CN112309933B - 基板搬送装置及基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种可提高基板品质的基板搬送装置及基板处理装置。作为实施方式的基板搬送装置的搬送部(30)包括：多个搬送辊(31A)，搬送具有翘曲的基板(W)；以及多个按压辊(31B)，以分别与多个搬送辊(31A)相向而分离的方式设置，且对由多个搬送辊(31A)搬送的基板(W)进行按压，相向而分离的搬送辊(31A)及按压辊(31B)设为一组，且沿着基板(W)的搬送方向(A1)排列有多组，各组的搬送辊(31A)与按压辊(31B)的分离距离沿着基板(W)的搬送方向(A1)而变短。

Description

基板搬送装置及基板处理装置
技术领域
本发明的实施方式涉及一种基板搬送装置及基板处理装置。
背景技术
在液晶显示装置或半导体元件等的制造步骤中，一直使用对玻璃基板或半导体基板等基板进行处理的基板处理装置。作为基板处理，例如有抗蚀剂涂布处理、抗蚀剂剥离处理、蚀刻处理、清洗处理、干燥处理。基板处理装置一面利用多个搬送辊搬送基板，一面对所述基板施加处理用的流体(例如，处理液或干燥用的气体)而对基板进行处理。
成为搬送对象的基板通常为平整的基板，但其中也有翘曲的基板(具有翘曲的基板)。例如，若将厚度薄至1mm左右的基板用作作为处理对象的基板，并在所述基板的上表面进行成膜，则基板有时因膜的应力而翘曲。若所述翘曲的基板在保持翘曲的状态下以上表面为上或下而由多个搬送辊搬送，则无法对基板的翘曲部分均匀地供给处理用的流体，故对基板的处理不均匀。因此，有时发生处理不均(例如，涂布不均或剥离不均、蚀刻不均、清洗不均、干燥不均)，而基板品质降低。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本专利特开平11-10096号公报
发明内容
[发明所要解决的问题]
本发明所要解决的问题为提供一种可提高基板品质的基板搬送装置及基板处理装置。
[解决问题的技术手段]
本发明实施方式的基板搬送装置包括：
多个搬送辊，搬送具有翘曲的基板；以及
多个按压辊，以分别与所述多个搬送辊相向而分离的方式设置，且对由所述多个搬送辊搬送的所述基板进行按压，
相向而分离的所述搬送辊及所述按压辊设为一组，且沿着所述基板的搬送方向排列有多组，
各组的所述搬送辊与所述按压辊的分离距离沿着所述基板的搬送方向而变短。
本发明实施方式的基板处理装置包括：
如上所述的实施方式的基板搬送装置；以及
液供给部，对由所述基板搬送装置搬送的所述基板供给处理液。
本发明实施方式的基板处理装置包括：
如上所述的实施方式的基板搬送装置；以及
干燥部，使由所述基板搬送装置搬送的所述基板干燥。
[发明的效果]
根据本发明的实施方式，可提高基板品质。
附图说明
图1是表示第一实施方式的基板处理装置的概略结构的一部分的第一图。
图2是表示第一实施方式的基板处理装置的概略结构的一部分的第二图。
图3是表示第一实施方式的基板处理装置的概略结构的一部分的第三图。
图4是表示第一实施方式的基板处理装置的概略结构的一部分的第四图。
图5是表示第二实施方式的基板处理装置的概略结构的一部分的图。
图6是表示第三实施方式的基板处理装置的概略结构的一部分的第一图。
图7是表示第三实施方式的基板处理装置的概略结构的一部分的第二图。
图8是表示第四实施方式的基板处理装置的概略结构的一部分的第一平面图。
图9的(A)是图8的箭视A-A'图、图9的(B)是箭视B-B'图。
图10是表示第四实施方式的基板处理装置的概略结构的一部分的第二平面图。
图11的(A)是图10的箭视A-A'图、图11的(B)是箭视B-B'图。
图12是表示第五实施方式的基板处理装置的概略结构的一部分的第一图。
图13是表示第五实施方式的基板处理装置的概略结构的一部分的第二图。
[符号的说明]
10：基板处理装置
20：处理室
21：矫正处理室
22：清洗处理室
23：干燥处理室
30：搬送部(基板搬送装置)
31A：搬送辊
31a：辊
31c：上置辊(辊)
31b、31d：轴
31e：O型环
31B：按压辊
40：液供给部
41：液喷射部
50：干燥部
51：气体吹出部
51a：吹出口
60：控制部
a：铅垂分离距离
A1：搬送方向
H1：搬送路径
P：图案
W：基板
具体实施方式
＜第一实施方式＞
参照图1至图4对第一实施方式进行说明。
(基本结构)
