JP7233464B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7233464B2 JP7233464B2 JP2021062664A JP2021062664A JP7233464B2 JP 7233464 B2 JP7233464 B2 JP 7233464B2 JP 2021062664 A JP2021062664 A JP 2021062664A JP 2021062664 A JP2021062664 A JP 2021062664A JP 7233464 B2 JP7233464 B2 JP 7233464B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive layer
- layer
- oxide semiconductor
- semiconductor layer
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 349
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 39
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 898
- 239000010408 film Substances 0.000 description 104
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 65
- 230000006870 function Effects 0.000 description 63
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 50
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 50
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 47
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 46
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 45
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 43
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 35
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 description 22
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 20
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 18
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 16
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 15
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 13
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 8
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910018120 Al-Ga-Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910020833 Sn-Al-Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001339 alkali metal compounds Chemical class 0.000 description 2
- 150000001341 alkaline earth metal compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000005001 rutherford backscattering spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- PCTMTFRHKVHKIS-BMFZQQSSSA-N (1s,3r,4e,6e,8e,10e,12e,14e,16e,18s,19r,20r,21s,25r,27r,30r,31r,33s,35r,37s,38r)-3-[(2r,3s,4s,5s,6r)-4-amino-3,5-dihydroxy-6-methyloxan-2-yl]oxy-19,25,27,30,31,33,35,37-octahydroxy-18,20,21-trimethyl-23-oxo-22,39-dioxabicyclo[33.3.1]nonatriaconta-4,6,8,10 Chemical compound C1C=C2C[C@@H](OS(O)(=O)=O)CC[C@]2(C)[C@@H]2[C@@H]1[C@@H]1CC[C@H]([C@H](C)CCCC(C)C)[C@@]1(C)CC2.O[C@H]1[C@@H](N)[C@H](O)[C@@H](C)O[C@H]1O[C@H]1/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/[C@H](C)[C@@H](O)[C@@H](C)[C@H](C)OC(=O)C[C@H](O)C[C@H](O)CC[C@@H](O)[C@H](O)C[C@H](O)C[C@](O)(C[C@H](O)[C@H]2C(O)=O)O[C@H]2C1 PCTMTFRHKVHKIS-BMFZQQSSSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020994 Sn-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910009069 Sn—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910009369 Zn Mg Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007573 Zn-Mg Inorganic materials 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910001514 alkali metal chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001515 alkali metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 alkali metal nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052730 francium Inorganic materials 0.000 description 1
- KLMCZVJOEAUDNE-UHFFFAOYSA-N francium atom Chemical compound [Fr] KLMCZVJOEAUDNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052705 radium Inorganic materials 0.000 description 1
- HCWPIIXVSYCSAN-UHFFFAOYSA-N radium atom Chemical compound [Ra] HCWPIIXVSYCSAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
- H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
Description
有する半導体装置が記載されている。
れる水素原子を含有する化合物や、アルカリ金属を含有する化合物、もしくはアルカリ土
類金属を含有する化合物等の不純物は、酸化物半導体膜のキャリア密度を高める。」と記
載されている。
ー)となる。」と記載されている。
電極等があるが限定されない。
化物半導体層を有する電極を形成することによって、工程数が削減できるので好ましい。
よって、透光性を有する電極を形成することができるので好ましい。
積を大きくすることが好ましい。
。
ルカリ金属、アルカリ土類金属、水素等を含有させることが好ましい。
ることができる。
記第1の導電層上及び前記第2の導電層上に第1の絶縁層を有し、前記第1の絶縁層上に
第1の酸化物半導体層を有し、前記第1の絶縁層上に第2の酸化物半導体層を有し、前記
第1の酸化物半導体層上に第3の導電層を有し、前記第1の酸化物半導体層上に第4の導
電層を有し、前記第3の導電層上及び前記第4の導電層上に第2の絶縁層を有し、前記第
2の絶縁層上に第5の導電層を有し、前記第3の導電層は、前記第2の導電層と電気的に
接続されており、前記第5の導電層は、前記第4の導電層と電気的に接続されており、前
記第1の導電層の少なくとも一部は、トランジスタのゲート電極としての機能を有し、前
記第3の導電層の少なくとも一部は、前記トランジスタのソース電極又はドレイン電極の
