TWI826426B

TWI826426B - 晶片電阻器

Info

Publication number: TWI826426B
Application number: TW108109965A
Authority: TW
Inventors: 井口夏希; 牛山和久; 上條泰弘
Original assignee: 日商Ｋｏａ股份有限公司
Priority date: 2018-03-23
Filing date: 2019-03-22
Publication date: 2023-12-21
Also published as: JP7085378B2; TW201946073A; DE112019001489T5; JP2019169598A; WO2019181974A1; US20210005361A1; CN111868852A; US11164688B2

Abstract

本發明之目的在於提供一種尤其使熱點分散、並可減輕由微裂痕對特性引起之不良影響之晶片電阻器。本發明之晶片電阻器(1)之特徵在於具有絕緣基板(2)、電阻體(3)、及電極(4、5)，且於電阻體形成有第1修整槽(11)及第2修整槽(12)，第1修整槽之第1縱槽(11a)與第2修整槽之第2縱槽(12a)於X1-X2方向空開間隔而形成，第1修整槽之第1橫槽(11b)與第2修整槽之第2橫槽(12b)朝彼此接近之方向延伸，且以不於Y1-Y2方向上重疊之方式，將第1橫槽及第2橫槽之各終端(11c、12c)於X1-X2方向分離而形成。

Description

晶片電阻器

本發明係關於一種晶片電阻器。

一般而言，晶片電阻器構成為具有絕緣基板、形成於絕緣基板之表面之電阻體、及配置於電阻體之兩側之電極。

晶片電阻器之製造方法中，對於大型基板形成多數個電極或電阻體之後，將大型基板分割而切取出多數個晶片電阻器。

電阻體係藉由於大型基板之表面印刷、焙燒電阻漿料而形成多數個。此時，由於印刷時之膜厚偏差或滲出、或焙燒爐內之溫度不均等，容易使得各電阻體之電阻值產生偏差。

因此，於大型基板之狀態下，於各電阻體形成修整槽，進行設定為特定電阻值之電阻值調整作業。

根據專利文獻1之記述，於電阻體形成粗調製用及微調製用之大致L字型之修整槽。

專利文獻1所記述之發明之特徵在於，其係於電阻體之中央附近，使粗調製用之修整槽與微調製用之修整槽交叉之構成。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2000-340401號公報

然而，若將各修整槽形成為於電阻體之中央附近交叉，則電位分佈會集中於電阻體之中央(電場強度增強)，而於電阻體之中央產生熱點。以該構成而言，由於熱點在距電極較遠之電阻體之中央產生，因而導致散熱性下降。

又，若於電阻體開出修整槽，則會產生修整後之微裂痕對電阻體之電性特性或耐久性造成障礙之問題。微裂痕會在從電阻體之端邊起於電阻體內描繪修整時之修整槽之終端產生。因此，必須減輕由在修整槽之終端產生之微裂痕對特性引起之不良影響。

因此，本發明係鑑於上述問題而完成者，其目的在於提供一種尤其使熱點分散，並可減輕由微裂痕對特性引起之不良影響之晶片電阻器。

本發明之晶片電阻器之特徵在於具有：基板；電阻體，其形成於上述基板之表面；及電極，其形成於上述電阻體之兩側；且於上述電阻體，至少形成有第1修整槽及第2修整槽；上述第1修整槽及上述第2修整槽各自之在相對於電極間方向正交之方向上對向之縱槽自上述電阻體之一端邊朝上述正交方向延伸，且橫槽自上述縱槽向上述電極間方向彎曲而延伸；上述第1修整槽之第1縱槽與上述第2修整槽之第2縱槽於上述電極間方向空開間隔而形成；上述第1修整槽之第1橫槽與上述第2修整槽之第2橫槽朝彼此接近之方向延伸，且以不於上述正交方向上重疊之方式，將上述第1橫槽及上述第2橫槽之各終端於上述電極間方向分離而形成。

根據本發明之晶片電阻器，可使熱點分散，並可減輕微裂痕對特性之不良影響。

1:晶片電阻器

2:絕緣基板

2a:絕緣基板之正面

2b:絕緣基板之背面

2c:絕緣基板之端面(左側面)

2d:絕緣基板之端面(右側面)

