JPH11297598A - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置

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JPH11297598A
JPH11297598A JP9960898A JP9960898A JPH11297598A JP H11297598 A JPH11297598 A JP H11297598A JP 9960898 A JP9960898 A JP 9960898A JP 9960898 A JP9960898 A JP 9960898A JP H11297598 A JPH11297598 A JP H11297598A
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JP
Japan
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substrate
processing
liquid
port
chamber
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Pending
Application number
JP9960898A
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English (en)
Inventor
Mitsuo Ogasawara
光雄 小笠原
Takeshi Taniguchi
竹志 谷口
Satoshi Suzuki
聡 鈴木
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 プリウェットローラから基板に供給された処
理液が処理チャンバーの搬入口の方向に広がることを抑
える。 【解決手段】 基板処理装置は、エッチングチャンバー
と、プリウェットローラ20と、薬液供給パイプ30
と、気体供給パイプ50とを備える。エッチングチャン
バーは、基板Wを搬入する搬入口12を有する。プリウ
ェットローラ20は、搬入される基板Wの上方に位置
し、薬液供給パイプ30から供給された薬液を基板Wに
供給する。気体供給パイプ50は、搬入口12とプリウ
ェットローラ20との基板搬送方向の間に設けられ、搬
入される基板Wの上方に位置し、プリウェットローラ2
0から基板Wに供給される薬液が搬入口12の方向に流
れることを抑えるようにエアーを吹き出す。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶用ガラス基板
や半導体基板等の各種薄板状基板に対して処理チャンバ
ー内でエッチング液や現像液等の処理液により基板に所
定の処理を施す基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】基板処理装置は、一般に、基板に処理液
を供給して処理を施す複数の処理チャンバーを有してい
る。各処理チャンバー内においては、基板をローラコン
ベアなどによって搬送しながら、スプレーノズルから基
板表面にエッチング液や現像液などを噴射して、基板を
エッチング処理したり現像処理したりする。
【0003】このような基板処理装置には、スプレーノ
ズルによって吹き付けられた処理液が飛沫となって搬入
口の方へ跳ね返って処理前の基板にかかり、これにより
処理むらが生じるといった問題がある。この問題を解決
するために、本願出願人は、特開平6−177113号
公報の技術を提案している。この公報に記載の装置で
は、スペーサローラ(本明細書では、液供給ローラとい
う。)を介して処理チャンバーの搬入口付近で予め基板
に処理液を供給することで、上記の処理むらの問題を抑
さえている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、液供給
ローラにより搬入口付近で基板に処理液を供給する場
合、液供給ローラから基板に供給された処理液が搬入口
方向に広がり、処理液が基板を伝って搬入口から処理チ
ャンバーの外部に出てしまうという不具合が生じる恐れ
がある。特に、基板の搬入時の搬送速度が低速の場合に
は、このような不具合の生じる恐れが高い。
【0005】本発明の課題は、液供給ローラを採用した
処理チャンバーを備える基板処理装置において、液供給
ローラから基板に供給された処理液が処理チャンバーの
搬入口の方向に広がることを抑えることにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】請求項1に係る基板処理
装置は、処理チャンバーと、液供給ローラと、処理液供
給手段と、気体供給手段とを備えている。処理チャンバ
ーは、搬入されてきた基板に処理液を供給して基板に処
理を施すチャンバーであり、基板を搬入する搬入口を有
している。液供給ローラは、処理チャンバー内に設けら
れており、搬入される基板の上方に位置する。この液供
給ローラは、基板に処理液を供給する。処理液供給手段
は、液供給ローラに処理液を供給する。気体供給手段
は、搬入口と液供給ローラとの基板の搬送方向の間に設
けられており、搬入される基板の上方に位置する。この
