JP7324788B2 - 基板処理装置 - Google Patents

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Description

本発明の実施形態は、基板処理装置に関する。
液晶表示装置や半導体デバイスなどの製造工程において、ガラス基板や半導体基板などの基板を処理する基板処理装置が用いられている。基板処理としては、例えば、レジスト塗布処理、レジスト剥離処理、エッチング処理、洗浄処理、乾燥処理がある。基板処理装置は、複数の搬送ローラにより基板を搬送しながら、その基板に対して、供給ツールによって、例えば、処理液や乾燥用の気体のような処理用の流体を供給して基板を処理する。
特開平１１－１００９６号公報
搬送対象となる基板は、通常は平板状の基板であるが、中には反りを有する基板もある。例えば、厚さが１ｍｍ程度と薄い基板が処理対象の基板として用いられ、その基板の一方の面に成膜が行われると、基板は膜の応力により反る。このため、基板の一方の面が凹面、他方の面が凸面となる場合がある。このように反りを有する基板が、凹面を上にして、複数の搬送ローラによって反ったままの状態で搬送されると、供給ツールからの処理用の流体が凹面の中央部に滞留してしまい、基板に対する処理が不十分あるいは不均一となる。このため、例えば、塗布ムラ、剥離ムラ、エッチングムラ、洗浄ムラ、乾燥ムラなどの処理ムラが発生することがあり、基板の品質が低下する。
本発明が解決しようとする課題は、基板の品質を向上させることができる基板処理装置を提供することにある。
本発明の実施形態は、反りを有する基板を処理する基板処理装置であって、前記基板の搬送方向に直交する幅方向に離間して設けられる２個を１組として、前記基板の搬送方向に沿って複数組設けられ、前記基板の凹面側を支持して前記基板を搬送する複数の搬送ローラと、前記幅方向に離間して設けられる２本を１組として、前記基板の搬送方向に沿って複数組設けられ、前記搬送ローラが取り付けられる第１のシャフトと、前記基板の凹面に処理液を供給する流体供給部と、を備え、前記流体供給部は、前記幅方向に離間した各組の前記搬送ローラの間から、前記基板の凹面に処理液を供給し、前記流体供給部は、前記幅方向に複数の吐出部を有し、前記吐出部は、各組の２個の前記搬送ローラに近い側に配置された前記吐出部よりも、前記幅方向における中央側に配置された前記吐出部の方が、前記処理液の吐出量が多いことを特徴とする。
本発明の実施形態によれば、基板の品質を向上させることができる。
実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す側面図である。 図１の矢視Ａ－Ａ´図である。 図１の実施形態の基板処理装置の概略構成を示す平面図である。 他の実施形態の基板処理装置の概略構成を示す平面図である。
図１～図４を参照して、実施形態の基板処理装置１０を説明する。なお、図面の寸法及び形状は実際の基板及び装置を反映した正確なものではなく、理解を容易にするために、誇張して表現している部分が存在する。また、以下の説明では、重力に従う方向を「下方」、重力に抗する方向を「上方」とするが、これらの方向は装置の設置方向を限定するものではない。
［基板］