如图1及图2所示，第一实施方式的基板处理装置10包括处理室20、搬送部(基板搬送装置)30、液供给部40、干燥部50、以及控制部60。作为处理对象的基板W例如使用玻璃基板等矩形形状的薄型基板。例如，基板W的厚度为0.5mm～1.1mm左右，基板W的翘曲量为7mm～10mm左右。翘曲处于矩形形状基板的四周。
处理室20具有矫正处理室21、清洗处理室22、以及干燥处理室23。所述矫正处理室21、清洗处理室22及干燥处理室23分别为在内部具有搬送基板W的搬送路径H1的框体，且形成为基板W能够沿着搬送路径H1通过内部。矫正处理室21、清洗处理室22及干燥处理室23分别作为用以对在搬送路径H1上移动的基板W进行处理的室而发挥功能。在清洗处理室22、干燥处理室23的各自的底面分别形成有用于排出液的排出口(未图示)。
搬送部30具有多个搬送辊31A以及多个按压辊31B。所述搬送部30遍及处理室20内即矫正处理室21、清洗处理室22及干燥处理室23的全体内部(以下，适宜称为处理室20内)而设置，在由各按压辊31B按压基板W的上表面的同时，由各搬送辊31A搬送基板W。
各搬送辊31A沿着基板W的搬送方向A1(以下，称为搬送方向A1)以规定间隔排列于搬送路径H1的下方。各按压辊31B分别以与各搬送辊31A隔着搬送路径H1分离而相向的方式定位于搬送路径H1的上方，且以与所述各搬送辊31A的规定间隔相同的规定间隔沿着搬送方向A1排列。所述搬送辊31A及按压辊31B设置为能够在处理室20内旋转，且构成为通过驱动源(未图示)而彼此同步旋转。搬送辊31A顺时针旋转，按压辊31B逆时针旋转。本实施方式中，如图1、图2所示，各搬送辊31A形成沿着搬送方向A1的水平的搬送路径H1。
此处，在铅垂方向上分离而隔着搬送路径H1相向的一组搬送辊31A及按压辊31B以沿搬送方向A1排列多组的方式设置。矫正处理室21内的各组的辊间的分离距离、即各组的搬送辊31A与按压辊31B的分离距离(例如铅垂分离距离，更具体而言，如图1中由a所表示，后述各组的辊31a与辊31c之间的铅垂分离距离)沿着搬送方向A1而逐渐变短，在矫正处理室21内的搬送路径H1的中途变为固定，保持此状态而在清洗处理室22及干燥处理室23中也成为固定。此处，所谓固定的距离，例如是指基板W的厚度以下的能够搬送基板的规定距离。此外，位于搬送方向A1的最上游(上游端)的一组搬送辊31A与按压辊31B的分离距离比基板W的翘曲量(载置有基板W的平面与载置于所述平面的基板W的上表面之间的最大铅垂分离距离)长。
如图3所示，各搬送辊31A分别具有三个辊31a以及一根轴(shaft)31b。三个辊31a呈圆形并具有相同的直径，且是例如以橡胶或树脂为原材料的辊，三个辊31a独立地安装于一根轴31b的两端及中央，且分别作为与所搬送的基板W的下表面接触而支撑基板W的辊发挥功能。轴31b形成得比基板W的宽度(与搬送方向A1在水平面内正交的方向上的宽度)长，且设置为能够在处理室20内旋转。若轴31b旋转，则安装于所述轴31b的各辊31a以轴31b为旋转轴进行旋转。
如图3所示，各按压辊31B分别具有呈圆形并具有相同的直径的两个辊(上置辊)31c、以及两根轴31d。两个辊31c是例如以橡胶或树脂为原材料的辊，且设置为能够独立地自上方按压各搬送辊31A上的基板W的上表面的两端区域(基板W的宽度方向的两端区域)。这些辊31c分别安装于两根轴31d，且分别作为与所搬送的基板W的上表面接触而按压基板W的辊发挥功能。两个辊31c分别以与位于搬送辊31A两端的两个辊31a的各自的外侧端部隔着搬送路径H1相向而分离的方式配置。两个轴31d被定位成使得两个辊31c独立地与基板W的上表面的两端区域接触的，且设置为能够在处理室20内旋转。若轴31d旋转，则安装于所述轴31d的辊31c以轴31d为旋转轴进行旋转。位于按压辊31B的两端的两个辊31c构成为彼此同步旋转。当对辊31a与辊31c进行旋转驱动时，两者均以相同的圆周速度被旋转驱动。另外，通过改变搬送辊31A的轴31b与按压辊31B的轴31d的分离距离，可将各组的搬送辊31A与按压辊31B的分离距离变为如上所述。
回到图2，液供给部40具有多个液喷射部41。所述液供给部40设置于清洗处理室22内，且自各液喷射部41喷射清洗液(处理液的一例)而供给至在搬送路径H1上移动的基板W。各液喷射部41以在不妨碍搬送部30对基板W的搬送的情况下隔着搬送路径H1分离而相向的方式，在搬送路径H1的上下各设置有七个。这些液喷射部41朝向搬送路径H1以喷淋状喷出清洗液。此外，位于搬送路径H1的下方的各液喷射部41以避开各搬送辊31A而对搬送路径H1喷出清洗液的方式配置。通过各液喷射部41朝向搬送路径H1喷射清洗液，对在所述搬送路径H1上移动的基板W的上表面及下表面此两面供给清洗液。作为液喷射部41，例如可使用具有多个贯通孔的喷淋管或包括多个喷淋头(shower nozzle)的管。