一方としての機能を有し、前記第4の導電層の少なくとも一部は、前記トランジスタの前
記ソース電極又は前記ドレイン電極の他方としての機能を有し、前記第1の酸化物半導体
層は、前記第1の導電層と重なる領域を有し、前記第2の酸化物半導体層は、前記第5の
導電層と重なる領域を有し、前記第2の酸化物半導体層は、前記第2の導電層と交差する
領域を有することを特徴とする半導体装置を提供することができる。
記第1の導電層上及び前記第2の導電層上に第1の絶縁層を有し、前記第1の絶縁層上に
第1の酸化物半導体層を有し、前記第1の絶縁層上に第2の酸化物半導体層を有し、前記
第1の酸化物半導体層上に第3の導電層を有し、前記第1の酸化物半導体層上に第4の導
電層を有し、前記第2の酸化物半導体層上に第6の導電層を有し、前記第3の導電層上、
前記第4の導電層上、及び前記第6の導電層上に第2の絶縁層を有し、前記第2の絶縁層
上に第5の導電層を有し、前記第3の導電層は、前記第2の導電層と電気的に接続されて
おり、前記第5の導電層は、前記第4の導電層と電気的に接続されており、前記第1の導
電層の少なくとも一部は、トランジスタのゲート電極としての機能を有し、前記第3の導
電層の少なくとも一部は、前記トランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方として
の機能を有し、前記第4の導電層の少なくとも一部は、前記トランジスタの前記ソース電
極又は前記ドレイン電極の他方としての機能を有し、前記第6の導電層の少なくとも一部
は、補助配線としての機能を有し、前記第1の酸化物半導体層は、前記第1の導電層と重
なる領域を有し、前記第2の酸化物半導体層は、前記第5の導電層と重なる領域を有し、
前記第2の酸化物半導体層は、前記第2の導電層と交差する領域を有することを特徴とす
る半導体装置を提供することができる。
体層は、第2のアルカリ金属濃度を有し、前記第2のアルカリ金属濃度は、前記第1のア
ルカリ金属濃度よりも高いことが好ましい。
半導体層は、第2のアルカリ土類金属濃度を有し、前記第2のアルカリ土類金属濃度は、
前記第1のアルカリ土類金属濃度よりも高いことが好ましい。
第2の水素濃度を有し、前記第2の水素濃度は、前記第1の水素濃度よりも高いことが好
ましい。
記第5の導電層の少なくとも一部は、容量素子の一方の電極としての機能を有し、前記第
2の酸化物半導体層の少なくとも一部は、前記表示素子の他方の電極としての機能を有し
、前記第2の酸化物半導体層の少なくとも一部は、前記容量素子の他方の電極としての機
能を有することが好ましい。
当業者であれば容易に理解される。
ない。
同一の符号又は同一のハッチングを異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は
省略する。
図1~図3を用いて、半導体装置の一例について説明する。
接続されている。
接続されている。
接続されている。
接続されている。
接続されている。
。
に接続されている。
接続されている。
とができる機能を有する。
を有する。
って、トランジスタTrのオン、オフを制御することができる。
って、液晶素子LCの駆動を制御することができる。
って、容量素子Cに電荷を蓄積することができる。
って、液晶素子LCの駆動を制御することができる。
って、容量素子Cに電荷を蓄積することができる。
ができる。
とが好ましい。
ると好ましい。
とができる。
ことができる。
とができる。
。
しい。
一方として機能することができる。
他方として機能することができる。
ス電極又はドレイン電極の一方として機能することができる。
い。
。
きる。
る。導電層701の面積を大きくすることで、容量素子Cの容量値を大きくすることがで
きる。例えば、導電層701を導電層212と重なる程度まで大きくしても良い。具体的
には、第1の方向8001において、導電層701の端部が導電層212に重なるように
設ければよい。また、後述する図11のように導電層526、導電層527を有する場合
、導電層701を導電層526、導電層527と重なるように設けても良い。
。
きる。
よって、配線L2の一部(導電層211、導電層212、導電層213等)と配線L4(
酸化物半導体層310)の一部とを重ねることができる。
半導体層310)の一部とを重ねることによって、配線L4(酸化物半導体層310)を
全ての画素の液晶素子LCの一方の電極(画素電極)と重ねることができる。
能を有する。
ランジスタが配置されているといえる。
数の第1の領域同士を接続する複数の第2の領域を有しているといえる。
数の第1の領域同士を接続する複数の第2の領域を有しているといえる。
いることによって、配線L2の一部を配線L4の一部とを重ねることができる。
L4の一部とを交差させることができる。
に共通の配線とすることができる。
の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
FFS(Fringe Field Switching)駆動の液晶表示装置(半導
体装置の一種)の一例について述べる。
導電層701))に開口部を設けた例である。
の電極として機能させることができる。
ることができるので、導電層900は不要になる。
の電極以外の用途で用いることができる。
ッチパネルの電極としての用途等があるが限定されない。
能を有する。
。
に接続されている。
接続されている。
を有する。
って、トランジスタTrのオン、オフを制御することができる。
って、液晶素子LCの駆動を制御することができる。
って、容量素子Cに電荷を蓄積することができる。
って、液晶素子LCの駆動を制御することができる。
って、容量素子Cに電荷を蓄積することができる。
2の機能と、を有する配線であるといえる。
の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
酸化物半導体層310の抵抗値が高い場合がある。
。
。
電層529等を追加した例である。
ある。
ある。
層529等)を示したが、図5~図7において補助配線として機能することができる導電
層(導電層521~導電層529等)を設けても良い。
電層501と同一工程で形成することができる。
は、導電層501と同一材料を用いて形成することができる。
化物半導体層310と接する領域を有する。
連続的に設けられている。
連続的に設けられている。
れており、且つ、第2の方向8002に沿うように導電層525が連続的に設けられてい
る。
ジスタ、画素電極等)が設けられているといえる。
等が断続的に設けられている。
等が断続的に設けられている。
1~導電層529等)の少なくとも一部は、配線L4として機能することができる。
1~導電層529等)の少なくとも一部は、配線L3として機能することができる。
を有することによって、配線L3又は配線L4の抵抗値を下げることができる。
電極と同一工程で形成した導電層と交差することによって、補助配線として機能すること
ができる導電層を複数の画素に跨って設けることができる。
画素の開口率を大きくするという観点からすると好ましい。
ない第2の領域と、導電層212と重ならない第3の領域と、を有する。
ない第2の領域と、導電層214と重ならない第3の領域と、を有する。
ない第2の領域と、導電層201と重ならない第3の領域と、を有する。
ない第2の領域と、導電層203と重ならない第3の領域と、を有する。
の領域又は第3の領域の他方は隣接する2つの画素の他方に配置されている。
小さい方が好ましい。
きくすることができるので好ましい。
きくすることができるので好ましい。
ると、画素の開口率をかなり大きくすることができるので好ましい。
ことができる導電層全体が下層の導電層と重なる構成になる。
口率を最も大きくすることができるので好ましい。
の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
他の実施の形態では酸化物半導体層310を全ての画素に跨るように設けた例を示した
。
された複数の画素に跨るように設けても良い。
された複数の画素に跨るように設けても良い。
L4に対応する酸化物半導体層(酸化物半導体層310等)とを重ねることが好ましい。
10等)の一部の領域において、第2の方向8002の長さを長くすることができるので
、配線L3又は配線L4の抵抗値を低くすることができる。
領域とは、例えば、図12の点線で囲った領域である。
配線L1の双方と重なるようにしたが、隣接する2つの配線L1のうち一方のみと重ねて
も良い。
方のみと重ねても、配線L3又は配線L4の抵抗値を低くすることができる。
L4に対応する酸化物半導体層(酸化物半導体層310等)とを重ねることが好ましい。
10等)の一部の領域において、第1の方向8001の長さを長くすることができるので
、配線L3又は配線L4の抵抗値を低くすることができる。
領域とは、例えば、図13の点線で囲った領域である。
配線L2の双方と重なるようにしたが、隣接する2つの配線L2のうち一方のみと重ねて
も良い。
方のみと重ねても配線L3又は配線L4の抵抗値を低くすることができる。
~導電層529等)を設けても良い。
の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
配線L3又は配線L4に対応する酸化物半導体層(酸化物半導体層310等)の抵抗値
を下げるために、配線L3又は配線L4に対応する酸化物半導体層にアルカリ金属、アル
カリ土類金属、水素等を含有させると好ましい。
有する物質、アルカリ土類金属を含有する物質、水素を含有する物質等を添加すると好ま
しい。
水素等が含有されると、トランジスタTrの電気的特性に悪影響を及ぼす。
