JP7333147B2 - 誘電率段階調整可能な低温共焼結誘電体材料及びその製造方法 - Google Patents
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- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 title claims description 32
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 19
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 34
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 34
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 33
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 21
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 21
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 9
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 8
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 6
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 12
- FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N potassium nitrate Chemical compound [K+].[O-][N+]([O-])=O FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N sodium nitrate Chemical compound [Na+].[O-][N+]([O-])=O VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 7
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 5
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ICSSIKVYVJQJND-UHFFFAOYSA-N calcium nitrate tetrahydrate Chemical compound O.O.O.O.[Ca+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O ICSSIKVYVJQJND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 4
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 4
- PEYVWSJAZONVQK-UHFFFAOYSA-N hydroperoxy(oxo)borane Chemical compound OOB=O PEYVWSJAZONVQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 4
- 235000010333 potassium nitrate Nutrition 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 235000010344 sodium nitrate Nutrition 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 3
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 3
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(iii) oxide Chemical compound O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000010309 melting process Methods 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- ULGYAEQHFNJYML-UHFFFAOYSA-N [AlH3].[Ca] Chemical compound [AlH3].[Ca] ULGYAEQHFNJYML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000003631 expected effect Effects 0.000 description 1
- 239000000156 glass melt Substances 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 239000002667 nucleating agent Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/48—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates
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- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
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- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
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- C04B35/14—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on silica
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- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/16—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on silicates other than clay
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- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
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- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/16—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on silicates other than clay
- C04B35/22—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on silicates other than clay rich in calcium oxide, e.g. wollastonite
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Description
本発明は、セラミック材料技術分野に属し、具体的に、誘電率段階調整可能な低温共焼結誘電体材料及びその製造方法に関する。
半導体技術の発展に伴い、アクティブデバイスのパッケージングは、急速に発展してきた。しかしながら、実際的なデバイス応用において、パッシブデバイス（コンデンサ、インダクタ等）の数は、一般的に、アクティブデバイスよりも十倍以上多くなる。そのような大きいパッシブデバイスの数は、デバイスの小型化の発展を制限してきた。低温共焼結セラミック技術は、その独特の三次元立体構造により、現在最も有望なパッシブデバイスパッケージング技術となる。よく使用される低温共焼結セラミック材料は、主に、微結晶ガラス系とガラス／セラミック複合系に基づくものである。現在、ジルコニアが低温共焼結セラミック材料における検討は、主に、微結晶ガラス系に集中し、即ち、ジルコニアを核剤としてガラスの結晶化を制御する。異なる成分のガラスには、加えたジルコニアの含有量が、一般的に、１％～１０％であり、しかも一般的に最適値が存在する。この最適値から離れると、明らかな性能の劣化につながるため、試料の誘電率が比較的に単一となる。ガラス／セラミック複合系には、その中のガラスは、主に焼結温度の低下に寄与する一方、セラミック材料は、主に焼結後の性能を決定する。Ｉ．Ｃｈｏｉらは、ＺｒＯ２をセラミック填充材とするカルシウムアルミニウムホウケイ酸塩ガラス主相（融解・焼入れ法により主相を共焼結して製造することを検討したが、得られた試料の誘電率が９程度であり、しかも誘電損失が高い（ｔａｎδ＝０．００６）。