JP7295612B2 - ソーラーセルアレイためのコーナー接続を促進するための、基板上のあらかじめ製作された導体 - Google Patents

ソーラーセルアレイためのコーナー接続を促進するための、基板上のあらかじめ製作された導体 Download PDF

Info

Publication number
JP7295612B2
JP7295612B2 JP2017176667A JP2017176667A JP7295612B2 JP 7295612 B2 JP7295612 B2 JP 7295612B2 JP 2017176667 A JP2017176667 A JP 2017176667A JP 2017176667 A JP2017176667 A JP 2017176667A JP 7295612 B2 JP7295612 B2 JP 7295612B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
solar cell
corner
substrate
conductors
solar cells
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2017176667A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2018078276A (ja
Inventor
エリック レーダー,
フィリップ チウ,
トム クロッカー,
ダニエル ロウ,
デイル ウォーターマン,
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Boeing Co
Original Assignee
Boeing Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US15/643,274 external-priority patent/US20180076346A1/en
Application filed by Boeing Co filed Critical Boeing Co
Publication of JP2018078276A publication Critical patent/JP2018078276A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7295612B2 publication Critical patent/JP7295612B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02439Materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/142Energy conversion devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/02002Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
    • H01L31/02005Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02008Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/02016Circuit arrangements of general character for the devices
    • H01L31/02019Circuit arrangements of general character for the devices for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02021Circuit arrangements of general character for the devices for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0224Electrodes
    • H01L31/022408Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035209Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions comprising a quantum structures
    • H01L31/035227Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions comprising a quantum structures the quantum structure being quantum wires, or nanorods
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035272Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/035281Shape of the body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035272Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/03529Shape of the potential jump barrier or surface barrier
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0392Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/041Provisions for preventing damage caused by corpuscular radiation, e.g. for space applications
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/044PV modules or arrays of single PV cells including bypass diodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/044PV modules or arrays of single PV cells including bypass diodes
    • H01L31/0443PV modules or arrays of single PV cells including bypass diodes comprising bypass diodes integrated or directly associated with the devices, e.g. bypass diodes integrated or formed in or on the same substrate as the photovoltaic cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/048Encapsulation of modules
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • H01L31/0508Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module the interconnection means having a particular shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • H01L31/0512Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module made of a particular material or composition of materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • H01L31/0516Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module specially adapted for interconnection of back-contact solar cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/068Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H01L31/0687Multiple junction or tandem solar cells
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02SGENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
    • H02S40/00Components or accessories in combination with PV modules, not provided for in groups H02S10/00 - H02S30/00
    • H02S40/30Electrical components
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02SGENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
    • H02S40/00Components or accessories in combination with PV modules, not provided for in groups H02S10/00 - H02S30/00
    • H02S40/30Electrical components
    • H02S40/34Electrical components comprising specially adapted electrical connection means to be structurally associated with the PV module, e.g. junction boxes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52PV systems with concentrators
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/544Solar cells from Group III-V materials
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Description