3:電阻體

3a:第1端邊

3b:第2端邊

3c:左端邊

3d:右端邊

4:電極

4a:上電極

4b:下電極

4c:端面電極

5:電極

5a:上電極

5b:下電極

5c:端面電極

6:第1保護層

7:第2保護層

11:第1修整槽

11a:第1縱槽

11b:第1橫槽

11c:終端

12:第2修整槽

12a:第2縱槽

12b:第2橫槽

12c:終端

20:電阻體

20b:第2端邊

21:第1修整槽

21b:第1橫槽

22:第2修整槽

22b:第2橫槽

31:第1修整槽

31a:第1縱槽

31b:第1橫槽

31c:終端

32:第2修整槽

32a:第2縱槽

32b:第2橫槽

32c:終端

41:第1修整槽

41a:第1縱槽

41b:第1橫槽

41c:終端

41d:彎曲端

42:第2修整槽

42a:第2縱槽

42b:第2橫槽

42c:終端

43:第3修整槽

43a:第3縱槽

43b:第3橫槽

43c:終端

100:大型基板

101:1次分割槽

102:2次分割槽

103:電極層

A:第1區域

a:距離

B:區域

b:距離

C:區域

D:區域

E:區域

H1:熱點

H2:熱點

L1:第1假想線

L2:第2假想線

L3:第3假想線

O:交點

O1:交點

O2:交點

T:修整區域

X1:方向

X2:方向

Y1:方向

Y2:方向

Z1:方向

Z2:方向

圖1係顯示本實施形態之晶片電阻器之俯視圖。

圖2係沿圖1所示之A-A線切斷而自箭頭方向觀察之本實施形態之晶片電阻器之剖視圖。

圖3係顯示於電阻體形成第1修整槽(粗調製用之修整槽)時之電位分佈之電位分佈圖。

圖4係顯示繼圖3之後，於電阻體形成第2修整槽(微調整用之修整槽)時之電位分佈之電位分佈圖。

圖5係用於說明於具備第1修整槽及第2修整槽之電阻體所產生之熱點之電阻體之平面模式圖。

圖6係構成比較例之晶片電阻器之電阻體之俯視圖。

圖7係另一實施形態之晶片電阻器之俯視圖。

圖8係又一實施形態之晶片電阻器之俯視圖。

圖9A係顯示本實施形態之晶片電阻器之製造步驟之俯視圖，圖9B係顯示圖9A之下一個製造步驟之俯視圖，圖9C係顯示圖9B之下一個製造步驟之俯視圖。

圖10A係顯示圖9C之下一個製造步驟之俯視圖，圖10B係顯示圖10A之下一個製造步驟之俯視圖，圖10C係顯示圖10B之下一個製造步驟之俯視圖，圖10D係顯示圖10C之下一個製造步驟之俯視圖。

以下，對本發明之一實施之形態(以下，簡稱為「實施形態」)進行詳細說明。另，本發明並非限定於以下之本實施形態者，於其主旨之範圍內可進行各種變化而實施。

<晶片電阻器>

圖1係本實施形態之晶片電阻器之俯視圖。圖2係沿圖1所示之A-A線切斷而自箭頭方向觀察之本實施形態之晶片電阻器之剖視圖。

(晶片電阻器之各構成要素)

圖1、圖2所示之X1-X2方向係電極間方向、或橫向，X1為左方向，X2為右方向。以下，主要表述為橫向(X1-X2)。圖1所示之Y1-Y2方向係相對於X1-X2方向正交之方向、或縱向。以下，主要表述為縱向(Y1-Y2)。圖2所示之Z1-Z2方向係相對於X1-X2方向及Y1-Y2方向正交之高度方向，Z1方向為晶片電阻器1之正面方向，Z2方向為晶片電阻器1之背面方向。

如圖1、圖2所示，晶片電阻器1構成為具有絕緣基板2、形成於絕緣基板2之正面2a之電阻體3、及配置於電阻體3之橫向(X1-X2)之兩側之一對電極4、5。

如圖1、圖2所示，例如，絕緣基板2為板狀，但並不限定絕緣基板2之形狀。如圖1、圖2所示，絕緣基板2構成為具有正面2a、背面2b、及包圍正面2a與背面2b之間之側面。側面中，於圖1、圖2中，對左側面2c、及右側面2d標註符號

