TW472270B - Chip resistor and method of making the same - Google Patents

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472270 經濟部智慧財產局員工.消費合作社印製 A7 _______87__— 五、發明說明（2 ) "~'—~一 片型電阻的平面示圖。圖中每一個晶片型電阻皆攜帶有形 成在絕緣基板100上之電阻薄膜120，電阻薄膜12〇橋接 於一對電極110之間。為了清楚起見，並沒有顯示保護塗 覆層。 第1〇圖的晶片型電阻，具有在電阻薄膜120内形成的 兩個修整溝槽P卜P2，這兩個修整溝傅P1、P2皆呈1型。 第10圖的晶片型電阻稱為“雙J型晶片型電阻” (“double-I-type chip resistor，，）。調整雙丄型晶片型電阻的 電阻值’係以下列的方式進行。 首先，藉由自電阻薄膜12〇的邊緣120a側至在寬度方 向W内之延伸範圍的雷射輻射光束，形成第一丨型修整溝 槽P1，籍此電阻薄膜120的電阻值大約可增加至預定值。 然後，在相同的邊緣12〇a侧，但是在縱向方向L上，離 開第一 I型修整溝槽P1的位置，自該位置至在寬度方向w 内之延伸範圍，形成第二I型修整溝槽ιΡ2,藉此電阻薄膜 120的電阻值可精確增加至目標值。所獲致之電阻薄膜 具有電阻值決定區，其藉由位於一對電極11〇之間的作用 區域C内的假想線EL所定義出。 第11圖的晶片型電阻，同樣具有形成於電阻薄膜12〇 内之第一及第二修整溝槽Q1、Q2。第一修整溝槽卩1呈[ 型，及第二修整溝槽（^2呈1型。具有修整溝槽如此組合 的晶片型電阻稱為‘[ L I型晶月型電阻，’，。調整u型晶片 型電阻的電阻值m述的部分不同外，其餘的都^同 於上述對於雙I型晶片電阻的調整方式。不同之部分 本紙張尺度_ t _家辭（CNS)A4祕⑽ - 裝--------訂---------綠 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 472270 A7 B7 五、發明說明（4 ) 於且禪值。然後，自第二線性部位S2於寬度方向延伸至 電阻薄膜120的邊緣I2〇a側，形成第三線性部位，藉 此電阻薄膜120的電阻值可增加至目標值。結果，c型晶 片型電阻的電阻值決定區，藉由自修整溝槽s的兩個邊角 (corners)延伸的假想線EL所定義 上述的每一個習知技藝晶片型電阻，皆具有其本身帶 有之缺失’將於下文中說明之 在第10圖的雙I型晶片型電阻之示例中，第二修整溝 槽P2(精細修整溝槽）的終末端P2a呈寬度w的方向。由於 雷射幅射光束的緣故，無可避免地，第二修整溝槽P2的 終末端P2a必伴隨这！微1磕（micr〇cra(?ks),所以這些顯 辦裂痕同樣會在寬度方向w延伸。在寬度方向w延伸的 顯微裂痕，縮小了電阻薄膜12〇的電流通道（current path)，而县相較於不會導至有縮小電流通道的縱向延伸的 顯微裂痕下，給予調整電阻值更大的影響。因此調整這種 晶片型電阻的電阻值，可能會因寬度方向w延伸的顯微裂 痕，而受不利的影響。 ,· ....... , 因為第二修整溝槽Q2的終末端Q2a是呈寬度w的方 向，因此相同的論述可以適用在第i丨圖的LI型晶片型電 阻。 在第12圖的雙L型晶片型電阻之示例中，由於L型 I第二修整溝槽R2的終末端R2a是呈縱向l的方向，則在 終末端R2a的顯微裂痕’同樣是呈縱向方向[的方向，因 此不會對電阻值的調整有不利的影響。然而，如果其中之 311491

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閱 讀 背 面 之 注 意 亊 項 再 填 1 寫裝 本衣 頁I 訂 472270 A7

