。藉由在執行諸如回焊的高溫製程之後不回收印刷電路板的現象，此彎曲現象更加惡化。
因此，為了改良此彎曲現象，已對用於降低基板熱膨脹速率的技術進行研究。舉例而言，已提出一種用高含量填充劑充填預浸料的技術。然而，當僅用高含量填充劑充填預浸料時，降低預浸料的流動特性受到限制。
因此，需要發展能夠達成低熱膨脹速率以及極佳機械特性同時即使當在高溫下進行時確保流動特性的預浸料以及金屬包覆層壓板。
本發明的目的為提供一種用於半導體封裝的樹脂組成物，其具有高流動特性、低熱膨脹特徵以及極佳機械特性。
本發明的另一目的為提供一種使用用於半導體封裝的熱固性樹脂組成物的預浸料以及金屬包覆層壓板。
本發明提供一種用於半導體封裝的樹脂組成物，包含：含有由下列所構成的族群中選出的一或多個官能基的胺固化劑：碸基、羰基、鹵基、具有1至20個碳原子的烷基、具有6至20個碳原子的芳基、具有2至30個碳原子的雜芳基以及具有1至20個碳原子的伸烷基；熱固性樹脂；以及無機填充劑，其中按胺固化劑以及熱固性樹脂100重量份計，無機填充劑的量佔200重量份或更多，按胺固化劑100重量份計，熱固性樹脂的量佔400重量份或更低，以及包含於胺固化劑中的具有1至20個碳原子的烷基、具有6至20個碳原子的芳基、具有2至30個碳原子的雜芳基以及具有1至20個碳原子的伸烷基各自獨立地經由硝基、氰基以及鹵基所構成的族群中選出的一或多個官能基取代。
本發明亦提供一種藉由用於半導體封裝的樹脂組成物浸漬纖維基板而獲得的預浸料。
另外，本發明提供一種金屬包覆層壓板，包含：預浸料；以及藉由加熱以及加壓而與預浸料整合的金屬箔。
下文將詳細描述根據本發明具體實施例的用於半導體封裝的樹脂組成物以及使用此組成物的預浸料以及金屬包覆層壓板。
根據本發明的一個實施例，可提供一種用於半導體封裝的樹脂組成物，包含：含有由以下所構成的族群中選出的一或多個官能基的胺固化劑：碸基、羰基、鹵基、具有1至20個碳原子的 烷基、具有6至20個碳原子的芳基、具有2至30個碳原子的雜芳基以及具有1至20個碳原子的伸烷基；熱固性樹脂；以及無機填充劑，其中按胺固化劑以及熱固性樹脂100重量份計，無機填充劑的量佔200重量份或更多，按胺固化劑100重量份計，熱固性樹脂的量佔400重量份或更低，以及包含於胺固化劑中的具有1至20個碳原子的烷基、具有6至20個碳原子的芳基、具有2至30個碳原子的雜芳基以及具有1至20個碳原子的伸烷基各自獨立地經由硝基、氰基以及鹵基所構成的族群中選出的一或多個官能基取代。
本發明者已發現，當使用一個實施例的用於半導體封裝的樹脂組成物時，經由含有諸如由以下所構成的族群中選出的一或多個官能基的強力拉電子基團(electron withdrawing group，EWG)的胺固化劑，可降低胺固化劑的反應性：碸基、羰基、鹵基、具有1至20個碳原子的烷基、具有6至20個碳原子的芳基、具有2至30個碳原子的雜芳基以及具有1至20個碳原子的伸烷基，從而容易地控制樹脂組成物的固化反應。
特定言之，在一個實施例的用於半導體封裝的樹脂組成物中，由於按胺固化劑100重量份計，熱固性樹脂的量佔400重量份或更低，所以有可能，歸因於高含量下裝填的填充劑而防止熱固性樹脂物理特性的改變，以及誘導在足夠含量下熱固性樹脂的均一固化而不受填充劑影響，從而改良最終製品的可靠性以及增加諸如韌性(toughness)的機械特性。
習知地，如在胺固化劑按100重量份計，熱固性樹脂的量佔400重量份或更低的情況下，以相對過高量添加胺固化劑引 起流動特性以及成型性歸因於熱固性樹脂過高固化而降低的問題。然而，即使當以過高量添加已藉由包含如上文所描述的拉電子基團(electron withdrawing group，EWG)降低反應性的特異性胺固化劑時，可歸因於固化劑反應性降低而使熱固性樹脂固化速率的快速增加受到抑制。因此，用於半導體封裝的樹脂組成物以及自其獲得的預浸料甚至在長期儲存期間可展現高流動特性以及具有極佳流動特性。
因此，經由實驗發現，可以高含量填充填充劑甚至同時充分保持預浸料的流動特性，以及有可能實施低熱膨脹係數以及在同時達成極佳儲存穩定性，從而完成本發明。
具體言之，一個實施例的用於半導體封裝的樹脂組成物可包含含有由以下所構成的族群中選出的一或多個官能基的胺固化劑：碸基、羰基、鹵基、具有1至20個碳原子的烷基、具有6至20個碳原子的芳基、具有2至30個碳原子的雜芳基以及具有1至20個碳原子的伸烷基。在此情況下，包含於胺固化劑中的具有1至20個碳原子的烷基、具有6至20個碳原子的芳基、具有2至30個碳原子的雜芳基以及具有1至20個碳原子的伸烷基可各自獨立地經由硝基、氰基以及鹵基所構成的族群中選出的一或多個官能基取代。
由包含於胺固化劑中的以下所構成的族群中選出的一或多個官能基為強力拉電子基團(electron withdrawing group，EWG)：碸基、羰基、鹵基、具有1至20個碳原子的經取代烷基、具有6至20個碳原子的經取代芳基、具有2至30個碳原子的經取代雜芳基以及具有1至20個碳原子的經取代伸烷基；且與不含 有拉電子基團的胺固化劑相比，含有拉電子基團的胺固化劑的反應性降低，從而容易地控制樹脂組成物的固化反應。
因此，在藉由胺固化劑控制組成物的固化反應程度同時，可將高含量無機填充劑引入至預浸料中以降低預浸料的熱膨脹係數，且在同時改良預浸料的流動特性，從而改良電路圖案的充填特性。
具體言之，胺固化劑可包含由以下化學式1至化學式3所構成的族群中選出的一或多種化合物。