等が、トランジスタTrの活性層となる酸化物半導体層に極力添加されないようにするこ
とが好ましい。
金属、水素等を徹底的に排除することが好ましい。
オンドーピング法、イオン注入法等により、アルカリ金属を含有する物質、アルカリ土類
金属を含有する物質、水素を含有する物質等を添加することができる。
物半導体層中のアルカリ金属濃度が、トランジスタTrの活性層となる酸化物半導体層中
のアルカリ金属濃度よりも高くなる。
酸化物半導体層中のアルカリ土類金属濃度が、トランジスタTrの活性層となる酸化物半
導体層中のアルカリ土類金属濃度よりも高くなる。
層中の水素濃度が、トランジスタTrの活性層となる酸化物半導体層中の水素濃度よりも
高くなる。
有する物質」とを添加しても良い。
とを添加しても良い。
質」とを添加しても良い。
有する物質」と1種類以上の「水素を含有する物質」とを添加しても良い。
ム)、Rb(ルビジウム)、Cs(セシウム)、Fr(フランシウム)等がある。
カリ金属のフッ化物、アルカリ金属の塩化物等がある。
ある。
a(カルシウム)、Sr(ストロンチウム)、Ba(バリウム)、Ra(ラジウム)等が
ある。
窒化物、アルカリ土類金属のフッ化物、アルカリ土類金属の塩化物等がある。
)、PH3(ホスフィン)、B2H6(ジボラン)等がある。
質量分析法)、RBS(ラザフォード後方散乱分光法)等で測定することができるが、各
濃度の分析手法はこれらに限定されない。
の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
図14~図18は、酸化物半導体層310にアルカリ金属、アルカリ土類金属、水素等
を含有させるための構造の一例である。
る。
て機能することができる。
できる。
。
リウム)が酸化物半導体層310に拡散する。
酸化物半導体層310中にキャリアが発生するので、酸化物半導体層310の抵抗を下げ
ることができる。
a(ナトリウム)の濃度が特に高くなる。
1の所定の領域中のナトリウム濃度よりも高くなる。
類金属を含有する物質、又は水素を含有する物質を含有している。
カリ土類金属を含有する物質」とを含有していても良い。
を含有する物質」とを含有していても良い。
水素を含有する物質」とを含有していても良い。
カリ土類金属を含有する物質」と1種類以上の「水素を含有する物質」とを含有していて
も良い。
有する物質、アルカリ土類金属を含有する物質、又は水素を含有する物質を含ませること
によって、絶縁層150を形成することができる。
はスパッタリングガス中に、アルカリ金属を含有する物質、アルカリ土類金属を含有する
物質、又は水素を含有する物質を含ませることによって、絶縁層150を形成することが
できる。
できる。
と効果が高い。
る。
カリ金属を含有する物質、アルカリ土類金属を含有する物質、又は水素を含有する物質が
酸化物半導体層310に拡散する。
又は水素を含有する物質が酸化物半導体層310に拡散することによって、酸化物半導体
層310にキャリアが発生するので、酸化物半導体層310の抵抗を下げることができる
。
上層)のアルカリ金属濃度、アルカリ土類金属濃度、又は水素濃度が特に高くなる。
01の所定の領域中のアルカリ金属濃度よりも高くなる。
体層301の所定の領域中のアルカリ土類金属濃度よりも高くなる。
所定の領域中の水素濃度よりも高くなる。
301と接する領域を有する。
る物質、アルカリ土類金属を含有する物質、及び水素を含有する物質等の侵入を防止する
ことが好ましい。
、及び水素濃度が低い方が好ましい。
いことが好ましい。
いことが好ましい。
りも低いことが好ましい。
りも低いことが好ましい。
属濃度よりも低いことが好ましい。
属濃度よりも低いことが好ましい。
ましい。
好ましい。
0に酸素が含有されていることが好ましい。
ましい。
ましい。
って、酸化物半導体層310の抵抗値をとても下げることができる。
の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
図15及び図16の場合において、絶縁層300の開口部を導電層201、導電層21
1、導電層212、導電層213等と重ねると、導電層同士がショートしてしまう。
導電層212、導電層213等と重ねても、導電層同士はショートしない。
212、導電層213等と重ねても、導電層同士はショートしない。
とができる。
とができる。
状とした例である。
状とした例である。
3等と重なる領域を有する。
3等と交差する領域を有する。
0との接触面積を増加することができる。
導体層310の抵抗値をより低くすることができる。
の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
図22は、図15において、導電層550等を追加した例である。
電層502等が形成される位置にマスクを配置した状態で導電膜をエッチング加工するこ
とによって形成することができる。
層が残らないようにエッチング時間を調整する。
導電層550を残存させることができる。
電層550を形成することができる。
いる。
している。
している。
の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
図25は、図1中の1つの画素の少なくとも一部を示した例である。
。
。
。
。
数の画素に跨るように酸化物半導体層310を配置することができる。
半導体層310の面積を大きくすることができるので、酸化物半導体層310の抵抗値を
下げることができる。
の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
図28は、図1中の2つの画素の少なくとも一部を示した例である。
。
する。
する。
する。
有する。
する。
有する。
する。
導体層310を配置することができる。
下げることができる。
の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
図30は、図1中の2つの画素の少なくとも一部を示した例である。
。
する。
する。
する。
有する。
する。
有する。
する。
する。
導体層310を配置することができる。
下げることができる。
電層513等)を、図32の導電層599のようにしても良い。
0と導電層599とがショートしてしまうので、酸化物半導体層310が導電層599と
を重ねないようにすることが好ましい。
の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
基板、絶縁層、導電層、及び酸化物半導体層の材料について説明する。
)等を用いることができるがこれらに限定されない。
が好ましい。
板とを接触させる場合、樹脂基板(プラスチック基板)を用いることも好ましい。
を含有する樹脂基板(プラスチック基板)を用いるとより好ましい。
るが限定されない。
リコン膜、窒素を含有する酸化シリコン膜等)、窒化シリコンを含有する膜(代表的には
窒化シリコン膜、酸素を含有する窒化シリコン膜等)、窒化アルミニウムを含有する膜(
代表的には窒化アルミニウム膜、酸素を含有する窒化アルミニウム膜等)、酸化アルミニ
ウムを含有する膜(代表的には酸化アルミニウム膜、窒素を含有する酸化アルミニウム膜
等)、酸化ハフニウムを含有する膜(代表的には酸化ハフニウム膜等)等があるが限定さ
れない。
クリルを含有する膜(代表的にはアクリル膜等)、シロキサンを含有する膜(代表的には
シロキサン膜等)、エポキシを含有する膜(代表的にはエポキシ膜等)等があるが限定さ
れない。
とが好ましい。
膜(代表的には透明導電膜等)等があるが限定されない。
金、銀、銅、アルカリ金属、アルカリ土類金属等があるが限定されない。
限定されない。
有していると透過型の表示装置を作製することができる。
きる。
。
等があるが限定されない。
膜等があるが限定されない。
含有する膜等は酸化物半導体層として機能することができる。
が限定されない。
-Zn系酸化物膜、Zn-Mg系酸化物膜、Sn-Mg系酸化物膜、In-Mg系酸化物
膜、In-Ga系酸化物膜等があるが限定されない。
化物膜、Sn-Ga-Zn系酸化物膜、In-Al-Zn系酸化物膜、In-Hf-Zn
系酸化物膜、In-La-Zn系酸化物膜、In-Ce-Zn系酸化物膜、In-Pr-
Zn系酸化物膜、In-Nd-Zn系酸化物膜、In-Sm-Zn系酸化物膜、In-E
u-Zn系酸化物膜、In-Gd-Zn系酸化物膜、In-Tb-Zn系酸化物膜、In
-Dy-Zn系酸化物膜、In-Ho-Zn系酸化物膜、In-Er-Zn系酸化物膜、
In-Tm-Zn系酸化物膜、In-Yb-Zn系酸化物膜、In-Lu-Zn系酸化物
膜、Al-Ga-Zn系酸化物膜、Sn-Al-Zn系酸化物膜等があるが限定されない
。
意味する。
a-Zn系酸化物膜、In-Al-Ga-Zn系酸化物膜、In-Sn-Al-Zn系酸
化物膜、In-Sn-Hf-Zn系酸化物膜、In-Hf-Al-Zn系酸化物膜等があ
るが限定されない。
含有する膜を意味する。
ましい。
が可能であるが、N型トランジスタの方がP型トランジスタよりも実用的なので好ましい
。
好ましい。
-Axis Aligned Crystal)と呼ぶ。
度以上100度以下であっても良い。
るに際して、成膜時の基板温度を200℃以上450℃以下とする第1の方法がある。
0℃以上3分以上の加熱処理を施す第2の方法がある。
法のパターンA)。
CAACを形成することができる(第2の方法のパターンB)。
物半導体層上に第2の酸化物半導体層を形成する第3の方法がある。
定されない。
以上100度以下である結晶を形成することができる。
形成することができる。
る。
マ処理を施すことによって、樹脂層と接触する酸化物半導体層の少なくとも一部を非晶質