干燥部50具有多个气体吹出部51。所述干燥部50设置于干燥处理室23内，且自各气体吹出部51吹出干燥用的气体(例如，空气或者氮气)而供给至在搬送路径H1上移动的基板W。各气体吹出部51以在不妨碍搬送部30对基板W的搬送的情况下隔着搬送路径H1分离而相向的方式在搬送路径H1的上下各设置有一个。这些气体吹出部51朝向通过搬送路径H1的基板W以高压吹出气体，并吹散附着于基板W的清洗液而使基板W的上表面及下表面此两面干燥。
如图4所示，各气体吹出部51分别具有比基板W的宽度长的狭缝状的吹出口(长条的吹出口)51a。这些气体吹出部51分别以如下方式设置：长边方向相对于搬送方向A1在水平面内倾斜，自吹出口51a朝向搬送方向A1的上游侧吹出气体，并将附着于基板W的液体朝向基板W的角部吹散。此外，气体吹出部51的吹出口51a与搬送过程中的基板W的上表面的铅垂分离距离(间隙)为数mm(例如3mm)左右。
此处，如图4所示，干燥处理室23内的各轴31b中，存在于与搬送路径H1的下方的气体吹出部51交叉的位置的三个轴31b以不妨碍由搬送路径H1的下方的气体吹出部51吹出的气体的方式在与气体吹出部51相向的位置被分割(或者有时形成得短)。经分割的轴31b的一端部利用支撑构件(未图示)能够旋转地受到支撑。此种支撑构件设置于干燥处理室23的底面。此外，相对于仅在单侧设置有辊31a的搬送辊31A，未设置按压辊31B。若在按压辊31B中仅在单侧设置辊(上置辊)31c，则在设置有辊31c的一侧与未设置辊31c的一侧，基板W的搬送速度出现差别，而无法将基板W准确地沿着搬送方向A1笔直地搬送。因此，有时在基板W的前端(基板W的下游侧的端部)发生破裂，故当仅在搬送辊31A的单侧设置有辊31a时，不设置辊31c即按压辊31B。
回到图1，控制部60具有集中控制各部的微计算机、以及存储与基板处理相关的基板处理信息或各种程序等的存储部(均未图示)。所述控制部60基于基板处理信息或各种程序来控制搬送部30、或液供给部40、干燥部50等各部。
(基板处理步骤)
接着，对如上所述的基板处理装置10所进行的基板处理步骤进行说明。
如图1及图2所示的基板处理装置10中，搬送部30的各搬送辊31A及各按压辊31B同步旋转，各搬送辊31A上的基板W在搬送方向A1上进行搬送且沿着搬送路径H1移动，并通过矫正处理室21、清洗处理室22及干燥处理室23。
在矫正处理室21中，若图1所示的翘曲的基板W插入至矫正处理室21内，则由旋转的各搬送辊31A在搬送方向A1上进行搬送，且沿着搬送路径H1移动。各组的搬送辊31A与按压辊31B的分离距离越靠近搬送方向A1的下游侧则越短。因此，若与基板W的移动相应地，各搬送辊31A上的翘曲的基板W的下游侧(前端侧)的上表面依次与各按压辊31B接触，则基板W由各按压辊31B逐渐按压。此时，在基板W的翘曲状态为如图1所示基板W的下游侧的端部及上游侧(后端侧)的端部朝向上方而翘曲的状态的情况下，若基板W的下游侧的上表面由各按压辊31B逐渐按压，则基板W的上游侧的上表面也接近并抵接于各按压辊31B，故由各按压辊31B按压(参照图1)。若翘曲的基板W沿着搬送路径H1移动，则自基板W的下游侧起逐渐被矫正为平整状态，经矫正的基板W随后由各组各自的分离距离固定的搬送辊31A与按压辊31B夹持，并直接以平整状态搬送至之后的清洗处理室22。此外，未翘曲的基板W无需矫正而自最初起以平整状态搬送至之后的清洗处理室22。
清洗处理室22中，相对于位于搬送路径H1中途的液供给区域(处理区域)，由各液喷射部41自搬送路径H1的上下预先供给清洗液。在此种液供给状态下，若基板W以平整状态进行搬送并通过液供给区域，则对基板W的上表面及下表面此两面供给清洗液，并利用清洗液对基板W的两面进行清洗。自基板W的两面落下的清洗液流经处理室20的底面而自排出口排出。
