JP2000340401A - チップ抵抗器、およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 チップ抵抗器においてダブルＬ型に属するト
リミング溝を形成しつつも、独特のトリミング形態とす
ることで高精度に調整された抵抗値を得ることができる
ようにする。 【解決手段】 チップ本体１０両端にわたる両電極端子
１１，１１の導通区間Ｃに成膜された厚膜抵抗体１２を
有し、その厚膜抵抗体１２には、抵抗値の粗調整用およ
び微調整用としたＬ型のトリミング溝Ｂ１，Ｂ２が別々
に形成されているチップ抵抗器Ａであって、各トリミン
グ溝Ｂ１，Ｂ２は、厚膜抵抗体１２の一辺１２ａ側から
幅方向Ｗに切り込み始めて形成された第１線形部Ｂ１
ａ，Ｂ２ａと、それらに続いて厚膜抵抗体１２の導通区
間方向Ｌに折れ曲がるように形成された第２線形部Ｂ１
ｂ，Ｂ２ｂとを有し、そのうちの微調整用の第１線形部
Ｂ２ａは粗調整用よりも短く、かつ、微調整用の第２線
形部Ｂ２ｂが粗調整用の第１線形部Ｂ１ａと交差する恰
好に形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本願発明は、たとえば表面実
装部品として用いられる角形などといったチップ抵抗
器、およびそのチップ抵抗器の抵抗値を調整しながら製
造するチップ抵抗器の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】表面実装部品として代表的な角形のチッ
プ抵抗器は、その本体両端に両電極端子を有するととも
に、これら両電極端子の導通区間に成膜された厚膜抵抗
体を有して構成されている。こうしたチップ抵抗器を製
造する際には、抵抗値を所期の値に調整すべく上記厚膜
抵抗体にレーザ加工が施され、そうして厚膜抵抗体に
は、抵抗値調整用のトリミング溝が形成されている。

【０００３】図９ないし図１２は、従来のチップ抵抗器
におけるトリミング溝の各例を説明するために示した説
明図であって、これらの図に示すように、従来のチップ
抵抗器においては、ダブルＩ型、ＬＩ型、ダブルＬ型、
あるいはコの字型といったトリミング溝Ｐ，Ｑ，Ｒ，Ｓ
を厚膜抵抗体１２０に形成することで抵抗値の調整が図
られている。

【０００４】図９に示すダブルＩ型、および図１０に示
すＬＩ型のチップ抵抗器では、まず、両電極端子１１
０，１１０の導通区間に厚膜抵抗体１２０を成膜した
後、抵抗値粗調整用としてＩ型、Ｌ型のトリミング溝Ｐ
１，Ｑ１が厚膜抵抗体１２０の一辺１２０ａ側から幅方
向Ｗにそって切り込み形成される。その後、先のトリミ
ング溝Ｐ１，Ｑ１とは別にして抵抗値微調整用のＩ型の
トリミング溝Ｐ２，Ｑ２が厚膜抵抗体１２０の一辺１２
０ａ側から幅方向Ｗにそって切り込み形成され、その際
に実測される抵抗値が所期の値に達した時点で２本目の
トリミング溝Ｐ２，Ｑ２が形成終了とされている。その
結果、両電極端子１１０，１１０の導通区間における通
電領域が図中一点鎖線で示す導通ラインＥＬによって部
分的に小幅化された状態となる。つまり、レーザ加工を
施す前に一定値で示される抵抗値は、トリミング溝の形
成に応じて増大するように変化し、最終的に２本目のト
リミング溝Ｐ２，Ｑ２が終端近くに達すると、微小に変
化する抵抗値が所期の値に達することで抵抗値全体の調
整が終了とされている。

【０００５】また、図１１に示すダブルＬ型のチップ抵
抗器は、上記ダブルＩ型またはＬＩ型に近似する形態で
あるが、２本目のトリミング溝Ｒ２が１本目のトリミン
グ溝Ｒ１とは逆方向となる導通区間方向Ｙにそって折り
曲げられたＬ型の形状とされている。

【０００６】さらに、図１２に示すコの字型のチップ抵
抗器では、厚膜抵抗体１２０の一辺１２０ａ側から幅方
向Ｗにそって第１線形部Ｓ１が切り込み形成され、それ
に続いて導通区間方向Ｙにそって折れ曲がるように第２
線形部Ｓ２が形成され、さらにそれに続いて幅方向Ｗに
折れ曲がって厚膜抵抗体１２０の一辺１２０ａに達する
ように第３線形部Ｓ３が形成されている。

【０００７】要するに、各図に示したチップ抵抗器で
は、最初のトリミング溝Ｐ１，Ｑ１，Ｒ１，Ｓ１によっ
て大まかな通電領域幅が決められることにより、抵抗値
の粗調整が行われる一方、最後のトリミング溝Ｐ２，Ｑ
２，Ｒ２，Ｓ３によって導通ラインＥＬが若干変更され
ることで、最終的に抵抗値の微調整が行われるのであ
る。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記ト
リミング溝Ｐ，Ｑ，Ｒ，Ｓを有する各チップ抵抗器で
は、それぞれの形態に応じて抵抗値を高精度に調整でき
ないという難点があった。

