JP6422426B2 - 太陽電池 - Google Patents
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Description
本実施の形態1は、結晶系太陽電池の一例である、拡散型の太陽電池である。図1は、実施の形態1にかかる太陽電池を模式的に示す図であり、(a)は平面図、(b)は(a)のA−A断面図である。本実施の形態1にかかる太陽電池10は、受光面1Aとなる第1主面と裏面1Bとなる第2主面をもつ第1導電型の半導体基板としてのp型単結晶シリコン基板1のバス電極7Bを囲む領域に、第2導電型の拡散領域として低濃度のn型拡散層からなる第1領域2Tと高濃度のn型拡散層からなる第2領域2Dとを形成したものである。そして裏面1B側には必要に応じてp型拡散層が形成されている。さらに受光面1Aには、バス電極7Bとグリッド電極7Gとを含む第1の集電電極7としての受光面電極が形成されている。一方裏面1B側には、第2の集電電極としての裏面電極が形成されている。そしてさらに受光面1Aには、パッシベーション膜としての酸化シリコン(SiO2)膜5、反射防止膜としての窒化シリコン(SiN)膜6が積層されて形成されている。
図6(a)から(c)は、実施の形態2にかかる太陽電池を模式的に示す図であり、(a)は平面図、(b)は(a)のB−B断面図、(c)は(a)のC−C断面図である。本実施の形態に係る太陽電池では実施の形態1の太陽電池と同様、p型単結晶シリコン基板1上に異なる2つの不純物濃度のn型拡散層が低濃度の第1領域2T、高濃度の第2領域2Dとして配置されている。この太陽電池10Pのセル構成は、n型拡散層である第1および第2領域2T,2Dの平面配置以外の部分は実施の形態1と同様である。本実施の形態に係る太陽電池では、異なる2つの不純物濃度のn型拡散層である第1および第2領域2T,2Dの境界が、バス電極7Bから遠ざかる位置であるほど、グリッド電極7Gからの距離が長くなるように分布させたことを特徴とする。かかる面内分布で不純物濃度の異なるn型拡散層からなる第1領域2T、第2領域2Dを設けることにより、出力特性をさらに向上させることができる。
図7(a)および(b)は、実施の形態3にかかる太陽電池を模式的に示す図であり、(a)は平面図、(b)は(a)のA−A断面図である。本実施の形態に係る太陽電池10Qでは、バス電極7Bおよびグリッド電極7G直下を高濃度である第2領域2Dと同一濃度のn型拡散層で構成した点のみが実施の形態1の太陽電池と異なる点である。他の部分については実施の形態1の太陽電池と同様であり、p型単結晶シリコン基板1上に異なる2つの不純物濃度のn型拡散層が低濃度の第1領域2T、高濃度の第2領域2Dとして配置されている。
図8(a)および(b)は、実施の形態4にかかる太陽電池を模式的に示す図であり、(a)は平面図、(b)は(a)のA−A断面図である。実施の形態1から3で説明した太陽電池は拡散型太陽電池であるが、本実施の形態に係る太陽電池は、ヘテロ接合型の太陽電池である。本実施の形態では、pn接合を構成する導電型層の不純物濃度を変えるのではなく、導電型層上に形成される透光性導電膜のシート抵抗に面内分布を持たせたことを特徴とする。本実施の形態では、第1導電型の半導体基板であるn型単結晶シリコン基板1nとpn接合を形成する第2導電型の不純物領域であるp型非晶質シリコン層2p上に形成される透光性導電膜14のシート抵抗に分布を持たせたことを特徴とする。また、n型単結晶シリコン基板1nとp型非晶質シリコン層2pとの間には、非晶質シリコンi層2iが形成される。透光性導電膜14のうち、バス電極7B下を含む第1の透光性導電領域を構成する第1の透光性導電膜14Tが、バス電極7Bから離間した、n型単結晶シリコン基板1nの周縁部を含む第2の透光性導電領域を構成する第2の透光性導電膜14Dよりもシート抵抗が高くなっている。層構成については後述するが、透光性導電膜14のシート抵抗に分布を持たせた点以外は通例のヘテロ接合型太陽電池である。
前記実施の形態1から4では、受光面1Aに配される第1の集電電極7として、バス電極7Bとグリッド電極7Gとを形成した太陽電池について説明したが、別途バス電極を設けることなく、太陽電池10を構成するセルに直接タブ線20が接続される構成にも適用可能である。図9(a)は、本実施の形態5の太陽電池モジュール100の構造の例を模式的に示す上面図であり、太陽光の受光面1Aから見た図である。図9(b)は、本実施の形態5の太陽電池モジュール100の構造を示す断面図であり、図9(a)の点線A−B間の断面である。図10に斜視図を示すように実施の形態5では太陽電池10のバス電極7Bを形成することなくバス電極7Bに代えて集電部7C上にインターコネクタを構成するタブ線20の一端をはんだ接合する。そして、隣接する太陽電池のセル裏面の不図示の第2の集電電極に、タブ線20の他端をはんだ接合して、直列接続することでストリングSを構成し、これを封止樹脂31で樹脂封止することで太陽電池モジュール100を構成する。図示しないが、実施の形態1で説明した太陽電池と同様、受光面1A側のグリッド電極7Gに直交する集電部7Cから離れた側の領域を不純物濃度の高い第2領域2Dとし、バス電極7Bに近い側の第1領域2Tを不純物濃度の低い領域としている。