在化學式1中，A為碸基、羰基或具有1至10個碳原子的伸烷基；X1至X8各自獨立地為硝基、氰基、氫原子、鹵基、具有1至6個碳原子的烷基、具有6至15個碳原子的芳基或具有2至20個碳原子的雜芳基；R1、R1'、R2以及R2'各自獨立地為氫原子、鹵基、具有1至6個碳原子的烷基、具有6至15個碳原子的芳基或具有2至20個碳原子的雜芳基；n為1至10的整數；以及具有1至10個碳原子的伸烷基、具有1至6個碳原子的烷基、具有6至15個碳原子的芳基以及具有2至20個碳原子的雜芳基各自獨立地經由硝基、氰基、氫原子以及鹵基所構成的族群中選出的一或多個官能基取代。
[化學式2]
在化學式2中，Y1至Y8各自獨立地為硝基、氰基、氫原子、鹵基、具有1至6個碳原子的烷基、具有6至15個碳原子的芳基或具有2至20個碳原子的雜芳基；R3、R3'、R4以及R4'各自獨立地為氫原子、鹵基、具有1至6個碳原子的烷基、具有6至15個碳原子的芳基或具有2至20個碳原子的雜芳基；m為1至10的整數；以及具有1至6個碳原子的烷基、具有6至15個碳原子的芳基以及具有2至20個碳原子的雜芳基各自獨立地經由硝基、氰基以及鹵基所構成的族群中選出的一或多個官能基取代。
在化學式3中，Z1至Z4各自獨立地為硝基、氰基、氫原子、鹵基、具有1至6個碳原子的烷基、具有6至15個碳原子的芳基或具有2至20個碳原子的雜芳基；R5、R5'、R6以及R6'各自獨立地為氫原子、鹵基、具有1至6個碳原子的烷基、具有6至15個碳原子的芳基或具有2至20個碳原子的雜芳基；以及具有1至6個碳原子的烷基、具有6至15個碳原子的芳基以及具有2至20個碳原子的雜芳基各自獨立地經由硝基、氰基以及鹵基所構成的族群中選出一或多個官能基取代。
烷基為衍生自烷烴(alkane)的單價官能基，以及其實例 包含線性、分支鏈或環狀基團，諸如甲基、乙基、丙基、異丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、己基以及類似基團。包含於烷基中的一或多個氫原子可各自經取代基取代。
伸烷基為衍生自烷烴(alkane)的二價官能基，以及其實例包含線性、分支鏈或環狀基團，諸如亞甲基、伸乙基、伸丙基、伸異丁基、第二伸丁基、第三伸丁基、伸戊基、伸己基以及類似基團。類似於烷基，包含於伸烷基中的一或多個氫原子可經取代基取代。
芳基為衍生自芳烴(arene)的單價官能基，其可為例如單環或多環基團。單環芳基的具體實例包含但不限於苯基、聯苯基、聯三苯基、芪基以及類似基團。多環芳基的實例包含但不限於萘基(naphthyl group)、蒽基(anthracenyl group)、菲基(phenanthryl)、芘基(pyrenyl group)、苝基(perylenyl group)、屈基(chrysenyl group)以及茀基(fluorenyl group)。類似於烷基，這些芳香基的一或多個氫原子可經取代基取代。
雜芳基為含有O、N或S作為雜原子，以及其碳數不受特別限制但可為2至30的雜環基團。雜環基團的實例包含但不限於噻吩基、呋喃基、吡咯基、咪唑基、噻唑基、噁唑基、噁二唑基、三唑基、吡啶基、二吡啶基、三嗪基、吖啶基、噠嗪、喹啉基、異喹啉基、吲哚基、咔唑基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并咔唑基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基以及類似基團。類似於烷基，這些雜芳基的一或多個氫原子可經取代基取代。
術語「經取代」意謂鍵結於化合物的碳原子的氫原子改變 為另一官能基，以及待取代的位置不受限制，只要所述位置為取代氫原子所在處的位置即可，亦即取代基所在處的位置可為經取代的，以及當兩個或更多個經取代時，所述兩個或更多個取代基可彼此相同或不同。
更具體言之，化學式1可包含以下由化學式1-1表示的化合物。
在化學式1-1中，A、X1至X8、R1、R1'、R2、R2'以及n具有與在化學式1中所定義的相同的含義。
式1-1的具體實例包含4,4'-二胺基二苯基碸(4,4'-diaminodiphenyl sulfone)(在式1-1中，A為碸基；X1至X8、R1、R1'、R2以及R2'各自獨立地為氫原子；以及n為1)、雙(4-胺基苯基)甲酮(bis(4-aminophenyl)methanone)(在式1-1中，A為羰基；X1、X2、R1、R1'、R2以及R2'各自獨立地為氫原子；以及n為1)、4,4'-(全氟丙烷-2,2-二基)二苯胺(4,4'-(perfluoropropane-2,2-diyl)dianiline)(在式1-1中，A為全氟丙烷-2,2-二基(perfluoropropane-2,2-diyl)；X1至X8、R1、R1'、R2以及R2'各自獨立地為氫原子；以及n為1)、4,4'-(2,2,2-三氟乙烷-1,1-二基)二苯胺(4,4'-(2,2,2-trifluoroethane-1,1-diyl)dianiline)(在式1-1中，A為2,2,2-三氟乙烷-1,1-二基(2,2,2-trifluoroethane-1,1-diyl)；X1至X8、R1、R1'、R2以及R2'各自獨立地為氫原子；以及n為1)以及 類似基團。
另外，化學式2可包含以下由化學式2-1表示的化合物。
在化學式2-1中，Y1至Y8、R3、R3'、R4、R4'以及m具有與在化學式2中所定義的相同的含義。
式2-1的具體實例包含2,2',3,3',5,5',6,6'-八氟聯苯基-4,4'-二胺(2,2',3,3',5,5',6,6'-octafluorobiphenyl-4,4'-diamine)(在式2-1中，Y1至Y8為諸如氟的鹵基；R3、R3'、R4以及R4'各自獨立地為氫原子；以及m為1)、2,2'-雙(三氟甲基)聯苯基-4,4'-二胺(2,2'-bis(trifluoromethyl)biphenyl-4,4'-diamine)(其中Y2以及Y7各自獨立地為三氟甲基；Y1、Y3、Y4、Y5、Y6以及Y8為氫原子；R3、R3'、R4以及R4'各自獨立地為氫原子；以及m為1)以及類似基團。