【０００９】つまり、図９および図１０に示すチップ抵
抗器では、最終的な抵抗値の微調整用としてＩ型のトリ
ミング溝Ｐ２，Ｑ２が形成されるが、このＩ型のトリミ
ング溝Ｐ２，Ｑ２では、その終端Ｐ２ａ，Ｑ２ａにてレ
ーザ加工特有の細かな亀裂（マイクロクラック）が幅方
向Ｗに延びるように派生する。こうした亀裂は、導通ラ
インＥＬに対して多分に影響を及ぼし、波及的に通電領
域幅が不確定な状態とされることから、抵抗値を高精度
に調整する際には亀裂分の誤差が生じるものとされてい
た。

【００１０】一方、図１１に示すチップ抵抗器では、最
終的にＬ型のトリミング溝Ｒ２が形成され、そうしたト
リミング溝Ｒ２における終端Ｒ２ａの亀裂が導通区間方
向Ｙに延びる状態となるので、それほど多分に導通ライ
ンＥＬに対して亀裂の影響が及ぶことなく、調整後の抵
抗値においても亀裂分の誤差ができる限り排除されてい
る。そうした点では、先のダブルＩ型、ＬＩ型といった
チップ抵抗器に比べてダブルＬ型は有利であるが、最終
形態としてトリミング溝Ｒ２が形成された状態では、そ
のトリミング溝Ｒ２の折れ曲がる部位Ｒ２ｂから導通区
間方向Ｙに延びた終端Ｒ２ａまでの部分において、導通
ラインＥＬの直線的形態が乱れることで通電領域幅が不
安定な状態とされる。要するにそうした部分では、トリ
ミング溝Ｒ２を形成した後においても抵抗値が微量変化
する現象（オーバーシュート）が生じ、調整後の抵抗値
に不安定な要素が含まれてしまっていた。

【００１１】しかも、上記したダブルＩ型、ＬＩ型、ダ
ブルＬ型では、レーザ加工などに際してトリミング溝
Ｐ，Ｑ，Ｒの１箇所にでも加工屑が付着すると、その箇
所が短絡した状態となってリーク電流が生じる。そのよ
うなリーク電流によっては、導通ラインＥＬの変更を余
儀なくされてしまい、そうした加工屑の付着は、抵抗値
を所期の値とすることが困難な不良原因の一つとされて
いた。

【００１２】これらの各種問題に対し、図１２に示すチ
ップ抵抗器では、コの字型のトリミング溝Ｓが形成され
ているので、先に説明した亀裂をほとんど無視すること
ができる。さらに、コの字型のトリミング溝Ｓでは、仮
に１箇所が短絡しても他の箇所が絶縁状態であれば、導
通ラインＥＬに何ら影響が及ぶことなく、そのような点
においてもコの字型は優れていると言える。このように
上記した各種問題がコの字型のトリミング溝Ｓでは解消
されるが、そうしたコの字型における最終形態の第３線
形部Ｓ３は、折れ曲がった部位Ｓ３ａから終端Ｓ３ｂに
達するまで、ある程度抵抗値を予測することにより形成
されている。そうした場合、第３線形部Ｓ３を要因とし
て各チップ抵抗器の抵抗値にばらつきが生じることとな
り、このような点においてコの字型のトリミング溝Ｓで
は、ダブルＩ型、ＬＩ型、ダブルＬ型といったトリミン
グ溝Ｐ，Ｑ，Ｒよりも高精度に抵抗値を調整することが
できなかった。

【００１３】本願発明は、上記した事情のもとで考え出
されたものであって、ダブルＬ型に属するトリミング溝
としつつも、独特のトリミング形態とすることで高精度
に調整された抵抗値を得ることができるチップ抵抗器、
およびその製造方法を提供することをその課題とする。

【００１４】

【発明の開示】上記課題を解決するため、本願発明で
は、次の技術的手段を講じている。

【００１５】すなわち、本願発明の第１の側面により提
供されるチップ抵抗器は、本体両端の両電極端子を導通
させるために、これら両電極端子の導通区間に所定幅を
もって成膜された厚膜抵抗体を有し、その厚膜抵抗体に
は、抵抗値の粗調整用および微調整用としたＬ型のトリ
ミング溝が別々に形成されているチップ抵抗器であっ
て、上記抵抗値の粗調整用および微調整用とした各トリ
ミング溝は、上記厚膜抵抗体の一辺側から幅方向に切り
込み始めて形成された第１線形部と、その第１線形部に
続いて上記厚膜抵抗体の導通区間方向に折れ曲がるよう
に形成された第２線形部とを有し、そのうちの上記微調
整用の第１線形部は、上記粗調整用の第１線形部よりも
短く、かつ、微調整用の第２線形部が粗調整用の第１線
形部と交差する恰好に形成されていることを特徴として
いる。

【００１６】このような本願発明の第１の側面にかかる
チップ抵抗器の好ましい実施の形態としては、上記微調
整用の第１線形部から第２線形部へと折れ曲がる部位
は、上記厚膜抵抗体の一辺側に接する上記一方の電極端
子の接点と上記粗調整用の第２線形部とを最短距離で結
んだ導通ライン上付近に位置する一方、上記微調整用の
第２線形部の終端は、上記厚膜抵抗体の一辺側に接する
上記他方の電極端子の接点と上記粗調整用の第２線形部
とを最短距離で結んだ導通ライン上付近に位置している
構成とすることができる。

【００１７】また、上記したチップ抵抗器を抵抗値の調
整を行いながら製造する方法としては、以下に述べる製
造方法が適用可能であり、そうした製造方法を経て上記
チップ抵抗器が完成される。

