JP7434640B2 - 基板搬送装置及び基板処理装置 - Google Patents

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Description

本発明の実施形態は、基板搬送装置及び基板処理装置に関する。
液晶表示装置や半導体デバイスなどの製造工程において、ガラス基板や半導体基板などの基板を処理する基板処理装置が用いられている。基板処理としては、例えば、レジスト塗布処理、レジスト剥離処理、エッチング処理、洗浄処理、乾燥処理がある。基板処理装置は、複数の搬送ローラにより基板を搬送しながら、その基板に対して処理用の流体（例えば、処理液や乾燥用の気体）をかけて基板を処理する。
搬送対象となる基板は、通常、平らな基板であるが、中には反った基板（反りを有する基板）もある。例えば、厚さが１ｍｍ程度と薄い基板が処理対象の基板として用いられ、その基板の上面に成膜が行われると、基板は膜の応力により反ることがある。この反った基板が上面を上に又は下にして複数の搬送ローラによって反ったままの状態で搬送されると、基板の反った部分に処理用の流体が均一に供給されないため、基板に対する処理が不均一となる。このため、処理ムラ（例えば、塗布ムラや剥離ムラ、エッチングムラ、洗浄ムラ、乾燥ムラ）が発生することがあり、基板品質が低下する。
特開平１１－１００９６号公報
本発明が解決しようとする課題は、基板品質を向上させることができる基板搬送装置及び基板処理装置を提供することである。
本発明の実施形態に係る基板搬送装置は、
反りを有する基板の、凸面側を支持するとともに、前記基板を搬送する搬送ローラと、
前記搬送ローラに対向して離間するように設けられ、前記搬送ローラにより搬送される前記基板を押える押えローラと、
を備え、
対向して離間する前記搬送ローラ及び前記押えローラは一組とされ、前記基板の搬送方向に沿って複数組並んでおり、
組ごとの前記搬送ローラ及び前記押えローラの離間距離は、前記基板の搬送方向に沿って短くなっている部分を有し、
前記搬送ローラは、前記搬送方向に直交する方向である前記基板の幅方向の両端と中央に対応してローラを有し、
前記押えローラは、前記基板の搬送方向に直交する方向に離間して対で設けられる上乗せローラを備え、
前記対で設けられる上乗せローラの離間距離は、前記短くなっている部分において前記搬送方向に沿って徐々に広くなっており、
前記基板は、前記搬送方向に直交する方向において反りを有する基板であり、
前記短くなっている部分の最上流に位置する前記上乗せローラの前記離間距離は、前記基板が前記押えローラに当接する前の反り状態における前記基板の、前記搬送方向に直交する方向の長さよりも短い。
本発明の実施形態に係る基板処理装置は、
前述の実施形態に係る基板搬送装置と、
前記基板搬送装置により搬送される前記基板に処理液を供給する液供給部と、
を備える。
本発明の実施形態に係る基板処理装置は、
前述の実施形態に係る基板搬送装置と、
前記基板搬送装置により搬送される前記基板を乾燥させる乾燥部と、
を備える。
本発明の実施形態によれば、基板品質を向上させることができる。
第１の実施形態に係る基板処理装置の概略構成の一部を示す第１の図である。 第１の実施形態に係る基板処理装置の概略構成の一部を示す第２の図である。 第１の実施形態に係る基板処理装置の概略構成の一部を示す第３の図である。 第１の実施形態に係る基板処理装置の概略構成の一部を示す第４の図である。 第２の実施形態に係る基板処理装置の概略構成の一部を示す図である。 第３の実施形態に係る基板処理装置の概略構成の一部を示す第１の図である。 第３の実施形態に係る基板処理装置の概略構成の一部を示す第２の図である。 第４の実施形態に係る基板処理装置の概略構成の一部を示す第１の平面図である。 図８の矢視Ａ－Ａ´図（Ａ）、矢視Ｂ－Ｂ´図（Ｂ）である。 第４の実施形態に係る基板処理装置の概略構成の一部を示す第２の平面図である。 図１０の矢視Ａ－Ａ´図（Ａ）、矢視Ｂ－Ｂ´図（Ｂ）である。 第５の実施形態に係る基板処理装置の概略構成の一部を示す第１の図である。 第５の実施形態に係る基板処理装置の概略構成の一部を示す第２の図である。
＜第１の実施形態＞
第１の実施形態について図１から図４を参照して説明する。
（基本構成）
図１及び図２に示すように、第１の実施形態に係る基板処理装置１０は、処理室２０と、搬送部（基板搬送装置）３０と、液供給部４０と、乾燥部５０と、制御部６０とを備えている。処理対象の基板Ｗとしては、例えば、ガラス基板などの矩形状の薄型基板が用いられる。例えば、基板Ｗの厚さは０．５～１．１ｍｍ程度であり、基板Ｗの反り量は７～１０ｍｍ程度である。反りは矩形状基板の四方にある。
処理室２０は、矯正処理室２１と、洗浄処理室２２と、乾燥処理室２３とを有している。これらの矯正処理室２１、洗浄処理室２２及び乾燥処理室２３は、それぞれ、基板Ｗが搬送される搬送路Ｈ１を内部に有する筐体であり、基板Ｗが搬送路Ｈ１に沿って内部を通過することが可能に形成されている。矯正処理室２１、洗浄処理室２２及び乾燥処理室２３は、それぞれ、搬送路Ｈ１を移動する基板Ｗを処理するための部屋として機能する。洗浄処理室２２や乾燥処理室２３の個々の底面には、液を排出する排出口（図示せず）がそれぞれ形成されている。