絕緣基板2由陶瓷等構成，該絕緣基板2係將後述之大型基板沿縱橫之分割槽分割而切取出多數個者。

如圖1所示，電阻體3於絕緣基板2之正面2a，例如以長方形狀形成。如圖1所示，電阻體3具有：第1端邊3a，其位於Y2側並向橫向 (X1-X2)延伸；第2端邊3b，其位於Y1側並向橫向(X1-X2)延伸；左端邊3c，其連接第1端邊3a與第2端邊3b之各左端，並向縱向(Y1-Y2)延伸；及右端邊3d，其連接第1端邊3a與第2端邊3b之各右端，並向縱向(Y1-Y2)延伸。另，圖1所示之電阻體3之平面形狀乃一例。

電阻體3係將例如Cu-Ni或氧化釕等電阻體漿料進行絲網印刷且使其乾燥、焙燒而成者。

配置於左側之第1電極4構成為具有：上電極4a，其形成於絕緣基板2之正面2a；下電極4b，其形成於對應於上電極4a之絕緣基板2之背面2b；及端面電極4c，其電性連接上電極4a與下電極4b之間，並形成於左側面2c上。於端面電極4c之表面，形成電極鍍覆層。

同樣地，配置於右側之第2電極5構成為具有：上電極5a，其形成於絕緣基板2之正面2a；下電極5b，其形成於對應於上電極5a之絕緣基板2之背面2b；及端面電極5c，其電性連接上電極5a與下電極5b之間，並形成於右側面2d上。於端面電極5c之表面，形成電極鍍覆層。

如圖2所示，各上電極4a、5a於絕緣基板2之正面2a左右分離而形成。電阻體3以一部分重疊於上電極4a、5a上之方式，形成於絕緣基板2之正面2a。

上電極4a、5a及下電極4b、5b係將例如Ag系漿料進行絲網印刷且乾燥、焙燒而形成。端面電極4c、5c係對例如絕緣基板2之端面2c、2d塗佈Ag系漿料且進行乾燥、焙燒者，或取代Ag系漿料而將Ni/Cr等濺鍍而成。且，於端面電極4c、5c之表面，形成Ni或Au、或Sn等之電極鍍覆層。

又，如圖2所示，於電阻體3之表面，形成第1保護層6。進而，於第1保護層6之表面，形成第2保護層7。藉此，可自外部環境保護電阻體3。例如，第1保護層6以玻璃為主要成分，第2保護層7係將環氧系之樹脂漿料進行絲網印刷且使其加熱硬化而成者。

然而，本發明者們精心研究之結果，對於作為電阻體3之電阻值調製用之修整槽之形成，根據可使電阻體3內產生之熱點分散並抑制由微裂痕對特性引起之不良影響之觀點，而研發出本發明。

以下，對本實施形態之第1修整槽11及第2修整槽12之特徵點進行說明。

圖1所示之長度較長之第1修整槽11係作為電阻值之粗調製用之修整槽。另一方面，圖1所示之第2修整槽12係長度短於第1修整槽11且作為電阻值之微調整用之修整槽。

如圖1所示，第1修整槽11形成為例如自電阻體3之第1端邊3a朝Y1方向延伸並於電阻體3內朝右方向(X2)彎曲之大致L字型。第1修整槽11具備朝Y1方向延伸之第1縱槽11a、及自第1縱槽11a朝右方向(X2)延伸之第1橫槽11b。

又，如圖1所示，第2修整槽12形成為例如自電阻體3之第1端邊3a朝Y1方向延伸並於電阻體3內朝左方向(X1)彎曲之大致L字型。第2修整槽12具備朝Y1方向延伸之第2縱槽12a、及自第2縱槽12a朝左方向(X1)延伸之第2橫槽12b。

如圖1所示，第1縱槽11a、第2縱槽12a於橫向(X1-X)空開間隔而形成。第1縱槽11a形成為較第2縱槽12a更長。

又，如圖1所示，第1橫槽11b及第2橫槽12b分別自第1縱槽11a及第2縱槽12a彎曲，並朝彼此接近之方向延伸。此外，以各橫槽 11b、12b不於縱向(Y1-Y2)上重疊之方式，將各橫槽11b、12b之終端11c、12c於橫向(X1-X2)分離而形成。另，第1橫槽11b形成為較第2橫槽12b更長。

