JP7129444B2

JP7129444B2 - 電子機器

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Publication number: JP7129444B2
Application number: JP2020077352A
Authority: JP
Inventors: 貴博馬場; 麗君趙; 楚徐; 展正小山; 智史松浦
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2016-05-17
Filing date: 2020-04-24
Publication date: 2022-09-01
Anticipated expiration: 2037-05-16
Also published as: WO2017199930A1; US20210249157A1; JP2020127228A; US11037701B2; US11387016B2; US20190088388A1; JP6699725B2; JPWO2017199930A1; CN209329126U

Description

本発明は、伝送線路基板に関し、特に複数の伝送線路を備える伝送線路基板と該伝送線路基板を含む電子機器に関する。

従来、複数の絶縁性基材を積層してなる積層体に、複数の伝送線路が設けられた多層基板が知られている。

例えば、特許文献１には、複数の絶縁性基材の積層方向に配置されたストリップライン構造の第１伝送線路および第２伝送線路が設けられた多層基板が示されている。この多層基板では、第１グランド導体、第１信号線路、中間グランド導体、第２信号線路および第２グランド導体が、それぞれ異なる絶縁性基材に形成されている。上記第１伝送線路は上記第１グランド導体、第１信号線路および中間グランド導体によって構成され、上記第２伝送線路は上記中間グランド導体、第２信号線路および第２グランド導体によって構成される。

国際公開第２０１３／１０３１３０号

しかし、特許文献１に示される多層基板の構造では、大面積の平面状のグランド導体（特に、複数の絶縁性基材の積層方向において、第１信号線路と第２信号線路との間に配置される中間グランド導体）が絶縁性基材に形成されている。一般に、絶縁性基材と導体との接合強度は、絶縁性基材同士の接合強度よりも弱い。そのため、上記グランド導体が形成された絶縁性基材とそれ以外の絶縁性基材との間の接合強度が弱くなり、積層体を構成する絶縁性基材同士が剥離しやすくなる。その結果、多層基板自体の強度や耐久性が不十分となる場合がある。

本発明の目的は、複数の絶縁性基材を積層してなる積層体に、複数の伝送線路が設けられた構成において、積層体を構成する絶縁性基材同士の剥離を抑制することにより、機械的強度や外力等に対する耐久性を高めた伝送線路基板を提供することにある。

（１）本発明の伝送線路基板は、
第１主面を有し、複数の絶縁性基材を積層してなる積層体と、
前記複数の絶縁性基材のいずれかに形成された、第１信号線路、第２信号線路、第１グランド導体、第２グランド導体、第３グランド導体、第４グランド導体、第１層間接続導体、第２層間接続導体、および第３層間接続導体と、
前記第１信号線路に接続される第１外部接続電極と、
前記第２信号線路に接続される第２外部接続電極と、
を備え、
前記積層体は、前記第１信号線路および第２信号線路が延伸する伝送方向に長尺状であり、
前記第１信号線路と、前記第１グランド導体と、前記複数の絶縁性基材のうち前記第１信号線路および前記第１グランド導体で挟まれる絶縁性基材と、を含んで第１伝送線路が構成され、
前記第２信号線路と、前記第２グランド導体と、前記複数の絶縁性基材のうち前記第２信号線路および前記第２グランド導体で挟まれる絶縁性基材と、を含んで第２伝送線路が構成され、
前記第２信号線路は、前記第１信号線路とは異なる層に形成され、前記複数の絶縁性基材の積層方向から視て前記第１信号線路に並走し、
前記第１グランド導体は、前記第２信号線路と同じ層に形成され、前記積層方向から視て前記第１信号線路に重なり、
前記第２グランド導体は、前記第１信号線路と同じ層に形成され、前記積層方向から視て前記第２信号線路に重なり、
前記第３グランド導体は、前記第２グランド導体とは異なる層に形成され、前記積層方向に対し前記第１信号線路を挟んで前記第１グランド導体に対向して配置され、
前記第４グランド導体は、前記第１グランド導体とは異なる層に形成され、前記積層方向に対し前記第２信号線路を挟んで前記第２グランド導体に対向して配置され、
前記第１層間接続導体は、前記第１グランド導体と前記第２グランド導体とを導通させ、
前記第２層間接続導体は、前記第２グランド導体と前記第３グランド導体とを導通させ、
前記第３層間接続導体は、前記第１グランド導体と前記第４グランド導体とを導通させ、
前記第１外部接続電極および前記第２外部接続電極は、前記積層体の前記伝送方向における両端付近にそれぞれ配置される、
ることを特徴とする。

この構成では第１伝送線路および第２伝送線路が積層体の幅方向に配置され、絶縁性基材の略全面に亘って大面積のグランド導体が形成されていない。すなわち、絶縁性基材の略全面に亘って大面積のグランド導体が形成される場合に比べ、絶縁性基材同士の接合面が相対的に広い。したがって、この構成により、絶縁性基材同士の部分的または全体的な接合強度の低下は抑制され、積層体を構成する絶縁性基材同士の剥離が抑制されるため、機械的強度や外力等に対する耐久性を高めた多層基板を実現できる。

また、この構成では、信号線路と同じ層に、伝送線路を構成するグランド導体が形成されるため、信号線路とグランド導体とが異なる層に形成される場合に比べて、複数の伝送線路を構成するのに必要な絶縁性基材の数を少なくできる。したがって、この構成により、複数の絶縁性基材を積層してなる積層体に、複数の伝送線路が設けられる構成において、信号線路とグランド導体とが異なる層に形成される場合に比べて、薄型の多層基板を実現できる。

（２）上記（１）において、前記複数の絶縁性基材のいずれかに形成された、第３グランド導体、第４グランド導体、第２層間接続導体および第３層間接続導体をさらに備え、前記第３グランド導体は、前記第２グランド導体とは異なる層に形成され、前記積層方向に対し前記第１信号線路を挟んで前記第１グランド導体と対向して配置され、前記第４グランド導体は、前記第１グランド導体とは異なる層に形成され、前記積層方向に対し前記第２信号線路を挟んで前記第２グランド導体と対向して配置され、前記第２層間接続導体は、前記第２グランド導体と前記第３グランド導体とを導通させ、前記第３層間接続導体は、前記第１グランド導体と前記第４グランド導体とを導通させることが好ましい。この構成では、第１信号線路の周囲３方向にグランド導体が配置され、第１信号線路が周囲３方向に亘って上記グランド導体で囲まれる。また、この構成では、第２信号線路の周囲３方向にグランド導体が配置され、第２信号線路が周囲３方向に亘って上記グランド導体で囲まれる。したがって、この構成により、第１信号線路と第２信号線路との間のアイソレーションが十分に確保され、クロストークの抑制効果が高まる。

（３）上記（１）または（２）おいて、前記複数の絶縁性基材のいずれかに形成された、第５グランド導体および第６グランド導体をさらに備え、前記第５グランド導体は、前記第１信号線路および前記第２グランド導体と同じ層に形成され、前記第１信号線路に並走し、且つ、前記第１信号線路に対して前記第２グランド導体とは反対側に配置され、前記第６グランド導体は、前記第２信号線路および前記第１グランド導体と同じ層に形成され、前記第２信号線路に並走し、且つ、前記第２信号線路に対して前記第１グランド導体とは反対側に配置されることが好ましい。この構成では、第１信号線路の周囲４方向にグランド導体が配置され、第１信号線路は周囲４方向に亘って上記グランド導体で囲まれる。また、この構成では、第２信号線路の周囲４方向にグランド導体が配置され、第２信号線路は周囲４方向に亘って上記グランド導体で囲まれる。したがって、この構成により、第１信号線路と第２信号線路との間のアイソレーションがさらに確保され、クロストークの抑制効果がさらに高まる。

（４）上記（１）から（３）のいずれかにおいて、前記複数の絶縁性基材は、それぞれ熱可塑性樹脂であることが好ましい。この構成により、実装状態に合わせて形状を容易に塑性加工が可能な多層基板を実現できる。

（５）上記（１）から（４）のいずれかにおいて、前記第１伝送線路および前記第２伝送線路は、前記積層方向に曲げられた曲げ部を有していてもよい。

（６）上記（１）から（５）のいずれかにおいて、前記積層体は、可撓性を有することが好ましい。このような構成の場合、本願発明の特徴がより効果的に作用する。

（７）上記（１）から（６）のいずれかにおいて、前記積層体の前記積層方向に直交する第１主面には、前記積層方向に視て、全ての信号線路に重なるグランド導体を備えることが好ましい。

この構成では、全ての信号線路からの不要輻射がより確実に抑制される。

（８）上記（１）から（７）のいずれかにおいて、前記積層方向に対し、前記第１信号線路が形成された層と、前記第２信号線路が形成された層との間に形成される第１中間グランド導体を備え、前記第１中間グランド導体は、前記積層方向から視て、前記第１信号線路と前記第２信号線路との間に配置されることが好ましい。この構成により、第１信号線路と第２信号線路との間のアイソレーションがさらに高まり、クロストークの抑制効果がさらに高まる。

（９）上記（８）において、前記第１中間グランド導体は、他のグランド導体の少なくとも一つよりも、前記第１信号線路または前記第２信号線路から離間していることが好ましい。この構成により、第１信号線路と他のグランド導体との間に生じる容量に大きな影響を与えることなく、第１信号線路と第２信号線路とのアイソレーションを高めることができる。

（１０）上記（９）において前記第１中間グランド導体は、前記積層方向から視て、前記第２グランド導体よりも前記第１信号線路側に延出して、前記第２グランド導体に重ならない部分を有することが好ましい。この構成により、第１中間グランド導体が第１信号線路に近接して配置されるため、第１信号線路の周囲に生じる磁界が効果的に遮蔽され、第１信号線路と第２信号線路とのアイソレーションをより高めることができる。

（１１）上記（９）または（１０）において、前記第１中間グランド導体は、前記積層方向から視て、前記第１グランド導体よりも前記第２信号線路側に延出して、前記第１グランド導体に重ならない部分を有することが好ましい。この構成により、第１中間グランド導体が第２信号線路に近接して配置されるため、第２信号線路の周囲に生じる磁界が効果的に遮蔽され、第１信号線路と第２信号線路とのアイソレーションをより高めることができる。

（１２）上記（８）から（１１）のいずれかにおいて、前記第１中間グランド導体は、他のグランド導体よりも前記積層方向における厚みが薄いことが好ましい。第１中間グランド導体は、積層方向において多数の導体と重なる位置に配置されているため、積層体を形成後、多層基板の表面には凹凸が形成されやすい。しかし、この構成により、多層基板の表面に凹凸が形成されることを抑制できる。

（１３）上記（１）から（１２）のいずれかにおいて、前記第２信号線路に並走する第３信号線路を備え、前記第３信号線路は、前記積層方向において、前記第２信号線路と同じ位置に配置されており、前記積層方向および並走する方向に直交する幅方向において、前記第１グランド導体を挟んで前記第２信号線路と反対側に配置されており、前記第１グランド導体の幅方向の中心を通り、並走する方向および前記積層方向に平行な基準面に対して、前記第２信号線路と対称の位置に配置されているとよい。

この構成では、第２信号線路と第３信号線路とが、積層体の幅方向において対称に配置されるので、積層体内での幅方向の物理的、電磁気的なバランスが良くなる。

（１４）上記（１３）において、前記第３信号線路を含んで構成される第３伝送線路と、前記第２伝送線路とは、前記第１グランド導体の幅方向の中心を通り、並走する方向および前記積層方向に平行な基準面に対して対称の位置に配置されていることが好ましい。

この構成では、第２伝送線路と第３伝送線路とが、積層体の幅方向において対称に配置されるので、積層体内での幅方向の物理的、電磁気的なバランスが良くなる。

（１５）上記（１）から（１４）のいずれかにおいて、前記第１信号線路に並走する第４信号線路を備え、前記第４信号線路は、前記積層方向において、前記第１グランド導体を基準にして、前記第１信号線路と対称の位置に配置されているとよい。

この構成では、第１信号線路と第４信号線路とが、積層体の積層方向において対称に配置されるので、積層体内での積層方向の構造的なバランスが良くなり、電磁気的なバランスが良くなる。そのため、多層基板の不均一な凹凸の発生は抑制され、回路基板等への多層基板の実装性は高まる。また、多層基板の積層方向における反りの発生は抑制される。

（１６）上記（１５）において、前記第４信号線路を含んで構成される第４伝送線路と、前記第１伝送線路とは、前記第１グランド導体を基準にして対称の位置に配置されていることが好ましい。

この構成では、第１伝送線路と第４伝送線路とが、積層体の積層方向において対称に配置されるので、積層体内での積層方向の物理的、電磁気的なバランスが良くなる。

（１７）上記（１６）において、前記第１伝送線路から前記第４伝送線路を含む５個以上の所定数の伝送線路を備え、前記所定数の伝送線路は、前記積層方向および該積層方向に直交する第１方向において、対称形に配置されているとよい。

この構成では、積層体内の全ての伝送線路が対称形に配置されるので、物理的、電磁気的なバランスがより良くなる。

（１８）電子機器は、上記（１）から（１７）のいずれかの多層基板と、前記多層基板が面実装される回路基板と、を備える。

この構成では、信頼性が高く、多層基板と回路基板との電磁界的な結合が抑制された電子機器が実現される。

（１９）上記（１８）において、前記第１信号線路および前記第２信号線路のうち、前記第１信号線路は、前記回路基板の実装面に最も近接して配置され、前記多層基板は、前記積層方向に対し、前記実装面と、前記第１信号線路が形成された層との間に形成される第２中間グランド導体を備え、前記第２中間グランド導体は、前記積層方向から視て、前記第１信号線路と前記第２信号線路との間に配置されることが好ましい。この構成により、第１信号線路の周囲に発生する磁界によって、第１信号線路と回路基板に形成される導体との結合が抑制される。

（２０）上記（１９）において、前記第２中間グランド導体は、他のグランド導体の少なくとも一つよりも、前記第１信号線路から離間していることが好ましい。この構成により、第１信号線路と他のグランド導体との間に生じる容量に大きな影響を与えることなく、第１信号線路と回路基板に形成される導体との結合を抑制できる。

（２１）上記（２０）において、前記第２中間グランド導体は、前記積層方向から視て、前記第２グランド導体よりも前記第１信号線路側に延出して、前記第２グランド導体に重ならない部分を有することが好ましい。この構成により、第２中間グランド導体が第１信号線路に近接して配置されるため、第１信号線路の周囲に生じる磁界が効果的に遮蔽され、第１信号線路と回路基板に形成される導体との結合を抑制できる。

（２２）上記（１９）から（２１）のいずれかにおいて、前記第２中間グランド導体は、他のグランド導体よりも前記積層方向における厚みが薄いことが好ましい。第２中間グランド導体は、積層方向において多数の導体と重なる位置に配置されているため、積層体を形成後、多層基板の表面には凹凸が形成されやすい。しかし、この構成により、多層基板の表面に凹凸が形成されることを抑制できる。

本発明によれば、複数の絶縁性基材を積層してなる積層体に、複数の伝送線路が設けられた構成において、積層体を構成する絶縁性基材同士の剥離を抑制することにより、機械的強度や外力等に対する耐久性を高めた伝送線路基板を実現できる。