干燥处理室23中，相对于位于搬送路径H1中途的气体供给区域(处理区域)，由各气体吹出部51自搬送路径H1的上下预先供给干燥用的气体。在此种气体供给状态下，若基板W以平整状态进行搬送并通过搬送路径H1中途的气体供给区域，则附着于基板W的上表面及下表面此两面的处理液通过气体的吹附而自基板W的两面吹散，从而基板W的两面逐渐干燥。此时，附着于基板W的两面的液体通过气体的吹附而自基板W的两面的右上角部朝左下角部(参照图4)移动，故基板W的两面分别自右上角部朝左下角部依次干燥。自基板W的两面吹散的处理液流经处理室20的底面而自排出口排出。
此种基板处理步骤中，若翘曲的基板W在矫正处理室21内沿着搬送路径H1移动，则所述基板W由各按压辊31B压下，自基板W的下游侧起逐渐成为平整状态，即，基板W由各按压辊31B矫正为平整状态，并直接以平整状态通过液供给区域、气体供给区域。对所述平整状态下的基板W进行清洗处理、干燥处理。由此，能够对基板W的上表面及下表面此两面均匀地供给处理液、干燥用的气体，故可均匀地对基板W的两面进行处理。因此，能够提高对基板W的清洗处理、干燥处理的均匀性，且抑制基板W上的清洗不均、干燥不均的发生，故可提高基板品质。
此外，当各组的搬送辊31A与按压辊31B的分离距离在搬送路径H1的整个区域中固定为能够搬送基板W的厚度以下的基板的规定距离时，若将翘曲的基板W插入至矫正处理室21内，则由按压辊31B将所述翘曲的基板W强行压下而成为平整状态，故有时基板W发生破裂或受损。另一方面，在第一实施方式中，各组的搬送辊31A与按压辊31B的分离距离越靠近搬送方向A1的下游侧则越短。由此，翘曲的基板W由各按压辊31B逐渐(以翘曲量逐渐减少的方式)按压，故与由各按压辊31B强行(以翘曲量急剧减少的方式)压下翘曲的基板W来抑制基板W的翘曲的情况相比，可抑制基板W的损伤。
如以上所说明，根据第一实施方式，各组的搬送辊31A与按压辊31B的分离距离(例如，铅垂分离距离)沿着搬送方向A1而变短。由此，能够在不使翘曲的基板W受损的情况下抑制基板W的翘曲，故可提高对基板W的处理的均匀性。因此，可抑制基板W上的处理不均(例如，清洗不均或干燥不均)的发生，提高基板品质。
＜第二实施方式＞
参照图5对第二实施方式进行说明。此外，第二实施方式中，对与第一实施方式的不同点(干燥处理室23中的搬送辊31A与按压辊31B的分离距离)进行说明，而省略其他说明。
(基本结构)
如图5所示，第二实施方式的干燥处理室23中，各组的搬送辊31A与按压辊31B的分离距离(例如，铅垂分离距离)沿着搬送方向A1而逐渐变短，在搬送路径H1的中途固定为能够搬送基板W的厚度以下的基板的规定距离。此外，在干燥处理室23内，位于搬送方向A1的最上游(上游端)的一组搬送辊31A与按压辊31B的分离距离比基板W的翘曲量长。
此处，在位于干燥处理室23的上游的清洗处理室22中，有时会省略几处设置有液喷射部41的部位处的按压辊31B，以便不妨碍液喷射部41的液喷射或设置。在所述情况下，由于在所述几处，基板W自下侧的搬送辊31A浮起，因此有时在清洗处理室22的出口处基板W的下游侧的端部上浮，难以自清洗处理室22朝干燥处理室23进行连续搬送。为了容易进行所述连续搬送，实现对平整状态下的基板W的干燥处理，如上所述，在干燥处理室23内，位于搬送方向A1的最上游的一组搬送辊31A与按压辊31B的分离距离比基板W的翘曲量长，各组的搬送辊31A与按压辊31B的分离距离越靠近搬送方向A1的下游侧则越短。
如图5所示，若翘曲的基板W进入干燥处理室23内，则与第一实施方式同样地沿着搬送路径H1移动，所述基板W由各按压辊31B压下，而自下游侧起逐渐成为平整状态，并直接以平整状态通过气体供给区域。对所述平整状态下的基板W进行干燥处理。由此，能够对基板W的上表面及下表面此两面均匀地供给干燥用的气体，故可均匀地使基板W的两面干燥。因此，能够提高对基板W的干燥处理的均匀性，且抑制基板W上的干燥不均的发生，故可提高基板品质。另外，翘曲的基板W由各按压辊31B逐渐(以翘曲量逐渐减少的方式)按压，故与由各按压辊31B强行(以翘曲量急剧减少的方式)压下翘曲的基板W来抑制基板W的翘曲的情况相比，可抑制基板W的损伤。
此外，可将干燥处理室23内位于搬送方向A1的最上游的一组搬送辊31A与按压辊31B的分离距离设定得比矫正处理室21中位于搬送方向A1的最上游的一组搬送辊31A与按压辊31B的分离距离短。其原因在于，搬入至干燥处理室23的基板W通过了矫正处理室21、清洗处理室22，而成为某种程度上翘曲得以矫正的状态。