まとめると、研究者がジルコニアの低温共焼結セラミックにおける応用を検討及び探索を試みたが、これらの製品の誘電率が比較的に単一となり、ガラス相の高誘電成分が多いため、材料系全体が誘電率の連続的調整を実現するができない。低温共焼結セラミック材料の集積モジュールには、異なる誘電率の材料を含むことが多く、これらの材料が異なる材料系に基づくものであると、共焼結の際にそれらの間の焼結特性の相違により、クラックや反り等の欠損を引き起こすことがある。一方、同一材料系に基づいて誘電率が段階調整可能な配合を開発できれば、このような課題を効果的に避けることができる。なお、現在のガラス／セラミック複合に基づくＬＴＣＣ材料において、殆どのガラスが融解・焼入れ法により得られるものである。このような方法は、主に二つの欠点がある。一つとして、ガラスにおけるＢ２Ｏ３、及びＢｉ２Ｏ３のような蒸発しやすい成分の存在により、得られるガラス粉末は、最初的に設計された成分と異なるため、最終的な試料の性能は、予想された効果に及ばない。もう一つとして、このような方法は、ＣａＯ-ＳｉＯ２ガラス等のような、いずれのガラスの製造に適用することができない。
本発明の目的は、従来技術にある欠点を克服し、誘電率段階調整可能な低温共焼結誘電体材料及びその製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明が採用する技術案は、ジルコニア主相とシリコン系非結晶相充填材とを含み、前記ジルコニア主相とシリコン系非結晶相充填材との重量比が、ジルコニア主相：シリコン系非結晶相充填材＝４０～６５：３５～６０であり、重量百分率で、前記シリコン系非結晶相充填材におけるＳｉＯ２の含有量は≧５０％である、誘電率段階調整可能な低温共焼結誘電体材料である。
ジルコニア主相とシリコン系非結晶相充填材からなる低温共焼結誘電体材料は、誘電率調整可能性が向上し、７～１２の範囲内の誘電率の調整を達成することができる。
好ましくは、前記低温共焼結誘電体材料が、重量百分率で、ＺｒＯ２ ４０％～６５％、ＳｉＯ２ ２７．０３％～４６．３３％、Ｎａ２Ｏ ０．２７％～０．４６％、Ｋ２Ｏ １．２３％～２．１１％、ＣａＯ ０．７３％～１．２６％、及びＢ２Ｏ３ ５．７３％～９．８３％を含む。この材料系は、類似する焼結特性を有し、共焼結の際にクラックや反り等の欠損を避けることができる。
好ましくは、前記ジルコニア主相が、結晶状態又は非結晶状態である。単斜晶ＺｒＯ２（～２０）と非結晶ＺｒＯ２（～２２）の誘電率が近いため、いずれか一方又は両方を選択しても、７～１２の範囲内の誘電率の調整を達成することができる。
好ましくは、前記シリコン系非結晶相充填材が、ガラス又は非結晶相の混合物である。シリコン系非結晶相を選択すると、高温融解過程を経つ必要がなく、Ｂ２Ｏ３の揮発を避けることができる。
好ましくは、前記シリコン系非結晶相充填材において、ＮａとＫとの原子比が、Ｎａ／Ｋ＝１：２～４である。上記比率によって、誘電損失を低減することができる。
好ましくは、重量百分率で、前記シリコン系非結晶相充填材におけるＡｌ元素の含有量が≦０．０１％である。
好ましくは、前記ＺｒＯ２の粒子径が、０．５μｍ～１０μｍである。ＺｒＯ２の粒子径の範囲内の比表面積が適切となり、この配合で誘電率段階調整可能な低温共焼結誘電体材料を製造することができる。より好ましくは、前記ＺｒＯ２の粒子径が、１μｍ～５μｍである。
前記シリコン系非結晶相充填材は、各成分を混合することにより製造されてもよく、湿式化学法により製造されてもよい。好ましくは、前記シリコン系非結晶相充填材の製造方法は、
オルトケイ酸エチルをアルコールと脱イオン水との混合溶液に溶解する工程Ｓ１と、
溶液のｐＨを１～３に調整する工程Ｓ２と、
ガラス粉末の元素に対応する塩を加えて、６０～８０℃で加熱しながら均一に撹拌する工程Ｓ３と、
溶液のｐＨを６～８に調整してゲル化させ、ゲルを乾燥して６００～７５０℃で焼成し、前記ガラス粉を得る工程Ｓ４と、
を含む。
ジルコニア主相とシリコン系非結晶相充填材からなる低温共焼結誘電体材料は、誘電率調整可能性が向上し、７～１２の範囲内の誘電率の調整を達成することができる。
好ましくは、前記低温共焼結誘電体材料が、重量百分率で、ＺｒＯ２ ４０％～６５％、ＳｉＯ２ ２７．０３％～４６．３３％、Ｎａ２Ｏ ０．２７％～０．４６％、Ｋ２Ｏ １．２３％～２．１１％、ＣａＯ ０．７３％～１．２６％、及びＢ２Ｏ３ ５．７３％～９．８３％を含む。この材料系は、類似する焼結特性を有し、共焼結の際にクラックや反り等の欠損を避けることができる。
好ましくは、前記ジルコニア主相が、結晶状態又は非結晶状態である。単斜晶ＺｒＯ２（～２０）と非結晶ＺｒＯ２（～２２）の誘電率が近いため、いずれか一方又は両方を選択しても、７～１２の範囲内の誘電率の調整を達成することができる。