【００１８】すなわち、本願発明の第２の側面により提
供されるチップ抵抗器の製造方法は、チップ抵抗器の本
体両端に位置する両電極端子の導通区間に所定幅をもっ
て厚膜抵抗体を成膜した後、その厚膜抵抗体に抵抗値の
粗調整用および微調整用としたＬ型のトリミング溝をレ
ーザ加工により別々に形成することで、上記チップ抵抗
器の抵抗値を調整しながら製造するチップ抵抗器の製造
方法であって、上記粗調整用のトリミング溝の一部とし
て、上記厚膜抵抗体の一辺側から幅方向に切り込み始め
て第１線形部を形成する工程と、上記粗調整用の第１線
形部に続いて上記厚膜抵抗体の導通区間方向に折れ曲が
るように粗調整用の第２線形部を形成する工程と、上記
粗調整用の第２線形部を形成した後、上記微調整用のト
リミング溝の一部として、上記厚膜抵抗体の一辺側から
幅方向に切り込み始めて上記粗調整用の第１線形部より
も短く微調整用の第１線形部を形成する工程と、上記微
調整用の第１線形部に続いて上記厚膜抵抗体の導通区間
方向に折れ曲がるようにしつつ、さらに進んで粗調整用
の第１線形部と交差する恰好に微調整用の第２線形部を
形成する工程とを有することを特徴としている。

【００１９】このような本願発明の第２の側面にかかる
チップ抵抗器の製造方法の好ましい実施の形態として
は、上記微調整用の第１線形部から第２線形部へと折り
曲げ始める際には、その微調整用の第１線形部が上記厚
膜抵抗体の一辺側に接する上記一方の電極端子の接点と
上記粗調整用の第２線形部とを最短距離で結んだ導通ラ
イン上付近に達した所定の状態とされる一方、上記微調
整用の第２線形部を形成し終える際には、その第２線形
部の終端が上記厚膜抵抗体の一辺側に接する上記他方の
電極端子の接点と上記粗調整用の第２線形部とを最短距
離で結んだ導通ライン上付近に達した所定の状態とされ
る方法を採用することができる。

【００２０】要するに、本願発明にかかるチップ抵抗器
およびその製造方法では、第１線形部と第２線形部とを
有するダブルＬ型のトリミング溝が厚膜抵抗体に対して
形成され、しかも、微調整用の第２線形部が粗調整用の
第１線形部と交差する恰好として部分的に絶縁された領
域を有した形態とされる。このようなＬ型のトリミング
溝のみでは、各トリミング溝における第２線形部の終端
が導通区間方向に延びた状態とされることから、レーザ
加工などによる細かな亀裂も導通区間方向に延びた状態
となり、そのような亀裂の導通ラインに対する影響が緩
和されている。その結果、トリミング溝の終端に派生す
る亀裂によっても、波及的に通電領域幅が制限を受ける
ことなく、抵抗値を高精度に調整する際には亀裂分の誤
差をほとんど無視することができる。

【００２１】また、トリミング溝の形成順序としては、
粗調整用の次に微調整用のものが形成されるのである
が、微調整用の第２線形部の終端が導通ライン上付近に
達して抵抗値の調整を最終的に終えた状態では、そうし
た導通ラインの直線的形態が各トリミング溝における第
２線形部の終端によって極端に乱されることはなく、調
整後の抵抗値を安定した一定の値に保つことができる。

【００２２】さらに、レーザ加工などにおいてトリミン
グ溝の１箇所に加工屑が付着することによっても、他の
箇所が絶縁状態であれば、粗調整用および微調整用とし
たトリミング溝により囲まれた絶縁領域にリーク電流が
生じることはなく、こうしたリーク電流に基づく不良原
因が確率的に低減されるので、抵抗値を所期の値として
正確に調整することができる。

【００２３】さらにまた、粗調整用および微調整用のト
リミング溝は、各々の所定部位が導通ライン上付近に達
した際、所定の状態とした抵抗値の実測に応じて適正な
Ｌ型形状に形成されることとなる。最終的には、微調整
用のトリミング溝における第２線形部の終端が導通ライ
ン上付近に達することにより、抵抗値の微調整を終えて
全体としての抵抗値が得られるので、各チップ抵抗器ご
とに確実に抵抗値を所期の値へと近づけることができ、
各チップ抵抗器間で抵抗値にばらつきを生じることな
く、高精度に調整を終えた一定の抵抗値で示されるチッ
プ抵抗器を得ることができる。

【００２４】したがって、本願発明の第１および第２の
側面にかかるチップ抵抗器、およびその製造方法によれ
ば、ダブルＬ型に属するトリミング溝を厚膜抵抗体に形
成することによっても、独特のトリミング形態とするこ
とで高精度に調整された抵抗値を安定的に得ることがで
きる。

【００２５】本願発明のその他の特徴および利点は、添
付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より
明らかとなろう。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下、本願発明の好ましい実施の
形態について、図面を参照して具体的に説明する。

【００２７】図１は、本願発明にかかるチップ抵抗器の
一実施形態を上面側から示した平面図、図２は、図１の
Ｘ−Ｘ線に沿う切断面を示した断面図である。なお、図
１においては、本願発明の特徴をより明瞭とするため
に、一部上面側に設けられる部材を省略して示してい
る。

【００２８】図１および図２に示すように、本願発明に
かかるチップ抵抗器Ａは、表面実装部品として角形に形
成されたものであって、チップ本体１０、両電極端子１
１，１１、厚膜抵抗体１２、第１オーバーコート層１
３、および第２オーバーコート層１４などを具備して概
略構成されている。そして、図１に良く表すように、厚
膜抵抗体１２には、Ｌ型のトリミング溝Ｂ１，Ｂ２が２
本にわたって形成されており、そうしたことからチップ
抵抗器Ａは、ダブルＬ型に属するものとされている。