搬送部３０は、複数の搬送ローラ３１Ａと、複数の押えローラ３１Ｂとを有している。この搬送部３０は、処理室２０内、すなわち矯正処理室２１、洗浄処理室２２及び乾燥処理室２３の全内部（以下、適宜、処理室２０内という）にわたって設けられており、各押えローラ３１Ｂにより基板Ｗの上面を押えつつ、各搬送ローラ３１Ａにより基板Ｗを搬送する。
各搬送ローラ３１Ａは、基板Ｗの搬送方向Ａ１（以下、搬送方向Ａ１という）に沿って搬送路Ｈ１の下方に所定間隔で並べられている。各押えローラ３１Ｂは、それぞれ、各搬送ローラ３１Ａに搬送路Ｈ１を挟んで離間して対向するように搬送路Ｈ１の上方に位置付けられ、前述の各搬送ローラ３１Ａの所定間隔と同じ所定間隔で搬送方向Ａ１に沿って並べられている。これらの搬送ローラ３１Ａ及び押えローラ３１Ｂは、処理室２０内に回転可能に設けられており、駆動源（図示せず）により互いに同期して回転するように構成されている。搬送ローラ３１Ａは時計回りに回転し、押えローラ３１Ｂは反時計回りに回転する。本実施形態では、図１、図２に示されるように、各搬送ローラ３１Ａは、搬送方向Ａ１に沿った水平の搬送路Ｈ１を形成する。
ここで、鉛直方向に離間して搬送路Ｈ１を挟んで対向する一組の搬送ローラ３１Ａ及び押えローラ３１Ｂは、搬送方向Ａ１に沿って複数組並ぶように設けられている。矯正処理室２１内の組ごとのローラ間の離間距離、すなわち、組ごとの搬送ローラ３１Ａ及び押えローラ３１Ｂの離間距離（例えば、鉛直離間距離で、より具体的には、図１にａで示すように、後述する、組ごとのローラ３１ａとローラ３１ｃとの間の鉛直離間距離）は、搬送方向Ａ１に沿って徐々に短くなっており、矯正処理室２１内の搬送路Ｈ１の途中で一定になり、そのまま洗浄処理室２２及び乾燥処理室２３においても一定になっている。ここで、一定の距離とは、例えば基板Ｗの厚さ以下の基板搬送可能な所定距離である。なお、搬送方向Ａ１の最上流（上流端）に位置する一組の搬送ローラ３１Ａ及び押えローラ３１Ｂの離間距離は、基板Ｗの反り量（基板Ｗが載置された平面と、その平面に載置された基板Ｗの上面との最大鉛直離間距離）よりも長くなっている。
各搬送ローラ３１Ａは、図３に示すように、それぞれ、３個のローラ３１ａと、１本のシャフト３１ｂとを有している。３個のローラ３１ａは円形で同じ直径を有し、例えばゴムや樹脂を素材とするローラであって、１本のシャフト３１ｂの両端と中央に個別に取り付けられており、搬送される基板Ｗの下面に接触して基板Ｗを支持するローラとしてそれぞれ機能する。シャフト３１ｂは、基板Ｗの幅（搬送方向Ａ１に水平面内で直交する方向の幅）よりも長く形成されており、処理室２０内に回転可能に設けられている。シャフト３１ｂが回転すると、そのシャフト３１ｂに取り付けられた各ローラ３１ａはシャフト３１ｂを回転軸として回転する。
各押えローラ３１Ｂは、図３に示すように、それぞれ、円形で同じ直径を有する２個のローラ（上乗せローラ）３１ｃと、２本のシャフト３１ｄとを有している。２個のローラ３１ｃは、例えばゴムや樹脂を素材とするローラであって、各搬送ローラ３１Ａ上の基板Ｗの上面の両端領域（基板Ｗの幅方向の両端領域）を個別に上から押えることが可能に設けられている。これらのローラ３１ｃは、それぞれ２本のシャフト３１ｄに取り付けられており、搬送される基板Ｗの上面に接触して基板Ｗを押えるローラとしてそれぞれ機能する。２個のローラ３１ｃは、それぞれ、搬送ローラ３１Ａの両端に位置する２個のローラ３１ａの個々の外側の端部に搬送路Ｈ１を挟んで対向して離間するように配置されている。２本のシャフト３１ｄは、２個のローラ３１ｃが基板Ｗの上面の両端領域に個別に接触するように位置付けられ、処理室２０内に回転可能に設けられている。シャフト３１ｄが回転すると、そのシャフト３１ｄに取り付けられたローラ３１ｃはシャフト３１ｄを回転軸として回転する。押えローラ３１Ｂの両端に位置する２個のローラ３１ｃは、互いに同期して回転するように構成されている。ローラ３１ａとローラ３１ｃが回転駆動される時、どちらも同じ周速で回転駆動させられるようになっている。また、搬送ローラ３１Ａのシャフト３１ｂと押えローラ３１Ｂのシャフト３１ｄとの離間距離を変えることで、組ごとの搬送ローラ３１Ａ及び押えローラ３１Ｂの離間距離を上記したように変えることができる。
図２に戻り、液供給部４０は、複数の液噴射部４１を有している。この液供給部４０は、洗浄処理室２２内に設けられており、搬送路Ｈ１を移動する基板Ｗに各液噴射部４１から洗浄液（処理液の一例）を噴射して供給する。各液噴射部４１は、搬送部３０による基板Ｗの搬送を妨げず、搬送路Ｈ１を挟んで離間して対向するように搬送路Ｈ１の上下に７つずつ設けられている。これらの液噴射部４１は、搬送路Ｈ１に向けてシャワー状に洗浄液を吐出する。なお、搬送路Ｈ１の下方に位置する各液噴射部４１は、各搬送ローラ３１Ａを避けて搬送路Ｈ１に洗浄液を吐出するように配置されている。洗浄液が各液噴射部４１により搬送路Ｈ１に向けて噴射され、その搬送路Ｈ１を移動する基板Ｗの上面及び下面の両面に洗浄液が供給される。液噴射部４１としては、例えば、複数の貫通孔を有するシャワーパイプや複数のシャワーノズルを備えるパイプが用いられる。