另外，本实施方式中，对干燥处理室23内位于最上游的搬送辊31A与按压辊31B的分离距离进行了说明，但在搬送方向A1上排列且相邻的两个搬送辊31A之间的距离变长的部位，也可应用本实施方式。即，在相邻的两个搬送辊31A之间的距离比其他的搬送辊31A之间的距离长的情况下，有时经矫正的基板W的翘曲会稍微恢复。通过在此种部位也采用再次将搬送辊31A与按压辊31B的分离距离逐渐缩小的结构，能够抑制翘曲的基板W的损伤并且矫正基板W的翘曲。
如以上所说明，根据第二实施方式，能够获得与第一实施方式同样的效果。即，能够在不使翘曲的基板W受损的情况下抑制基板W的翘曲，故可提高对基板W的处理的均匀性。因此，能够抑制基板W上的处理不均(例如，清洗不均或干燥不均)的发生，可提高基板品质。
＜第三实施方式＞
参照图6对第三实施方式进行说明。此外，在本实施方式中，对与第一实施方式或第二实施方式的不同点(上置辊31c的外径)进行说明，而省略其他说明。此外，将与基板W的搬送方向A1正交且与轴31b、轴31d平行的搬送辊31A、按压辊31B的排列称为列。另外，如上所述，搬送辊31A具有辊31a与轴31b，按压辊31B具有上置辊31c与轴31d。在本实施方式中，辊31a的外径相当于搬送辊31A的外径，上置辊31c的外径相当于按压辊31B的外径，辊31a与上置辊31c的分离距离相当于搬送辊31A与按压辊31B的分离距离。
本实施方式中，各组的上置辊31c的外径沿着搬送方向A1而变大，由此各组的辊31a与上置辊31c的分离距离具有沿着搬送方向A1而变短的部分。即，本实施方式中，将搬送辊31A的轴31b与按压辊31B的轴31d的分离距离设为固定，并且沿着搬送方向A1逐渐增大上置辊31c的外径。由此，本实施方式中，上置辊31c与辊31a的分离距离具有逐渐变小的部分。此处，所谓外径是圆柱形的上置辊31c的与轴正交的剖面的直径。
例如，最初与基板W接触之列的上置辊31c的外径最小，自所述上置辊31c起数列的上置辊31c的外径沿着搬送方向A1依次变大，在外径变得最大的上置辊31c以后，外径变为固定。由此，上置辊31c与辊31a的分离距离在外径最小的上置辊31c与辊31a之间最长。最长的上置辊31c与辊31a的分离距离优选为比基板W的翘曲量长。
进而，上置辊31c与辊31a的分离距离沿着搬送方向A1逐渐变短，在外径最大的上置辊31c与辊31a之间最短，自此之后变为固定。固定的分离距离优选为能够搬送基板W的厚度以下的基板的规定距离。
在图6的示例中，以自搬送方向A1的上游侧起的第四列的辊31a为起点，开始为最初与基板W接触的上置辊31c的列。包含所述列在内的四列的上置辊31c的外径沿着搬送方向A1而逐渐变大，自第四列的上置辊31c起变为固定的外径。此外，只要自搬送方向A1的上游侧起的至少两列的上置辊31c的外径逐渐变大即可，但更优选为三列以上的上置辊31c的外径逐渐变大。另外，当对上置辊31c进行旋转驱动时，优选外径不同的上置辊31c以相同的圆周速度被旋转驱动，更优选为与辊31a相同的圆周速度。
在以上的本实施方式中，也可通过利用按压辊31B自上方按住翘曲的基板W的两端，且使自下侧支承基板W的搬送辊31A及按压辊31B驱动，来矫正翘曲并搬送基板W。而且，按压辊31B的上置辊31c的外径在自最初与翘曲的基板W接触之列的上置辊31c起数列中沿着搬送方向A1依次变大。由此，上置辊31c与辊31a的分离距离沿着搬送方向A1依次变窄，因此可降低由急剧的矫正所引起的翘曲的基板W的破损风险。
另外，轴31b与轴31d的间隔未必需要设为固定，但在将间隔设为固定的情况下，与改变间隔的情况相比，可简化轴31b及轴31d的支撑结构。进而，通过更换为外径不同的上置辊31c，可容易地调整上置辊31c与辊31a的间隔。
此外，如图7所示，在按压辊31B为例如在上置辊31c的外周所设置的槽中具有O型环31e的结构的情况下，各组的按压辊31B的O型环31e的外径沿着搬送方向A1而变大，由此，各组的搬送辊31A与按压辊31B的分离距离也可具有沿着搬送方向A1而变短的部分。在所述实施例中，O型环31e的外径相当于按压辊31B的外径，辊31a与O型环31e的分离距离相当于搬送辊31A与按压辊31B的分离距离。
所述实施例中，通过将上置辊31c的外径设为固定，并且沿着搬送方向A1逐渐增大O型环31e的外径，搬送辊31A与按压辊31B的分离距离具有逐渐变小的部分。此处，所谓外径是O型环31e的与轴正交的剖面的外周圆的直径。此外，若将O型环31e的径向上的长度设为厚度，将轴向上的长度设为宽度，则O型环31e的厚度沿着搬送方向A1而逐渐变大。