化することができる。
層150と接触しない酸化物半導体層にはプラズマ処理を施さない方が好ましい。
理等があるが限定されない。
物半導体層の結晶状態と、が異なることが好ましい。
い酸化物半導体層よりもH2O、Hが侵入しやすい結晶状態とすることによって、絶縁層
150と接触する酸化物半導体層の抵抗率を絶縁層150と接触しない酸化物半導体層の
抵抗率よりも下げることができる。
とする。例えば、絶縁層150と接触する酸化物半導体層を、非晶質酸化物半導体層、微
結晶酸化物半導体層、又は多結晶酸化物半導体層等の非単結晶酸化物半導体層とする。
い酸化物半導体層の結晶性よりも高くすることによって、絶縁層150と接触する酸化物
半導体層の抵抗率を絶縁層150と接触しない酸化物半導体層の抵抗率よりも下げること
ができる。
するような場合は、絶縁層150と接触する酸化物半導体層を単結晶酸化物半導体層とす
ることができる。
半導体層の結晶状態とを異ならせるための手法は限定されない。
導体層とを同時に形成した後に、絶縁層150と接触しない酸化物半導体層又は絶縁層1
50と接触する酸化物半導体層の一方の結晶を破壊することにより、絶縁層150と接触
しない酸化物半導体層の結晶状態と絶縁層150と接触する酸化物半導体層の結晶状態と
を異なるものにすることができる。
るが限定されない。
る酸化物半導体層の形成方法とを異なる方法にすることによって、絶縁層150と接触し
ない酸化物半導体層の結晶状態と絶縁層150と接触する酸化物半導体層の結晶状態とを
異なるものにすることができる。
味する。
の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
他の実施の形態では、逆スタガ構造のトランジスタについて説明したが、トランジスタ
の構造は限定されない。
あっても良い。
タを採用しても良いし、活性層の上下にゲート電極を有するダブルゲート型トランジスタ
を採用しても良い。
スタの具体的構造は限定されないし、ダブルゲート型トランジスタの具体的構造は限定さ
れない。
の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
他の実施の形態では、酸化物半導体層310を容量素子の他方の電極又は表示素子の他
方の電極として用いる例を示したが、酸化物半導体層310を容量素子の一方の電極又は
表示素子の一方の電極として用いても良い。
場合は、酸化物半導体層310をトランジスタと電気的に接続させれば良い。
変換素子等)の電極として用いても良い。
なくても良い。
電極として用いる場合、導電層701を設けなくても良い。
の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
半導体装置とは、半導体を有する素子を有する装置である。
ある。
、RFID、プロセッサ等があるが限定されない。
電気泳動素子を有する電気泳動表示装置等があるが限定されない。
いかなる半導体装置にも適用可能である。
の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
102 基板
150 絶縁層
201 導電層
202 導電層
203 導電層
211 導電層
212 導電層
213 導電層
214 導電層
222 導電層
300 絶縁層
301 酸化物半導体層
302 酸化物半導体層
303 酸化物半導体層
310 酸化物半導体層
500 絶縁層
501 導電層
502 導電層
503 導電層
511 導電層
512 導電層
513 導電層
514 導電層
521 導電層
522 導電層
523 導電層
524 導電層
525 導電層
526 導電層
527 導電層
528 導電層
529 導電層
550 導電層
599 導電層
701 導電層
711 導電層
712 導電層
800 液晶層
900 導電層
8001 第1の方向
8002 第2の方向
Tr トランジスタ
L1 配線
L2 配線
L3 配線
L4 配線
C 容量素子
LC 液晶素子
Claims (5)
- 走査線と、
前記走査線と交差する方向に延在する領域を有する信号線と、
前記走査線上の第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層上の、前記走査線と重なる領域を有し、前記信号線と電気的に接続されたチャネル形成領域を有する第1の半導体層と、
前記第1の半導体層と電気的に接続され、前記信号線と同一の材料を有し、ソース電極又はドレイン電極としての機能を有する第1の導電層と、
前記第1の導電層上の第2の絶縁層と、
前記第2の絶縁層の開口部を介して、前記第1の導電層と電気的に接続された画素電極と、
前記第1の絶縁層上の、前記走査線と交差する領域を有し、前記第1の半導体層と同一の材料を有する第2の半導体層と、
前記第2の半導体層上の、前記第2の半導体層と接する領域を有し、前記信号線と同一の材料を有する第2の導電層と、を有し、
前記第2の導電層は、前記走査線と重なる第1の領域と、前記走査線と重ならない第2の領域と、前記第1の領域と介して前記第2の領域の反対側に設けられた、前記走査線と重ならない第3の領域を有し、
前記第2の領域は、第1の画素に配置され、
前記第3の領域は、前記第1の画素に隣接する第2の画素に配置され、
前記第1の領域の幅は、前記走査線と交差する領域における前記第2の半導体層の幅より小さい液晶表示装置。 - 走査線と、
前記走査線と同一の方向に延在する領域を有する補助配線と、
前記走査線と交差する方向に延在する領域を有する信号線と、
前記走査線上の第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層上の、前記走査線と重なる領域を有し、前記信号線と電気的に接続されたチャネル形成領域を有する第1の半導体層と、
前記第1の半導体層と電気的に接続され、前記信号線と同一の材料を有し、ソース電極又はドレイン電極としての機能を有する第1の導電層と、
前記第1の導電層上の第2の絶縁層と、
前記第2の絶縁層の開口部を介して、前記第1の導電層と電気的に接続された画素電極と、
前記第1の絶縁層上の、前記走査線と交差する領域および前記補助配線と交差する領域を有し、前記補助配線と電気的に接続された、前記第1の半導体層と同一の材料を有する第2の半導体層と、
前記第2の半導体層上の、前記第2の半導体層と接する領域を有し、前記信号線と同一の材料を有する第2の導電層と、を有し、
前記第2の導電層は、前記走査線と重なる第1の領域と、前記走査線と重ならない第2の領域と、前記第1の領域と介して前記第2の領域の反対側に設けられた、前記走査線と重ならない第3の領域を有し、
前記第2の領域は、第1の画素に配置され、
前記第3の領域は、前記第1の画素に隣接する第2の画素に配置され、
前記第1の領域の幅は、前記走査線と交差する領域における前記第2の半導体層の幅より小さい液晶表示装置。 - 請求項1または請求項2において、
前記第2の領域の面積および前記第3の領域の面積は、前記第1の領域の面積より小さい液晶表示装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一において、
前記第2の半導体層は、前記信号線と重なる領域を有さない液晶表示装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一において、
前記画素電極は、複数の開口部を有する液晶表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2023025042A JP2023065493A (ja) | 2012-09-20 | 2023-02-21 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012206461 | 2012-09-20 | ||
JP2012206461 | 2012-09-20 | ||
JP2019124983A JP6864043B2 (ja) | 2012-09-20 | 2019-07-04 | 液晶表示装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019124983A Division JP6864043B2 (ja) | 2012-09-20 | 2019-07-04 | 液晶表示装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023025042A Division JP2023065493A (ja) | 2012-09-20 | 2023-02-21 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021119603A JP2021119603A (ja) | 2021-08-12 |
JP7233464B2 true JP7233464B2 (ja) | 2023-03-06 |
Family
ID=50273550
Family Applications (6)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013192770A Active JP6244146B2 (ja) | 2012-09-20 | 2013-09-18 | 液晶表示装置 |
JP2017217925A Active JP6286610B1 (ja) | 2012-09-20 | 2017-11-13 | 液晶表示装置 |
JP2018018051A Active JP6553759B2 (ja) | 2012-09-20 | 2018-02-05 | 液晶表示装置 |