【００２９】チップ本体１０の両端には、両電極端子１
１，１１が接合されているとともに、これら両電極端子
１１，１１に接した状態でチップ本体１０の上面１０ａ
における導通区間Ｃには、所定幅をもって厚膜抵抗体１
２が成膜されている。この厚膜抵抗体１２に形成された
符号Ｂ１で示すトリミング溝は、粗調整用として形成さ
れたものである一方、符号Ｂ２で示すトリミング溝は、
微調整用として形成されたものである。なお、トリミン
グ溝Ｂ１，Ｂ２は、後述する製造工程中において抵抗値
を調整するために形成されたものである。

【００３０】チップ本体１０は、たとえばセラミック基
板などを所定形状に加工して形成されたものであって、
所定の厚みを有して角形状に形成されており、その長手
方向両端に両電極端子１１，１１が接合されている。

【００３１】両電極端子１１，１１は、たとえば銀など
を主成分とした導電性を有するものであって、その表面
には、たとえばはんだメッキなどが施されている。各電
極端子１１は、図２に良く表すように、チップ本体１０
の上面１０ａおよび下面１０ｂを部分的に覆いつつ、チ
ップ本体１０の一端側面１０ｃ全体を覆うように被膜形
成されている。

【００３２】厚膜抵抗体１２は、所定の電気的抵抗特性
を有する金属膜、あるいは酸化金属膜などを後述する印
刷プロセスなどにより形成したものであって、両電極端
子１１，１１の上面一部に接するように導通区間Ｃ全体
にわたって成膜されている。この厚膜抵抗体１２におけ
る導通区間Ｃの途中には、後述するレーザ加工により抵
抗値の粗調整用、および微調整用としたトリミング溝Ｂ
１，Ｂ２が形成されている。なお、トリミング溝Ｂ１，
Ｂ２は、厚膜抵抗体１２の表面全体にわたって第１オー
バーコート層１３が被膜形成された後に形成したもので
あり、このトリミング溝Ｂ１，Ｂ２については後の説明
にて詳述する。

【００３３】第１オーバーコート層１３および第２オー
バーコート１４は、たとえばガラスなどを主成分として
厚膜抵抗体１２を保護するために被膜形成されたもので
ある。第１オーバーコート層１３は、トリミング溝Ｂ
１，Ｂ２を形成する際などの表面保護用として設けられ
たものであり、一方、第２オーバーコート層１４は、さ
らに第１オーバーコート層１３の上から厚膜抵抗体１２
を保護するために設けられたものである。

【００３４】要点について図１を参照して説明すると、
厚膜抵抗体１２に形成されたトリミング溝Ｂ１，Ｂ２
は、ダブルＬ型として形成されたものであるが、その特
徴としては、粗調整用のトリミング溝Ｂ１に対して微調
整用のトリミング溝Ｂ２が交差する恰好に形成されてい
る点にある。

【００３５】さらに具体的に説明すると、粗調整用およ
び微調整用とした各トリミング溝Ｂ１，Ｂ２は、厚膜抵
抗体１２の一辺１２ａ側からレーザ加工により幅方向Ｗ
に切り込み始めて形成された第１線形部Ｂ１ａ，Ｂ２ａ
と、その第１線形部Ｂ１ａ，Ｂ２ａに続いて厚膜抵抗体
１２の導通区間方向Ｌに折れ曲がるように形成された第
２線形部Ｂ１ｂ，Ｂ２ｂとを有したＬ型形状とされてい
る。そして、微調整用の第１線形部Ｂ２ａは、粗調整用
の第１線形部Ｂ１ａよりも短く、しかもその第１線形部
Ｂ１ａから導通区間方向Ｌに離れた位置に形成され、か
つ、微調整用の第２線形部Ｂ２ｂは、粗調整用の第１線
形部Ｂ１ａと交差する恰好に形成されている。

【００３６】また、微調整用の第１線形部Ｂ２ａから第
２線形部Ｂ２ｂへと折れ曲がる部位Ｂ２ｃは、厚膜抵抗
体１２の一辺１２ａ側に接する図中右側の電極端子１１
の接点１１ａと、粗調整用の第２線形部Ｂ１ｂの終端Ｂ
１ｂａとを最短距離で結んだ導通ラインＥＬ１上付近に
位置するように形成されている。その一方、微調整用の
第２線形部Ｂ２ｂの終端Ｂ２ｂａは、厚膜抵抗体１２の
一辺１２ａ側に接する図中左側の電極端子１１の接点１
１ｂと、粗調整用の第１線形部Ｂ１ａから第２線形部Ｂ
１ｂへと折れ曲がる部位Ｂ１ｃとを最短距離で結んだ導
通ラインＥＬ２上付近に位置するように形成されてい
る。