乾燥部５０は、複数の気体吹出部５１を有している。この乾燥部５０は、乾燥処理室２３内に設けられており、搬送路Ｈ１を移動する基板Ｗに各気体吹出部５１から乾燥用の気体（例えば、空気又は窒素ガス）を吹き出して供給する。各気体吹出部５１は、搬送部３０による基板Ｗの搬送を妨げず、搬送路Ｈ１を挟んで離間して対向するように搬送路Ｈ１の上下に１つずつ設けられている。これらの気体吹出部５１は、搬送路Ｈ１を通過する基板Ｗに向けて高圧で気体を吹き出し、基板Ｗに付着している洗浄液を吹き飛ばして基板Ｗの上面及び下面の両面を乾燥させる。
各気体吹出部５１は、図４に示すように、それぞれ、基板Ｗの幅よりも長いスリット状の吹出口（長尺の吹出口）５１ａを有している。これらの気体吹出部５１は、それぞれ、長手方向が搬送方向Ａ１に対して水平面内で傾き、吹出口５１ａから搬送方向Ａ１の上流側に向けて気体を吹き出し、基板Ｗに付着している液体を基板Ｗの隅に向けて吹き飛ばすように設けられている。なお、気体吹出部５１の吹出口５１ａと搬送中の基板Ｗの上面との鉛直離間距離（ギャップ）は数ｍｍ（例えば３ｍｍ）程度である。
ここで、図４に示すように、乾燥処理室２３内の各シャフト３１ｂのうち、搬送路Ｈ１の下方の気体吹出部５１と交差する位置に存在する３つのシャフト３１ｂは、搬送路Ｈ１の下方の気体吹出部５１により吹き出された気体を妨げないように気体吹出部５１に対向する位置において分断されている（あるいは短く形成されていることがある）。分断されたシャフト３１ｂの一端部は、支持部材（図示せず）により回転可能に支持されている。このような支持部材は、乾燥処理室２３の底面に設けられている。なお、ローラ３１ａが片側のみに設けられている搬送ローラ３１Ａに対しては、押えローラ３１Ｂは設けられていない。押えローラ３１Ｂにおいて片側のみにローラ（上乗せローラ）３１ｃを設けると、ローラ３１ｃが設けられている側と設けられていない側とで基板Ｗの搬送速度に差が出てしまい、基板Ｗを正確に搬送方向Ａ１に沿ってまっすぐ搬送できなくなる。これによって基板Ｗの先端（基板Ｗの下流側の端部）に割れが発生してしまうことがあるため、ローラ３１ａが搬送ローラ３１Ａの片側のみに設けられている場合には、ローラ３１ｃ、つまり押えローラ３１Ｂを設けないようにする。
図１に戻り、制御部６０は、各部を集中的に制御するマイクロコンピュータと、基板処理に関する基板処理情報や各種プログラムなどを記憶する記憶部（いずれも図示せず）とを有している。この制御部６０は、基板処理情報や各種プログラムに基づき、搬送部３０や液供給部４０、乾燥部５０などの各部を制御する。
（基板処理工程）
次に、前述の基板処理装置１０が行う基板処理工程について説明する。
図１及び図２に示す基板処理装置１０では、搬送部３０の各搬送ローラ３１Ａ及び各押えローラ３１Ｂが同期して回転し、各搬送ローラ３１Ａ上の基板Ｗは搬送方向Ａ１に搬送されて搬送路Ｈ１に沿って移動し、矯正処理室２１、洗浄処理室２２及び乾燥処理室２３を通過する。
矯正処理室２１では、図１に示す反った基板Ｗが矯正処理室２１内に挿入されると、回転する各搬送ローラ３１Ａにより搬送方向Ａ１に搬送され、搬送路Ｈ１に沿って移動していく。組ごとの搬送ローラ３１Ａ及び押えローラ３１Ｂの離間距離が搬送方向Ａ１の下流側になるほど短くなっている。このため、基板Ｗの移動に応じ、各搬送ローラ３１Ａ上の反った基板Ｗの下流側（先端側）の上面が各押えローラ３１Ｂに順次接触していくと、基板Ｗは各押えローラ３１Ｂによって徐々に押えられていく。このとき、基板Ｗの反り状態が、図１に示すように、基板Ｗの下流側の端部及び上流側（後端側）の端部が上方に向かって反っている状態である場合、基板Ｗの下流側の上面が各押えローラ３１Ｂにより徐々に押えられていくと、基板Ｗの上流側の上面も各押えローラ３１Ｂに近づいて当接するため、各押えローラ３１Ｂによって押えられる（図１参照）。反った基板Ｗが搬送路Ｈ１に沿って移動していくと、基板Ｗの下流側から徐々に平らな状態に矯正され、矯正された基板Ｗは、その後、それぞれの離間距離が一定とされる、組ごとの搬送ローラ３１Ａと押えローラ３１Ｂとにより挟持され、そのまま平らな状態で次の洗浄処理室２２に搬送されていく。なお、反っていない基板Ｗは、矯正の必要が無く、最初から平らな状態で次の洗浄処理室２２に搬送されていく。
洗浄処理室２２では、搬送路Ｈ１の途中に位置する液供給領域（処理領域）に対して、洗浄液が各液噴射部４１により搬送路Ｈ１の上下から予め供給されている。この液供給状態において、基板Ｗが平らな状態で搬送されて液供給領域を通過すると、基板Ｗの上面及び下面の両面に洗浄液が供給され、基板Ｗの両面が洗浄液によって洗浄される。基板Ｗの両面から落下した洗浄液は、処理室２０の底面を流れて排出口から排出される。
乾燥処理室２３では、搬送路Ｈ１の途中に位置する気体供給領域（処理領域）に対して、乾燥用の気体が各気体吹出部５１により搬送路Ｈ１の上下から予め供給されている。この気体供給状態において、基板Ｗが平らな状態で搬送されて搬送路Ｈ１途中の気体供給領域を通過すると、基板Ｗの上面及び下面の両面に付着している処理液が気体の吹き付けによって基板Ｗの両面から吹き飛ばされ、基板Ｗの両面が乾燥していく。このとき、基板Ｗの両面に付着している液体は、気体の吹き付けによって基板Ｗの両面の右上の隅から左下の隅（図４参照）に向かって移動するため、基板Ｗの両面はそれぞれ右上の隅から左下の隅へ順次乾燥していく。基板Ｗの両面から吹き飛ばされた処理液は、処理室２０の底面を流れて排出口から排出される。