図１（Ａ）は第１の実施形態に係る多層基板１０１の斜視図であり、図１（Ｂ）は多層基板１０１の分解斜視図である。図２は、図１（Ａ）における多層基板１０１のＡ－Ａ断面図である。図３は、第１の実施形態に係る電子機器２０１の主要部の断面図である。図４は、多層基板１０１Ａの製造工程を順に示す断面図である。図５（Ａ）は第２の実施形態に係る多層基板１０２の斜視図であり、図５（Ｂ）は多層基板１０２の分解斜視図である。図６は、図５（Ａ）における多層基板１０２のＢ－Ｂ断面図である。図７（Ａ）は第３の実施形態に係る多層基板１０３の斜視図であり、図７（Ｂ）は多層基板１０３の線路部ＳＬにおける分解斜視図である。図８は、図７（Ａ）における多層基板１０３のＣ－Ｃ断面図である。図９は第４の実施形態に係る多層基板１０４の斜視図である。図１０は、第５の実施形態に係る多層基板１０５の線路部の断面図である。図１１は、第６の実施形態に係る多層基板１０６の分解平面図である。図１２は、第６の実施形態に係る多層基板１０６の断面図である。図１３は、第７の実施形態に係る多層基板１０７の分解平面図である。図１４は、第８の実施形態に係る多層基板１０８の分解平面図である。図１５は、第９の実施形態に係る多層基板１０９の断面図である。図１６は、第１０の実施形態に係る多層基板１１０の断面図である。図１７は、第１０の実施形態に係る電子機器２０２の外観斜視図である。図１８（Ａ）は第１１の実施形態に係る多層基板１１１の断面図であり、図１８（Ｂ）は図１８（Ａ）のおけるＺＰ部分の拡大断面図である。図１９は、第１１の実施形態に係る電子機器２０３の外観斜視図である。

以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。要点の説明または理解の容易性を考慮して、便宜上実施形態を分けて示すが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能である。第２の実施形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。

《第１の実施形態》
図１（Ａ）は第１の実施形態に係る多層基板１０１の斜視図であり、図１（Ｂ）は多層基板１０１の分解斜視図である。図２は、図１（Ａ）における多層基板１０１のＡ－Ａ断面図である。

多層基板１０１は、複数の絶縁性基材１１，１２，１３，１４を積層してなる積層体１０と、複数の絶縁性基材１１，１２，１３，１４のいずれかに形成された導体（第１信号線路４１、第２信号線路４２、第１グランド導体３１、第２グランド導体３２、第３グランド導体３３、第４グランド導体３４、第１層間接続導体Ｖ１、第２層間接続導体Ｖ２および第３層間接続導体Ｖ３等）と、保護層１と、を備える。図１（Ａ）に示すように、多層基板１０１は、線路部ＳＬ、第１接続部ＣＰ１および第２接続部ＣＰ２を有する。

積層体１０は、長手方向がＸ軸方向に一致する直方体であり、互いに対向する第１主面ＶＳ１および第２主面ＶＳ２を有する。図１（Ｂ）に示すように、積層体１０は、絶縁性基材１１，１２，１３，１４の順に積層して形成される。積層体１０の第１主面ＶＳ１には保護層１が形成されている。

複数の絶縁性基材１１，１２，１３，１４は、それぞれ平面形状が矩形の平板であり、長手方向がＸ軸方向に一致する。絶縁性基材１１，１２，１３，１４は、例えば熱可塑性樹脂の平板であり、液晶ポリマーを主材料とし、可撓性を有するシートである。

絶縁性基材１１の表面には、第３グランド導体３３が形成される。第３グランド導体３３は、絶縁性基材１１の中央から第１辺（図１（Ｂ）における絶縁性基材１１の下辺）寄りに配置され、長手方向がＸ軸方向に一致する矩形の導体である。第３グランド導体３３は例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

絶縁性基材１２の表面には、第１信号線路４１および第２グランド導体３２が形成される。第１信号線路４１は、絶縁性基材１２の中央から第１辺（図１（Ｂ）における絶縁性基材１２の下辺）寄りに配置され、Ｘ軸方向に延伸する導体である。第２グランド導体３２は、絶縁性基材１２の中央から第２辺（絶縁性基材１２の上辺）寄りに配置され、長手方向がＸ軸方向に一致する矩形の導体である。第１信号線路４１および第２グランド導体３２は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

また、絶縁性基材１２には、６個の第２層間接続導体Ｖ２が形成される。６個の第２層間接続導体Ｖ２は、絶縁性基材１２のＹ軸方向における中央に配置され、且つ、Ｘ軸方向に配列される導体である。図１（Ｂ）に示すように、第２層間接続導体Ｖ２は、第２グランド導体３２と第３グランド導体３３とを導通させる。第２層間接続導体Ｖ２は例えばビア導体またはスルーホール等である。

絶縁性基材１３の表面には、第２信号線路４２、第１グランド導体３１および第１信号導体５１，５２が形成される。第２信号線路４２は、絶縁性基材１３の中央から第２辺（図１（Ｂ）における絶縁性基材１３の上辺）寄りに配置され、Ｘ軸方向に延伸する導体である。第１グランド導体３１は、絶縁性基材１３の中央から第１辺（絶縁性基材１３の下辺）寄りに配置される導体である。第１信号導体５１は絶縁性基材１３の第１端（図１（Ｂ）における絶縁性基材１３の左端）付近に配置される矩形の導体であり、第１信号導体５２は絶縁性基材１３の第２端（絶縁性基材１３の右端）付近に配置される矩形の導体である。第２信号線路４２、第１グランド導体３１および第１信号導体５１，５２は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

また、絶縁性基材１３には、８個の第１層間接続導体Ｖ１および層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１２が形成される。８個の第１層間接続導体Ｖ１は、絶縁性基材１３のＹ軸方向における中央に配置され、且つ、Ｘ軸方向に配列される導体である。第１層間接続導体Ｖ１は、第１グランド導体３１と第２グランド導体３２とを導通させる。層間接続導体Ｖ１１は、第１信号導体５１と第１信号線路４１の第１端（図１（Ｂ）における第１信号線路４１の左端）とを導通させる。層間接続導体Ｖ１２は、第１信号導体５２と第１信号線路４１の第２端（第１信号線路４１の右端）とを導通させる。第１層間接続導体Ｖ１および層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１２は例えばビア導体またはスルーホール等である。

絶縁性基材１４の表面には、第４グランド導体３４、第１信号導体６１，６２および第２信号導体７１，７２が形成される。第４グランド導体３４は、絶縁性基材１４の中央から第２辺（図１（Ｂ）における絶縁性基材１４の上辺）寄りに配置される導体である。第１信号導体６１および第２信号導体７１は、絶縁性基材１４の第１端（図１（Ｂ）における絶縁性基材１４の左端）付近に配置される矩形の導体である。第１信号導体６２および第２信号導体７２は、絶縁性基材１４の第２端（絶縁性基材１４の右端）付近に配置される矩形の導体である。第４グランド導体３４、第１信号導体６１，６２および第２信号導体７１，７２、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

また、絶縁性基材１４には、１０個の第３層間接続導体Ｖ３および層間接続導体Ｖ１３，Ｖ１４，Ｖ２１，Ｖ２２が形成される。１０個の第３層間接続導体Ｖ３は、絶縁性基材１４のＹ軸方向における中央に配置され、且つ、Ｘ軸方向に配列される導体である。第３層間接続導体Ｖ３は、第１グランド導体３１と第４グランド導体３４とを導通させる。層間接続導体Ｖ１３は、第１信号導体６１と第１信号導体５１とを導通させ、層間接続導体Ｖ１４は、第１信号導体６２と第１信号導体５２とを導通させる。層間接続導体Ｖ２１は、第２信号導体７１と第２信号線路４２の第１端（図１（Ｂ）における第２信号線路４２の左端）とを導通させる。層間接続導体Ｖ２２は、第２信号導体７２と第２信号線路４２の第２端（第２信号線路４２の右端）とを導通させる。第３層間接続導体Ｖ３および層間接続導体Ｖ１３，Ｖ１４，Ｖ２１，Ｖ２２は例えばビア導体またはスルーホール等である。

保護層１は、平面形状が絶縁性基材１４と同じであり、絶縁性基材１４の上面に積層される。保護層１は、第１信号導体６１，６２の位置に応じた位置に開口部ＡＰ２，ＡＰ６を有し、第２信号導体７１，７２の位置に応じた位置に開口部ＡＰ１，ＡＰ５を有する。また、保護層１は、開口部ＡＰ１，ＡＰ２の近傍で、且つ、第４グランド導体３４の位置に応じた位置に開口部ＡＰ３，ＡＰ４を有する。さらに、保護層１は、開口部ＡＰ５，ＡＰ６の近傍で、且つ、第４グランド導体３４の位置に応じた位置に開口部ＡＰ７，ＡＰ８を有する。保護層１は例えばソルダーレジスト膜である。

そのため、積層体１０の第１主面ＶＳ１に保護層１が形成（絶縁性基材１４の上面に保護層１が積層）されることにより、第１信号導体６１，６２、第２信号導体７１，７２および第４グランド導体３４の一部（図１（Ａ）中のグランド導体８１，８２，８３，８４）が、積層体１０の第１主面ＶＳ１に露出する。

本実施形態では、第１接続部ＣＰ１が、第１信号導体６１、第２信号導体７１およびグランド導体８１，８２が形成される直方体状の積層体１０の第１端（図１（Ａ）における積層体１０の左端）付近に形成される。また、本実施形態では、第２接続部ＣＰ２が、第１信号導体６２、第２信号導体７２およびグランド導体８３，８４が形成される積層体１０の第２端（積層体１０の右端）付近に形成される。言い換えると、多層基板１０１では、第１接続部ＣＰ１、線路部ＳＬおよび第２接続部ＣＰ２がＸ軸方向に順に配置される。

図１（Ｂ）および図２等に示すように、第２信号線路４２は、第１信号線路４１とは異なる層に形成され、複数の絶縁性基材１１，１２，１３，１４の積層方向（Ｚ軸方向）から視て第１信号線路４１に並走している。

また、図２等に示すように、第１グランド導体３１は、第２信号線路４２と同じ層に形成され、Ｚ軸方向から視て第１信号線路４１に重なる。第２グランド導体３２は、第１信号線路４１と同じ層に形成され、Ｚ軸方向から視て第２信号線路４２に重なる。

さらに、図２等に示すように、第３グランド導体３３は、第２グランド導体３２とは異なる層に形成され、Ｚ軸方向に対し第１信号線路４１を挟んで第１グランド導体３１に対向して配置されている。第４グランド導体３４は、第１グランド導体３１とは異なる層に形成され、Ｚ軸方向に対し第２信号線路４２を挟んで第２グランド導体３２に対向して配置されている。

本実施形態では、図２に示すように、第１信号線路４１、第１グランド導体３１、第３グランド導体３３、第１信号線路４１および第１グランド導体３１で挟まれる絶縁性基材１３、第１信号線路４１および第３グランド導体３３で挟まれる絶縁性基材１２、を含んだ第１伝送線路ＣＬ１が構成される。また、本実施形態では、第２信号線路４２、第２グランド導体３２、第４グランド導体３４、第２信号線路４２および第２グランド導体３２で挟まれる絶縁性基材１３、第２信号線路４２および第４グランド導体３４で挟まれる絶縁性基材１４、を含んだ第２伝送線路ＣＬ２が構成される。

本実施形態に係る多層基板１０１によれば、次のような効果を奏する。

（ａ）多層基板１０１では、第１伝送線路ＣＬ１および第２伝送線路ＣＬ２が積層体１０の幅方向（Ｙ軸方向）に配置され、絶縁性基材の略全面に亘って大面積のグランド導体が形成されていない。すなわち、絶縁性基材の略全面に亘って大面積のグランド導体が形成される場合に比べ、絶縁性基材同士の接合面が相対的に広い。したがって、この構成により、絶縁性基材同士の部分的または全体的な接合強度の低下は抑制され、積層体１０を構成する絶縁性基材同士の剥離が抑制されるため、機械的強度や外力等に対する耐久性を高めた多層基板を実現できる。特に、可撓性を有する積層体を用いる場合には、変形時の層間剥離が抑制され、本実施形態の構成の効果がより有効になる。

（ｂ）また、本実施形態では、第１伝送線路ＣＬ１および第２伝送線路ＣＬ２がＹ軸方向に配置され、信号線路（第１信号線路４１または第２信号線路４２）と同じ層に、伝送線路を構成するグランド導体（第１グランド導体３１または第２グランド導体３２）が形成されている。そのため、Ｚ軸方向に複数の伝送線路が配置される構成（信号線路とグランド導体とが異なる層に形成される場合）に比べて、複数の伝送線路を構成するのに必要な絶縁性基材の数を少なくできる。したがって、この構成により、複数の絶縁性基材を積層してなる積層体に、複数の伝送線路が設けられる構成において、信号線路とグランド導体とが異なる層に形成される場合に比べて、薄型の多層基板を実現できる。

また、信号線路（第１信号線路４１または第２信号線路４２）と同じ層にグランド導体（第１グランド導体３１または第２グランド導体３２）が形成されるため、信号線路と異なる層にグランド導体が形成される場合に比べて、第１信号線路４１と第２信号線路４２との間のアイソレーションを高めることができる。

（ｃ）本実施形態では、図２等に示すように、信号線路間（第１信号線路４１と第２信号線路４２との間）に、第１層間接続導体Ｖ１が配置されているため、信号線路間のアイソレーションが高まる。なお、本実施形態に係る多層基板１０１のように、信号線路間に複数の第１層間接続導体Ｖ１を配置することで、アイソレーションがさらに高まる。さらに、本実施形態では、積層方向における第１グランド導体３１と第２グランド導体３２との距離が近いため、第１層間接続導体Ｖ１の断線を起こり難くできる。

（ｄ）本実施形態では、第１信号線路４１の周囲３方向（図２中の第１信号線路４１に対して＋Ｙ方向、＋Ｚ方向および－Ｚ方向）にグランド導体（第１グランド導体３１、第２グランド導体３２、第３グランド導体３３、第１層間接続導体Ｖ１および第２層間接続導体Ｖ２）が配置され、第１信号線路４１が周囲３方向に亘って上記グランド導体で囲まれる。また、本実施形態では、第２信号線路４２の周囲３方向（図２中の第２信号線路４２に対して－Ｙ方向、＋Ｚ方向および－Ｚ方向）にグランド導体（第１グランド導体３１、第２グランド導体３２、第４グランド導体３４、第１層間接続導体Ｖ１および第３層間接続導体Ｖ３）が配置され、第２信号線路４２が周囲３方向に亘って上記グランド導体で囲まれる。したがって、この構成により、第１信号線路４１と第２信号線路４２との間のアイソレーションが十分に確保され、クロストークの抑制効果が高まる。

（ｅ）本実施形態では、積層体１０を形成する複数の絶縁性基材１１，１２，１３，１４が、それぞれ熱可塑性樹脂である。この構成により、後に詳述するように、実装状態（実装先の凹凸等）に合わせて形状を容易に塑性加工が可能な多層基板を実現できる。