472270 A7 員 費 社 印 製 五、發明說明（8 ) 膜’此電阻薄膜橋接上述的電極；在電阻薄膜 修整溝槽，從電阻薄膜的邊緣延伸；在電阻薄膜中开 ^ 二修整溝槽，從電阻薄膜的該邊緣延# ^ •"甩弟 整溝槽。 u申，並且橫過第-修 依據本發明的第四個觀點’提供一種 搜用於製造晶片型 電阻的方法。該方法包括下列步驟：在絕緣基板的上 形成第-電極及第二電極；在該基板的上表面形成電阻薄 膜，此電阻薄膜橋接上述的電極；在電阻薄膳中形成第^ 修整溝槽；在電阻薄膜中形成第二修整溝槽；其^第 整溝槽的形成，包含下列步驟：形成自電阻薄膜的邊角= 伸的第一绛性部位，及形成自具有邊角部位形成其間的第 一線性部位延伸之第二線性部位；及其中第二修整溝槽的 形成，包含下列步驟：形成自電阻薄膜的邊角延伸的^ 一 绛性部位’及形成自具有邊角部位形成其間的第一線性部 位延伸，並且橫過第一修整溝槽的第一線性部位之第二線 性部位。 本發明的其它目的、特徵及優點，可以從下列較佳實 施例之詳細說明及參照相關圖式，而明顯地顯現出來。 [圖式之簡單說明] 第1圖為顯示本發明實施例之晶片型電阻平面圖。 第2圖為沿苐1圖切線X-X的斷面圖。 第3圖至第8圖為平面圖，顯示用以製造本發明實施 例之晶片型電阻的連績步驟。 第9圖為顯示本發明另一實施例之晶片型電阻平面 訂 綈

