JP7085378B2 - チップ抵抗器 - Google Patents

Description

この発明は、チップ抵抗器に関する。

一般的にチップ抵抗器は、絶縁基板と、絶縁基板の表面に形成された抵抗体と、抵抗体の両側に配置された電極と、を有して構成される。

チップ抵抗器の製造方法では、大判基板に対して、多数個分の電極や抵抗体を形成した後、大判基板を分割して、チップ抵抗器を多数個取りしている。

抵抗体は、大判基板の表面に、抵抗ペーストを印刷・焼成することにより多数形成される。このとき、印刷時の膜厚ばらつきや滲み、或いは、焼成炉内の温度むら等により、各抵抗体の抵抗値にばらつきが生じやすい。

このため、大判基板の状態で、各抵抗体に、トリミング溝を形成して、所定の抵抗値に設定するという抵抗値調整作業が行われる。

特許文献１の記載によれば、抵抗体に、粗調製用及び微調製用の略Ｌ字型のトリミング溝を形成している。

特許文献１に記載の発明では、抵抗体の中央付近で、粗調製用のトリミング溝と、微調製用のトリミング溝とを交差させる構成を特徴にしている。

特開２０００－３４０４０１号公報

しかしながら、抵抗体の中央付近で、各トリミング溝が交差するように形成すると、抵抗体の中央に電位分布が集中し（電界強度が強まり）、抵抗体の中央にホットスポットが生じる。かかる構成では、ホットスポットが、電極から遠い抵抗体の中央に生じるため、放熱性が低下する。

また、抵抗体にトリミング溝を入れると、トリミング後のマイクロクラックが抵抗体の電気的特性や耐久性に支障をきたす問題が生じる。マイクロクラックは、トリミングを抵抗体の端辺から抵抗体内に描画したときのトリミング溝の終端で発生する。したがって、トリミング溝の終端で生じるマイクロクラックに起因する特性への悪影響を軽減しなければいけない。

そこで本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、特に、ホットスポットを分散させると共に、マイクロクラックに起因する特性への悪影響を軽減することができるチップ抵抗器を提供することを目的とする。

本発明のチップ抵抗器は、基板と、前記基板の表面に形成された抵抗体と、前記抵抗体の両側に形成された電極と、を有し、前記抵抗体には、少なくとも、第１トリミング溝及び第２トリミング溝が形成されており、前記第１トリミング溝及び前記第２トリミング溝は、夫々、電極間方向に対し直交方向にて対向する前記抵抗体の一方の端辺から前記直交方向に向けて縦溝が延出するとともに、前記縦溝から前記電極間方向に屈曲して横溝が延出しており、前記第１トリミング溝の第１縦溝と、前記第２トリミング溝の第２縦溝とは、前記電極間方向に間隔を空けて形成されており、前記第１トリミング溝の第１横溝と、前記第２トリミング溝の第２横溝とは、互いに近づく方向に延出すると共に、前記直交方向で重ならないように、前記第１横溝及び前記第２横溝の各終端が、前記電極間方向に離れて形成されており、前記第１トリミング溝の前記第１横溝の終端から、前記終端が向く側の前記電極と前記一方の端辺との交点までを結ぶ第１仮想線と、前記終端から前記一方の端辺までを前記直交方向に向けて結ぶ第２仮想線と、前記一方の端辺と、の間で囲まれた領域内に、前記第２トリミング溝が形成されることを特徴とする。

本発明では、前記第１トリミング溝の前記第１縦溝と、前記第１縦溝に近い側の前記電極との間の距離、及び、前記第２トリミング溝の前記第２縦溝と、前記第２縦溝に近い側の前記電極との間の距離は、ほぼ等しいことが好ましい。

本発明のチップ抵抗器によれば、ホットスポットを分散することができると共に、マイクロクラックの特性への悪影響を軽減することができる。

本実施形態におけるチップ抵抗器の平面図である。 図１に示すＡ－Ａ線に沿って切断し矢印方向から見た、本実施形態におけるチップ抵抗器の断面図である。 抵抗体に、第１トリミング溝（粗調製用のトリミング溝）を形成した際の電位分布を示す電位分布図である。 図３に続いて、抵抗体に、第２トリミング溝（微調整用のトリミング溝）を形成した際の電位分布を示す電位分布図である。 第１トリミング溝及び第２トリミング溝を備える抵抗体に生じたホットスポットを説明するための抵抗体の平面模式図である。 比較例のチップ抵抗器を構成する抵抗体の平面図である。 別の実施形態におけるチップ抵抗器の平面図である。 別の実施形態におけるチップ抵抗器の平面図である。 図９Ａは、本実施形態におけるチップ抵抗器の製造工程を示す平面図であり、図９Ｂは、図９Ａの次の製造工程を示す平面図であり、図９Ｃは、図９Ｂの次の製造工程を示す平面図である。 、図１０Ａは、図９Ｃの次の製造工程を示す平面図であり、図１０Ｂは、図１０Ａの次の製造工程を示す平面図であり、図１０Ｃは、図１０Ｂの次の製造工程を示す平面図であり、図１０Ｄは、図１０Ｃの次の製造工程を示す平面図である。