次に、本発明の多層基板の実装例について、図を参照して説明する。図３は、第１の実施形態に係る電子機器２０１の主要部の断面図である。

本実施形態に係る電子機器２０１は、多層基板１０１Ａおよび回路基板３０１を備える。多層基板１０１Ａの第１伝送線路および第２伝送線路は、Ｚ軸方向に曲げられた曲げ部（後に詳述する）を有する点で多層基板１０１と異なる。その他の構成については多層基板１０１と実質的に同じである。回路基板３０１は、第１面ＰＳ１および第２面ＰＳ２を有する。第１面ＰＳ１および第２面ＰＳ２は、いずれもＸＹ平面に平行な面であり、Ｚ軸方向における高さが互いに異なる面である。

図３に示すように、多層基板１０１Ａは回路基板３０１に実装される。回路基板３０１の第１面ＰＳ１には、導体９１，９２等が形成されており、第２面ＰＳ２には導体９３，９４等が形成されている。多層基板１０１Ａのグランド導体８１および第２信号導体７１等は、はんだ等の導電性接合材４を介して、第１面ＰＳ１に形成される導体９１，９２等にそれぞれ接続される。多層基板１０１Ａの第２信号導体７２およびグランド導体８４等は、はんだ等の導電性接合材４を介して、第２面ＰＳ２に形成される導体９３，９４等にそれぞれ接続される。なお、図示はしていないが、第１信号導体も、回路基板３０１の表面に形成される導体に接続される。

このように、多層基板１０１Ａ（第１伝送線路および第２伝送線路）は、Ｚ軸方向に曲げられた曲げ部を有するため、Ｚ軸方向における高さが互いに異なる面を有する回路基板３０１への実装が容易である。

本実施形態に係る多層基板１０１Ａは、例えば次の工程で製造される。図４は、多層基板１０１Ａの製造工程を順に示す断面図である。

（１）まず、信号線路およびグランド導体等をパターンニングした集合基板状態の絶縁基材層（熱可塑性樹脂）および保護層を積層し、集合基板状態の積層体を構成し、その集合基板状態の積層体から個々の素体を分離して図４中の（１）に示すような多層基板１０１を得る。

（２）次に、図４中の（２）に示すように、上部金型５および下部金型６を用いて、Ｚ軸方向に向かって、積層体１０の第１主面ＶＳ１および第２主面ＶＳ２を加熱・加圧する（図４中の矢印参照）。なお、加熱・加圧する位置は、図４に示すように、積層体１０の長手方向（Ｘ軸方向）の中央付近である。上部金型５および下部金型６は、断面形状がＬ字形の構造である。

積層体１０の熱可塑性樹脂が冷えて固化した後、上部金型５および下部金型６から積層体１０を取り外して多層基板１０１Ａを得る。このような製造方法により、曲げ加工された形状を維持（保持）した多層基板１０１Ａを得ることができる。

このように、本実施形態に係る多層基板１０１は、積層体１０を構成する絶縁性基材が熱可塑性樹脂であるため、実装状態（実装先の凹凸等）に合わせて形状を容易に塑性加工できる。

なお、本実施形態では、積層体１０の長手方向（Ｘ軸方向）の中央付近に、Ｚ軸方向に曲げられた曲げ部を有する多層基板の例を示したが、この構成に限定されるものではない。多層基板は、Ｘ軸方向またはＹ軸方向に曲げられた曲げ部を有する構造であってもよい。また、多層基板は、積層体１０の長手方向（Ｘ軸方向）の中央以外の位置（例えば、積層体１０の長手方向の中央から第１接続部ＣＰ１寄りの位置）に曲げ部が有する構造であってもよい。

また、本実施形態では、多層基板１０１の第１接続部ＣＰ１および第２接続部ＣＰ２に、導体（第１信号導体６１，６２、第２信号導体７１，７２およびグランド導体８１，８２，８３，８４）が形成される例を示したが、これに限定されるものではない。多層基板の第１接続部ＣＰ１および第２接続部ＣＰ２に、コネクタが実装されていてもよい。

《第２の実施形態》
第２の実施形態では、２つの絶縁性基材および保護層を積層して形成される積層体１０Ａを備える多層基板について示す。

図５（Ａ）は第２の実施形態に係る多層基板１０２の斜視図であり、図５（Ｂ）は多層基板１０２の分解斜視図である。図６は、図５（Ａ）における多層基板１０２のＢ－Ｂ断面図である。

多層基板１０２は、複数の絶縁性基材１２，１３を積層してなる積層体１０Ａと、複数の絶縁性基材１２，１３のいずれかに形成された導体と、保護層１と、を備える。積層体１０Ａは、図５（Ｂ）に示すように、２つの絶縁性基材１２，１３の順に積層して形成される。積層体１０Ａの第１主面ＶＳ１には保護層１が形成されている。

絶縁性基材１２の表面には、第１信号線路４１および第２グランド導体３２が形成される。第１信号線路４１および第２グランド導体３２の構成については、第１の実施形態と実質的に同じである。なお、本実施形態に係る絶縁性基材１２には、第２層間接続導体（図１（Ｂ）における第２層間接続導体Ｖ２）が形成されていない。

絶縁性基材１３の表面には、第２信号線路４２、第１グランド導体３１および第１信号導体５１，５２が形成される。また、絶縁性基材１３には、８個の第１層間接続導体Ｖ１および層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１２が形成される。第２信号線路４２、第１グランド導体３１および第１信号導体５１，５２、第１層間接続導体Ｖ１および層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１２の構成については、第１の実施形態と実質的に同じである。

保護層１は、平面形状が絶縁性基材１３と同じであり、絶縁性基材１３の上面に積層される。保護層１は、第１信号導体５１，５２の位置に応じた位置に開口部ＡＰ２，ＡＰ６を有し、第２信号線路４２の第１端および第２端の位置に応じた位置に、開口部ＡＰ１，ＡＰ５を有する。また、保護層１は、開口部ＡＰ１，ＡＰ２の近傍で、且つ、第１グランド導体３１の位置に応じた位置に開口部ＡＰ３，ＡＰ４を有する。さらに、保護層１は、開口部ＡＰ５，ＡＰ６の近傍で、且つ、第１グランド導体３１の位置に応じた位置に開口部ＡＰ７，ＡＰ８を有する。

そのため、絶縁性基材１３の上面に保護層１が積層されることにより、第１信号導体５１，５２、第２信号線路の一部（図５（Ａ）中の第２信号導体７３，７４）および第１グランド導体３１の一部（グランド導体８５，８６，８７，８８）が、積層体１０Ａの第１主面ＶＳ１に露出する。

本実施形態では、図６に示すように、第１信号線路４１、第１グランド導体３１、第１信号線路４１および第１グランド導体３１で挟まれる絶縁性基材１３、を含んだ第１伝送線路ＣＬ１が構成される。また、本実施形態では、第２信号線路４２、第２グランド導体３２、第２信号線路４２および第２グランド導体３２で挟まれる絶縁性基材１３、を含んだ第２伝送線路ＣＬ２が構成される。

本実施形態では、積層体を構成する絶縁性基材の数が、第１の実施形態に係る積層体１０よりも少ないため、第１の実施形態に係る多層基板１０１よりも薄型の多層基板を実現できる。但し、第１伝送線路ＣＬ１と第２伝送線路ＣＬ２との間のアイソレーションの確保の点では、第１の実施形態に係る構成が好ましい。

なお、本実施形態では、第１信号線路４１および第２グランド導体３２が絶縁性基材１２の表面に形成され、第２信号線路４２および第１グランド導体３１が絶縁性基材１３の表面に形成される例を示したが、この構成に限定されるものではない。例えば、第２信号線路４２および第１グランド導体３１が絶縁性基材１３の表面に形成され、第１信号線路４１および第２グランド導体３２が絶縁性基材１３の裏面に形成されていてもよい。

《第３の実施形態》
第３の実施形態では、第５グランド導体および第６グランド導体をさらに備える多層基板について示す。

図７（Ａ）は第３の実施形態に係る多層基板１０３の斜視図であり、図７（Ｂ）は多層基板１０３の線路部ＳＬにおける分解斜視図である。図８は、図７（Ａ）における多層基板１０３のＣ－Ｃ断面図である。

多層基板１０３は、複数の絶縁性基材１１，１２，１３，１４のいずれかに形成された導体（第５グランド導体３５、第６グランド導体３６、第４層間接続導体Ｖ４、第５層間接続導体Ｖ５、第６層間接続導体Ｖ６および第７層間接続導体Ｖ７）をさらに備える点で、第１の実施形態に係る多層基板１０１と異なる。その他の構成については、多層基板１０１と実質的に同じである。

図７（Ｂ）に示すように、絶縁性基材１２の表面には、第１信号線路４１、第２グランド導体３２および第５グランド導体３５が形成される。第５グランド導体３５は、絶縁性基材１２の第１辺（図７（Ｂ）における絶縁性基材１２の下辺）近傍に配置され、Ｘ軸方向に延伸する導体である。第５グランド導体３５は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

また、絶縁性基材１２には、複数の第２層間接続導体Ｖ２、および複数の第６層間接続導体Ｖ６が形成される。複数の第６層間接続導体Ｖ６は、絶縁性基材１２の第１辺近傍に配置され、且つ、Ｘ軸方向に配列される導体である。図７（Ｂ）に示すように、第６層間接続導体Ｖ６は、第５グランド導体３５と第３グランド導体３３とを導通させる。第６層間接続導体Ｖ６は例えばビア導体またはスルーホール等である。

絶縁性基材１３の表面には、第２信号線路４２、第１グランド導体３１および第６グランド導体３６等が形成される。第６グランド導体３６は、絶縁性基材１３の第２辺（図７（Ｂ）における絶縁性基材１３の上辺）近傍に配置され、Ｘ軸方向に延伸する導体である。第６グランド導体３６は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

また、絶縁性基材１３には、複数の第１層間接続導体Ｖ１、複数の第４層間接続導体Ｖ４、および複数の第５層間接続導体Ｖ５が形成される。複数の第４層間接続導体Ｖ４は、絶縁性基材１３の第１辺（図７（Ｂ）における絶縁性基材１３の下辺）近傍に配置され、且つ、Ｘ軸方向に配列される導体である。複数の第５層間接続導体Ｖ５は、絶縁性基材１３の第２辺近傍に配置され、且つ、Ｘ軸方向に配列される導体である。図７（Ｂ）に示すように、第４層間接続導体Ｖ４は、第１グランド導体３１と第５グランド導体３５とを導通させる。また、第５層間接続導体Ｖ５は、第６グランド導体３６と第２グランド導体３２とを導通させる。第４層間接続導体Ｖ４および第５層間接続導体Ｖ５は例えばビア導体またはスルーホール等である。

また、絶縁性基材１４には、複数の第３層間接続導体Ｖ３、および複数の第７層間接続導体Ｖ７が形成される。複数の第７層間接続導体Ｖ７は、絶縁性基材１４の第２辺（図７（Ｂ）における絶縁性基材１４の上辺）近傍に配置され、且つ、Ｘ軸方向に配列される導体である。第７層間接続導体Ｖ７は、第４グランド導体３４と第６グランド導体３６とを導通させる。第７層間接続導体Ｖ７は例えばビア導体またはスルーホール等である。

図７（Ｂ）および図８に示すように、第５グランド導体３５は、第１信号線路４１および第２グランド導体３２と同じ層に形成される。また、第５グランド導体３５は、第１信号線路４１に並走し、且つ、第１信号線路４１に対して第２グランド導体３２とは反対側（図８における第１信号線路４１の左側）に配置されている。

さらに、図７（Ｂ）および図８に示すように、第６グランド導体３６は、第２信号線路４２および第１グランド導体３１と同じ層に形成される。また、第６グランド導体３６は、第２信号線路４２に並走し、且つ、第２信号線路４２に対して第１グランド導体３１とは反対側（図８における第２信号線路４２の右側）に配置されている。

本実施形態に係る多層基板１０３によれば、第１の実施形態で述べた効果以外に、次のような効果を奏する。

（ｆ）本実施形態では、第１信号線路４１の周囲４方向（図８中の第１信号線路４１に対して＋Ｙ方向、－Ｙ方向、＋Ｚ方向および－Ｚ方向）にグランド導体（第１グランド導体３１、第２グランド導体３２、第３グランド導体３３、第５グランド導体３５、第１層間接続導体Ｖ１、第２層間接続導体Ｖ２、第４層間接続導体Ｖ４および第６層間接続導体Ｖ６）が配置され、第１信号線路４１は周囲４方向に亘って上記グランド導体で囲まれる。また、本実施形態では、第２信号線路４２の周囲４方向（図８中の第２信号線路４２に対して＋Ｙ方向、－Ｙ方向、＋Ｚ方向および－Ｚ方向）にグランド導体（第１グランド導体３１、第２グランド導体３２、第４グランド導体３４、第６グランド導体３６、第１層間接続導体Ｖ１、第３層間接続導体Ｖ３、第５層間接続導体Ｖ５および第７層間接続導体Ｖ７）が配置され、第２信号線路４２は周囲４方向に亘って上記グランド導体で囲まれる。したがって、この構成により、第１信号線路４１と第２信号線路４２との間のアイソレーションがさらに確保され、クロストークの抑制効果が高まる。

《第４の実施形態》
第４の実施形態では、第１接続部および第２接続部において、複数の伝送線路が分岐する構造の多層基板について示す。

図９は第４の実施形態に係る多層基板１０４の斜視図である。

多層基板１０４は、複数の絶縁性基材を積層してなる積層体１０Ｂと、複数の絶縁性基材のいずれかに形成された導体と、を備える。多層基板１０４は、第１伝送線路と第２伝送線路とを線路部ＳＬからＹ字状に分岐した第１接続部ＣＰ１と、第１伝送線路と第２伝送線路とを線路部ＳＬからＴ字状に分岐した第２接続部ＣＰ２と、を有する点で、第１の実施形態に係る多層基板１０１と異なる。それ以外の構成については、多層基板１０１と実質的に同じである。

図９に示すように、第１信号導体６１，６２、第２信号導体７１，７２およびグランド導体８１，８２，８３，８４，８５，８６，８７，８８は、積層体１０Ｂの第１主面ＶＳ１に露出している。第１信号導体６１およびグランド導体８１，８２は、第１接続部ＣＰ１における第１伝送線路の接続部であり、第２信号導体７１およびグランド導体８３，８４は、第１接続部ＣＰ１における第２伝送線路の接続部である。また、第１信号導体６２およびグランド導体８５，８６は、第２接続部ＣＰ２における第１伝送線路の接続部であり、第２信号導体７２およびグランド導体８７，８８は、第２接続部ＣＰ２における第２伝送線路の接続部である。

このように、本発明の多層基板は、複数の伝送線路が分岐する構造であってもよい。なお、本実施形態では、第１伝送線路と第２伝送線路とに分岐する多層基板について示したが、この構成に限定されるものではない。後に詳述するように、３個以上の伝送線路が設けられた多層基板の場合には、１個の伝送線路とそれ以外の伝送線路とに分岐する構成であってもよい。例えば、第１伝送線路、第２伝送線路および第３伝送線路が設けられた多層基板の場合、第１伝送線路および第２伝送線路と、第３伝送線路とに分岐する構成であってもよい。