このような基板処理工程では、反った基板Ｗが矯正処理室２１内で搬送路Ｈ１に沿って移動していくと、その基板Ｗは各押えローラ３１Ｂにより押え込まれ、基板Ｗの下流側から徐々に平らな状態になっていく、つまり、基板Ｗは各押えローラ３１Ｂによって平らな状態に矯正され、そのまま平らな状態で液供給領域や気体供給領域を通過する。この平らな状態の基板Ｗに対して洗浄処理や乾燥処理が行われる。これにより、基板Ｗの上面及び下面の両面に処理液や乾燥用の気体を均一に供給することが可能となるので、基板Ｗの両面を均一に処理することができる。したがって、基板Ｗに対する洗浄処理や乾燥処理の均一性を向上させ、基板Ｗでの洗浄ムラや乾燥ムラの発生を抑えることが可能となるので、基板品質を向上させることができる。
なお、組ごとの搬送ローラ３１Ａ及び押えローラ３１Ｂの離間距離が、搬送路Ｈ１の全領域で、基板Ｗの厚さ以下の基板搬送可能な所定距離で一定になっている場合には、反った基板Ｗを矯正処理室２１内に挿入すると、その反った基板Ｗを各押えローラ３１Ｂにより無理やり押え込んで平らな状態にするため、基板Ｗが割れたりして損傷することがある。一方、第１の実施形態では、組ごとの搬送ローラ３１Ａ及び押えローラ３１Ｂの離間距離が搬送方向Ａ１の下流側になるほど短くなっている。これにより、反った基板Ｗは各押えローラ３１Ｂにより徐々に（反り量が徐々に減るように）押えられていくので、反った基板Ｗを各押えローラ３１Ｂにより無理やり（反り量が急激に減るように）押え込んで基板Ｗの反りを抑制する場合に比べ、基板Ｗの損傷を抑えることができる。
以上説明したように、第１の実施形態によれば、組ごとの搬送ローラ３１Ａ及び押えローラ３１Ｂの離間距離（例えば、鉛直離間距離）が搬送方向Ａ１に沿って短くなっている。これにより、反った基板Ｗを損傷させずに基板Ｗの反りを抑えることが可能になるので、基板Ｗに対する処理の均一性を向上させることができる。したがって、基板Ｗでの処理ムラ（例えば、洗浄ムラや乾燥ムラ）の発生を抑え、基板品質を向上させることができる。
＜第２の実施形態＞
第２の実施形態について図５を参照して説明する。なお、第２の実施形態では、第１の実施形態との相違点（乾燥処理室２３における搬送ローラ３１Ａ及び押えローラ３１Ｂの離間距離）について説明し、その他の説明は省略する。
（基本構成）
図５に示すように、第２の実施形態に係る乾燥処理室２３では、組ごとの搬送ローラ３１Ａ及び押えローラ３１Ｂの離間距離（例えば、鉛直離間距離）は、搬送方向Ａ１に沿って徐々に短くなっており、搬送路Ｈ１の途中で基板Ｗの厚さ以下の基板搬送可能な所定距離で一定になっている。なお、乾燥処理室２３内において、搬送方向Ａ１の最上流（上流端）に位置する一組の搬送ローラ３１Ａ及び押えローラ３１Ｂの離間距離は、基板Ｗの反り量よりも長くなっている。
ここで、乾燥処理室２３の上流に位置する洗浄処理室２２において、液噴射部４１の液噴射や設置の邪魔にならないよう、液噴射部４１が設けられる箇所の押えローラ３１Ｂを数個所省くことがある。この場合、その数個所で基板Ｗが下側の搬送ローラ３１Ａから浮くため、洗浄処理室２２の出口において基板Ｗの下流側の端部が浮き上がることがあり、洗浄処理室２２から乾燥処理室２３への連続搬送が難しくなる。この連続搬送を容易にし、平らな状態の基板Ｗに対する乾燥処理を実現するため、前述のように、乾燥処理室２３内において、搬送方向Ａ１の最上流に位置する一組の搬送ローラ３１Ａ及び押えローラ３１Ｂの離間距離が、基板Ｗの反り量よりも長くなっており、組ごとの搬送ローラ３１Ａ及び押えローラ３１Ｂの離間距離が搬送方向Ａ１の下流側になるほど短くなっている。
図５に示すように、反った基板Ｗが乾燥処理室２３内に進入すると、第１の実施形態と同様、搬送路Ｈ１に沿って移動し、その基板Ｗは各押えローラ３１Ｂにより押え込まれ、下流側から徐々に平らな状態になっていき、そのまま平らな状態で気体供給領域を通過する。この平らな状態の基板Ｗに対して乾燥処理が行われる。これにより、基板Ｗの上面及び下面の両面に乾燥用の気体を均一に供給することが可能となるので、基板Ｗの両面を均一に乾燥させることができる。したがって、基板Ｗに対する乾燥処理の均一性を向上させ、基板Ｗでの乾燥ムラの発生を抑えることが可能になるので、基板品質を向上させることができる。また、反った基板Ｗは各押えローラ３１Ｂにより徐々に（反り量が徐々に減るように）押えられていくので、反った基板Ｗを各押えローラ３１Ｂにより無理やり（反り量が急激に減るように）押え込んで基板Ｗの反りを抑制する場合に比べ、基板Ｗの損傷を抑えることができる。
なお、乾燥処理室２３内における搬送方向Ａ１の最上流に位置する一組の搬送ローラ３１Ａ及び押えローラ３１Ｂの離間距離を、矯正処理室２１における搬送方向Ａ１の最上流に位置する一組の搬送ローラ３１Ａ及び押えローラ３１Ｂの離間距離よりも短く設定することができる。これは、乾燥処理室２３に搬入される基板Ｗは矯正処理室２１、洗浄処理室２２を通過してきており、ある程度反りが矯正されている状態となっているからである。
また、本実施形態においては乾燥処理室２３内の最上流に位置する搬送ローラ３１Ａ及び押えローラ３１Ｂの離間距離について説明したが、搬送方向Ａ１に並ぶ隣り合う２つの搬送ローラ３１Ａ間の距離が長くなる箇所においても本実施形態を適用することができる。つまり、隣り合う２つの搬送ローラ３１Ａ間の距離が、その他の搬送ローラ３１Ａ間の距離よりも長い場合には、矯正されていた基板Ｗの反りが多少戻ってしまうことがある。このような箇所においても再度搬送ローラ３１Ａと押えローラ３１Ｂとの離間距離を徐々に縮める構成を採用することで、反った基板Ｗの損傷を抑えつつ基板Ｗの反りを矯正することが可能になる。