好ましくは、前記シリコン系非結晶相充填材が、ガラス又は非結晶相の混合物である。シリコン系非結晶相を選択すると、高温融解過程を経つ必要がなく、Ｂ２Ｏ３の揮発を避けることができる。
好ましくは、前記シリコン系非結晶相充填材において、ＮａとＫとの原子比が、Ｎａ／Ｋ＝１：２～４である。上記比率によって、誘電損失を低減することができる。
好ましくは、重量百分率で、前記シリコン系非結晶相充填材におけるＡｌ元素の含有量が≦０．０１％である。
好ましくは、前記ＺｒＯ２の粒子径が、０．５μｍ～１０μｍである。ＺｒＯ２の粒子径の範囲内の比表面積が適切となり、この配合で誘電率段階調整可能な低温共焼結誘電体材料を製造することができる。より好ましくは、前記ＺｒＯ２の粒子径が、１μｍ～５μｍである。
前記シリコン系非結晶相充填材は、各成分を混合することにより製造されてもよく、湿式化学法により製造されてもよい。好ましくは、前記シリコン系非結晶相充填材の製造方法は、
オルトケイ酸エチルをアルコールと脱イオン水との混合溶液に溶解する工程Ｓ１と、
溶液のｐＨを１～３に調整する工程Ｓ２と、
ガラス粉末の元素に対応する塩を加えて、６０～８０℃で加熱しながら均一に撹拌する工程Ｓ３と、
溶液のｐＨを６～８に調整してゲル化させ、ゲルを乾燥して６００～７５０℃で焼成し、前記ガラス粉を得る工程Ｓ４と、
を含む。
従来の融解・焼入れ法により製造されるガラスの成分は、最初的に設計されたガラス成分と異なることが多く、これは、ガラスにおけるＢ２Ｏ３及びＢｉ２Ｏ３のような揮発しやすい成分の高温融解過程における揮発によるものである。上記方法を採用することにより、低温条件（～７００℃）でシリコン系非結晶相充填材を合成することができ、これらの成分の揮発を効果的に抑制することができ、合成されたシリコン系非結晶相充填材の成分を、設計された成分により近いものにする。
前記シリコン系非結晶相充填材の製造方法におけるシリコン以外のその他の元素に対応する塩として、好ましくは、溶解可能な塩であり、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｂの硝酸塩、酢酸塩等であってもよい。
好ましくは、工程Ｓ１において、前記オルトケイ酸エチルとアルコールと脱イオン水の体積比は、１：５～１５：１である。
前記シリコン系非結晶相充填材の製造方法におけるシリコン以外のその他の元素に対応する塩として、好ましくは、溶解可能な塩であり、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｂの硝酸塩、酢酸塩等であってもよい。
好ましくは、工程Ｓ１において、前記オルトケイ酸エチルとアルコールと脱イオン水の体積比は、１：５～１５：１である。
本発明のもう一つの目的は、シリコン系非結晶相充填材とジルコニア主相を比率によってボールミルで６～２４時間混合し、その後、８００～９００℃で焼結して、前記誘電率段階調整可能な低温共焼結セラミック材料を得る工程を含む、前記誘電率段階調整可能な低温共焼結誘電体材料の製造方法を提供することにある。
本発明の有益な効果は以下のとおりである。本発明は、誘電率段階調整可能な低温共焼結誘電体材料を提供し、本発明では、ジルコニア主相とシリコン系非結晶相充填材の割合を制御することにより、得られる材料の誘電率が７～１２という比較的に広い範囲に連続的に調整可能となり、しかも誘電損失が０．１％＠１ＭＨｚと低くなることができる。この材料系は、８００～９００℃で焼結することができ、銀電極と相容して共焼結することができ、低温共焼結誘電体材料として使用されることができる。
本発明の目的、技術案及び利点をよりよく説明するために、以下、具体的な実施例を参照しながら本発明についてさらに説明する。
実施例１
本発明に係る低温共焼結誘電体材料の製造方法の一実施例として、本実施例における低温共焼結誘電体材料の製造方法は、以下の工程を含む。
９．３ｍＬのオルトケイ酸エチルを、アルコール（１００ｍＬ）と脱イオン水（９．３ｍＬ）との混合溶液に溶解し、加水分解を促進するために、硝酸を加えて溶液のｐＨが１程度となるように調整して撹拌し、溶液が清澄となった後、ＮａＮＯ３ ０．０７ｇ、ＫＮＯ３ ０．２４ｇ、Ｃａ(ＮＯ３)２・４Ｈ２Ｏ ０．２８ｇ及びＨＢＯ３溶液 ０．９２ｇを添加し、急激に撹拌しながら７５℃で加熱し、その後、アンモニア水を加えてｐＨが７程度となるように調整してゲル化させ、得られたゲルを乾燥させた後に、７００℃で２時間焼成し、シリコン系非結晶相充填材を得た。最後に、４９．８１％のＺｒＯ２（粒子径５μｍ）と５０．１９％のシリコン系非結晶相充填材をはかりとり、ボールミルで上記材料を１８時間混合して、干燥後、７ＭＰａでドライプレスによりシート状に成形させ、そして、８５０℃で焼結し、前記低温共焼結セラミック材料を得た。
本発明に係る低温共焼結誘電体材料の製造方法の一実施例として、本実施例における低温共焼結誘電体材料の製造方法は、以下の工程を含む。