此處，「終端」是指照射雷射光而修整電阻體3時之照射終點。照射起點位於各修整槽11、12之第1端邊3a之位置，該位置相當於各修整槽11、12之「始端」。

如圖1所示，大致L字型之第1修整槽11及第2修整槽12彼此對向，且以不於縱向(Y1-Y2)上重疊之方式，各自形成為第1修整槽11靠近左側之電極4、第2修整槽12靠近右側之電極5。

本實施形態中，隨著各修整槽11、12之形成，可使電阻體3內產生之熱點分散。針對熱點之分散效果，使用圖3及圖4之電位分佈圖進行說明。

(熱點之分散效果)

圖3係將作為粗調製用之修整槽之第1修整槽11形成於電阻體3時之電位分佈圖。

如圖3所示，將雷射光自電阻體3之第1端邊3a向Y1方向照射且轉向右方向(X2)，而形成大致L字狀之第1修整槽11。

第1修整槽11形成為較電阻體3之橫向(X1-X2)之中心更靠左。第1修整槽11形成為具備第1縱槽11a與第1橫槽11b。此時，第1縱槽11a形成於與第1電極4相隔距離a之位置。又，第1橫槽11b朝向與第1電極4分離之方向即右方向(X2)而形成。

如圖3所示，藉由第1修整槽11之形成，第1橫槽11b與電阻體3之第2端邊3b之間之縱向(Y1-Y2)上之間隔與其他部位相比變窄。以下，將第1橫槽11b與第2端邊3b之間稱為第1區域A。如此，因第1區域A之間隔變窄，故於對電極4、5間施加電壓之狀態下，第1區域A之電場強度變高。另一方面，由將第1修整槽11之終端11c連至終端11c所朝向之側之第2電極5與第1端邊3a之交點O的第1假想線L1、向縱向(Y1-Y2)自終端11c連至第1端邊3a的第2假想線L2、及第1端邊3a之間所包圍之區域B之電場強度，與第1區域A相比較低。

此處，如圖3所示，第1假想線L1較佳定義為朝第2端邊3b方向凸出之曲線，而非直線。第1假想線L1較佳位於等電位線之間隔自第2端邊3b側向第1端邊3a側開始擴展之大致分界位置。若要自圖3之電位分佈圖中找出大致分界位置，則為於第2端邊3b方向稍微凸起之曲線。再者，更佳為將第1假想線L1設為直線，使得用於形成第2修整槽12之區域B之規定成為更嚴格之條件。

如圖4所示，本實施形態中，將雷射光自電阻體3之第1端邊3a向Y1方向照射，且轉向左方向(X1)，而形成包含大致L字型之微調整用之第2修整槽12。

第2修整槽12形成為較電阻體3之橫向(X1-X2)之中心更靠右。第2修整槽12係具備第2縱槽12a與第2橫槽12b而形成之大致L字型。此時，第2縱槽12a與第2電極5之間之間隔，較佳以與第1縱槽11a與第1電極4之間之距離a大致相等之距離a形成。又，第2橫槽12b之終端12c朝向左方向(X1)形成。因此，第1修整槽11之終端11c與第2修整槽12之終端12c朝彼此接近之方向延伸。

此外，本實施形態中，以第1修整槽11之第1橫槽11b與第2修整槽12之第2橫槽12b不於縱向(Y1-Y2)上重疊之方式，將第1修整槽11 之終端11c及第2修整槽12之終端12c彼此於橫向(X1-X2)分離而形成。

藉由第2修整槽12之形成，第2橫槽12b與電阻體3之第2端邊3b之間之縱向(Y1-Y2)上之間隔變得較區域A以外之其他部位更窄。以下，將第2橫槽12b與第2端邊3b之間稱為第2區域C。如此，第2區域C之間隔變窄。因此，於對電極4、5間施加電壓之狀態下，第2區域C中之電場強度變高。惟與第2區域C相比，因第1區域A較窄，故第1區域Ab之電場強度高於第2區域C。