本紙張尺朗财(2W x 297iiT 472270 A7 五、發明說明（10 ) 終末端 線性部位 邊角 寬度方向

Bid、B2d、P2a、R2a

Bla、Bib、B2a、B2b、

Ble、B2e、SI、S2、S3

Blc、B2c、B3a

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l [本發明之詳細說明J 本發明之較佳實施例將於下文並配合圖式作說明。 訂 帛丨圖與第2圖顯示„本發明實施例之矩形晶片型 電阻1，作為表面接著之電子零件使用β這個矩形晶片型 電阻之實施例包括：-個以類似陶£之絕緣材料製成的矩 型晶片基板1〇。基板10上形成一對主要包含有例如銀金 屬導電性材料製成的間隔開之電極„。該對電極u在其 表面電鍍上例如焊錫。所形成之該對電極〗丨皆係呈，自芙 板10的上表面1〇a穿過末端表面10c至底表面’。’在2 板1〇的上表面10'a上’形成一個厚電阻薄臈12，此電： 薄膜12橋接該對的電極u之間。電阻薄膜12係由 些電阻性質的金屬薄膜或者是金屬氧化薄膜所形成：電阻 薄膜12的作用區域C，彳利用為調整在電極^之間 阻值。該電阻薄膜12的作用區域c形成兩 槽BU，用以調整電阻薄臈12的電阻值。 溝 装二2塗覆層13的防護塗覆層’覆蓋著電阻薄膜12， =塗覆層13直接形成於電阻薄膜Π上面，並且外塗 覆層14形成於内塗覆層13上面。内塗覆層U及外塗覆層 14主要例气以玻璃所形，。在形成内_ \ 3 V後，藉 本紙張尺度適用中_家標準（CNS)A4規格 χ挪公楚了 4722' 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 A7 B7 五、發明說明（12 ) 精細性修整溝槽B 2的邊角部位b 2 c，設置在電阻值決 苳線EL1的緣上或緊鄰該線ELI邊（第1圖的電阻值決定 線EL 1以鏈接線表示假想線），其中電阻值決定線1自 大約性修整溝槽B1的槽溝末端b 1 d，延伸至第一交點 11a ,其中該第一交點ua係為電阻薄膜12的邊緣12a跨 越其中一個的電極n之内緣之跨越點。精細性修整溝槽 B2的槽溝末端B2d ’設置在另一電阻值決定線EL2的線上 或緊鄰該線EL2邊（第1圖的電阻值決定線EL2亦以鏈接 線表示假想線）’其中電阻值決定線EL2自大約性修整溝 槽B1的邊角部位Blc,延伸至第二交點llb，其中該第二 父點lib係為電阻薄膜12的邊緣12a側跨越其中另一個的 電極11之内緣之跨越點。 起因於修整溝槽B1、B2的形成，用於描繪在電阻薄 膜12作用區域C内的電阻值決定區域的輪廓，視覺性地 B描繪出電阻值決定線EL1、EL2。复阻值決定線Eu、犯 :的長度與方向性，係依據修整溝槽B1、β2的外型及/或位 箄而有不同變化。以第1圖作舉例，當修整溝槽bi、b2 的第一線性部位Bla、B2a係呈短的時候，電阻值決定線 ELI、EL2自電阻薄臈12的邊緣12a側和緩的傾斜。此一 情況下’電阻值決^域在寬度方向~的方向上，是呈相 應性的寬度，使得在電極^間的電阻薄膜_阻值不 會增加太快。另一方面’當修整溝槽Bi、b2的第一線性 部位Bla、B2a係呈長的時候，電阻值決定線犯、犯 自電阻薄膜12的邊緣12a側陡劇的傾斜。此—情況下，電 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4長格（2iqχ 297公楚） --------------裝--------訂---------# (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 472270 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（14 7 式之電阻薄膜12之形成，可以藉由進行現有之薄膜形成技 術，例如.激.射.技術.來進行。 接著形成一個内塗覆層13，其完全覆蓋住在各個晶片 基板中所相應之電阻薄膜12的每一區域。内塗覆層^之 形成，可以藉由進行印刷上玻璃之類似材料膏（例如玻璃） 呈一預定圖案’之後烘烤圖案化的材料膏使其固定。 然後’如第4圖至第8圖所顯示，進行用於調整每個 晶片型修i之電阻值靜整處冑，其藉由雷射光束輻射 電、阻薄皞! 2及内塗覆層！ 3，來形成位於電阻薄膜12的修 弩溝槽B1、B2。雖然第4圖至第8圖僅顯示單一個的晶 片型電阻i，但是所進行的修整處理，不用將晶片型電Z i 自主基板20(第3圖所顯示）分離出。選擇性的另一種方 式’在主基板20沿著橫向伐線21a切開，而提供出複數個 基板排（substrate stripes)，每個基板排皆攜帶著複數個未 修整的晶片型電阻1，這個時候，才來進行修整處理。進 v行修整處理期間，將探針（秦顯示）固定並祿觸兩個母電極 ^22來量測電阻值。當所量測電阻薄臈12的電阻值介於容 象預定範園内時’便終止修整處理。 接下來，將予以說明修整處理的詳細步驟，並請同時 參照第4圖至第8圖。 、 首先，請參照第4圖，最先形成修整溝槽bi的第一 線性部位BU，用於大約性的增加電阻 BU在寬度方向W，自電阻薄膜12的外部緊 膜丨2的邊緣12a)延伸至電阻薄膜12的内部。第一線性部 ‘紙張I度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公楚） _____ W 3Π49Γ ---------------------訂---------餘· (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 472270 A7 —— ---§z______ 五、發明說明（16 ) " " ' '〜— 性修整溝槽B1的第一線性部位Bla，如此延伸而形成之。 因為第二線性部位B 2 b自第一線性部位b 2 a開始延伸，所 以產生一個邊角部位B2c。當所量測的電阻值例如到達目 標值的時後，第二線性部位B2b的形成便終止。此時刻， 第二線性部位B2b的終末端B2d設置在電阻值決定線EL2 的線上或緊鄰該線。尚且，精細性修整溝槽B2與大約性 修整溝槽B1 —起形成一個位於電阻薄膜12作用區域c内 的絕緣區域。 以此一方式進行’電阻薄臈12以大約性及精細性調整 後’達到最終正確之目標值。 請參見第8圖’在調整電阻值之後，藉由印刷方式， 形成一個位於内塗覆層13上面的外塗覆層ι4。 接著藉沿橫向伐線及縱向伐線21a 、21b切割，從主 基板20(參照第3圖）分離出每一個的晶片型基板1。如第8 圖顯示，雙點鏈線CL1、CL2代表晶片型基板i的切割邊 緣，由於切割器（未顯式）厚度的緣故，該雙點鏈線CL 1、 CL2有些離開橫向伐線及縱向伐線2丨a 、2丨b。 最後’以金屬！鍍一對電極11的暴露部位。在金屬電. 鐵期間’外塗覆層14完全覆蓋住電阻薄膜12，以避免電| 鑛的金屬從修整溝槽B1、B2侵入。尚且，甚至於當電鑛 的金屬’侵入了其中一個的修整溝槽Bi、B2，由修整溝 槽Bl、B2所包圍的絕緣區域’不受此金屬侵入影響，藉 此避免電流在電阻薄膜12的作用區域中漏洩。 依據上述之實施例，修整溝槽B 1、B 2的溝槽末端 · i--------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 16 311491 A7 五、發明說明（18 ) 他門的溝槽末端Bld、B2d，如第9圖所示，但是溝槽bi、 B2皆可以進一步包括：第三線性部位。第三線 性部位Ble、B2e在寬度方向％上，自相應之第二線性部 位Blb、B2b，朝著電阻薄膜12的邊緣⑶延伸。 本發明較佳實施例業已如上述所揭露，本發明可以明 顯的以不同之方式作變化，此等變化不能視為脫離本發明 之精神及範疇，並且所有該變化可能係為熟習該項技藝者 所明顯熟習，皆包含在本發明之申請專利圍。 -----------!裝.！ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------緯一 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

