TWI734565B - 基板搬送裝置及基板處理裝置 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種可提高基板品質的基板搬送裝置及基板處理裝置。作為實施方式的基板搬送裝置的搬送部（30）包括：多個搬送輥（31A），搬送具有翹曲的基板（W）；以及多個按壓輥（31B），以分別與多個搬送輥（31A）相向而分離的方式設置，且對由多個搬送輥（31A）搬送的基板（W）進行按壓，相向而分離的搬送輥（31A）及按壓輥（31B）設為一組，且沿著基板（W）的搬送方向（A1）排列有多組，各組的搬送輥（31A）與按壓輥（31B）的分離距離沿著基板（W）的搬送方向（A1）而變短。

Description

基板搬送裝置及基板處理裝置

本發明的實施方式關於一種基板搬送裝置及基板處理裝置。

在液晶顯示裝置或半導體元件等的製造步驟中，一直使用對玻璃基板或半導體基板等基板進行處理的基板處理裝置。作為基板處理，例如有抗蝕劑塗布處理、抗蝕劑剝離處理、蝕刻處理、清洗處理、乾燥處理。基板處理裝置一面利用多個搬送輥搬送基板，一面對所述基板施加處理用的流體（例如，處理液或乾燥用的氣體）而對基板進行處理。

成為搬送對象的基板通常為平整的基板，但其中也有翹曲的基板（具有翹曲的基板）。例如，若將厚度薄至1 mm左右的基板用作作為處理對象的基板，並在所述基板的上表面進行成膜，則基板有時因膜的應力而翹曲。若所述翹曲的基板在保持翹曲的狀態下以上表面為上或下而由多個搬送輥搬送，則無法對基板的翹曲部分均勻地供給處理用的流體，故對基板的處理不均勻。因此，有時發生處理不均（例如，塗布不均或剝離不均、蝕刻不均、清洗不均、乾燥不均），而基板品質降低。 [現有技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開平11-10096號公報

[發明所要解決的問題] 本發明所要解決的問題為提供一種可提高基板品質的基板搬送裝置及基板處理裝置。 [解決問題的技術手段]

本發明實施方式的基板搬送裝置包括： 多個搬送輥，搬送具有翹曲的基板；以及 多個按壓輥，以分別與所述多個搬送輥相向而分離的方式設置，且對由所述多個搬送輥搬送的所述基板進行按壓， 相向而分離的所述搬送輥及所述按壓輥設為一組，且沿著所述基板的搬送方向排列有多組， 各組的所述搬送輥與所述按壓輥的分離距離沿著所述基板的搬送方向而變短。

本發明實施方式的基板處理裝置包括： 如上所述的實施方式的基板搬送裝置；以及 液供給部，對由所述基板搬送裝置搬送的所述基板供給處理液。

本發明實施方式的基板處理裝置包括： 如上所述的實施方式的基板搬送裝置；以及 乾燥部，使由所述基板搬送裝置搬送的所述基板乾燥。 [發明的效果]

根據本發明的實施方式，可提高基板品質。

＜第一實施方式＞ 參照圖1至圖4對第一實施方式進行說明。

（基本結構） 如圖1及圖2所示，第一實施方式的基板處理裝置10包括處理室20、搬送部（基板搬送裝置）30、液供給部40、乾燥部50、以及控制部60。作為處理對象的基板W例如使用玻璃基板等矩形形狀的薄型基板。例如，基板W的厚度為0.5 mm～1.1 mm左右，基板W的翹曲量為7 mm～10 mm左右。翹曲處於矩形形狀基板的四周。

處理室20具有矯正處理室21、清洗處理室22、以及乾燥處理室23。所述矯正處理室21、清洗處理室22及乾燥處理室23分別為在內部具有搬送基板W的搬送路徑H1的框體，且形成為基板W能夠沿著搬送路徑H1通過內部。矯正處理室21、清洗處理室22及乾燥處理室23分別作為用以對在搬送路徑H1上移動的基板W進行處理的室而發揮功能。在清洗處理室22、乾燥處理室23的各自的底面分別形成有用於排出液的排出口（未圖示）。

搬送部30具有多個搬送輥31A以及多個按壓輥31B。所述搬送部30遍及處理室20內即矯正處理室21、清洗處理室22及乾燥處理室23的全體內部（以下，適宜稱為處理室20內）而設置，在由各按壓輥31B按壓基板W的上表面的同時，由各搬送輥31A搬送基板W。

各搬送輥31A沿著基板W的搬送方向A1（以下，稱為搬送方向A1）以規定間隔排列於搬送路徑H1的下方。各按壓輥31B分別以與各搬送輥31A隔著搬送路徑H1分離而相向的方式定位於搬送路徑H1的上方，且以與所述各搬送輥31A的規定間隔相同的規定間隔沿著搬送方向A1排列。所述搬送輥31A及按壓輥31B設置為能夠在處理室20內旋轉，且構成為藉由驅動源（未圖示）而彼此同步旋轉。搬送輥31A順時針旋轉，按壓輥31B逆時針旋轉。本實施方式中，如圖1、圖2所示，各搬送輥31A形成沿著搬送方向A1的水平的搬送路徑H1。