此外，化學式3可包含以下由化學式3-1表示的化合物。
在化學式3-1中，Z1至Z4、R5、R5'、R6以及R6'具有與在化學式3中所定義的相同含義。
式3-1的具體實例包含2,3,5,6-四氟苯-1,4-二胺(2,3,5,6-tetrafluorobenzene-1,4-diamine)(在式3-1中，Z1至Z4為諸如氟的 鹵基；以及R5、R5'、R6以及R6'各自獨立地為氫原子)以及類似基團。
按胺固化劑100重量份計，熱固性樹脂的含量可為400重量份或更低、150重量份至400重量份、180重量份至300重量份、180重量份至290重量份或190重量份至290重量份。當胺固化劑或熱固性樹脂為其兩個或更多個類型的混合物時，按胺固化劑混合物100重量份計，熱固性樹脂混合物的含量亦可為400重量份或更低、150重量份至400重量份、180重量份至300重量份、180重量份至290重量份或190重量份至290重量份。
按胺固化劑100重量份計，若熱固性樹脂的含量過度增加至大於400重量份，則熱固性樹脂的物理特性可歸因於高含量下裝填的填充劑而改變，以及熱固性樹脂歸因於填充劑的影響而難以均一地固化到足夠的含量。因此，存在可能使最終製品的可靠性劣化以及亦可能使諸如韌性(toughness)的機械特性劣化的缺點。
在此情況下，用於半導體封裝的樹脂組成物可具有藉由以下數學方程式1計算的1.4或更多、1.4至2.5、1.45至2.5、1.45至2.1、1.45至1.8或1.49至1.75的當量比。
[數學方程式1]當量比=包含於胺固化劑中的總活性氫當量/包含於熱固性樹脂中的總可固化官能基當量
更具體言之，在數學方程式1中，包含於胺固化劑中的總活性氫當量意謂藉由胺固化劑的總重量(單位：公克(g))除以胺固化劑的活性氫單位當量(公克/當量(g/eq))獲得的值。
當胺固化劑為其兩個或更多個類型的混合物時，值藉由各化合物的重量(單位：公克(g))除以活性氫單位當量(公克/當量(g/eq))來計算，以及藉由使用總計各分值(the divided values)獲得的值，可判定根據數學方程式1、包含於胺固化劑中的總活性氫單位當量。
包含於胺固化劑中的活性氫意謂包含於存在於胺固化劑中的胺基(-NH2)中的氫原子，以及活性氫可經由與熱固性樹脂的固化官能基反應而形成固化結構。
此外，在數學方程式1中，包含於熱固性樹脂中的總可固化官能基當量意謂藉由熱固性樹脂的總重量(單位：公克(g))除以熱固性樹脂的可固化功能單位當量(公克/當量(g/eq))獲得的值。
當熱固性樹脂為其兩個或更多個類型的混合物時，值藉由各化合物的重量(單位：公克(g/))除以可固化官能基單位當量(公克/當量(g/eq))來計算，以及藉由使用藉由總計分值獲得的值，可判定根據數學方程式1、包含於熱固性樹脂中的總可固化官能基當量。
包含於熱固性樹脂中的可固化官能基意謂經由與胺固化劑的活性氫反應而形成固化結構的官能基，以及可固化官能基的類型可視熱固性樹脂的類型而變化。
舉例而言，當環氧樹脂用作熱固性樹脂時，包含於環氧樹脂中的可固化官能基可為環氧基。當雙順丁烯二醯亞胺樹脂用作熱固性樹脂時，包含於雙順丁烯二醯亞胺樹脂中的可固化官能基可為順丁烯二醯亞胺基。
亦即，用於半導體封裝的樹脂組成物滿足藉由數學方程式1計算的1.4或更多的當量比的事實意謂，以此含量含有胺固化劑，使得包含於所有熱固性樹脂中的可固化官能基產生足夠的固化反應。因此，在用於半導體封裝的樹脂組成物中，當藉由數學方程式1計算的當量比減少至小於1.4時，熱固性樹脂的物理特性可歸因於在高含量下裝填的填充劑而改變，以及熱固性樹脂歸因於填充劑的影響而難以均一地固化到足夠的含量。因此，存在可能使最終製品的可靠性劣化以及亦可能使諸如韌性的機械特性劣化的缺點。
另外，一個實施例的用於半導體封裝的樹脂組成物可包含熱固性樹脂。
熱固性樹脂可包含由以下所構成的族群中選出的一或多種樹脂：環氧樹脂、雙順丁烯二醯亞胺樹脂、氰酸酯樹脂以及雙順丁烯二醯亞胺-三嗪樹脂。
在此情況下，作為環氧樹脂，可以使用用於半導體封裝的樹脂組成物常用的那些環氧樹脂而無限制，且其類型不受限制，且可包含由以下所構成的族群中選出的一或多種：雙酚A類環氧樹脂、苯酚酚醛清漆類環氧樹脂、苯基芳烷基類環氧樹脂、四苯基乙烷類型環氧樹脂、萘類環氧樹脂、聯苯基類環氧樹脂、二環戊二烯類環氧樹脂以及二環戊二烯類環氧樹脂與萘類環氧樹脂的混合物。
具體言之，環氧樹脂可包含由以下所構成的族群中選出的一或多種：由以下化學式5表示的雙酚A類環氧樹脂、由以下化學式6表示的酚醛清漆類環氧樹脂、由以下化學式7表示的苯 基芳烷基類環氧樹脂、由以下化學式8表示的四苯基乙烷類環氧樹脂、由以下化學式9以及化學式10表示的萘類環氧樹脂、由以下化學式11表示的聯苯基類環氧樹脂以及由以下化學式12表示的二環戊二烯類環氧樹脂。
在化學式5中， R為,,或；以及 n為0或1至50的整數。
更具體言之，視R的類型而定，化學式5的環氧樹脂可分別為雙酚A類環氧樹脂、雙酚F類環氧樹脂、雙酚M類環氧樹脂或雙酚S類環氧樹脂。
在化學式6中，R為H或CH3，以及n為0或1至50的整數。
更具體言之，視R的類型而定，化學式6的酚醛清漆類環氧樹脂可分別為苯酚酚醛清漆類環氧樹脂或甲酚酚醛清漆類環 氧樹脂。
在化學式11中，n為0或1至50的整數。
在化學式12中，n為0或1至50的整數。
此外，當用於半導體封裝的樹脂組成物含有環氧樹脂時，可將環氧樹脂的固化劑與其一起使用以用於固化。