本開示は、概してソーラーセルパネルに関し、具体的には、ソーラーセルアレイのためのコーナー接続を促進するための、基板上のあらかじめ製作された導体に関する。
典型的な宇宙飛行可能なソーラーセルパネルの組み立ては、ソーラーセルの長いストリングの構築を伴う。これらのストリングの長さは可変であり、例えばセル20個に及び、またそれを超えるような、非常に長いものであり得る。こうした、長くて可変で壊れやすい機材を組み立てることは困難であり、そのために組み立ての自動化が阻害されてきた。
現存する解決法では、CIC(セル、相互接続子、及びカバーガラス)ユニットに組み立てられたソーラーセルが用いられる。CICは、CICの一面から平行に延在するセルの前部に接続された、金属ホイルの相互接続子を有する。CICは、互いに近接して設置され、相互接続子によって隣接するセルの底部に接続されている。これらの相互接続子を用いることで、CICは直線状のストリングへと組み立てられる。これら直線状のストリングは手作業で構築され、可変の長さの多数のストリングからなる大きなソーラーセルアレイを形成するようにレイアウトされる。
さらに、セルが部分的に影になったときにセルを逆バイアスから保護するため、バイパスダイオードが用いられる。バイパスダイオードは一般的に、ソーラーセルアレイ内の2つの隣接するセルの背面接点間を接続する。
ソーラーセルアレイは、人工衛星内で用いられる場合、通常、パネルとしてパッケージ化される。パネルの寸法は、必要な電力、並びに打ち上げ機内に人工衛星を搭載し、格納するために必要なサイズ及び形状といった制約を含む、人工衛星の必要性によって決定される。さらに、パネルを展開する際、パネルの一部を機械設備のために使用することがしばしば必要になり、ソーラーセルアレイはこれらの箇所を避けなければならない。実際には、パネルは概して長方形であるが、その寸法及びアスペクト比はバリエーションが大きい。このスペースを埋めるCIC及びストリングのレイアウトは、発電量を最大にするために高度にカスタマイズされなければならず、その結果、製作工程は手作業が多くなる。
そこで、ソーラーセルアレイのカスタマイズ性能を保持しつつ、ソーラーセルアレイの製造の自動化を推進する手段が必要とされている。
上述の先行技術の制約を克服し、本明細書を読解且つ理解することによって明らかになるその他の制約を克服するために、本開示は、デバイス、構造体、並びにソーラーセル、ソーラーセルアレイ、及びソーラーセルパネルのための方法を説明している。
一態様では、ソーラーセル用の基板が存在しており、当該基板は、コーナー領域を画定する少なくとも1つの刈り込まれたコーナー部を有する少なくとも1つのソーラーセルが基板に取り付けられているときに、基板のエリアが露出されたままとなり、露出されたままの基板のエリアが、1つ以上の導体を含み、且つソーラーセルと導体との間の電気的接続がコーナー領域内で行われるように構成されている。ソーラーセルは、ソーラーセルの前面上に前面接点を含み、前面接点はコーナー領域内に延在し、ソーラーセルは、ソーラーセルの背面上に背面接点を含み、背面接点はコーナー領域内に延在する。導体は、基板上でパターン化され、導体は、絶縁層で覆われ、ソーラーセルは、導体の上に置かれ、導体は、ソーラーセルの下方を通じ、導体は、ソーラーセルの外周にあり、且つ導体は、ソーラーセルのうちの1つの刈り込まれたコーナー部から他方の刈り込まれたコーナー部へと通じる。少なくとも1つのソーラーセルは、基板に、2次元(2D)格子状のアレイで取り付けられた複数のソーラーセルを含んでおり、電気的接続は、複数のソーラーセルを通る電流の流れを決定する直列接続であり、電気的接続は、複数のソーラーセルのストリングを終端し、且つ導体は、ソーラーセルのうちの1つの刈り込まれたコーナー部からソーラーセルの他方の刈り込まれたコーナー部へと通じる。導体は、電気的接続が基板を離れることを可能にする。電気接続のうちの1つ以上に使用するために、1つ以上のバイパスダイオードは、露出されたままの基板のエリアに追加される。
別の態様では、ソーラーセル用の基板が存在しており、当該基板は、コーナー領域を画定する少なくとも1つの刈り込まれたコーナー部を有する少なくとも1つのソーラーセルが基板に取り付けられているときに、基板のエリアが露出されたままとなり、露出されたままの基板のエリアが、1つ以上のコーナー導体を含み、ソーラーセルとコーナー導体との間の1つ以上の電気的接続がソーラーセルの刈り込まれたコーナー部によってできたコーナー領域内で行われ、且つソーラーセルのための電流経路を選択するために、1つ以上の導体要素がコーナー領域に追加されたり、又はコーナー領域から取り外されたりするように構成されている。導体要素のうちの少なくとも1つは、ジャンパーを含み、ジャンパーは、基板上の電気的接続部を接続する。ジャンパーは、コーナー領域内に配置され、ジャンパーは、基板上の電気的接続に複数の接続点を設ける形状を有する。電気的接続のうちの少なくとも1つは、ソーラーセルの直列接続、及びソーラーセルの回路終端を含む。
さらに別の態様では、ソーラーセル用の基板が存在しており、当該基板は、コーナー領域を画定する少なくとも1つの刈り込まれたコーナー部を有する少なくとも1つのソーラーセルが基板に取り付けられているときに、基板のエリアが露出されたままとなり、露出されたままの基板のエリアが、1つ以上のコーナー導体を含み、ソーラーセルとコーナー導体との間の1つ以上の電気的接続がソーラーセルの刈り込まれたコーナー部によってできたコーナー領域内で行われ、且つコーナー導体及びソーラーセルに電気的に接続するために、1つ以上の多層導体が基板内部に埋め込まれるように構成されている。多層導体は、コーナー導体及びソーラーセルの下方を通じ、ソーラーセルのうちの少なくとも1つの一方のコーナー上の前面接点をソーラーセルの少なくとも1つの他方のコーナー上の前面接点に電気的に接続するために、多層導体のうちの少なくとも1つが、ソーラーセルのうちの少なくとも1つの下方で延び、ソーラーセルのうちの少なくとも1つの一方のコーナー上の前面接点をソーラーセルの少なくとも1つの他方のコーナー上の背面接点に電気的に接続するために、多層導体のうちの少なくとも1つが、ソーラーセルのうちの少なくとも1つの下方で延び、ソーラーセルのうちの少なくとも1つの一方のコーナー上の背面接点をソーラーセルの少なくとも1つの他方のコーナー上の背面接点に電気的に接続するために、多層導体のうちの少なくとも1つが、ソーラーセルのうちの少なくとも1つの下方で延び、且つ多層導体のうちの少なくとも1つが、ソーラーセルのうちの少なくとも1つをバイパスダイオードに電気的に接続する。多層導体のうちの少なくとも1つは、多層導体のうちの少なくとも別の1つに接続され、多層導体のうちの少なくとも1つは、複数のコーナー領域に延在する。絶縁層は、多層導体のうちの少なくとも1つを多層導体のうちの少なくとも別の1つから分離し、多層導体のうちの少なくとも1つに絶縁オーバーレイが適用される。多層導体のうちの少なくとも1つは、ソーラーセルの直列接続を可能にし、且つ多層導体のうちの少なくとも1つは、ソーラーセルの回路終端を可能にする。
さらに別の態様では、ソーラーセル用の基板が存在しており、当該基板は、コーナー領域を画定する少なくとも1つの刈り込まれたコーナー部を有する少なくとも1つのソーラーセルが基板に取り付けられているときに、基板のエリアが露出されたままとなり、露出されたままの基板のエリアが、1つ以上のコーナー導体を含むように構成されており、コーナー導体は、ソーラーセルが基板に取り付けられる前又は後に、基板上にプリントされており、ソーラーセルとコーナー導体との間の1つ以上の電気的接続は、ソーラーセルの刈り込まれたコーナー部によってできたコーナー領域内で行われる。コーナー導体は、基板上に既に配置された導電経路に追加され、コーナー導体は、金属粒子を用いてプリントされ、且つ基板は、コーナー導体が基板上にプリントされた後に、硬化される。コーナー導体は、絶縁体によって封入され、絶縁体は、コーナー導体上にプリントされ、且つ導電層は、絶縁体上に堆積される。コーナー導体は、基板上にプリントされた1つ以上のパッドを含む。ソーラーセルのための電流経路を選択するために、1つ以上の導体要素がコーナー領域内にプリントされる。
ここで、図面を参照する。各図面を通じて、類似の参照番号は対応する部品を表す。
ソーラーセルパネルの従来型の構造を示す。 ソーラーセルパネルの従来型の構造を示す。 一実施例に係る、ソーラーセルパネルの改良型の構造を示す。 一実施例に係る、ソーラーセルパネル用の代替的な構造体を示す。 図3Aから図3B及び図4Aから図4Bの改良型ソーラーセルパネルで用いられ得る例示的なソーラーセルの前面を示す。 図5の例示的なソーラーセルの背面を示す。 一実施例に係る、2D格子状のアレイで配列されたセルを示す。 コーナー領域内の基板の露出したエリアに、1つ以上のバイパスダイオードが追加された、アレイの一実施例を示す。 バイパスダイオードがセルの背面に付けられ、バイパスダイオード用の相互接続子又は接点が前面接点と背面接点との間のコーナー領域内に延在している、一実施例を示す。 バイパスダイオード用の相互接続子又は接点が前面接点と背面接点の間のコーナー領域内に延在している、図9の実施例の前面図を示す。 2Dグリッドのアレイで配列され基板に付けられた図9及び図10のセルであって、バイパスダイオードがセルの背面に付けられ、バイパスダイオード用の接点がセルのコーナー領域内に延在している、図9及び図10のセルを示す。 一実施例に係る、アレイのセル間の上方向/下方向の直列接続を示す。 一実施例に係る、アレイのセル間の左方向/右方向の直列接続を示す。 一実施例に係る、アレイのより大きな2D格子と一体化された様々な構成要素を示す。 一実施例に係る、可撓性シート組立品を用いる組立品の側面図を示す。 一実施例に係る、基板上のポリイミドオーバーレイの追加を示す。 様々な実施形態に係る、基板内の埋設導体の使用を示す。 様々な実施形態に係る、基板内の埋設導体の使用を示す。 様々な実施形態に係る、基板内の埋設導体の使用を示す。 様々な実施形態に係る、基板内の埋設導体の使用を示す。 様々な実施形態に係る、基板内の埋設導体の使用を示す。 一実施例に係る、埋設導体をより詳しく示す。 一実施例に係る、ソーラーセルが欠損しているか、又は取り除かれており、そこがステイアウト区域と呼ばれている実施例を示す。 4つの取り除かれたソーラーセルの代わりに、大きなステイアウト区域を有するアレイの2D格子を示す。 一実施例に係る、複数のソーラーセル間の接続スキームをさらに示す。 外部配線、及びジャンパーを含む1つ以上の導体要素が電気的接続に追加される実施例を示す。 一実施例に係る、アレイの2D格子内への構造体の組み合わせを示す。 セル間の接続に使用される、ソーラーセルの下方の埋設導体を含む、図3及び図4で示されたように構成された、基板内に組み込まれた埋設層の別の構成を示す。 一実施例に係る、基板が可撓性シートの組立品である実施例の側面図である。 一実施例に係る、コーナートゥコーナーブリッジ線、並びに電線及び共通線を示す。 基板上に配置され且つバイパスダイオードと共にコーナー導体を用いて並列に接続された3つのセル間の標準的な接続を示す。 一実施例に従って、どのように埋設銅層が一体化されているかを示す。 一実施例に係る、上段左のセルの背面接点を下段左の前面接点に接続するジャンパーを示す。 一実施例に係る、図面の上段左及び下段左のセル間の接続を示す。 一実施例に係る、上段中央の電力バーで終端された、図面の上段左のセルの背面接点を示す。 左側の電力分配バーに接続された、図面の上段左のセルの前面接点を示す。 一実施例に従って、図面の上段左のセルの背面接点が上段中央の電力分配バーで終端されていることを示す。 一実施例に従って、図面の上段左のセルの背面接点が図面の下段左のセルに接続されていることを示す。 一実施例に係る、左側の電力分配バーに接続された、図面の上段左のセルの前面接点を示す。 一実施例に係る、図30、図31、及び図32を組み合わせ、参照する。 一実施例に係る、ソーラーセルの列の端部における導体、電線、及び共通線を示す。 3段と6列で配置されたソーラーセルのアレイを含む変形例を示す。 図33の実施例に適合するように接続が行なわれているが、相互接続子がより少ない実施例を示す。 一実施例に係る、複数のソーラーセル間の接続スキームを示す。 一実施例に従って、どのようにしてジャンパーを似たような形状のプリントされた導体と交換することができるかを示す。 一実施例に係る、ソーラーセル及びバイパスダイオードが基板に付けられる前に、基板の露出エリアにプリントされたコーナー導体を有するコーナー領域を示す。 一実施例に係る、基板の露出エリアにプリントされたコーナー導体を有するコーナー領域を示す。 一実施例に係る、基板の露出エリアにプリントされたコーナー導体を有するコーナー領域を示す。 一実施例に係る、回路が大きなパッドで終端する、プリントされたコーナー導体の別の構成を示す。 一実施例に係る、ソーラーセル、ソーラーセルパネル、及び/又は人工衛星を製造する方法を示す。 一実施例に係る、結果的に得られる、ソーラーセルからなるソーラーセルパネルを有する人工衛星を示す。 一実施例に係る、機能ブロック図の形態のソーラーセルパネルを示す。
以下の説明で、本願の一部である添付図面を参照する。これらの添付図面は、本開示が実施され得る具体的な実施例を例示する目的で示されている。他の実施例も利用可能であることと、本開示の範囲を逸脱することなく構造的な変更が加えられてよいことは、理解されるべきである。
概要
例えば宇宙飛行用電力の用途に用いられる、ソーラーセルアレイの設計に関する新たな手法は、アレイ内のソーラーセル間の電気的接続に基づいている。
これらの新たな手法は、ソーラーセルの構成要素及びアレイ内のソーラーセルの配列を配列し直すものである。ソーラーセルを接続して長い直線状のストリングにしてから基板上に組み立てる代わりに、ソーラーセルを個別に基板に取り付け、隣接するセルのコーナー領域が基板上で位置合わせされるようにして、基板のあるエリアを露出させる。セル間の電気接続は、基板上又は基板内でこれらのコーナー領域内に形成された、コーナー導体によってなされる。結果として、この手法は、個別のセルをベースにしたソーラーセルアレイの設計を提示している。
こうして、ソーラーセルアレイの製作に際して、単一のレイダウンプロセスとレイアウトが用いられ得る。ソーラーセルと終端配線との間の電流の流れは、基板内にはめ込まれた導体、及び導電ジャンバーのあり得る追加によって補助される。これらの電気的接続によって、そのソーラーセルアレイの具体的な特性、例えばその寸法、ステイアウト区域、及び回路の終端が規定される。この手法によって製造が簡素化され、自動化が可能になり、コストと搬送時間が削減される。
図1及び図2は、基板12、アレイ内に配列された複数のソーラーセル14、及びソーラーセル14間の電気コネクタ16を含む、ソーラーセルパネル10の従来型構造を示す。図1にはハーフサイズのソーラーセル14が、図2にはフルサイズのソーラーセル14が示されている。宇宙用ソーラーセル14は、円形のゲルマニウム(Ge)基板の出発材料から作られる。より高密度でソーラーパネル10に搭載するため、これらは後に、準長方形の形状に加工される。このウエハは、しばしば1つ又は2つのソーラーセル14にダイスカットされる。これらは、ここではハーフサイズ又はフルサイズのソーラーセル14として記載される。ソーラーセル14間を電気的に接続する電気コネクタ16は、ソーラーセル14間の長い平行な端部に沿って作られている。ソーラーセル14が接続されてできるストリングは、任意の数のソーラーセル14の長さを持つように構築されるので、(セルとセルとの)これらの直列接続は、基板に取り付けられていない状態で完成される。ソーラーセル14のストリングは、完成した後に基板12に当てられ、取り付けられる。
図2では、配線18がソーラーセル14のストリングの終端に取り付けられており、これは、ストリングを他のストリングに電気的に接続するためか、又は、配線を終端処理して回路とし、ソーラーセル14のアレイの電流をここで断ち切るためである。ストリングとストリングの間の接続及び回路終端の接続は、通常、基板12上で行われ、通常、配線18を用いて行われる。しかし、あるソーラーセルパネル10では、導体がはめ込まれたプリント回路基板(PCB)タイプの材料が用いられる。
接続されたソーラーセル14でできた、隣接するストリング同士は、平行又は反平行に延びてもよい。加えて、接続されたソーラーセル14でできたストリングは、整列されていてもよく、整列されなくてもよい。ソーラーセル14のレイアウトに対して互いに競合する影響を与えるものは多い。その結果、ソーラーセル14が平行な領域又は反平行である領域、整列されている領域又は整列されていない領域が存在する。
図3A~図3Bは、一実施例に係る、ソーラーセルパネル10aの改良された構造を示す。図3Bは、図3Aの破線円内の詳細拡大図である。図5~図13では、ソーラーセルパネル10aの様々な構成要素が示され、より詳細に記載されている。
ソーラーセルパネル10aは、上に1つ以上のコーナー導線20を有する、ソーラーセル14用の基板12を含む。一実施例では、基板12は、1つ以上のパターニングされた金属層を分離する1つ以上のKapton(登録商標)(ポリイミド)層からなる、多層基板12である。基板12は、従来型の組立品と同様の、大きな剛性の基板10aに装着されていてよい。代わりに、基板12は、装着用又は展開用の、より軽くより薄いフレーム又はパネル10aに装着され得る。
アレイ22の2次元(2ーD)格子状で、複数のソーラーセル14が基板12に取り付けられている。この実施例では、アレイ22は、4段×24列に配列された、96個のソーラーセル14から構成されているが、異なる実装形態では、任意の数のソーラーセル14が用いられ得ることが、認められている。
ソーラーセル14は、破線円によって示されるように、コーナー領域26を画定する刈り込まれたコーナー部24を有する。ソーラーセル14のうちの少なくとも1つが基板12に取り付けられているとき、基板12は、隣接するソーラーセル14のコーナー領域26同士が位置合わせされている際に基板12のエリア28が露出されたままであるように構成されている。基板12の露出しているエリア28は、1つ以上のコーナー導体20を含み、ソーラーセル14の刈り込まれたコーナー部24によってできたコーナー領域26内で、ソーラーセル14とコーナー導体20との間の1つ以上の電気的接続がなされている。
この実施例では、コーナー導体20は、ソーラーセル14が基板12に取り付けられる前及び/又は後に、基板12に取り付けられたか、基板12上にプリントされたか、基板12内に埋設されたか、基板12上に堆積した導電経路であって、隣接するソーラーセル14間の接続を促進する。ソーラーセル14とコーナー導体20との間の接続は、ソーラーセル14が基板12に取り付けられた後に行われる。
一実施例では、4つの隣接するソーラーセル14が基板12上で位置合わせされ、各ソーラーセル14から1つずつの計4つの刈り込まれたコーナー部24がコーナー領域26で集まって一緒になっている。次に、ソーラーセル14は基板12に個別に取り付けられる。このときソーラーセルはコーナー導体20の上に置かれ、ソーラーセル14とコーナー導体20との間で電気的接続が行われる。
ソーラーセル14は、CIC(セル、相互接続子、カバーグラス)ユニットとして基板12に付けられてもよい。代わりに、未被覆のソーラーセル14を基板12上で組み立て、その後にソーラーセル14に相互接続子を付け、続いて単セルのソーラーセル14用カバーガラス、マルチセルのソーラーセル14用カバーガラス、マルチセルのソーラーセル14用ポリマーカバーシート、又はスプレー式封止材を付けることもできる。この組立品は、ソーラーセル14を、性能を制限するような損傷から保護する。
図4A及び図4Bは、一実施例に係る、ソーラーセルパネル10aの代替的な構造を示す。図4Bは、図4Aの破線円内の詳細拡大図である。この実施例では、ごく少数のコーナー導体20のみが、基板12上にプリントされているか、又は基板12に組み込まれている。代わりに、コーナー導体20のほとんどが、基板12に取り付けられている電力ルーティングモジュール(PRM)30内に含まれている。
図5は、図3A~図3B、及び図4A~図4Bの改良型ソーラーセルパネル10aで用いられ得る、例示のソーラーセル14の前面を示す。CICユニットであるソーラーセル14は、ハーフサイズのソーラーセル14である。(フルサイズのソーラーセル14もまた用いられ得る。)
破線円で示されるように、ソーラーセル14は、コーナー領域26を画定する少なくとも1つの刈り込まれたコーナー部24を有するように製作されており、刈り込まれたコーナー部24によってできたコーナー領域26には、ソーラーセル14との電気的接続をなす少なくとも1つの接点32、34が含まれる。図5に示す実施例では、ソーラーセル14は2つの刈り込まれたコーナー部24を有し、そのそれぞれが、ソーラーセル14の前面にある前面接点32と、ソーラーセル14の背面にある背面接点34とを有し、接点32及び接点34はコーナー領域26内に延在している。(フルサイズのソーラーセル14は4つの刈り込まれたコーナー部24を有し、そのそれぞれが、1つの前面接点32及び1つの背面接点34を有する。)
刈り込まれたコーナー部24があることによって、ソーラーセル14の出発材料として円形のウエハを利用することが多くなる。従来型のパネル10では、ソーラーセル14が基板12に取り付けられた後、これらの刈り込まれたコーナー部24は、結果的にパネル10上の不使用スペースになってしまう。しかし、本開示で記載するこの新たな手法では、この不使用スペースが利用される。具体的には、コーナー導体20、前面接点32、及び背面接点34を備える金属ホイル相互接続子が、コーナー領域26に移動される。これに対して、既存のCICは、相互接続子がソーラーセル14の前面に取り付けられており、ストリングの作製中に背面(接続が起こるところ)に接続される。
ソーラーセル14によって生成された電流は、細型の金属フィンガー38と、どちらの前面接点32にも接続されたより広い金属バスバー40との格子36によって、ソーラーセル14の前面上で集電される。格子36に金属を追加してソーラーセル14に入る光を減らしソーラーセル14の出力を減らすことと、金属が増えることで抵抗が減少することとは、バランスの関係にある。バスバー40は低抵抗導体であり、大電流を搬送すると共に、前面接点32が切断された場合には冗長性も提供する。一般的に、最適化のためには前面接点32間に直接延びる短いバスバー40が必要とされる。刈り込まれたコーナー部24内に前面接点32を有することによって、バスバー40をソーラーセル14の外周から離す結果となる。これが達成される一方、同時に、バスバー40の長さが最小化され、光遮蔽が最小化される。さらに、これによってフィンガー38も短くなる。これによって、格子36内の寄生抵抗が減少した。なぜならば、フィンガー38の長さが短くなり、搬送される電流の総量が減少するからである。これによって、フィンガー38をより短くするために、前面接点32と接続相手のバスバー40を移動する、という設計上の好みが生まれる。
図6は、図5の例示のソーラーセル14の背面を示す。ソーラーセル14の背面は、どちらの背面接点34にも接続している、金属背面層42を有する。
図7は、一実施例に係る、アレイ22の2D格子状に配列されたソーラーセル14を示す。アレイ22は、隣接するソーラーセル14のコーナー領域26同士が位置合わせされるようにして基板12に取り付けられている、複数のソーラーセル14を備えており、それによって基板12のエリア28が露出している。ソーラーセル14間の電気的接続(図示せず)は、ソーラーセル14の前面接点32及び背面接点34、並びに、基板12の露出したエリア28上又はエリア28内に形成されたコーナー導体20(図示せず)を用いて、基板12の露出したエリア28内で、なされている。
組み立て中、ソーラーセル14は、基板12に個別に取り付けられる。この組み立ては、支持面、すなわち基板12上で直接行われてもよく、この基板は剛性と可撓性のどちらでもあり得る。代わりに、ソーラーセル14は、仮の支持面上でアレイ22の2D格子状に組み立てられ、その後に最終的な支持面、すなわち基板12へと移送されてもよい。
図8は、基板12のコーナー領域26内の露出したエリア28に、1つ以上の電気接続で用いるための1つ以上のバイパスダイオード44が追加された、アレイ22の一実施例を示す。バイパスダイオード44は、ソーラーセル14が電流を生成できなくなった場合にソーラーセル14を保護する。ソーラーセル14が電流を生成できなくなった場合とは、部分的に影になったせいでもあり得るが、その場合には、ソーラーセル14に逆バイアスがかかる。一実施例では、バイパスダイオード44は、ソーラーセル14から独立して、コーナー領域26において基板12に取り付けられている。
図9は、バイパスダイオード44がソーラーセル14の背面に付けられ、バイパスダイオード44用の相互接続子又は接点46が、背面層42に接続され、さらに前面接点32と背面接点34との間でコーナー領域26内に延在している、一実施例を示す。
図10は、バイパスダイオード44(図示せず)用の相互接続子又は接点46が前面接点32と背面接点34の間でコーナー領域26内に延在している、図9の実施例の前面図を示す。
図11は、アレイ22の2D格子状に配列され基板12に付けられた、図9及び図10のソーラーセル14を示す。ここでは、バイパスダイオード44(図示せず)がソーラーセル14の背面に付けられ、バイパスダイオード44用の接点46がソーラーセル14のコーナー領域26内に延在している。
この手法の1つの利点は、図7、図8、及び図11で示されるレイアウトが、普遍化されたレイアウトであることである。具体的には、これらのレイアウトは、パネル10aの顧客が所望する任意の寸法にわたって、反復することができる。これによって、組み立て、改修、試験、及び検査の各工程が非常に簡素化される。
ソーラーセル14とバイパスダイオード44の配置に続いて、カスタマイズが行われる別のステップが存在する。ソーラーセル14のコーナー領域26内で、前面接点32と背面接点34とが、接続されなければならない。電流を所望の経路でルーティングするために、これは多数の組合せで行うことができる。
ソーラーセル14を基板12に取り付けた後、ソーラーセル14とコーナー導体20との間で接続が行われる。ソーラーセル14の前面接点32及び背面設定34は、コーナー導体20に取り付けるため、各コーナー領域26にある。各ソーラーセル14の前面接点32及び背面接点34用の相互接続子は、電流をソーラーセル14の外部にルーティングする導電経路20、32、34を設けるため、コーナー導体20に溶接、はんだづけ、又は他のやり方で接合される。
コーナー導体20を用いて、電気的接続のカスタマイズを任意に行うことができる。特定の設計の要望に従って電流を上方向/下方向、又は、左方向/右方向に流すように、隣接するソーラーセル14同士を電気的に接続することができる。必要に応じて、ステイアウト区域を迂回するように電流をルーティングすることもできる。ソーラーセルアレイ22の長さや幅は、所望に応じて設定することができる。また、アレイ22の幅は、長さに応じて変化することもできる。
一実施例では、電気的接続は、複数のソーラーセル14を通る電流の流れを決定する直列接続である。これは、図12及び図13に示す接続スキームによって達成され得る。図12は、アレイ22のソーラーセル14間の上方向/下方向の直列接続48を示しており、図13は、アレイ22のソーラーセル14間の左方向/右方向の直列接続50を示している。図12及び図13のどちらにおいても、これらの直列接続48、50は、ソーラーセル14の前面接点32及び背面接点34とバイパスダイオード44との間の電気的接続であり、これらの直列接続は、基板12の露出したエリア28上又はエリア28内に形成されたコーナー導体20を用いてなされている。基板に取り付けられていない状態の大きなストリングの組立品とは異なり、矢印52で示される、ソーラーセル14を通じた電流(電力)量は、これらの直列接続48、50によって左右される。
ソーラーセル14間のコーナー導体20は、様々な形態であることができる。コーナー導体20は、はんだ付け、溶接、導電性接着剤、又は他の処理であり得る方法で両端になされた電気的接続を有する、電線を用いて完成することができる。電線に加えて、相互接続子と同様の金属ホイルコネクタもまた適用され得る。金属導体経路又はトレースも基板12に組み込むことができる。
要約すると、この新たな手法は、ソーラーセル14を個別に基板12に取り付け、1個、2個、3個、又は4個の隣接するソーラーセル14のコーナー領域26が基板12上で位置合わせされるようにするものである。刈り込まれたコーナー部24同士が位置合わせされてコーナー領域26同士が隣接するようにソーラーセル14をレイアウトすることができ、それにより、基板12のエリア28が露出される。ソーラーセル14間の電気的接続は、これらのコーナー領域26内で、ソーラーセル14の前面接点32と背面接点32と、バイパスダイオード44と、基板12の露出したエリア28上又はエリア28内のコーナー導体20との間でなされる。これらの導電経路は、回路を含む直列接続48、50でソーラーセル14のストリングを作製するのに用いられる。
基板上のあらかじめ製作された導体