図１及び図２に示すように、本実施形態において、搬送対象、処理対象となる基板Ｗは反りを有する。基板Ｗとしては、例えば、ガラス基板などの矩形状の薄型基板が用いられる。本実施形態において、基板Ｗの厚さは、０．５～１．１ｍｍ程度であり、基板Ｗの反り量は７～１０ｍｍ程度である。図では、基板Ｗの短手方向がＵ字形に沿った形状を示しているが、実際の矩形状の基板Ｗの反りは、基板Ｗの四方にある。反りにより基板Ｗの一方の面が収縮し、他方の面が伸張する。収縮することにより窪んだ面を凹面Ｓ１、伸張することにより隆起した面を凸面Ｓ２とする。本実施形態の基板Ｗは、凹面Ｓ１を処理面とする。例えば、多層基板のように、処理面に回路のパターンＰが形成されている基板Ｗを用いる。なお、基板Ｗの処理面の外縁付近には、パターンＰが形成されていない領域が存在する。処理面のパターンＰが形成された領域を「パターン形成領域」、パターンＰが形成されていない領域を「非パターン形成領域」とする。
［基本構成］
本実施形態の基板処理装置１０は、基板Ｗを、凹面Ｓ１側を支持して搬送しながら、処理面である凹面Ｓ１を処理する装置である。このように、凹面Ｓ１が下方、凸面Ｓ２が上方となるように搬送すると、基本的には基板Ｗの端部のみの支持だけで、安定して搬送できる。そして、基板処理装置１０は、下の凹面Ｓ１に対して処理を行う。この基板処理装置１０は、処理室２１、基板搬送装置３０、流体供給部４０、制御部５０を有する。処理室２１は、基板Ｗが搬送される搬送路Ｔを内部に有する筐体であり、基板Ｗが搬送路Ｔに沿って内部を通過することが可能に形成されている。処理室２１は、搬送路Ｔを移動する基板Ｗを処理するための部屋として機能する。基板Ｗの処理は、本実施形態では、洗浄と乾燥である。処理室２１の底面には、処理液を排出する排出口（図示せず）が形成されている。
基板搬送装置３０は、複数の搬送ローラ３１と、複数の押えローラ３２とを有する。基板搬送装置３０は、処理室２１の全内部に亘って設けられ、各押えローラ３２により基板Ｗの凸面Ｓ２を押えつつ、各搬送ローラ３１により凹面Ｓ１側を支持して基板Ｗを搬送する。
［基板搬送装置］
（搬送ローラと押えローラの配置）
基板搬送装置３０は、上記のように、凹面Ｓ１を下方にして基板Ｗを搬送する。各搬送ローラ３１は、基板Ｗの搬送方向Ｔｄに沿って搬送路Ｔの下方に所定間隔で並べられている。各押えローラ３２は、それぞれ、各搬送ローラ３１に搬送路Ｔを挟んで離間するように、搬送路Ｔの上方に位置付けられ、各搬送ローラ３１の所定間隔と同じ所定間隔で搬送方向Ｔｄに沿って並べられている。これらの搬送ローラ３１及び押えローラ３２は、処理室２１内において、図１における上下方向に対向するように配置され、それぞれ回転可能に設けられており、駆動機構（図示せず）により互いに同期して回転するように構成されている。搬送ローラ３１は、図１において時計回りに回転し、押えローラ３２は反時計回りに回転する。
処理室２１内には、搬送路Ｔを挟んで離間して対向するように配置された搬送ローラ３１（本実施形態では２個で１組）と押えローラ３２とを１組として、複数組が設けられ、処理室２１内の組ごとの搬送ローラ３１と押えローラ３２との間の離間距離Ｈは、一定になっている。本実施形態において、離間距離Ｈは、例えば、鉛直方向の離間距離である。離間距離Ｈが一定になっているとは、例えば、基板Ｗの反り量以下の基板搬送可能な所定距離となっていることをいう。反り量とは、基板Ｗが載置された平面と、その平面に載置された基板Ｗの上面との最大鉛直離間距離である。
（搬送ローラの具体的構成）
搬送ローラ３１は、図２に示すように、基板Ｗの凹面Ｓ１側を支持し、基板Ｗの搬送方向Ｔｄに水平面内で直交する軸心ａを回転軸として回転することにより、基板Ｗを搬送する。搬送ローラ３１は、同一軸心ａ上に位置する円柱部３１ａと鍔状部３１ｂを有する。円柱部３１ａは、基板Ｗの凹面Ｓ１側の端部に接して基板Ｗを支持する。円柱部３１ａは、例えば、ゴムや樹脂を素材とするローラである。円柱部３１ａの軸は、搬送方向Ｔｄに直交する幅方向Ｘである。この円柱部３１ａを含む搬送ローラ３１は、幅方向Ｘに離間して設けられた２個を１組として、複数組が搬送方向Ｔｄに配置されている。各組の２個の円柱部３１ａは、同径である。