作為環氧樹脂的固化劑，可以使用用於半導體封裝的樹脂組成物的那些常用的環氧樹脂而無限制，且其類型不受限制。舉例而言，可提及苯酚酚醛清漆類環氧樹脂、胺類環氧樹脂、硫醇(thiol)類環氧樹脂、酸酐類環氧樹脂以及類似環氧樹脂，且這些環氧樹脂可單獨使用或以其兩種或更多種類型的組合形式使用。
此外，作為環氧樹脂的固化劑，可以使用用於半導體封裝的樹脂組成物的那些常用的環氧樹脂而無限制，且其類型不受限制。
作為較佳實例，雙順丁烯二醯亞胺樹脂可為由以下所構成的族群中選出的一或多種：由以下化學式13表示的二苯基甲烷類雙順丁烯二醯亞胺樹脂、由以下化學式14表示的伸苯基類雙順丁烯二醯亞胺樹脂、由以下化學式15表示的雙酚A類二苯醚雙順丁烯二醯亞胺樹脂以及由以下化學式16表示的二苯基甲烷類雙順丁烯二醯亞胺樹脂與苯基甲烷類雙順丁烯二醯亞胺樹脂的寡聚物。
在化學式13中，R1以及R2各自獨立地為H、CH3或C2H5。
[化學式14]
在化學式16中，n為0或1至50的整數。
另外，作為氰酸酯樹脂，可以使用用於半導體封裝的樹脂組成物的常用那些氰酸酯樹脂而無限制，且其類型不受限制。
作為較佳實例，氰酸酯樹脂可為由以下化學式17表示的酚醛清漆類氰酸酯樹脂、由以下化學式18表示的二環戊二烯類氰酸酯樹脂、由以下化學式19表示的雙酚類氰酸酯樹脂以及其部分三嗪化預聚物。這些氰酸酯樹脂可單獨使用或以其兩種或更多種類型的組合形式使用。
在化學式17中，n為0或1至50的整數。
在化學式18中，n為0或1至50的整數。
在化學式19中， R為,,或。
更具體言之，視R的類型而定，化學式19的氰酸酯樹脂可分別為雙酚A類氰酸酯樹脂、雙酚E類氰酸酯樹脂、雙酚F類氰酸酯樹脂或雙酚M類氰酸酯樹脂。
作為雙順丁烯二醯亞胺-三嗪樹脂，可以使用用於半導體封裝的樹脂組成物的常用的那些雙順丁烯二醯亞胺-三嗪樹脂而無限制，且其類型不受限制。
另外，一個實施例的用於半導體封裝的樹脂組成物可包含無機填充劑。作為無機填充劑，可以使用用於半導體封裝的樹脂組成物常用的那些無機填充劑而無限制，且其類型不受限制。無機填充劑的具體實例包含由以下所構成的族群中選出的一或多種：二氧化矽、三氫氧化鋁、氫氧化鎂、氧化鉬、鉬酸鋅、硼酸鋅、錫酸鋅、氧化鋁、黏土、高嶺土、滑石、煅燒高嶺土、煅燒滑石、雲母、短玻璃纖維、細玻璃粉末以及空心玻璃。
按胺固化劑以及熱固性樹脂100重量份計，無機填充劑的含量可為200重量份或更多、200重量份至500重量份、或250重量份至400重量份。當填充劑的含量小於約200重量份時，熱膨脹係數增加，且因此彎曲現象在回焊(reflow)製程期間惡化，以及印刷電路板的硬度降低。
根據本發明的較佳實施例，出於改良抗濕性以及分散性的觀點，無機填充劑可為用矽烷偶合劑表面處理的二氧化矽。
作為表面處理無機填充劑的方法，可使用藉由乾式方法或濕式方法使用矽烷偶合劑作為表面處理劑處理二氧化矽顆粒的方法。舉例而言，可使用藉由濕式方法使用矽烷偶合劑表面處理的二氧化矽，按100重量份計，所述矽烷偶合劑的量為0.01至1重量份。
矽烷偶合劑的具體實例包含：胺基矽烷偶合劑，諸如3-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷以及N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷；環氧矽烷偶合劑，諸如3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷；乙烯基矽烷偶合劑，諸如3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷；陽離子矽烷偶合劑，諸如N-2-(N-乙烯基苯甲基胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷鹽酸鹽；以及苯基矽烷偶合劑。矽烷偶合劑可單獨使用，或視需要可以至少兩種矽烷偶合劑的組合形式使用。
更具體言之，矽烷化合物可包含芳族胺基矽烷或(甲基)丙烯醯矽烷。無機填充劑的較佳實例包含與矽烷化合物表面鍵結且平均粒徑為0.1微米(μm)至100微米的二氧化矽，且更佳地，可使用用芳族胺基矽烷表面處理且平均粒徑為0.1微米至100微 米的二氧化矽。用芳族胺基矽烷表面處理且平均粒徑為0.1微米至100微米的二氧化矽的具體實例包含SC2050MTO(雅都瑪(Admantechs))。(甲基)丙烯基意欲涵蓋丙烯酸以及甲基丙烯酸兩者。
視需要，一個實施例的用於半導體封裝的樹脂組成物可藉由添加溶劑以溶液形式來使用。若溶劑展現對於樹脂組分的良好溶解度，其類型不受特別限制，則可使用醇、醚、酮、醯胺、芳族烴、酯、腈以及其類似物。這些溶劑可單獨使用，或可使用其兩種或更多種的混合溶劑。溶劑的含量不受特別限制，只要在生產預浸料時其可使樹脂組成物浸漬至玻璃纖維中即可。
另外，本發明樹脂組成物可更包含各種其他聚合化合物，諸如其他熱固性樹脂、熱塑性樹脂以及寡聚物以及其彈性體；以及其他阻燃劑化合物或添加劑，只要樹脂組成物的固有特徵不減弱即可。這些物質不受特定限制，只要其由常用的那些物質中選出即可。添加劑的實例包含紫外光吸收劑、抗氧化劑、光聚合引發劑、螢光增亮劑、光敏劑、顏料、染料、增稠劑、潤滑劑、消泡劑、分散劑、調平劑以及增亮劑。可藉由將組成物混合以便符合目的來使用組成物。
一個實施例的用於半導體封裝的樹脂組成物的熱膨脹係數(coefficient of thermal expansion，CTE)為15ppm/℃或更低或5ppm/℃至15ppm/℃。具體言之，熱膨脹係數意謂藉由以下製程獲得的量測值，藉由在獲自用於半導體封裝的樹脂組成物的銅包覆層壓板的情況下蝕刻來移除銅箔層，以縱向方向(Machine Direction；MD方向)製備測試樣品，且接著藉由使用TMA(TA 儀器公司，Q400)以10℃/min的加熱速率自30℃至260℃進行量測以獲得在50℃至150℃溫度範圍中的量測值。