以上説明したように、第２の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果を得ることが可能である。すなわち、反った基板Ｗを損傷させずに基板Ｗの反りを抑えることが可能になるので、基板Ｗに対する処理の均一性を向上させることができる。したがって、基板Ｗでの処理ムラ（例えば、洗浄ムラや乾燥ムラ）の発生を抑えることが可能となり、基板品質を向上させることができる。
＜第３の実施形態＞
第３の実施形態について図６を参照して説明する。なお、本実施形態では、第１又は第２の実施形態との相違点（上乗せローラ３１ｃの外径）について説明し、その他の説明は省略する。なお、基板Ｗの搬送方向Ａ１に直交し、シャフト３１ｂ、３１ｄに平行な搬送ローラ３１Ａ、押えローラ３１Ｂの並びを列と呼ぶ。また、上記したように搬送ローラ３１Ａはローラ３１ａとシャフト３１ｂを有し、押えローラ３１Ｂは上乗せローラ３１ｃとシャフト３１ｄを有する。本実施形態では、ローラ３１ａの外径が搬送ローラ３１Ａの外径に相当し、上乗せローラ３１ｃの外径が押えローラ３１Ｂの外径に相当し、ローラ３１ａと上乗せローラ３１ｃの離間距離が、搬送ローラ３１Ａと押えローラ３１Ｂの離間距離に相当する。
本実施形態は、組ごとの上乗せローラ３１ｃの外径が、搬送方向Ａ１に沿って大きくなることによって、組ごとのローラ３１ａ及び上乗せローラ３１ｃの離間距離が、搬送方向Ａ１に沿って短くなる部分を有する。つまり、本実施形態は、搬送ローラ３１Ａのシャフト３１ｂと押えローラ３１Ｂのシャフト３１ｄとの離間距離を一定としつつ、搬送方向Ａ１に沿って、上乗せローラ３１ｃの外径を徐々に大きくしている。これにより、本実施形態は、上乗せローラ３１ｃとローラ３１ａの離間距離が徐々に小さくなる部分を有している。ここでいう外径は、円柱形の上乗せローラ３１ｃの軸に直交する断面の直径である。
例えば、最初に基板Ｗと接触する列の上乗せローラ３１ｃの外径が最も小さく、この上乗せローラ３１ｃから数列の上乗せローラ３１ｃの外径が、搬送方向Ａ１に沿って順に大きくなり、最大の外径となった上乗せローラ３１ｃ以降は、外径が一定となっている。これにより、上乗せローラ３１ｃとローラ３１ａとの離間距離は、最小の外径の上乗せローラ３１ｃとローラ３１ａとの間で最長となっている。最長となる上乗せローラ３１ｃとローラ３１ａとの離間距離は、基板Ｗの反り量よりも長くすることが好ましい。
さらに、上乗せローラ３１ｃとローラ３１ａとの離間距離は、搬送方向Ａ１に沿って徐々に短くなり、最大の外径の上乗せローラ３１ｃとローラ３１ａとの間で最短となり、そこから一定となっている。一定となった離間距離は、基板Ｗの厚さ以下の基板搬送可能な所定距離であることが好ましい。
図６の例では、搬送方向Ａ１の上流側から４列目のローラ３１ａから、最初に基板Ｗと接触する上乗せローラ３１ｃの列が開始している。この列を含む４列の上乗せローラ３１ｃの外径が、搬送方向Ａ１に沿って徐々に大きくなり、４列目の上乗せローラ３１ｃから一定の外径となっている。なお、搬送方向Ａ１の上流側から少なくとも２列の上乗せローラ３１ｃの外径が、徐々に大きくなっていればよいが、３列以上の上乗せローラ３１ｃの外径が徐々に大きくなっていることが、より好ましい。また、上載せローラ３１ｃが回転駆動される時、外径の異なる上載せローラ３１ｃが同じ周速で回転駆動されることが好ましく、ローラ３１ａと同じ周速であることが、より好ましい。
以上のような本実施形態においても、押えローラ３１Ｂにより、反った基板Ｗの両端を上から押え付け、基板Ｗを下側から支える搬送ローラ３１Ａと押えローラ３１Ｂを駆動させることで、反りを矯正して基板Ｗを搬送することができる。そして、押えローラ３１Ｂの上乗せローラ３１ｃの外径が、最初に反り基板Ｗと接触する列の上乗せローラ３１ｃから数列、搬送方向Ａ１に沿って順に大きくなっている。これにより、上乗せローラ３１ｃとローラ３１ａとの離間距離が、搬送方向Ａ１に沿って順に狭くなるので、急激な矯正による反り基板Ｗの破損リスクが低減される。
また、シャフト３１ｂとシャフト３１ｄとの間隔は、必ずしも一定とする必要はないが、間隔を一定とした場合には、間隔を変える場合に比べて、シャフト３１ｂ及びシャフト３１ｄの支持構成を簡素化できる。さらに、外径の異なる上乗せローラ３１ｃに交換することによって、上乗せローラ３１ｃとローラ３１ａの間隔の調整を容易に行うことができる。
なお、図７に示すように、押えローラ３１Ｂが、例えば上乗せローラ３１ｃの外周に設けた溝にＯリング３１ｅを有する構成の場合に、組ごとの押えローラ３１ＢにおけるＯリング３１ｅの外径が、搬送方向Ａ１に沿って大きくなることによって、組ごとの搬送ローラ３１Ａ及び押えローラ３１Ｂの離間距離が、搬送方向Ａ１に沿って短くなっている部分を有してもよい。この態様では、Ｏリング３１ｅの外径が押えローラ３１Ｂの外径に相当し、ローラ３１ａとＯリング３１ｅの離間距離が、搬送ローラ３１Ａと押えローラ３１Ｂの離間距離に相当する。