以下、本発明の一実施形態（以下、「実施形態」と略記する。）について、詳細に説明する。なお、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々変形して実施することができる。

＜チップ抵抗器＞
図１は、本実施形態におけるチップ抵抗器の平面図である。図２は、図１に示すＡ－Ａ線に沿って切断し矢印方向から見た、本実施形態におけるチップ抵抗器の断面図である。

（チップ抵抗器の各構成要素）
図１、図２に示すＸ１－Ｘ２方向は、電極間方向、或いは横方向であり、Ｘ１方向は、左方向であり、Ｘ２方向は、右方向である。以下では、主に、横方向（Ｘ１－Ｘ２）と表現する。図１に示すＹ１－Ｙ２方向は、Ｘ１－Ｘ２方向に対して直交方向、或いは縦方向である。以下では、主に、縦方向（Ｙ１－Ｙ２）と表現する。図２に示すＺ１－Ｚ２方向は、Ｘ１－Ｘ２方向、及びＹ１－Ｙ２方向に対して直交する高さ方向であり、Ｚ１方向は、チップ抵抗器１の表面方向であり、Ｚ２方向は、チップ抵抗器１の裏面方向である。

図１、図２に示すように、チップ抵抗器１は、絶縁基板２と、絶縁基板２の表面２ａに形成された抵抗体３と、抵抗体３の横方向（Ｘ１－Ｘ２）の両側に配置された一対の電極４、５と、を有して構成される。

図１、図２に示すように、例えば、絶縁基板２は、板状であるが、絶縁基板２の形状を限定するものではない。図１、図２に示すように、絶縁基板２は、表面２ａ、裏面２ｂ、及び、表面２ａと裏面２ｂ間を囲む側面を有して構成される。側面のうち、図１、図２では、左側面２ｃ、及び右側面２ｄに符号を付した。

絶縁基板２は、セラミック等からなり、この絶縁基板２は、後述する大判基板を縦横の分割溝に沿って分割し、多数個取りされたものである。

図１に示すように、抵抗体３は、絶縁基板２の表面２ａに、例えば、長方形状で形成される。図１に示すように、抵抗体３は、Ｙ２側に位置し横方向（Ｘ１－Ｘ２）に延出する第１端辺３ａと、Ｙ１側に位置し横方向（Ｘ１－Ｘ２）に延出する第２端辺３ｂと、第１端辺３ａと第２端辺３ｂとの各左端を繋ぎ、縦方向（Ｙ１－Ｙ２）に延出する左端辺３ｃと、第１端辺３ａと第２端辺３ｂとの各右端を繋ぎ、縦方向（Ｙ１－Ｙ２）に延出する右端辺３ｄと、を有する。なお、図１に示す抵抗体３の平面形状は、一例である。

抵抗体３は、例えば、Ｃｕ－Ｎｉや酸化ルテニウム等の抵抗体ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものである。

左側に配置される第１電極４は、絶縁基板２の表面２ａに形成された上電極４ａと、上電極４ａに対応する、絶縁基板２の裏面２ｂに形成された下電極４ｂと、上電極４ａと下電極４ｂとの間を電気的に接続し、左側面２ｃ上に形成される端面電極４ｃと、を有して構成される。端面電極４ｃの表面には、電極メッキ層が形成される。

同様に、右側に配置される第２電極５は、絶縁基板２の表面２ａに形成された上電極５ａと、上電極５ａに対応する、絶縁基板２の裏面２ｂに形成された下電極５ｂと、上電極５ａと下電極５ｂとの間を電気的に接続し、右側面２ｄ上に形成される端面電極５ｃと、を有して構成される。端面電極５ｃの表面には、電極メッキ層が形成される。

図２に示すように、各上電極４ａ、５ａは、絶縁基板２の表面２ａにて左右に分離して形成されている。抵抗体３は、上電極４ａ、５ａ上に一部重なるように、絶縁基板２の表面２ａに形成されている。

上電極４ａ、５ａ及び下電極４ｂ、５ｂは、例えば、Ａｇ系ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成して形成される。端面電極４ｃ、５ｃは、例えば、絶縁基板２の端面２ｃ、２ｄに、例えば、Ａｇ系ペーストを塗布して、乾燥・焼成したものや、Ａｇ系ペーストの代わりに、Ｎｉ／Ｃｒ等をスパッタして成る。そして、端面電極４ｃ、５ｃの表面には、ＮｉやＡｕ、或いは、Ｓｎ等の電極メッキ層が形成される。

また、図２に図示するように、抵抗体３の表面には、第１オーバーコート層６が形成される。更に、第１オーバーコート層６の表面に、第２オーバーコート層７が形成される。これにより、抵抗体３を外部環境から保護することができる。例えば、第１オーバーコート層６は、ガラスを主成分としており、第２オーバーコート層７は、エポキシ系の樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化させたものである。