由於用於半導體封裝的樹脂組成物具有如上文所描述的低熱膨脹係數，所以其可使由在製備或構建金屬包覆層壓板製程中晶片與印刷電路板之間的熱膨脹速率差異引起的半導體封裝的彎曲(warpage)產生降至最低。因此，含有預浸料的金屬包覆層壓板可有效地用於構建用於半導體封裝的印刷電路板。
一個實施例的用於半導體封裝的樹脂組成物的樹脂流動可為10%至25%或15%至25%，如藉由IPC-TM-650(2.3.17)所量測。具體言之，可根據IPC-TM-650(2.3.17)使用卡弗壓力機(Carver press)，在獲自用於半導體封裝的樹脂組成物的預浸料狀態中量測樹脂流動。由於用於半導體封裝的樹脂組成物具有上文所提及的樹脂流動水準，所以有可能在製備或構建金屬包覆層壓板的製程中確保流動特性，使得可容易地填充精細圖案。因此，金屬包覆層壓板可有效地用於構建用於半導體封裝的印刷電路板。
當用於半導體封裝的樹脂組成物的樹脂流動過度降低時，精細圖案的充填特性在金屬層壓以及構建製程期間降低，從而造成層壓板空隙(void)產生以及加工產率以及效率降低。此外，當用於半導體封裝的樹脂組成物的樹脂流動過度增加時，產生以下問題，歸因於在層壓製程期間過高樹脂流動而印刷電路板的厚度不均勻，或厚度可能比所設計厚度薄，且因此可能降低硬度。
一個實施例的用於半導體封裝的樹脂組成物在140℃或更高溫度或145℃至165℃下具有最小黏度，且最小黏度可為100帕．秒(Pa．s)至500帕．秒、或150帕．秒至400帕．秒、或200帕．秒 至350帕．秒或250帕．秒至320帕．秒。具體言之，可使用模組緊湊流變儀(modular conpact rheometer)MCR 302(安東帕(Anton Paar))在獲自用於半導體封裝的樹脂組成物的預浸料狀態中來量測黏度。由於用於半導體封裝的樹脂組成物展現上文所提及的黏度水準，所以可確保在製備金屬包覆層壓板製程中或在構建製程中的流動特性，使得可容易地填充精細圖案。因此，金屬包覆層壓板可有效地用於構建用於半導體封裝的印刷電路板。
此外，一個實施例的用於半導體封裝的樹脂組成物的拉伸伸長率可為2.0%或更多、2.0%至5.0%、2.0%至3.0%或2.3%至3.0%，如藉由IPC-TM-650(2.4.18.3)所量測。具體言之，可藉由以下製程來量測拉伸伸長率，其中在獲自用於半導體封裝的樹脂組成物的預浸料狀態中，層壓十個片材，使得玻璃纖維的MD方向以及橫向方向(Transverse Direction；TD方向)彼此平行對準，且在220℃以及35公斤/平方公分(kg/cm3)的條件下按壓100分鐘，且接著使用通用測試機器(Universal Testing Machine)(英斯特朗3365(Instron 3365))根據IPC-TM-650(2.4.18.3)來量測MD方向上的拉伸伸長率。由於用於半導體封裝的樹脂組成物展現上文所提及的黏度水準，所以可確保在製備金屬包覆層壓板製程中或在構建製程中的流動特性，使得可容易地填充精細圖案。因此，歸因於極佳持久性，其可有效地用於構建用於半導體封裝的印刷電路板。
另一方面，根據本發明的另一個實施例，可提供一種藉由將用於半導體封裝的樹脂組成物浸漬至纖維基板中產生的預浸料。
預浸料意謂，將用於半導體封裝的樹脂組成物浸漬至呈半固化狀態的纖維基板中。
纖維基板的類型不受特別限制，但可使用玻璃纖維基板、合成纖維基板、紙基板以及其類似物，所述合成纖維基板由主要由以下組成的編織纖維或非編織纖維製成：諸如聚醯胺樹脂纖維、芳族聚醯胺樹脂纖維等的聚醯胺類樹脂纖維，諸如聚酯樹脂纖維、芳族聚酯樹脂纖維、完全芳族聚酯樹脂纖維等的聚酯類樹脂纖維，聚醯亞胺樹脂纖維，聚苯并噁唑纖維，氟樹脂纖維以及其類似物；所述紙基板主要由牛皮紙、棉絨紙、棉絨/牛皮紙漿混合紙組成。較佳地，使用玻璃纖維基板。玻璃纖維基板可改良預浸料的強度，降低吸水率，以及降低熱膨脹係數。
用於本發明中的玻璃基板可由用於各種印刷電路板材料的玻璃基板中選出。玻璃基板的實例包含但不限於玻璃纖維，諸如E玻璃、D玻璃、S玻璃、T玻璃、NE玻璃以及L玻璃。玻璃基板可視需要根據所需用途或效能選擇。玻璃基板的形式通常為編織纖維、非編織纖維、粗紗(rowing)、短切原絲墊(chopped strand mat)或表面修整墊(surfacing mat)。玻璃基板的厚度不受特別限制，但其可為約0.01毫米(mm)至0.3毫米等。在以上材料當中，玻璃纖維材料在強度以及水吸收特徵方面更佳。
另外，在本發明中，用於製備預浸料的方法不受特別限制，且可藉由所屬領域中熟知的方法來製造。舉例而言，預浸料的製備方法可為浸漬法、使用各種塗佈機的塗佈法、噴霧法等。
在浸漬法的情況下，預浸料可藉由製備清漆且接著用清漆浸漬纖維基板來製備。
亦即，預浸料的製備條件不受特別限制，但較佳以向用於半導體封裝的樹脂組成物中添加溶劑的清漆狀態來使用所述預浸料。樹脂清漆的溶劑不受特別限制，只要其可與樹脂組分混溶且具有良好溶解度即可。其具體實例包含酮，諸如丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮以及環己酮；芳族烴，諸如苯、甲苯以及二甲苯；醯胺，諸如二甲基甲醯胺以及二甲基乙醯胺；以及脂族醇，諸如甲基賽路蘇(methyl cellosolve)以及丁基賽路蘇(butyl cellosolve)。
另外，期望所使用溶劑在製備預浸料時揮發至少80重量%。因此，對於生產方法、乾燥條件等不存在限制，且乾燥溫度約為80℃至200℃，而乾燥時間不受特別限制，只要其與清漆的膠凝時間平衡即可。按清漆以及基板的樹脂固體含量的總量計，清漆的浸漬量較佳地為使得清漆的樹脂固體含量約為30至80重量%。