図12は、実施の形態6にかかる太陽電池を模式的に示す図であり、(a)は平面図、(b)は(a)のA−A断面図、(c)は、第1導電型の半導体基板としてのp型単結晶シリコン基板1Sの比抵抗を示す図である。本実施の形態に係る太陽電池では実施の形態1の太陽電池と異なり、p型単結晶シリコン基板1S上に設けたn型拡散層の不純物濃度は均一としている。この太陽電池のセル構成は、n型拡散層である第1および第2領域2T,2Dの平面配置および受光面側の電極配置以外の部分は実施の形態1と同様である。本実施の形態に係る太陽電池では、バス電極7Bをp型単結晶シリコン基板1Sの1辺に沿って配し、バス電極7Bからグリッド電極7Gが他辺に向かって伸びるようにしている。そしてバス電極7Bから遠ざかる位置であるほど、p型単結晶シリコン基板1Sの不純物濃度が高くなるように不純物濃度を分布させていることを特徴とする。p型単結晶シリコン基板1Sのかかる不純物面内分布上にバス電極7Bを選択的に配置することにより、出力特性をさらに向上させることができる。
図13は、実施の形態7にかかる太陽電池を模式的に示す図であり、(a)は平面図、(b)は(a)のA−A断面図、(c)は、第1導電型の半導体基板としてのn型単結晶シリコン基板1Nの比抵抗を示す図である。
表1は実施の形態1にもとづいて作製された太陽電池の太陽電池特性の測定結果を実施例1として示す表である。実施例1では実施の形態1にもとづいて図1(a)および(b)に示した太陽電池10を作製した。
表2は、実施の形態2にもとづいて作製された太陽電池の太陽電池特性の測定結果を実施例2として示す表である。実施例2では実施の形態2にもとづいて太陽電池10Pを作製した。
表3は実施の形態3にもとづいて作製された太陽電池の太陽電池特性の測定結果を実施例3として示す表である。実施例3では実施の形態3にもとづいて、図7(a)および(b)に示したように、バス電極7Bおよびグリッド電極7G直下を高濃度領域である第2領域2Dとしたものである。他の部分については実施の形態1と同様に形成した。
表4は実施の形態4にもとづいて作製された太陽電池の太陽電池特性の測定結果を実施例4として示す表である。実施例4では実施の形態4にもとづいて透光性導電膜のシート抵抗に分布を持たせた太陽電池を作製した。
表5に実施の形態5にもとづいて作製された太陽電池モジュールの太陽電池1セルあたりの特性の測定結果を示している。実施例5では実施の形態5の図11に示した変形例にもとづいて太陽電池モジュールを作製した。用いた太陽電池セルは156mm×156mmサイズの太陽電池に一般的に用いられる単結晶シリコン基板を用いた。ウェハの厚みは180μmとした。
表6に実施の形態6にもとづいて作製された太陽電池の特性の測定結果を示している。実施例6では実施の形態6の図12(a)から(c)に示した例にもとづいて太陽電池セルを作製した。作製した太陽電池セルは、一般的に用いられる156mm×156mmのp型単結晶シリコン基板を縦と横に4等分にカットして39mm×39mmのサイズのシリコン基板に太陽電池セルを形成した。カットしたウェハの厚みは180μmとした。太陽電池セル受光面側の不純物拡散層であるn型拡散層2のシート抵抗値は70Ω/□とした。電極はシート抵抗の高い辺側にバス電極7Bを設け、バス電極7Bに接続するグリッド電極7Gを2mm間隔で設けた。比較例として、シート抵抗の低い辺側にバス電極7Bを設けた、実施例6と逆の関係で基板シート抵抗分布とバス電極7Bを形成した比較例の太陽電池セルも同時に作製した。
Claims (11)
- 受光面としての第1主面および前記第1主面の反対側の面である第2主面を有する第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の前記第1主面に形成された第2導電型の不純物領域と、
前記第2導電型の不純物領域上に第1方向に沿って延びるように間隔を置いて形成された複数のグリッド電極と、前記複数のグリッド電極と直交する第2方向に延び、タブ線が接着される集電部とを含む第1の集電電極と、
前記半導体基板の前記第2主面側に形成された第2の集電電極とを備え、
前記第2導電型の不純物領域は、前記第1方向に延びる線が交差する前記半導体基板のひとつの周縁部である第1周縁部と、前記第1周縁部と前記集電部との間の線であって前記集電部に平行な線である第1線と、前記第1周縁部に交差する前記半導体基板の一方の周縁部である第2周縁部と、前記第1周縁部に交差する前記半導体基板の他方の周縁部である第3周縁部とによって囲まれた第1エリアと、前記集電部と前記第1線と前記第2周縁部と前記第3周縁部とによって囲まれた第2エリアとを有し、