ところで、発明者らは、鋭意研究を重ねた結果、抵抗体３の抵抗値調製用としてのトリミング溝の形成に関し、抵抗体３内で生じるホットスポットを分散させると共に、マイクロクラックによる特性への悪影響を抑制する観点から本発明に至った。

以下、本実施形態における第１トリミング溝１１及び第２トリミング溝１２の特徴点について、説明する。

図１に示す長さが長い第１トリミング溝１１は、抵抗値の粗調製用としてのトリミング溝である。一方、図１に示す第２トリミング溝１２は、第１トリミング溝１１よりも長さが短い、抵抗値の微調整用としてのトリミング溝である。

図１に示すように、第１トリミング溝１１は、例えば、抵抗体３の第１端辺３ａからＹ１方向に向けて延出するとともに、抵抗体３内で右方向（Ｘ２）に屈曲する略Ｌ字型で形成される。第１トリミング溝１１は、Ｙ１方向に延出する第１縦溝１１ａと、第１縦溝１１ａから右方向（Ｘ２）に延出する第１横溝１１ｂと、を具備する。

また、図１に示すように、第２トリミング溝１２は、例えば、抵抗体３の第１端辺３ａからＹ１方向に向けて延出するとともに、抵抗体３内で左方向（Ｘ１）に屈曲する略Ｌ字型で形成される。第２トリミング溝１２は、Ｙ１方向に延出する第２縦溝１２ａと、第２縦溝１２ａから左方向（Ｘ１）に延出する第２横溝１２ｂと、を具備する。

図１に示すように、第１縦溝１１ａと、第２縦溝１２ａは、横方向（Ｘ１－Ｘ）に間隔を空けて形成されている。第１縦溝１１ａは、第２縦溝１２ａよりも長く形成される。

また、図１に示すように、第１横溝１１ｂ及び第２横溝１２ｂは、第１縦溝１１ａ及び第２縦溝１２ａから夫々屈曲して、互いに近づく方向に延出している。加えて、各横溝１１ｂ、１２ｂが、縦方向（Ｙ１－Ｙ２）で重ならないように、各横溝１１ｂ、１２ｂの終端１１ｃ、１２ｃが、横方向（Ｘ１－Ｘ２）に離れて形成されている。なお、第１横溝１１ｂは、第２横溝１２ｂよりも長く形成される。

ここで、「終端」とは、レーザ光を照射して抵抗体３をトリミングする際の照射終点である。照射始点は、各トリミング溝１１、１２の第１端辺３ａの位置であり、この位置が、各トリミング溝１１、１２の「始端」に該当する。

図１に示すように、略Ｌ字型の第１トリミング溝１１及び第２トリミング溝１２は、互いに向き合い、且つ、縦方向（Ｙ１-Ｙ２）で重ならないように、第１トリミング溝１１は、左側の電極４寄りに、第２トリミング溝１２は、右側の電極５寄りに夫々形成されている。

本実施形態では、各トリミング溝１１、１２の形成に伴って、抵抗体３内で生じるホットスポットを分散させることができる。ホットスポットの分散効果について、図３及び図４の電位分布図を用いて説明する。

（ホットスポットの分散効果）
図３は、粗調製用のトリミング溝としての第１トリミング溝１１を、抵抗体３に形成した際の電位分布図である。

図３に示すように、レーザ光を、抵抗体３の第１端辺３ａからＹ１方向に向けて照射するとともに、右方向（Ｘ２）にターンして、略Ｌ字型の第１トリミング溝１１を形成する。

第１トリミング溝１１は、抵抗体３の横方向（Ｘ１－Ｘ２）の中心よりも左寄りに形成される。第１トリミング溝１１は、第１縦溝１１ａと第１横溝１１ｂとを具備して形成される。このとき、第１縦溝１１ａは、第１電極４から、距離ａの位置に形成される。また、第１横溝１１ｂは、第１電極４から離れる方向である右方向（Ｘ２）に向けて形成される。

図３に示すように、第１トリミング溝１１の形成により、第１横溝１１ｂと、抵抗体３の第２端辺３ｂとの間の縦方向（Ｙ１―Ｙ２）への間隔は、他の箇所に比べて狭くなる。以下、第１横溝１１ｂと、第２端辺３ｂとの間を、第１領域Ａという。このように、第１領域Ａの間隔は狭くなっているため、電極４、５間に電圧を印加した状態では、第１領域Ａでの電界強度は高くなる。一方、第１トリミング溝１１の終端１１ｃと、終端１１ｃが向く側の第２電極５と第１端辺３ａとの交点Ｏまでを結ぶ第１仮想線Ｌ１と、終端１１ｃから第１端辺３ａまでを縦方向（Ｙ１－Ｙ２）に向けて結ぶ第２仮想線Ｌ２と、第１端辺３ａと、の間で囲まれた領域Ｂでの電界強度は、第１領域Ａに比べて低い。