ソーラーセル14間には、複雑な電気的接続が必要とされる。この新しい手法は、基板12上でプリント、エッチング、又は形成された、パターン化されたコーナー導体20を使用する。代替的な実施例では、基板12は、剛性であるPCB、又は可撓性である可撓性シート組立品であり得る。
図14は、5段と12列のソーラーセル14からなるアレイ22のより大きな2D格子に一体化された様々な構成要素を示す。これらの構成要素を用いて、このアレイ22を必要に応じて拡大することができる。
連続的な電流は、蛇状経路を辿る。図面の矢印によって示されているように、上段左側の角から始まり、第1の列を下り、次に第2の列を上り、そしてその後の列では、左から右、下から上へと、反復するように蛇状経路を辿る。代替的な実施例では、電流のための接続は、図面上では、反対方向(例えば、右から左又は左から右、及び、下りの後上り又は上りの後下り)に流れるように修正される。
より多くのコーナー領域26でより多くの電気的接続が利用可能であることにより、角部の接続が簡略化され、冗長性が設けられる。本開示は、ソーラーセル14のアレイ22の2D格子の製作において、どのように一組のコーナー導体20を使用できるかについての詳細を示す。この2Dアレイ22は、顧客の要件に合わせるため、容易に大きさを変更することができる。これは高度に構造化されたソーラーセル14及びコーナー導体20のレイアウトであり、製造、検査、及び試験の自動化において利点を有する。
コーナー導体20は、任意の材料から製作してもよい。コーナー導体20は、スクリーン印刷又は直接描画印刷(direct write printing)(インクジェット、エアゾール噴射等)を用いて、従来型の剛性パネルを含み得る基板12に直接プリントされてもよい。
コーナー導体20を形成する別の価値ある方法は、可撓性シート組立品などの可撓性(フレキシブル)基板12を用いることである。この基板12は、広く市販されており、宇宙環境において実績がある。基板12が多くのソーラーセル14で構成される代わりに、基板12の限定エリアが、コーナー領域26で必要な要素(コーナー導体20を含む)から構成されるように製作され得る。基板12の限定エリアは、剛性パネルなどのより大きな組立品に取り付けられ得る。次いで、ソーラーセル14は、コーナー導体20を用いて、付けられた基板12に隣接するように付けられ得る。代替的に、ソーラーセル14とコーナー領域26との両方のエリアを包含する、可撓性シート組立品である大きなエリアの基板12が製作され得る。この基板12は、それ自体で存在し得るように製作することができる。基板12は、剛性パネルなどの別の構造体、又は、可撓性回路組立品を支持する周辺部の要素によって支持され得る。
図15は、一実施例に係る、可撓性シート組立品である基板12の側面図を示す。基板12は、ポリイミドシート54を含み、コーナー導体20は、ポリイミドシート54の上部にパターン化された銅(Cu)層56を含む。ポリイミドシート54には、導電性のポリイミド製バックシート58を付けることができる。これは、電荷の集積を低減するという点で宇宙環境において有用である。別の能力は、コーナー導体20の一部としてCu層56a上のめっき銀(Ag)又は金(Au)層60の添加であり、これは、可撓性シート組立品において一般的である。これらの層は、接続を行う能力を改善する。
右側に示されているのは、接着剤62で基板12に取り付けられているソーラーセル14である。ソーラーセル14及びコーナー導体20のめっきAg又はAu層60に取り付けられた金属ホイル相互接続子64も見ることができる。これは、先の図面で提示された構造体を形成し得る、比較的典型的な構造及び組立品である。
図16は、基板12上における絶縁ポリアミドオーバーレイ66の添加を示す。ポリアミドオーバーレイ66は、Cu層56及び/又はコーナー導体20のめっきAg又はAu層60への接続のためのアクセスを設ける孔又は開口を含む。ポリアミドオーバーレイ66は、他の状況では、コーナー導体20の少なくとも一部を含む可撓性シート組立品を封入する。ポリイミドは、空気や真空よりも強い高度の破壊強度を有しており、基板12は、宇宙環境における重大事項であるESDを防止するためにポリアミドオーバーレイ66によって覆われている。さらに、これにより、コーナー導体20がソーラーセル14の下方を通じることが可能となる。接着剤62は、非導電性であるが、ポリイミドオーバーレイ層66の連続的ポリイミド層は、埋設コーナー導体20とソーラーセル14との間の短絡に対して多大な保護をもたらす。
図17Aから図17Eは、様々な実施形態に係る、基板12内の埋設導体68の使用を示す。特に、図17Aは、ソーラーセル14間の接続に使用される、ソーラーセル14の下方の埋設導体68を含む、図3及び図4で示されたように構成された、基板12内に組み込まれた埋設層70を示す。ソーラーセル14の破線輪郭は、その埋設導体68に対する配置を示す。本実施例では、あらゆるソーラーセル14の2つのコーナー領域26の間で延在する、垂直方向で示された2つの埋設導体68がある。典型的に、これらの埋設導体68のうちの第1のものは、ソーラーセル14の両方の前面接点32を接続し、これらの埋設導体68のうちの第2のものは、ソーラーセル14の両方の背面接点34を接続する。
さらに、図17Aの上面にわたって埋設導体72aがある。これらの埋設導体72aは、アレイ22の隣接する列同士のソーラーセル14間で接続し、電流経路は、刈り込まれたコーナー部24ではなく、ソーラーセル14間を通過する。代替的な実施例では、これは、アレイ22の外周に位置付けされた追加の導体又はワイヤで達成することができる。この構成は、複数のソーラーセル14に対して、コーナートゥコーナー接続及び列から列への接続をさらに設ける。導体68は、複数のソーラーセル14のためのコーナートゥコーナー接続をもたらすが、導体72aは、複数のソーラーセル14のための列から列への接続をもたらす。
図17Bから図17Eは、回路終端に使用される出力線である埋設導体72bの様々な構成を示す。特に、図17Bは、両端に導体72bを有する基板12上の1つの回路の構成を示し、図17Cは、導体72bが同じ側に集まる(導体72bが他の導体68、72aの外に延在することを必要とする)1つの回路の構成を示し、図17Dは、導体72bが基板12上の複数の回路を終端し、電流を基板12の端部に流す(単一のCu層56a及び絶縁オーバーレイ66を用いて達成可能)構成を示し、図17Eは、列の上部、中央部、及び底部においてソーラーセル14用の導体72bによる回路終端を表す構成を示す。
図18は、埋設導体68をより詳細に示す。埋設導体68は、ソーラーセル14の下方に隠されていることを示すため、破線で示されている。これらの埋設導体68は、各ソーラーセル14の前面接点32又は背面接点34を接続し、これは大きな価値をもたらす。
埋設導体68の追加は冗長性をもたらし、ある相互接続子が機能しなくなっても、電流の流れ52が維持される。宇宙環境においては、この冗長性はとても重要である。
埋設導体68は、さらに直列抵抗を低減する。図5で示されているように、ソーラーセル14からの電流は、ソーラーセル14の前面にわたって延びる細型の金属フィンガー38及びバスバー40によって、ソーラーセル14の前面で集められる。バスバー40のために金属を追加してソーラーセル14に入る光を減らしソーラーセル14の出力を減らすことと、バスバー40のために金属が増えることで抵抗及び冗長性が減少することとは、バランスの関係にある。図18の埋設導体68の追加は、バスバー40における金属の使用を減らすことを可能にし、これにより電力が増大する。
電流がソーラーセル14間を通過する際に、アレイ22内のソーラーセル14の各列の上部及び/又は底部の構成のために似たような構造体を使用することができる。例えば、図17Aで示された追加の埋設導体72aは、アレイ22の隣接する列同士でソーラーセル14同士をブリッジして、例えば、左から右へと、水平に延在し得る。
図19では、ステイアウト区域74と呼ばれる下段左部分でソーラーセル14が欠損しているか、又は取り除かれている実施例を示す。多くのパネル10aは、パネル10a、翼、人工衛星の機械的組み立て専用の、又は、顧客によって要求されたその他の理由のためのステイアウト区域74を有するようになり、これらのステイアウト区域74は、ソーラーセル14を含むことができない。しかしながら、これらのステイアウト区域74は、ソーラーセル14の組み立てを大いに複雑化させる。
図19の実施例では、図示の埋設導体68は、ソーラーセル14が存在しないステイアウト区域74を含む能力を付与する。矢印52によって示されているように、電流は、ステイアウト区域74をバイパスし、継続的に埋設導体68を通って流れる。これらの幾つかの構成では、バイパスダイオード44は導体76と交換される。この組み合わせにより、ステイアウト区域74にソーラーセル14がない状態で両方の導体68を用いて電流の流れ52を冗長に継続することが可能になる。
図20では、これらが組み合わされ、4つの取り除かれたソーラーセル14の代わりに、大きなステイアウト区域を有する2Dアレイ22を示す。さらに、4つのバイパスダイオード44と交換された導体76が示されている。この設計は、顧客のカスタマイズに応えるために修正することができる。
電流経路の選択
これらのコーナー領域26におけるソーラーセル14間の電気的接続の使用は、製造を容易にするが、カストマイズを制限する場合がある。例えば、ソーラーセル14は、高電圧出力を生成するため、直列に接続されており、これはストリングとして知られている。このストリングを構築するのに必要なソーラーセル14の数は、幾つかの理由により変動し得る。ストリングの終端は、電気的接続の一部となる。したがって、電気的接続は、あらゆる回路の長さについてカスタマイズする必要がある。これは、費用がかかり、遅延が生じる。したがって、望ましくない。
本セクションは、これらの問題を取り上げており、導電経路間をブリッジするために導体要素をコーナー領域26に追加することにより、又は、導電経路間を絶縁するためにコーナー領域26から導体要素を取り除くことにより、ソーラーセル14のための電流経路を選択することでこれらの問題が対処されている。他の状況では、コーナー領域26は、パネル10aにとって無駄になるが、今やパネル10a製造の補助に利用される。したがって、刈り込まれたコーナー部によってできたコーナー領域26のそれぞれにおいて、電流又は電力を回路内の次のソーラーセル14に導くか、又は、ストリングを終端するために、電流経路を選択することが可能である。
事実上、電流経路は2つのルートを有し得る。一方のルートは、ソーラーセル14の直列接続48、50であり、別のルートは、回路終端である。電流の経路及びルートを選択するためには、導体要素を追加したり、又は導体要素を取り除いたりする単純なステップが用いられる。これにより、単純で均一な設計及びレイアウトが可能となり、それと同時に、必要に応じて回路の長さを容易に調節する能力も実現する。
図21は、一実施例に係る、複数のソーラーセル14間の一般的なレイアウトをさらに示す。接続スキームはまだ決定されておらず、各側面は、直列又は回路終端のいずれかであり得る。一般的なレイアウトは、コーナー導体20を用いて、基板12の露出エリア28で行われる、ソーラーセル14の前面接点32及び背面接点34と、パスダイオード44との間の電気的接続を含む。
図22は、ソーラーセル14のための電流経路を選択するために、ジャンパー78を含む1つ以上の導体要素がコーナー領域26に追加される実施例を示す。ジャンパー78は、コーナー導体20のうちの少なくとも1つからの電気的接続を1つ以上の他の導電経路にブリッジする。
例えば、ジャンパー78は、コーナー導体20とパッド80との間で溶接されるか、又ははんだ付けされ、応力解消要素を含み得る。パッド80は、回路をワイヤ82で終端し、ワイヤ82は、ソーラーセル14の外部の回路に接続される。代替的な実施例では、ジャンパー78は、電流を別のソーラーセル14にも向けることができる。
ジャンパー78は、ソーラーセルパネル10で使用される既存の金属相互接続子に似た金属ホイル相互接続子である。一実施例では、ジャンパー78は、ウエブ要素によって接続された平行な平面を有する2つのフランジ要素からなる形状を有する。これにより、複数の接点が可能であるが、他の形状も同様に用いることができる。ワイヤ82のような他の種類の導体要素も利用してもよい。
図22の構成では、下段右側のソーラーセル14では、ジャンパー78が微妙に側方に動かされており、これにより、下段右側のソーラーセル14の背面接点34がパッド80に接続される。パッド80に取り付けられた下段のワイヤ82がさらに示されており、下段のワイヤ82は、ストリングを外部回路に接続する。
ソーラーセル14用の従来の構造体では、背面接点34の終端部は、V+端子である。上段右側のソーラーセル14は、V-端子を形成する、別のパッド80に付けられた上段ワイヤ82を有する。V-端子に接続された上段ワイヤ82は、標準動作のために前面接点32に接続され、バイパスダイオード44を通して背面接点34に接続される。
別の実施例では、ジャンパー78は、ソーラーセル14のストリングの終端を可能にするように付けられてもよく、その場合、ワイヤ82は、パッド80を介して2つのソーラーセル14に接続される。ジャンパー78は、アレイ22内のソーラーセル14の最上段にも付けられてもよく、それにより、ソーラーセル14のストリングの連続が可能となる。さらに、ジャンパー78は、ソーラーセル14のストリングの終端を可能にするようにアレイ22内のソーラーセル14の最上段に付けられてもよく、その場合、ワイヤ82は、パッド80を介して2つのソーラーセル14に接続される。
図23は、これらの構造体のアレイ22の2D格子状の組み合わせを示し、ここでは、ソーラーセル14は、ハーフサイズのソーラーセル14である。直列接続48、50又はストリングの終端を実現するために、ジャンパー78の位置が調節される。最上段左側のソーラーセル14は、V-ストリング1と呼ばれる端子ワイヤ82を伴って新しい回路の開始点となる。ソーラーセル14は、ソーラーセル14の4つ目の列まで、左から右へと直列接続される。ここで、ジャンパー78は、V+ストリング1と呼ばれるワイヤ82を終端し、次のソーラーセル14で、V-ストリング2と呼ばれるワイヤ82が開始点となる。これは、V+ストリング2と呼ばれるワイヤ82及びV-ストリング3と呼ばれるワイヤ82において、次の回路が終端される、ソーラーセル14の7つ目及び8つ目の列の底部まで続く。ソーラーセル14の10番目の列の上段で、ストリング3と呼ばれる導体72は、図示されていない後ろに続く列のソーラーセルへと回路を続ける。
この構造体の価値は大きい。単一のパターンのプリントされたコーナー導体20、単一のレイアウトのソーラーセル14、及び単一のレイアウトのパスダイオード44がある。この単一構成は、製造、試験、及び検査の自動化を可能にする。ジャンパー78の適用は、ストリング内のソーラーセル14の数を制御する単純な方法をもたらす。
これらの図面では、電流経路の選択を可能にするために電気的接続がなされている。これは、ソーラーセル14用の電流経路を選択するために、導体要素を追加したり、取り除いたりすることによって行われる。図面でジャンパー78が示されているところに固体金属が存在するように、パターン化されたコーナー導体20を製造することができる。代替的に、ホイル又はワイヤであり得る個体金属ジャンパー78を取り付ける代わりに、プリントされた金属によって接続を実現することができる。これには、ポリマー、エポキシ、接着マトリックスで保たれているか、又は固体金属マトリックスとして固化する様々な金属粉構成が関わる場合がある。電流経路のうちの1つから金属を取り除くこと(例えば、このタスクを実行するためにレーザーアブレーション装置を用いる)により、同じ最終結果が導き出される。
多層導体
コーナー領域26におけるソーラーセル14間の電気的接続を使用することにより、自動化が促進されるが、この設計の電力生成能力、製造可能性、及び残存可能性には限界がある。特に、既存の解決策を用いてアレイ22から電力を取り出すことには、アレイ22の表面にわたってワイヤ82を通すことが必要とされるが、これには困難とリスクが伴う。
本セクションは、コーナー導体20及びソーラーセル14を電気的に接続するために基板12内に組み込まれた多層導体の取り込みについて説明する。多層導体は、コーナー導体20及びソーラーセル14の下方を通じ、コーナー導体20及びソーラーセル14に対して平行であるか、又は直交する。さらに、これらの多層導体は、外部配線82を必要することなく、ソーラーセル14のアレイ22の2D格子の任意の点から基板12の周囲まで電力を運ぶ。これにより、アレイ22内の回路からの電力の取り出しが簡略化される。
図24は、図3及び図4で示されたように構成された、基板12内に組み込まれた埋設金属層70の別の構成を示す。埋設金属層70は、ソーラーセル14の刈り込まれたコーナー部24間を電気的に接続するブリッジ線である、ソーラーセル14の下方の導体68、72を含む。埋設導体68、72は、図17に示した態様と同じ態様で構成される。しかしながら、埋設金属層70は、ソーラーセル14間で電力を分配するためのV+線84及びV-線86をさらに含む。V+線84及びV-線86は、導体68に対して直交して、基板12の埋設金属層70において水平に構成されており、ソーラーセル14の下方を通じ、基板12の周囲に至る。
ブリッジ線としての導体68は、様々な方法で構成され得る。導体68は、ソーラーセル14の一方のコーナー24上の前面接点32を同じソーラーセル14の別のコーナー24上の前面接点32に電気的に接続するために、ソーラーセル14の下方を延び、導体68は、ソーラーセル14の一方のコーナー24上の背面接点32を同じソーラーセル14の別のコーナー24上の背面接点32に電気的に接続するために、ソーラーセル14の下方を延びる。
さらに、ストリング終端線V+84及びV-86は、様々な方法で構成される得る。V+線84及びV-線86は、ソーラーセル14からの電流を基板12の周囲に分配し、V+線84及びV-線86は、アレイ22に対して垂直の方向でアレイ22の長さの少なくとも一部で延び、又は、複数のV+線84及びV-線86があり、ソーラーセル14間で電力を分配するために、ソーラーセル14が複数のV+線84及びV-線86に接続する。
各コーナー領域26では、導体68、72、V+線84及びV-線86をソーラーセル14及びコーナー導体20に垂直に接続する、基板12を通る1つ以上のビア又は垂直導電経路(図示せず)があってもよい。さらに、導体68、72、V+線84及びV-線86は、それぞれ、他の導体68、72、V+線84及びV-線86に垂直に接続され得る。
図25は、基板12が可撓性シートの組立品である実施例の側面図であり、多層導体が含まれている。基板12は、上にCu層56a、下にCu層56bを有するポリイミドベース層54を含み、Cu層56a及び56bは、多層導体を形成している。めっきAg又はAu層60を有するCu層56aは、多層導体への1つの層のためのコーナー導体20としてパターン化され、Cu層56bは、多層導体への別の層のための、導体68及び72、並びにV+線84及びV-線86としてパターン化される。
基板12は、多層導体のうちの少なくとも1つを、多層導体のうちの少なくとも別の1つから分離する絶縁層も含む。一実施例では、頂部のポリイミドオーバーレイ層66a及び底部のポリイミドオーバーレイ層66bがあり、頂部のポリイミドオーバーレイ層66aは、その中に1つ以上の孔が掘削されており、これらの孔は、Cu層56aをCu層56bと電気的に接続するCuめっきビア88である。さらに、導電性ポリイミド層58を基板12の背面に付けることができる。
頂部のポリイミドオーバーレイ層66aをソーラーセル14の下方で除くことができる。頂部のポリイミドオーバーレイ層66aで泡又は他の欠陥が生じやすい場合、このことは有利であり得る。
Cu層56a、Cu層56b、及び頂部のポリイミドオーバーレイ層66aが整列させられている。この実施例では、頂部のポリイミドオーバーレイ層66aは、Cu層56a、ポリイミド層54、及びCu層56bをほぼ完全に包み、Cu層56a及びCu層56bへの小さいアクセスホールのみがある。これには、頂部のポリイミドオーバーレイ層66aがロールアップされて、Cu層56a及び56bの角を覆うことが必要である。Cu層56a及び56bの金属を包むことにより、頂部のポリイミドオーバーレイ層66aは、ESDに対して価値のある保護をもたらす。
頂部のポリイミドオーバーレイ層66aは、Cu層56a及び56bの端部の重なり合いを防ぐ大きな孔を有する。この頂部のポリイミドオーバーレイ層66aは、完全な頂部のポリイミドオーバーレイ層66aよりも欠陥が少ない状態で、製造することがより簡単であり得る。
Cu層56aの2つ以上のトレース間に接続があり、Cu層56aのトレースも、ビア88によってCu層56bに接続されている。頂部のポリイミドオーバーレイ層66aは必要ではない場合がある。その場合、ジャンパー78への任意の接続を妨げる頂部のポリイミドオーバーレイ層66aがない。
ジャンパー78(図示せず)は、Cu層56aからCu層56bへと直接接続し得る。同様に、相互接続子64は、ソーラーセル14をCu層56a又はCu層56bのいずれかに接続し得る。これにより、Cuめっきビア88の接続がなくなるが、これは特に可撓性シートの組立品において信頼性の懸念となり得る。しかしながら、ジャンパー78が届く必要がある、頂部のポリイミドオーバーレイ層66aからのより多くのポリイミドのトポグラフィが存在する。頂部のポリイミドオーバーレイ層66aの厚さは、典型的に約~0.1mmであるが、ジャンパーの長さは、典型的に、約~4mmであり得る。ジャンパー78の金属が頂部のポリイミドオーバーレイ層66aからの大量のポリイミドで囲まれることにより、ジャンパー78が妨げられるかもしれないが、ESDも妨げられることになり、これは価値があり得ることである。
埋設Cu層56bに対して電気アクセスが設けられる。これは、Cu層56aとCu層56bとの間のビア88接続、又は、Cu層56aとCu層56bとの間の直接接続によって達成され得る。さらに、Cu層56aとCu層56bとの間に複数の接続があり得る。この冗長性は重要な属性であり、可能である場合に利用することができる。
V+線84及びV-線86を含むCu層56bのトレースは、Cuの断面領域及び導電性を最大限にするため、幅広くてもよい。これは、高電流及び長い導体にとって重要であり得る。これらのV+線84及びV-線86には、接続する複数のビア88があってもよく、それにより、以下の図26で示されているように、信頼性のある冗長接続が行われ得る。代替的に、これらのV+線84及びV-線86は薄くてもよく、それにより、より多く実装することができる。多くの回路が個別の出力線84、86を必要とするアレイ22では、より多くの線84、86が重要であり得る。
図26は、コーナートゥコーナーブリッジ線68a、68b、並びにV+線84及びV-線86を示すが、これらは、Cu層56b内にあり、ビア88によって接続される。ブリッジ線68a、68bは、頂部のポリイミドオーバーレイ層66aを有するCu層56a内にあってもよいが、Cu層56bは、必要に応じて、Cu層56aよりも薄くてもよいし、又はより厚さがあってもよい。別のオプションとして、これらのブリッジ線68a、68bは、Cu層56a及びCu層56bの両方の内にあってもよく、底部抵抗及び改善された冗長性をもたらす。この図面は、埋設導体に焦点を当て、最終的な構造もコーナー導体20を有するようになる。
図27は、基板上12に配置され且つバイパスダイオード44a、44b、44cと共にコーナー導体20を用いて直列に接続された3つのソーラーセル14a、14b、14c間の標準的な接続を示す。各ソーラーセル14a、14b、14cは、電流源92と平行であり、シャント抵抗器94と平行な、ダイオード90として示される。電流52は、図面を巡るように時計回りに流れる。電流52が低電圧(V-)98で負荷96から戻る際に、ソーラーセル14aの前面接点32及びバイパスダイオード44aに接続する。ソーラーセル14aが光源100によって照らされたら、電流源92が作動して、ソーラーセル14aを通して電流52の電圧98を上昇させる。電流52は、上昇した電圧(V+)98で、ソーラーセル14bの前面接点32に接続された、ソーラーセル14aの背面接点34から出て、ソーラーセル14bの背面接点34、ソーラーセル14cの前面接点32、ソーラーセル14cの背面接点34へと流れ、再度負荷98へと流れる。ソーラーセル14a、14b、14cの直列はストリングとして知られ、所望の電流52及び電圧98を生成する。回路内のソーラーセル14a、14b、14cの数が、電圧98を決定し、トリプルジャンクションのソーラーセル14a、14b、14cごとにおおよそ2Vである。
例えば、シャドーイングによりソーラーセル14a、14b、14cが電流52を生成しない場合、回路の電圧98が、シャドーイングの対象となったソーラーセル14a、14b、14cにわたって印加され、損傷を引き起す恐れがある。これに対しては、バイパスダイオード44a、44b、44cが保護をもたらす。ソーラーセル14bが電流52を生成しない場合、電圧98がソーラーセル14b及びバイパスダイオード44bにわたって生成され、それにより、電流52がバイパスダイオード44bを通って流れることが可能となる。ケイ素(Si)バイパスダイオード44bを使用することにより、おおよそ0.5Vで電流52が流れることが可能となり、ソーラーセル14bが保護される。本明細書に記載された接続は、さらなる図面で説明される構成において維持されなければならない。さらに、導体の冗長性及び接続は、ソーラーセル14a、14b、14cの寿命にわたって動作を保証するために重要である。
図28は、埋設Cu層56bがどのようにCu層56aと一体化されるかを示し、ここにはコーナー導体20が含まれている。ビア88aは、コーナー導体20であるCu層56aとブリッジ線68であるCu層56bとの間の接続に対して示されている。ビア88bは、電力分配バー102であるCu層56aとV+線84及びV-線86であるCu層56bとの間の接続に対して示されている。相互接続子は、バー102を複数のソーラーセル14及び複数のV+線84及びV-線86に接続することができる。バイパスダイオード44も示されている。
図29は、上段左のソーラーセル14の背面接点34を下段左のソーラーセル14の前面接点32に接続するジャンパー78aを示す。このジャンパー78aは、バイパスダイオード44を通して、下段左のソーラーセル14の背面接点34にも接続する。この接続経路は、図面の左側に示された上から下までの電流の流れ52をもたらす。ジャンパー78bを用いる、似たような構成は、図面の右側に示された下から上までの電流の流れ52をもたらす。
図30、31、32、33、34、及び35は、本開示の幾つかの利点を示す。導電性相互接続子を付けることにより、単一設計の可撓性シートの組立品が多くの電気接続経路を有することができる。これは、材料購入コストを最小限にするのに重要であり、製造及び自動化を簡略化する。
図30は、図面の上段左及び下段左のソーラーセル14間の接続を示す。下段左のソーラーセル14では、背面接点34が中央の電力バー102で終端されている。中央の電力バーは、相互接続子106からビア88bを通して、V+線84(図示せず)及びV-線86(図示せず)に接続される。中央の電力分配バー102は、相互接続子106からビア88bを通してすべてのV+線84及びV-線86へのアクセスを可能にするブリッジ相互接続子104を有する。図面の下段右のソーラーセル14では、前面接点32が右側の電力バー102で終端される。電力バー102は、相互接続子106からビア88bを通して、V-線86に接続され、背面接点34は、図面の上段右のソーラーセル14に直列接続される。矢印52は、電流の流れの方向を示す。
図31では、図面の上段左側のソーラーセル14の背面接点34が、上段中央の電力バー102で終端されており、上段中央の電力バー102は、相互接続子106からビア88bを通して、V+線84(図示せず)及びV-線86(図示せず)に接続され、図面の下段左のソーラーセル14では、前面接点32が上段左の電力バー102で終端しており、上段左の電力バー102は、相互接続子106からビア88bを通して、V-線86に接続されていることが示されている。図面の下段右側のソーラーセル14の背面接点34は、下段中央の電力バー102で終端されており、下段中央の電力バー102は、相互接続子106からビア88bを通して、V+線84(図示せず)及びV-線86(図示せず)に接続され、図面の上段右側のソーラーセル14では、前面接点32が右側の電力バー102で終端しており、右側の電力バー102は、相互接続子106からビア88bを通して、V-線86に接続されている。
図32では、図面の上段左側のソーラーセル14の前面接点34が、左側の電力分配バー102に接続されており、左側の電力分配バー102は、相互接続子106からビア88bを通して、V-線86(図示せず)に接続され、背面接点34は、図面の下段左側でソーラーセル14に直列接続されていることが示されている。図面の下段右側のソーラーセル14の背面接点34は、図面の上段右側のソーラーセル14に接続されており、図面の上段右側のソーラーセル14の背面接点34は、上段中央の電力分配バー102で終端されており、上段中央の電力分配バー102は、相互接続子106からビア88bを通して、V+線84(図示せず)に接続されている。
図33では、図面の上段左側のソーラーセル14の背面接点34が、上段中央の電力分配バー102で終端されており、上段中央の電力分配バー102は、相互接続子106からビア88bを通して、V+線84(図示せず)に接続され、図面の上段左側のソーラーセル14の前面接点32が、ビア88aを通して、ブリッジ線68(図示せず)に接続されていることが示されている。図面の下段左側のソーラーセル14の前面接点32は、左側の電力分配バー102に接続されており、左側の電力分配バー102は、相互接続子106からビア88b、並びにバイパスダイオード44を通して、V-線86(図示せず)に接続され、図面の下段左側のソーラーセル14の背面接点34は、バイパスダイオード44を通して、V-線86にさらに接続されている。図面の下段右側のソーラーセル14の背面接点34は、図面の下段右側のソーラーセル14に直列接続されている。
図34では、図面の上段左側のソーラーセル14の背面接点34が、図面の下段左側のソーラーセル14に直列接続されていることが示されている。図面の下段左側のソーラーセル14の背面接点34は、下段中央の電力分配バー102に接続されており、下段中央の電力分配バー102は、相互接続子104によって、上段中央の電力分配バー102に接続されており、上段中央の電力分配バー102は、相互接続子106からビア88bを通して、V+線84(図示せず)で終端されている。図面の下段右側のソーラーセル14の背面接点34は、図面の上段右側のソーラーセル14に直列接続されている。
図35では、図面の上段左側のソーラーセル14の前面接点34が、左側の電力分配バー102に接続されており、左側の電力分配バー102は、相互接続子106からビア88bを通して、V-線84(図示せず)に接続され、図面の上段左側のソーラーセル14の背面接点34は、図面の下段左側のソーラーセル14に直列接続されている。図面の下段右側のソーラーセル14の背面接点34は、図面の上段右側のソーラーセル14に直列接続されている。
図36は、共に合わされた図30、31、及び32を参照して説明される。特に、図30、31、及び32のソーラーセル14は、左側の電流がソーラーセル14を下って流れるように接続される。これらは、直列接続され、V+線84及び/又はV-線86で終端される。同様に、図30、31、及び32のソーラーセル14は、右側の電流がソーラーセル14を上って流れるように接続される。これらは、直列接続され、V+線84及び/又はV-線86で終端される。さらに、図33、34、及び35のセルは、同じような態様であるが、鏡で映しだしたような態様で共に合わされてもよく、電流の流れは逆になる。
これは、どのように回路が複数のV+線84及びV-線86で終端するかを示す。ここでは、V+線84及びV-線86への接続において冗長性が大きいことが示されている。重要な点は、図26で示した垂直のコーナートゥコーナー接続(68a及び68b)が用いられていることである。冗長性のために2つより多いV+線84が必要である可能性は低い。さらに、場合によっては、単一のV+線84に対して冗長接続を行うことができるので、単一のV+線が望ましい場合がある。一般的に、接続部は冗長性を必要とする最も繊細な部分である。
図37は、ソーラーセル14の段の端部における導体72、V+線84、及びV-線86、並びにソーラーセル14の下方のブリッジ線68a、68bを示す。さらに、直列接続のために相互接続子(図示せず)が適用され得る。
この構成では、電流は、埋設導体72及びビア88aを通して図面の左側から流れ、左側のソーラーセル14の前面接点32に接続する。導体72は、バイパスダイオード44(図示せず)を通して背面接点34にも接続する。電流は、次いで、図面を下るように流れる。図面の右側のソーラーセル14は、下方のソーラーセル14(図示せず)から電流を受ける。図面の右側のソーラーセル14の背面接点34は、それを導体72に接続させる相互接続子を有しており、この相互接続子は、電流を図面の右側から次のソーラーセル14(図示せず)へと運ぶ。
図面の左側のソーラーセル14は、ビア88bを通して、V-線86で終端され得る。図面の右側のソーラーセル14は、ビア88bを通して、V+線84で終端され得る。
図38は、3段と6列で配置されたソーラーセル14のアレイ22を含む変形例を示す。この図は、ブリッジ68及び72、並びに複数のV+線84及びV-線86を示す。上段左側のコーナーのソーラーセル14(セル1-14)は、V-1、2、3線86で終端され、これらの接続のために両側のコーナーを用いられる。第1の回路の電流は、次いで、矢印52aによって示されているように、直列接続を流れて、セル7-14に至る。セル7-14は、V-1、2、3線84で終端される。第2の回路の電流は、次いで、矢印52bによって示されているように、V-3、5線86で終端するセル8-14が開始点となる。この回路は、セル8-14とセル15-14との間で直列接続される。セル15-14は、V-6、7、10線84で終端される。第3の回路の電流は、矢印52cによって示されているように、V-5、6線86に接続されたセル16-14が開始点となる。この回路は、次いで、直列接続でセル18-14まで続き、図面の外まで続く。
この構成は、本開示の利点を示す。基板12内の多層導体を用いる単一設計であり、基板12は、可撓性シートの組立品又はプリント回路基板であり得る。本開示の強みは、この高額な部分の単一設計が必要であるということである。したがって、バルクで製造することにより費用を減らすことができる。さらに、任意の種類のプログラムや顧客のためにあらかじめ製造することができる既製品となり、長い納期がなくなる。
さらにソーラーセル14及びバイパスダイオード44がアレイ22状になるという単一の組立品もある。従来のソーラーセル14のアレイは、アレイ内の各ソーラーセル14に対して、非常にカスタマイズされた、変動可能な位置を有する。
このように構造化されたレイアウトを有することにより、レイアウト自動化、並びに試験及び検査がさらに簡略化される。多層基板12、並びにそのソーラーセル14及びバイパスダイオード44との組立品の調達は、一般的である。これは、任意の長方形のソーラーセルアレイ22においてよくある組立品である。
ソーラーセルアレイ22は、種々の動作環境及び電圧要件を有しており、これらは、究極的には、回路内のソーラーセル14の数を決定する。ストリングの長さは、20個から55個のソーラーセル14の範囲であることが多い。これは、重要なカスタマイズである。このレイアウトでは、カスタマイズは、相互接続子を必要な位置に追加することにより容易に行われる。したがって、唯一のカスタマイズは、導体を配置し、それをはんだ又は溶接工程(抵抗性、レーザ、超音波等)によって取り付けることにある。
導電性相互接続子を追加することは、これらのトレースを所定位置で製作し、次いで、金属を取り除くことに等しい。取り除く工程は、レーザーアブレーション工程によって容易に実現できる。
すべての接続が開始点とされることがベースレベルのレイアウトであり得る。次に、所望の接続パターンを有するために、金属を取り除くことができる。さらに、めっきビアを介したCu層を通じる電気経路があってもよく、又はCu層の少なくとも一部が取り除かれてもよい。この工程で一部のポリアミドも取り除くことができる。
このレイアウトの重要な能力は、ステイアウト区域74を設ける能力である。パネル10aの製造には、孔を有し得る特定位置に任意のハードウェアを置かないように顧客が指示したり、又は、パネル10a組立品のその他の装着上の必要性を満たしたりすることが関わる場合が多い。コーナートゥコーナーの埋設接続により、ソーラーセル14を組立品から取り外すことが可能となる。次いで、バイパスダイオード44は固体導体と交換される。これにより、未使用のままである必要があるV+線84又はV-線86を切り離すこととなり得る。
電力分配バー102の設計には変形例もあり得る。例えば、中央の電力分配バー102は中実であってもよく、それにより、より多くのV+線84へのアクセスが設けられる。しかしながら、コーナー領域26においてV+線84で終端し得るソーラーセル14は1つだけである。
さらに、構造体がより多くの有線接続を有し、それにより、選択肢が少なくなり、相互接続子がより少なくなるような変形例があり得る。有線電気的接続は故障リスクを減し、これは望ましい場合が多い。
これは、両側のコーナー領域26においてソーラーセル14がV+線84及びV-線86で終端し得ることに対してバランスをとり、幾つかのV+線84及びV-線86が既に使用されている場合、冗長性及び設計上の柔軟性をもたらす。さらに、これは、隣接するV+線84及びV-線86の使用を必要とし、異なるコーナー領域26におけるV+線84及びV-線86の使用による保護をなくす。
図39は、図33の接続に適合するように行われた接続を示すが、ここでは、コーナー導体20、ジャンパー78、相互接続子104、及び相互接続子106がより少ない。さらに、コーナー導体20と他の導体要素との間により多くの空間がある。
これは設計上の柔軟性を制限するが、電気的コーナー導体20がより少なくなり、レイアウト空間が節約される。したがって、より優れたESD保護をもたらすため、又は必要なコーナー領域26を縮小するために、コーナー導体20はより広く場所をとってもよい。コーナー領域26を小さくすることにより、電力生成に用いられるソーラーアレイエリアが増大する。
全体的に、この形式は、数多くの特定の構成を有し、その多くは本明細書で説明されている。実際には、複数の接続及び高密度導体を必要とするレイアウトの幅広い柔軟性と、空間を無駄にせず、適用する接続がより少ないより多くの有線接続との間のバランスがある。
プリントされた導体
本セクションは、ソーラーセル14間に電気的接続をもたらすために、ソーラーセル14及び/又はダイオード44が基板12に取り付けられる前及び/又は後に、コーナー領域26内の基板12上に金属コーナー導体20をプリントすることを説明する。コーナー導体20をプリントすることは、製造を簡略化することができ、それと同時にカスタマイズをもたらす。電気的接続は、プリントされたコーナー導体20を用いて任意の所望の方法で行うことができ、設計を修正する労力が少ない。
図40は、上述の図22に似たコーナー接続レイアウトを示す。この図面は、どのようにジャンパー78のような1つ以上の導体要素がコーナー領域26に追加されるかを示す。ジャンパー78は、コーナー領域26で回路が終端されることを可能にするか、又は、電流52を次のソーラーセル14に向けることを可能にする。
ジャンパー78は、既存の金属相互接続子に似た金属ホイル要素である。上述のように、ジャンパー78は、ウエブ要素によって接続された平行な平面を有する2つのフランジ要素からなる形状を有する。これにより、複数の接点が可能であるが、他の形状も同様に用いることができる。ジャンパー78は、導電経路及びパッドに溶接又ははんだ付けすることができる。ワイヤ82のような他の種類の導体要素も利用してもよい。
ジャンパー78は、2つの可能な電流経路間の選択を可能にする。図40のレイアウトは、ソーラーセル14の直列接続の経路、又は、ワイヤ82を取り付けることができる大きなパッド80での回路終端をもたらす。
ジャンパー78などの固体金属導体を使用する代わりに、図41は、どのようにジャンパー78が似たような形状のプリントされた導体108と交換され得るかを示す。プリントされたコーナー導体20のように、プリントされた導体108も硬化を必要とする場合があるが、溶接又ははんだ付け工程を必要としない。これは有利であり得る。
図42では、ソーラーセル14及びバイパスダイオード44が基板12に付けられる前に、コーナー領域26が、基板12の露出エリア28にプリントされたコーナー導体20を有するように示されている。コーナー導体20をプリントすることにより、これらの要素を実質的にあらゆる態様又は構成で接続することができる。主な制約は、コーナー導体20の交差を防ぐことである。図42のレイアウトは一般的であり、バルクで構築することができ、任意のパネル10a構成に適用することができる。これは、製造コスト及び納期という点で有利である。
図43A及び図43Bでは、コーナー領域26は、基板12の露出エリア28にプリントされたコーナー導体20を有するように示されている。このプリント工程は、ソーラーセル14及びバイパスダイオード44が取り付けられる前か後に行なわれ得る。このプリント工程は、必要であり得る硬化又は洗浄を促進するために、ソーラーセル14及びバイパスダイオード44の取り付け前に行うことが好ましい。これらの図は、矢印52で示されているように、コーナー導体20をプリントすることがどのように電流の流れを方向付け得るかを示す。プリント技法は、カスタマイズを可能にする。図43Aでは、電流52が垂直に流れ、図43Bでは、電流52が水平に流れる。
図44は、プリントされたコーナー導体20の別の構成を示す。ここでは、回路は大きなパッド80で終端する。パッド80もプリントされており、パッド80にバルクワイヤ82(図示せず)を接続することができる。コーナー導体20及びパッド80のプリントは、左から右又は上から下の電流経路、ステイアウト区域等を実現するため、任意の数の異なるレイアウト及び構成に発展し得る。さらに、追加された、基板12内に組み込まれた埋設接続又は多層接続は、形状に適合し得るプリントされたコーナー導体20及びパッド80と接続することができる。
プリントされた導体20は、表面でビアに接続し、埋設導体に接続することができる。同様に、埋設導体は、絶縁層を通して露出され得る。プリント工程は、基板12表面にわたって行われ、露出された埋設導体まで延在し得る。
この実施例では、製造を簡略化しながらもカスタマイズを強化するために、コーナー導体20は、基板12上に直接プリントされる。特に、プリントされたコーナー導体20は、任意の構成のために設計され得る。プリントされたコーナー導体20は硬化を必要とする場合があるが、溶接又ははんだ付け工程を必要としない。その代わりに、プリントされたコーナー導体20は、ソーラーセル14を、その前面接点32及び背面接点34を介して、バイパスダイオード44などの他の要素と直接接続する。
現在利用可能な導電性プリントの解決策は数多くある。空間ベースのソーラーセルパネル10aについては、プリントされたコーナー導体20は、導電性が高く、脱ガスが極めて低く、250℃を下回る最大温度で硬化される必要がある。
幾つかのプリント可能な導体には、これらの要件を満たさない可能性がある有意なポリマー含有量が含まれる。しかしながら、Au、Ag、及びCuで利用可能なナノメタルインクを含む、好ましいナノメタルインクに基づいた配合物が幾つかある。微小金属粒子のプラズマ噴霧は、導電性が高い、ポリマーを含まない金属をプリントする能力をさらに示した。
このナノメタルインクは、約150から250℃の範囲の温度で固体金属に固化される粉末から構成される。硬化中、溶剤及び界面活性剤が大量に蒸発し、少量のポリマー又は有機分が残る。結果として得られた金属製コーナー導体20は、バルク金属に近い導電性を有する。さらに、これらのナノ金属をインク形状又はエアゾール工程でプリントするための様々なプリントツールが利用可能である。
基板12内に組み込まれた埋設導体又は多層導体を使用することにより、プリントされたコーナー導体20の機能性が強化される。さらに、ESDに対する感度を低くするために、プリントされたコーナー導体20をポリマー絶縁体内に封入することができる。ポリマー絶縁体もプリントすることもできる。コーナー導体20及びパッド80のプリントには、ポリマー又はセラミック/酸化物である絶縁体のプリントも関わる場合がある。プリントされたコーナー導体20及びパッド80を封入し、ESDに対する感度を低下させるため、絶縁体がコーナー導体20及びパッド80にプリントされる。さらに、放射線誘起電荷を運ぶために、もう一つのプリントされた導電層が絶縁体上に堆積され得る。
この構造体の価値は大きい。単一のパターンのプリントされたコーナー導体20、単一のレイアウトのソーラーセル14、及び単一のレイアウトのパスダイオード44がある。この単一構成は、製造、試験、及び検査の自動化において大きな利点を有する。
必要なカスタマイズを達成するために、導電経路のプリントは有利な工程である。図42の単一の開始点レイアウトを用いて、幅広い種類の経路を実現することができる。ここでは、必要な電流経路のみが存在する。これにより、コーナー領域26をより有効に活用することができる。妥協点及び最適点は変更することができる。コーナー領域26において必要なコーナー導体20がより少ないため、コーナー領域26を縮小することができ、電力生成ソーラーセル14を有するパネル10aエリアの比率が増える。代替的に、抵抗性を低下させ、信頼性を獲得するために、コーナー導体20をより大きくすることができる。別の妥協点では、より大きな空間をコーナー導体20間に設けることができ、それにより、ESDによる損傷のリスクが減る。これらの特徴は、空間ベースのパネル10aにおいては大きな価値を有する。
製作
本開示の各実施例は、図45に示すステップ116~128を含む、ソーラーセル14、ソーラーセルパネル10a、及び/又は人工衛星の製作方法114に関連して記載されていてよく、結果として製作される、ソーラーセル14からなるソーラーセルパネル10aを有する人工衛星130は、図46に示される。
図45に示すように、製造前段階では、例示の方法114は、ソーラーセル14、ソーラーセルパネル10a、及び/又は人工衛星130の仕様及び設計116、並びにこれらの材料の調達118を含んでもよい。製造段階では、ソーラーセル14、ソーラーセルパネル10a、及び/又は人工衛星130のコンポーネント及びサブアセンブリの製造120、並びにシステムインテグレーション122が行われる。これらは、ソーラーセル14、ソーラーセルパネル10a、及び/又は人工衛星130の製作を含んでいる。その後、ソーラーセル14、ソーラーセルパネル10a、及び/又は人工衛星130は、運航126に供されるために認可及び納品124を経てもよい。ソーラーセル14、ソーラーセルパネル10a、及び/又は人工衛星130は、打ち上げ前に、(改造、再構成、改装などを含む)整備及び保守128がさらに予定され得る。
方法114の各工程は、システムインテグレータ、第三者、及び/又はオペレータ(例えば顧客)によって実行又は実施され得る。本明細書の目的に関しては、システムインテグレータは、限定しないが、ソーラーセル、ソーラーセルパネル、人工衛星又は宇宙船の、任意の数の製造業者及び主要システムの下請業者を含んでいてよく、第三者は、限定しないが、任意の数のベンダー、下請業者、及びサプライヤーを含んでいてよく、且つオペレータは、衛星通信会社、軍事団体、サービス機関などであってよい。
図46に示すように、例示の方法114によって製作される人工衛星130は、システム132、本体134、ソーラーセル14からなるソーラーセルパネル10a、及び1つ以上のアンテナ136を含み得る。人工衛星130に含まれるシステム132の実施例は、限定しないが、推進システム138、電気システム140、通信システム142、及び電力システム144のうちの1つ以上を含む。任意の数の他のシステム132も含まれてよい。
図47は、一実施例に係る、機能ブロック図の形態のソーラーセルパネル10aを示す。ソーラーセルパネル10aは、基板12に個別に取り付けられた1つ以上のソーラーセル14からなる、ソーラーセルアレイ22からなる。各ソーラーセル14は、光源148からの光146を吸収し、それに応答して電気出力150を生成する。
ソーラーセル14のうちの少なくとも1つは、コーナー領域26を画定する少なくとも1つの刈り込まれたコーナー部24を有し、それによって、基板12のエリア28は、ソーラーセル14が基板12に取り付けられたときにも露出したままである。複数のソーラーセル14が基板12に取り付けられているときには、隣接するソーラーセル14のコーナー領域26同士が位置合わせされており、それによって基板12のエリア28が露出する。
基板12の露出したままのエリア28は、基板12に取り付けられたか、基板12上にプリントされたか、基板12に組み込まれたかしている1つ以上のコーナー導体20を含んでおり、ソーラーセル14とコーナー導体20との間の1つ以上の電気的接続が、ソーラーセル14のうちの少なくとも1つの刈り込まれたコーナー部24によってできたコーナー領域26内でなされている。
刈り込まれたコーナー部24によってできたコーナー領域26は、コーナー導体20とソーラーセル14との間の電気的接続をなすため、少なくとも1つの接点、例えば、ソーラーセル14の前面上の前面接点32、及び/又は、ソーラーセル14の背面上の背面接点34を含む。電気的接続は、ソーラーセル14を通る電力の流れを決定する上方向/下方向又は左方向/右方向の直列接続を含み得、1つ以上のパスダイオード44を含み得る。
さらに、本開示は下記の条項に係る実施例を含む。
条項1
ソーラーセル用の基板を備えている構造体であって、前記基板は、コーナー領域を画定する少なくとも1つの刈り込まれたコーナー部を有する少なくとも1つのソーラーセルが前記基板に取り付けられているときに、前記基板のエリアが露出されたままとなり、露出されたままの前記基板の前記エリアが、1つ以上の導体を含み、且つ前記ソーラーセルと前記導体との間の電気的接続が前記コーナー領域内で行われるように構成されている、構造体。
条項2
前記ソーラーセルが、前記ソーラーセルの前面上に前面接点を含む、条項1に記載の構造体。
条項3
前記前面接点が前記コーナー領域内に延在する、条項2に記載の構造体。
条項4
前記ソーラーセルが、前記ソーラーセルの背面上に背面接点を含む、条項1から3のいずれか一項に記載の構造体。
条項5
前記背面接点が前記コーナー領域内に延在する、条項4に記載の構造体。
条項6
前記導体が、前記基板上でパターン化される、条項1から5のいずれか一項に記載の構造体。
条項7
前記導体が、絶縁層で覆われる、条項1から6のいずれか一項に記載の構造体。
条項8
前記ソーラーセルが、前記導体の上に置かれる、条項1に記載の構造体。
条項9
前記導体が、前記ソーラーセルの下方を通る、条項1に記載の構造体。
条項10
前記導体が、前記ソーラーセルの外周にある、条項1に記載の構造体。
条項11
前記導体が、前記ソーラーセルの一方の刈り込まれたコーナー部から他方の刈り込まれたコーナー部へと通じる、条項1から10のいずれか一項に記載の構造体。
条項12
前記少なくとも1つのソーラーセルが、前記基板に、2次元(2D)格子状のアレイで取り付けられている複数のソーラーセルを備えている、条項1から11のいずれか一項に記載の構造体。
条項13
電気的接続が、前記複数のソーラーセルを通る電流の流れを決定する直列接続である、条項12に記載の構造体。
条項14
前記電気的接続が、前記複数のソーラーセルのストリングを終端する、条項12又は13に記載の構造体。
条項15
前記導体が、前記ソーラーセルのうちの1つの刈り込まれたコーナー部から前記ソーラーセルのうちの他方の刈り込まれたコーナー部へと通じる、条項12から14のいずれか一項に記載の構造体。
条項16
前記導体は、前記電気的接続が前記基板を離れることを可能にする、条項1から15のいずれか一項に記載の構造体。
条項17
前記電気接続のうちの1つ以上に使用するために、1つ以上のバイパスダイオードが、露出されたままの前記基板の前記エリアに追加される、条項1から16のいずれか一項に記載の構造体。
条項18
ソーラーセル用の基板を備えている構造体であって、前記基板は、コーナー領域を画定する少なくとも1つの刈り込まれたコーナー部を有する少なくとも1つのソーラーセルが前記基板に取り付けられているときに、前記基板のエリアが露出されたままとなり、露出されたままの前記基板の前記エリアが、1つ以上の導体を含み、前記ソーラーセルと前記導体との間の1つ以上の電気的接続が前記ソーラーセルの前記刈り込まれたコーナー部によってできた前記コーナー領域内で行われ、且つ前記ソーラーセルのための電流経路を選択するために、1つ以上の導体要素が前記コーナー領域に追加されたり、又は前記コーナー領域から取り外されたりするように構成されている、構造体。
条項19
前記導体要素のうちの少なくとも1つがジャンパーを備え、前記ジャンパーが前記電気的接続を前記基板上に接続する、条項18に記載の構造体。
条項20
前記ジャンパーが前記コーナー領域内に位置する、条項19に記載の構造体。
条項21
前記ジャンパーが、前記基板上の前記電気的接続に複数の接続点を設ける形状を有する、条項19に記載の構造体。
条項22
前記電気的接続のうちの少なくとも1つが、前記ソーラーセルの直列接続を含む、条項18から21のいずれか一項に記載の構造体。
条項23
前記電気的接続のうちの少なくとも1つが、前記ソーラーセルの回路終端を含む、条項18から22のいずれか一項に記載の構造体。
条項24
ソーラーセル用の基板を備えている構造体であって、前記基板は、コーナー領域を画定する少なくとも1つの刈り込まれたコーナー部を有する少なくとも1つのソーラーセルが前記基板に取り付けられているときに、前記基板のエリアが露出されたままとなり、露出されたままの前記基板の前記エリアが、1つ以上のコーナー導体を含み、前記ソーラーセルと前記コーナー導体との間の1つ以上の電気的接続が前記ソーラーセルの前記刈り込まれたコーナー部によってできた前記コーナー領域内で行われ、且つ前記コーナー導体及び前記ソーラーセルに電気的に接続するために、1つ以上の多層導体が前記基板内部に埋め込まれるように構成されている、構造体。
条項25
前記多層導体が、前記コーナー導体及び前記ソーラーセルの下方を通じる、条項24に記載の構造体。
条項26
前記ソーラーセルのうちの少なくとも1つの一方のコーナー上の前面接点を前記ソーラーセルの前記少なくとも1つの他方のコーナー上の前面接点に電気的に接続するために、前記多層導体のうちの少なくとも1つが、前記ソーラーセルのうちの前記少なくとも1つの下方で延びる、条項25に記載の構造体。
条項27
前記ソーラーセルのうちの少なくとも1つの一方のコーナー上の前面接点を前記ソーラーセルの前記少なくとも1つの他方のコーナー上の背面接点に電気的に接続するために、前記多層導体のうちの少なくとも1つが、前記ソーラーセルのうちの前記少なくとも1つの下方で延びる、条項25に記載の構造体。
条項28
前記ソーラーセルのうちの少なくとも1つの一方のコーナー上の背面接点を前記ソーラーセルの前記少なくとも1つの他方のコーナー上の背面接点に電気的に接続するために、前記多層導体のうちの少なくとも1つが、前記ソーラーセルのうちの前記少なくとも1つの下方で延びる、条項25に記載の構造体。
条項29
前記多層導体のうちの少なくとも1つが、前記ソーラーセルのうちの前記少なくとも1つをバイパスダイオードに電気的に接続する、条項25から28のいずれか一項に記載の構造体。
条項30
前記多層導体のうちの少なくとも1つが、前記多層導体のうちの少なくとも別の1つに接続されている、条項24から29のいずれか一項に記載の構造体。
条項31
前記多層導体のうちの少なくとも1つが、複数のコーナー領域に延在する、条項24から30のいずれか一項に記載の構造体。
条項32
絶縁層が、前記多層導体のうちの少なくとも1つを前記多層導体のうちの少なくとも別の1つから分離する、条項24から31のいずれか一項に記載の構造体。
条項33
前記多層導体のうちの少なくとも1つに絶縁オーバーレイが適用される、条項24から32のいずれか一項に記載の構造体。
条項34
前記多層導体のうちの少なくとも1つが、前記ソーラーセルの直列接続を可能にする、条項24から33のいずれか一項に記載の構造体。
条項35
前記多層導体のうちの少なくとも1つが、前記ソーラーセルの回路終端を可能にする、条項24から34のいずれか一項に記載の構造体。
条項36
ソーラーセル用の基板を備えている構造体であって、前記基板は、コーナー領域を画定する少なくとも1つの刈り込まれたコーナー部を有する少なくとも1つのソーラーセルが前記基板に取り付けられているときに、前記基板のエリアが露出されたままとなり、露出されたままの前記基板の前記エリアが、1つ以上のコーナー導体を含むように構成されており、コーナー導体は、ソーラーセルが基板に取り付けられる前又は後に、基板上にプリントされており、ソーラーセルとコーナー導体との間の1つ以上の電気的接続は、ソーラーセルの刈り込まれたコーナー部によってできたコーナー領域内で行われる、構造体。
条項37
前記コーナー導体が、前記基板上に既に配置された導電経路に追加される、条項36に記載の構造体。
条項38
前記コーナー導体が、金属粒子を用いてプリントされる、条項36に記載の構造体。
条項39
前記コーナー導体が前記基板上にプリントされた後に前記基板が硬化される、条項36から38のいずれか一項に記載の構造体。
条項40
前記コーナー導体が絶縁体によって封入される、条項36から39のいずれか一項に記載の構造体。
条項41
前記絶縁体が前記コーナー導体上にプリントされる、条項40に記載の構造体。
条項42
導電層が前記絶縁体上に堆積される、条項40又は41に記載の構造体。
条項43
前記コーナー導体が、前記基板上にプリントされた1つ以上のパッドを含む、条項36から42のいずれか一項に記載の構造体。
条項44
前記ソーラーセルのための電流経路を選択するために、1つ以上の導体要素が前記コーナー領域内にプリントされる、条項36から43のいずれか一項に記載の構造体。
上記の実施例の説明は、例示及び説明を目的として提示されており、網羅的であることや、開示の実施例に限定することは意図していない。上記の具体的な要素の代わりに、多数の代替形態、修正形態、及び変形形態が用いられてよい。

Claims (17)

  1. ソーラーセル(14)用の基板(12)を備えている構造体であって、前記基板(12)は、
    コーナー領域(26)を画定する少なくとも1つの刈り込まれたコーナー部(24)を有する少なくとも1つのソーラーセル(14)が前記基板(12)に取り付けられているときに、露出したままの第1のエリアと、前記ソーラーセル(14)が前記基板(12)に取り付けられているときに露出されない第2のエリアと、を有し、
    前記第1のエリア内の前記基板(12)に1つ以上の第1の導体(20)が形成され、且つ、隣り合うソーラーセル(14)間で電気的接続が前記第1の導体(20)を介して前記第1のエリア内で行われ
    前記第2のエリア内の前記基板(12)に第2の導体(68)が形成され、同一の前記ソーラーセル(14)の前面接点(32)同士または同一の前記ソーラーセル(14)背面接点(34)同士間で電気的接続が前記第2の導体(68)を介して行われ、
    前記第1の導体(20)と前記第2の導体(68)間で電気的接続が行われている、
    ように構成されている、構造体。
  2. 前記ソーラーセル(14)が、前記ソーラーセル(14)の前面上に前面接点(32)を含む、請求項1に記載の構造体。
  3. 前記前面接点(32)が前記コーナー領域(26)内に延在する、請求項2に記載の構造体。
  4. 前記ソーラーセル(14)が、前記ソーラーセル(14)の背面上に背面接点(34)を含む、請求項1に記載の構造体。
  5. 前記背面接点(34)が前記コーナー領域(26)内に延在する、請求項4に記載の構造体。
  6. 前記第1の導体(20)が、前記基板(12)上でパターン化される、請求項1に記載の構造体。
  7. 前記第1の導体(20)が、絶縁層(66)で覆われる、請求項1に記載の構造体。
  8. 前記ソーラーセル(14)が、前記第2の導体(68)の上に置かれる、請求項1に記載の構造体。
  9. 前記第2の導体(68)が、前記ソーラーセル(14)の下方を通る、請求項1に記載の構造体。
  10. 1つ以上の第3の導体(72a)が、前記ソーラーセル(14)の外周にある、請求項1に記載の構造体。
  11. 前記第2の導体(68)が、前記ソーラーセル(14)の刈り込まれたコーナー部(24)から同一のソーラーセル(14)の別の刈り込まれたコーナー部(24)へと通じる、請求項1に記載の構造体。
  12. 前記少なくとも1つのソーラーセル(14)が、前記基板(12)に、2次元(2D)格子状のアレイ(22)で取り付けられている複数のソーラーセル(14)を備えている、請求項1に記載の構造体。
  13. 前記電気的接続が、前記複数のソーラーセル(14)を通る電流の流れを決定する直列接続である、請求項12に記載の構造体。
  14. 前記電気的接続が、前記複数のソーラーセル(14)のストリングの一端で行われる、請求項12に記載の構造体。
  15. 前記導体(20)が、前記ソーラーセル(14)のうちの1つの刈り込まれたコーナー部(24)から別の隣接する前記ソーラーセル(14)の刈り込まれたコーナー部(24)へと通じる、請求項12に記載の構造体。
  16. 前記導体(20)は、前記電気的接続が前記基板(12)を離れることを可能にする、請求項1に記載の構造体。
  17. 前記電気的接続のうちの1つ以上に使用するために、1つ以上のバイパスダイオード(44)が、露出したままの前記第1のエリアに追加される、請求項1に記載の構造体。
JP2017176667A 2016-09-14 2017-09-14 ソーラーセルアレイためのコーナー接続を促進するための、基板上のあらかじめ製作された導体 Active JP7295612B2 (ja)

Applications Claiming Priority (38)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201662394671P 2016-09-14 2016-09-14
US201662394623P 2016-09-14 2016-09-14
US201662394667P 2016-09-14 2016-09-14
US201662394649P 2016-09-14 2016-09-14
US201662394616P 2016-09-14 2016-09-14
US201662394672P 2016-09-14 2016-09-14
US201662394632P 2016-09-14 2016-09-14
US201662394641P 2016-09-14 2016-09-14
US201662394629P 2016-09-14 2016-09-14
US201662394627P 2016-09-14 2016-09-14
US201662394666P 2016-09-14 2016-09-14
US201662394636P 2016-09-14 2016-09-14
US62/394,671 2016-09-14
US62/394,632 2016-09-14
US62/394,623 2016-09-14
US62/394,666 2016-09-14
US62/394,616 2016-09-14
US62/394,641 2016-09-14
US62/394,672 2016-09-14
US62/394,667 2016-09-14
US62/394,636 2016-09-14
US62/394,649 2016-09-14
US62/394,629 2016-09-14
US62/394,627 2016-09-14
US15/643,274 US20180076346A1 (en) 2016-09-14 2017-07-06 Solar cell array connections using corner conductors
US15/643,287 2017-07-06
US15/643,289 2017-07-06
US15/643,282 US20180076349A1 (en) 2016-09-14 2017-07-06 Power routing module for a solar cell array
US15/643,282 2017-07-06
US15/643,277 2017-07-06
US15/643,274 2017-07-06
US15/643,287 US10763383B2 (en) 2016-09-14 2017-07-06 Nano-metal connections for a solar cell array
US15/643,289 US11437533B2 (en) 2016-09-14 2017-07-06 Solar cells for a solar cell array
US15/643,285 2017-07-06
US15/643,285 US20180076761A1 (en) 2016-09-14 2017-07-06 Power routing module with a switching matrix for a solar cell array
US15/643,279 US20180076348A1 (en) 2016-09-14 2017-07-06 Rework and repair of components in a solar cell array
US15/643,277 US20180076339A1 (en) 2016-09-14 2017-07-06 Prefabricated conductors on a substrate to facilitate corner connections for a solar cell array
US15/643,279 2017-07-06

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018078276A JP2018078276A (ja) 2018-05-17
JP7295612B2 true JP7295612B2 (ja) 2023-06-21

Family

ID=62149305

Family Applications (12)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017176672A Active JP7411320B2 (ja) 2016-09-14 2017-09-14 ソーラーセルアレイ用のナノ金属接続
JP2017176668A Active JP7455496B2 (ja) 2016-09-14 2017-09-14 ソーラーセルアレイ内の構成要素の改修及び修理
JP2017176667A Active JP7295612B2 (ja) 2016-09-14 2017-09-14 ソーラーセルアレイためのコーナー接続を促進するための、基板上のあらかじめ製作された導体
JP2017176673A Active JP7171175B2 (ja) 2016-09-14 2017-09-14 ソーラーセルアレイ用のソーラーセル
JP2017176669A Active JP7561479B2 (ja) 2016-09-14 2017-09-14 ソーラーセルアレイのためのスイッチングマトリックスを有する電力ルーティングモジュール
JP2017176671A Active JP7475805B2 (ja) 2016-09-14 2017-09-14 コーナー導体を使用するソーラーセルアレイ接続
JP2017176670A Active JP7475804B2 (ja) 2016-09-14 2017-09-14 ソーラーセルアレイ用の電力ルーティングモジュール
JP2022151999A Pending JP2022188129A (ja) 2016-09-14 2022-09-22 ソーラーセルアレイのためのスイッチングマトリックスを有する電力ルーティングモジュール
JP2022152000A Pending JP2022188130A (ja) 2016-09-14 2022-09-22 ソーラーセルアレイ用の電力ルーティングモジュール
JP2022157012A Pending JP2023002572A (ja) 2016-09-14 2022-09-29 コーナー導体を使用するソーラーセルアレイ接続
JP2022162406A Pending JP2023002612A (ja) 2016-09-14 2022-10-07 ソーラーセルアレイ内の構成要素の改修及び修理
JP2022176602A Pending JP2023022029A (ja) 2016-09-14 2022-11-02 ソーラーセルアレイ用のソーラーセル

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017176672A Active JP7411320B2 (ja) 2016-09-14 2017-09-14 ソーラーセルアレイ用のナノ金属接続
JP2017176668A Active JP7455496B2 (ja) 2016-09-14 2017-09-14 ソーラーセルアレイ内の構成要素の改修及び修理

Family Applications After (9)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017176673A Active JP7171175B2 (ja) 2016-09-14 2017-09-14 ソーラーセルアレイ用のソーラーセル
JP2017176669A Active JP7561479B2 (ja) 2016-09-14 2017-09-14 ソーラーセルアレイのためのスイッチングマトリックスを有する電力ルーティングモジュール
JP2017176671A Active JP7475805B2 (ja) 2016-09-14 2017-09-14 コーナー導体を使用するソーラーセルアレイ接続
JP2017176670A Active JP7475804B2 (ja) 2016-09-14 2017-09-14 ソーラーセルアレイ用の電力ルーティングモジュール
JP2022151999A Pending JP2022188129A (ja) 2016-09-14 2022-09-22 ソーラーセルアレイのためのスイッチングマトリックスを有する電力ルーティングモジュール
JP2022152000A Pending JP2022188130A (ja) 2016-09-14 2022-09-22 ソーラーセルアレイ用の電力ルーティングモジュール
JP2022157012A Pending JP2023002572A (ja) 2016-09-14 2022-09-29 コーナー導体を使用するソーラーセルアレイ接続
JP2022162406A Pending JP2023002612A (ja) 2016-09-14 2022-10-07 ソーラーセルアレイ内の構成要素の改修及び修理
JP2022176602A Pending JP2023022029A (ja) 2016-09-14 2022-11-02 ソーラーセルアレイ用のソーラーセル

Country Status (4)

Country Link
US (3) US10763383B2 (ja)
EP (3) EP4273940A3 (ja)
JP (12) JP7411320B2 (ja)
ES (2) ES2970867T3 (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USD913210S1 (en) * 2014-10-15 2021-03-16 Sunpower Corporation Solar panel
USD999723S1 (en) 2014-10-15 2023-09-26 Sunpower Corporation Solar panel
JP7233802B2 (ja) * 2019-03-27 2023-03-07 エルジー・ケム・リミテッド 透明発光素子ディスプレイ
US11722094B2 (en) 2020-08-21 2023-08-08 The Boeing Company Flexible circuit for solar cell assemblies
CN116632118B (zh) * 2023-07-18 2023-09-26 英利能源发展有限公司 光伏组件的制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5567248A (en) 1995-09-05 1996-10-22 Chung; Darius Modular solar cell contact arrangement
JP2001332753A (ja) 2000-05-22 2001-11-30 Boeing Co:The 軽量の太陽電池モジュールおよびその製造方法
DE10136442A1 (de) 2001-07-26 2003-02-13 Ralf Adelhelm Kontakte und Verbinder von Solarzellen
WO2015150514A1 (en) 2014-04-02 2015-10-08 Stichting Energieonderzoek Centrum Nederland Photovoltaic module with bypass diodes