根据此种实施例，由于按压辊31B与搬送辊31A之间的分离距离沿着搬送方向A1依次变窄，故也可降低由急剧的矫正所引起的翘曲的基板W的破损风险。另外，未必需要将上置辊31c的外径设为固定，但在将外径设为固定的情况下，仅通过更换为外径不同的O型环31e，便可容易地调整按压辊31B与搬送辊31A的间隔，也可抑制成本。
＜第四实施方式＞
参照图8至图11的(A)及图11的(B)对第四实施方式进行说明。此外，在本实施方式中，对与第一实施方式至第三实施方式的不同点(一对上置辊31c的距离)进行说明，而省略其他说明。此外，在本实施方式中，一对上置辊31c的距离相当于一对按压辊31B的距离。
本实施方式中，配置于与搬送方向A1正交的方向的一对上置辊31c之间的距离具有沿着搬送方向A1而变长的部分。本实施方式中，在与搬送方向A1正交的方向上相向的一对上置辊31c之间的距离自最初与翘曲的基板W接触的上置辊31c、即位于搬送方向A1的最上游的上置辊31c起沿着搬送方向A1依次变宽。
例如，最初与基板W接触之列的一对上置辊31c的间隔最窄，自所述上置辊31c起数列的上置辊31c的间隔沿着搬送方向A1依次变宽，在宽度变得最大之列的一对上置辊31c以后，间隔变为固定。
在图8的示例中，包含最初与基板W接触之列在内的四列的一对上置辊31c的间隔沿着搬送方向A1逐渐变大，自第四列的上置辊31c起变为固定间隔。只要至少两列的一对上置辊31c的间隔逐渐变大即可，但更优选为三列以上的一对上置辊31c的间隔逐渐变大。另外，如图9的(A)所示，最窄的一对上置辊31c的间隔优选为如下间隔：在基板W因翘曲而与搬送方向A1正交的方向上的宽度变短的情况下，也与基板W的上表面的两端区域接触。进而，如图9的(B)所示，固定的一对上置辊31c的间隔优选为与变得平坦的基板W的上表面的两端区域接触的间隔。此外，在本实施方式中，搬送辊31A的轴31b与按压辊31B的轴31d的间隔如第一实施方式、第二实施方式所示，随着自图9的(A)所示的位置至图9的(B)所示的位置而变窄。
在以上的本实施方式中，也可通过利用按压辊31B自上方按住翘曲的基板W的两端，且使自下侧支承基板W的搬送辊31A及按压辊31B驱动，来矫正翘曲并搬送基板W。而且，一对上置辊31c的间隔在自最初与翘曲的基板W接触之列的一对上置辊31c起的数列中沿着搬送方向A1依次变宽。由此，可利用上置辊31c按住因翘曲而宽度变窄的基板W的端部，以矫正翘曲并进行搬送。
即，如图9的(A)所示，当为在与搬送方向A1正交的方向上具有翘曲的基板W时，与搬送方向A1正交的方向上的宽度变窄。于是，若根据不具有翘曲的基板W的宽度设定一对上置辊31c的间隔(参照图9的(B))，则有可能上置辊31c无法按压基板W的端部。在本实施方式中，最初与翘曲的基板W接触之列的一对上置辊31c的间隔窄，自此之后的数列中一对上置辊31c的间隔依次变宽，由此可按压具有翘曲的基板W的端部来矫正翘曲。进而，通过将本实施方式与所述第一实施方式、第二实施方式或第三实施方式加以组合，可矫正在搬送方向A1及与搬送方向A1正交的方向此两方向具有翘曲的基板W。
此外，如图10所示，按压辊31B也可为例如在上置辊31c的外周所设置的槽中具有O型环31e的结构且各组的上置辊31c的O型环31e的宽度具有沿着搬送方向A1而变大的部分。在此种实施例中，自最初与具有翘曲的基板W接触之列的上置辊31c起，数列的上置辊31c的O型环31e的宽度沿着搬送方向A1依次变大。
在图10的示例中，自最初与基板W接触的上置辊31c起，三列的按压辊31B的O型环31e的宽度小，自第四列的O型环31e起宽度变大。只要至少两列的上置辊31c的O型环31e的宽度逐渐变大即可。另外，如图11的(A)所示，最窄的O型环31e的宽度优选为如下宽度：在基板W因翘曲而与搬送方向A1正交的方向上的宽度变短的情况下，也与基板W的上表面的两端区域接触，但不与形成于基板W上的电路等的图案P接触。进而，如图11的(B)所示，变宽的O型环31e的宽度优选为与变得平坦的基板W的上表面的两端区域接触但不与图案P接触的宽度。此外，在本实施例中，搬送辊31A的轴31b与按压辊31B的轴31d的间隔也如第一实施方式、第二实施方式所示，随着自图11的(A)所示的位置至图11的(B)所示的位置而变窄。
根据此种实施例，如图11的(A)所示，能够利用上置辊31c按住因基板W的翘曲而自上表面观察时面积变窄的翘曲的基板W上的除图案P以外的非图案形成部，并且可防止O型环31e与形成于基板W上的图案P接触，并进行搬送。
＜第五实施方式＞