ここで、図３に示すように、第１仮想線Ｌ１は、直線でなく、第２端辺３ｂ方向に膨らむ曲線として定義することが好ましい。第１仮想線Ｌ１は、等電位線の間隔が、第２端辺３ｂ側から第１端辺３ａ側に向けて広がり始める略境界位置であることが好ましい。図３の電位分布図から、略境界位置をたどると、第２端辺３ｂ方向にやや膨らむ曲線となる。なお、第１仮想線Ｌ１を直線としたほうが、第２トリミング溝１２を形成するための領域Ｂの規定が、よりシビアな条件となり、より好ましい。

図４に示すように、本実施形態では、レーザ光を、抵抗体３の第１端辺３ａからＹ１方向に向けて照射するとともに、左方向（Ｘ１）にターンして、略Ｌ字型からなる微調整用の第２トリミング溝１２を形成する。

第２トリミング溝１２は、抵抗体３の横方向（Ｘ１－Ｘ２）の中心よりも右寄りに形成される。第２トリミング溝１２は、第２縦溝１２ａと第２横溝１２ｂとを具備して形成された略Ｌ字型である。このとき、第２縦溝１２ａと、第２電極５との間の間隔は、第１縦溝１１ａと第１電極４との間の距離ａとほぼ等しい距離ａで形成されることが好ましい。また、第２横溝１２ｂの終端１２ｃは、左方向（Ｘ１）に向けて形成される。したがって、第１トリミング溝１１の終端１１ｃと、第２トリミング溝１２の終端１２ｃとは、互いに近づく方向に延出している。

加えて、本実施形態では、第１トリミング溝１１の第１横溝１１ｂと、第２トリミング溝１２の第２横溝１２ｂとは、縦方向（Ｙ１－Ｙ２）で重ならないように、第１トリミング溝１１の終端１１ｃ及び第２トリミング溝１２の終端１２ｃは、互いに横方向（Ｘ１－Ｘ２）に離れて形成されている。

第２トリミング溝１２の形成により、第２横溝１２ｂと、抵抗体３の第２端辺３ｂとの間の縦方向（Ｙ１―Ｙ２）への間隔は、領域Ａを除く他の箇所よりも狭くなる。以下、第２横溝１２ｂと、第２端辺３ｂとの間を、第２領域Ｃという。このように、第２領域Ｃの間隔は、狭くなっている。このため、電極４、５間に電圧を印加した状態では、第２領域Ｃでの電界強度は高くなる。ただし、第２領域Ｃに比べて、第１領域Ａのほうがより狭いため、電界強度は、第１領域Ａｂのほうが、第２領域Ｃよりも高い。

電界強度が高い第１領域Ａ及び第２領域Ｃは、縦方向（Ｙ１－Ｙ２）への間隔が広い他の領域に比べて、ホットスポットになる。

図５は、抵抗体内の温度分布を示す模式図である。図５に示すように、ホットスポットＨ１は、第１トリミング溝１１の第１横溝１１ｂ付近に生じる。また、ホットスポットＨ２は、第２トリミング溝１２の第２横溝１２ｂ付近で生じる。図５に示すように、温度の高い領域は、第１トリミング溝１１の第１横溝１１ｂ付近のほうが、第２トリミング溝１２の第２横溝１２ｂ付近に比べて広い。

図６は、比較例として、抵抗体２０にトリミング溝２１、２２を設けた一例である。図６に示すように、粗調整用としての第１トリミング溝２１の第１横溝２１ｂの一部と、微調整用としての第２トリミング溝２２の第２横溝２２ｂの一部とが、縦方向（Ｙ１－Ｙ２）にて重なっている。重なり幅を寸法ｂで示した。

図６に示す比較例では、第１トリミング溝２１の第１横溝２１ｂと抵抗体２０の第２端辺２０ｂとの間の間隔は、他の箇所に比べて狭い。図６に示される第１横溝２１ｂと第２端辺２０ｂとの間の領域Ｄは、電界強度が高くなり、ホットスポットになる。

図６に示す比較例では、抵抗体２０の横方向（Ｘ１－Ｘ２）の中央付近にホットスポットが生じる。これに対して、本実施形態では、図４に示すように、電界強度が高い領域Ａ、Ｃを左右方向（Ｘ１－Ｘ２）に分けることができる。したがって、図５に示すように、ホットスポットＨ１、Ｈ２を左右方向に分散することができる。

図６に示す比較例では、ホットスポットが抵抗体２０の中央付近に生じるため、ホットスポットは、電極４、５から遠い位置にある。したがって、ホットスポットの熱を電極４、５に適切に逃がしにくい。