【００３７】ここで、図中一点鎖線で示す導通ラインＥ
Ｌ１，ＥＬ２とは、厚膜抵抗体１２にトリミング溝Ｂ
１，Ｂ２を形成することにより、両電極端子１１，１１
の導通区間Ｃにて通電状態となる領域を仮想的に示した
ものである。こうした導通ラインＥＬ１，ＥＬ２は、ト
リミング溝Ｂ１，Ｂ２の形状、位置などに応じて微妙に
変化するものとされる。図１を一例として説明すれば、
導通ラインＥＬ１，ＥＬ２が厚膜抵抗体１２の一辺１２
ａ側から緩やかに立ち上がる恰好、すなわちトリミング
溝Ｂ１，Ｂ２が短い場合には、厚膜抵抗体１２における
電流の通電領域幅が幅方向Ｗに大きく占めることとな
り、両電極端子１１，１１間の抵抗値がそれほど大きく
変化することはない。一方、導通ラインＥＬ１，ＥＬ２
が厚膜抵抗体１２の一辺１２ａ側から急峻に立ち上がる
恰好、すなわちトリミング溝Ｂ１，Ｂ２が深く切り込ま
れた状態では、厚膜抵抗体１２における電流の通電領域
幅が幅方向Ｗに狭められる結果、両電極端子１１，１１
間の抵抗値が大きく増加することとなる。このような原
理に基づいてチップ抵抗器Ａを製造する際には、以下に
説明する抵抗値の調整方法が採用されている。

【００３８】つまり、抵抗値を調整する際には、両電極
端子１１，１１間の抵抗値を実測しながらレーザ加工に
よりトリミング溝Ｂ１，Ｂ２を切り込み形成するととも
に、実測される抵抗値に応じてトリミング溝Ｂ１，Ｂ２
の形成プロセスが適宜制御される。そうすると、厚膜抵
抗体１２に対してトリミング溝Ｂ１，Ｂ２を形成する前
に一定値で示された抵抗値は、トリミング溝Ｂ１，Ｂ２
の形成段階に応じて増加するように変化することとな
り、こうして変化する抵抗値が所期の目標とされた値に
達することで最終的に抵抗値の調整が終了されるのであ
る。

【００３９】次に、上記チップ抵抗器Ａの製造方法につ
いて、特に抵抗値を調整する際のプロセスを重点的に図
面を参照しながら説明する。

【００４０】図３ないし図８は、チップ抵抗器の製造方
法を説明するために、各製造工程における製造状態を示
した説明図であって、まず、上記構成を有するチップ抵
抗器Ａを製造するにあたっては、図３に示すように、セ
ラミックなどでできた基板２０が用いられる。この基板
２０は、上記チップ抵抗器Ａの多数個を配列するだけの
大きさを有するものであり、その表面上には、チップ抵
抗器Ａのそれぞれに対応して一定区画が割り当てられる
ように縦横のスクライブ線２１ａ，２１ｂが形成されて
いる。こうした縦の各スクライブ線２１ａには、その両
側に架け渡るように上記電極端子１１の原形となる導体
パターン２２が印刷プロセスなどで形成される。その
後、図３に示す一例では、横方向にわたる導体パターン
２２，２２間に上記厚膜抵抗体１２が印刷プロセスなど
により形成され、さらに乾燥、焼成などを経た厚膜抵抗
体１２の上面側から上記第１オーバーコート層１３が印
刷プロセスなどにより形成される。こうして第１オーバ
ーコート層１３に保護された厚膜抵抗体１２を表面に有
する基板２０は、たとえば縦のスクライブ線２１ａに沿
って切り分けられ、縦方向にチップ抵抗器Ａを並べた形
態の中間品が取り出されることとなる。

【００４１】次に、図４から図７に示す工程順に抵抗値
の調整を伴う製造プロセスが進められる。なお、図４な
いし図７においては、チップ抵抗器Ａの１個分しか示さ
ないが、実際には、基板２０を切り分ける前に各チップ
単位ごとに、あるいは中間品とした形態で抵抗値の調整
が行われる。

【００４２】図４から図７に示す各工程においては、第
１オーバーコート層１３の表面側からレーザ加工を施す
ことにより、厚膜抵抗体１２に対してトリミング溝Ｂ
１，Ｂ２が切り込み形成される。この際、両電極端子１
１，１１の原形となる両導体パターン２２，２２には、
抵抗値を実測するための図示しない測定プローブが接触
した状態とされる。こうした測定プローブを介して抵抗
値を実測しながらトリミング溝Ｂ１，Ｂ２が形成され、
所期の抵抗値となるようにチップ抵抗器Ａ全体の抵抗値
が調整されるのである。

【００４３】抵抗値の調整方法における第１プロセスで
は、図４に示すように、厚膜抵抗体１２の一辺１２ａ側
における所定箇所からレーザ光が幅方向Ｗに切り込み始
められ、これにより粗調整用のトリミング溝Ｂ１の一部
とした第１線形部Ｂ１ａが形成される。こうした粗調整
用の第１線形部Ｂ１ａを形成する際には、実測抵抗値が
所期の最終目標値のたとえば数十パーセントに達した時
点で全長が形成されるように制御される。そうすると、
図中一点鎖線で示すように導通ラインＥＬが形成され、
その導通ラインＥＬによって導通区間Ｃにおける通電領
域が幅方向Ｗに規制されることとなり、実測抵抗値とし
ては、第１線形部Ｂ１ａを形成する前よりも増大した値
が得られることとなる。