参照图12、图13对第五实施方式进行说明。此外，在第五实施方式中，对与第一实施方式至第四实施方式的不同点(气体吹出部51附近的上置辊31c的实施例)进行说明，而省略其他说明。在本实施方式中，辊31a的外径也相当于搬送辊31A的外径，上置辊31c的外径也相当于按压辊31B的外径，辊31a与上置辊31c的分离距离也相当于搬送辊31A与按压辊31B的分离距离，气体吹出部51与上置辊31c的距离相当于气体吹出部51与按压辊31B的距离。
本实施方式中，如图12所示，在干燥部50中，自比气体吹出部51更靠搬送方向A1的下游起，辊31a与上置辊31c的分离距离具有沿着搬送方向A1而变短的部分。例如，在比气体吹出部51更靠搬送方向A1的下游，最靠近气体吹出部51之列的上置辊31c的外径最小，且与辊31a的分离距离最大。最大的分离距离优选为比基板W的翘曲量长。自所述外径最小的上置辊31c起数列的上置辊31c与辊31a的分离距离沿着搬送方向A1逐渐变短，其后，变为固定。固定的分离距离优选为能够搬送基板W的厚度以下的基板的规定距离。
在图12的示例中，最靠近气体吹出部51之列的上置辊31c的外径比其他上置辊31c小，其下游的三列的上置辊31c与辊31a的距离沿着搬送方向A1逐渐变小，自最靠近气体吹出部51之列起的第四列的上置辊31c与辊31a开始，分离距离变为固定。只要至少两列的上置辊31c与辊31a的分离距离逐渐变小即可。如上述实施方式所示，分离距离的调整可改变按压辊31B的轴31d的位置，也可改变按压辊31B的外径。在改变按压辊31B的外径的情况下，可改变上置辊31c的外径，也可改变O型环31e的外径。
在本实施方式中，气体吹出部51的下游的上置辊31c与辊31a的分离距离沿着搬送方向A1依次变窄，故可降低由急剧的矫正所引起的翘曲的基板W的破损风险，并进行搬送。另外，在上述实施方式中，在气体吹出部51附近，因存在气体吹出部51，上置辊31c在搬送方向A1上的间隔变宽(参照图4、图5)。但是，在本实施方式中，在最靠近气体吹出部51的位置配置外径小的上置辊31c，并且能够通过所述上置辊31c按住翘曲量大的基板W的翘曲部分。进而，由于可使气体吹出部51与上置辊31c的距离接近，并且通过上置辊31c按压基板W的翘曲部分，故可防止基板W与气体吹出部51接触而破损。
此外，如图13所示，在干燥部50中，也可将上置辊31c与辊31a的分离距离设为固定，并且在最靠近气体吹出部51的位置配置外径小于其他上置辊31c的外径的上置辊31c。在此种情况下，也可使气体吹出部51与上置辊31c的距离接近并按压基板W，故可防止基板W与气体吹出部51接触而破损。
＜其他实施方式＞
在上述说明中，作为基板处理装置10，例示了对基板W进行清洗处理的清洗处理装置及对基板W进行干燥处理的干燥处理装置，但并不限定于此，为了制造液晶基板或半导体基板、光掩模等，例如也可使用抗蚀剂处理装置、曝光处理装置、显影处理装置、蚀刻处理装置、剥离处理装置。作为处理液，能够使用各种药液。
另外，在上述说明中，例示了以水平状态搬送基板W的情况，但并不限定于此，也可将基板W倾斜而以倾斜状态进行搬送，例如，也可使基板W的宽度方向的一端高于其他端部而将基板W倾斜来进行搬送。
另外，在上述说明中，例示了利用不同处理室进行矫正处理及清洗处理的情况，但并不限定于此，也可利用相同处理室进行矫正处理及清洗处理，在矫正处理后，执行清洗处理。
另外，在上述说明中，也可设置测定基板W的翘曲量的测定部、使各按压辊31B升降的移动机构，根据由测定部测定的基板W的翘曲量来调整各组的搬送辊31A与按压辊31B的分离距离。例如，在由测定部测定的基板W的翘曲量比规定值大的情况下，根据它们的差，利用移动机构使按压辊31B上升，使位于搬送方向A1的最上游的一组搬送辊31A与按压辊31B的分离距离比所测定的基板W的翘曲量大，与此相应地，也调整其他组的搬送辊31A与按压辊31B的分离距离，以便由各按压辊31B逐渐地按压翘曲的基板W。相反地，在由测定部测定的基板W的翘曲量小于规定值的情况下，根据它们的差，使位于搬送方向A1的最上游的一组搬送辊31A与按压辊31B的分离距离接近所测定的基板W的翘曲量(在为翘曲量以上的条件下)，与此相应地，也调整其他组的搬送辊31A与按压辊31B的分离距离，以便由各按压辊31B逐渐地按压翘曲的基板W。
另外，在上述说明中，设为自各液喷射部41将清洗液以避开各搬送辊31A的方式喷出，但并不限定于此，也可将清洗液供给至搬送辊31A。