電場強度較高之第1區域A及第2區域C與縱向(Y1-Y2)上之間隔較寬之其他區域相比，成為熱點。

圖5係顯示電阻體內之溫度分佈之模式圖。如圖5所示，熱點H1產生於第1修整槽11之第1橫槽11b附近。又，熱點H2產生於第2修整槽12之第2橫槽12b附近。如圖5所示，溫度較高之區域在第1修整槽11之第1橫槽11b附近比在第2修整槽12之第2橫槽12b附近更廣。

圖6係作為比較例而於電阻體20設置修整槽21、22之一例。如圖6所示，作為粗調整用之第1修整槽21之第1橫槽21b之一部分、與作為微調整用之第2修整槽22之第2橫槽22b之一部分於縱向(Y1-Y2)上重疊。以尺寸b表示重疊寬度。

圖6所示之比較例中，第1修整槽21之第1橫槽21b與電阻體20之第2端邊20b間之間隔與其他部位相比較窄。圖6所示之第1橫槽21b與第2端邊20b之間之區域D之電場強度變高，成為熱點。

圖6所示之比較例中，於電阻體20之橫向(X1-X2)之中央附近產生熱點。與此相對，本實施形態中，如圖4所示，可將電場強度較高之區域A、C於左右方向(X1-X2)分開。因此，如圖5所示，可將熱點H1、 H2於左右方向分散。

圖6所示之比較例中，因熱點於電阻體20之中央附近產生，故熱點位於距電極4、5較遠之位置。因此，熱點之熱難以適當地朝電極4、5散逸。

與此相對，本實施形態中，如圖5所示，可分散熱點H1、H2，可使於第1修整槽11之第1橫槽11b附近產生之熱點H1靠近第1電極4側。又，可使於第2修整槽12之第2橫槽12b附近產生之熱點H2靠近第2電極5側。

因此，本實施形態中，可將熱點H1之熱適當地朝第1電極4之上電極4a散逸，將熱點H2之熱適當地朝第2電極5之上電極5a散逸。

又，於本實施形態，與圖6之比較例相比，亦可縮短第1修整槽11與第1電極4之下電極4b之距離、及第2修整槽12與第2電極5之下電極5b之距離(參照圖2)。因此，亦容易將熱點H1之熱朝第1電極4之下電極4b散逸。同樣地，亦容易將熱點H2之熱朝第2電極5之下電極5b散逸。

(關於微裂痕)

對微裂痕進行說明。本實施形態中，使第1修整槽11之終端11c、第2修整槽12之終端12c朝彼此接近之方向延伸。因此，於終端11c、12c產生之微裂痕之至少一部分在修整槽11、12之間於電流不流通之區域伸展。其結果，可適當地抑制電阻值之經時變化。進而詳細地進行說明。

本實施形態中，如圖4所示，於縱向(Y1-Y2)上之寬度從第1修整槽11之終端11c至第2電極5逐漸變窄之區域B，形成微調整用之第2修整槽12。區域B係電流不流通之區域，或至少與其他區域相比電流不易流通之區域。然而，於本實施形態，將第2修整槽12之終端12c設置於朝向第1修整槽11之終端11c之方向。因此，於第2修整槽12之終端12c產生之微裂痕朝區域B之縱向(Y1-Y2)上之間隔較寬之側伸展。因此，電阻值之經時變化不受第2修整槽12產生之微裂痕之影響，或至少極為不受微裂痕之影響。

又，第1修整槽11之終端11c產生之微裂痕之一部分也容易於區域B內伸展。因此，亦能極力抑制第1修整槽11產生之微裂痕之不良影響。

基於以上，根據本實施形態之構成，可分散熱點H1、H2，可使散熱性提高，並可減輕各修整槽11、12之終端11c、12c產生之微裂痕對特性之不良影響。

本實施形態中，如圖4所示，較佳為第1修整槽11之第1縱槽11a與第1電極4之間之距離a、和第2修整槽12之第2縱槽12a與第2電極5之間之距離a大致相等。「大致相等」定義為將一距離a除以另一距離a之值約為0.9~1.1以內。又，較佳為各距離a相等。再者，「相等」為包含製造誤差之概念。