これに対して、本実施形態では、図５に示すように、ホットスポットＨ１、Ｈ２を分散でき、第１トリミング溝１１の第１横溝１１ｂ付近で生じたホットスポットＨ１を、第１電極４側に寄せることができる。また、第２トリミング溝１２の第２横溝１２ｂ付近で生じたホットスポットＨ２を、第２電極５側に寄せることができる。

したがって、本実施形態では、ホットスポットＨ１の熱を、第１電極４の上電極４ａに、ホットスポットＨ２の熱を、第２電極５の上電極５ａに、夫々適切に逃がすことができる。

また、本実施形態では、第１トリミング溝１１と第１電極４の下電極４ｂとの距離、及び、第２トリミング溝１２と第２電極５の下電極５ｂとの距離も、図６の比較例に比べて短くすることができる（図２参照）。このため、ホットスポットＨ１の熱を、第１電極４の下電極４ｂに向けても逃がしやすい。同様に、ホットスポットＨ２の熱を、第２電極５の下電極５ｂに向けても逃がしやすい。

（マイクロクロックについて）
マイクロクロックについて説明する。本実施形態では、第１トリミング溝１１の終端１１ｃと、第２トリミング溝１２の終端１２ｃとを、互いに近づく方向に延出させている。このため、終端１１ｃ、１２ｃで発生するマイクロクラックの少なくとも一部は、トリミング溝１１、１２間で電流の流れない領域に伸展する。その結果、抵抗値の経時変化を適切に、抑制することができる。更に、詳細に説明する。

本実施形態では、図４に示すように、第１トリミング溝１１の終端１１ｃから第２電極５にかけて徐々に縦方向（Ｙ１-Ｙ２）への幅が狭くなる領域Ｂに、微調整用の第２トリミング溝１２を形成する。領域Ｂは、電流が流れない領域、或いは、少なくとも他の領域に比べて電流が流れにくい領域である。しかも、本実施形態では、第２トリミング溝１２の終端１２ｃを、第１トリミング溝１１の終端１１ｃに向かう方向に設けている。このため、第２トリミング溝１２の終端１２ｃで生じるマイクロクラックは、領域Ｂの縦方向（Ｙ１－Ｙ２）への間隔が広がる側に伸展する。したがって、抵抗値の経時変化は、第２トリミング溝１２で生じるマイクロクラックにて影響を受けず、或いは、少なくとも、マイクロクラックの影響を極力受けない。

また、第１トリミング溝１１の終端１１ｃで生じるマイクロクラックの一部も、領域Ｂ内に伸展しやすい。このため、第１トリミング溝１１で生じるマイクロクラックの悪影響も極力抑制することができる。

以上により、本実施形態の構成によれば、ホットスポットＨ１、Ｈ２を分散でき、放熱性を向上させることができると共に、各トリミング溝１１、１２の終端１１ｃ、１２ｃで発生するマイクロクラックの特性への悪影響を軽減することができる。

本実施形態では、図４に示すように、第１トリミング溝１１の第１縦溝１１ａと、第１電極４との間の距離ａと、第２トリミング溝１２の第２縦溝１２ａと、第２電極５との間の距離ａとは、ほぼ等しいことが好ましい。「ほぼ等しい」とは、一方の距離ａを、他方の距離ａで割った値が、約０．９～１．１以内であると定義される。また、各距離ａは、等しいことが好ましい。なお「等しい」とは、製造誤差を含む概念である。

この構成によれば、抵抗体３内で生じる電位分布の左右バランスがよくなる。また、トリミングの際の熱による電極４、５から抵抗体３への電極材料の拡散が両側でバランスよく生じる。これにより、トリミングによる抵抗温度係数（ＴＣＲ）の変動を抑制することができる。

（他の実施形態）
他の実施形態の構成について説明する。図７に示す実施形態では、第１トリミング溝３１と第２トリミング溝３２とが、ほぼ同じ長さで形成されている。すなわち、第１トリミング溝３１の第１縦溝３１ａと、第２トリミング溝３２の第２縦溝３２ａとは、夫々、ほぼ同じ長さである。また、第１トリミング溝３１の第１横溝３１ｂと、第２トリミング溝３２の第２横溝３２ｂとは、夫々、ほぼ同じ長さで形成される。

図７に示す実施形態においても、図１に示す実施形態と同様に、第１トリミング溝３１の第１横溝３１ｂ及び、第２トリミング溝３２の第２横溝３２ｂは、互いに近づく方向に延出している。更に、第１横溝３１ｂと第２横溝３２ｂとが、縦方向（Ｙ１－Ｙ２方向）で重ならないように、各終端３１ｃ、３２ｃが、横方向（Ｘ１－Ｘ２）に離れて形成されている。

また、図７に示す実施形態においても、第１トリミング溝３１の第１縦溝３１ａと、第１電極４との間の距離ａと、第２トリミング溝３２の第２縦溝３２ａと、第２電極５との間の距離ａとは、ほぼ等しいことが好ましい。