311491 〜J 本紙張尺度適用中國國豕標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

1. 47227 六、申請專利範圍 緣’該第-邊緣以縱向方向在該對的電極之間延伸，該 第二邊緣本質上在該對的電極之間平行於第—邊緣，且 在寬度方向與第—邊緣間隔開’其中寬度方向本質上垂 直於縱向方向；及 第—修整溝槽及第二修整溝槽，形成於電阻薄媒 中’各修整溝槽包括一個以寬度方向從電阻薄膜的第一 邊緣延伸的第-線性部位，該各修整溝槽亦包括第二線 性部位’以縱度方向，你1女沒& π從具有邊角部位形成其間的第一 線性部位延伸； 其中該第二修整溝槽的第二線性部位橫越該第一 修整溝槽的第一線性部位。 訂 綠 5. 如申清專利圍第4項所述之晶片型電阻，其中電阻薄 膜的第一邊緣在第一交點交叉第一電極，第一修整溝槽 的第二線性部係朝向第一電極的方向，並且在溝槽末端 終止，第二修整溝槽的第二線性部係朝向第二電極，第 二修整溝槽的邊角部位設置在一假想線上或緊鄰該假 想線，該假想線從第一修整溝槽的溝槽末端延伸至第一 交點。 6. 如申請專利範圍第4項所述之晶片型電阻，其中電阻薄 膜的第一邊緣在第二交點交叉第二電極，第一修整溝槽 的第二線性部係朝向第一電極的方向，第二修整溝槽的 第二線性部係朝向第二電極，並且在溝槽末端終止，該 第二修整溝槽的溝槽末端設置在一假想線上或緊鄰該 假想線，該假想線從第一修整溝槽的邊角部位延伸至筮 1本紙張尺度適用中國國家標準（CNi^^ (21D X )-—----- 311491 /、、申睛專利範圍 2該電阻薄膜形成第二修整溝槽； /、中第一修整溝槽的形成，包含下列步驟：形成從 電阻薄臈的第— 邊緣延伸的第一線性部位，及形成從具 邊角卩位开少成其間的第一線性部位延伸之第二線性 部位；及 其中第一修整溝槽的形成，包含下列步驟：形成從 薄膜的第—邊緣延伸的第一線性部位，及形成從具 邊角卩位开v成其間的第一線性部位延伸，並且橫越第 一修整溝槽的第一線性部位。 如申β專利範園第1G項所述之方法，其中電阻薄膜的 第邊緣在第一交點交叉第一電極，第一修整溝槽的第 二線性部係朝向第一電極的方向，第二修整溝槽的第二 線性部係朝向第二電極，第二修整溝槽的邊角部位設置 在假想線上或緊鄰該假想線，該假想線從第—修整溝 槽的溝槽末端延伸至第一交點。 12.如申請專利範圍第1〇項所述之方法，其中電阻薄膜的 第邊緣在第一父點父又第二電極，第一修整溝槽的苐 二線性部係朝向第一電極的方向，第二修整溝槽的第二 線性部係朝向第二電極，並且在溝槽末端終止，該第二 修整溝槽的溝槽末端設置在一假想線上或緊鄰該假想 線，該假想線從第一修整溝槽的邊角部位延伸至第二交 點。 一父 13.如申請專利範圍第10項所述之方法，其中第—修整溝 I 槽的形成，進一步包括形成第三線性部，此第三線性部 本纸張尺度適用t國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱— 从 311491