Family Cites Families (116)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1013644B (de) 1955-01-14 1957-08-14 Stamicarbon Verfahren zur Herstellung grobkoernigen Harnstoffs
US4257821A (en) * 1978-11-13 1981-03-24 Trw Inc. Universal solar cell/conductor junction element and solar panel embodying same
US4481378A (en) 1982-07-30 1984-11-06 Motorola, Inc. Protected photovoltaic module
JPS6167966A (ja) * 1984-09-11 1986-04-08 Sharp Corp 太陽電池アレイ
JPS61202474A (ja) * 1985-03-05 1986-09-08 Mitsubishi Electric Corp 宇宙用太陽電池アレイ
US4755231A (en) * 1986-06-13 1988-07-05 Trw Inc. Flexible solar array cell and substrate therefor
JPH0711475Y2 (ja) * 1988-09-30 1995-03-15 日本電気株式会社 太陽電池セル
JPH04223378A (ja) * 1990-12-25 1992-08-13 Sharp Corp 太陽電池
JP2912496B2 (ja) 1991-09-30 1999-06-28 シャープ株式会社 太陽電池モジュール
US5391235A (en) 1992-03-31 1995-02-21 Canon Kabushiki Kaisha Solar cell module and method of manufacturing the same
TW280962B (en) 1995-02-24 1996-07-11 Sanyo Electric Co Battery charger and a solar battery used for charging a battery
US6441297B1 (en) 1998-03-13 2002-08-27 Steffen Keller Solar cell arrangement
US6156967A (en) 1998-06-04 2000-12-05 Tecstar Power Systems, Inc. Modular glass covered solar cell array
JP3602721B2 (ja) * 1998-06-12 2004-12-15 株式会社豊田自動織機 太陽電池モジュール
JP2000012885A (ja) * 1998-06-23 2000-01-14 Honda Motor Co Ltd 太陽電池
GB2341273A (en) 1998-09-04 2000-03-08 Eev Ltd Solar cell arrangements
US6008448A (en) 1998-10-15 1999-12-28 Space Systems/Loral, Inc. Solar panel array with stepped taper
US6034322A (en) 1999-07-01 2000-03-07 Space Systems/Loral, Inc. Solar cell assembly
JP3748344B2 (ja) * 1999-10-12 2006-02-22 ミサワホーム株式会社 太陽電池パネル
US6350944B1 (en) * 2000-05-30 2002-02-26 Hughes Electronics Corporation Solar module array with reconfigurable tile
JP2002190612A (ja) 2000-12-22 2002-07-05 Mitsubishi Electric Corp ソーラーアレイパネルおよびその製造方法
ITMI20011653A1 (it) * 2001-07-30 2003-01-30 Lorenzo Cerofolini Dispositivo di alimentazione elettrica a celle solari
US6555739B2 (en) 2001-09-10 2003-04-29 Ekla-Tek, Llc Photovoltaic array and method of manufacturing same
US6637702B1 (en) 2002-04-24 2003-10-28 Lockheed Martin Corporation Nested beam deployable solar array
JP2004241753A (ja) 2002-12-13 2004-08-26 Canon Inc 太陽電池モジュール
JP3873889B2 (ja) 2003-01-16 2007-01-31 株式会社デンソー ワイヤボンディング方法
FR2864347B1 (fr) * 2003-12-23 2006-03-03 Cit Alcatel Panneau generateur solaire et satellite associe
DE102004044061A1 (de) * 2004-09-11 2006-04-20 Rwe Space Solar Power Gmbh Solarzellenanordung sowie Verfahren zum Verschalten eines Solarzellenstrings
US7245134B2 (en) 2005-01-31 2007-07-17 Formfactor, Inc. Probe card assembly including a programmable device to selectively route signals from channels of a test system controller to probes
US20080245405A1 (en) 2005-03-11 2008-10-09 Bp Corporation North America Inc. Integrated Solar Cell Roofing System and Method of Manufacture
KR100735395B1 (ko) 2005-05-10 2007-07-04 삼성전자주식회사 집적 회로를 이용한 인쇄회로기판의 라우팅 방법
US7514116B2 (en) 2005-12-30 2009-04-07 Intel Corporation Horizontal Carbon Nanotubes by Vertical Growth and Rolling
US20140166067A1 (en) 2006-08-07 2014-06-19 Emcore Solar Power, Inc. Solar power system for aircraft, watercraft, or land vehicles using inverted metamorphic multijunction solar cells
US20080142071A1 (en) 2006-12-15 2008-06-19 Miasole Protovoltaic module utilizing a flex circuit for reconfiguration
DE102007011403A1 (de) 2007-03-08 2008-09-11 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Frontseitig serienverschaltetes Solarmodul
DE102007021843A1 (de) * 2007-05-07 2008-11-13 Leonhard Kurz Gmbh & Co. Kg Photovoltaisches Modul
JP2008282926A (ja) * 2007-05-09 2008-11-20 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池モジュール
US20090025778A1 (en) 2007-07-23 2009-01-29 Day4 Energy Inc. Shading protection for solar cells and solar cell modules
US20110041890A1 (en) * 2007-11-19 2011-02-24 Sheats James R High-efficiency, high current solar cell and solar module
EP2068369A1 (en) * 2007-12-03 2009-06-10 Interuniversitair Microelektronica Centrum (IMEC) Photovoltaic cells having metal wrap through and improved passivation
US8933320B2 (en) 2008-01-18 2015-01-13 Tenksolar, Inc. Redundant electrical architecture for photovoltaic modules
US20090255571A1 (en) 2008-04-14 2009-10-15 Bp Corporation North America Inc. Thermal Conducting Materials for Solar Panel Components
TWI390747B (zh) 2008-04-29 2013-03-21 Applied Materials Inc 使用單石模組組合技術製造的光伏打模組
US20090272436A1 (en) 2008-05-05 2009-11-05 Osbert Hay Cheung Non-glass photovoltaic module and methods for manufacture
KR20090121629A (ko) * 2008-05-22 2009-11-26 삼성전자주식회사 태양전지 셀 및 이를 이용하는 태양전지 모듈
CN201369335Y (zh) 2008-10-15 2009-12-23 太聚能源股份有限公司 光伏电池模块
JP5064353B2 (ja) 2008-10-27 2012-10-31 シャープ株式会社 太陽電池装置、携帯電子機器、並びに全地球測位システム装置
US20110168238A1 (en) 2010-01-11 2011-07-14 Solopower, Inc. Flexible solar modules and manufacturing the same
US20100186795A1 (en) 2009-01-28 2010-07-29 Stephen Joseph Gaul Connection systems and methods for solar cells
TW201032339A (en) * 2009-02-20 2010-09-01 Aussmak Optoelectronic Corp Solar cell
JP4915821B2 (ja) 2009-03-17 2012-04-11 独立行政法人産業技術総合研究所 太陽光発電システム
BRPI1012165A2 (pt) 2009-05-19 2019-04-02 Maxout Renewables, Inc. aparelhos para balancear saída de potência e de colheita de potência.
US20100313954A1 (en) 2009-06-16 2010-12-16 Emcore Solar Power, Inc. Concentrated Photovoltaic System Receiver for III-V Semiconductor Solar Cells
JP2012533905A (ja) 2009-07-22 2012-12-27 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド バック接点太陽電池及び金属リボンを使用するモノリシックモジュールアセンブリ
JP2011071214A (ja) 2009-09-24 2011-04-07 Kaneka Corp 太陽電池モジュール
US20110073163A1 (en) 2009-09-25 2011-03-31 Osbert Hay Cheung Photovoltaic lamination and roof mounting systems
JP5459766B2 (ja) * 2009-10-01 2014-04-02 Nec東芝スペースシステム株式会社 太陽電池パネル、太陽電池パネルの帯電抑制方法及び人工衛星搭載用太陽光発電装置
US9324885B2 (en) 2009-10-02 2016-04-26 Tigo Energy, Inc. Systems and methods to provide enhanced diode bypass paths
JP2011108969A (ja) 2009-11-20 2011-06-02 Hitachi Cable Ltd 太陽電池モジュールの製造方法、及び太陽電池用配線基板
US20110140531A1 (en) 2009-12-16 2011-06-16 Nagendra Srinivas Cherukupalli Systems, Circuits, and Methods for Voltage Matching of an Adaptive Solar Power System
JP2011155041A (ja) * 2010-01-26 2011-08-11 Kyocera Corp 太陽電池素子および太陽電池モジュール
US8469313B2 (en) 2010-02-16 2013-06-25 The Boeing Company Aerodynamic structure having a ridged solar panel and an associated method
KR100965541B1 (ko) * 2010-02-17 2010-06-23 아익시스코리아(주) 태양전지 모듈 및 그 제조방법
JP2011210747A (ja) * 2010-03-26 2011-10-20 Mitsubishi Chemicals Corp 太陽電池モジュール及びその製造方法
US8883539B2 (en) * 2010-05-11 2014-11-11 Stichting Energieonderzoek Centrum Nederland Solar cell and method of its manufacture
JP2012043981A (ja) * 2010-08-19 2012-03-01 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 太陽電池モジュール
NL2005261C2 (en) * 2010-08-24 2012-02-27 Solland Solar Cells B V Back contacted photovoltaic cell with an improved shunt resistance.
US8814099B1 (en) 2010-08-31 2014-08-26 MMA Design, LLC Deployable morphing modular solar array
KR101091264B1 (ko) * 2010-09-10 2011-12-07 주식회사 디엠에스 염료 감응형 태양전지 모듈
WO2012058053A2 (en) 2010-10-29 2012-05-03 Applied Materials, Inc. Monolithic module assembly using back contact solar cells and metal ribbon
US20120125391A1 (en) 2010-11-19 2012-05-24 Solopower, Inc. Methods for interconnecting photovoltaic cells
US8604330B1 (en) 2010-12-06 2013-12-10 4Power, Llc High-efficiency solar-cell arrays with integrated devices and methods for forming them
JP2012138518A (ja) 2010-12-27 2012-07-19 Sony Corp 太陽光発電モジュールおよび検査方法
KR20120091670A (ko) 2011-02-09 2012-08-20 엘지전자 주식회사 태양전지 모듈 및 그 제조방법
JP2012204651A (ja) 2011-03-25 2012-10-22 Sharp Corp 太陽電池モジュール、太陽光発電システム、太陽電池モジュールにおける太陽電池セルの接続切替制御方法、接続切替制御プログラム、及び記録媒体
AT12996U1 (de) 2011-06-07 2013-03-15 Austria Tech & System Tech Photovoltaisches modul und verwendung desselben
US9252294B2 (en) 2011-06-08 2016-02-02 Andrew V. Latham Instantaneous solar array recombining technology
NL1038916C2 (en) * 2011-07-01 2013-01-07 Stichting Energie Photovoltaic cell with wrap through connections.
EP2546889B1 (en) 2011-07-12 2020-06-17 Airbus Defence and Space GmbH Solar cell assembly and method of fabrication of solar cell assembly
EP2752889B1 (en) * 2011-08-31 2018-11-28 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Method for producing solar cell module
US20130056047A1 (en) 2011-09-02 2013-03-07 Markus E. Beck Photovoltaic module with sealed perimeter and method of formation
JP2013080788A (ja) * 2011-10-03 2013-05-02 Sharp Corp 太陽電池モジュール
WO2013112596A1 (en) 2012-01-23 2013-08-01 Stc.Unm Multi-source optimal reconfigurable energy harvester
JP2013175624A (ja) * 2012-02-27 2013-09-05 Hitachi High-Technologies Corp 太陽電池モジュールの生産方法および太陽電池モジュール組立装置
US9120583B1 (en) 2012-03-01 2015-09-01 Deployable Space Systems, Inc. Space solar array architecture for ultra-high power applications
JP6286736B2 (ja) 2012-03-30 2018-03-07 ディーエスエム アイピー アセッツ ビー.ブイ. バックコンタクトタイプ太陽電池モジュール
GB2501899A (en) 2012-05-09 2013-11-13 Itouchenergy Ltd Solar cell module and systems
US8898970B2 (en) 2012-06-12 2014-12-02 Certainteed Corporation Photovoltaic roofing systems with inner corner flashings
US20140000682A1 (en) 2012-06-27 2014-01-02 E I Du Pont De Nemours And Company Integrated back-sheet for back contact photovoltaic module
US9356173B2 (en) * 2012-08-31 2016-05-31 Sandia Corporation Dynamically reconfigurable photovoltaic system
JP2014049724A (ja) * 2012-09-04 2014-03-17 Sharp Corp 太陽電池モジュール
DE102012217105A1 (de) * 2012-09-24 2014-04-17 Robert Bosch Gmbh Elektrische Schaltung und Verfahren zum Herstellen einer elektrischen Schaltung
US9780253B2 (en) * 2014-05-27 2017-10-03 Sunpower Corporation Shingled solar cell module
KR20150125693A (ko) 2013-03-05 2015-11-09 시온 파워 코퍼레이션 피브릴 셀룰로스 물질과 같은 피브릴 물질을 포함하는 전기화학 전지
CN203277428U (zh) 2013-04-12 2013-11-06 北京桑纳斯太阳能电池有限公司 Pcb背板的太阳能电池组件
TW201511296A (zh) * 2013-06-20 2015-03-16 Plant PV 用於矽太陽能電池之核-殼型鎳粒子金屬化層
US9627565B2 (en) 2013-11-27 2017-04-18 Space Systems/Loral, Llc Integral corner bypass diode interconnecting configuration for multiple solar cells
US11302987B2 (en) 2014-10-16 2022-04-12 Lat Enterprises Material for dissipating heat from and/or reducing heat signature of electronic devices and clothing
JP2015207598A (ja) 2014-04-17 2015-11-19 三菱電機株式会社 太陽電池モジュール、太陽電池およびこれに用いられる素子間接続体
US9818903B2 (en) 2014-04-30 2017-11-14 Sunpower Corporation Bonds for solar cell metallization
FR3024591B1 (fr) 2014-07-29 2016-08-05 Bubendorff Procede de fabrication d’un panneau photovoltaique
JP2016058455A (ja) 2014-09-05 2016-04-21 株式会社東芝 光電変換素子、光電変換素子の配線基板、光電変換素子の製造方法、および光電変換構造体
US20160126380A1 (en) 2014-10-30 2016-05-05 Sung Un CHANG Flexible solar panel and method of fabricating the same
CN104443439A (zh) 2014-11-18 2015-03-25 上海空间电源研究所 一种折叠展开式电池内置的柔性太阳电池阵
JP6422426B2 (ja) * 2014-12-09 2018-11-14 三菱電機株式会社 太陽電池
US9758261B1 (en) 2015-01-15 2017-09-12 Solaero Technologies Corp. Inverted metamorphic multijunction solar cell with lightweight laminate substrate
US20160218665A1 (en) 2015-01-22 2016-07-28 Solaero Technologies Corp. Space solar cell panel with blocking diodes
CN204558477U (zh) * 2015-05-05 2015-08-12 中国人民解放军军械工程学院 表面具有互联网格状抗静电膜的太阳能电池及其组件
KR20170012123A (ko) 2015-07-24 2017-02-02 주식회사 엘지화학 가요성 기판의 제조방법
US20170040933A1 (en) 2015-08-03 2017-02-09 Grid+ Advisors, LLC Photovoltiac nanogrid systems
US10097005B2 (en) 2015-08-17 2018-10-09 Solarcity Corporation Self-configuring photo-voltaic panels
KR102391513B1 (ko) 2015-10-05 2022-04-27 삼성전자주식회사 물질막 적층체, 발광 소자, 발광 패키지, 및 발광 소자의 제조 방법
US10418933B2 (en) 2015-12-08 2019-09-17 Alta Devices, Inc. Versatile flexible circuit interconnection for flexible solar cells
JPWO2017195289A1 (ja) 2016-05-11 2018-09-20 三菱電機株式会社 太陽光発電装置、太陽電池パドルおよび宇宙構造物
CN109075737B (zh) 2016-05-17 2022-07-12 日本瑞翁株式会社 发电模块连结体、光电转换模块连结体及发电装置
EP3297034B1 (en) 2016-09-14 2023-11-22 The Boeing Company Nano-metal connections for a solar cell array

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5567248A (en) 1995-09-05 1996-10-22 Chung; Darius Modular solar cell contact arrangement
JP2001332753A (ja) 2000-05-22 2001-11-30 Boeing Co:The 軽量の太陽電池モジュールおよびその製造方法
DE10136442A1 (de) 2001-07-26 2003-02-13 Ralf Adelhelm Kontakte und Verbinder von Solarzellen
WO2015150514A1 (en) 2014-04-02 2015-10-08 Stichting Energieonderzoek Centrum Nederland Photovoltaic module with bypass diodes

Also Published As

Publication number Publication date
EP4235810A3 (en) 2023-10-18
JP2018082153A (ja) 2018-05-24
JP7475804B2 (ja) 2024-04-30
US20200373446A1 (en) 2020-11-26
JP2018082151A (ja) 2018-05-24
EP4273940A3 (en) 2023-12-13
JP2023022029A (ja) 2023-02-14
JP7171175B2 (ja) 2022-11-15
EP4235810A2 (en) 2023-08-30
JP7561479B2 (ja) 2024-10-04
JP2023002572A (ja) 2023-01-10
JP7411320B2 (ja) 2024-01-11
US10763383B2 (en) 2020-09-01
ES2970867T3 (es) 2024-05-31
JP2023002612A (ja) 2023-01-10
JP2018082152A (ja) 2018-05-24
JP2018078276A (ja) 2018-05-17
JP2018078277A (ja) 2018-05-17
JP2018082608A (ja) 2018-05-24
JP2018078278A (ja) 2018-05-17
JP2022188129A (ja) 2022-12-20
JP2022188130A (ja) 2022-12-20
US11437533B2 (en) 2022-09-06
JP7455496B2 (ja) 2024-03-26
US20180076350A1 (en) 2018-03-15
EP4235815A3 (en) 2024-03-13
EP4235815A2 (en) 2023-08-30
US20180076344A1 (en) 2018-03-15
ES2970380T3 (es) 2024-05-28
EP4273940A2 (en) 2023-11-08
JP7475805B2 (ja) 2024-04-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7295612B2 (ja) ソーラーセルアレイためのコーナー接続を促進するための、基板上のあらかじめ製作された導体
EP3297032B1 (en) Prefabricated conductors on a substrate to facilitate corner connections for a solar cell array
US20180076339A1 (en) Prefabricated conductors on a substrate to facilitate corner connections for a solar cell array
JP7511328B2 (ja) 剛性パネルソーラーアレイのための配線
US20180358491A1 (en) Solar cell array with bypassed solar cells
JP2023169172A (ja) 迂回させたソーラーセルを有するソーラーセルアレイ
EP4002489B1 (en) Space solar cell array with custom voltage
US11967661B1 (en) Solar panel design and methods for magnetic cleanliness
EP3297040A1 (en) Solar cells for a solar cell array

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200911

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20210618

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210629

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210927

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20220111

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220510

C60 Trial request (containing other claim documents, opposition documents)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60

Effective date: 20220510

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20220525

C21 Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21

Effective date: 20220531

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20220624

C211 Notice of termination of reconsideration by examiners before appeal proceedings

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C211

Effective date: 20220705

C22 Notice of designation (change) of administrative judge

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22

Effective date: 20230221

C23 Notice of termination of proceedings

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C23

Effective date: 20230404

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230609

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7295612

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150