《第５の実施形態》
第５の実施形態では、２個以上の伝送線路を備える多層基板について示す。

図１０は、第５の実施形態に係る多層基板１０５の線路部の断面図である。

多層基板１０５は、複数の絶縁性基材１１，１２，１３，１４，１５，１６を積層してなる積層体１０Ｃと、複数の絶縁性基材１１，１２，１３，１４，１５，１６のいずれかに形成された導体（第１信号線路４１、第２信号線路４２、第３信号線路４３、第４信号線路４４、第５信号線路４５、第１グランド導体３１、第２グランド導体３２、第３グランド導体３３、第４グランド導体３４、第５グランド導体３５、第６グランド導体３６、第７グランド導体３７、第１層間接続導体Ｖ１、第２層間接続導体Ｖ２、第３層間接続導体Ｖ３、第８層間接続導体Ｖ８、第９層間接続導体Ｖ９および第１０層間接続導体Ｖ１０等）と、保護層１，２と、を備える。

図１０に示すように、積層体１０Ｃは、絶縁性基材１１，１２，１３，１４，１５，１６の順に積層して形成される。積層体１０Ｃの第１主面ＶＳ１には保護層１が形成され、第２主面ＶＳ２には保護層２が形成されている。

図１０に示すように、第１信号線路４１、第２信号線路４２、第３信号線路４３、第４信号線路４４および第５信号線路４５は、それぞれ異なる層に形成され、Ｚ軸方向から視て互いに並走している。

また、図１０に示すように、第１グランド導体３１は、第２信号線路４２と同じ層に形成され、Ｚ軸方向から視て第１信号線路４１および第３信号線路４３に重なる。第２グランド導体３２は、第１信号線路４１と同じ層に形成され、Ｚ軸方向から視て第２信号線路４２および第４信号線路４４に重なる。

第３グランド導体３３は、図１０に示すように、積層体１０Ｃの第２主面ＶＳ２の略全面に形成される導体である。そのため、第３グランド導体３３は、Ｚ軸方向に対し第１信号線路４１を挟んで第１グランド導体３１に対向して配置され、Ｚ軸方向に対し第４信号線路４４を挟んで第２グランド導体３２に対向して配置されている。

第４グランド導体３４は、第１グランド導体３１とは異なる層に形成され、Ｚ軸方向に対し第２信号線路４２を挟んで第２グランド導体３２に対向して配置されている。

第５グランド導体３５は、図１０に示すように、積層体１０Ｃの第１主面ＶＳ１の略全面に形成される導体である。そのため、第５グランド導体３５は、Ｚ軸方向に対し第３信号線路４３を挟んで第１グランド導体３１に対向して配置され、Ｚ軸方向に対し第５信号線路４５を挟んで第４グランド導体３４に対向して配置されている。

第１グランド導体３１、第２グランド導体３２、第３グランド導体３３、第４グランド導体３４、第５グランド導体３５、第６グランド導体３６および第７グランド導体３７は、層間接続導体（第１層間接続導体Ｖ１、第２層間接続導体Ｖ２、第３層間接続導体Ｖ３、第８層間接続導体Ｖ８、第９層間接続導体Ｖ９および第１０層間接続導体Ｖ１０）を介して、互いに導通している。

本実施形態では、第１信号線路４１、第１グランド導体３１、第３グランド導体３３、第１信号線路４１および第１グランド導体３１で挟まれる絶縁性基材１３、第１信号線路４１および第３グランド導体３３で挟まれる絶縁性基材１１，１２、を含んだ第１伝送線路が構成される。本実施形態では、第２信号線路４２、第２グランド導体３２、第４グランド導体３４、第２信号線路４２および第２グランド導体３２で挟まれる絶縁性基材１３、第２信号線路４２および第４グランド導体３４で挟まれる絶縁性基材１４、を含んだ第２伝送線路が構成される。

さらに、本実施形態では、第３信号線路４３、第１グランド導体３１、第５グランド導体３５、第３信号線路４３および第１グランド導体３１で挟まれる絶縁性基材１４、第３信号線路４３および第５グランド導体３５で挟まれる絶縁性基材１５，１６、を含んだ第３伝送線路が構成される。本実施形態では、第４信号線路４４、第２グランド導体３２、第３グランド導体３３、第４信号線路４４および第２グランド導体３２で挟まれる絶縁性基材１２、第４信号線路４４および第３グランド導体３３で挟まれる絶縁性基材１１、を含んだ第４伝送線路が構成される。本実施形態では、第５信号線路４５、第４グランド導体３４、第５グランド導体３５、第５信号線路４５および第４グランド導体３４で挟まれる絶縁性基材１５、第５信号線路４５および第５グランド導体３５で挟まれる絶縁性基材１６、を含んだ第５伝送線路が構成される。

本実施形態では、図１０に示すように、第１信号線路４１と第３グランド導体３３との間には２つの絶縁性基材１１，１２が挟まれる構成である。そのため、１つの絶縁性基材が信号線路とグランド導体との間に挟まれる構成に比べて、第１信号線路４１と第３グランド導体３３との間隙は大きくなり、第１信号線路４１と第３グランド導体３３との間に生じる容量を低減できる。したがって、この構成により、第１信号線路４１の線幅（Ｙ軸方向の幅）を、他の信号線路（例えば第２信号線路４２、第４信号線路４４、第５信号線路４５）の線幅よりも大きくできるため、第１信号線路４１の直流抵抗を低減できる。

同様に、本実施形態では、図１０に示すように、第３信号線路４３と第５グランド導体３５との間には２つの絶縁性基材１５，１６が挟まれる構成である。したがって、この構成により、第３信号線路４３の線幅（Ｙ軸方向の幅）を、他の信号線路（例えば第２信号線路４２、第４信号線路４４、第５信号線路４５）の線幅よりも大きくできるため、第３信号線路４３の直流抵抗を低減できる。

図１０に示すように、本実施形態では、保護層１が、積層体１０Ｃの第１主面ＶＳ１（絶縁性基材１６）の略全面に形成された第５グランド導体３５全体を被覆している。そのため、保護層１と積層体１０Ｃとの接合強度が弱くなって、保護層１が積層体１０Ｃから剥離しやすくなるが、保護層１が剥離しても多層基板の電気的特性の変化は小さい。

同様に、本実施形態では、保護層２が、積層体１０Ｃの第２主面ＶＳ２（絶縁性基材１１）の略全面に形成された第３グランド導体３３全体を被覆している。そのため、保護層２が積層体１０Ｃから剥離しやすくなるが、保護層２が剥離しても多層基板の電気的特性の変化は小さい。

また、本実施形態では、５個の伝送線路を備える多層基板の例を示したが、この構成に限定されるものではない。多層基板が備える伝送線路の数は、２個以上であれば適宜変更可能である。

《第６の実施形態》
第６の実施形態では、３個の伝送線路を備える多層基板について示す。図１１は、第６の実施形態に係る多層基板１０６の分解平面図である。図１２は、第６の実施形態に係る多層基板１０６の断面図である。図１２は、図１１に示すＤ－Ｄ断面を示している。

第６の実施形態に係る多層基板１０６は、第１の実施形態に係る多層基板１０１が第１伝送線路ＣＬ１、第２伝送線路ＣＬ２を備えるのに対して、第３伝送線路ＣＬ３をさらに備える点で異なる。多層基板１０６の各構成要素の材料等、基本的な構成は、第１の実施形態に係る多層基板１００と同様であり、同様の箇所の説明は省略する。

多層基板１０６は、積層体１０、第１グランド導体３１、第２グランド導体３２、第３グランド導体３３、第４グランド導体３４、第８グランド導体３８、第１信号線路４１、第２信号線路４２、および、第３信号線路４３を備える。多層基板１０６は、第１信号導体５１，５２、および、外部接続用導体７１１，７１２，７２１，７２２，７３１，７３２を備える。積層体１０は、絶縁性基材１１，１２，１３，１４の順に積層して形成される。

絶縁性基材１１における絶縁性基材１２側と反対側の面には、第３グランド導体３３が形成されている。第３グランド導体３３は、この面の全面に形成されている。

絶縁性基材１２における絶縁性基材１３側の面には、第１信号線路４１、第２グランド導体３２、および、第８グランド導体３８が形成されている。第１信号線路４１、第２グランド導体３２、および、第８グランド導体３８は、Ｘ軸方向を長手方向とする矩形である。第２グランド導体３２の幅（Ｙ軸方向に沿った長さ）と、第８グランド導体３８の幅（Ｙ軸方向に沿った長さ）は、略同じである。第１信号線路４１の幅（Ｙ軸方向に沿った長さ）は、第２グランド導体３２の幅および第８グランド導体３８の幅よりも小さい。

第１信号線路４１、第２グランド導体３２、および、第８グランド導体３８は、Ｙ軸方向に間隔を空けて配置され、Ｘ軸方向に沿って並走している。Ｙ軸方向において、第１信号線路４１は、第２グランド導体３２と第８グランド導体３８との間に配置されている。第２グランド導体３２と第８グランド導体３８とは、第１信号線路４１の幅方向の中心を通り、Ｘ軸方向およびＺ軸方向に平行な基準面に対して、対称の位置に配置されている。なお、図１２に示す断面図において、第２グランド導体３２と第８グランド導体３８とは、第１信号線路４１の幅方向の中心を通り、Ｚ軸方向に延びる一点鎖線に対して、線対称の位置に配置されている。この基準面は、絶縁性基材１２の幅方向の中心を通りＸ軸方向に延びる基準面も意味する。

絶縁性基材１３における絶縁性基材１４側の面には、第２信号線路４２、第３信号線路４３、第１グランド導体３１、および、第１信号導体５１，５２が形成されている。

第２信号線路４２、第３信号線路４３、および、第１グランド導体３１は、Ｘ軸方向を長手方向とする矩形である。第２信号線路４２の幅（Ｙ軸方向に沿った長さ）と、第３信号線路４３の幅（Ｙ軸方向に沿った長さ）は、略同じである。第１グランド導体３１の幅（Ｙ軸方向に沿った長さ）は、第２信号線路４２の幅および第３信号線路４３の幅よりも大きい。

第２信号線路４２、第３信号線路４３、および、第１グランド導体３１は、Ｙ軸方向に間隔を空けて配置され、Ｘ軸方向に沿って並走している。Ｙ軸方向において、第１グランド導体３１は、第２信号線路４２と第３信号線路４３との間に配置されている。第２信号線路４２と第３信号線路４３とは、第１グランド導体３１の幅方向の中心を通り、Ｘ軸方向およびＺ軸方向に平行な基準面に対して、対称の位置に配置されている。なお、図１２に示す断面図において、第２信号線路４２と第３信号線路４３とは、第１グランド導体３１の幅方向の中心を通り、Ｚ軸方向に延びる一点鎖線に対して、線対称の位置に配置されている。

積層方向に視て、第２信号線路４２は、長手方向（Ｘ軸方向）の全長に亘って、第２グランド導体３２に重なっている。積層方向に視て、第３信号線路４３は、長手方向（Ｘ軸方向）の全長に亘って、第８グランド導体３８に重なっている。

積層方向に視て、第１グランド導体３１は、長手方向（Ｘ軸方向）の全長に亘って、第１信号線路４１に重なっている。さらに、積層方向に視て、第１グランド導体３１は、第２グランド導体３２の第１信号線路４１側の端部および第８グランド導体３８の第１信号線路４１側の端部に重なっている。

第１信号導体５１，５２はそれぞれ矩形である。積層方向に視て、第１信号導体５１は、第１信号線路４１の長手方向（Ｘ軸方向）の一方端部に重なっており、第１信号導体５２は、第１信号線路４１の長手方向（Ｘ軸方向）の他方端部に重なっている。

絶縁性基材１４における絶縁性基材１３側と反対側の面には、第４グランド導体３４、および、外部接続用導体７１１，７１２，７２１，７２２，７３１，７３２が形成されている。第４グランド導体３４は、絶縁性基材１４における絶縁性基材１３側と反対側の面の略全面に形成されている。

外部接続用導体７１１，７１２，７２１，７２２，７３１，７３２は矩形であり、それぞれに、開口部（導体非形成部）ＡＰ１１，ＡＰ１２，ＡＰ２１，ＡＰ２２，ＡＰ３１，ＡＰ３２を介して、第４グランド導体３４から離間されている。

外部接続用導体７１１，７２１，７３１は、絶縁性基材１４における長手方向（Ｘ軸方向）の一方端付近に形成されている。積層方向に視て、外部接続用導体７１１は、第１信号導体５１に重なっており、外部接続用導体７２１は、第２信号線路４２に重なっており、外部接続用導体７３１は、第３信号線路４３に重なっている。

外部接続用導体７１２，７２２，７３２は、絶縁性基材１４における長手方向（Ｘ軸方向）の他方端付近に形成されている。積層方向に視て、外部接続用導体７１２は、第１信号導体５２に重なっており、外部接続用導体７２２は、第２信号線路４２に重なっており、外部接続用導体７３２は、第３信号線路４３に重なっている。

絶縁性基材１１には、複数の層間接続導体Ｖ３１が形成されている。絶縁性基材１２における第２グランド導体３２および第８グランド導体３８に重なる部分には、複数の第２層間接続導体Ｖ２が形成されている。積層方向に視て、層間接続導体Ｖ３１の配置パターンと第２層間接続導体Ｖ２の配置パターンとは同じであり、同じ位置にある層間接続導体Ｖ３１と第２層間接続導体Ｖ２は接続されている。これにより、第２グランド導体３２と第３グランド導体３３とは、複数箇所で接続されており、第８グランド導体３８と第３グランド導体３３とは、複数箇所で接続されている。

絶縁性基材１３における第１グランド導体３１に重なる部分には、複数の第１層間接続導体Ｖ１が形成されている。より具体的には、積層方向に視て、複数の第１層間接続導体Ｖ１は、第１グランド導体３１と第２グランド導体３２および第８グランド導体３８とが重なる部分に形成されている。これにより、第１グランド導体３１と第２グランド導体３２とは、複数箇所で接続され、第１グランド導体３１と第８グランド導体３８とは、複数箇所で接続される。

さらに、積層方向に視て、複数の第１層間接続導体Ｖ１の配置パターンは、複数の層間接続導体Ｖ３１および複数の第２層間接続導体Ｖ２の配置パターンと同じである。

絶縁性基材１３における第１信号導体５１に重なる部分には、層間接続導体Ｖ３２が形成されている。これにより、第１信号導体５１と第１信号線路４１とは、接続される。絶縁性基材１３における第１信号導体５２に重なる部分には、層間接続導体Ｖ３３が形成されている。これにより、第１信号導体５２と第１信号線路４１とは、接続される。

絶縁性基材１４における第４グランド導体３４に重なる部分には、複数の第３層間接続導体Ｖ３が形成されている。より具体的には、積層方向に視て、複数の第３層間接続導体Ｖ３は、第４グランド導体３４と第１グランド導体３１とが重なる部分に形成されている。これにより、第４グランド導体３４と第１グランド導体３１とは、複数箇所で接続される。

なお、積層方向に視て、複数の第３層間接続導体Ｖ３は、少なくとも複数の第１層間接続導体Ｖ１の配置位置と重なる位置に配置されている。さらに、第３層間接続導体Ｖ３は、積層方向に視て、外部接続用導体７２１，７３１の間と、外部接続用導体７２２，７３２の間にそれぞれ配置されている。

絶縁性基材１４における外部接続用導体７１１，７１２，７２１，７２２，７３１，７３２に重なる部分には、層間接続導体Ｖ３４，Ｖ３５，Ｖ４１，Ｖ４２，Ｖ４３，Ｖ４４がそれぞれ形成されている。これにより、外部接続用導体７１１は、第１信号導体５１に接続され、外部接続用導体７１２は、第１信号導体５２に接続される。外部接続用導体７２１，７２２は、第２信号線路４２に接続され、外部接続用導体７３１，７３２は、第３信号線路４３に接続される。