図７に示す実施形態においても、ホットスポットを左右に分散でき、放熱性を向上させることができると共に、各トリミング溝３１、３２の終端３１ｃ、３２ｃで発生するマイクロクラックの特性への悪影響を軽減することができる。ただし、マイクロクロックに関しては、図７よりも図１の構成のほうが、より効果的にマイクロクロックの特性への悪影響を軽減することができる。

図８に示す他の実施形態では、トリミング溝が３つ形成されている。図８に示す第１トリミング溝４１は、粗調整用のトリミング溝であり、第２トリミング溝４２及び第３トリミング溝４３は、微調整用のトリミング溝である。

第１トリミング溝４１は、抵抗体３の第１端辺３ａからＹ１方向に延出するとともに、左方向（Ｘ１）に屈曲した略Ｌ字型である。第１トリミング溝４１は、第１縦溝４１ａと第１横溝４１ｂとを具備して構成される。

第２トリミング溝４２は、抵抗体３の第１端辺３ａからＹ１方向に延出するとともに、右方向（Ｘ２）に向けて屈曲した略Ｌ字型である。第２トリミング溝４２は、第２縦溝４２ａと第２横溝４２ｂとを具備して構成される。

図８に示すように、第１トリミング溝４１の第１横溝４１ｂと、第２トリミング溝４２の第２横溝４２ｂとは、互いに近づく方向に延出すると共に、縦方向（Ｙ１－Ｙ２）で重ならないように、各終端４１ｃ、４２ｃが、横方向（Ｘ１－Ｘ２）に離れて形成されている。

図８に示すように、第１トリミング溝４１を挟んで左右両側に、微調整用の第２トリミング溝４２と第３トリミング溝４３とが形成されている。

図８に示すように、第３トリミング溝４３は、抵抗体３の第１端辺３ａからＹ１方向に延出するとともに、左方向（Ｘ１）に向けて屈曲した略Ｌ字型である。第３トリミング溝４３は、第３縦溝４３ａと第３横溝４３ｂとを具備して構成される。

図８では、トリミング長さは、第１トリミング溝４１が最も長く、第２トリミング溝４２が次に長く、第３トリミング溝４３が最も短い。第３トリミング溝４３は、第２トリミング溝４２と同程度の長さであってもよい。

図８に示すように、第１トリミング溝４１の終端４１ｃと、該終端４１ｃが向く側の第１電極４と第１端辺３ａとの交点Ｏ１とを結ぶ第１仮想線Ｌ１、終端４１ｃから縦方向（Ｙ１－Ｙ２）に向けて第１端辺３ａまで引いた第２仮想線Ｌ２、及び第１端辺３ａ、で囲まれる領域Ｂに、第２トリミング溝４２が形成される。

また、第１トリミング溝４１の屈曲端４１ｄと、第２電極５と第１端辺３ａとの交点Ｏ２とを結ぶ第３仮想線Ｌ３、第１トリミング溝４１の第１縦溝４１ａ、及び第１端辺３ａ、で囲まれる領域Ｅに、第３トリミング溝４３が形成される。

図８に示す実施形態においても、各トリミング溝４１、４２、４３は、夫々、縦方向（Ｙ１-Ｙ２）で重なっておらず、ホットスポットを左右に分散できる。したがって、放熱性を向上させることができる。加えて、各トリミング溝４１、４２、４３の終端４１ｃ、４２ｃ、４３ｃで発生するマイクロクラックの特性への悪影響を軽減することができる。

本実施形態では、トリミング溝を４本以上としてもよい。図８に示す第１トリミング溝４１の左右に形成される各領域Ｂ、Ｅに微調整用のトリミング溝を形成することができる。このとき、微調整用のトリミング溝の横溝を、粗調整用の第１トリミング溝４１に向けて延出させることで、マイクロクラックの特性への悪影響を効果的に軽減することができる。

＜チップ抵抗器の製造方法＞
図９は、本実施形態におけるチップ抵抗器の製造工程を示す平面図である。

図９Ａでは、まず、絶縁基板２が多数個取りされる大判基板１００を用意する。大判基板１００には、予め１次分割溝１０１と２次分割溝１０２とが格子状に設けられている。そして、１次分割溝１０１、及び２次分割溝１０２によって区切られたマス目の夫々が１個分のチップ領域となる。

図９Ｂに示す工程では、第１電極４及び第２電極５の各上電極４ａ、５ａを構成する複数の電極層１０３を大判基板１００の表面側の所定位置に形成する。また、図示しないが、第１電極４及び第２電極５の各下電極４ｂ、５ｂを構成する電極層を大判基板１００の裏面側の所定位置に形成する。電極層１０３は、大判基板１００に、例えば、Ａｇ系ペーストをスクリーン印刷した後、これを乾燥・焼成することで形成することができる。

次に、図９Ｃに示す工程では、大判基板１００の表面に、Ｃｕ－Ｎｉや酸化ルテニウム等の抵抗体ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成することにより、電極層１０３間の各領域に抵抗体３を形成する。これにより、電極層１０３間を、抵抗体３を介して接続することができる。