【００４４】続いて抵抗値調整の第２プロセスでは、図
５に一例として示すように、上記粗調整用の第１線形部
Ｂ１ａに連続して導通区間方向Ｌにそって右側に折れ曲
がるように、粗調整用の第２線形部Ｂ１ｂが厚膜抵抗体
１２に対して形成される。こうした粗調整用の第２線形
部Ｂ１ｂを形成する際には、所期の最終目標値からたと
えば数パーセント差し引いた抵抗値が実測された時点で
終端Ｂ１ｂａとするように制御される。そうすると、図
４に示す導通ラインＥＬが第２線形部Ｂ１ｂの長さ分だ
け変形する結果、第１線形部Ｂ１ａから第２線形部Ｂ１
ｂへと折れ曲がる部位Ｂ１ｃおよび第２線形部Ｂ１ｂの
終端Ｂ１ｂａに応じて符号ＥＬ１，ＥＬ２で示す導通ラ
インが形成され、第１プロセスで実測された抵抗値より
も増大した抵抗値が実測されることとなる。こうして粗
調整用のトリミング溝Ｂ１が形成されると、実測抵抗値
として最終抵抗値にある程度まで近づけられた値が得ら
れ、抵抗値の粗調整が完了することとなる。

【００４５】さらに、抵抗値調整の第３プロセスでは、
図６に示すように上記粗調整用のトリミング溝Ｂ１とは
別箇所にて、厚膜抵抗体１２の一辺１２ａ側における所
定箇所からレーザ光が幅方向Ｗに切り込み始められ、こ
れにより微調整用のトリミング溝Ｂ２の一部とした第１
線形部Ｂ２ａが形成される。こうした微調整用の第１線
形部Ｂ２ａを形成する際には、所期の最終目標値からた
とえば１パーセント差し引いた抵抗値が実測された時点
で全長が形成されるように制御される。そうすると、微
調整用の第１線形部Ｂ２ａが導通ラインＥＬ１上付近に
達して上記粗調整用の第１線形部Ｂ１ａよりも短く形成
され、そうした微調整用の第１線形部Ｂ２ａによって導
通ラインＥＬ１が微妙に変化することとなり、実測抵抗
値としては、粗調整用のトリミング溝Ｂ１のみの場合よ
りも若干増加した値が得られることとなる。

【００４６】続いて抵抗値調整の最終段階となる第４プ
ロセスにおいては、図７に示すように、上記微粗調整用
の第１線形部Ｂ２ａに連続して導通区間方向Ｌにそって
左側に折れ曲がるように、微調整用の第２線形部Ｂ２ｂ
が厚膜抵抗体１２に対して形成される。こうした微調整
用の第２線形部Ｂ２ｂを形成する際には、その第２線形
部Ｂ２ｂが粗調整用の第１線形部Ｂ１ａを通り越して交
差するように制御される。そうすると、最終的には、次
に示す図８または先に示した図１に示すように、粗調整
用および微調整用のトリミング溝Ｂ１，Ｂ２により囲ま
れた絶縁領域が形成されることとなる。さらにプロセス
が進められると、図８または図１に示すように微調整用
の第２線形部Ｂ２ｂの終端Ｂ２ｂａは、導通ラインＥＬ
２付近に達した状態とされる。この際、実測抵抗値が所
期の最終目標値にほとんど達した時点で第２線形部Ｂ２
ｂの終端Ｂ２ｂａが止められた状態とされ、そうして抵
抗値全体の調整が終了することとなる。

【００４７】つまり、抵抗値調整の第１から第４までの
プロセスによれば、都合４回の抵抗値調整が行われ、最
初に行われる２回のプロセスで抵抗値の粗調整が行われ
る一方、後に行われる２回のプロセスにより抵抗値の微
調整が行われるのである。

【００４８】以上のようにして抵抗値の調整を終える
と、図８に示すように、第１オーバーコート層１３の表
面には、さらに第２オーバーコート層１４が印刷プロセ
スなどによりパターン形成され、その後、図中二点鎖線
で示すラインＣＬ１，ＣＬ２にそって裁断することによ
り、図１に示す形態のチップ抵抗器Ａがほぼ完成した状
態で得られる。さらに最終工程においては、電極端子１
１の露出した表面に対してはんだメッキなどを施すため
に、チップ抵抗器Ａの多数個が一度にメッキ処理され
る。

【００４９】ここで、上記メッキ処理においては、第２
オーバーコート層１４が厚膜抵抗体１２を完全に被覆し
ているため、トリミング溝Ｂ１，Ｂ２に対してメッキ処
理が施されることはほとんどない。しかしながら、トリ
ミング溝Ｂ１，Ｂ２の形状などによっては、トリミング
溝Ｂ１，Ｂ２の表面にて第２オーバーコート層１４が不
完全に被覆した状態も希に想定される。そうした場合に
は、トリミング溝Ｂ１，Ｂ２のいずれか一方にのみメッ
キされる確率が高いことから、そのような状態において
も両トリミング溝Ｂ１，Ｂ２で囲まれた絶縁領域に何ら
影響が及ぶことなく、導通区間Ｃにリーク電流を生じる
確率が低減される。

【００５０】つまり、上記製造方法を経て完成されたチ
ップ抵抗器Ａでは、第１線形部Ｂ１ａ，Ｂ２ａと第２線
形部Ｂ１ｂ，Ｂ２ｂとを有するダブルＬ型のトリミング
溝Ｂ１，Ｂ２が厚膜抵抗体１２に対して形成され、しか
も、微調整用の第２線形部Ｂ２ｂが粗調整用の第１線形
部Ｂ１ａと交差する恰好として部分的に絶縁された領域
が形成される。このようなＬ型のトリミング溝Ｂ１，Ｂ
２では、折れ曲がった部位Ｂ１ｃ，Ｂ２ｃにレーザ加工
による亀裂（マイクロクラック）がほとんど生じず、そ
のような折れ曲がった部位Ｂ１ｃ，Ｂ２ｃが導通ライン
ＥＬ１，ＥＬ２付近に位置しても、導通ラインＥＬ１，
ＥＬ２の形態に及ぼす影響が少なくされている。