このような構成とすることによって、多層基板１０６は、第１伝送線路ＣＬ１、第２伝送線路ＣＬ２、および、第３伝送線路ＣＬ３を備える。第１伝送線路ＣＬ１は、第１信号線路４１が第１グランド導体３１と第３グランド導体３３との間に配置されることで実現されている。第２伝送線路ＣＬ２は、第２信号線路４２が第２グランド導体３２と第４グランド導体３４との間に配置されることで実現されている。第３伝送線路ＣＬ３は、第３信号線路４３が第４グランド導体３４と第８グランド導体３８との間に配置されることで実現されている。

このように、多層基板１０６に形成される第１伝送線路ＣＬ１、第２伝送線路ＣＬ２、および、第３伝送線路ＣＬ３の全ては、積層方向において、信号導体の両側にグランド導体が配置される構成であるので、全ての伝送線路による外部への不要輻射が確実に抑制される。

また、多層基板１０６では、積層方向に視て、第１信号線路４１、第２信号線路４２、および、第３信号線路４３の全てに対して重なる第３グランド導体３３を積層体１０の第２主面ＶＳ２に備え、第４グランド導体３４を積層体１０の第１主面ＶＳ１に備えている。これにより、第１伝送線路ＣＬ１、第２伝送線路ＣＬ２、および、第３伝送線路ＣＬ３の全てに対して、外部への不要輻射がさらに確実に抑制される。

また、多層基板１０６では、第１信号線路４１は、Ｙ軸方向において、第２グランド導体３２と第８グランド導体３８との間に配置されているので、Ｙ軸方向の不要輻射も抑制される。さらに、第１信号線路４１のＹ軸方向には、Ｘ軸方向に並ぶ複数の層間接続導体（第１層間接続導体Ｖ１、第２層間接続導体Ｖ２、層間接続導体Ｖ３１）が配置され、これら複数の層間接続導体が第１グランド導体３１、第２グランド導体３２、第３グランド導体３３、および、第８グランド導体３８に接続されているので、Ｙ軸方向の不要輻射がさらに抑制される。

また、Ｙ軸方向における第２信号線路４２と第３信号線路４３との間には、これらよりもＹ軸方向の長さが大きな第１グランド導体３１が配置されているので、第２信号線路４２と第３信号線路４３とのアイソレーションをより高くできる。

また、多層基板１０６では、第２信号線路４２と第３信号線路４３とが、多層基板１０６のＹ軸方向（幅方向）の中心を通り、Ｘ軸方向およびＺ軸方向に平行な基準面に対して対称である。さらに、各伝送線路を構成するグランド導体の配置もこの基準面に対して対称である。したがって、第２伝送線路ＣＬ２と第３伝送線路ＣＬ３も、この基準面に対して対称である。これにより、多層基板１０６内での幅方向（Ｙ軸方向）の構造的および電磁界的なバランスがよくなる。また、この構成によって、多層基板１０６の表面（第１主面ＶＳ１または第２主面ＶＳ２）の不均一な凹凸の発生が抑制され、多層基板の曲げ加工性や、回路基板等への実装性が高まる。

《第７の実施形態》
図１３は、第７の実施形態に係る多層基板１０７の分解平面図である。本実施形態に係る多層基板１０７は、第１グランド導体３１Ｆ、第２信号線路４２Ｆ、および、第３信号線路４３Ｆの構成において、第６の実施形態に係る多層基板１０６と異なる。多層基板１０７の他の構成は、多層基板１０６と同様であり、同様の箇所の説明は省略する。

第１グランド導体３１Ｆは、突起部３１２Ｆ，３１３Ｆを備える。突起部３１２Ｆ，３１３Ｆは、第１グランド導体３１ＦのＸ軸方向の所定位置において部分的にＹ軸方向に突起している。

第１グランド導体３１Ｆの幅（Ｙ軸方向の長さ）は、第６の実施形態で説明した多層基板１０６の第１グランド導体３１の幅（Ｙ軸方向の長さ）よりも小さい（図１１を参照）。

突起部３１２Ｆは、第１グランド導体３１Ｆにおける第２信号線路４２Ｆ側に突起している。突起部３１３Ｆは、第１グランド導体３１Ｆにおける第３信号線路４３Ｆ側に突起している。

第２信号線路４２Ｆは、屈曲部４２０Ｆを備えている。第２信号線路４２Ｆは、図１１に示す多層基板１０６の第２信号線路４２と比較して、Ｙ軸方向において、第１グランド導体３１Ｆ側、絶縁性基材１３におけるＹ軸方向の中心位置側に配置されている。第２信号線路４２Ｆにおける屈曲部４２０Ｆを除く長手方向の殆どの部分は、Ｙ軸方向において、第１グランド導体３１Ｆの突起部３１２Ｆに重なっている。屈曲部４２０Ｆは、突起部３１２Ｆの外周に沿って配置されている。言い換えれば、屈曲部４２０Ｆは、Ｚ軸方向に視て、突起部３１２Ｆを迂回する形状で形成されている。

第３信号線路４３Ｆは、複数の屈曲部４３０Ｆを備えている。第３信号線路４３Ｆは、図１１に示す多層基板１０６の第３信号線路４３と比較して、Ｙ軸方向において、第１グランド導体３１Ｆ側、絶縁性基材１３におけるＹ軸方向の中心位置側に配置されている。第３信号線路４３Ｆにおける屈曲部４３０Ｆを除く長手方向の殆どの部分は、Ｙ軸方向において、第１グランド導体３１Ｆの突起部３１３Ｆに重なっている。屈曲部４３０Ｆは、突起部３１３Ｆの外周に沿って配置されている。言い換えれば、屈曲部４３０Ｆは、Ｚ軸方向に視て、突起部３１３Ｆを迂回する形状で形成されている。

このような構成とすることによって、積層体１０すなわち多層基板１０７の幅（Ｙ軸方向の長さ）を小さくできる。

《第８の実施形態》
図１４は、第８の実施形態に係る多層基板１０８の分解平面図である。本実施形態に係る多層基板１０８は、第１信号線路４１Ｆ、第２グランド導体３２Ｆ、および、第８グランド導体３８Ｆの構成において、第６の実施形態に係る多層基板１０６と異なる。多層基板１０８の他の構成は、多層基板１０６と同様であり、同様の箇所の説明は省略する。

第２グランド導体３２Ｆは、突起部３２１Ｆを備える。突起部３２１Ｆは、第２グランド導体３２ＦのＸ軸方向の所定位置において部分的にＹ軸方向に突起している。突起部３２１Ｆは、第１信号線路４１Ｆ側に突起している。

第８グランド導体３８Ｆは、複数の突起部３８１Ｆを備える。複数の突起部３８１Ｆは、第８グランド導体３８ＦのＸ軸方向の所定位置において部分的にＹ軸方向に突起している。複数の突起部３８１Ｆは、第１信号線路４１Ｆ側に突起している。

第１信号線路４１Ｆは、屈曲部４１２Ｆ，４１３Ｆを備えている。屈曲部４１２Ｆは、第８グランド導体３８Ｆの突起部３８１Ｆの外周に沿って配置されている。言い換えれば、屈曲部４１２Ｆは、Ｚ軸方向に視て、突起部３８１Ｆを迂回する形状で形成されている。屈曲部４１３Ｆは、第２グランド導体３２Ｆの突起部３２１Ｆの外周に沿って配置されている。言い換えれば、屈曲部４１３Ｆは、Ｚ軸方向に視て、突起部３２１Ｆを迂回する形状で形成されている。

このような構成とすることによって、第７の実施形態に係る多層基板１０７と同様に、積層体１０すなわち多層基板１０８の幅（Ｙ軸方向の長さ）を小さくできる。

《第９の実施形態》
図１５は、第９の実施形態に係る多層基板１０９の断面図である。本実施形態に係る多層基板１０９は、第６の実施形態に係る多層基板１０６に対して、さらに第４伝送線路ＣＬ４を追加した点で異なる。多層基板１０９の他の構成は、多層基板１０６と同様であり、同様の箇所の説明は省略する。

多層基板１０９は、多層基板１０６の構成に加えて、第４信号線路４４、第９グランド導体３９２，３９３、および、複数の層間接続導体Ｖ４０を備える。第４信号線路４４、第９グランド導体３９２，３９３、および、複数の層間接続導体Ｖ４０は、積層体１０に形成されている。

第４信号線路４４は、Ｚ軸方向において、第１グランド導体３１と第４グランド導体３４との間に形成されている。Ｙ軸方向における第４信号線路４４の位置は、第１信号線路４１の位置と同じである。第４信号線路４４の形状は、長手方向の端部を除き、第１信号線路４１の形状と略同じである。

第９グランド導体３９２は、Ｚ軸方向において、第２信号線路４２と第４グランド導体３４との間に形成されている。Ｚ軸方向における第９グランド導体３９２の位置は、第４信号線路４４の位置と略同じである。Ｙ軸方向における第９グランド導体３９２の位置は、第２グランド導体３２と略同じである。第９グランド導体３９２の形状は、第２グランド導体３２と略同じである。

第９グランド導体３９３は、Ｚ軸方向において、第３信号線路４３と第４グランド導体３４との間に形成されている。Ｚ軸方向における第９グランド導体３９３の位置は、第４信号線路４４の位置と略同じである。Ｙ軸方向における第９グランド導体３９３の位置は、第８グランド導体３８と略同じである。第９グランド導体３９３の形状は、第８グランド導体３８と略同じである。

複数の層間接続導体Ｖ４０は、積層体１０をＹ軸方向に視て、第３層間接続導体Ｖ３と重なっている。複数の層間接続導体Ｖ４０は、第９グランド導体３９２，３９３と第４グランド導体３４とを接続する。また、複数の第３層間接続導体Ｖ３は、第９グランド導体３９２、３９３と第１グランド導体３１とを接続する。

本実施形態の多層基板１０９の構成とすることによって、多層基板１０９は、第１伝送線路ＣＬ１、第２伝送線路ＣＬ２、第３伝送線路ＣＬ３、および、第４伝送線路ＣＬ４を備える。第１伝送線路ＣＬ１は、第１信号線路４１が第１グランド導体３１と第３グランド導体３３との間に配置されることで実現されている。第２伝送線路ＣＬ２は、第２信号線路４２が第２グランド導体３２と第９グランド導体３９２との間に配置されることで実現されている。第３伝送線路ＣＬ３は、第３信号線路４３が第８グランド導体３８と第９グランド導体３９３との間に配置されることで実現されている。第４伝送線路ＣＬ４は、第４信号線路４４が第１グランド導体３１と第４グランド導体３４との間に配置されることで実現されている。

本実施形態の多層基板１０９の構成とすることによって、多層基板１０６で得られる作用効果からさらに次の作用効果が得られる。

多層基板１０９では、第１信号線路４１と第４信号線路４４が、多層基板１０９のＺ軸方向（積層方向）の中心を通り、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に平行な基準面に対して対称である。なお、図１５に示す断面図において、第１信号線路４１と第４信号線路４４とは、多層基板１０９のＺ軸方向（積層方向）の中心でＹ軸方向に延びる一点鎖線に対して線対称である。さらに、各伝送線路を構成するグランド導体の配置もこの基準面に対して対称である。したがって、第１伝送線路ＣＬ１と第４伝送線路ＣＬ４も、この基準面に対して対称である。これにより、多層基板１０９内での積層方向の構造的（物理的）なバランスが良くなり、電磁界的なバランスが良くなる。

なお、積層方向の構造的（物理的）なバランスが良くなることで、多層基板の不均一な凹凸の発生は抑制され、回路基板等への多層基板の実装性は高まる。また、多層基板１０９の積層方向における反りの発生が抑制される。

《第１０の実施形態》
図１６は、第１０の実施形態に係る多層基板１１０の断面図である。本実施形態に係る多層基板１１０は、第９の実施形態に係る多層基板１０９に対して、さらに複数の伝送線路ＣＬ５～ＣＬ１２を追加した点で異なる。多層基板１１０の他の基本構成は、多層基板１０９と同様であり、同様の箇所の説明は省略する。

図１６に示すように、多層基板１１０は、１２個の信号線路４０Ａ，４０Ｂ，４０Ｃ，４０Ｄ，４０Ｅ，４０Ｆ，４０Ｇ，４０Ｈ，４０Ｊ，４０Ｋ，４０Ｌ，４０Ｍ、第１グランド導体３１、第２グランド導体３２、第３グランド導体３３、第４グランド導体３４、第８グランド導体３８、第９グランド導体３９２，３９３，３９４，３９５，３９６１，３９６２，３９７，３９８，３９９１，３９９２を備える。

信号線路４０Ａ，４０Ｅ、第２グランド導体３２、第８グランド導体３８、および、第９グランド導体３９６１は、Ｙ軸方向に沿って並んでいる。この層を、第１横方向導体列層と称する。この際、これらは、Ｙ軸方向の第１端から第２端に向かって、第８グランド導体３８、信号線路４０Ａ、第２グランド導体３２、信号線路４０Ｅ、第９グランド導体３９６１の順に配置されている。

信号線路４０Ｃ，４０Ｂ，４０Ｆ、第１グランド導体３１、および、第９グランド導体３９５は、Ｙ軸方向に並んでいる。この層を、第２横方向導体列層と称する。この際、これらは、Ｙ軸方向の第１端から第２端に向かって、信号線路４０Ｃ、第１グランド導体３１、信号線路４０Ｂ、第９グランド導体３９５、信号線路４０Ｆ、の順に配置されている。

信号線路４０Ｄ，４０Ｇ、および第９グランド導体３９２，３９３，３９６２は、Ｙ軸方向に沿って並んでいる。この層を、第３横方向導体列層と称する。この際、これらは、Ｙ軸方向の第１端から第２端に向かって、第９グランド導体３９３、信号線路４０Ｄ、第９グランド導体３９２、信号線路４０Ｇ、第９グランド導体３９６２の順に配置されている。

信号線路４０Ｈ，４０Ｊ，４０Ｋ、第９グランド導体３９４，３９７は、Ｙ軸方向に並んでいる。この層を、第４横方向導体列層と称する。この際、これらは、Ｙ軸方向の第１端から第２端に向かって、信号線路４０Ｈ、第９グランド導体３９４、信号線路４０Ｊ、第９グランド導体３９７、信号線路４０Ｋ、の順に配置されている。

信号線路４０Ｌ，４０Ｍ、および第９グランド導体３９８，３９９１，３９９２は、Ｙ軸方向に沿って並んでいる。この層を、第５横方向導体列層と称する。この際、これらは、Ｙ軸方向の第１端から第２端に向かって、第９グランド導体３９８、信号線路４０Ｌ、第９グランド導体３９９１、信号線路４０Ｍ、第９グランド導体３９９２の順に配置されている。

第１横方向導体層から第５横方向導体列層は、積層体１０の第２主面ＶＳ２から第１主面ＶＳ１に向かって、第１横方向導体層、第２横方向導体層、第３横方向導体層、第４横方向導体層および第５横方向導体層の順に配列されている。