なお、上記の搬送ローラ３１と押えローラ３２との離間距離Ｈは、基板Ｗに接する部分の距離であり、本実施形態では、円柱部３１ａの外周面と押えローラ３２の外周面との距離である。つまり、搬送ローラ３１と押えローラ３２との離間距離Ｈは、搬送ローラ３１の一部と押えローラ３２との距離である場合を含む。また、本実施形態の搬送路Ｔは、搬送ローラ３１の円柱部３１ａと押えローラ３２との間に位置する。
鍔状部３１ｂは、２個の搬送ローラ３１における円柱部３１ａの相反する端部に、径が大きくなるように設けられた部分である。鍔状部３１ｂは、基板Ｗの搬送方向Ｔｄに沿う端部に当接可能である。
なお、図３に示すように、組ごとの搬送ローラ３１同士の離間距離Ｄ（各組の円柱部３１ａ同士の対向面間の距離）は一定とする。この離間距離Ｄは、反りを有する基板Ｗの平面視における幅方向Ｘの長さをＬとすると、Ｄ≦Ｌとすることが好ましい。また、各組の搬送ローラ３１の鍔状部３１ｂの離間距離（対向面間の距離）をｄとすると、ｄ≧Ｌとすることが好ましい。これにより、搬送ローラ３１による基板Ｗの端部の支持が可能となる。さらに、図２に示すように、基板Ｗの平面視におけるパターン形成領域の幅方向Ｘの長さをＬｐとすると、Ｄ＞Ｌｐとすることが好ましい。これにより、後述する流体供給部４０により供給される流体のパターンＰへの供給が、搬送ローラ３１により遮られることが抑制される。なお、円柱部３１ａの軸方向の長さａｘは、（ｄ－Ｄ）／２である。
さらに、搬送ローラ３１には、これと同軸に第１のシャフト３１ｃが設けられている。各組の２個の搬送ローラ３１に、２本の第１のシャフト３１ｃがそれぞれ、幅方向Ｘに離間してかつ互いに同軸に設けられている。第１のシャフト３１ｃは、円柱部３１ａよりも細い径であり、各組の２個の円柱部３１ａの互いに相反する端面に設けられている。複数の第１のシャフト３１ｃは、例えば、図示しないヘリカルギヤ（はすば歯車）を有する駆動機構によって、同期して回転可能に設けられている。各組の２個の搬送ローラ３１は、どちらも同じ周速で回転駆動される。
第１のシャフト３１ｃが回転すると、その第１のシャフト３１ｃに取り付けられた各円柱部３１ａは、第１のシャフト３１ｃを回転の軸として回転する。搬送ローラ３１は、凹面Ｓ１側の非パターン形成領域又は基板Ｗの搬送方向Ｔｄに沿う端部を支持して、搬送方向Ｔｄに搬送する。図２に示すように、搬送される基板Ｗにおける幅方向Ｘのパターン形成領域の下部には、第１のシャフト３１ｃが無い状態となる。
（押えローラの具体的構成）
押えローラ３２は、幅方向Ｘを軸とする円形である。押えローラ３２は、図２に示すように、各搬送ローラ３１の上方であって、基板Ｗの凸面Ｓ２の中央に当接するように、各搬送ローラ３１の上方であって、組となる２個の搬送ローラ３１の間に存在する空間における幅方向Ｘの中央に対向して設けられている。押えローラ３２には、第２のシャフト３２ａが同軸に設けられている。第２のシャフト３２ａは、第１のシャフト３１ｃと平行に配置される。第２のシャフト３２ａは、押えローラ３２よりも細い径であり、基板Ｗの幅方向Ｘの長さを超える長さに亘って、処理室２１内に、例えば図示しないスパーギヤ（平歯車）を有する駆動機構によって、同期して回転可能に設けられている。