次に、図１０Ａに示す工程では、抵抗体３の表面からガラスペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成することにより、抵抗体を覆う第１オーバーコート層６を形成する。

次に、図１０Ｂに示す工程では、各抵抗体３に粗調整用の第１トリミング溝１１を形成して、抵抗体３の抵抗値を目標抵抗値よりも若干、低い値に粗調整する。

続いて、各抵抗体３に、微調整用の第２トリミング溝１２を形成して、抵抗体３の抵抗値を目標抵抗値となるように微調整する。例えば、第２トリミング溝１２を形成して、抵抗体３の抵抗値を目標抵抗値よりも僅かに低い抵抗値に微調整する。その後、抵抗値を目標抵抗値まで上昇させる仕上げ調整として、第３トリミング溝を形成してもよい。

第１トリミング溝１１及び第２トリミング溝１２の形成に関しては、図３、図４を用いて既に説明したように、第１トリミング溝１１の第１横溝１１ｂと、第２トリミング溝１２の第２横溝１２ｂとを、互いに近づく方向に延出させる。更に、縦方向で重ならないように、第１トリミング溝１１と第２トリミング溝１２の各終端１１ｃ、１２ｃを横方向に離して形成する。

なお、トリミングは、抵抗体３と、抵抗体３の表面を覆う第１オーバーコート層６に形成される（図２参照）。図１０Ｂでは、第１オーバーコート層６は図示せず、抵抗体３に形成された第１トリミング溝１１及び第２トリミング溝１２を図示した。

次に、図１０Ｃに示す工程では、抵抗体の表面を覆う第１オーバーコート層６上に第２オーバーコート層７を形成する。第２オーバーコート層７は、例えば、エポキシ系の樹脂ペーストをスクリーン印刷して、加熱加工することにより形成することができる。

次に、図１０Ｃに示す大判基板１００を、１次分割溝１０１に沿って短冊状に分割する（１次分割加工）。これにより、複数個分のチップ抵抗器が一体に連なった短冊状基板（図示しない）を得る。次いで、短冊状基板の分割面に、例えば、Ａｇペーストを塗布して乾燥・焼成し、或いは、Ａｇペーストの代わりに、Ｎｉ／Ｃｒをスパッタする。これにより、各上電極と各下電極間を電気的に接続する端面電極（図１０Ｃには図示しないが、図２の端面電極５ｃを参照）を形成する。

続いて、短冊状基板を２次分割溝１０２に沿って分割する（２次分割加工）。これにより、複数個のチップ抵抗器１を得ることができる。最後に、図１０Ｄに示す個片化されたチップ抵抗器１の電極表面に、ＮｉとＡｕとＳｎ等の電解メッキを施すことで、図１、図２に示すチップ抵抗器１を得ることができる。

本実施形態のチップ抵抗器１の製造方法によれば、抵抗体３をトリミングして抵抗調整する際、粗調整用の第１トリミング溝１１を形成した後、微調整用の第２トリミング溝１２を形成する。このとき、第２トリミング溝１２の第２横溝１２ｂを、第１トリミング溝１１の第１横溝１１ｂに近づくように形成すると共に、縦方向（Ｙ１－Ｙ２）で重ならないように、第１トリミング溝１１の終端１１ｃと、第２トリミング溝１２の終端１２ｃとを、横方向（Ｘ１－Ｘ２）に離して形成する（図４参照）。

これにより、抵抗体３内に生じるホットスポットを左右方向に分散することができると共に、終端１１ｃ、１２ｃで発生するマイクロクラックによる特性への悪影響を適切に抑制することが可能になる。

以上により、本実施形態のチップ抵抗器の製造方法によれば、放熱性に優れ、且つ、トリミング後における抵抗温度係数（ＴＣＲ）の変化量を目標値に高精度に調整可能なチップ抵抗器を適切且つ容易に製造することができる。

以下、実施例をもとに本発明をより詳細に説明する。なお、本発明は、以下の実施例によって何ら限定されるものではない。

実験では、図３、図４に示す手順で、第１トリミング溝１１及び第２トリミング溝１２を抵抗体３に形成し、抵抗値の調整を行った。

実験で使用した抵抗体３の横方向（Ｘ１－Ｘ２）への長さ寸法は、１０００μｍ、縦方向の長さ寸法は、５００μｍであった。ここで、「抵抗体３の横方向（Ｘ１－Ｘ２）への長さ寸法」は、電極と重ならない抵抗体３の横幅である。

図３、図４に示す距離ａの寸法及び、抵抗体３へのトリミング領域Ｔを規定する。トリミング領域Ｔは、電極４、５と重ならない抵抗体３の面積を１００％としたときの割合で求めることができる。図１にトリミング領域Ｔを示した。