信号線路４０Ｃと信号線路４０Ｈは、Ｚ軸方向に視て重なる位置に配置されている。信号線路４０Ａ、信号線路４０Ｄ、および信号線路４０Ｌは、Ｚ軸方向に視て重なる位置に配置されている。信号線路４０Ｂと信号線路４０Ｊは、Ｚ軸方向に視て重なる位置に配置されている。信号線路４０Ｅ、信号線路４０Ｇ、および信号線路４０Ｍは、Ｚ軸方向に視て重なる位置に配置されている。信号線路４０Ｆと信号線路４０Ｋは、Ｚ軸方向に視て重なる位置に配置されている。

第１グランド導体３１は、積層体１０のＺ軸方向において、信号線路４０Ａと信号線路４０Ｄとの間に配置されており、Ｚ軸方向に視て、信号線路４０Ａと信号線路４０Ｄに重なっている。

第２グランド導体３２は、積層体１０のＺ軸方向において、信号線路４０Ｂと第３グランド導体３３との間に配置されており、Ｚ軸方向に視て、信号線路４０Ｂと第３グランド導体３３に重なっている。

第８グランド導体３８は、積層体１０のＺ軸方向において、信号線路４０Ｃと第３グランド導体３３との間に配置されており、Ｚ軸方向に視て、信号線路４０Ｃと第３グランド導体３３に重なっている。

第９グランド導体３９２は、積層体１０のＺ軸方向において、信号線路４０Ｂと信号線路４０Ｊとの間に配置されており、Ｚ軸方向に視て、信号線路４０Ｂと信号線路４０Ｊに重なっている。

第９グランド導体３９３は、積層体１０のＺ軸方向において、信号線路４０Ｃと信号線路４０Ｈとの間に配置されており、Ｚ軸方向に視て、信号線路４０Ｃと信号線路４０Ｈに重なっている。

第９グランド導体３９４は、積層体１０のＺ軸方向において、信号線路４０Ｄと信号線路４０Ｌとの間に配置されており、Ｚ軸方向に視て、信号線路４０Ｄと信号線路４０Ｌに重なっている。

第９グランド導体３９５は、積層体１０のＺ軸方向において、信号線路４０Ｅと信号線路４０Ｇとの間に配置されており、Ｚ軸方向に視て、信号線路４０Ｅと信号線路４０Ｇに重なっている。

第９グランド導体３９６１は、積層体１０のＺ軸方向において、信号線路４０Ｆと第３グランド導体３３との間に配置されており、Ｚ軸方向に視て、信号線路４０Ｆと第３グランド導体３３に重なっている。

第９グランド導体３９６２は、積層体１０のＺ軸方向において、信号線路４０Ｆと信号線路４０Ｋとの間に配置されており、Ｚ軸方向に視て、信号線路４０Ｆと信号線路４０Ｋに重なっている。

第９グランド導体３９７は、積層体１０のＺ軸方向において、信号線路４０Ｇと信号線路４０Ｍとの間に配置されており、Ｚ軸方向に視て、信号線路４０Ｇと信号線路４０Ｍに重なっている。

第９グランド導体３９８は、積層体１０のＺ軸方向において、信号線路４０Ｈと第４グランド導体３４との間に配置されており、Ｚ軸方向に視て、信号線路４０Ｈと第４グランド導体３４に重なっている。

第９グランド導体３９９１は、積層体１０のＺ軸方向において、信号線路４０Ｊと第４グランド導体３４との間に配置されており、Ｚ軸方向に視て、信号線路４０Ｊと第４グランド導体３４に重なっている。

第９グランド導体３９９２は、積層体１０のＺ軸方向において、信号線路４０Ｋと第４グランド導体３４との間に配置されており、Ｚ軸方向に視て、信号線路４０Ｋと第４グランド導体３４に重なっている。

言い換えると、１２個の信号線路４０Ａ，４０Ｂ，４０Ｃ，４０Ｄ，４０Ｅ，４０Ｆ，４０Ｇ，４０Ｈ，４０Ｊ，４０Ｋ，４０Ｌ，４０Ｍと第１グランド導体３１、第２グランド導体３２、第８グランド導体３８、第９グランド導体３９２，３９３，３９４，３９５，３９６１，３９６２，３９７，３９８，３９９１，３９９２とは、積層体１０におけるＹ軸方向とＺ軸方向との二次元において、互いに交互に配置されている。そして、１２個の信号線路４０Ａ～４０Ｍと第１グランド導体３１、第２グランド導体３２、第８グランド導体３８、第９グランド導体３９２，３９３，３９４，３９５，３９６１，３９６２，３９７，３９８，３９９１，３９９２の全てが、積層体１０をＺ軸方向に視て、第３グランド導体３３および第４グランド導体３４に重なっている。

層間接続導体Ｖ１１は、Ｙ軸方向において、信号線路４０Ｃ，４０Ｈの位置と、信号線路４０Ａ，４０Ｄ，４０Ｌの位置との間に配置されている。層間接続導体Ｖ１１の延びる方向の一方端は、第３グランド導体３３に接続され、他方端は、第４グランド導体３４に接続されている。層間接続導体Ｖ１１は、第８グランド導体３８、第１グランド導体３１、第９グランド導体３９３、第９グランド導体３９４、第９グランド導体３９８に接続されている。

層間接続導体Ｖ１２は、Ｙ軸方向において、信号線路４０Ａ，４０Ｄ，４０Ｌの位置と、信号線路４０Ｂ，４０Ｊの位置との間に配置されている。層間接続導体Ｖ１２の延びる方向の一方端は、第３グランド導体３３に接続され、他方端は、第４グランド導体３４に接続されている。層間接続導体Ｖ１２は、第２グランド導体３２、第１グランド導体３１、第９グランド導体３９２、第９グランド導体３９４、第９グランド導体３９９１に接続されている。

層間接続導体Ｖ１３は、Ｙ軸方向において、信号線路４０Ｂ，４０Ｊの位置と、信号線路４０Ｅ，４０Ｇ，４０Ｍの位置との間に配置されている。層間接続導体Ｖ１３の延びる方向の一方端は、第３グランド導体３３に接続され、他方端は、第４グランド導体３４に接続されている。層間接続導体Ｖ１３は、第２グランド導体３２、第９グランド導体３９５、第９グランド導体３９２、第９グランド導体３９７、第９グランド導体３９９１に接続されている。

層間接続導体Ｖ１４は、Ｙ軸方向において、信号線路４０Ｅ，４０Ｇ，４０Ｍの位置と、信号線路４０Ｆ，４０Ｋの位置との間に配置されている。層間接続導体Ｖ１４の延びる方向の一方端は、第３グランド導体３３に接続され、他方端は、第４グランド導体３４に接続されている。層間接続導体Ｖ１４は、第９グランド導体３９６１、第９グランド導体３９５、第９グランド導体３９６２、第９グランド導体３９７、第９グランド導体３９９２に接続されている。

このような構成とすることによって、多層基板１１０は、第１伝送線路ＣＬ１、第２伝送線路ＣＬ２、第３伝送線路ＣＬ３、第４伝送線路ＣＬ４、第５伝送線路ＣＬ５、第６伝送線路ＣＬ６、第７伝送線路ＣＬ７、第８伝送線路ＣＬ８、第９伝送線路ＣＬ９、第１０伝送線路ＣＬ１０、第１１伝送線路ＣＬ１１、および、第１２伝送線路ＣＬ１２を備える。

第１伝送線路ＣＬ１は、信号線路４０Ａが第１グランド導体３１と第３グランド導体３３との間に配置されることで実現されている。第２伝送線路ＣＬ２は、信号線路４０Ｂが第２グランド導体３２と第９グランド導体３９２との間に配置されることで実現されている。第３伝送線路ＣＬ３は、信号線路４０Ｃが第８グランド導体３８と第９グランド導体３９３との間に配置されることで実現されている。第４伝送線路ＣＬ４は、信号線路４０Ｄが第１グランド導体３１と第９グランド導体３９４との間に配置されることで実現されている。第５伝送線路ＣＬ５は、信号線路４０Ｅが第９グランド導体３９５と第３グランド導体３３との間に配置されることで実現されている。第６伝送線路ＣＬ６は、信号線路４０Ｆが第９グランド導体３９６１と第９グランド導体３９６２との間に配置されることで実現されている。第７伝送線路ＣＬ７は、信号線路４０Ｇが第９グランド導体３９５と第９グランド導体３９７との間に配置されることで実現されている。第８伝送線路ＣＬ８は、信号線路４０Ｈが第９グランド導体３９３と第９グランド導体３９８との間に配置されることで実現されている。第９伝送線路ＣＬ９は、信号線路４０Ｊが第９グランド導体３９２と第９グランド導体３９９１との間に配置されることで実現されている。第１０伝送線路ＣＬ１０は、信号線路４０Ｋが第９グランド導体３９６２と第９グランド導体３９９２との間に配置されることで実現されている。第１１伝送線路ＣＬ１１は、信号線路４０Ｌが第９グランド導体３９４と第４グランド導体３４との間に配置されることで実現されている。第１２伝送線路ＣＬ１２は、信号線路４０Ｍが第９グランド導体３９７と第４グランド導体３４との間に配置されることで実現されている。

本実施形態の多層基板１１０の構成とすることによって、１２個の伝送線路の全てが、図１６に示すいずれかを基準面に対して、対称（図１６に示すいずれかの一点鎖線に対して線対称）に配置されている。さらに、１２個の伝送線路、すなわち、多層基板１１０に形成される伝送線路の全体の配置パターンは、信号線路４０Ｂ，４０ＪのＹ軸方向の中心を通りＸ軸方向およびＺ軸方向に平行な基準面（図１６において、信号線路４０Ｂ，４０ＪのＹ軸方向の中心を通りＺ軸方向に延びる一点鎖線）、および、信号線路４０Ｄ，４０ＧのＺ軸方向の中心を通りＸ軸方向およびＹ軸方向に平行な基準面（図１６において、信号線路４０Ｄ，４０ＧのＺ軸方向の中心を通りＹ軸方向に延びる一点鎖線）に対して対称である。

具体的には、Ｙ軸方向には、次に示す対称形が実現されている。第１伝送線路ＣＬ１と第５伝送線路ＣＬ５とは、信号線路４０Ｂ，４０ＪのＹ軸方向の中心を通り、Ｘ軸方向およびＺ軸方向に平行な基準面に対して対称である。図１６に示す断面図において、第１伝送線路ＣＬ１と第５伝送線路ＣＬ５とは、信号線路４０Ｂ，４０ＪのＹ軸方向の中心を通り、Ｚ軸方向に延びる一点鎖線に対して線対称である。第４伝送線路ＣＬ４と第７伝送線路ＣＬ７とは、信号線路４０Ｂ，４０ＪのＹ軸方向の中心を通り、Ｘ軸方向およびＺ軸方向に延びる基準面に対して対称である。図１６に示す断面図において、第４伝送線路ＣＬ４と第７伝送線路ＣＬ７とは、信号線路４０Ｂ，４０ＪのＹ軸方向の中心を通り、Ｚ軸方向に延びる一点鎖線に対して線対称である。第１１伝送線路ＣＬ１１と第１２伝送線路ＣＬ１２とは、信号線路４０Ｂ，４０ＪのＹ軸方向の中心を通り、Ｘ軸方向およびＺ軸方向に平行な基準面に対して対称である。図１６に示す断面図において、第１１伝送線路ＣＬ１１と第１２伝送線路ＣＬ１２とは、信号線路４０Ｂ，４０ＪのＹ軸方向の中心を通り、Ｚ軸方向に延びる一点鎖線に対して線対称である。

第３伝送線路ＣＬ３と第２伝送線路ＣＬ２とは、信号線路４０Ａ，４０Ｄ，４０ＬのＹ軸方向の中心を通り、Ｘ軸方向およびＺ軸方向に平行な基準面に対して対称である。図１６に示す断面図において、第３伝送線路ＣＬ３と第２伝送線路ＣＬ２とは、信号線路４０Ａ，４０Ｄ，４０ＬのＹ軸方向の中心を通り、Ｚ軸方向に延びる一点鎖線に対して線対称である。第２伝送線路ＣＬ２と第６伝送線路ＣＬ６とは、信号線路４０Ｅ，４０Ｇ，４０ＭのＹ軸方向の中心を通り、Ｘ軸方向およびＺ軸方向に平行な基準面に対して対称である。図１６に示す断面図において、第２伝送線路ＣＬ２と第６伝送線路ＣＬ６とは、信号線路４０Ｅ，４０Ｇ，４０ＬのＹ軸方向の中心を通り、Ｚ軸方向に延びる一点鎖線に対して線対称である。第３伝送線路ＣＬ３と第６伝送線路ＣＬ６とは、信号線路４０Ｂ，４０ＪのＹ軸方向の中心を通り、Ｘ軸方向およびＺ軸方向に平行な基準面に対して対称である。図１６に示す断面図において、第３伝送線路ＣＬ３と第６伝送線路ＣＬ６とは、信号線路４０Ｂ，４０ＪのＹ軸方向の中心を通りＺ軸方向に延びる一点鎖線に対して線対称である。

第８伝送線路ＣＬ８と第９伝送線路ＣＬ９とは、信号線路４０Ａ，４０Ｄ，４０ＬのＹ軸方向の中心を通り、Ｘ軸方向およびＺ軸方向に平行な基準面に対して対称である。図１６に示す断面図において、第８伝送線路ＣＬ８と第９伝送線路ＣＬ９とは、信号線路４０Ａ，４０Ｄ，４０ＬのＹ軸方向の中心を通りＺ軸方向に延びる一点鎖線に対して線対称である。第９伝送線路ＣＬ９と第１０伝送線路ＣＬ１０とは、信号線路４０Ｅ，４０Ｇ，４０ＭのＹ軸方向の中心を通り、Ｘ軸方向およびＺ軸方向に平行な基準面に対して対称である。図１６に示す断面図において、第９伝送線路ＣＬ９と第１０伝送線路ＣＬ１０とは、信号線路４０Ｅ，４０Ｇ，４０ＭのＹ軸方向の中心を通りＺ軸方向に延びる一点鎖線に対して線対称である。第８伝送線路ＣＬ８と第１０伝送線路ＣＬ１０とは、信号線路４０Ｂ，４０ＪのＹ軸方向の中心を通り、Ｘ軸方向およびＺ軸方向に平行な基準面に対して対称である。図１６に示す断面図において、第８伝送線路ＣＬ８と第１０伝送線路ＣＬ１０とは、信号線路４０Ｂ，４０ＪのＹ軸方向の中心を通りＺ軸方向に延びる一点鎖線に対して線対称である。

また、Ｚ軸方向には、次に示す対称形が実現されている。第３伝送線路ＣＬ３と第８伝送線路ＣＬ８とは、信号線路４０Ｄ，４０ＧのＺ軸方向の中心を通り、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に平行な基準面に対して対称である。図１６に示す断面図において、第３伝送線路ＣＬ３と第８伝送線路ＣＬ８とは、信号線路４０Ｄ，４０ＧのＺ軸方向の中心を通り、Ｙ軸方向に延びる一点鎖線に対して線対称である。第２伝送線路ＣＬ２と第９伝送線路ＣＬ９とは、信号線路４０Ｄ，４０ＧのＺ軸方向の中心を通り、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に平行な基準面に対して対称である。図１６に示す断面図において、第２伝送線路ＣＬ２と第９伝送線路ＣＬ９とは、信号線路４０Ｄ，４０ＧのＺ軸方向の中心を通り、Ｙ軸方向に延びる一点鎖線に対して線対称である。第６伝送線路ＣＬ６と第１０伝送線路ＣＬ１０とは、信号線路４０Ｄ，４０ＧのＺ軸方向の中心を通り、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に平行な基準面に対して対称である。図１６に示す断面図において、第６伝送線路ＣＬ６と第１０伝送線路ＣＬ１０とは、信号線路４０Ｄ，４０ＧのＺ軸方向の中心を通り、Ｙ軸方向に延びる一点鎖線に対して線対称である。