第２のシャフト３２ａが回転すると、その第２のシャフト３２ａに取り付けられた押えローラ３２は、凸面Ｓ２に接しながら、第２のシャフト３２ａを回転軸として回転する。搬送ローラ３１と押えローラ３２は、どちらも同じ周速で回転駆動させられるように制御される。
［流体供給部］
図１及び図２に示すように、処理室２１には、流体供給部４０が設けられている。流体供給部４０は、基板Ｗに対して、離間した各組の搬送ローラ３１の間から流体を供給する。流体供給部４０は、液噴射部４１、気体吹出部４２を有する。
（液噴射部）
液噴射部４１は、搬送路Ｔを移動する基板Ｗの処理面に、処理液を噴射して供給する。液噴射部４１は、基板搬送装置３０による基板Ｗの搬送を妨げないように、搬送される基板Ｗとは搬送路Ｔを挟んで離間して基板Ｗに対向するように設けられている。なお、液噴射部４１と搬送路Ｔとの間には、シャフトやローラなどが介在していない。処理液が液噴射部４１により搬送路Ｔに向けて噴射されると、搬送路Ｔを移動する基板Ｗの凹面Ｓ１に処理液が供給される。処理液には、目的の処理ごとに洗浄液、剥離液、現像液、リンス液（純水など）が適用される。
より具体的には、液噴射部４１としては、例えば、複数の貫通孔を有するシャワーパイプや複数のノズルを備えるパイプを用いることができる。本実施形態の液噴射部４１は、図１及び図２に示すように、搬送方向Ｔｄに沿う方向に延びたパイプ４１１を有し、複数のパイプ４１１が幅方向Ｘに並べて配置されることにより構成されている。本実施形態では、図２に示すように、幅方向Ｘにおいて離間して設けられた２個の搬送ローラ３１に近い位置にそれぞれ１つずつパイプ４１１Ａ、４１１Ｃが配置され、２個の搬送ローラ３１の間の幅方向Ｘの中央に１つ、パイプ４１１Ｂが配置されている。以下、パイプ４１１Ａ、４１１Ｂ、４１１Ｃを区別しない場合には、パイプ４１１として説明する。パイプ４１１には、図示しないポンプ及びタンクを含む処理液の供給源が接続されている。
パイプ４１１には、複数の吐出部４１２が設けられている。吐出部４１２は、本実施形態では、搬送される基板Ｗの処理面に、吐出口からシャワー状に処理液を供給するノズルである。つまり、吐出部４１２は、基板Ｗの下方から、基板Ｗの下面に対して処理液を吐出する。吐出部４１２は、貫通孔であってもよい。各パイプ４１１Ａ、４１１Ｂ、４１１Ｃに設けられた吐出部４１２を、４１２Ａ、４１２Ｂ、４１２Ｃとし、これらを区別しない場合には、吐出部４１２として説明する。
幅方向Ｘに沿って配置された複数の吐出部４１２は、各組の２個の搬送ローラ３１に近い側、つまり幅方向Ｘの両端側に位置する吐出部４１２よりも、各組の２個の搬送ローラ３１から遠い側、つまり幅方向Ｘの中央側に位置する吐出部４１２の方が、処理液の単位時間当たりの吐出量（以下単に「吐出量」ということがある。）が多くなるように設定されている。本実施形態では、吐出部４１２Ａ、４１２Ｃの吐出量よりも、吐出部４１２Ｂの吐出量が多い。このような吐出量とするために、幅方向Ｘに沿って配置された複数の吐出部４１２は、吐出する処理液の単位時間当たりの流量を、個別に可変に設けられている。より具体的には、制御部５０が、パイプ４１１に接続された配管に設けられたバルブ（図示せず）を制御することにより各パイプ４１１を流れる処理液の量が調整される。
（気体吹出部）
気体吹出部４２は、搬送路Ｔを移動する基板Ｗに、例えば、空気又は窒素ガスのような乾燥用の気体を吹き出して供給する。気体吹出部４２は、基板搬送装置３０による基板Ｗの搬送を妨げないように、搬送される基板Ｗとは搬送路Ｔを挟んで離間して基板Ｗに対向するように設けられている。なお、気体吹出部４２と搬送路Ｔとの間には、シャフトやローラなどが介在していない。気体吹出部４２は、搬送路Ｔを通過する基板Ｗに向けて高圧で気体を吹き出し、基板Ｗに付着している洗浄液などの処理液を吹き飛ばして基板Ｗの処理面を乾燥させる。