根據該構成，於電阻體3內產生之電位分佈之左右平衡變佳。又，因修整時之熱致使電極材料自電極4、5向電阻體3之擴散會於兩側平衡地產生。藉此，可抑制因修整所致之電阻溫度係數(TCR：Temperature Coefficient Of Resistance)之變動。

(其他實施形態)

對其他實施形態之構成進行說明。圖7所示之實施形態中，第1修整槽31與第2修整槽32以大致相同之長度形成。即，第1修整槽31之第1縱槽31a、第2修整槽32之第2縱槽32a各自為大致相同之長度。又，第1修整槽 31之第1橫槽31b、第2修整槽32之第2橫槽32b分別由大致相同之長度形成。

圖7所示之實施形態亦與圖1所示之實施形態同樣地，第1修整槽31之第1橫槽31b、第2修整槽32之第2橫槽32b朝彼此接近之方向延伸。進而，以第1橫槽31b與第2橫槽32b不於縱向(Y1-Y2方向)上重疊之方式，將各終端31c、32c於橫向(X1-X2)分離而形成。

又，於圖7所示之實施形態，較佳為第1修整槽31之第1縱槽31a與第1電極4之間之距離a、和第2修整槽32之第2縱槽32a與第2電極5之間之距離a大致相等。

圖7所示之實施形態亦可使熱點左右地分散，可使散熱性提高，並可減輕於各修整槽31、32之終端31c、32c產生之微裂痕對特性之不良影響。惟就微裂痕而言，圖1之構成較圖7可更有效地減輕微裂痕對特性之不良影響。

圖8所示之其他實施形態中，形成有3個修整槽。圖8所示之第1修整槽41係粗調整用之修整槽，第2修整槽42及第3修整槽43係微調整用之修整槽。

第1修整槽41自電阻體3之第1端邊3a朝Y1方向延伸，且為向左方向(X1)彎曲之大致L字型。第1修整槽41構成為具備第1縱槽41a與第1橫槽41b。

第2修整槽42係自電阻體3之第1端邊3a向Y1方向延伸且向右方向(X2)彎曲之大致L字型。第2修整槽42構成為具備第2縱槽42a與第2橫槽42b。

如圖8所示，第1修整槽41之第1橫槽41b與第2修整槽42之第2橫槽42b向彼此接近之方向延伸，且以不於縱向(Y1-Y2)上重疊之方式，將各終端41c、42c於橫向(X1-X2)分離而形成。

如圖8所示，於隔著第1修整槽41之左右兩側，形成有微調整用之第2修整槽42與第3修整槽43。

如圖8所示，第3修整槽43係自電阻體3之第1端邊3a向Y1方向延伸且向左方向(X1)彎曲之大致L字型。第3修整槽43構成為具備第3縱槽43a與第3橫槽43b。

圖8中，第1修整槽41之修整長度最長，第2修整槽42第二長，第3修整槽43最短。第3修整槽43亦可為與第2修整槽42相同程度之長度。

如圖8所示，於將第1修整槽41之終端41c及該終端41c朝向之側之第1電極4與第1端邊3a之交點O1相連之第1假想線L1、自終端41c向縱向(Y1-Y2)引出至第1端邊3a之第2假想線L2、及第1端邊3a所包圍之區域B，形成第2修整槽42。

又，於將第1修整槽41之彎曲端41d及第2電極5與第1端邊3a之交點O2相連之第3假想線L3、第1修整槽41之第1縱槽41a、及第1端邊3a所包圍之區域E，形成第3修整槽43。

圖8所示之實施形態亦為，各修整槽41、42、43各自不於縱向(Y1-Y2)上重疊，可使熱點向左右分散。因此，可使散熱性提高。此外，可減輕於各修整槽41、42、43之終端41c、42c、43c產生之微裂痕對特性之不良影響。

本實施形態中，亦可將修整槽設為4個以上。可於形成於圖8所示之第1修整槽41之左右之各區域B、E形成微調整用之修整槽。此時，藉由使微調整用之修整槽之橫槽向粗調整用之第1修整槽41延伸，可有效地減輕微裂痕對特性之不良影響。