【００５１】その一方、各トリミング溝Ｂ１，Ｂ２にお
ける第２線形部Ｂ１ｂ，Ｂ２ｂの終端Ｂ１ｂａ，Ｂ２ｂ
ａは、導通区間方向Ｌに延びた状態とされ、これらの終
端Ｂ１ｂａ，Ｂ２ｂａにてレーザ加工による細かな亀裂
が導通区間方向Ｌに延びた状態で生じることとなる。そ
うした状態では、そのようなレーザ加工による亀裂が導
通ラインＥＬに対して斜め方向から切れ込む恰好とな
り、それほど導通ラインＥＬの形態に影響を及ぼすこと
なく、各トリミング溝Ｂ１，Ｂ２の終端Ｂ１ｂａ，Ｂ２
ｂａに派生する亀裂によっても、波及的に通電領域幅が
それほど制限を受けることもない。そのため、抵抗値を
高精度に調整する際には亀裂分の誤差をほとんど無視す
ることができる。

【００５２】また、トリミング溝Ｂ１，Ｂ２の形成順序
としては、粗調整用のトリミング溝Ｂ１の次に微調整用
のトリミング溝Ｂ２が形成されるが、最終的に微調整用
のトリミング溝Ｂ２の終端Ｂ２ｂａが導通ラインＥＬ２
上付近に達して抵抗値の調整を終えた状態では、各導通
ラインＥＬ１，ＥＬ２の直線的形態が各トリミング溝Ｂ
１，Ｂ２における第２線形部Ｂ１ｂ，Ｂ２ｂの終端Ｂ１
ｂａ，Ｂ２ｂａによって極端に大きく乱されることはな
い。言い換えれば、厚膜抵抗体１２における導通区間Ｃ
においては、電流の通電領域幅が定位的形態の各導通ラ
インＥＬ１，ＥＬ２に応じて適正に規制された状態にあ
り、したがって、微調整用のトリミング溝Ｂ２をＬ型に
形成して調整を終えた後には、抵抗値を安定して一定し
た所期の目標値に保つことができる。

【００５３】さらに、レーザ加工などに際してトリミン
グ溝Ｂ１，Ｂ２の１箇所に加工屑が付着することによっ
ても、他の箇所が絶縁状態であれば、粗調整用および微
調整用としたトリミング溝Ｂ１，Ｂ２で囲まれた絶縁領
域にリーク電流が生じることはなく、こうしたリーク電
流に基づく不良原因が確率的に低減されているので、抵
抗値を所期の目標値として正確に調整することができ、
耐電圧特性に優れたチップ抵抗器Ａを得ることができ
る。

【００５４】さらにまた、粗調整用および微調整用のト
リミング溝Ｂ１，Ｂ２は、各々の所定部位が導通ライン
ＥＬ１，ＥＬ２上付近に達した際、実測抵抗値に応じた
適正なＬ型形状として形成される。最終的には、微調整
用のトリミング溝Ｂ２の終端Ｂ２ｂａが導通ラインＥＬ
２上付近に達することで抵抗値の微調整を終えて全体と
しての抵抗値が得られるので、各チップ抵抗器Ａごとに
確実に抵抗値を所期の目標値へと近づけることができ、
各チップ抵抗器Ａ間で抵抗値にばらつきを生じることな
く、高精度に調整された一定の抵抗値を有するチップ抵
抗器Ａを得ることができる。

【００５５】したがって、上記構成を有するチップ抵抗
器Ａ、およびその製造方法によれば、ダブルＬ型に属す
るトリミング溝Ｂ１，Ｂ２を厚膜抵抗体１２に形成する
ことによっても、独特のトリミング形態とすることで高
精度に調整された抵抗値を安定的に得ることができる。

【００５６】なお、上記実施形態においては、粗調整用
および微調整用の終端Ｂ１ｂａ，Ｂ２ｂａがその位置で
止められた恰好とされているが、他の例としては、さら
に各終端Ｂ１ｂａ，Ｂ２ｂａから幅方向Ｗに折れ曲げた
ような第３線形部を厚膜抵抗体２の一辺１２ａ側に達す
るように連続形成しても良い。そうして形成された第３
線形部は、導通ラインＥＬ１，ＥＬ２の形態に何ら影響
を及ぼすものではなく、しかも、そのような第３線形部
を追加することによって絶縁領域が増えることから、リ
ーク電流の発生する確率がさらに低減することで耐電圧
特性を向上することができる。

【００５７】また、上記実施形態では、微調整用の折れ
曲がる部位Ｂ２ｃが導通ラインＥＬ１上付近に達するこ
とで抵抗値の微調整が行われるとしたが、このような微
調整用の折れ曲がる部位Ｂ２ｃは、極端に導通ラインＥ
Ｌ１を越えない状態であれば良い。仮に微調整用の折れ
曲がる部位Ｂ２ｃが導通ラインＥＬ１を越えない状態で
あっても、微調整用の終端Ｂ２ｂａがもう一方の導通ラ
インＥＬ２上付近に達することで最終的に抵抗値の微調
整が行われるからである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本願発明にかかるチップ抵抗器の一実施形態を
上面側から示した平面図である。