この態様は、上乗せローラ３１ｃの外径を一定としつつ、搬送方向Ａ１に沿って、Ｏリング３１ｅの外径を徐々に大きくすることで、搬送ローラ３１Ａと押えローラ３１Ｂとの離間距離が徐々に小さくなる部分を有している。ここでいう外径は、Ｏリング３１ｅの軸に直交する断面における外周円の直径である。なお、Ｏリング３１ｅの径方向の長さを厚さ、軸方向の長さを幅とすると、Ｏリング３１ｅの厚さが、搬送方向Ａ１に沿って徐々に大きくなっている。
このような態様によっても、押えローラ３１Ｂと搬送ローラ３１Ａとの間の離間距離が、搬送方向Ａ１に沿って順に狭くなるので、急激な矯正による反り基板Ｗの破損リスクが低減される。また、上乗せローラ３１ｃの外径を、必ずしも一定とする必要はないが、外径を一定とした場合には、外径の異なるＯリング３１ｅに交換するだけで、押えローラ３１Ｂと搬送ローラ３１Ａの間隔の調整も容易に行うことができ、コストも抑えることができる。
＜第４の実施形態＞
第４の実施形態について、図８から図１１を参照して説明する。なお、本実施形態では、第１乃至第３の実施形態との相違点（一対の上乗せローラ３１ｃの距離）について説明し、その他の説明は省略する。なお、本実施形態では、一対の上乗せローラ３１ｃの距離が、一対の押えローラ３１Ｂの距離に相当する。
本実施形態は、搬送方向Ａ１に直交する方向に配置された一対の上乗せローラ３１ｃの間の距離が、搬送方向Ａ１に沿って長くなっている部分を有する。本実施形態は、搬送方向Ａ１に直交する方向に対向する一対の上乗せローラ３１ｃ間の距離が、最初に反り基板Ｗと接触する上乗せローラ３１ｃ、つまり搬送方向Ａ１の最上流に位置する上乗せローラ３１ｃから、搬送方向Ａ１に沿って順に広くなっている。
例えば、最初に基板Ｗと接触する列の一対の上乗せローラ３１ｃの間隔が最も狭く、この上乗せローラ３１ｃから数列の上乗せローラ３１ｃの間隔が、搬送方向Ａ１に沿って順に広くなり、最大の広さとなった列の一対の上乗せローラ３１ｃ以降は、間隔が一定となっている。
図８の例では、最初に基板Ｗと接触する列を含む４列の一対の上乗せローラ３１ｃの間隔が、搬送方向Ａ１に沿って徐々に大きくなり、４列目の上乗せローラ３１ｃから一定の間隔となっている。少なくとも２列における一対の上乗せローラ３１ｃの間隔が、徐々に大きくなっていればよいが、３列以上の一対の上乗せローラ３１ｃの間隔が徐々に大きくなっていることが、より好ましい。また、図９（Ａ）に示すように、最も狭い一対の上乗せローラ３１ｃの間隔は、基板Ｗが反ることによって搬送方向Ａ１に直交する方向の幅が短くなっている場合にも、基板Ｗの上面の両端領域に接触する間隔であることが好ましい。さらに、図９（Ｂ）に示すように、一定となった一対の上乗せローラ３１ｃの間隔は、平坦となった基板Ｗの上面の両端領域に接触する間隔であることが好ましい。なお、本実施形態では、搬送ローラ３１Ａのシャフト３１ｂと押えローラ３１Ｂのシャフト３１ｄの間隔は、第１の実施形態、第２の実施形態のように、図９（Ａ）に示す位置から図９（Ｂ）に示す位置になるに従って狭くなっている。
以上のような本実施形態においても、押えローラ３１Ｂにより、反った基板Ｗの両端を上から押え付け、基板Ｗを下側から支える搬送ローラ３１Ａと押えローラ３１Ｂを駆動させることで、反りを矯正して基板Ｗを搬送することができる。そして、一対の上乗せローラ３１ｃの間隔が、最初に反り基板Ｗと接触する列の一対の上乗せローラ３１ｃから数列、搬送方向Ａ１に沿って順に広くなっている。これにより、反りによって幅が狭くなっている基板Ｗの端部を上乗せローラ３１ｃで押さえ付けて、反りを矯正して搬送を行うことができる。
つまり、図９（Ａ）に示すように、搬送方向Ａ１と直交する方向において、反りを有する基板Ｗの場合には、搬送方向Ａ１と直交する方向の幅が狭くなる。すると、反りを有しない基板Ｗの幅に合わせて、一対の上乗せローラ３１ｃの間隔が設定されていると（図９（Ｂ）参照）、上乗せローラ３１ｃが基板Ｗの端を押えることができない可能性がある。本実施形態では、最初に反り基板Ｗと接触する列の一対の上乗せローラ３１ｃの間隔が狭く、そこから数列、一対の上乗せローラ３１ｃの間隔が順に広くなることにより、反りのある基板Ｗの端を押えて、反りを矯正することができる。さらに、本実施形態と、上記の第１、第２又は第３の実施形態と組み合わせることで、搬送方向Ａ１及び搬送方向Ａ１と直交する方向の両方向に反りを有する基板Ｗを矯正することができる。
なお、図１０に示すように、押えローラ３１Ｂが、例えば上乗せローラ３１ｃの外周に設けた溝にＯリング３１ｅを有している構成であって、組ごとの上乗せローラ３１ｃにおけるＯリング３１ｅの幅が、搬送方向Ａ１に沿って大きくなる部分を有していてもよい。この態様では、最初に反りを有する基板Ｗと接触する列の上乗せローラ３１ｃから、数列の上乗せローラ３１ｃのＯリング３１ｅの幅が、搬送方向Ａ１に沿って順に大きくなっている。
図１０の例では、最初に基板Ｗに接触する上乗せローラ３１ｃから３列の押えローラ３１ＢのＯリング３１ｅの幅が小さく、４列目のＯリング３１ｅから幅が大きくなっている。少なくとも２列の上乗せローラ３１ｃのＯリング３１ｅの幅が、徐々に大きくなっていればよい。また、図１１（Ａ）に示すように、最も狭いＯリング３１ｅの幅は、基板Ｗが反ることによって搬送方向Ａ１に直交する方向の幅が短くなっている場合にも、基板Ｗの上面の両端領域に接触するが、基板Ｗ上に形成された回路等のパターンＰに接触しない幅であることが好ましい。さらに、図１１（Ｂ）に示すように、広くなったＯリング３１ｅの幅は、平坦となった基板Ｗの上面の両端領域に接触するが、パターンＰに接触しない幅であることが好ましい。なお、本態様でも、搬送ローラ３１Ａのシャフト３１ｂと押えローラ３１Ｂのシャフト３１ｄの間隔は、第１の実施形態、第２の実施形態のように、図１１（Ａ）に示す位置から図１１（Ｂ）に示す位置になるに従って狭くなっている。