JP2019124983A Active JP6864043B2 (ja) | 2012-09-20 | 2019-07-04 | 液晶表示装置 |
JP2021062664A Active JP7233464B2 (ja) | 2012-09-20 | 2021-04-01 | 半導体装置 |
JP2023025042A Withdrawn JP2023065493A (ja) | 2012-09-20 | 2023-02-21 | 液晶表示装置 |
Family Applications Before (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013192770A Active JP6244146B2 (ja) | 2012-09-20 | 2013-09-18 | 液晶表示装置 |
JP2017217925A Active JP6286610B1 (ja) | 2012-09-20 | 2017-11-13 | 液晶表示装置 |
JP2018018051A Active JP6553759B2 (ja) | 2012-09-20 | 2018-02-05 | 液晶表示装置 |
JP2019124983A Active JP6864043B2 (ja) | 2012-09-20 | 2019-07-04 | 液晶表示装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023025042A Withdrawn JP2023065493A (ja) | 2012-09-20 | 2023-02-21 | 液晶表示装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8927985B2 (ja) |
JP (6) | JP6244146B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101930230B1 (ko) * | 2009-11-06 | 2018-12-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치를 제작하기 위한 방법 |
KR20130105392A (ko) * | 2012-03-14 | 2013-09-25 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US9269315B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-02-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driving method of semiconductor device |
US9704894B2 (en) | 2013-05-10 | 2017-07-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device including pixel electrode including oxide |
KR102244553B1 (ko) | 2013-08-23 | 2021-04-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 용량 소자 및 반도체 장치 |
JP2015179247A (ja) | 2013-10-22 | 2015-10-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP6506545B2 (ja) | 2013-12-27 | 2019-04-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9766517B2 (en) | 2014-09-05 | 2017-09-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and display module |
WO2016063169A1 (en) | 2014-10-23 | 2016-04-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
US10680017B2 (en) | 2014-11-07 | 2020-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element including EL layer, electrode which has high reflectance and a high work function, display device, electronic device, and lighting device |
JP6496579B2 (ja) | 2015-03-17 | 2019-04-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001018597A1 (fr) | 1999-09-07 | 2001-03-15 | Hitachi, Ltd | Afficheur à cristaux liquides |
JP2007298976A (ja) | 2006-04-06 | 2007-11-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置及び半導体装置、並びに電子機器 |
WO2008038432A1 (en) | 2006-09-27 | 2008-04-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate and liquid crystal display device provided with same |
Family Cites Families (138)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60198861A (ja) | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPH07104312B2 (ja) | 1986-03-25 | 1995-11-13 | 株式会社東芝 | 攪拌電極装置 |
JPH0244256B2 (ja) | 1987-01-28 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244260B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPS63210023A (ja) | 1987-02-24 | 1988-08-31 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
JPH0244258B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244262B2 (ja) | 1987-02-27 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244263B2 (ja) | 1987-04-22 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH05251705A (ja) | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP3479375B2 (ja) | 1995-03-27 | 2003-12-15 | 科学技術振興事業団 | 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法 |
JPH0915628A (ja) * | 1995-06-30 | 1997-01-17 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
DE69635107D1 (de) | 1995-08-03 | 2005-09-29 | Koninkl Philips Electronics Nv | Halbleiteranordnung mit einem transparenten schaltungselement |
JP3625598B2 (ja) | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Hoya株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
JP3678587B2 (ja) * | 1998-08-05 | 2005-08-03 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 液晶表示装置 |
JP2000150861A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
JP3276930B2 (ja) | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
US6825488B2 (en) | 2000-01-26 | 2004-11-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