替代實施例的預浸料的熱膨脹係數(CTE)可為15ppm/℃或更低或5ppm/℃至15ppm/℃。熱膨脹係數的詳情包含在實施例的用於半導體封裝的樹脂組成物中上文所描述的那些。
替代實施例的預浸料的樹脂流動可為10%至25%或15%至25%，如藉由IPC-TM-650(2.3.17)所量測。樹脂流動的詳情包含上文關於一個實施例的用於半導體封裝的樹脂組成物所描述的那些。
此外，替代實施例的預浸料可在140℃或更高溫度或145℃至165℃下具有最小黏度，且最小黏度可為100帕．秒至500帕．秒、或150帕．秒至400帕．秒、或200帕．秒至350帕．秒或250帕．秒至320帕．秒。黏度的詳情包含上文關於一個實施例的用於半導體封裝的樹脂組成物所描述的那些。
此外，替代實施例的預浸料的拉伸伸長率可為2.0%或更多、2.0%至5.0%、2.0%至3.0%或2.3%至3.0%，如藉由IPC-TM-650(2.4.18.3)所量測。拉伸伸長率的詳情包含上文關於一個實施例的用於半導體封裝的樹脂組成物所描述的那些。
根據本發明的另一實施例，可提供一種包含上文所提及的預浸料的金屬包覆層壓板；以及一種藉由加熱以及加壓與預浸料整合的金屬箔。
金屬箔包含：銅箔；鋁箔；複合箔，具有含有鎳、鎳-磷、鎳-錫合金、鎳-鐵合金、鉛或鉛-錫合金中間層以及含有在其兩側上不同厚度的銅層的三層結構；或複合箔，具有組合鋁箔以及銅箔的兩層結構。
根據較佳實施例，用於本發明中的金屬箔為銅箔或鋁箔，且可使用厚度為約2微米至200微米的那些金屬箔，較佳為厚度為約2微米至35微米的那些金屬箔。較佳地，銅箔用作金屬箔。此外，根據本發明，以下箔可用作金屬箔：複合箔，具有含有鎳、鎳-磷、鎳-錫合金、鎳-鐵合金、鉛、鉛-錫合金等中間層以及含有在其兩側上不同厚度的銅層的三層結構；或複合箔，具有組合鋁箔以及銅箔的兩層結構。
因此製備的包含預浸料的金屬包覆層壓板可用於在層壓一或多個片材之後生產雙邊或多層印刷電路板。在本發明中，金屬包覆層壓板可經受電路處理以產生雙邊或多層印刷電路板，且電路處理可藉由雙邊或多層印刷電路板製造工藝中常用的方法來進行。
根據本發明，可提供一種用於半導體封裝的樹脂組成物，其具有高流動特性、低熱膨脹特徵以及極佳機械特性；以及使用此組成物一種的預浸料以及一種金屬包覆層壓板。
[實施例的詳細描述]
在下文中，將經由實例更詳細地描述本發明。然而，這些實例僅出於說明性目的提供，且不意欲以任何方式限制本發明。
<實例以及比較例：用於半導體封裝的樹脂組成物、預浸料以及銅包覆層壓板>
(1)用於半導體封裝的樹脂組成物的製備
根據展示於以下表1以及表2中的組成物，向甲基乙基酮中添加各組分以便符合65%的固體含量，且接著在400轉/分鐘(rpm)的速度下於室溫下攪拌混合物一天，製備實例1至實例5以及比較例1至比較例6的用於半導體封裝的樹脂組成物(樹脂清漆)。特定言之，實例1至實例5中製備的樹脂組成物的具體組成如下表1中所描述，且比較例1至比較例6中製備的樹脂組成物的具體組成如下表2中所描述。
(2)預浸料以及銅包覆層壓板的製備
將上文所製備的用於半導體封裝的樹脂組成物(樹脂清漆)浸漬至厚度為15微米的玻璃纖維(T玻璃(T-glass)#1017， 由日東紡(Nittobo)製造)中，且接著在170℃的溫度下熱空氣乾燥2至5分鐘，製備厚度為25微米的預浸料。
將上文所製備的兩個預浸料片材層壓，且接著置放銅箔(厚度為12微米，由三井(Mitsui)製造)並且在其兩側上層壓且在220℃以及35公斤/平方公分的條件下固化100分鐘。
[數學方程式1] 胺固化劑與熱固性樹脂的當量比={(DDS的總活性氫當量+TFB的總活性氫當量+DDM的總活性氫當量+DDE的總活性氫當量+TDA的總活性氫當量)}/{(XD-1000的總環氧樹脂當量+NC-3000H的總環氧樹脂當量+HP-6000的總環氧樹脂當量)+(BMI- 2300的總順丁烯二醯亞胺當量)}
在數學方程式1中，DDS的總活性氫當量為藉由DDS的總重量(公克)除以DDS的活性氫單位當量(62公克/當量)而獲得的值，TFB的總活性氫當量為藉由TFB的總重量(公克)除以TFB的活性氫單位當量(80公克/當量)而獲得的值，DDM的總活性氫當量為藉由DDM的總重量(公克)除以DDM的活性氫單位當量(49.5公克/當量)而獲得的值，DDE的總活性氫當量為藉由DDE的總重量(公克)除以DDE的活性氫單位當量(50公克/當量)而獲得的值，TDA的總活性氫當量為藉由TDA的總重量(公克)除以TDA的活性氫單位當量(54公克/當量)而獲得的值，XD-1000的總環氧當量為藉由XD-1000的總重量(公克)除以XD-1000的環氧基單位當量(253公克/當量)而獲得的值，NC-3000H的總環氧當量為藉由NC-3000H的總重量(公克)除以NC-3000H的環氧基單位當量(290公克/當量)而獲得的值，HP-6000的總環氧當量為藉由HP-6000的總重量(公克)除以HP-6000的環氧基單位當量(250公克/當量)而獲得的值，以及BMI-2300的總順丁烯二醯亞胺當量為藉由BMI-2300的總重量(公克)除以BMI-2300的順丁烯二醯亞胺單位當量(179公克/當量)而獲得的值。
[表2]比較例的用於半導體封裝的樹脂組成物的組成
* TFB：2,2'-雙(三氟甲基)聯苯胺(2,2`-bis(trifluoromethyl)benzidine)；2,2'-雙(三氟甲基)-4,4'-聯苯二胺(2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine)