<晶片電阻器之製造方法>

圖9係顯示本實施形態之晶片電阻器之製造步驟之俯視圖。

圖9A中，首先，準備要切取出多數個絕緣基板2之大型基板100。於大型基板100，預先將1次分割槽101與2次分割槽102設置為格子狀。且，將藉由1次分割槽101、及2次分割槽102劃分之方格之各者設為1個晶片區域。

於圖9B所示之步驟中，將構成第1電極4及第2電極5之各上電極4a、5a之複數個電極層103形成於大型基板100之正面側之特定位置。又，雖未圖示，但將構成第1電極4及第2電極5之各下電極4b、5b之電極層形成於大型基板100之背面側之特定位置。於大型基板100，可將例如Ag系漿料進行絲網印刷之後，將其乾燥、焙燒而形成電極層103。

接著，於圖9C所示之步驟中，於大型基板100之表面，藉由將Cu-Ni或氧化釕等電阻體漿料進行絲網印刷且進行乾燥、焙燒，而於電極層103之間之各區域形成電阻體3。藉此，可經由電阻體3而連接電極層103之間。

接著，於圖10A所示之步驟中，藉由自電阻體3之表面將玻璃漿料進行絲網印刷並進行乾燥、焙燒，而形成覆蓋電阻體之第1保護層6。

接著，於圖10B所示之步驟中，於各電阻體3形成粗調整用之第1修整槽11，將電阻體3之電阻值粗調整為較目標電阻體略低之值。

接著，於各電阻體3形成微調整用之第2修整槽12，將電阻體3之電阻值微調整為目標電阻值。例如，形成第2修整槽12，將電阻體3之電阻值微調整為較目標電阻值略低之電阻值。其後，作為使電阻值上升至目標電阻值之最終調整，亦可形成第3修整槽。

關於第1修整槽11及第2修整槽12之形成，如已使用圖3、圖4說明般，使第1修整槽11之第1橫槽11b與第2修整槽12之第2橫槽12b向彼此接近之方向延伸。進而，以不於縱向上重疊之方式，將第1修整槽11與第2修整槽12之各終端11c、12c於橫向分離而形成。

再者，修整係形成於電阻體3與覆蓋電阻體3之表面之第1保護層6(參照圖2)。圖10B中，第1保護層6未圖示，而圖示形成於電阻體3之第1修整槽11及第2修整槽12。

其次，於圖10C所示之步驟中，於覆蓋電阻體之表面之第1保護層6上形成第2保護層7。第2保護層7可藉由將例如環氧系之樹脂漿料進行絲網印刷、加熱加工而形成。

接著，將圖10C所示之大型基板100沿1次分割槽101分割為短條狀(1次分割加工)。藉此，獲得由複數個晶片電阻器連成一體之短條狀基板(未圖示)。接著，於短條狀基板之分割面，塗佈例如Ag漿料且進行乾燥．焙燒，或取代Ag漿料而將Ni/Cr進行濺鍍。藉此，形成將各上電極與各下電極間電性連接之端面電極(圖10C中未圖示，參照圖2之端面電極5c)。

接著，將短條狀基板沿2次分割槽102進行分割(2次分割加工)。藉此，可獲得複數個晶片電阻器1。最後，藉由對圖10D所示之經單片化之晶片電阻器1之電極表面，實施Ni與Au與Sn等電解鍍覆，可獲得圖1、圖2所示晶片電阻器1。

根據本實施形態之晶片電阻器1之製造方法，於修整電阻體3而進行電阻調整時，於形成粗調整用之第1修整槽11之後，形成微調整用之第2修整槽12。此時，將第2修整槽12之第2橫槽12b形成為接近第1修整槽11之第1橫槽11b，且以不於縱向(Y1-Y2)上重疊之方式，將第1修整槽11之終端11c、第2修整槽12之終端12c於橫向(X1-X2)分離而形成(參照圖4)。

藉此，可使於電阻體3內產生之熱點向左右方向分散，並可適當地抑制於終端11c、12c產生之微裂痕對特性之不良影響。

藉由以上，根據本實施形態之晶片電阻器之製造方法，可適宜且容易地製造散熱性優異、且可將修整後之電阻溫度係數(TCR)之變化量高精度地調整為目標值之晶片電阻器。

[實施例]