【図２】図１のＸ−Ｘ線に沿う切断面を示した断面図で
ある。

【図３】図１に示すチップ抵抗器の製造方法を説明する
ために、各製造工程における製造状態を示した説明図で
ある。

【図４】図１に示すチップ抵抗器の製造方法を説明する
ために、各製造工程における製造状態を示した説明図で
ある。

【図５】図１に示すチップ抵抗器の製造方法を説明する
ために、各製造工程における製造状態を示した説明図で
ある。

【図６】図１に示すチップ抵抗器の製造方法を説明する
ために、各製造工程における製造状態を示した説明図で
ある。

【図７】図１に示すチップ抵抗器の製造方法を説明する
ために、各製造工程における製造状態を示した説明図で
ある。

【図８】図１に示すチップ抵抗器の製造方法を説明する
ために、各製造工程における製造状態を示した説明図で
ある。

【図９】従来のチップ抵抗器におけるトリミング溝の一
例を説明するために示した説明図である。

【図１０】従来のチップ抵抗器におけるトリミング溝の
一例を説明するために示した説明図である。

【図１１】従来のチップ抵抗器におけるトリミング溝の
一例を説明するために示した説明図である。

【図１２】従来のチップ抵抗器におけるトリミング溝の
一例を説明するために示した説明図である。

【符号の説明】

１０ チップ本体 １１ 電極端子 １１ａ，１１ｂ 厚膜抵抗体の一辺側に接する各
電極端子の接点 １２ 厚膜抵抗体 １２ａ 厚膜抵抗体の一辺 Ａ チップ抵抗器 Ｂ１ 抵抗値の粗調整用のトリミング
溝 Ｂ１ａ 粗調整用の第１線形部 Ｂ１ｂ 粗調整用の第２線形部 Ｂ１ｃ 粗調整用の折れ曲がる部位 Ｂ２ 抵抗値の微調整用のトリミング
溝 Ｂ２ａ 微調整用の第１線形部 Ｂ２ｂ 微調整用の第２線形部 Ｂ２ｃ 微調整用の折れ曲がる部位 Ｃ 導通区間 ＥＬ，ＥＬ１，ＥＬ２ 導通ライン Ｗ 幅方向 Ｙ 導通区間方向

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 本体両端の両電極端子を導通させるため
   に、これら両電極端子の導通区間に所定幅をもって成膜
   された厚膜抵抗体を有し、その厚膜抵抗体には、抵抗値
   の粗調整用および微調整用としたＬ型のトリミング溝が
   別々に形成されているチップ抵抗器であって、 上記抵抗値の粗調整用および微調整用とした各トリミン
   グ溝は、上記厚膜抵抗体の一辺側から幅方向に切り込み
   始めて形成された第１線形部と、その第１線形部に続い
   て上記厚膜抵抗体の導通区間方向に折れ曲がるように形
   成された第２線形部とを有し、そのうちの上記微調整用
   の第１線形部は、上記粗調整用の第１線形部よりも短
   く、かつ、微調整用の第２線形部が粗調整用の第１線形
   部と交差する恰好に形成されていることを特徴とする、
   チップ抵抗器。
2. 【請求項２】 上記微調整用の第１線形部から第２線形
   部へと折れ曲がる部位は、上記厚膜抵抗体の一辺側に接
   する上記一方の電極端子の接点と上記粗調整用の第２線
   形部とを最短距離で結んだ導通ライン上付近に位置する
   一方、上記微調整用の第２線形部の終端は、上記厚膜抵
   抗体の一辺側に接する上記他方の電極端子の接点と上記
   粗調整用の第２線形部とを最短距離で結んだ導通ライン
   上付近に位置している、請求項１に記載のチップ抵抗
   器。
3. 【請求項３】 チップ抵抗器の本体両端に位置する両電
   極端子の導通区間に所定幅をもって厚膜抵抗体を成膜し
   た後、その厚膜抵抗体に抵抗値の粗調整用および微調整
   用としたＬ型のトリミング溝をレーザ加工により別々に
   形成することで、上記チップ抵抗器の抵抗値を調整しな
   がら製造するチップ抵抗器の製造方法であって、 上記粗調整用のトリミング溝の一部として、上記厚膜抵
   抗体の一辺側から幅方向に切り込み始めて第１線形部を
   形成する工程と、 上記粗調整用の第１線形部に続いて上記厚膜抵抗体の導
   通区間方向に折れ曲がるように粗調整用の第２線形部を
   形成する工程と、 上記粗調整用の第２線形部を形成した後、上記微調整用
   のトリミング溝の一部として、上記厚膜抵抗体の一辺側
   から幅方向に切り込み始めて上記粗調整用の第１線形部
   よりも短く微調整用の第１線形部を形成する工程と、 上記微調整用の第１線形部に続いて上記厚膜抵抗体の導
   通区間方向に折れ曲がるようにしつつ、さらに進んで粗
   調整用の第１線形部と交差する恰好に微調整用の第２線
   形部を形成する工程と、 を有することを特徴とする、チップ抵抗器の製造方法。
4. 【請求項４】 上記微調整用の第１線形部から第２線形
   部へと折り曲げ始める際には、その微調整用の第１線形
   部が上記厚膜抵抗体の一辺側に接する上記一方の電極端
   子の接点と上記粗調整用の第２線形部とを最短距離で結
   んだ導通ライン上付近に達した所定の状態とされる一
   方、上記微調整用の第２線形部を形成し終える際には、
   その第２線形部の終端が上記厚膜抵抗体の一辺側に接す
   る上記他方の電極端子の接点と上記粗調整用の第２線形
   部とを最短距離で結んだ導通ライン上付近に達した所定
   の状態とされる、請求項３に記載のチップ抵抗器の製造
   方法。