気体吹出部４２は、例えば、図１及び図２に示すように、反りを有する基板Ｗの幅よりも、長いスリット状の吹出口４２ａを有するエアナイフである。気体吹出部４２は、吹出口４２ａから搬送方向Ｔｄの上流側に向けて気体を吹き出し、基板Ｗに付着している液体を吹き飛ばすように設けられている。
［制御部］
制御部５０は、図１に示すように、基板搬送装置３０、流体供給部４０など、基板処理装置１０の各部を制御するコンピュータであり、基板搬送及び基板処理に関する各種の情報及びプログラムなどを記憶する記憶部と、各種のプログラムを実行するプロセッサを有する。本実施形態の制御部５０は、上記のように、バルブを制御することにより、パイプ４１１を流れる処理液の量が調整され、各組の２個の搬送ローラ３１に近い端部側、つまり幅方向Ｘの両端側よりも、各組の２個の搬送ローラ３１から遠い中央側、つまり幅方向Ｘの中央及びその近傍の方が吐出量が多くなる。
［動作］
次に、基板処理装置１０の動作を説明する。なお、以下の動作は、基板Ｗを洗浄液で洗浄し、乾燥する動作の一例である。上記のように、基板処理装置１０は、基板搬送装置３０の各搬送ローラ３１及び各押えローラ３２が同期して回転し、基板Ｗは、凹面Ｓ１側の端部が各搬送ローラ３１上に支持された状態で、搬送方向Ｔｄに搬送されて搬送路Ｔに沿って移動し、処理室２１を通過する。
処理室２１では、各パイプ４１１の吐出部４１２により、搬送路Ｔの下から洗浄液が予め供給されている液供給状態にある。この液供給状態となった領域を、反りを有する基板Ｗが搬送されて通過すると、基板Ｗの凹面Ｓ１に洗浄液が供給されて洗浄される。基板Ｗの凹面Ｓ１側には、第１のシャフト３１ｃが無い状態であり、基板Ｗの凹面Ｓ１に供給された洗浄液は、第１のシャフト３１ｃに遮られることなく、パターン形成領域に当たる。基板Ｗに供給された洗浄液は、基板Ｗの端部に向かって流れて端部から落下して、処理室２１の底面を流れて排出口から排出される。
なお、凹面Ｓ１は、中央から両端に向かって下がるように傾斜している。このため、基板Ｗの端部に近い吐出部４１２Ａ、４１２Ｃから供給された洗浄液は、中央に達することなく、端部から落下する。一方、本実施形態では、吐出部４１２Ｂから基板Ｗの凹面Ｓ１の中央に、洗浄液を供給することにより、中央から端部に向かって汚染物を押し流す流れを形成する。これにより、基板Ｗの処理面に存在する汚染物を除去できる。
但し、基板Ｗが反りを有しているために、凹面Ｓ１の中央が、端部よりも吐出部４１２からの距離が長いとき、吐出部４１２の配置高さ位置が一定の場合に、中央の吐出部４１２Ｂの流量を、両端の吐出部４１２Ａ、４１２Ｃの流量と同様とすると、凹面Ｓ１の中央に十分な流量の洗浄液を供給できない場合がある。すると、洗浄液が凹面Ｓ１の端部に達する前に滞留又は落下してしまい、汚染物の滞留による再付着につながる。本実施形態では、中央の吐出部４１２Ｂの流量を、端部に近い吐出部４１２Ａ、４１２Ｃよりも多くしているため、凹面Ｓ１の中央に十分な流量の洗浄液が供給され、中央から端部に向かう流れを形成でき、汚染物を除去できる。
処理室２１では、気体吹出部４２によって、搬送路Ｔの下から乾燥用の気体が予め供給されている。この気体供給状態となった領域を、基板Ｗが通過すると、基板Ｗの凹面Ｓ１に付着している洗浄液が、気体の吹き付けによって吹き飛ばされ、基板Ｗが乾燥していく。基板Ｗから吹き飛ばされた洗浄液は、処理室２１の底面を流れて排出口から排出される。
［実施形態の効果］