此處，在鉛垂方向上分離而隔著搬送路徑H1相向的一組搬送輥31A及按壓輥31B以沿搬送方向A1排列多組的方式設置。矯正處理室21內的各組的輥間的分離距離、即各組的搬送輥31A與按壓輥31B的分離距離（例如鉛垂分離距離，更具體而言，如圖1中由a所表示，後述各組的輥31a與輥31c之間的鉛垂分離距離）沿著搬送方向A1而逐漸變短，在矯正處理室21內的搬送路徑H1的中途變為固定，保持此狀態而在清洗處理室22及乾燥處理室23中也成為固定。此處，所謂固定的距離，例如是指基板W的厚度以下的能夠搬送基板的規定距離。此外，位於搬送方向A1的最上游（上游端）的一組搬送輥31A與按壓輥31B的分離距離比基板W的翹曲量（載置有基板W的平面與載置於所述平面的基板W的上表面之間的最大鉛垂分離距離）長。

如圖3所示，各搬送輥31A分別具有三個輥31a以及一根軸（shaft）31b。三個輥31a呈圓形並具有相同的直徑，且是例如以橡膠或樹脂為原材料的輥，三個輥31a獨立地安裝於一根軸31b的兩端及中央，且分別作為與所搬送的基板W的下表面接觸而支撐基板W的輥發揮功能。軸31b形成得比基板W的寬度（與搬送方向A1在水平面內正交的方向上的寬度）長，且設置為能夠在處理室20內旋轉。若軸31b旋轉，則安裝於所述軸31b的各輥31a以軸31b為旋轉軸進行旋轉。

如圖3所示，各按壓輥31B分別具有呈圓形並具有相同的直徑的兩個輥（上置輥）31c、以及兩根軸31d。兩個輥31c是例如以橡膠或樹脂為原材料的輥，且設置為能夠獨立地自上方按壓各搬送輥31A上的基板W的上表面的兩端區域（基板W的寬度方向的兩端區域）。這些輥31c分別安裝於兩根軸31d，且分別作為與所搬送的基板W的上表面接觸而按壓基板W的輥發揮功能。兩個輥31c分別以與位於搬送輥31A兩端的兩個輥31a的各自的外側端部隔著搬送路徑H1相向而分離的方式配置。兩個軸31d被定位成使得兩個輥31c獨立地與基板W的上表面的兩端區域接觸的，且設置為能夠在處理室20內旋轉。若軸31d旋轉，則安裝於所述軸31d的輥31c以軸31d為旋轉軸進行旋轉。位於按壓輥31B的兩端的兩個輥31c構成為彼此同步旋轉。當對輥31a與輥31c進行旋轉驅動時，兩者均以相同的圓周速度被旋轉驅動。另外，藉由改變搬送輥31A的軸31b與按壓輥31B的軸31d的分離距離，可將各組的搬送輥31A與按壓輥31B的分離距離變為如上所述。

回到圖2，液供給部40具有多個液噴射部41。所述液供給部40設置於清洗處理室22內，且自各液噴射部41噴射清洗液（處理液的一例）而供給至在搬送路徑H1上移動的基板W。各液噴射部41以在不妨礙搬送部30對基板W的搬送的情況下隔著搬送路徑H1分離而相向的方式，在搬送路徑H1的上下各設置有七個。這些液噴射部41朝向搬送路徑H1以噴淋狀噴出清洗液。此外，位於搬送路徑H1的下方的各液噴射部41以避開各搬送輥31A而對搬送路徑H1噴出清洗液的方式配置。藉由各液噴射部41朝向搬送路徑H1噴射清洗液，對在所述搬送路徑H1上移動的基板W的上表面及下表面此兩面供給清洗液。作為液噴射部41，例如可使用具有多個貫通孔的噴淋管或包括多個噴淋頭（shower nozzle）的管。

乾燥部50具有多個氣體吹出部51。所述乾燥部50設置於乾燥處理室23內，且自各氣體吹出部51吹出乾燥用的氣體（例如，空氣或者氮氣）而供給至在搬送路徑H1上移動的基板W。各氣體吹出部51以在不妨礙搬送部30對基板W的搬送的情況下隔著搬送路徑H1分離而相向的方式在搬送路徑H1的上下各設置有一個。這些氣體吹出部51朝向通過搬送路徑H1的基板W以高壓吹出氣體，並吹散附著於基板W的清洗液而使基板W的上表面及下表面此兩面乾燥。

如圖4所示，各氣體吹出部51分別具有比基板W的寬度長的狹縫狀的吹出口（長條的吹出口）51a。這些氣體吹出部51分別以如下方式設置：長邊方向相對於搬送方向A1在水平面內傾斜，自吹出口51a朝向搬送方向A1的上游側吹出氣體，並將附著於基板W的液體朝向基板W的角部吹散。此外，氣體吹出部51的吹出口51a與搬送過程中的基板W的上表面的鉛垂分離距離（間隙）為數mm（例如3 mm）左右。

此處，如圖4所示，乾燥處理室23內的各軸31b中，存在於與搬送路徑H1的下方的氣體吹出部51交叉的位置的三個軸31b以不妨礙由搬送路徑H1的下方的氣體吹出部51吹出的氣體的方式在與氣體吹出部51相向的位置被分割（或者有時形成得短）。經分割的軸31b的一端部利用支撐構件（未圖示）能夠旋轉地受到支撐。此種支撐構件設置於乾燥處理室23的底面。此外，相對於僅在單側設置有輥31a的搬送輥31A，未設置按壓輥31B。若在按壓輥31B中僅在單側設置輥（上置輥）31c，則在設置有輥31c的一側與未設置輥31c的一側，基板W的搬送速度出現差別，而無法將基板W準確地沿著搬送方向A1筆直地搬送。因此，有時在基板W的前端（基板W的下游側的端部）發生破裂，故當僅在搬送輥31A的單側設置有輥31a時，不設置輥31c即按壓輥31B。

回到圖1，控制部60具有集中控制各部的微計算機、以及存儲與基板處理相關的基板處理信息或各種程序等的存儲部（均未圖示）。所述控制部60基於基板處理信息或各種程序來控制搬送部30、或液供給部40、乾燥部50等各部。

（基板處理步驟） 接著，對如上所述的基板處理裝置10所進行的基板處理步驟進行說明。

如圖1及圖2所示的基板處理裝置10中，搬送部30的各搬送輥31A及各按壓輥31B同步旋轉，各搬送輥31A上的基板W在搬送方向A1上進行搬送且沿著搬送路徑H1移動，並通過矯正處理室21、清洗處理室22及乾燥處理室23。

在矯正處理室21中，若圖1所示的翹曲的基板W插入至矯正處理室21內，則由旋轉的各搬送輥31A在搬送方向A1上進行搬送，且沿著搬送路徑H1移動。各組的搬送輥31A與按壓輥31B的分離距離越靠近搬送方向A1的下游側則越短。因此，若與基板W的移動相應地，各搬送輥31A上的翹曲的基板W的下游側（前端側）的上表面依次與各按壓輥31B接觸，則基板W由各按壓輥31B逐漸按壓。此時，在基板W的翹曲狀態為如圖1所示基板W的下游側的端部及上游側（後端側）的端部朝向上方而翹曲的狀態的情況下，若基板W的下游側的上表面由各按壓輥31B逐漸按壓，則基板W的上游側的上表面也接近並抵接於各按壓輥31B，故由各按壓輥31B按壓（參照圖1）。若翹曲的基板W沿著搬送路徑H1移動，則自基板W的下游側起逐漸被矯正為平整狀態，經矯正的基板W隨後由各組各自的分離距離固定的搬送輥31A與按壓輥31B夾持，並直接以平整狀態搬送至之後的清洗處理室22。此外，未翹曲的基板W無需矯正而自最初起以平整狀態搬送至之後的清洗處理室22。

清洗處理室22中，相對於位於搬送路徑H1中途的液供給區域（處理區域），由各液噴射部41自搬送路徑H1的上下預先供給清洗液。在此種液供給狀態下，若基板W以平整狀態進行搬送並通過液供給區域，則對基板W的上表面及下表面此兩面供給清洗液，並利用清洗液對基板W的兩面進行清洗。自基板W的兩面落下的清洗液流經處理室20的底面而自排出口排出。

乾燥處理室23中，相對於位於搬送路徑H1中途的氣體供給區域（處理區域），由各氣體吹出部51自搬送路徑H1的上下預先供給乾燥用的氣體。在此種氣體供給狀態下，若基板W以平整狀態進行搬送並通過搬送路徑H1中途的氣體供給區域，則附著於基板W的上表面及下表面此兩面的處理液藉由氣體的吹附而自基板W的兩面吹散，從而基板W的兩面逐漸乾燥。此時，附著於基板W的兩面的液體藉由氣體的吹附而自基板W的兩面的右上角部朝左下角部（參照圖4）移動，故基板W的兩面分別自右上角部朝左下角部依次乾燥。自基板W的兩面吹散的處理液流經處理室20的底面而自排出口排出。

此種基板處理步驟中，若翹曲的基板W在矯正處理室21內沿著搬送路徑H1移動，則所述基板W由各按壓輥31B壓下，自基板W的下游側起逐漸成為平整狀態，即，基板W由各按壓輥31B矯正為平整狀態，並直接以平整狀態通過液供給區域、氣體供給區域。對所述平整狀態下的基板W進行清洗處理、乾燥處理。由此，能夠對基板W的上表面及下表面此兩面均勻地供給處理液、乾燥用的氣體，故可均勻地對基板W的兩面進行處理。因此，能夠提高對基板W的清洗處理、乾燥處理的均勻性，且抑制基板W上的清洗不均、乾燥不均的發生，故可提高基板品質。

此外，當各組的搬送輥31A與按壓輥31B的分離距離在搬送路徑H1的整個區域中固定為能夠搬送基板W的厚度以下的基板的規定距離時，若將翹曲的基板W插入至矯正處理室21內，則由按壓輥31B將所述翹曲的基板W強行壓下而成為平整狀態，故有時基板W發生破裂或受損。另一方面，在第一實施方式中，各組的搬送輥31A與按壓輥31B的分離距離越靠近搬送方向A1的下游側則越短。由此，翹曲的基板W由各按壓輥31B逐漸（以翹曲量逐漸減少的方式）按壓，故與由各按壓輥31B強行（以翹曲量急劇減少的方式）壓下翹曲的基板W來抑制基板W的翹曲的情況相比，可抑制基板W的損傷。

如以上所說明，根據第一實施方式，各組的搬送輥31A與按壓輥31B的分離距離（例如，鉛垂分離距離）沿著搬送方向A1而變短。由此，能夠在不使翹曲的基板W受損的情況下抑制基板W的翹曲，故可提高對基板W的處理的均勻性。因此，可抑制基板W上的處理不均（例如，清洗不均或乾燥不均）的發生，提高基板品質。

＜第二實施方式＞ 參照圖5對第二實施方式進行說明。此外，第二實施方式中，對與第一實施方式的不同點（乾燥處理室23中的搬送輥31A與按壓輥31B的分離距離）進行說明，而省略其他說明。

（基本結構） 如圖5所示，第二實施方式的乾燥處理室23中，各組的搬送輥31A與按壓輥31B的分離距離（例如，鉛垂分離距離）沿著搬送方向A1而逐漸變短，在搬送路徑H1的中途固定為能夠搬送基板W的厚度以下的基板的規定距離。此外，在乾燥處理室23內，位於搬送方向A1的最上游（上游端）的一組搬送輥31A與按壓輥31B的分離距離比基板W的翹曲量長。

此處，在位於乾燥處理室23的上游的清洗處理室22中，有時會省略幾處設置有液噴射部41的部位處的按壓輥31B，以便不妨礙液噴射部41的液噴射或設置。在所述情況下，由於在所述幾處，基板W自下側的搬送輥31A浮起，因此有時在清洗處理室22的出口處基板W的下游側的端部上浮，難以自清洗處理室22朝乾燥處理室23進行連續搬送。為了容易進行所述連續搬送，實現對平整狀態下的基板W的乾燥處理，如上所述，在乾燥處理室23內，位於搬送方向A1的最上游的一組搬送輥31A與按壓輥31B的分離距離比基板W的翹曲量長，各組的搬送輥31A與按壓輥31B的分離距離越靠近搬送方向A1的下游側則越短。

如圖5所示，若翹曲的基板W進入乾燥處理室23內，則與第一實施方式同樣地沿著搬送路徑H1移動，所述基板W由各按壓輥31B壓下，而自下游側起逐漸成為平整狀態，並直接以平整狀態通過氣體供給區域。對所述平整狀態下的基板W進行乾燥處理。由此，能夠對基板W的上表面及下表面此兩面均勻地供給乾燥用的氣體，故可均勻地使基板W的兩面乾燥。因此，能夠提高對基板W的乾燥處理的均勻性，且抑制基板W上的乾燥不均的發生，故可提高基板品質。另外，翹曲的基板W由各按壓輥31B逐漸（以翹曲量逐漸減少的方式）按壓，故與由各按壓輥31B強行（以翹曲量急劇減少的方式）壓下翹曲的基板W來抑制基板W的翹曲的情況相比，可抑制基板W的損傷。

此外，可將乾燥處理室23內位於搬送方向A1的最上游的一組搬送輥31A與按壓輥31B的分離距離設定得比矯正處理室21中位於搬送方向A1的最上游的一組搬送輥31A與按壓輥31B的分離距離短。其原因在於，搬入至乾燥處理室23的基板W通過了矯正處理室21、清洗處理室22，而成為某種程度上翹曲得以矯正的狀態。

另外，本實施方式中，對乾燥處理室23內位於最上游的搬送輥31A與按壓輥31B的分離距離進行了說明，但在搬送方向A1上排列且相鄰的兩個搬送輥31A之間的距離變長的部位，也可應用本實施方式。即，在相鄰的兩個搬送輥31A之間的距離比其他的搬送輥31A之間的距離長的情況下，有時經矯正的基板W的翹曲會稍微恢復。藉由在此種部位也採用再次將搬送輥31A與按壓輥31B的分離距離逐漸縮小的結構，能夠抑制翹曲的基板W的損傷並且矯正基板W的翹曲。

如以上所說明，根據第二實施方式，能夠獲得與第一實施方式同樣的效果。即，能夠在不使翹曲的基板W受損的情況下抑制基板W的翹曲，故可提高對基板W的處理的均勻性。因此，能夠抑制基板W上的處理不均（例如，清洗不均或乾燥不均）的發生，可提高基板品質。

＜第三實施方式＞ 參照圖6對第三實施方式進行說明。此外，在本實施方式中，對與第一實施方式或第二實施方式的不同點（上置輥31c的外徑）進行說明，而省略其他說明。此外，將與基板W的搬送方向A1正交且與軸31b、軸31d平行的搬送輥31A、按壓輥31B的排列稱為列。另外，如上所述，搬送輥31A具有輥31a與軸31b，按壓輥31B具有上置輥31c與軸31d。在本實施方式中，輥31a的外徑相當於搬送輥31A的外徑，上置輥31c的外徑相當於按壓輥31B的外徑，輥31a與上置輥31c的分離距離相當於搬送輥31A與按壓輥31B的分離距離。

本實施方式中，各組的上置輥31c的外徑沿著搬送方向A1而變大，由此各組的輥31a與上置輥31c的分離距離具有沿著搬送方向A1而變短的部分。即，本實施方式中，將搬送輥31A的軸31b與按壓輥31B的軸31d的分離距離設為固定，並且沿著搬送方向A1逐漸增大上置輥31c的外徑。由此，本實施方式中，上置輥31c與輥31a的分離距離具有逐漸變小的部分。此處，所謂外徑是圓柱形的上置輥31c的與軸正交的剖面的直徑。

例如，最初與基板W接觸之列的上置輥31c的外徑最小，自所述上置輥31c起數列的上置輥31c的外徑沿著搬送方向A1依次變大，在外徑變得最大的上置輥31c以後，外徑變為固定。由此，上置輥31c與輥31a的分離距離在外徑最小的上置輥31c與輥31a之間最長。最長的上置輥31c與輥31a的分離距離優選為比基板W的翹曲量長。

進而，上置輥31c與輥31a的分離距離沿著搬送方向A1逐漸變短，在外徑最大的上置輥31c與輥31a之間最短，自此之後變為固定。固定的分離距離優選為能夠搬送基板W的厚度以下的基板的規定距離。

在圖6的示例中，以自搬送方向A1的上游側起的第四列的輥31a為起點，開始為最初與基板W接觸的上置輥31c的列。包含所述列在內的四列的上置輥31c的外徑沿著搬送方向A1而逐漸變大，自第四列的上置輥31c起變為固定的外徑。此外，只要自搬送方向A1的上游側起的至少兩列的上置輥31c的外徑逐漸變大即可，但更優選為三列以上的上置輥31c的外徑逐漸變大。另外，當對上置輥31c進行旋轉驅動時，優選外徑不同的上置輥31c以相同的圓周速度被旋轉驅動，更優選為與輥31a相同的圓周速度。

在以上的本實施方式中，也可藉由利用按壓輥31B自上方按住翹曲的基板W的兩端，且使自下側支承基板W的搬送輥31A及按壓輥31B驅動，來矯正翹曲並搬送基板W。而且，按壓輥31B的上置輥31c的外徑在自最初與翹曲的基板W接觸之列的上置輥31c起數列中沿著搬送方向A1依次變大。由此，上置輥31c與輥31a的分離距離沿著搬送方向A1依次變窄，因此可降低由急劇的矯正所引起的翹曲的基板W的破損風險。

另外，軸31b與軸31d的間隔未必需要設為固定，但在將間隔設為固定的情況下，與改變間隔的情況相比，可簡化軸31b及軸31d的支撐結構。進而，藉由更換為外徑不同的上置輥31c，可容易地調整上置輥31c與輥31a的間隔。

此外，如圖7所示，在按壓輥31B為例如在上置輥31c的外周所設置的槽中具有O型環31e的結構的情況下，各組的按壓輥31B的O型環31e的外徑沿著搬送方向A1而變大，由此，各組的搬送輥31A與按壓輥31B的分離距離也可具有沿著搬送方向A1而變短的部分。在所述形態中，O型環31e的外徑相當於按壓輥31B的外徑，輥31a與O型環31e的分離距離相當於搬送輥31A與按壓輥31B的分離距離。

所述形態中，藉由將上置輥31c的外徑設為固定，並且沿著搬送方向A1逐漸增大O型環31e的外徑，搬送輥31A與按壓輥31B的分離距離具有逐漸變小的部分。此處，所謂外徑是O型環31e的與軸正交的剖面的外周圓的直徑。此外，若將O型環31e的徑向上的長度設為厚度，將軸向上的長度設為寬度，則O型環31e的厚度沿著搬送方向A1而逐漸變大。

根據此種形態，由於按壓輥31B與搬送輥31A之間的分離距離沿著搬送方向A1依次變窄，故也可降低由急劇的矯正所引起的翹曲的基板W的破損風險。另外，未必需要將上置輥31c的外徑設為固定，但在將外徑設為固定的情況下，僅藉由更換為外徑不同的O型環31e，便可容易地調整按壓輥31B與搬送輥31A的間隔，也可抑制成本。

＜第四實施方式＞ 參照圖8至圖11的（A）及圖11的（B）對第四實施方式進行說明。此外，在本實施方式中，對與第一實施方式至第三實施方式的不同點（一對上置輥31c的距離）進行說明，而省略其他說明。此外，在本實施方式中，一對上置輥31c的距離相當於一對按壓輥31B的距離。

本實施方式中，配置於與搬送方向A1正交的方向的一對上置輥31c之間的距離具有沿著搬送方向A1而變長的部分。本實施方式中，在與搬送方向A1正交的方向上相向的一對上置輥31c之間的距離自最初與翹曲的基板W接觸的上置輥31c、即位於搬送方向A1的最上游的上置輥31c起沿著搬送方向A1依次變寬。

例如，最初與基板W接觸之列的一對上置輥31c的間隔最窄，自所述上置輥31c起數列的上置輥31c的間隔沿著搬送方向A1依次變寬，在寬度變得最大之列的一對上置輥31c以後，間隔變為固定。

在圖8的示例中，包含最初與基板W接觸之列在內的四列的一對上置輥31c的間隔沿著搬送方向A1逐漸變大，自第四列的上置輥31c起變為固定間隔。只要至少兩列的一對上置輥31c的間隔逐漸變大即可，但更優選為三列以上的一對上置輥31c的間隔逐漸變大。另外，如圖9的（A）所示，最窄的一對上置輥31c的間隔優選為如下間隔：在基板W因翹曲而與搬送方向A1正交的方向上的寬度變短的情況下，也與基板W的上表面的兩端區域接觸。進而，如圖9的（B）所示，固定的一對上置輥31c的間隔優選為與變得平坦的基板W的上表面的兩端區域接觸的間隔。此外，在本實施方式中，搬送輥31A的軸31b與按壓輥31B的軸31d的間隔如第一實施方式、第二實施方式所示，隨著自圖9的（A）所示的位置至圖9的（B）所示的位置而變窄。

在以上的本實施方式中，也可藉由利用按壓輥31B自上方按住翹曲的基板W的兩端，且使自下側支承基板W的搬送輥31A及按壓輥31B驅動，來矯正翹曲並搬送基板W。而且，一對上置輥31c的間隔在自最初與翹曲的基板W接觸之列的一對上置輥31c起的數列中沿著搬送方向A1依次變寬。由此，可利用上置輥31c按住因翹曲而寬度變窄的基板W的端部，以矯正翹曲並進行搬送。

即，如圖9的（A）所示，當為在與搬送方向A1正交的方向上具有翹曲的基板W時，與搬送方向A1正交的方向上的寬度變窄。於是，若根據不具有翹曲的基板W的寬度設定一對上置輥31c的間隔（參照圖9的（B）），則有可能上置輥31c無法按壓基板W的端部。在本實施方式中，最初與翹曲的基板W接觸之列的一對上置輥31c的間隔窄，自此之後的數列中一對上置輥31c的間隔依次變寬，由此可按壓具有翹曲的基板W的端部來矯正翹曲。進而，藉由將本實施方式與所述第一實施方式、第二實施方式或第三實施方式加以組合，可矯正在搬送方向A1及與搬送方向A1正交的方向此兩方向具有翹曲的基板W。

此外，如圖10所示，按壓輥31B也可為例如在上置輥31c的外周所設置的槽中具有O型環31e的結構且各組的上置輥31c的O型環31e的寬度具有沿著搬送方向A1而變大的部分。在此種形態中，自最初與具有翹曲的基板W接觸之列的上置輥31c起，數列的上置輥31c的O型環31e的寬度沿著搬送方向A1依次變大。

在圖10的示例中，自最初與基板W接觸的上置輥31c起，三列的按壓輥31B的O型環31e的寬度小，自第四列的O型環31e起寬度變大。只要至少兩列的上置輥31c的O型環31e的寬度逐漸變大即可。另外，如圖11的（A）所示，最窄的O型環31e的寬度優選為如下寬度：在基板W因翹曲而與搬送方向A1正交的方向上的寬度變短的情況下，也與基板W的上表面的兩端區域接觸，但不與形成於基板W上的電路等的圖案P接觸。進而，如圖11的（B）所示，變寬的O型環31e的寬度優選為與變得平坦的基板W的上表面的兩端區域接觸但不與圖案P接觸的寬度。此外，在本形態中，搬送輥31A的軸31b與按壓輥31B的軸31d的間隔也如第一實施方式、第二實施方式所示，隨著自圖11的（A）所示的位置至圖11的（B）所示的位置而變窄。

根據此種形態，如圖11的（A）所示，能夠利用上置輥31c按住因基板W的翹曲而自上表面觀察時面積變窄的翹曲的基板W上的除圖案P以外的非圖案形成部，並且可防止O型環31e與形成於基板W上的圖案P接觸，並進行搬送。

＜第五實施方式＞ 參照圖12、圖13對第五實施方式進行說明。此外，在第五實施方式中，對與第一實施方式至第四實施方式的不同點（氣體吹出部51附近的上置輥31c的形態）進行說明，而省略其他說明。在本實施方式中，輥31a的外徑也相當於搬送輥31A的外徑，上置輥31c的外徑也相當於按壓輥31B的外徑，輥31a與上置輥31c的分離距離也相當於搬送輥31A與按壓輥31B的分離距離，氣體吹出部51與上置輥31c的距離相當於氣體吹出部51與按壓輥31B的距離。

本實施方式中，如圖12所示，在乾燥部50中，自比氣體吹出部51更靠搬送方向A1的下游起，輥31a與上置輥31c的分離距離具有沿著搬送方向A1而變短的部分。例如，在比氣體吹出部51更靠搬送方向A1的下游，最靠近氣體吹出部51之列的上置輥31c的外徑最小，且與輥31a的分離距離最大。最大的分離距離優選為比基板W的翹曲量長。自所述外徑最小的上置輥31c起數列的上置輥31c與輥31a的分離距離沿著搬送方向A1逐漸變短，其後，變為固定。固定的分離距離優選為能夠搬送基板W的厚度以下的基板的規定距離。

在圖12的示例中，最靠近氣體吹出部51之列的上置輥31c的外徑比其他上置輥31c小，其下游的三列的上置輥31c與輥31a的距離沿著搬送方向A1逐漸變小，自最靠近氣體吹出部51之列起的第四列的上置輥31c與輥31a開始，分離距離變為固定。只要至少兩列的上置輥31c與輥31a的分離距離逐漸變小即可。如上述實施方式所示，分離距離的調整可改變按壓輥31B的軸31d的位置，也可改變按壓輥31B的外徑。在改變按壓輥31B的外徑的情況下，可改變上置輥31c的外徑，也可改變O型環31e的外徑。

在本實施方式中，氣體吹出部51的下游的上置輥31c與輥31a的分離距離沿著搬送方向A1依次變窄，故可降低由急劇的矯正所引起的翹曲的基板W的破損風險，並進行搬送。另外，在上述實施方式中，在氣體吹出部51附近，因存在氣體吹出部51，上置輥31c在搬送方向A1上的間隔變寬（參照圖4、圖5）。但是，在本實施方式中，在最靠近氣體吹出部51的位置配置外徑小的上置輥31c，並且能夠藉由所述上置輥31c按住翹曲量大的基板W的翹曲部分。進而，由於可使氣體吹出部51與上置輥31c的距離接近，並且藉由上置輥31c按壓基板W的翹曲部分，故可防止基板W與氣體吹出部51接觸而破損。

此外，如圖13所示，在乾燥部50中，也可將上置輥31c與輥31a的分離距離設為固定，並且在最靠近氣體吹出部51的位置配置外徑小於其他上置輥31c的外徑的上置輥31c。在此種情況下，也可使氣體吹出部51與上置輥31c的距離接近並按壓基板W，故可防止基板W與氣體吹出部51接觸而破損。

＜其他實施方式＞ 在上述說明中，作為基板處理裝置10，例示了對基板W進行清洗處理的清洗處理裝置及對基板W進行乾燥處理的乾燥處理裝置，但並不限定於此，為了製造液晶基板或半導體基板、光掩模等，例如也可使用抗蝕劑處理裝置、曝光處理裝置、顯影處理裝置、蝕刻處理裝置、剝離處理裝置。作為處理液，能夠使用各種藥液。

另外，在上述說明中，例示了以水平狀態搬送基板W的情況，但並不限定於此，也可將基板W傾斜而以傾斜狀態進行搬送，例如，也可使基板W的寬度方向的一端高於其他端部而將基板W傾斜來進行搬送。

另外，在上述說明中，例示了利用不同處理室進行矯正處理及清洗處理的情況，但並不限定於此，也可利用相同處理室進行矯正處理及清洗處理，在矯正處理後，執行清洗處理。

另外，在上述說明中，也可設置測定基板W的翹曲量的測定部、使各按壓輥31B升降的移動機構，根據由測定部測定的基板W的翹曲量來調整各組的搬送輥31A與按壓輥31B的分離距離。例如，在由測定部測定的基板W的翹曲量比規定值大的情況下，根據它們的差，利用移動機構使按壓輥31B上升，使位於搬送方向A1的最上游的一組搬送輥31A與按壓輥31B的分離距離比所測定的基板W的翹曲量大，與此相應地，也調整其他組的搬送輥31A與按壓輥31B的分離距離，以便由各按壓輥31B逐漸地按壓翹曲的基板W。相反地，在由測定部測定的基板W的翹曲量小於規定值的情況下，根據它們的差，使位於搬送方向A1的最上游的一組搬送輥31A與按壓輥31B的分離距離接近所測定的基板W的翹曲量（在為翹曲量以上的條件下），與此相應地，也調整其他組的搬送輥31A與按壓輥31B的分離距離，以便由各按壓輥31B逐漸地按壓翹曲的基板W。

另外，在上述說明中，設為自各液噴射部41將清洗液以避開各搬送輥31A的方式噴出，但並不限定於此，也可將清洗液供給至搬送輥31A。

另外，在上述說明中，以四周翹曲的基板W（四周具有翹曲的基板W）為對象進行了說明，但並不限定於此，例如即使為在矩形的任意兩邊、三邊具有翹曲的基板也可應用本發明。

另外，也可將帶（belt）纏繞於按壓輥31B上來形成輥式輸送機。藉由採用此種結構，與僅使用按壓輥31B的情況相比，與基板W的翹曲接觸的面積增加，故能夠進一步抑制對基板W造成損傷，並且矯正基板W的翹曲。

關於搬送輥31A與按壓輥31B的分離距離，在上述說明中為逐列逐漸變小，但也可構成為在包含排列了兩列以上相同分離距離的列而成的組的狀態下，搬送輥31A與按壓輥31B的分離距離逐漸變小。

以上，對本發明的若干實施方式進行了說明，但這些實施方式是作為示例而提示，並不意圖限定發明的範圍。這些新穎的實施方式能夠以其他各種形態實施，可在不脫離發明的主旨的範圍內進行各種省略、置換、變更。這些實施方式或其變形包含於發明的範圍或主旨中，並且包含於權利要求書中所記載的發明及其均等的範圍中。

10:基板處理裝置 20:處理室 21:矯正處理室 22:清洗處理室 23:乾燥處理室 30:搬送部（基板搬送裝置） 31A:搬送輥 31a:輥 31c:上置輥（輥） 31b、31d:軸 31e:O型環 31B:按壓輥 40:液供給部 41:液噴射部 50:乾燥部 51:氣體吹出部 51a:吹出口 60:控制部 a:鉛垂分離距離 A1:搬送方向 H1:搬送路徑 P:圖案 W:基板

圖1是表示第一實施方式的基板處理裝置的概略結構的一部分的第一圖。 圖2是表示第一實施方式的基板處理裝置的概略結構的一部分的第二圖。 圖3是表示第一實施方式的基板處理裝置的概略結構的一部分的第三圖。 圖4是表示第一實施方式的基板處理裝置的概略結構的一部分的第四圖。 圖5是表示第二實施方式的基板處理裝置的概略結構的一部分的圖。 圖6是表示第三實施方式的基板處理裝置的概略結構的一部分的第一圖。 圖7是表示第三實施方式的基板處理裝置的概略結構的一部分的第二圖。 圖8是表示第四實施方式的基板處理裝置的概略結構的一部分的第一平面圖。 圖9的（A）是圖8的箭視A-A'圖、圖9的（B）是箭視B-B'圖。 圖10是表示第四實施方式的基板處理裝置的概略結構的一部分的第二平面圖。 圖11的（A）是圖10的箭視A-A'圖、圖11的（B）是箭視B-B'圖。 圖12是表示第五實施方式的基板處理裝置的概略結構的一部分的第一圖。 圖13是表示第五實施方式的基板處理裝置的概略結構的一部分的第二圖。

10:基板處理裝置

20:處理室

21:矯正處理室

22:清洗處理室

30:搬送部(基板搬送裝置)

31A:搬送輥

31B:按壓輥

60:控制部

a:鉛垂分離距離

A1:搬送方向

H1:搬送路徑

W:基板

Claims (12)

1. 一種基板搬送裝置，包括： 多個搬送輥，搬送具有翹曲的基板；以及 多個按壓輥，以分別與所述多個搬送輥相向而分離的方式設置，且對由所述多個搬送輥搬送的所述基板進行按壓， 相向而分離的所述搬送輥及所述按壓輥設為一組，且沿著所述基板的搬送方向排列有多組， 各組的所述搬送輥與所述按壓輥的分離距離具有沿著所述基板的搬送方向而變短的部分。
2. 如請求項1所述的基板搬送裝置，其中，位於所述基板的搬送方向的最上游的一組所述搬送輥與所述按壓輥的分離距離比所述基板的翹曲量長。
3. 如請求項1所述的基板搬送裝置，其中，所述各組的所述按壓輥的外徑沿著所述基板的搬送方向而變大，由此所述各組的所述搬送輥與所述按壓輥的分離距離具有沿著所述基板的搬送方向而變短的部分。
4. 如請求項3所述的基板搬送裝置，其中，所述按壓輥具有上置輥、以及設置於所述上置輥的外周的O型環， 所述各組的所述按壓輥中O型環的外徑沿著所述基板的搬送方向而變大，由此各組的所述搬送輥與所述按壓輥的分離距離具有沿著所述基板的搬送方向而變短的部分。
5. 如請求項1至4中任一項所述的基板搬送裝置，其中，配置於與所述基板的搬送方向正交的方向的一對所述按壓輥的距離具有沿著所述基板的搬送方向而變長的部分。
6. 如請求項5所述的基板搬送裝置，其中，所述按壓輥具有上置輥、以及設置於所述上置輥的外周的O型環， 所述各組的所述按壓輥中O型環的寬度具有沿著所述基板的搬送方向而變大的部分。
7. 一種基板處理裝置，包括： 如請求項1至6中任一項所述的基板搬送裝置；以及 液供給部，對由所述基板搬送裝置搬送的所述基板供給處理液。
8. 一種基板處理裝置，包括： 如請求項1至6中任一項所述的基板搬送裝置；以及 乾燥部，使由所述基板搬送裝置搬送的所述基板乾燥。
9. 如請求項8所述的基板處理裝置，其中，所述乾燥部中位於所述基板的搬送方向的最上游的一組所述搬送輥與所述按壓輥的分離距離，在所述乾燥部內的多組所述搬送輥與所述按壓輥的分離距離中最長。
10. 如請求項9所述的基板處理裝置，其中，所述乾燥部中位於所述基板的搬送方向的最上游的一組所述搬送輥與所述按壓輥的分離距離，比所述基板搬送裝置中位於所述基板的搬送方向的最上游的一組所述搬送輥與所述按壓輥的分離距離短。
11. 如請求項8至10中任一項所述的基板處理裝置，其中，所述乾燥部具有氣體吹出部， 自比所述氣體吹出部更靠所述基板的搬送方向的下游起，所述搬送輥與所述按壓輥的分離距離具有沿著所述基板的搬送方向而變短的部分。
12. 如請求項11所述的基板處理裝置，其中，自比所述氣體吹出部更靠所述基板的搬送方向的下游起，最靠近所述氣體吹出部的按壓輥的外徑比其他按壓輥的外徑小。

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