TW507258B (en) | 2000-02-29 | 2002-10-21 | Semiconductor Systems Corp | Display device and method for fabricating the same |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
KR20020038482A (ko) | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
JP3997731B2 (ja) | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
US7061014B2 (en) | 2001-11-05 | 2006-06-13 | Japan Science And Technology Agency | Natural-superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
JP4083486B2 (ja) | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
CN1445821A (zh) | 2002-03-15 | 2003-10-01 | 三洋电机株式会社 | ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法 |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
JP2004022625A (ja) | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
US7105868B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
US7067843B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
JP2004177545A (ja) * | 2002-11-26 | 2004-06-24 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
US7262463B2 (en) | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
JP4483235B2 (ja) | 2003-09-01 | 2010-06-16 | カシオ計算機株式会社 | トランジスタアレイ基板の製造方法及びトランジスタアレイ基板 |
US7145174B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
CN102856390B (zh) | 2004-03-12 | 2015-11-25 | 独立行政法人科学技术振兴机构 | 包含薄膜晶体管的lcd或有机el显示器的转换组件 |
US7282782B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
US7211825B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
JP2006100760A (ja) | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US7285501B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
US7298084B2 (en) | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
EP1812969B1 (en) | 2004-11-10 | 2015-05-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor comprising an amorphous oxide |
US7829444B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
US7863611B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
US7791072B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
WO2006051994A2 (en) | 2004-11-10 | 2006-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
US7453065B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
KR100648011B1 (ko) | 2004-12-16 | 2006-11-23 | 삼성전자주식회사 | 의사 차동 전류 모드 수신방법 및 이를 위한 전류 모드수신기 |
US7579224B2 (en) | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
TWI569441B (zh) | 2005-01-28 | 2017-02-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
TWI472037B (zh) | 2005-01-28 | 2015-02-01 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
US7858451B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US20060197092A1 (en) | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
US8681077B2 (en) | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
US7544967B2 (en) | 2005-03-28 | 2009-06-09 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage flexible organic/transparent transistor for selective gas sensing, photodetecting and CMOS device applications |
US7645478B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
US8300031B2 (en) | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7402506B2 (en) | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
KR100711890B1 (ko) | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP2007059128A (ja) | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機el表示装置およびその製造方法 |
JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
JP2007073705A (ja) | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5116225B2 (ja) | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
JP4280736B2 (ja) | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
EP1770788A3 (en) | 2005-09-29 | 2011-09-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof |
JP5037808B2 (ja) | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
KR101112655B1 (ko) | 2005-11-15 | 2012-02-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액티브 매트릭스 디스플레이 장치 및 텔레비전 수신기 |
JP4801569B2 (ja) * | 2005-12-05 | 2011-10-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
TWI292281B (en) | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
US7867636B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
JP4977478B2 (ja) | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
US7576394B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
US7977169B2 (en) | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