* DDM：4,4'-二胺基二苯基甲烷(4,4'-diaminodiphenyl methane)
* DDE：4,4'-二胺基二苯基醚(4,4'-diaminodiphenyl ether)
* TDA：4,4'-硫代二苯胺(4,4'-thiodianiline)；4,4'-二胺基二苯基硫化物(4,4'-diaminodiphenyl sulfide)
* XD-1000：環氧樹脂(日本化藥(Nippon Kayaku))
* NC-3000H：環氧樹脂(日本化藥)
* HP-6000：環氧樹脂(大日本油墨化學工業公司(DIC))
* BMI-2300：雙順丁烯二醯亞胺類樹脂(大和化成(DAIWA KASEI))
* SC2050MTO：苯胺基矽烷處理漿液類微二氧化矽，平均粒徑為0.5微米(雅都瑪(Admantechs))
*當量比：經由與表1中相同的數學方程式1計算。
<實驗實例：實例以及比較例中獲得的用於半導體封裝的樹脂組成物、預浸料以及銅包覆層壓板的物理特性的量測>
實例以及比較例中獲得的用於半導體封裝的樹脂組成物、預浸料以及銅包覆層板的物理特性藉由以下方法來量測，且結果展示於下表3中。
1.熱膨脹係數(CTE)
藉由蝕刻移除實例以及比較例中獲得的銅包覆層板的銅 箔層，且接著在MD方向上製備測試樣品。藉由使用TMA(TA儀器公司(TMA Instruments)，Q400)以10℃/min的加熱速率自30℃至260℃進行量測，且記錄在50℃至150℃溫度範圍內的量測值作為熱膨脹係數。
2.樹脂流動(Resin flow，RF)
(1)初始樹脂流動
在實例以及比較例中獲得的預浸料狀態中，根據IPC-TM-650(2.3.17)使用卡弗壓力機(卡弗公司(Carver,Inc.)，#3893.4NE0000)來量測RF。
(2)一個月之後的樹脂流動
根據IPC-TM-650(2.3.17)，在室溫下儲存實例以及比較例中獲得的預浸料一個月，且使用卡弗壓力機(卡弗公司，#3893.4NE0000)來量測RF。
3.電路圖案的充填特性
將實例以及比較例中獲得的預浸料置放於電路圖案(圖案高度：10微米，殘餘銅率：50%)的兩側上，且將銅箔(厚度：12微米，由三井礦業(Mitsui Kinzoku)製造)置放於其上，且在220℃以及35公斤/平方公分的條件下按壓100分鐘。接著，在其兩側上蝕刻銅箔，且在以下標準下評價電路圖案充填特性。
○：出現空隙(void)
X：未出現空隙(void)
4.黏度
對於實例以及比較例中獲得的預浸料，藉由使用流變儀(安東帕(Anton Paar)，模組緊湊流變儀(Modular Compact Rheometer)MCR 302)在50℃至200℃的溫度範圍以及5℃/min的加熱速率、5牛頓的法線力(normal force)、10赫茲的頻率(frequency)以及0.5%的幅度(amplitude)的條件下量測所述預浸料來評價黏度，以及記錄指示最小黏度的溫度以及最小黏度。
5.拉伸伸長率的量測
將實例以及比較例中獲得的100個預浸料片材以使得玻璃纖維的MD以及TD方向彼此平行對準的方式層壓，且在220℃以及35公斤/平方公分的條件下按壓100分鐘，且接著使用通用測試機器(Universal Testing Machine)(英斯特朗3365(Instron 3365))根據IPC-TM-650(2.4.18.3)來量測MD方向上的拉伸伸長率。
如表3中所展示，實例的用於半導體封裝的樹脂組成物以及自其獲得的預浸料以及銅包覆層板的熱膨脹係數為9.0ppm/℃至10.5ppm/℃，指示低熱膨脹特徵，且其在158℃至163℃的溫 度範圍內的最小黏度量測為260帕．秒至312帕．秒，而樹脂流動可高達15%至23%，從而確保極佳電路圖案充填特性。另外，觀測到即使在1個月之後，樹脂流動降低1%至2%，指示儲存穩定性亦極佳。此外，拉伸伸長率的量測結果展示2.4%至2.9%的高韌性(toughness)，從而實現極佳機械特性。
另一方面，不含具有拉電子基團(electron withdrawing group，EWG)的胺固化劑(DDS或TFB)的比較例1至比較例4的用於半導體封裝的樹脂組成物以及自其獲得的預浸料以及銅包覆層板，在119℃至124℃溫度範圍內展現810帕．秒至987帕．秒的最小黏度，此顯著地高於實例的那些最小黏度，且展示3.0%至4.7%的極低樹脂流動，指示電路圖案充填特性非常差。
另一方面，確認，其中按熱固性樹脂組分以及胺固化劑組分的總量的100重量份計，無機添加劑的量顯著降低36重量份的比較實例5的用於半導體封裝的樹脂組成物，以及自其獲得的預浸料以及銅包覆層壓板，具有銅包覆層壓板的熱膨脹係數增加18ppm/℃的限制。
此外，確認，相對於100重量份的胺固化劑，比較實例6的用於半導體封裝的樹脂組成物佔625重量份的熱固性樹脂，且胺固化劑當量與熱固性樹脂當量的比率為0.63，而自其獲得的預浸料以及銅包覆層壓板的拉伸伸長率為1.7%，此相比於實例的那些預浸料以及銅包覆層壓板的拉伸伸長率減少，指示韌性(toughness)上存在限制。
因此，當相對於100重量份的具有拉電子基團(electron withdrawing group，EWG)的胺固化劑時，熱固性樹脂的量佔400 重量份或更低，且相對於樹脂組分以及胺固化劑組分的總量，以過量添加無機添加劑，如實例中，在滿足1.4或更多的胺固化劑當量與熱固性樹脂當量的比率時，確認，可保持極佳的低熱膨脹特徵、流動特性、機械特性以及儲存穩定性。

Claims (12)