（１）本実施形態は、反りを有する基板Ｗを搬送する基板搬送装置３０であって、基板Ｗの凹面Ｓ１側を支持し、軸を中心に回転することにより、基板Ｗを搬送する複数の搬送ローラ３１と、搬送ローラ３１と同軸に設けられた第１のシャフト３１ｃと、基板Ｗの凹面Ｓ１に流体を供給する流体供給部４０と、を備えている。
搬送ローラ３１の回転軸は、基板Ｗの搬送方向Ｔｄに直交する幅方向Ｘであり、搬送ローラ３１は、幅方向Ｘに離間して設けられた２個を１組として、複数組の搬送ローラ３１が搬送方向Ｔｄに配置され、各組の２個の搬送ローラ３１には、幅方向Ｘに離間した２本の第１のシャフト３１ｃが設けられ、流体供給部４０は、離間した各組の搬送ローラ３１の間から、基板Ｗの凹面Ｓ１に流体を供給する。
仮に、基板Ｗを下が凸面Ｓ２となるように搬送する場合には、凸面Ｓ２側の傾斜面を支持することになり、滑りやすく支持が安定せず、下側に基板Ｗを支える部材や機構等を追加する必要がある。一方、本実施形態では、凹面Ｓ１側を支持することにより、基本的には基板Ｗの端部のみを支持するだけでよいので、安定して搬送できる。
また、仮に、基板Ｗの幅方向Ｘの全体に亘ってシャフトが設けられていると、流体供給部４０から供給された流体がシャフトに当たり、基板Ｗに届かない部分が発生したり、基板Ｗに均一に供給されず、基板Ｗの効率的な処理を妨げる。しかし、本実施形態では、凹面Ｓ１側において、搬送ローラ３１及び第１のシャフト３１ｃが幅方向Ｘに離間して設けられているので、流体供給部４０から供給された流体が、搬送ローラ３１や第１のシャフト３１ｃによって遮られることが防止される。このため、流体を処理面に均一に当てることができるので、均一な処理が可能となり、基板Ｗの品質の低下を抑制できる。
さらに、各組の搬送ローラ３１及び第１のシャフト３１ｃの間から、基板Ｗの凹面Ｓ１に流体を供給することにより、凹面Ｓ１の傾斜によって、中央から端部への流れが形成されるので、凹面Ｓ１の処理が不十分になることを抑制でき、基板Ｗの品質を向上させることができる。
（２）本実施形態は、基板Ｗの凸面Ｓ２を押さえる押えローラ３２と、押えローラ３２と同軸に設けられた第２のシャフト３２ａと、を備える。このため、凹面Ｓ１側から処理液の供給による圧力が加わっても、押えローラ３２によって浮き上がりが防止されるので、基板Ｗの位置が安定し、均一な処理を維持できる。
（３）幅方向Ｘに沿って配置された複数の吐出部４１２は、各組の２個の搬送ローラ３１に近い側よりも、各組の２個の搬送ローラ３１から遠い側の処理液の吐出量が多い。このため、凹面Ｓ１の端部側よりも中央側に位置する吐出部からの処理液の吐出量が多くなり、中央から端部へ向かう流れが形成されやすくなり、全体の処理を均一にできる。例えば、図２に示すように、複数の吐出部４１２が同じ高さに設けられている場合には、中央の吐出部４１２Ｂの吐出口は、基板Ｗとの離間距離が、他の吐出部４１２Ａ、４１２Ｃに比べて長くなるために、吐出された処理液が吐出部４１２Ａ、４１２Ｂ、４１２Ｃごとにばらついたり、基板Ｗの凹面Ｓ１の中央に処理液が衝突する圧力が弱くなる。本実施形態においては、凹面Ｓ１の中央の下方に設けられた吐出部４１２Ｂの吐出量を、他の吐出部４１２Ａ、４１２Ｃよりも多くすることで、中央の処理液の流量を確保して、中央から端部への流れを形成できる。また、凹面Ｓ１に対して処理液が衝突する圧力を均一にすることも可能となる。
（４）幅方向Ｘに沿って配置された複数の吐出部４１２は、吐出する処理液の流量を個別に可変に設けられている。このため、基板Ｗの反りによる凹面Ｓ１と各吐出部４１２との距離の相違に応じて、各吐出部４１２の流量を調整することにより、均一な処理が可能となる。