９．３ｍＬのオルトケイ酸エチルを、アルコール（１００ｍＬ）と脱イオン水（９．３ｍＬ）との混合溶液に溶解し、加水分解を促進するために、硝酸を加えて溶液のｐＨが１程度となるように調整して撹拌し、溶液が清澄となった後、ＮａＮＯ３ ０．０７ｇ、ＫＮＯ３ ０．２４ｇ、Ｃａ(ＮＯ３)２・４Ｈ２Ｏ ０．２８ｇ及びＨＢＯ３溶液 ０．９２ｇを添加し、急激に撹拌しながら７５℃で加熱し、その後、アンモニア水を加えてｐＨが７程度となるように調整してゲル化させ、得られたゲルを乾燥させた後に、７００℃で２時間焼成し、シリコン系非結晶相充填材を得た。最後に、４９．８１％のＺｒＯ２（粒子径５μｍ）と５０．１９％のシリコン系非結晶相充填材をはかりとり、ボールミルで上記材料を１８時間混合して、干燥後、７ＭＰａでドライプレスによりシート状に成形させ、そして、８５０℃で焼結し、前記低温共焼結セラミック材料を得た。
本実施例で製造された低温共焼結誘電体材料の誘電性能は、図１に示すように、誘電率が８．８９＠１ＭＨｚであり、誘電損失が０．００１２＠１ＭＨｚである。本実施例における低温共焼結誘電体材料は、銀電極と共焼結した後にも結合が緊密であり、クラックや反り等の現象が発生することがない。
実施例２
本発明に係る低温共焼結誘電体材料の製造方法の一実施例として、本実施例における低温共焼結誘電体材料の製造方法は、以下の工程を含む。
９．３ｍＬのオルトケイ酸エチルを、アルコール（９３ｍＬ）と脱イオン水（９．３ｍＬ）との混合溶液に溶解し、加水分解を促進するために、硝酸を加えて溶液のｐＨが１程度となるように調整して撹拌し、溶液が清澄となった後、ＮａＮＯ３ ０．０７ｇ、ＫＮＯ３ ０．２４ｇ、Ｃａ(ＮＯ３)２・４Ｈ２Ｏ ０．２８ｇ及びＨＢＯ３溶液 ０．９２ｇを添加し、急激に撹拌しながら８０℃で加熱し、その後、アンモニア水を加えてｐＨが７程度となるように調整してゲル化させ、得られたゲルを乾燥させた後に、７００℃で２時間焼成し、シリコン系非結晶相充填材を得た。最後に、５５％のＺｒＯ２（粒子径５μｍ）と４５％のシリコン系非結晶相充填材をはかりとり、ボールミルで上記材料を１５時間混合して、干燥後、７ＭＰａでドライプレスによりシート状に成形させ、そして、８５０℃で焼結し、前記低温共焼結セラミック材料を得た。
本実施例で製造された低温共焼結誘電体材料の誘電性能は、図１に示すように、誘電率が１０．４８＠１ＭＨｚであり、誘電損失が０．００１１＠１ＭＨｚである。本実施例における低温共焼結誘電体材料は、銀電極と共焼結した後にも結合が緊密であり、クラックや反り等の現象が発生することがない。
本発明に係る低温共焼結誘電体材料の製造方法の一実施例として、本実施例における低温共焼結誘電体材料の製造方法は、以下の工程を含む。
９．３ｍＬのオルトケイ酸エチルを、アルコール（９３ｍＬ）と脱イオン水（９．３ｍＬ）との混合溶液に溶解し、加水分解を促進するために、硝酸を加えて溶液のｐＨが１程度となるように調整して撹拌し、溶液が清澄となった後、ＮａＮＯ３ ０．０７ｇ、ＫＮＯ３ ０．２４ｇ、Ｃａ(ＮＯ３)２・４Ｈ２Ｏ ０．２８ｇ及びＨＢＯ３溶液 ０．９２ｇを添加し、急激に撹拌しながら８０℃で加熱し、その後、アンモニア水を加えてｐＨが７程度となるように調整してゲル化させ、得られたゲルを乾燥させた後に、７００℃で２時間焼成し、シリコン系非結晶相充填材を得た。最後に、５５％のＺｒＯ２（粒子径５μｍ）と４５％のシリコン系非結晶相充填材をはかりとり、ボールミルで上記材料を１５時間混合して、干燥後、７ＭＰａでドライプレスによりシート状に成形させ、そして、８５０℃で焼結し、前記低温共焼結セラミック材料を得た。
本実施例で製造された低温共焼結誘電体材料の誘電性能は、図１に示すように、誘電率が１０．４８＠１ＭＨｚであり、誘電損失が０．００１１＠１ＭＨｚである。本実施例における低温共焼結誘電体材料は、銀電極と共焼結した後にも結合が緊密であり、クラックや反り等の現象が発生することがない。
実施例３
本発明に係る低温共焼結誘電体材料の製造方法の一実施例として、本実施例における低温共焼結誘電体材料の製造方法は、以下の工程を含む。
９．３ｍＬのオルトケイ酸エチルを、アルコール（１００ｍＬ）と脱イオン水（９．３ｍＬ）との混合溶液に溶解し、加水分解を促進するために、硝酸を加えて溶液のｐＨが１程度となるように調整して撹拌し、溶液が清澄となった後、ＮａＮＯ３ ０．０７ｇ、ＫＮＯ３ ０．２４ｇ、Ｃａ(ＮＯ３)２・４Ｈ２Ｏ ０．２８ｇ及びＨＢＯ３溶液 ０．９２ｇを添加し、急激に撹拌しながら６０℃で加熱し、その後、アンモニア水を加えてｐＨが７程度となるように調整してゲル化させ、得られたゲルを乾燥させた後に、７００℃で２時間焼成し、シリコン系非結晶相充填材を得た。最後に、６０％のＺｒＯ２（粒子径５μｍ）と４０％のシリコン系非結晶相充填材をはかりとり、ボールミルで上記材料を１６時間混合して、干燥後、７ＭＰａでドライプレスによりシート状に成形させ、そして、８５０℃で焼結し、前記低温共焼結セラミック材料を得た。
本実施例で製造された低温共焼結誘電体材料の誘電性能は、図１に示すように、誘電率が１１．１１＠１ＭＨｚであり、誘電損失が０．０００６＠１ＭＨｚである。
当該成分と銀電極との共焼結の際の相容性を検証するため、５％のポリビニルブチラール（ＰＶＢ）によりボールミル処理後のジルコニアとガラスとの混合粉末に対して造粒処理を行い、その後、７ＭＰａでドライプレスによりシート状に成形させ、さらに、その表面に銀電極を塗布して形成し、最後に、８５０℃で焼結した。図２において、(ａ)は、銀電極との生地シートを共焼結した後の断面のＳＥＭ図であり、この図に示すように、銀電極とセラミックとの結合が緊密であり、層分離やクラック現象などが発生することなく、 (ｂ)は、銀の含有量が銀電極とセラミックとの界面で急激に低下することを示しており、焼結過程において拡散がなかったことがわかる。
本発明に係る低温共焼結誘電体材料の製造方法の一実施例として、本実施例における低温共焼結誘電体材料の製造方法は、以下の工程を含む。
９．３ｍＬのオルトケイ酸エチルを、アルコール（１００ｍＬ）と脱イオン水（９．３ｍＬ）との混合溶液に溶解し、加水分解を促進するために、硝酸を加えて溶液のｐＨが１程度となるように調整して撹拌し、溶液が清澄となった後、ＮａＮＯ３ ０．０７ｇ、ＫＮＯ３ ０．２４ｇ、Ｃａ(ＮＯ３)２・４Ｈ２Ｏ ０．２８ｇ及びＨＢＯ３溶液 ０．９２ｇを添加し、急激に撹拌しながら６０℃で加熱し、その後、アンモニア水を加えてｐＨが７程度となるように調整してゲル化させ、得られたゲルを乾燥させた後に、７００℃で２時間焼成し、シリコン系非結晶相充填材を得た。最後に、６０％のＺｒＯ２（粒子径５μｍ）と４０％のシリコン系非結晶相充填材をはかりとり、ボールミルで上記材料を１６時間混合して、干燥後、７ＭＰａでドライプレスによりシート状に成形させ、そして、８５０℃で焼結し、前記低温共焼結セラミック材料を得た。
本実施例で製造された低温共焼結誘電体材料の誘電性能は、図１に示すように、誘電率が１１．１１＠１ＭＨｚであり、誘電損失が０．０００６＠１ＭＨｚである。
当該成分と銀電極との共焼結の際の相容性を検証するため、５％のポリビニルブチラール（ＰＶＢ）によりボールミル処理後のジルコニアとガラスとの混合粉末に対して造粒処理を行い、その後、７ＭＰａでドライプレスによりシート状に成形させ、さらに、その表面に銀電極を塗布して形成し、最後に、８５０℃で焼結した。図２において、(ａ)は、銀電極との生地シートを共焼結した後の断面のＳＥＭ図であり、この図に示すように、銀電極とセラミックとの結合が緊密であり、層分離やクラック現象などが発生することなく、 (ｂ)は、銀の含有量が銀電極とセラミックとの界面で急激に低下することを示しており、焼結過程において拡散がなかったことがわかる。
実施例４
本発明に係る低温共焼結誘電体材料の製造方法の一実施例として、本実施例における低温共焼結誘電体材料の製造方法は、以下の工程を含む。
９．３ｍＬのオルトケイ酸エチルを、アルコール（１００ｍＬ）と脱イオン水（９．３ｍＬ）との混合溶液に溶解し、加水分解を促進するために、硝酸を加えて溶液のｐＨが１程度となるように調整して撹拌し、溶液が清澄となった後、ＮａＮＯ３ ０．０７ｇ、ＫＮＯ３ ０．２４ｇ、Ｃａ(ＮＯ３)２・４Ｈ２Ｏ ０．２８ｇ及びＨＢＯ３溶液 ０．９２ｇを添加し、急激に撹拌しながら６０℃で加熱し、その後、アンモニア水を加えてｐＨが７程度となるように調整してゲル化させ、得られたゲルを乾燥させた後に、７００℃で２時間焼成し、シリコン系非結晶相充填材を得た。最後に、６５％のＺｒＯ２（粒子径５μｍ）と３５％のシリコン系非結晶相充填材をはかりとり、ボールミルで上記材料を１５時間混合して、干燥後、７ＭＰａでドライプレスによりシート状に成形させ、そして、８５０℃で焼結し、前記低温共焼結セラミック材料を得た。
本発明に係る低温共焼結誘電体材料の製造方法の一実施例として、本実施例における低温共焼結誘電体材料の製造方法は、以下の工程を含む。
９．３ｍＬのオルトケイ酸エチルを、アルコール（１００ｍＬ）と脱イオン水（９．３ｍＬ）との混合溶液に溶解し、加水分解を促進するために、硝酸を加えて溶液のｐＨが１程度となるように調整して撹拌し、溶液が清澄となった後、ＮａＮＯ３ ０．０７ｇ、ＫＮＯ３ ０．２４ｇ、Ｃａ(ＮＯ３)２・４Ｈ２Ｏ ０．２８ｇ及びＨＢＯ３溶液 ０．９２ｇを添加し、急激に撹拌しながら６０℃で加熱し、その後、アンモニア水を加えてｐＨが７程度となるように調整してゲル化させ、得られたゲルを乾燥させた後に、７００℃で２時間焼成し、シリコン系非結晶相充填材を得た。最後に、６５％のＺｒＯ２（粒子径５μｍ）と３５％のシリコン系非結晶相充填材をはかりとり、ボールミルで上記材料を１５時間混合して、干燥後、７ＭＰａでドライプレスによりシート状に成形させ、そして、８５０℃で焼結し、前記低温共焼結セラミック材料を得た。