  1. 一種用於半導體封裝的樹脂組成物，包括：含有由下列所構成的族群中選出的一或多個官能基的胺固化劑：碸基、羰基、鹵基、具有1至20個碳原子的烷基、具有6至20個碳原子的芳基、具有2至30個碳原子的雜芳基以及具有1至20個碳原子的伸烷基；熱固性樹脂；以及無機填充劑，其中按所述胺固化劑以及所述熱固性樹脂100重量份計，所述無機填充劑的量佔200重量份或更多，按所述胺固化劑100重量份計，所述熱固性樹脂的量佔400重量份或更低，包含於所述胺固化劑中的具有1至20個碳原子的所述烷基、具有6至20個碳原子的所述芳基、具有2至30個碳原子的所述雜芳基以及具有1至20個碳原子的所述伸烷基，各自獨立地經由硝基、氰基以及鹵基所構成的族群中選出的一或多個官能基取代，以及藉由以下數學方程式1計算的當量比為1.4或更多：[數學方程式1]當量比=包含於所述胺固化劑中的總活性氫當量/包含於所述熱固性樹脂中的總可固化官能基當量。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的用於半導體封裝的樹脂組成物，其中所述胺固化劑包含由以下化學式1至化學式3所構成的族群 中選出的一或多種化合物： 其中，在化學式1中，A為碸基、羰基或具有1至10個碳原子的伸烷基，X1至X8各自獨立地為硝基、氰基、氫原子、鹵基、具有1至6個碳原子的烷基、具有6至15個碳原子的芳基或具有2至20個碳原子的雜芳基，R1、R1'、R2以及R2'各自獨立地為氫原子、鹵基、具有1至6個碳原子的烷基、具有6至15個碳原子的芳基或具有2至20個碳原子的雜芳基，n為1至10的整數，以及具有1至10個碳原子的所述伸烷基、具有1至6個碳原子的所述烷基、具有6至15個碳原子的所述芳基以及具有2至20個碳原子的所述雜芳基各自獨立地經由硝基、氰基、氫原子以及鹵基所構成的族群中選出的一或多個官能基取代； 其中，在化學式2中Y1至Y8各自獨立地為硝基、氰基、氫原子、鹵基、具有1至 6個碳原子的烷基、具有6至15個碳原子的芳基或具有2至20個碳原子的雜芳基，R3、R3'、R4以及R4'各自獨立地為氫原子、鹵基、具有1至6個碳原子的烷基、具有6至15個碳原子的芳基或具有2至20個碳原子的雜芳基，m為1至10的整數，以及具有1至6個碳原子的所述烷基、具有6至15個碳原子的所述芳基以及具有2至20個碳原子的所述雜芳基各自獨立地經由硝基、氰基以及鹵基所構成的族群中選出的一或多個官能基取代； 其中，在化學式3中，Z1至Z4各自獨立地為硝基、氰基、氫原子、鹵基、具有1至6個碳原子的烷基、具有6至15個碳原子的芳基或具有2至20個碳原子的雜芳基，R5、R5'、R6以及R6'各自獨立地為氫原子、鹵基、具有1至6個碳原子的烷基、具有6至15個碳原子的芳基或具有2至20個碳原子的雜芳基，以及具有1至6個碳原子的所述烷基、具有6至15個碳原子的所述芳基以及具有2至20個碳原子的所述雜芳基各自獨立地經由硝基、氰基以及鹵基構成的族群中選出的一或多個官能基取代。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的用於半導體封裝的樹脂 組成物，其中按所述胺固化劑以及所述熱固性樹脂100重量份計，所述無機填充劑的量佔200重量份至500重量份。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的用於半導體封裝的樹脂組成物，其中所述無機填充劑包含由下列所構成的族群中選出的一或多種：二氧化矽、三氫氧化鋁、氫氧化鎂、氧化鉬、鉬酸鋅、硼酸鋅、錫酸鋅、氧化鋁、黏土、高嶺土、滑石、煅燒高嶺土、煅燒滑石、雲母、短玻璃纖維、細玻璃粉末以及空心玻璃。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的用於半導體封裝的樹脂組成物，其中所述二氧化矽包含與矽烷化合物表面鍵結且平均粒徑為0.1微米至100微米的二氧化矽。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的用於半導體封裝的樹脂組成物，其中所述矽烷化合物包含由下列所構成的族群中選出的一或多種矽烷偶合劑：胺基矽烷偶合劑、環氧矽烷偶合劑、乙烯基矽烷偶合劑、陽離子矽烷偶合劑以及苯基矽烷偶合劑。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的用於半導體封裝的樹脂組成物，其中所述熱固性樹脂包含由下列所構成的族群中選出的一或多種樹脂：環氧樹脂、雙順丁烯二醯亞胺樹脂、氰酸酯樹脂以及雙順丁烯二醯亞胺-三嗪樹脂。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的用於半導體封裝的樹脂 組成物，其中所述用於半導體封裝的樹脂組成物的樹脂流動為10%至25%，藉由IPC-TM-650(2.3.17)所量測。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的用於半導體封裝的樹脂組成物，其中所述用於半導體封裝的樹脂組成物在140℃或更高溫度下具有最小黏度，以及所述最小黏度為100帕．秒至500帕．秒。
  10. 如申請專利範圍第1項所述的用於半導體封裝的樹脂組成物，其中所述用於半導體封裝的樹脂組成物的拉伸伸長率為2.0%或更多，藉由IPC-TM-650(2.4.18.3)所量測。
  11. 一種預浸料，藉由用如申請專利範圍第1項所述的用於半導體封裝的樹脂組成物浸漬纖維基板而獲得。
  12. 一種金屬包覆層壓板，包括如申請專利範圍第11項所述的預浸料，以及藉由對所述預浸料加熱以及加壓而與所述預浸料整合的金屬箔。
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