例えば、抵抗温度係数（ＴＣＲ）の変化量の目標値を、±１０ｐｐｍ程度とすると、本実施例の抵抗体３の大きさにおいては、距離ａの寸法を、１００μｍ程度、トリミング領域Ｔを４０％程度に設定する必要があることがわかった。

本実施例では、トリミング領域Ｔは、図１に示すように、抵抗体３を縦方向（Ｙ１－Ｙ２）に対し二分した、抵抗体３の第１端辺３ａ側の面積５０％のうち、距離ａの両側を取り除いた面積４０％の領域である。

このトリミング領域Ｔ内で、粗調整用としての第１トリミング溝１１をレーザ照射で形成した後、微調整用としての第２トリミング溝１２を、レーザ照射で形成した。第２トリミング溝１２は、図３、図４に示す第１仮想線Ｌ１、第２仮想線Ｌ２、及び第１端辺３ａで囲まれる領域Ｂ内に形成した。

図３、図４に示すように、第１トリミング溝１１の第１横溝１１ｂと、第２トリミング溝１２の第２横溝１２ｂとが、互いに近づくように、且つ、互いに縦方向（Ｙ１－Ｙ２）で重ならないように、各終端１１ｃ、１２ｃを、横方向（Ｘ１－Ｘ２）に離して形成した。更に、本実施例では、第１トリミング溝１１の第１横溝１１ｂの長さ：第２トリミング溝１２の第２横溝１２ｂの長さ＝２：１となるように調整した。

トリミング後のチップ抵抗器に対し、電極４、５間に電圧を印加し、サーモトレーサを用いて、抵抗体３内のホットスポットを確認したところ、ホットスポットが、左右方向（Ｘ１－Ｘ２）に分散していることを確認できた。

また、トリミング後における抵抗温度係数（ＴＣＲ）の変化量を、±１０ｐｐｍ以下にできることがわかった。

本発明のチップ抵抗器は、放熱性に優れ、且つ、抵抗値の経時変化を小さくすることができる。特に、本発明のチップ抵抗器では、電極への放熱作用を向上させることができ、ヒートシンク側に適切に熱を逃がすことができる。このように、本発明のチップ抵抗器は、熱的安定性に優れており、様々な回路基板への実装が可能である。

１ チップ抵抗器
２ 絶縁基板
３、２０ 抵抗体
３ａ 第１端辺
３ｂ 第２端辺
４ 第１電極
５ 第２電極
４ａ、５ａ 上電極
４ｂ、５ｂ 下電極
４ｃ、５ｃ 端面電極
６ 第１オーバーコート層
７ 第２オーバーコート層
１１、２１、３１、４１ 第１トリミング溝
１１ａ、２１ａ、３１ａ、４１ａ 第１縦溝
１１ｂ、２１ｂ、３１ｂ、４１ｂ 第１横溝
１２、２２、３２、４２ 第２トリミング溝
１２ａ、２２ａ、３２ａ、４２ａ 第２縦溝
１２ｂ、２２ｂ、３２ｂ、４２ｂ 第２横溝
１１ｃ、１２ｃ、３１ｃ、３２ｃ、４１ｃ、４２ｃ、４３ｃ 終端
４３ 第３トリミング溝
４３ａ 第３縦溝
４３ｂ 第３横溝
１００ 大判基板
１０１ １次分割溝
１０２ ２次分割溝
１０３ 電極層

Claims (2)

1. 基板と、
   前記基板の表面に形成された抵抗体と、
   前記抵抗体の両側に形成された電極と、を有し、
   前記抵抗体には、少なくとも、第１トリミング溝及び第２トリミング溝が形成されており、
   前記第１トリミング溝及び前記第２トリミング溝は、夫々、電極間方向に対し直交方向にて対向する前記抵抗体の一方の端辺から前記直交方向に向けて縦溝が延出するとともに、前記縦溝から前記電極間方向に屈曲して横溝が延出しており、
   前記第１トリミング溝の第１縦溝と、前記第２トリミング溝の第２縦溝とは、前記電極間方向に間隔を空けて形成されており、
   前記第１トリミング溝の第１横溝と、前記第２トリミング溝の第２横溝とは、互いに近づく方向に延出すると共に、前記直交方向で重ならないように、前記第１横溝及び前記第２横溝の各終端が、前記電極間方向に離れて形成されており、
   前記第１トリミング溝の前記第１横溝の終端から、前記終端が向く側の前記電極と前記一方の端辺との交点までを結ぶ第１仮想線と、前記終端から前記一方の端辺までを前記直交方向に向けて結ぶ第２仮想線と、前記一方の端辺と、の間で囲まれた領域内に、前記第２トリミング溝が形成されることを特徴とするチップ抵抗器。
2. 前記第１トリミング溝の前記第１縦溝と、前記第１縦溝に近い側の前記電極との間の距離、及び、前記第２トリミング溝の前記第２縦溝と、前記第２縦溝に近い側の前記電極との間の距離は、ほぼ等しいことを特徴とする請求項１に記載のチップ抵抗器。

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