本実施例で製造された低温共焼結誘電体材料の誘電性能は、図１に示すように、誘電損失が０．０００４＠１ＭＨｚである。本実施例における低温共焼結誘電体材料は、銀電極と共焼結した後にも結合が緊密であり、クラックや反り等の現象が発生することがない。
なお、以上の実施例は、本発明の技術案を説明するためのものであり、本発明の保護範囲を制限するものではなく、好適な実施例を参照しながら本発明について詳細に説明したものの、当業者であれば、本発明の技術案の趣旨及び範囲を逸脱しない限り、本発明の技術案に対して修正又は均等的な差し替えを行うことができると理解することができる。
Claims (8)
- ジルコニア主相とシリコン系非結晶相充填材を含み、前記ジルコニア主相とシリコン系非結晶相充填材との重量比が、ジルコニア主相：シリコン系非結晶相充填材＝４０～６５：３５～６０であり、重量百分率で、前記シリコン系非結晶相充填材におけるＳｉＯ２の含有量は≧５０％であり、
重量百分率で、ＺｒＯ２ ４０％～６５％、ＳｉＯ２ ２７．０３％～４６．３３％、Ｎａ２Ｏ ０．２７％～０．４６％、Ｋ２Ｏ １．２３％～２．１１％、ＣａＯ ０．７３％～１．２６％、及びＢ２Ｏ３ ５．７３％～９．８３％を含む
ことを特徴とする、誘電率段階調整可能な低温共焼結誘電体材料。 - 前記ジルコニア主相は、結晶状態又は非結晶状態であることを特徴とする、請求項１に記載の誘電率段階調整可能な低温共焼結誘電体材料。
- 前記シリコン系非結晶相充填材は、ガラス又は非結晶相の混合物であることを特徴とする、請求項１に記載の誘電率段階調整可能な低温共焼結誘電体材料。
- 前記シリコン系非結晶相充填材において、ＮａとＫとの原子比が、Ｎａ／Ｋ＝１：２～４であることを特徴とする、請求項１に記載の誘電率段階調整可能な低温共焼結誘電体材料。
- 重量百分率で、前記シリコン系非結晶相充填材におけるＡｌ元素の含有量は≦０．０１％であることを特徴とする、請求項１に記載の誘電率段階調整可能な低温共焼結誘電体材料。
- 前記ＺｒＯ２の粒子径が、０．５μｍ～１０μｍであり、好ましくは、前記ＺｒＯ２の粒子径が、１μｍ～５μｍであることを特徴とする、請求項１に記載の誘電率段階調整可能な低温共焼結誘電体材料。
- 請求項１～６のいずれか一項に記載の誘電率段階調整可能な低温共焼結誘電体材料の製造方法であって、
オルトケイ酸エチルをアルコールと脱イオン水との混合溶液に溶解する工程Ｓ１と、
溶液のｐＨを１～３に調整する工程Ｓ２と、
シリコン系非結晶相充填材の元素に対応する塩を加えて、６０～８０℃で加熱しながら均一に撹拌する工程Ｓ３と、
溶液のｐＨを６～８に調整してゲル化させ、ゲルを乾燥して６００～７５０℃で焼成し、前記シリコン系非結晶相充填材を得る工程Ｓ４と、
シリコン系非結晶相充填材とジルコニア主相を比率によってボールミルで６～２４時間混合し、その後、８００～９００℃で焼結して、前記誘電率段階調整可能な低温共焼結セラミック材料を得る工程Ｓ５を含むことを特徴とする、製造方法。 - 工程Ｓ１において、前記オルトケイ酸エチルとアルコールと脱イオン水の体積比は、１：５～１５：１であることを特徴とする、請求項７に記載の誘電率段階調整可能な低温共焼結誘電体材料の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010221314.XA CN111302792B (zh) | 2020-03-25 | 2020-03-25 | 一种介电常数系列可调的低温共烧电介质材料及其制备方法 |
| CN202010221314.X | 2020-03-25 | ||
| PCT/CN2020/082252 WO2021189506A1 (zh) | 2020-03-25 | 2020-03-31 | 一种介电常数系列可调的低温共烧电介质材料及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2022529860A JP2022529860A (ja) | 2022-06-27 |
| JP7333147B2 true JP7333147B2 (ja) | 2023-08-24 |
Family
ID=71158920
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021529074A Active JP7333147B2 (ja) | 2020-03-25 | 2020-03-31 | 誘電率段階調整可能な低温共焼結誘電体材料及びその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20210309578A1 (ja) |