（５）流体供給部４０は、搬送方向Ｔｄに沿う複数のパイプ４１１を有し、複数のパイプ４１１は、幅方向Ｘに並べて配置され、吐出部４１２は、パイプ４１１に設けられている。このため、各パイプ４１１の処理液の流量を調整することにより、幅方向Ｘに沿って配置された複数の吐出部４１２からの処理液の吐出量を調整できる。
［他の実施形態］
（１）搬送ローラ３１には、必ずしも鍔状部３１ｂを設ける必要はない。例えば、図４に示すように、基板Ｗの搬送方向Ｔｄに並ぶ複数の第１のシャフト３１ｃの間に、基板Ｗの移動をガイドするガイドローラ３３を設けてもよい。この場合、一対の対向するガイドローラ３３の離間距離をｅとすると、ｅ≧Ｌとすることが好ましい。
（２）上記の態様では、押えローラ３２は、搬送方向Ｔｄに直交する幅方向Ｘに１つとしているが、これに限らず、複数設けてもよい。例えば、各搬送ローラ３１に対向する位置に、押えローラ３２を１つずつ設けてもよい。押えローラ３２にベルトを掛けまわし、ローラコンベアのようにしてもよい。このような構成を採用することにより、押えローラ３２のみを使用する場合と比較して基板Ｗの反りに対して接触する面積が増えるため、より安定して基板Ｗを搬送できる。また、フラットタイプのローラとしてもよい。
（３）基板Ｗの反り量を測定する測定部を設け、測定部により測定した基板Ｗの反り量に応じて、吐出部４１２からの吐出量を調整するようにしてもよい。例えば、測定部により測定した基板Ｗの反り量が所定値よりも大きい場合には、中央の吐出部４１２Ｂからの吐出量を多くするようにしてもよい。
（４）基板Ｗの反り量を測定する測定部、各押えローラ３２を昇降させる移動機構を設け、測定部により測定した基板Ｗの反り量に応じて、各組の搬送ローラ３１及び押えローラ３２の離間距離を調整するようにしてもよい。
（５）上記の態様では、洗浄処理と乾燥処理を共通の室内で行うことを例示したが、これに限るものではない。洗浄処理と乾燥処理を異なる室内で行うようにしてもよい。
（６）上記の態様では、複数の吐出部４１２は、各組の２個の搬送ローラ３１に近い側よりも、各組の２個の搬送ローラ３１から遠い側の方が、処理液の単位時間当たりの吐出量が多くなるように設定されている。このとき、各吐出部４１２の吐出孔の径が等しい場合には、各組の２個の搬送ローラ３１に近い側よりも、各組の２個の搬送ローラ３１から遠い側の方が、吐出部における処理液の吐出速度が速くなるようにすればよい。
（７）上記の態様では、パイプ４１１は、パイプ４１１Ａ、４１１Ｂ、４１１Ｃの３つとしているが、３つに限らず、それ以上設けてもよい。このとき、中央側の１つのみが、それ以外よりも吐出量が多くなるようにしてもよく、搬送ローラ３１に近い側から中央にむけて段階的に吐出量が多くなるようにしてもよい。
（８）流体供給部４０としては、上記のシャワー状に処理液を吐出するノズル、エアナイフの他、アクアナイフなどでもよく、また流体を吐出するものであれば、とくに使用するツールは限定されない。さらに、これらの複数種のツールを組み合わせて用いてもよい。また、流体供給部４０は、基板Ｗの搬送路Ｔの上方に設け、基板Ｗの凸面Ｓ２（パターンＰが形成されていない非パターン形成面）に処理用の流体を供給することにより、基板Ｗの両面を処理するようにしてもよい。
（９）上記の態様では、基板処理装置１０の処理として、基板Ｗを洗浄、乾燥する処理を例示したが、処理はこれに限るものではない。液晶基板や半導体基板、フォトマスクなどの製造のため、例えば、レジスト処理装置、露光処理装置、現像処理装置、エッチング処理装置、剥離処理装置を用いるようにしてもよい。これに応じて、処理液としては、各種の薬液を用いることが可能である。