EP2924498A1 (en) | 2006-04-06 | 2015-09-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Liquid crystal desplay device, semiconductor device, and electronic appliance |
KR20070101595A (ko) | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4609797B2 (ja) | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
JP4999400B2 (ja) | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4332545B2 (ja) | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP4274219B2 (ja) | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
JP5164357B2 (ja) | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
US7622371B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
US7772021B2 (en) | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
JP2008140684A (ja) | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーelディスプレイおよびその製造方法 |
KR101303578B1 (ko) | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
US8207063B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
TWI414864B (zh) * | 2007-02-05 | 2013-11-11 | Hydis Tech Co Ltd | 邊緣電場切換模式之液晶顯示器 |
KR100851215B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
US7795613B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
KR101325053B1 (ko) | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR20080094300A (ko) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
KR101334181B1 (ko) | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
WO2008133345A1 (en) | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Oxynitride semiconductor |
KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
KR20090049659A (ko) * | 2007-11-14 | 2009-05-19 | 삼성전자주식회사 | 표시 기판 및 이를 구비한 표시 패널 |
KR101375831B1 (ko) | 2007-12-03 | 2014-04-02 | 삼성전자주식회사 | 산화물 반도체 박막 트랜지스터를 이용한 디스플레이 장치 |
JP5215158B2 (ja) | 2007-12-17 | 2013-06-19 | 富士フイルム株式会社 | 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス |
KR101497425B1 (ko) * | 2008-08-28 | 2015-03-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
JP4623179B2 (ja) | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5451280B2 (ja) | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
KR101492106B1 (ko) * | 2008-11-25 | 2015-02-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
EP2202802B1 (en) | 2008-12-24 | 2012-09-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driver circuit and semiconductor device |
JP2010230744A (ja) * | 2009-03-26 | 2010-10-14 | Videocon Global Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
KR101681884B1 (ko) * | 2009-03-27 | 2016-12-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치, 표시장치 및 전자기기 |
CN102023430B (zh) * | 2009-09-17 | 2012-02-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | Ffs型tft-lcd阵列基板及其制造方法 |
JP5727204B2 (ja) | 2009-12-11 | 2015-06-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US8603841B2 (en) | 2010-08-27 | 2013-12-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing methods of semiconductor device and light-emitting display device |
JP5806043B2 (ja) | 2010-08-27 | 2015-11-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
KR20130099074A (ko) | 2010-09-03 | 2013-09-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 스퍼터링 타겟 및 반도체 장치의 제작 방법 |
US9142568B2 (en) | 2010-09-10 | 2015-09-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing light-emitting display device |
US8797487B2 (en) | 2010-09-10 | 2014-08-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor, liquid crystal display device, and manufacturing method thereof |
US8647919B2 (en) | 2010-09-13 | 2014-02-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting display device and method for manufacturing the same |
US8558960B2 (en) | 2010-09-13 | 2013-10-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method for manufacturing the same |
WO2012035975A1 (en) | 2010-09-15 | 2012-03-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
KR101212420B1 (ko) * | 2011-02-25 | 2012-12-13 | 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 터치센서 내장형 액정표시장치 및 그 제조 방법 |
KR20130105392A (ko) | 2012-03-14 | 2013-09-25 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US9166054B2 (en) | 2012-04-13 | 2015-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US20140014948A1 (en) | 2012-07-12 | 2014-01-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. | Semiconductor device |