このような態様によって、図１１（Ａ）に示すように、基板Ｗの反りにより、上面から見た際に、面積が狭くなっている反り基板Ｗ上のパターンＰ以外の非パターン形成部を、上乗せローラ３１ｃで押さえ付けることを可能としつつ、Ｏリング３１ｅと基板Ｗ上に形成されたパターンＰとが接触することを防止して、搬送を行うことができる。
＜第５の実施形態＞
第５の実施形態について図１２、図１３を参照して説明する。なお、第５の実施形態では、第１乃至４の実施形態との相違点（気体吹出部５１の近傍の上乗せローラ３１ｃの態様）について説明し、その他の説明は省略する。本実施形態でも、ローラ３１ａの外径が搬送ローラ３１Ａの外径に相当し、上乗せローラ３１ｃの外径が押えローラ３１Ｂの外径に相当し、ローラ３１ａと上乗せローラ３１ｃの離間距離が、搬送ローラ３１Ａと押えローラ３１Ｂの離間距離に相当し、気体吹出部５１と上乗せローラ３１ｃとの距離が、気体吹出部５１と押えローラ３１Ｂとの距離に相当する。
本実施形態は、図１２に示すように、乾燥部５０において、気体吹出部５１よりも搬送方向Ａ１の下流から、ローラ３１ａと上乗せローラ３１ｃの離間距離が、搬送方向Ａ１に沿って短くなっている部分を有する。例えば、気体吹出部５１よりも搬送方向Ａ１の下流で、気体吹出部５１に最も近い列の上乗せローラ３１ｃの外径が最も小さく、ローラ３１ａとの離間距離が最大となっている。最大となる離間距離は、基板Ｗの反り量よりも長くすることが好ましい。この最小の外径の上乗せローラ３１ｃから数列の上乗せローラ３１ｃとローラ３１ａとの離間距離が、搬送方向Ａ１に沿って徐々に短くなり、その後、一定となっている。一定となった離間距離は、基板Ｗの厚さ以下の基板搬送可能な所定距離であることが好ましい。
図１２の例では、気体吹出部５１に最も近い列の上乗せローラ３１ｃの外径が、他の上乗せローラ３１ｃよりも小さく、その下流の３列の上乗せローラ３１ｃとローラ３１ａとの距離が、搬送方向Ａ１に沿って徐々に小さくなり、気体吹出部５１に最も近い列から４列目の上乗せローラ３１ｃとローラ３１ａから、離間距離が一定となっている。少なくとも２列の上乗せローラ３１ｃとローラ３１ａとの離間距離が徐々に小さくなっていればよい。離間距離の調整は、上記の実施形態で示したように、押えローラ３１Ｂのシャフト３１ｄの位置を変えてもよいし、押えローラ３１Ｂの外径を変えてもよい。押えローラ３１Ｂの外径を変える場合には、上乗せローラ３１ｃの外径を変えてもよいし、Ｏリング３１ｅの外径を変えてもよい。
本実施形態では、気体吹出部５１の下流の上乗せローラ３１ｃとローラ３１ａとの離間距離が、搬送方向Ａ１に沿って順に狭くなっているため、急激な矯正による反り基板Ｗの破損リスクを低減して、搬送を行うことができる。また、前述の実施形態では、気体吹出部５１の近傍においては、気体吹出部５１が存在することにより、上乗せローラ３１ｃの搬送方向Ａ１の間隔が広くなっていた（図４、図５参照）。しかし、本実施形態では、気体吹出部５１に最も近い位置に外径の小さな上乗せローラ３１ｃを配置するとともに、この上乗せローラ３１ｃによって、反り量が大きくなった基板Ｗの反り部分を押し付けることを可能としている。さらに、気体吹出部５１と上乗せローラ３１ｃの距離を近づけつつ、上乗せローラ３１ｃによって基板Ｗの反り部分を押えることができるので、基板Ｗが気体吹出部５１に接触して破損することを防止できる。
なお、図１３に示すように、乾燥部５０において、上乗せローラ３１ｃとローラ３１ａとの離間距離を一定としつつ、気体吹出部５１に最も近い位置に、他の上乗せローラ３１ｃの外径よりも小さな外径の上乗せローラ３１ｃを配置してもよい。この場合にも、気体吹出部５１と上乗せローラ３１ｃの距離を近づけて、基板Ｗを押えることができるので、基板Ｗが気体吹出部５１に接触して破損することを防止できる。
＜他の実施形態＞
前述の説明においては、基板処理装置１０として、基板Ｗを洗浄処理する洗浄処理装置や基板Ｗを乾燥処理する乾燥処理装置を例示したが、これに限るものではなく、液晶基板や半導体基板、フォトマスクなどの製造のため、例えば、レジスト処理装置、露光処理装置、現像処理装置、エッチング処理装置、剥離処理装置を用いるようにしてもよい。処理液としては、各種の薬液を用いることが可能である。
また、前述の説明においては、基板Ｗを水平状態で搬送することを例示したが、これに限るものではなく、基板Ｗを傾けて傾斜状態で搬送するようにしてもよく、例えば、基板Ｗの幅方向の一端をその他端よりも高くして基板Ｗを傾けて搬送するようにしてもよい。
また、前述の説明においては、矯正処理と洗浄処理を異なる処理室で行うことを例示したが、これに限るものではなく、矯正処理と洗浄処理を同じ処理室で行うようにしてもよく、矯正処理後に洗浄処理を実行する。