第１伝送線路ＣＬ１と第４伝送線路ＣＬ４とは、信号線路４０Ｃ，４０Ｂ，４０ＦのＺ軸方向の中心を通り、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に平行な基準面に対して対称である。図１６に示す断面図において、第１伝送線路ＣＬ１と第４伝送線路ＣＬ４とは、信号線路４０Ｃ，４０Ｂ，４０ＦのＺ軸方向の中心を通り、Ｙ軸方向に延びる一点鎖線に対して線対称である。第４伝送線路ＣＬ４と第１１伝送線路ＣＬ１１とは、信号線路４０Ｈ，４０Ｊ，４０ＫのＺ軸方向の中心を通り、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に平行な基準面に対して対称である。図１６に示す断面図において、第４伝送線路ＣＬ４と第１１伝送線路ＣＬ１１とは、信号線路４０Ｃ，４０Ｂ，４０ＦのＺ軸方向の中心を通り、Ｙ軸方向に延びる一点鎖線に対して線対称である。第１伝送線路ＣＬ１と第１１伝送線路ＣＬ１１とは、信号線路４０Ｄ，４０ＧのＺ軸方向の中心を通り、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に平行な基準面に対して対称である。図１６に示す断面図において、第１伝送線路ＣＬ１と第１１伝送線路ＣＬ１１とは、信号線路４０Ｃ，４０Ｂ，４０ＦのＺ軸方向の中心を通り、Ｙ軸方向に延びる一点鎖線に対して線対称である。

第５伝送線路ＣＬ５と第７伝送線路ＣＬ７とは、信号線路４０Ｃ，４０Ｂ，４０ＦのＺ軸方向の中心を通り、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に平行な基準面に対して対称である。図１６に示す断面図において、第５伝送線路ＣＬ５と第７伝送線路ＣＬ７とは、信号線路４０Ｃ，４０Ｂ，４０ＦのＺ軸方向の中心を通り、Ｙ軸方向に延びる一点鎖線に対して線対称である。第７伝送線路ＣＬ７と第１２伝送線路ＣＬ１２とは、信号線路４０Ｈ，４０Ｊ，４０ＫのＺ軸方向の中心を通り、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に平行な基準面に対して対称である。図１６に示す断面図において、第７伝送線路ＣＬ７と第１２伝送線路ＣＬ１２とは、信号線路４０Ｈ，４０Ｊ，４０ＫのＺ軸方向の中心を通り、Ｙ軸方向に延びる一点鎖線に対して線対称である。第５伝送線路ＣＬ５と第１２伝送線路ＣＬ１２とは、信号線路４０Ｄ，４０ＧのＺ軸方向の中心を通り、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に平行な基準面に対して対称である。図１６に示す断面図において、第５伝送線路ＣＬ５と第１２伝送線路ＣＬ１２とは、信号線路４０Ｄ，４０ＧのＺ軸方向の中心を通り、Ｙ軸方向に延びる一点鎖線に対して線対称である。

これにより、多層基板１０９と同様に、多層基板１１０内での構造的および電磁界的なバランスがよくなる。

なお、本実施形態では、１２個の伝送線路を積層体１０に形成する態様を示したが、１２個よりも多い個数の伝送線路を、同様の構成によって積層体１０に形成できる。

また、上述したが、各実施形態に示した多層基板を用いることで、図１７に示すような電子機器を実現できる。図１７は、第１０の実施形態に係る電子機器２０２の外観斜視図である。なお、図１７では、多層基板１０６を用いる態様を示しているが、他の実施形態の多層基板も同様の構造を実現できる。

電子機器２０２は、多層基板１０６、回路基板３０２、および、複数の実装部品３２０を備える。回路基板３０２の表面には、多層基板１０６および複数の実装部品３２０が実装されている。多層基板１０６は、第１主面ＶＳ１が回路基板３０２の表面に対向するように配置されている。多層基板１０６の各外部接続用導体は、回路基板３０２の表面に形成されたランド導体に接合されている。この際、各外部接続用導体は、ランド導体に対して、はんだ等の導電性接合材のみを介して接合される。すなわち、多層基板１０６は、回路基板３０２に対して面実装されている。

このように、多層基板１０６を回路基板３０２に面実装する場合、多層基板１０６と回路基板３０２の表面との距離が、コネクタ等を用いる態様と比較して近くなる。しかしながら、上述のように、多層基板１０６は、第１主面ＶＳ１に、積層体１０内の全ての信号線路に対して重なる第４グランド導体３４を備えている（図１２を参照）。したがって、多層基板１０６から回路基板３０２への不要輻射は抑制される。これにより、多層基板１０６と回路基板３０２との電磁界的な結合が抑制される。また、積層体１０内の全ての信号線路に対して重なる第４グランド導体３４を備えることにより、多層基板１０６の表面（第１主面ＶＳ１または第２主面ＶＳ２）の不均一な凹凸の発生が抑制され、回路基板３０２等に表面実装する際の実装性が高まる。

《第１１の実施形態》
図１８（Ａ）は第１１の実施形態に係る多層基板１１１の断面図であり、図１８（Ｂ）は図１８（Ａ）のおけるＺＰ部分の拡大断面図である。本実施形態に係る多層基板１１１は、第１中間グランド導体Ｍ３１Ａ，Ｍ３１Ｂ、第２中間グランド導体Ｍ３２Ａ，Ｍ３２Ｂを備える点で、第６の実施形態に係る多層基板１０６と異なる。また、多層基板１１１の積層体１０は、５つの絶縁性基材を積層して形成される点で、多層基板１０６と異なる。多層基板１１１の他の構成は、多層基板１０６と実質的に同様であり、同様の箇所の説明は省略する。

図１８（Ａ）に示すように、第１中間グランド導体Ｍ３１Ａは、積層方向（Ｚ軸方向）に対し、第１信号線路４１が形成された層と、第２信号線路４２が形成された層との間に形成されている。第１中間グランド導体Ｍ３１Ａは、積層方向から視て、第１信号線路４１と第２信号線路４２との間に配置されている。第１中間グランド導体Ｍ３１Ａは、第１信号線路４１および第２信号線路４２に沿って、連続的に並走している（図示省略）。第１中間グランド導体３１Ａの少なくとも一部は、積層方向から視て、第１グランド導体３１、第２グランド導体３２、第３グランド導体３３および第４グランド導体３４に重なっている。第１中間グランド導体Ｍ３１Ａは、層間接続導体Ｖ１Ａを介して第１グランド導体３１に接続され、層間接続導体Ｖ１Ｂを介して第２グランド導体３２に接続されている。

第１中間グランド導体Ｍ３１Ｂは、積層方向に対し、第１信号線路４１が形成された層と、第３信号線路４３が形成された層との間に形成されている。第１中間グランド導体Ｍ３１Ｂは、積層方向から視て、第１信号線路４１と第３信号線路４３との間に配置されている。第１中間グランド導体Ｍ３１Ｂは、第１信号線路４１および第３信号線路４３に沿って、連続的に並走している（図示省略）。第１中間グランド導体３１Ｂの少なくとも一部は、積層方向から視て、第１グランド導体３１、第３グランド導体３３、第４グランド導体３４および第８グランド導体３８に重なっている。第１中間グランド導体Ｍ３１Ｂは、層間接続導体Ｖ１Ａを介して第１グランド導体３１に接続され、層間接続導体Ｖ１Ｂを介して第８グランド導体３８に接続されている。

以下、主に第１中間グランド導体Ｍ３１Ａについてのみ説明するが、第１中間グランド導体Ｍ３１Ｂの構成も同様である。

図１８（Ｂ）に示すように、第１中間グランド導体Ｍ３１Ａは、積層方向から視て、第２グランド導体３２よりも第１信号線路４１側に延出し、第２グランド導体３２に重ならない部分を有する。なお、第１中間グランド導体Ｍ３１Ａは、他のグランド導体（第１グランド導体３１、第２グランド導体３２、第３グランド導体３３等）の少なくとも一つよりも、第１信号線路４１から離間している。具体的には、図１８（Ｂ）に示すように、第１信号線路４１と第１グランド導体３１との間隔をＬ１１、第１信号線路４１と第２グランド導体３２との間隔をＬ１２、第１信号線路４１と第３グランド導体３３との間隔をＬ１３、第１信号線路４１と第１中間グランド導体Ｍ３１Ａとの間隔をＬＭ１としたときに、間隔ＬＭ１は間隔Ｌ１１，Ｌ１２，Ｌ１３のいずれか一つよりも大きい。

また、図１８（Ｂ）に示すように、第１中間グランド導体Ｍ３１Ａは、積層方向から視て、第１グランド導体３１よりも第２信号線路４２側に延出し、第１グランド導体３１に重ならない部分を有する。なお、第１中間グランド導体Ｍ３１Ａは、他のグランド導体（第１グランド導体３１、第２グランド導体３２、第４グランド導体３４等）の少なくとも一つよりも、第２信号線路４２から離間している。具体的には、図１８（Ｂ）に示すように、第２信号線路４２と第１グランド導体３１との間隔をＬ２１、第２信号線路４２と第２グランド導体３２との間隔をＬ２２、第２信号線路４２と第４グランド導体３４との間隔をＬ２４、第２信号線路４２と第１中間グランド導体Ｍ３１Ａとの間隔をＬＭ２としたときに、間隔ＬＭ２は間隔Ｌ２１，Ｌ２２，Ｌ２４のいずれか一つよりも大きい。

さらに、第１中間グランド導体Ｍ３１Ａは、他のグランド導体（第１グランド導体３１、第２グランド導体３２、第３グランド導体３３および第４グランド導体３４）よりも積層方向における厚みが薄い。

図１８（Ａ）および図１８（Ｂ）に示すように、第２中間グランド導体Ｍ３２Ａは、積層方向に対し、第１信号線路４１が形成された層と、第２主面ＶＳ２との間に形成されている。第２中間グランド導体Ｍ３２Ａは、第１信号線路４１に沿って、連続的に並走している（図示省略）。第２中間グランド導体Ｍ３２Ａは、層間接続導体Ｖ２Ａを介して第２グランド導体３２に接続され、層間接続導体Ｖ２Ｂを介して第３グランド導体３３に接続されている。

第２中間グランド導体Ｍ３２Ｂは、積層方向に対し、第１信号線路４１が形成された層と、第２主面ＶＳ２との間に形成されている。第２中間グランド導体Ｍ３２Ｂは、第１信号線路４１に沿って、連続的に並走している（図示省略）。第２中間グランド導体Ｍ３２Ｂは、層間接続導体Ｖ２Ａを介して第８グランド導体３８に接続され、層間接続導体Ｖ２Ｂを介して第３グランド導体３３に接続されている。

本実施形態の多層基板１１１によれば、さらに次の作用効果が得られる。

多層基板１１１では、第１中間グランド導体Ｍ３１Ａが、積層方向に対し、第１信号線路４１が形成された層と、第２信号線路４２が形成された層との間に形成されている。また、第１中間グランド導体Ｍ３１Ａは、積層方向から視て、第１信号線路４１と第２信号線路４２との間に配置されている。この構成により、第１信号線路４１と第２信号線路４２との間のアイソレーションがさらに高まり、クロストークの抑制効果がさらに高まる。なお、本実施形態では、第１中間グランド導体Ｍ３１Ｂが設けられているため、第１信号線路４１と第３信号線路４３との間のアイソレーションがさらに高まり、クロストークの抑制効果がさらに高まる。

また、本実施形態では、第１中間グランド導体Ｍ３１Ａが、積層方向から視て、第２グランド導体３２よりも第１信号線路４１側に延出し、第２グランド導体３２に重ならない部分を有する。この構成により、第１中間グランド導体Ｍ３１Ａが第１信号線路４１に近接して配置されるため、第１信号線路４１の周囲に生じる磁界が効果的に遮蔽され、第１信号線路４１と第２信号線路４２とのアイソレーションをより高めることができる。

なお、本実施形態では、第１中間グランド導体Ｍ３１Ａが、他のグランド導体の少なくとも一つよりも、第１信号線路４１から離間している。そのため、第１信号線路４１と他のグランド導体との間に生じる容量に大きな影響を与えることなく、第１信号線路４１と第２信号線路４２とのアイソレーションを高めることができる。

また、本実施形態では、第１中間グランド導体Ｍ３１Ａが、積層方向から視て、第１グランド導体３１よりも第２信号線路４２側に延出し、第１グランド導体３１に重ならない部分を有する。この構成により、第１中間グランド導体Ｍ３１Ａが第２信号線路４２に近接して配置されるため、第２信号線路４２の周囲に生じる磁界が効果的に遮蔽され、第１信号線路４１と第２信号線路４２とのアイソレーションをより高めることができる。

なお、本実施形態では、第１中間グランド導体Ｍ３１Ａが、他のグランド導体の少なくとも一つよりも、第２信号線路４２から離間している。そのため、第２信号線路４２と他のグランド導体との間に生じる容量に大きな影響を与えることなく、第１信号線路４１と第２信号線路とのアイソレーションを高めることができる。

さらに、第１中間グランド導体Ｍ３１Ａ，Ｍ３１Ｂの積層方向における厚みは、他のグランド導体の積層方向における厚みよりも薄い。本実施形態では、第１中間グランド導体Ｍ３１Ａ，Ｍ３１Ｂが、積層方向において多数の導体と重なる位置に配置されているため、積層体１０を形成後、多層基板の表面には凹凸が形成されやすい。しかし、この構成により、多層基板の表面に凹凸が形成されることを抑制できる。

本実施形態に係る多層基板１１１を用いることで、次のような電子機器を実現できる。図１９は、第１１の実施形態に係る電子機器２０３の外観斜視図である。

電子機器２０３は、多層基板１１１Ａおよび回路基板３０３等を備える。

多層基板１１１Ａは、第２主面ＶＳ２に保護層２が形成されている点で、多層基板１１１と異なる。多層基板１１１Ａのその他の構成は、多層基板１１１と同じである。保護層２には開口が形成されており、保護層２が第２主面ＶＳ２に形成されることによって第３グランド導体３３の一部が露出している。回路基板３０３の表面には導体９５が形成されており、回路基板３０３の内部には、導体９６，９７等が形成されている。

多層基板１１１Ａは、第２主面ＶＳ２が回路基板３０３の表面に対向するように配置されている。図１９に示すように、多層基板１１１Ａの第３グランド導体３３は、回路基板３０３に、はんだ等の導電性接合材４を介して接合される。すなわち、多層基板１１１Ａは、回路基板３０３に対して面実装されている。

そのため、第１信号線路４１、第２信号線路４２および第３信号線路４３のうち、第１信号線路４１は、回路基板３０３の実装面（表面）に最も近接して配置される。また、第２中間グランド導体Ｍ３２Ａ，Ｍ３２Ｂは、積層方向（Ｚ軸方向）に対し、実装面と、第１信号線路が形成された層との間に形成される。