DE112013007566B3 (de) | 2012-08-03 | 2018-02-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung |
US8937307B2 (en) | 2012-08-10 | 2015-01-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2014199899A (ja) | 2012-08-10 | 2014-10-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
DE102013216824A1 (de) | 2012-08-28 | 2014-03-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung |
TWI575663B (zh) | 2012-08-31 | 2017-03-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
US8981372B2 (en) | 2012-09-13 | 2015-03-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic appliance |
US9018624B2 (en) | 2012-09-13 | 2015-04-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic appliance |
-
2013
- 2013-09-16 US US14/027,426 patent/US8927985B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-09-18 JP JP2013192770A patent/JP6244146B2/ja active Active
-
2017
- 2017-11-13 JP JP2017217925A patent/JP6286610B1/ja active Active
-
2018
- 2018-02-05 JP JP2018018051A patent/JP6553759B2/ja active Active
-
2019
- 2019-07-04 JP JP2019124983A patent/JP6864043B2/ja active Active
-
2021
- 2021-04-01 JP JP2021062664A patent/JP7233464B2/ja active Active
-
2023
- 2023-02-21 JP JP2023025042A patent/JP2023065493A/ja not_active Withdrawn
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001018597A1 (fr) | 1999-09-07 | 2001-03-15 | Hitachi, Ltd | Afficheur à cristaux liquides |
JP2007298976A (ja) | 2006-04-06 | 2007-11-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置及び半導体装置、並びに電子機器 |
WO2008038432A1 (en) | 2006-09-27 | 2008-04-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate and liquid crystal display device provided with same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2019208034A (ja) | 2019-12-05 |
JP6864043B2 (ja) | 2021-04-21 |
JP2023065493A (ja) | 2023-05-12 |
JP2018055114A (ja) | 2018-04-05 |
JP6553759B2 (ja) | 2019-07-31 |
JP6244146B2 (ja) | 2017-12-06 |
JP2014078001A (ja) | 2014-05-01 |
JP2018101145A (ja) | 2018-06-28 |
US8927985B2 (en) | 2015-01-06 |
US20140077208A1 (en) | 2014-03-20 |
JP2021119603A (ja) | 2021-08-12 |
JP6286610B1 (ja) | 2018-02-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7233464B2 (ja) | 半導体装置 | |
US9570621B2 (en) | Display substrate, method of manufacturing the same | |
US9093540B2 (en) | Oxide semicondutor thin film transistor | |
TWI538210B (zh) | 半導體裝置及其製造方法 | |
TWI600165B (zh) | 半導體裝置及其製造方法 | |
CN101609843A (zh) | 薄膜晶体管、其制造方法及具有薄膜晶体管的平板显示设备 | |
JP2018174337A (ja) | 半導体装置 | |
TW201310646A (zh) | 半導體裝置及其製造方法 | |
KR20140031671A (ko) | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
US20190296050A1 (en) | Active matrix substrate and method for manufacturing same | |
KR20150007000A (ko) | 박막 트랜지스터 기판 및 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 | |
KR20160120394A (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 | |
US11695020B2 (en) | Active matrix substrate and method for manufacturing same | |
US11476282B2 (en) | Active matrix substrate and method for manufacturing same | |
JP2014195074A (ja) | 薄膜トランジスタ表示板およびその製造方法 | |
KR20130120456A (ko) | 트랜지스터 제조 방법, 트랜지스터, 어레이 기판 및 디스플레이 장치 | |
WO2013151002A1 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
CN107004603B (zh) | 半导体装置及其制造方法 | |
KR20160106278A (ko) | 산화물 박막트랜지스터를 포함하는 표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법 | |
KR101054340B1 (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 | |
TWI532188B (zh) | 半導體裝置及其製造方法 | |
JP7356815B2 (ja) | 薄膜トランジスタ基板及び表示装置 | |
JP6671155B2 (ja) | 薄膜トランジスタ基板 | |
KR20150098694A (ko) | 박막 트랜지스터, 이를 포함하는 표시 기판 및 박막 트랜지스터의 제조 방법 | |
KR20100119361A (ko) | 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210430 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210430 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220328 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220412 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220609 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220906 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221017 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230131 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230221 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7233464 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |