JP7247667B2 - フォトレジスト用フェノール樹脂組成物及びフォトレジスト組成物 - Google Patents
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Description
また、従来半導体分野で使用されているフォトリソグラフィー技術の中で、レジスト膜をパターニングしたのち、エッチングにより配線形成する工程が普及しているが、その技術を液晶表示素子の製造工程でも応用している流れがある。
1. 下記一般式(1)で示されるノボラック型フェノール樹脂(A)と下記一般式(4)で示されるユニットを構造中に含むノボラック型フェノール樹脂(B)とを(A)と(B)との質量比が5~95:95~5となる量で含むことを特徴とするフォトレジスト用フェノール樹脂組成物。
(一般式(1)中、R1は、水素原子、又は炭素数1以上8以下の直鎖状若しくは分枝状のアルキル基を表し、それぞれ同一又は異なっていてもよい。ただし、R1の少なくとも一つは炭素数1以上8以下の直鎖状若しくは分枝状のアルキル基である。pは、1以上3以下であり、それぞれ同一又は異なっていてもよい。qは、1以上3以下であり、それぞれ同一又は異なっていてもよい。ただし、p+q≦4である。nは、0以上の整数を表す。)
(一般式(4)中、R2は、水素原子、炭素数1~6の直鎖状若しくは分枝状のアルキル基、炭素数3~6の環状アルキル基、フェニル基、又はハロゲン原子を表す。aは、1又は2である。bは、1以上3以下であり、bが2以上の場合、R2はそれぞれ同一又は異なっていてもよい。ただし、a+b≦4である。なお、ノボラック型フェノール樹脂(B)の構造中に一般式(4)で示されるユニットが複数含まれる場合、ノボラック型フェノール樹脂(B)の構造中に含まれる複数のa、b及びR2は、それぞれ同一又は異なっていてもよい。)
本発明のフォトレジスト用フェノール樹脂組成物において、ノボラック型フェノール樹脂(A)は、前記一般式(1)で示される。
前記平均値n’は、ノボラック型フェノール樹脂(A)のGPC(ゲル浸透クロマトグラフィー)で測定される、ポリスチレン換算による重量平均分子量(Mw)が、1000~50000となるような値であることが好ましく、1500~30000となるような値であることがより好ましく、1500~25000となるような値であることがさらに好ましく、3000~15000となるような値であることが特に好ましく、6000~13000となるような値であることが最も好ましい。
前記一般式(1)で示されるノボラック型フェノール樹脂(A)は、下記一般式(3)で示されるフェノール化合物(a1)とホルムアルデヒド(a2)とを、酸性触媒下で縮重合反応させることで得ることができる。
ノボラック型フェノール樹脂(A)の製造において、使用されるフェノール化合物(a1)は、下記一般式(3)で示される。
また、p=2の化合物としては、カテコール、レゾルシン、ヒドロキノンなどが挙げられる。中でも、レゾルシンが好適である。
また、P=3の化合物としては、ヒドロキシキノール、フロログリシノール、ピロガロールなどが挙げられる。
特に、フォトレジスト組成物としたときに、感度、残膜率、解像度、耐熱性をバランスよく備える観点から、フェノール化合物(a1)として、m-クレゾール、p-クレゾール、o-クレゾールのクレゾール類を用いることが好ましく、m-クレゾール、p-クレゾールを用いることがより好ましく、m-クレゾールとp-クレゾールとを組み合わせて用いることがさらに好ましい。
m-クレゾールとp-クレゾールとを組み合わせて用いる場合に、m-クレゾール:p-クレゾールのモル比が20~80:80~20となる量であることが好ましく、30~70:70~30となる量であることがより好ましく、40~60:60~40となる量であることがさらに好ましく、40~50:60~50となる量であることが特に好ましい。
また、ホルムアルデヒド(a2)としては、特に制限はないが、ホルムアルデヒド水溶液を用いてもよく、また、パラホルムアルデヒド、トリオキサンなど酸存在下で分解してホルムアルデヒドとなる重合物を用いてもよい。好ましくは、取り扱いの容易なホルムアルデヒド水溶液であり、市販の42%ホルムアルデヒド水溶液をそのまま好適に使用することができる。