另外，在上述说明中，以四周翘曲的基板W(四周具有翘曲的基板W)为对象进行了说明，但并不限定于此，例如即使为在矩形的任意两边、三边具有翘曲的基板也可应用本发明。
另外，也可将带(belt)缠绕于按压辊31B上来形成辊式输送机。通过采用此种结构，与仅使用按压辊31B的情况相比，与基板W的翘曲接触的面积增加，故能够进一步抑制对基板W造成损伤，并且矫正基板W的翘曲。
关于搬送辊31A与按压辊31B的分离距离，在上述说明中为逐列逐渐变小，但也可构成为在包含排列了两列以上相同分离距离的列而成的组的状态下，搬送辊31A与按压辊31B的分离距离逐渐变小。
以上，对本发明的若干实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为示例而提示，并不意图限定发明的范围。这些新颖的实施方式能够以其他各种实施例实施，可在不脱离发明的主旨的范围内进行各种省略、置换、变更。这些实施方式或其变形包含于发明的范围或主旨中，并且包含于权利要求中所记载的发明及其均等的范围中。

Claims (11)

1.一种基板搬送装置，其特征在于，包括：
多个搬送辊，搬送具有翘曲的基板；以及
多个按压辊，以分别与所述多个搬送辊相向而分离的方式设置，且对由所述多个搬送辊搬送的所述基板进行按压，
所述搬送辊在与所述基板的搬送方向正交的方向上，在与所述基板的两端部对应的部位以及与中央部对应的部位分别设置有辊，
相向而分离的所述搬送辊及所述按压辊设为一组，且沿着所述基板的搬送方向排列有多组，
各组的所述搬送辊与所述按压辊的分离距离具有沿着所述基板的搬送方向而变短的部分，
配置于与所述基板的搬送方向正交的方向的一对所述按压辊的距离具有沿着所述基板的搬送方向而变长的部分，
所述基板呈矩形形状，且在与所述基板的搬送方向正交的方向上具有向所述搬送辊侧突起的翘曲。
2.根据权利要求1所述的基板搬送装置，其中，位于所述基板的搬送方向的最上游的一组所述搬送辊与所述按压辊的分离距离比所述基板的翘曲量长。
3.根据权利要求1所述的基板搬送装置，其中，所述各组的所述按压辊的外径沿着所述基板的搬送方向而变大，由此所述各组的所述搬送辊与所述按压辊的分离距离具有沿着所述基板的搬送方向而变短的部分。
4.根据权利要求3所述的基板搬送装置，其中，所述按压辊具有上置辊、以及设置于所述上置辊的外周的O型环，
所述各组的所述按压辊中O型环的外径沿着所述基板的搬送方向而变大，由此各组的所述搬送辊与所述按压辊的分离距离具有沿着所述基板的搬送方向而变短的部分。
5.根据权利要求1所述的基板搬送装置，其中，所述按压辊具有上置辊、以及设置于所述上置辊的外周的O型环，
所述各组的所述按压辊中O型环的宽度具有沿着所述基板的搬送方向而变大的部分。
6.一种基板处理装置，其特征在于，包括：
如权利要求1至5中任一项所述的基板搬送装置；以及
液供给部，对由所述基板搬送装置搬送的所述基板供给处理液。
7.一种基板处理装置，其特征在于，包括：
如权利要求1至5中任一项所述的基板搬送装置；以及
具备干燥部的干燥处理室，使由所述基板搬送装置搬送的所述基板干燥。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，在所述基板搬送装置所具备的所述搬送辊以及所述按压辊的组中，所述干燥处理室中位于所述基板的搬送方向的最上游的一组所述搬送辊与所述按压辊的分离距离，在所述干燥处理室内的多组所述搬送辊与所述按压辊的分离距离中最长。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，所述干燥处理室中位于所述基板的搬送方向的最上游的一组所述搬送辊与所述按压辊的分离距离，比所述基板搬送装置中位于所述基板的搬送方向的最上游的一组所述搬送辊与所述按压辊的分离距离短。
10.根据权利要求7至9中任一项所述的基板处理装置，其中，所述干燥部具有气体吹出部，
在所述基板搬送装置所具备的所述搬送辊以及所述按压辊中，所述干燥处理室内的自比所述气体吹出部更靠所述基板的搬送方向的下游起，所述搬送辊与所述按压辊的分离距离具有沿着所述基板的搬送方向而变短的部分。
11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其中，自比所述气体吹出部更靠所述基板的搬送方向的下游起，最靠近所述气体吹出部的按压辊的外径比其他按压辊的外径小。
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