（１０）上記の態様では、基板Ｗを水平状態で搬送することを例示したが、これに限るものではなく、基板Ｗを傾けて傾斜状態で搬送するようにしてもよく、例えば、基板Ｗの幅方向Ｘの一端をその他端よりも高くして基板Ｗを傾けて搬送するようにしてもよい。
（１１）上記の態様では、四方に反りがある基板Ｗ（四方に反りを有する基板Ｗ）を対象に説明したが、これに限るものではなく、例えば矩形のいずれか二辺、三辺に反りがあるものであっても本発明は適用可能である。
（１２）以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
１０ 基板処理装置
２１ 処理室
３０ 基板搬送装置
３１ 搬送ローラ
３１ａ 円柱部
３１ｂ 鍔状部
３１ｃ 第１のシャフト
３２ 押えローラ
３２ａ 第２のシャフト
３３ ガイドローラ
４０ 流体供給部
４１ 液噴射部
４２ 気体吹出部
４２ａ 吹出口
５０ ：制御部
４１１ ：パイプ
４１１Ａ ：パイプ
４１１Ｂ ：パイプ
４１１Ｃ ：パイプ
４１２ ：吐出部
４１２Ａ ：吐出部
４１２Ｂ ：吐出部
４１２Ｃ ：吐出部
Ｔ ：搬送路

Claims (5)

  1. 反りを有する基板を処理する基板処理装置であって、
    前記基板の搬送方向に直交する幅方向に離間して設けられる２個を１組として、前記基板の搬送方向に沿って複数組設けられ、前記基板の凹面側を支持して前記基板を搬送する複数の搬送ローラと、
    前記幅方向に離間して設けられる２本を１組として、前記基板の搬送方向に沿って複数組設けられ、前記搬送ローラが取り付けられる第１のシャフトと、
    前記基板の凹面に処理液を供給する流体供給部と、
    を備え、
    前記流体供給部は、前記幅方向に離間した各組の前記搬送ローラの間から、前記基板の凹面に処理液を供給し、
    前記流体供給部は、前記幅方向に複数の吐出部を有し、前記吐出部は、各組の２個の前記搬送ローラに近い側に配置された前記吐出部よりも、前記幅方向における中央側に配置された前記吐出部の方が、前記処理液の吐出量が多いことを特徴とする基板処理装置。
  2. 前記基板の凹面は、パターンが形成されたパターン形成領域と、前記基板の外縁付近に位置し、パターンが形成されていない非パターン形成領域とを有し、
    前記幅方向において、各組の前記搬送ローラの離間距離は、前記パターン形成領域の長さより長いことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
  3. 前記基板の凸面を押さえる押えローラと、
    前記押えローラが取り付けられる第２のシャフトと、
    を備えることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の基板処理装置。
  4. 前記押えローラは、前記搬送ローラの組それぞれに、前記基板の搬送路を挟んで離間して対向するように配置され、
    前記搬送路に垂直な方向における、前記搬送ローラと前記押えローラの離間距離は、前記搬送ローラの各組の間で一定であることを特徴とする請求項３記載の基板処理装置。
  5. 前記流体供給部は、前記搬送方向に沿う方向に延びる複数のパイプを有し、
    複数の前記パイプは、前記幅方向に並べて配置され、
    前記吐出部は、前記パイプに設けられていることを特徴とする請求項４記載の基板処理装置。
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