ノボラック型フェノール樹脂(A)の製造において、フェノール化合物(a1)とホルムアルデヒド(a2)とを反応させる際には、フェノール化合物(a1)1モルに対して、ホルムアルデヒド(a2)を、好ましくは0.2~1.0モル、より好ましくは0.5~0.9モルとする。
フェノール化合物(a1)とホルムアルデヒド(a2)とのモル比を上記範囲とすることで、本発明に使用されるノボラック型フェノール樹脂(A)の重量平均分子量(Mw)を好ましい範囲とすることができる。
ノボラック型フェノール樹脂(A)の製造における縮重合反応の反応条件は、通常のフェノール樹脂を調製する際に適用される従来公知の反応条件で構わない。すなわち、使用する酸触媒としては、フェノール成分とホルムアルデヒド成分とを反応させる能力のある酸であれば、特に限定されず、例えば、蓚酸、ベンゼンスルホン酸、p-トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸などの有機スルホン酸、塩酸、硫酸などの無機酸などを単独で又は2種以上を組み合わせて使用できる。中でも、硫酸、蓚酸又はp-トルエンスルホン酸が特に好ましい。
反応溶媒としては、原料のホルムアルデヒドに含まれる水が溶媒の役割を担うことができるが、水以外に、必要によって反応に影響を及ぼさない有機溶媒を使用することもできる。これらの有機溶媒としては、ジエチレングリコールジメチルエーテル、1,2-ジメトキシエタン、1,2-ジエトキシエタンなどのエーテル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのエステル類;テトラヒドロフラン、ジオキサンなどの環状エーテル類などが挙げられる。
反応溶媒の使用量は、反応原料100質量部あたり、20~1000質量部が好ましい。
縮重合反応の反応温度は、特に限定されず、通常50~200℃、好ましくは70~180℃、より好ましくは80~170℃である。50℃よりも低いと反応が進みにくく、200℃を超えると反応の制御が難しくなり、目的とするノボラック型フェノール樹脂(A)を安定的に得ることが難しくなる。
縮重合反応の反応時間は、反応温度にもよるが、通常は0.1~20時間程度である。また、縮重合反応は、通常は常圧で行われるが、加圧下或いは減圧下で行ってもよい。
縮重合反応終了後の後処理としては、反応を完全に停止するために塩基を添加して酸触媒を中和し、続いて酸触媒を除去するために水を加えて水洗を行うことが好ましい。
本発明のフォトレジスト用フェノール樹脂組成物において、ノボラック型フェノール樹脂(B)は、下記一般式(4)で示されるユニットを構造中に含む。本発明のフォトレジスト用フェノール樹脂組成物は、ノボラック型フェノール樹脂(B)を所定の割合で含むことにより、フォトレジスト組成物としたときに密着性が優れたものとなる。
(一般式(4)中、R2は、水素原子、炭素数1~6の直鎖状若しくは分枝状のアルキル基、炭素数3~6の環状アルキル基、フェニル基、又はハロゲンを表す。aは、1又は2である。bは、1以上3以下であり、bが2以上の場合、R2はそれぞれ同一又は異なっていてもよい。ただし、a+b≦4である。なお、ノボラック型フェノール樹脂(B)の構造中に一般式(4)で示されるユニットが複数含まれる場合、ノボラック型フェノール樹脂(B)の構造中に含まれる複数のa、b及びR2は、それぞれ同一又は異なっていてもよい。)
また、ノボラック型フェノール樹脂(B)の構造中に一般式(4)で示されるユニットが複数含まれる場合、ノボラック型フェノール樹脂(B)の構造中に含まれる複数のaは、それぞれ同一又は異なっていてもよい。すなわち、ノボラック型フェノール樹脂(B)は、構造中に1価フェノール(a=1)の骨格と2価フェノール(a=2)の骨格とを同一の構造内に含みうる。
一般式(4)で示されるユニットを構造中に含むノボラック型フェノール樹脂(B)は、下記一般式(6)で示されるフェノール化合物(b1)と下記一般式(7)で示されるベンゼン環を含む化合物(b2)とを縮合反応させることによって好適に得ることができる。縮合反応は、無触媒で行ってもよいが、酸触媒の存在下で行うことが好ましい。
アリーレン骨格を有する、一般式(4)で示されるユニットを構造中に含むノボラック型フェノール樹脂(B)の製造において、使用されるフェノール化合物(b1)は、下記一般式(6)で示される。
また、a=2の化合物としては、カテコール、レゾルシン、ハイドロキノンなどの2価フェノールなどを好適に挙げることができる。中でも、レゾルシンが好適である。
これらのフェノール化合物は、1種を単独で、又は2種以上を組み合わせて用いることができるが、フォトレジスト組成物としたときに感度、残膜率、解像度、耐熱性をバランスよく備える観点から、フェノールを単独で用いることが特に好ましい。
一般式(4)で示されるユニットを構造中に含むノボラック型フェノール樹脂(B)の製造において、使用されるベンゼン環又はビフェニル環を含む化合物(b2)は、前記一般式(6)で示されるフェノール化合物(b1)を架橋する成分であり、下記一般式(7)で示される。
アルコキシル基としては、特に制限はないが、炭素数1~6個の脂肪族アルコキシ基が好ましい。具体的には、メトキシ基及びエトキシ基が挙げられるが、フェノール化合物との反応性及び入手のし易さから、メトキシ基が好ましい。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられるが、フェノール化合物との反応性及び入手のし易さから、塩素原子が好ましい。
ノボラック型フェノール樹脂(B)の製造において、フェノール化合物(b1)とベンゼン環を含む化合物(b2)とを反応させる際には、フェノール化合物(b1)1モルに対して、ベンゼン環を含む化合物(b2)を、好ましくは0.1~1.0モル、より好ましくは0.3~0.6モルとする。
フェノール成分(b1)とビフェニル環を含む化合物(b2)とのモル比を上記範囲とすることで、本発明に使用されるアリーレン骨格を有するユニットを構造中に含むノボラック型フェノール樹脂(B)の重量平均分子量(Mw)を好ましい範囲とすることができる。
本発明のフォトレジスト用フェノール樹脂組成物は、前記一般式(1)で示されるノボラック型フェノール樹脂(A)と、前記一般式(4)で示されるユニットを構造中に含むノボラック型フェノール樹脂(B)とをポリマーブレンド(混合)して得られる。
ノボラック型フェノール樹脂(B)が占める割合が、5質量%未満であると、フォトレジスト組成物としたときの密着性の効果が小さくなり、一方、95質量%を越えると、フォトレジスト組成物としたときの感度が高すぎたり耐熱性に劣る場合があり、取り扱い上好ましくない。
本発明のフォトレジスト用フェノール樹脂組成物の製造方法において、ポリマーブレンド(混合)の方法としては、ノボラック型フェノール樹脂(A)とノボラック型フェノール樹脂(B)とを均一に混合できる方法であれば特に限定されない。例えば、ノボラック型フェノール樹脂(A)とノボラック型フェノール樹脂(B)とを溶融混合して得ることができる。
また、フォトレジスト組成物を製造する際に、上記各々のノボラック型フェノール樹脂及び後述するその他の添加剤を適当な溶剤に溶解してフォトレジスト組成物として得ることもできる。
本発明のフォトレジスト組成物は、本発明のフォトレジスト用フェノール樹脂組成物とさらに感光剤(C)とを含有する。
ノボラック型フェノール樹脂の分析方法及び評価方法は、次の通りである。
以下の条件でGPC測定を行い、ポリスチレン換算による重量平均分子量を求めた。
型式:Waters e2695 Waters(株)製
カラム:Shodex製 LF-804 1本
測定条件:カラム圧力 2.7MPa
溶離液:テトラヒドロフラン(THF)
フローレート:1mL/min
温度:40℃
検出器:UV-Visible Detector 2489
WAVE LENGTH:254nm
インジェクション量:100μmL
試料濃度:5mg/mL
ノボラック型フェノール樹脂3gをプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)9gに溶解し、樹脂溶液を調合した。これらを0.2ミクロンメンブレンフィルターで濾過した。これを4インチシリコンウェハー上に約1.5μmの厚みになるようにスピンコーターで塗布し、110℃のホットプレート上で60秒間乾燥させた。次いで、現像液(1.60%テトラメチルアンモニウムヒドロオキシド水溶液)を用い、完全に膜が消失するまでの時間を計測した。初期膜厚を溶解するまでの時間で割った値を溶解速度とした。
以下の条件でDSC測定を行い、ガラス転移点(Tg)を求めた。
型式:TAインスツルメント製 Q-2000
測定環境:N2(50ml/min.)雰囲気
昇温速度:10℃/min.
測定条件:200℃×1hr⇒40-200℃熱サイクル
温度計、仕込・留出口及び攪拌機を備えた容量1000mLのガラス製フラスコに、m-クレゾール75.8g(0.70モル)、p-クレゾール113.8g(1.05モル)、42%ホルマリン77.71g(1.09モル)、及び蓚酸0.7gを収容し、100℃で5時間反応させた。その後、180℃まで昇温して脱水した。さらに、30torrで2時間減圧蒸留を行って未反応原料などを除去し、メタ-パラクレゾールノボラック型フェノール樹脂(A1)142gを得た。
得られたメタ-パラクレゾールノボラック型フェノール樹脂(A1)は、重量平均分子量が5900であり、アルカリ溶解速度が470Å/s、ガラス転移温度(Tg)が106℃であった。
なお、メタ-パラクレゾールノボラック型フェノール樹脂(A1)は、一般式(1)におけるR1がメチル基、pが1、qが1の化合物である。
42%ホルマリンを75.25g(1.05モル)に変更した以外は、合成例A1と同様にして、メタ-パラクレゾールノボラック型フェノール樹脂(A2)を得た。(A2)は、重量平均分子量が6100であり、アルカリ溶解速度が150Å/秒、ガラス転移温度(Tg)が98℃であった。
なお、メタ-パラクレゾールノボラック型フェノール樹脂(A2)は、一般式(1)におけるR1がメチル基、pが1、qが1の化合物である。
温度計、仕込・留出口及び攪拌機を備えた容量1000mLのガラス製フラスコに、m-クレゾール80.0g(0.74モル)、p-クレゾール80.0g(0.74モル)、42%ホルマリン70.9g(0.99モル)、及び蓚酸0.6gを収容し、100℃で5時間反応させた。その後、180℃まで昇温して脱水した。さらに、30torrで2時間減圧蒸留を行って未反応原料などを除去し、ノボラック型フェノール樹脂(A3)144gを得た。
得られたメタ-パラクレゾールノボラック型フェノール樹脂(A3)は、重量平均分子量が12700であり、アルカリ溶解速度が150Å/sであり、ガラス転移温度(Tg)が108℃であった。
なお、メタ-パラクレゾールノボラック型フェノール樹脂(A3)は、一般式(1)におけるR1がメチル基、pが1、qが1の化合物である。
温度計、仕込・留出口及び攪拌機を備えた容量1000mLのガラス製フラスコに、m-クレゾール80.0g(0.74モル)、p-クレゾール80.0g(0.74モル)、42%ホルマリン69.8g(0.98モル)、及び蓚酸0.6gを収容し、100℃で5時間反応させた。その後、180℃まで昇温して脱水した。さらに、30torrで2時間減圧蒸留を行って未反応原料などを除去し、ノボラック型フェノール樹脂(A4)144gを得た。
得られたメタ-パラクレゾールノボラック型フェノール樹脂(A4)は、重量平均分子量が9800であり、アルカリ溶解速度が256Å/sであり、ガラス転移温度(Tg)が106℃であった。
なお、メタ-パラクレゾールノボラック型フェノール樹脂(A4)は、一般式(1)におけるR1がメチル基、pが1、qが1の化合物である。
温度計、仕込・留出口及び攪拌機を備えた容量1000mLのガラス製フラスコに、m-クレゾール94.2g(0.87モル)、p-クレゾール62.8g(0.58モル)、42%ホルマリン73.2g(1.02モル)、及び蓚酸0.55gを収容し、100℃で10時間反応させた。その後、180℃まで昇温して脱水した。さらに、30torrで2時間減圧蒸留を行って未反応原料などを除去し、クレゾールノボラック型フェノール樹脂(A5)112gを得た。
得られたノボラック型クレゾール樹脂(A5)は、重量平均分子量が12600であり、アルカリ溶解速度が225Å/sであり、ガラス転移温度(Tg)が111℃であった。
なお、クレゾールノボラック型フェノール樹脂(A5)は、一般式(1)におけるR1がメチル基、pが1、qが1の化合物である。
重量平均分子量が1600、アルカリ溶解速度が3861Å/s、ガラス転移温度(Tg)が37℃である。