前記第1エリアは、前記第2エリアより不純物濃度が高いことを特徴とする太陽電池。 - 前記集電部は、間隔をおいた第1集電部および第2集電部を有し、
前記第2導電型の不純物領域は、前記第1集電部と前記第2集電部との間に、第3エリア、第4エリアおよび第5エリアを有し、
前記第3エリアは、前記第1集電部と、前記第1集電部と前記第2集電部との間の線であって前記第1集電部および前記第2集電部に平行な線である第2線と、前記第2周縁部と、前記第3周縁部とによって囲まれ、
前記第4エリアは、前記第2線と、前記第2線と前記第2集電部との間の線であって前記第1集電部および前記第2集電部に平行な線である第3線と、前記第2周縁部と、前記第3周縁部とによって囲まれて、前記第3エリアと前記第5エリアの間に形成され、
前記第5エリアは、前記第3線と、前記第2集電部と、前記第2周縁部と、前記第3周縁部とによって囲まれ、
前記第4エリアは、前記第3エリアおよび前記第5エリアより不純物濃度が高いことを特徴とする請求項1に記載の太陽電池。 - 前記集電部は、前記複数のグリッド電極が接続されるバス電極であることを特徴とする請求項1または2に記載の太陽電池。
- 受光面としての第1主面および前記第1主面の反対側の面である第2主面を有する第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の前記第1主面に形成された第2導電型の不純物領域と、
前記第2導電型の不純物領域上に第1方向に沿って延びるように間隔を置いて形成された複数のグリッド電極と、前記複数のグリッド電極と直交する第2方向に延び、タブ線が接着される集電部とを含む第1の集電電極と、
前記半導体基板の前記第2主面側に形成された第2の集電電極とを備え、
前記第2導電型の不純物領域は、前記集電部と前記第1方向に延びる線が交差する前記半導体基板のひとつの周縁部である第1周縁部との間において、第1エリアおよび不純物濃度が前記第1エリアより高い第2エリアを有し、
前記第2エリアは、前記第1周縁部を含み、かつ前記第1エリアより前記集電部から離間しており、
前記第1エリアと前記第2エリアとの境界は、前記集電部から遠ざかるに従って前記グリッド電極からの距離が増大することを特徴とする太陽電池。 - 前記集電部は、前記複数のグリッド電極が接続されるバス電極であることを特徴とする請求項4に記載の太陽電池。
- 受光面としての第1主面および前記第1主面の反対側の面である第2主面を有する第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の前記第1主面に形成された第2導電型の不純物領域と、
前記第2導電型の不純物領域上に第1方向に沿って延びるように間隔を置いて形成された複数のグリッド電極と、前記複数のグリッド電極と直交する第2方向に延び、タブ線が接着される集電部とを含む第1の集電電極と、
前記半導体基板の前記第2主面側に形成された第2の集電電極とを備え、
前記第2導電型の不純物領域は、前記集電部と前記第1方向に延びる線が交差する前記半導体基板のひとつの周縁部である第1周縁部との間において、前記集電部から前記第1周縁部に近づくに従って不純物濃度が高くなるように不純物濃度が連続的に変化していることを特徴とする太陽電池。 - 前記不純物濃度は、前記集電部から遠ざかるにつれて段階的に高くなっていることを特徴とする請求項6に記載の太陽電池。
- 前記不純物濃度は、前記集電部から遠ざかるにつれてなだらかに高くなっていることを特徴とする請求項6に記載の太陽電池。
- 受光面としての第1主面および前記第1主面の反対側の面である第2主面を有する第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の前記第1主面に形成された第2導電型の不純物領域と、
前記第2導電型の不純物領域上に第1方向に沿って延びるように間隔を置いて形成された複数のグリッド電極と、前記複数のグリッド電極と直交する第2方向に延び、タブ線が接着される集電部とを含む第1の集電電極と、
前記半導体基板の前記第2主面側に形成された第2の集電電極とを備え、
前記第1導電型の半導体基板は、前記集電部と前記第1方向に延びる線が交差する前記半導体基板のひとつの周縁部である第1周縁部との間において、前記集電部から前記第1周縁部に近づくに従って不純物濃度が高くなるように不純物濃度が連続的に変化していることを特徴とする太陽電池。 - 前記第2導電型の不純物領域は、不純物濃度が均一であることを特徴とする請求項9に記載の太陽電池。
- 前記集電部は、前記複数のグリッド電極が接続されるバス電極であり、前記集電部は、前記第1周縁部に対向する前記半導体基板の周縁部に配置されることを特徴とする請求項9または10に記載の太陽電池。
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