また、前述の説明においては、基板Ｗの反り量を測定する測定部、各押えローラ３１Ｂを昇降させる移動機構を設け、測定部により測定した基板Ｗの反り量に応じて各組の搬送ローラ３１Ａ及び押えローラ３１Ｂの離間距離を調整するようにしてもよい。例えば、測定部により測定した基板Ｗの反り量が所定値よりも大きい場合には、それらの差に応じて移動機構により押えローラ３１Ｂを上昇させ、搬送方向Ａ１の最上流に位置する一組の搬送ローラ３１Ａ及び押えローラ３１Ｂの離間距離を、測定した基板Ｗの反り量よりも大きくし、それに合わせ、反った基板Ｗを各押えローラ３１Ｂにより徐々に押えるよう、他の組の搬送ローラ３１Ａ及び押えローラ３１Ｂの離間距離も調整する。逆に、測定部により測定した基板Ｗの反り量が所定値よりも小さい場合には、それらの差に応じて、搬送方向Ａ１の最上流に位置する一組の搬送ローラ３１Ａ及び押えローラ３１Ｂの離間距離を、測定した基板Ｗの反り量に近づけ（反り量以上という条件下で）、それに合わせ、反った基板Ｗを各押えローラ３１Ｂにより徐々に押えるよう、他の組の搬送ローラ３１Ａ及び押えローラ３１Ｂの離間距離も調整する。
また、前述の説明においては、各液噴射部４１からの洗浄液は各搬送ローラ３１Ａを避けるように吐出されるとしたが、これに限るものではなく、搬送ローラ３１Ａに洗浄液が供給されてもよい。
また、前述の説明においては、四方に反りがある基板Ｗ（四方に反りを有する基板Ｗ）を対象に説明したが、これに限るものではなく、例えば矩形のいずれか二辺、三辺に反りがあるものであっても本発明は適用可能である。
また、押えローラ３１Ｂにベルトを掛けまわし、ローラコンベアのようにしてもよい。このような構成を採用することにより、押えローラ３１Ｂのみを使用する場合と比較して基板Ｗの反りに対して接触する面積が増えるため、より基板Ｗに損傷を与えることを抑えつつ基板Ｗの反りを矯正することが可能になる。
搬送ローラ３１Ａと押えローラ３１Ｂとの離間距離について、前述の説明においては、１列ずつ徐々に小さくなっていたが、同じ離間距離のものが２列以上並んだ組が含まれた状態で、徐々に小さくなっていくように構成してもよい。
以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
１０ 基板処理装置
３０ 搬送部（基板搬送装置）
３１Ａ 搬送ローラ
３１Ｂ 押えローラ
３１ａ ローラ
３１ｂ、３１ｄ シャフト
３１ｃ 上乗せローラ
３１ｅ Ｏリング
４０ 液供給部
５０ 乾燥部
６０ 制御部
Ａ１ 搬送方向
Ｈ１ 搬送路
Ｗ 基板

Claims (7)

  1. 反りを有する基板の、凸面側を支持するとともに、前記基板を搬送する搬送ローラと、
    前記搬送ローラに対向して離間するように設けられ、前記搬送ローラにより搬送される前記基板を押える押えローラと、
    を備え、
    対向して離間する前記搬送ローラ及び前記押えローラは一組とされ、前記基板の搬送方向に沿って複数組並んでおり、
    組ごとの前記搬送ローラ及び前記押えローラの離間距離は、前記基板の搬送方向に沿って短くなっている部分を有し、
    前記搬送ローラは、前記搬送方向に直交する方向である前記基板の幅方向の両端と中央に対応してローラを有し、
    前記押えローラは、前記基板の搬送方向に直交する方向に離間して対で設けられる上乗せローラを備え、
    前記対で設けられる上乗せローラの離間距離は、前記短くなっている部分において前記搬送方向に沿って徐々に広くなっており、
    前記基板は、前記搬送方向に直交する方向において反りを有する基板であり、
    前記短くなっている部分の最上流に位置する前記上乗せローラの前記離間距離は、前記基板が前記押えローラに当接する前の反り状態における前記基板の、前記搬送方向に直交する方向の長さよりも短いことを特徴とする基板搬送装置。
  2. 前記基板の搬送方向の最上流に位置する一組の前記搬送ローラ及び前記押えローラの離間距離は、前記基板の反り量よりも長くなっている請求項１に記載の基板搬送装置。
  3. 前記上乗せローラは、その外周に設けられたＯリングを有し、
    前記組ごとの前記押えローラにおける前記Ｏリングの幅が、前記基板の搬送方向に沿って大きくなる部分を有する請求項１又は請求項２に記載の基板搬送装置。
  4. 請求項１又は請求項２に記載の基板搬送装置と、
    前記基板搬送装置により搬送される前記基板に処理液を供給する液供給部と、
    を備える基板処理装置。
  5. 請求項１又は請求項２に記載の基板搬送装置と、
    前記基板搬送装置により搬送される前記基板を乾燥させる乾燥部と、
    を備える基板処理装置。
  6. 前記乾燥部が設けられた乾燥処理室における前記基板の搬送方向の最上流に位置する一組の前記搬送ローラ及び前記押えローラの離間距離は、前記乾燥処理室内における複数組の前記搬送ローラ及び前記押えローラの離間距離の中で最も長いことを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
  7. 前記乾燥部が設けられた乾燥処理室における前記基板の搬送方向の最上流に位置する一組の前記搬送ローラ及び前記押えローラの離間距離は、前記基板搬送装置における前記基板の搬送方向の最上流に位置する一組の前記搬送ローラ及び前記押えローラの離間距離よりも短いことを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
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