重量平均分子量が4500、アルカリ溶解速度が63Å/s、ガラス転移温度(Tg)が47℃である。
次に、本発明のフォトレジスト用フェノール樹脂組成物及びそれを用いたフォトレジスト組成物の実施例を示す。
なお、フォトレジスト用フェノール樹脂組成物及びフォトレジスト組成物の分析方法や評価方法は次の通りである。
(1)重量平均分子量(Mw)、(2)アルカリ溶解速度(DR)、及び(3)ガラス転移温度(Tg)について、前記ノボラック型フェノール樹脂の分析方法や評価方法と同じ方法により行った。
まず、図3(a)に示すように、基板10上に形成されたSiO2膜11(厚さ1000Å)上に、スピンコーターでフォトレジスト組成物を塗布し、110℃のホットプレート上で90秒間乾燥させて、厚みが1.5μm(15000Å)のレジスト膜12を形成した。
その後、アセトンを用いてレジストパターン12aを剥離し、図3(d)に示すように、パターニングされたSiO2膜11aの表面を露出した。次いで、純水で洗浄し更に乾燥させた。
ノボラック型フェノール樹脂(A2)とノボラック型フェノール樹脂(B1)とを溶融混合して、フォトレジスト用フェノール樹脂組成物を調製した。具体的には、温度計、仕込・留出口及び攪拌機を備えた容量500mLのガラス製フラスコに、ノボラック型フェノール樹脂(A2)80gとノボラック型フェノール樹脂(B1)20gとを、下記表2に示す配合比で収容し、185℃の温度条件下で溶融混合した。
得られたフォトレジスト用フェノール樹脂組成物は、重量平均分子量(Mw)が5300であり、アルカリ溶解速度(DR)が300Å/sであり、ガラス転移温度(Tg)が81℃である。
このフォトレジスト組成物の特性を評価し、その結果を、フォトレジスト用フェノール樹脂組成物の評価結果とともに、下記表2にまとめる。
ノボラック型フェノール樹脂(A)とノボラック型フェノール樹脂(B)とを、下記表2に示す処方で用い、実施例1と同様の方法により溶融混合してフォトレジスト用フェノール樹脂組成物を得た。各フォトレジスト用フェノール樹脂組成物について、重量平均分子量(Mw)、アルカリ溶解速度(DR)、及びガラス転移温度(Tg)を調べた。
さらに、各フォトレジスト用フェノール樹脂組成物を用いて、実施例1と同様の方法によりフォトレジスト組成物を調製した。各フォトレジスト組成物の特性を評価し、その結果を、フォトレジスト用フェノール樹脂組成物の評価結果とともに下記表2にまとめる。
12…レジスト膜 12a…レジストパターン 13…端部
14…サイドエッチング
W,W0…頂部幅
Claims (2)
- 下記一般式(2)で示されるノボラック型フェノール樹脂(A)と下記一般式(4)で示されるユニットを構造中に含むノボラック型フェノール樹脂(B)とを(A)と(B)との質量比が5~95:95~5となる量で含むことを特徴とするフォトレジスト用フェノール樹脂組成物。
(一般式(2)中、nは、0以上の整数を表す。メタ位にメチル基が結合したフェノール骨格と、パラ位にメチル基が結合したフェノール骨格とが、メタ位:パラ位の原料仕込みの際のモル比が40~50:60~50である。)
(一般式(4)中、R2は、水素原子、炭素数1~6の直鎖状若しくは分枝状のアルキル基、炭素数3~6の環状アルキル基、フェニル基、又はハロゲン原子を表す。aは、1又は2である。bは、1以上3以下であり、bが2以上の場合、R2はそれぞれ同一又は異なっていてもよい。ただし、a+b≦4である。なお、ノボラック型フェノール樹脂(B)の構造中に一般式(4)で示されるユニットが複数含まれる場合、ノボラック型フェノール樹脂(B)の構造中に含まれる複数のa、b及びR2は、それぞれ同一又は異なっていてもよい。) - 請求項1に記載のフォトレジスト用フェノール樹脂組成物と感光剤とを含むことを特徴とするフォトレジスト組成物。
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