| JP (1) | JP7333147B2 (ja) |
| KR (1) | KR102621058B1 (ja) |
| CN (1) | CN111302792B (ja) |
| WO (1) | WO2021189506A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116496080B (zh) * | 2023-05-11 | 2024-10-08 | 深圳市华扬通信技术有限公司 | 一种低温烧结高介旋磁铁氧体材料及其制备方法 |
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| JP2005035870A (ja) | 2003-07-01 | 2005-02-10 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 低温焼成誘電体磁器及びその製造方法 |
| JP2006282474A (ja) | 2005-04-01 | 2006-10-19 | Kyocera Corp | ガラスセラミック焼結体およびその製造方法、並びにそれを用いた配線基板 |
| CN101164967A (zh) | 2007-09-27 | 2008-04-23 | 同济大学 | 介电可调低温共烧复合微波陶瓷材料及其制备方法 |
| CN103803968A (zh) | 2014-01-09 | 2014-05-21 | 深圳顺络电子股份有限公司 | 一种中低介电常数低温共烧陶瓷材料及其制备方法 |
| CN109721348A (zh) | 2017-10-27 | 2019-05-07 | 信昌电子陶瓷股份有限公司 | 低介电常数介电瓷粉组合物制备方法及其制成的电容器 |
| CN110256060A (zh) | 2019-07-09 | 2019-09-20 | 嘉兴佳利电子有限公司 | 一种高频低介电常数低温共烧陶瓷材料以及制备方法 |
| CN110436894A (zh) | 2019-06-27 | 2019-11-12 | 深圳顺络电子股份有限公司 | 一种低介电常数ltcc材料及其制备方法 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2020
- 2020-03-25 CN CN202010221314.XA patent/CN111302792B/zh active Active
- 2020-03-31 KR KR1020217015099A patent/KR102621058B1/ko active IP Right Grant
- 2020-03-31 JP JP2021529074A patent/JP7333147B2/ja active Active
- 2020-03-31 WO PCT/CN2020/082252 patent/WO2021189506A1/zh active Application Filing
-
2021
- 2021-05-03 US US17/246,742 patent/US20210309578A1/en active Pending
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| CN109721348A (zh) | 2017-10-27 | 2019-05-07 | 信昌电子陶瓷股份有限公司 | 低介电常数介电瓷粉组合物制备方法及其制成的电容器 |
| CN110436894A (zh) | 2019-06-27 | 2019-11-12 | 深圳顺络电子股份有限公司 | 一种低介电常数ltcc材料及其制备方法 |
| CN110256060A (zh) | 2019-07-09 | 2019-09-20 | 嘉兴佳利电子有限公司 | 一种高频低介电常数低温共烧陶瓷材料以及制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR102621058B1 (ko) | 2024-01-04 |
| CN111302792A (zh) | 2020-06-19 |
| US20210309578A1 (en) | 2021-10-07 |
| CN111302792B (zh) | 2021-06-22 |
| JP2022529860A (ja) | 2022-06-27 |
| WO2021189506A1 (zh) | 2021-09-30 |
| KR20210122226A (ko) | 2021-10-08 |
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