本実施形態の電子機器２０３の構成とすることによって、第１０の実施形態で説明した電子機器２０２で得られる作用効果からさらに次の作用効果が得られる。以下、主に第２中間グランド導体Ｍ３２Ａについてのみ説明するが、第２中間グランド導体Ｍ３２Ｂの構成も実質的には同じである。

電子機器２０３では、第１信号線路４１、第２信号線路４２および第３信号線路４３のうち、第１信号線路４１が回路基板３０３の実装面に最も近接して配置されている。また、第２中間グランド導体Ｍ３２Ａが、積層方向に対し、回路基板３０３の実装面と、第１信号線路４１が形成された層との間に形成されている。さらに、第２中間グランド導体Ｍ３２Ａは、積層方向から視て、第１信号線路４１と第２信号線路４２との間（第１信号線路４１の＋Ｙ方向側）に配置されている。この構成により、第１信号線路４１の周囲に発生する磁界によって、第１信号線路４１と回路基板３０３に形成される導体との結合が抑制される（図１９に示す第１信号線路４１の周囲に発生する磁束φ１を参照）。

また、本実施形態では、第２中間グランド導体Ｍ３２Ａが、積層方向から視て、第２グランド導体３２よりも第１信号線路４１側に延出し、第２グランド導体３２に重ならない部分を有する。この構成により、第２中間グランド導体Ｍ３２Ａが第１信号線路４１に近接して配置されるため、第１信号線路４１の周囲に生じる磁界が効果的に遮蔽され、第１信号線路４１と回路基板３０３に形成される導体との結合を抑制できる。

さらに、本実施形態では、第２中間グランド導体Ｍ３２Ａが、他のグランド導体の少なくとも一つよりも、第１信号線路４１から離間している。そのため、第１信号線路４１と他のグランド導体との間に生じる容量に大きな影響を与えることなく、第１信号線路４１と回路基板３０３に形成される導体との結合を抑制できる。

また、第２中間グランド導体Ｍ３２Ａ，Ｍ３２Ｂの積層方向における厚みは、他のグランド導体の積層方向における厚みよりも薄い。本実施形態では、第２中間グランド導体Ｍ３２Ａ，Ｍ３２Ｂが、積層方向において多数の導体と重なる位置に配置されているため、積層体１０を形成後、多層基板の表面には凹凸が形成されやすい。しかし、この構成により、多層基板の表面に凹凸が形成されることを抑制できる。

なお、本実施形態では、第１中間グランド導体Ｍ３１Ａ，Ｍ３１Ｂおよび第２中間グランド導体Ｍ３２Ａ，Ｍ３２Ｂが、第１信号線路４１および第２信号線路４２に沿って、連続的に並走している例を示したが、この構成に限定されるものではない。第１中間グランド導体および第２中間グランド導体は、第１信号線路４１および第２信号線路４２に沿って、断続的に並走する構成でもよい。その場合には、第１中間グランド導体および第２中間グランド導体は、層間接続導体等によって他のグランド導体に接続されることが好ましい。

《その他の実施形態》
以上に示した各実施形態では、積層体が直方体である例を示したが、本発明はこの構成に限定されるものではない。積層体の平面形状は、矩形に限定されるものではなく、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。積層体の平面形状は、例えば円形、楕円形、多角形、Ｌ字形、クランク形、Ｔ字形、Ｙ字形等であってもよい。

以上に示した各実施形態では、２つ、４つまたは６つの絶縁性基材を積層して形成される積層体を備える多層基板について示したが、この構成に限定されるものではない。積層体を形成する絶縁性基材の層数は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。

また、以上に示した各実施形態では、積層体の第１主面ＶＳ１のみに保護層１が形成される構造の多層基板や、積層体の第１主面ＶＳ１および第２主面ＶＳ２の両方に保護層１，２が形成される構成の多層基板について示したが、これに限定されるものではない。積層体の第２主面ＶＳ２のみに保護層が形成される構成の多層基板であってもよい。なお、本発明の多層基板において、保護層は必須ではない。

以上に示した各実施形態では、積層体の長手方向の端部（第１端および第２端）付近に、接続部（第１接続部ＣＰ１および第２接続部ＣＰ２）が形成される例について示したが、この構成に限定されるものではない。接続部の位置は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能であり、例えば積層体の長手方向の中央付近に形成されていてもよい。

以上に示した各実施形態では、積層体の第１主面ＶＳ１のみに接続部（第１接続部ＣＰ１および第２接続部ＣＰ２）が形成される構成の多層基板について示したが、これに限定されるものではない。積層体の第２主面ＶＳ２のみに接続部が形成される構成の多層基板であってもよい。また、積層体の第１主面ＶＳ１および第２主面ＶＳ２の両方に接続部が形成される構成であってもよい。

以上に示した各実施形態では、第１接続部ＣＰ１、線路部ＳＬおよび第２接続部ＣＰ２がＸ軸方向に順に配置される多層基板について示したが、この構成に限定されるものではない。接続部（第１接続部ＣＰ１、第２接続部ＣＰ２等）および線路部ＳＬの配置は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。また、以上に示した各実施形態では、線路部ＳＬ（第１信号線路４１および第２信号線路４２等）がＸ軸方向に延伸する導体である例を示したが、この構成に限定されるものではない。線路部（第１信号線路４１および第２信号線路４２等）は、Ｘ軸方向に延伸するような直線状に限定されず、例えばＹ軸方向に曲がっていてもよい。

最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形および変更が適宜可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変更が含まれる。

ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３，ＡＰ４，ＡＰ５，ＡＰ６，ＡＰ７，ＡＰ８，ＡＰ１１，ＡＰ１２，ＡＰ２１，ＡＰ２２，ＡＰ３１，ＡＰ３２：開口部
ＣＬ１：第１伝送線路
ＣＬ２：第２伝送線路
ＣＬ３：第３伝送線路
ＣＬ４：第４伝送線路
ＳＬ：線路部
ＣＰ１：第１接続部
ＣＰ２：第２接続部
ＰＳ１：回路基板の第１面
ＰＳ２：回路基板の第２面
Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ１３，Ｖ１４，Ｖ２１，Ｖ２２、Ｖ３２，Ｖ３３、Ｖ３４、Ｖ３５、Ｖ４０：層間接続導体
Ｖ１：第１層間接続導体
Ｖ２：第２層間接続導体
Ｖ３：第３層間接続導体
Ｖ４：第４層間接続導体
Ｖ５：第５層間接続導体
Ｖ６：第６層間接続導体
Ｖ７：第７層間接続導体
Ｖ８：第８層間接続導体
Ｖ９：第９層間接続導体
Ｖ１０：第１０層間接続導体
ＶＳ１：積層体の第１主面
ＶＳ２：積層体の第２主面
１，２：保護層
４：導電性接合材
５：上部金型
６：下部金型
１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ：積層体
１１，１２，１３，１４，１５，１６：絶縁性基材
３１，３１Ｆ：第１グランド導体
３２，３２Ｆ：第２グランド導体
３３：第３グランド導体
３４：第４グランド導体
３５：第５グランド導体
３６：第６グランド導体
３７：第７グランド導体
３８，３８Ｆ：第８グランド導体
３９２，３９３，３９４，３９５，３９６１，３９６２，３９７，３９９１，３９９２：第９グランド導体
Ｍ３１Ａ，Ｍ３１Ｂ：第１中間グランド導体
Ｍ３２Ａ，Ｍ３２Ｂ：第２中間グランド導体
４０Ａ，４０Ｂ，４０Ｃ，４０Ｄ，４０Ｅ，４０Ｆ，４０Ｇ，４０Ｈ，４０Ｊ，４０Ｋ，４０Ｌ，４０Ｍ：信号線路
４１，４１Ｆ：第１信号線路
４２，４２Ｆ：第２信号線路
４３，４３Ｆ：第３信号線路
４４：第４信号線路
４５：第５信号線路
５１，５２，６１，６２：第１信号導体
７１，７２，７３，７４：第２信号導体
８１，８２，８３，８４，８５，８６，８７，８８：グランド導体
９１，９２，９３，９４，９５，９６，９７：導体
１０１，１０１Ａ，１０２，１０３，１０４，１０５、１０６、１０７、１０８、１０９、１１０，１１１：多層基板
２０１，２０２，２０３：電子機器
３０１，３０２：回路基板
３１２Ｆ，３１３Ｆ，３２１Ｆ，３８１Ｆ：突起部
４１２Ｆ，４１３Ｆ，４２０Ｆ，４３０Ｆ：屈曲部
３２０：実装部品
７１１，７１２，７２１，７２２，７３１，７３２：外部接続用導体

Claims

第１主面を有し、複数の絶縁性基材を積層してなる積層体と、
前記複数の絶縁性基材のいずれかに形成された、第１信号線路、第２信号線路、第１グランド導体、第２グランド導体、第３グランド導体、第４グランド導体、第１層間接続導体、第２層間接続導体、および第３層間接続導体と、
前記第１信号線路に接続される第１外部接続電極と、
前記第２信号線路に接続される第２外部接続電極と、
第１中間グランド導体と、
を備える伝送線路基板と、
前記伝送線路基板が面実装される回路基板と、
を備えており、
前記積層体は、前記第１信号線路および第２信号線路が延伸する伝送方向に長尺状であり、
前記第１信号線路と、前記第１グランド導体と、前記複数の絶縁性基材のうち前記第１信号線路および前記第１グランド導体で挟まれる絶縁性基材と、を含んで第１伝送線路が構成され、
前記第２信号線路と、前記第２グランド導体と、前記複数の絶縁性基材のうち前記第２信号線路および前記第２グランド導体で挟まれる絶縁性基材と、を含んで第２伝送線路が構成され、
前記第２信号線路は、前記第１信号線路とは異なる層に形成され、前記複数の絶縁性基材の積層方向から視て前記第１信号線路に並走し、
前記第１グランド導体は、前記第２信号線路と同じ層に形成され、前記積層方向から視て前記第１信号線路に重なり、
前記第２グランド導体は、前記積層方向から視て前記第２信号線路に重なり、
前記第３グランド導体は、前記第２グランド導体とは異なる層に形成され、前記積層方向に対し前記第１信号線路を挟んで前記第１グランド導体に対向して配置され、
前記第４グランド導体は、前記第１グランド導体とは異なる層に形成され、前記積層方向に対し前記第２信号線路を挟んで前記第２グランド導体に対向して配置され、
前記第１層間接続導体は、前記第１グランド導体と前記第２グランド導体とを導通させ、
前記第２層間接続導体は、前記第２グランド導体と前記第３グランド導体とを導通させ、
前記第３層間接続導体は、前記第１グランド導体と前記第４グランド導体とを導通させ、
前記第１外部接続電極および前記第２外部接続電極は、前記積層体の前記伝送方向における両端付近にそれぞれ配置され、
前記第１中間グランド導体は、前記積層方向に対し、前記第１信号線路が形成された層と前記第２信号線路が形成された層との間に位置する層に形成されており、
前記第１信号線路および前記第２信号線路のうち、前記第１信号線路は、前記回路基板の実装面に最も近接して配置され、
前記伝送線路基板は、
前記積層方向に対し、前記実装面と、前記第１信号線路が形成された層との間に形成される第２中間グランド導体を備え、
前記第２中間グランド導体は、前記積層方向から視て、前記第１信号線路と前記第２信号線路との間に配置される、
電子機器。
前記複数の絶縁性基材のいずれかに形成された、第５グランド導体および第６グランド導体をさらに備え、
前記第５グランド導体は、前記第１信号線路および前記第２グランド導体と同じ層に形成され、前記第１信号線路に並走し、且つ、前記第１信号線路に対して前記第２グランド導体とは反対側に配置され、
前記第６グランド導体は、前記第２信号線路および前記第１グランド導体と同じ層に形成され、前記第２信号線路に並走し、且つ、前記第２信号線路に対して前記第１グランド導体とは反対側に配置される、
請求項１に記載の電子機器。
前記複数の絶縁性基材は、それぞれ熱可塑性樹脂である、
請求項１または２に記載の電子機器。
前記第１伝送線路および前記第２伝送線路は、前記積層方向に曲げられた曲げ部を有する、
請求項１から３のいずれかに記載の電子機器。
前記積層体は、可撓性を有する、
請求項１から４のいずれかに記載の電子機器。
前記積層体の前記積層方向に直交する第１主面には、
前記積層方向に視て、全ての信号線路に重なるグランド導体を備える、
請求項１から５のいずれかに記載の電子機器。
前記第２グランド導体は、前記第１信号線路と同じ層に形成され、
前記第１中間グランド導体は、前記積層方向から視て、前記第１信号線路と前記第２信号線路との間に配置される、
請求項１から６のいずれかに記載の電子機器。
前記第１中間グランド導体は、他のグランド導体の少なくとも一つよりも、前記第１信号線路または前記第２信号線路から離間している、
請求項１から７のいずれかに記載の電子機器。
前記第１中間グランド導体は、前記積層方向から視て、前記第２グランド導体よりも前記第１信号線路側に延出して、前記第２グランド導体に重ならない部分を有する、
請求項８に記載の電子機器。
前記第１中間グランド導体は、前記積層方向から視て、前記第１グランド導体よりも前記第２信号線路側に延出して、前記第１グランド導体に重ならない部分を有する、
請求項８または９に記載の電子機器。
前記第１中間グランド導体は、他のグランド導体よりも前記積層方向における厚みが薄い、
請求項１から１０のいずれかに記載の電子機器。
前記第２信号線路に並走する第３信号線路を備え、
前記第３信号線路は、
前記積層方向において、前記第２信号線路と同じ位置に配置されており、
前記積層方向および並走する方向に直交する幅方向において、前記第１グランド導体を挟んで前記第２信号線路と反対側に配置されており、
前記第１グランド導体の幅方向の中心を通り、並走する方向および前記積層方向に平行な基準面に対して、前記第２信号線路と対称の位置に配置されている、
請求項１から１１のいずれかに記載の電子機器。
前記第３信号線路を含んで構成される第３伝送線路と、前記第２伝送線路とは、前記第１グランド導体の幅方向の中心を通り、並走する方向および前記積層方向に平行な基準面に対して対称の位置に配置されている、
請求項１２に記載の電子機器。
前記第１信号線路に並走する第４信号線路を備え、
前記第４信号線路は、前記積層方向において、前記第１グランド導体を基準にして、前記第１信号線路と対称の位置に配置されている、
請求項１から１３のいずれかに記載の電子機器。
前記第４信号線路を含んで構成される第４伝送線路と、前記第１伝送線路とは、前記第１グランド導体を基準にして対称の位置に配置されている、
請求項１４に記載の電子機器。
前記第１伝送線路から前記第４伝送線路を含む５個以上の所定数の伝送線路を備え、
前記所定数の伝送線路は、前記積層方向および該積層方向に直交する第１方向において、対称形に配置されている、
請求項１５に記載の電子機器。
前記第２中間グランド導体は、他のグランド導体の少なくとも一つよりも、前記第１信号線路から離間している、
請求項１から請求項１６のいずれかに記載の電子機器。
前記第２中間グランド導体は、前記積層方向から視て、前記第２グランド導体よりも前記第１信号線路側に延出して、前記第２グランド導体に重ならない部分を有する、
請求項１７に記載の電子機器。
前記第２中間グランド導体は、他のグランド導体よりも前記積層方向における厚みが薄い、
請求項１から請求項１８のいずれかに記載の電子機器。