気体供給手段は、液供給ローラから基板に供給される処
理液が搬入口の方向に流れることを抑えるように気体を
吹き出す。
【0007】ここでは、搬入口と液供給ローラとの間に
設けられた気体供給手段から気体が吹き出されているた
め、液供給ローラから基板に供給される処理液が搬入口
の方向に流れることが抑えられる。これにより、処理液
が基板を伝って搬入口から処理チャンバーの外部に出て
しまうという不具合の発生を殆どなくすことができる。
【0008】請求項2に係る基板処理装置は、請求項1
に記載の装置において、気体供給手段は基板の搬送方向
に沿って気体を吹き出す。ここでは、基板の搬送方向、
すなわち、搬入口に向かう方向とは反対の方向に沿って
気体供給手段から気体が吹き出されるため、処理液が搬
入口の方に流れることをより抑えることができる。
【0009】請求項3に係る基板処理装置は、請求項1
又は2に記載の装置において、気体供給手段は気体吹き
出し部を有している。気体吹き出し部は、基板の搬送方
向に交差する方向に延設されている。この気体吹き出し
部には、複数の気体吹き出し口が設けられている。ここ
では、基板の搬送方向と交差する方向に気体吹き出し部
が延設されているので、基板の幅方向全体に渡って、処
理液が搬入口の方に流れることを抑えられる。また、気
体吹き出し部には、基板の幅方向全体に渡って処理液が
搬入口の方に流れることを抑えられるように、適当な間
隔で複数の気体吹き出し口が設けられ、各気体吹き出し
口からは適当な速度及び流量の気体が吹き出される。
【0010】請求項4に係る基板処理装置は、請求項1
から3のいずれかに記載の装置において、スプレーノズ
ルと、カバーとをさらに備えている。スプレーノズル
は、処理チャンバー内に設けられるもので、液供給ロー
ラよりも基板の搬送方向下流側に位置する。このスプレ
ーノズルは、基板に対して処理液を噴射する。カバー
は、処理チャンバー内に設けられ、搬入口付近の空間を
他のチャンバー内の空間から隔離する。このカバーは、
スプレーノズルから基板に噴射された処理液が搬入口付
近の空間に飛散してこないように、搬入口付近を隔離し
ている。
【0011】本基板処理装置では、スプレーノズルから
噴射される処理液が処理チャンバー内に搬入されてきた
搬入口付近の基板にかからないようにするカバーを設け
るとともに、スプレーノズルよりも基板の搬送方向上流
側に設けられた液供給ローラによって予め基板に処理液
が供給される。本基板処理装置によると、搬入口を通っ
て処理チャンバー内へ搬入されてきた基板は、搬入口付
近において、スプレーノズルから基板に噴射され処理チ
ャンバー内に飛散した処理液が基板にかからないように
される。これにより、基板の先頭部分を処理していると
きに基板の後端部分に処理液がかかり基板に対する処理
液の供給量の不均一から処理むらが発生することが抑え
られる。さらに、スプレーノズルよりも基板の搬送方向
上流側に設けられた液供給ローラによって基板に処理液
が供給されることで、基板の処理を開始するタイミング
が基板の幅方向全体にわたって同じになり、処理むらが
より抑えられる。そして、気体供給手段から気体が吹き
出されているため、液供給ローラから基板に供給される
処理液が搬入口の方向に流れることが抑えられ、処理液
が基板を伝って搬入口から処理チャンバーの外部に出て
しまうという不具合の発生も殆どなくなる。
【0012】
【発明の実施の形態】図1に本発明の一実施形態である
基板処理装置の一部(エッチングチャンバー周辺)を示
す。基板処理装置は、液晶表示器用のガラスの基板W上
に形成された薄膜にエッチング処理を施す装置であっ
て、主として、一連のチャンバー(導入チャンバー8
0、エッチングチャンバー10、水洗チャンバー90,
図示しない乾燥搬出チャンバー)と、各チャンバーを貫
通して搬送路を形成する搬送ローラ16とから構成され
ている。
【0013】表面上に薄膜が形成された基板Wがこの基
板処理装置に運ばれてくると、まず基板Wは導入チャン
バー80に搬入される。その後、基板Wは搬送ローラ1
6によってエッチングチャンバー10に移動する。エッ
チングチャンバー10では、エッチング用の薬液(処理
液)が基板Wに供給され、基板表面上の薄膜が所定の厚
さだけ食刻される。このようにエッチングされた基板W
は、次に水洗チャンバー90に送られて、基板Wに付着
した薬液が洗い流される。そして、水洗処理を終えた基
板Wは、水洗チャンバーに隣接する図示しない乾燥搬出
チャンバーでエアー吹き付けによる乾燥処理が行われた
後に搬出される。
【0014】なお、このように基板Wは図1の左方から
右方に向かう搬送方向Dに沿って搬送されるが、以下、
図1左側を基板搬送方向における上流側、図1右側を下
流側という。すなわち、エッチングチャンバー10に関
しては、導入チャンバー80が存在する側が上流側、水
洗チャンバー90が存在する側が下流側となる。図1に
エッチングチャンバー(処理チャンバー)10を示す。
エッチングチャンバー10は、導入チャンバー80と水
洗チャンバー90との間に配置されている。エッチング
チャンバー10の前方壁11には搬入口12が形成され
ている。この搬入口12には、図3に示すように矩形の
開口を有する筒状のチャンバー連結部材13が装着され
ており、このチャンバー連結部材13の開口を通って導
入チャンバー80からエッチングチャンバー10に基板
Wが搬入される。同様に、エッチングチャンバー10の
後方壁18には搬出口19が形成されており、水洗チャ
ンバー90とつながっている。
【0015】また、エッチングチャンバー10の内部
は、カバー14により前部空間10aと後部空間10b
とに隔離されており、後部空間10bに基板Wに薬液4
0を噴射するスプレー36が配備されている。このスプ
レー36は、スプレーノズル38から薬液40を噴射し
て、基板Wの上面及び下面に薬液を供給する。図2〜図
4に、エッチングチャンバー10の前部空間10aに配
備される各部材を示す。図2は、搬入口12付近の搬送
ローラ16、液供給ローラ20及び薬液供給パイプ30
を下流側から上流側に向かって見た状態を示す裏面図で
ある。図3は、エッチングチャンバー10の搬入口12
付近の概略構成を示す側断面図である。図4は、気体供
給パイプ50を下流側から上流側に向かって見た状態を
示す裏面図である。
【0016】カバー14は、エッチングチャンバー10
の前方壁11に固定されるもので、前方壁11に固定さ
れる固定部14aと、基板搬送方向に沿って下流側に向
かって延設された傾斜天井部14bと、この傾斜天井部
14bの先端縁から基板の搬送方向に対し直交するよう
に吊設された縦壁部14cとから構成されている。縦壁
部14cの基板Wが搬送される位置には、図3に示すよ
うに開口14dが設けられている。
【0017】エッチングチャンバー10内の前部空間1
0a、すなわちカバー14で囲われた搬入口12付近の
空間には、搬送ローラ16の他、基板搬送方向に直交す
る液供給ローラ20、薬液供給パイプ(処理液供給手
段)30、及び気体供給パイプ(気体供給手段,気体吹
き出し部)50が配備されている。液供給ローラ20
は、搬送ローラ16の1つの上方に配置されている。こ
の液供給ローラ20は、その軸方向における両端部に一
対の大径部22が形成されており、その一対の大径部2
2間が、大径部22より所定寸法だけ径を小さくした小
径部24となっている。また、液供給ローラ20は、そ
の両側支軸26が図示しない各軸受部にそれぞれ回転自
在にかつ鉛直方向に摺動自在に支持されている。そし
て、液供給ローラ20は、搬送ローラ16に支持されて
搬送される基板Wの表面に一対の大径部22が当接した
状態で基板W上に載置され、基板Wの搬送に伴って回転
する。このとき、液供給ローラ20の小径部24の外周
面と基板Wの表面との間に、大径部22と小径部24と
の半径差に応じた所定の隙間28が形成される。この隙
間28の寸法は、例えば0.5mm程度である。
【0018】薬液供給パイプ30は、パイプの中心が液
供給ローラ20の軸芯に対して基板搬送方向下流側(図
1及び図3の右側)にずれて配置されており、液供給ロ
ーラ20の上方に配置されている。この薬液供給パイプ
30には、薬液供給源から供給される薬液を液供給ロー
ラ20の外周面上に供給するための多数の小孔32が形
成されている。小孔32から滴下される薬液34は、図
3に示すように、液供給ローラ20の外周面の下流側
(図1及び図3の右側)に供給される。
【0019】気体供給パイプ50は、基板の搬送方向に
対して直交するように液供給ローラ20に平行に延設さ
れているもので、基板搬送方向に対しては搬入口12と
液供給ローラ20との間に配置され、鉛直方向に対して
は基板Wの上方に配置されている(図3参照)。この気
体供給パイプ50は、下部のうち液供給ローラ20側に
複数の気体吹き出し口52が形成されており、これら気
体吹き出し口52から基板搬送方向に沿って斜め下向き
にエアーを吹き出す(図3の矢印A1参照)。気体吹き
出し口52は、図4に示すように、一定の間隔で配置さ
れており、その直径は約1mmである。
【0020】上記構成のエッチングチャンバー10に搬
入口12を通して基板Wが搬入されてくると、基板W上
に液供給ローラ20が載置され、液供給ローラ20の小
径部24の外周面と基板Wの表面との間に所定の隙間2
8が形成される。そして、液供給ローラ20の外周面上
に薬液供給パイプ30の小孔32から薬液34が滴下さ
れ、搬送状態の基板Wの表面には、隙間28による薬液
の堰き止め作用と薬液自体の表面張力とにより、隙間2
8の形成位置より下流側(図3の右側)に液溜りが形成
される。一方、スプレー36のスプレーノズル38から
噴射される薬液40は、カバー14によって遮蔽され、
搬送状態の基板Wの表面の隙間28の形成位置より基板
搬送方向上流側には、降り注いだり跳ね返ったりするこ
とがない。この結果、基板Wの表面は、基板搬送方向に
対し直交する方向に形成された隙間28を通過した部分
から薬液と接触することになり、これにより、エッチン
グを開始するタイミングが基板Wの幅方向全体にわたっ
て同じになり、基板Wの表面全体に均一な処理が行なわ
れることになる。
【0021】また、基板Wの搬送速度が遅い場合、液供
給ローラ20の小径部24の外周面と基板Wの表面との
間の隙間28から薬液が搬入口12側(図3の左側)に
流れ広がってくるが、気体供給パイプ50内の高圧エア
ーが気体吹き出し口52から図3の矢印A1の向きに吹
き出されているため、薬液が基板Wを伝って搬入口12
からエッチングチャンバー90の外部に出て導入チャン
バー80内に流れていくことがない。なお、気体吹き出
し口52同士の間隔や各気体吹き出し口52の大きさ
は、搬入口12の方への薬液の流れを阻止しうるように
適正に決められ、気体吹き出し口52からは適当な速度
及び流量のエアーが吹き出される。
【0022】このエッチングチャンバー10の後部空間
10b内では、図示しないエンドポイントセンサーによ
ってエッチングの終了が検出されるまでの間、基板Wは
搬送方向に沿って往復動させられながらスプレー36か
らの薬液噴射を受ける。上記のようにして所定のエッチ
ングの処理を終えた基板Wは、搬送ローラ16によって
水洗チャンバー90に送られていく。
【0023】なお、本実施形態では気体供給パイプ50
は基板搬送方向に沿って斜め下向きにエアーを供給して
いるが、隙間28から搬入口12側に流れ広がってくる
薬液の流れを阻止しうる程度の流量のエアーを供給すれ
ば、基板搬送方向に対して垂直方向にエアーを供給して
もよい。 [他の実施形態]上記実施形態の基板処理装置はエッチ
ングのための装置であるが、本発明を適用することので
きる基板処理装置はこれに限定されるものではない。現
像処理やその他の処理液による処理を行う基板処理装
置、あるいはこれらの複数の処理を連続的に行う基板処
理装置にも本発明を適用することができる。
【0024】また、上記実施形態の基板処理装置は液晶
表示器用のガラスの基板を処理するものであるが、半導
体基板用のシリコンウエハ等を処理する他の基板処理装
置に本発明を適用してもよい。
【0025】
【発明の効果】本発明では、搬入口と液供給ローラとの
基板の搬送方向の間に設けられた気体供給手段から気体
が吹き出されているため、液供給ローラから基板に供給
される処理液が搬入口の方向に流れることが抑えられ、
処理液が基板を伝って搬入口から処理チャンバーの外部
に出てしまうという不具合の発生を殆どなくすことがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態における基板処理装置の一
部概略図。
【図2】液供給ローラ等の裏面図。
【図3】図2のIII −III 矢視断面図。
【図4】気体吹付パイプの裏面図。
【符号の説明】
10 エッチングチャンバー 12 搬入口 14 カバー 16 搬送ローラ 20 液供給ローラ 30 薬液供給パイプ(処理液供給手段) 34,40 薬液 36 スプレー 38 スプレーノズル 50 気体供給パイプ(気体供給手段,気体吹き出し
部) 52 気体吹き出し口 W 基板

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】基板を搬入する搬入口を有し、搬入されて
    きた基板に処理液を供給して基板に処理を施す処理チャ
    ンバーと、 前記処理チャンバー内において搬入される基板の上方に
    設けられ、前記基板に処理液を供給する液供給ローラ
    と、 前記液供給ローラに処理液を供給する処理液供給手段
    と、 前記搬入口と前記液供給ローラとの基板の搬送方向の間
    において搬入される基板の上方に設けられ、前記液供給
    ローラから基板に供給される処理液が前記搬入口の方向
    に流れることを抑えるように気体を吹き出す気体供給手
    段と、を備えた基板処理装置。
  2. 【請求項2】前記気体供給手段は基板の搬送方向に沿っ
    て気体を吹き出す、請求項1に記載の基板処理装置。
  3. 【請求項3】前記気体供給手段は、基板の搬送方向に交
    差する方向に延設される気体吹き出し部を有しており、 前記気体吹き出し部には、複数の気体吹き出し口が設け
    られている、請求項1又は2に記載の基板処理装置。
  4. 【請求項4】前記処理チャンバー内において前記液供給
    ローラよりも基板の搬送方向下流側に設けられ、基板に
    対して処理液を噴射するスプレーノズルと、 前記スプレーノズルから基板に噴射された処理液が前記
    搬入口付近に飛散しないように、前記処理チャンバー内
    に設けられ前記搬入口付近を隔離するカバーと、をさら
    に備えた請求項1から3のいずれかに記載の基板処理装
    置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013089609A (ja) * 2011-10-13 2013-05-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
KR20140001903U (ko) * 2012-09-25 2014-04-02 미쓰비시 세이시 가부시키가이샤 레지스트층의 박막화 장치

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JP2013089609A (ja) * 2011-10-13 2013-05-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
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