以下，以實施例為基礎更詳細地說明本發明。另，本發明一概非由以下之實施例予以限定者。

於實驗中，按照圖3、圖4所示之順序，將第1修整槽11及第2修整槽12形成於電阻體3，且進行電阻值之調整。

實驗所使用之電阻體3於橫向(X1-X2)上之長度尺寸為1000μm，縱向之長度尺寸為500μm。此處，「電阻體3於橫向(X1-X2)上之長度尺寸」為不與電極重疊之電阻體3之橫寬。

規定圖3、圖4所示之距離a之尺寸及電阻體3上之修整區域T。修整區域T可由將不與電極4、5重疊之電阻體3之面積設為100%時之比例而求出。圖1中顯示修整區域T。

例如，若將電阻溫度係數(TCR)之變化量之目標值設為±10 ppm左右，則就本實施例之電阻體3之大小，得知需將距離a之尺寸設定為100μm左右，將修整區域T設定為40%左右。

本實施例中，修整區域T如圖1所示，為將電阻體3相對於縱向(Y1-Y2)二等分之電阻體3之第1端邊3a側之面積50%中、去除距離a之兩側之面積40%之區域。

於該修整區域T內，以雷射照射形成作為粗調整用之第1修整槽11之後，以雷射照射形成作為微調整用之第2修整槽12。第2修整槽12形成於圖3、圖4所示之第1假想線L1、第2假想線L2、及第1端邊3a所包圍之區域B內。

如圖3、圖4所示，以第1修整槽11之第1橫槽11b與第2修整槽12之第2橫槽12b彼此接近且彼此不於縱向(Y1-Y2)上重疊之方式，將各終端11c、12c於橫向(X1-X2)分離而形成。進而，本實施形態中，調整為第1修整槽11之第1橫槽11b之長度：第2修整槽12之第2橫槽12b之長度=2：1。

對於修整後之晶片電阻器，於電極4、5間施加電壓，使用熱像儀確認電阻器3內之熱點後發現，可確認熱點向左右方向(X1-X2)分散。

又，得知可將修整後之電阻溫度係數(TCR)之變化量降為±10ppm以下。

將本實施形態之特徵性構成匯總記述如下。

本實施形態之晶片電阻器1之特徵在於：具有：絕緣基板2；電阻體3，其形成於絕緣基板2之正面；及電極4、5，其形成於電阻體3之兩側。於電阻體3，至少形成有第1修整槽11及第2修整槽12。第1修整槽11及第2 修整槽12各自之在相對於電極間方向正交之方向上對向之縱槽11a、12a自電阻體3之一端邊3a朝正交方向延伸，且橫槽11b、12b自縱槽11a、12a向電極間方向彎曲而延伸。第1修整槽11之第1縱槽11a與第2修整槽12之第2縱槽12a於電極間方向空開間隔而形成。第1修整槽11之第1橫槽11b與第2修整槽12之第2橫槽12b朝彼此接近之方向延伸，且以不於上述正交方向上重疊之方式，將第1橫槽11b及第2橫槽12b之各終端11c、12c於電極間方向分離而形成。

本實施形態中，較佳於自第1修整槽11之第1橫槽11b之終端11c連至終端11c朝向之側之電極5與一端邊3a之交點O之第1假想線L1、於正交方向自終端11c連至一端邊3a之第2假想線L2、及一端邊3a之間所包圍之區域B內，形成第2修整槽12。

於本實施形態，較佳為第1修整槽11之第1縱槽11a與靠近第1縱槽11a側之電極4之間之距離a、及第2修整槽12之第2縱槽12a與靠近第2縱槽12a側之電極5之間之距離a大致相等。

[產業上之可利用性]

本發明之晶片電阻器之散熱性優異，且可減小電阻值之經時變化。尤其，本發明之晶片電阻器可使對電極之散熱作用提高，可將熱適當地朝散熱片側散逸。如此，本發明之晶片電阻器之熱穩定性優異，並可對各種電路基板安裝。

本申請案係以2018年3月23日提出申請之日本專利特願第2018-055880號為基礎。該案之全文以引用之方式併入本文中。

1‧‧‧晶片電阻器

2‧‧‧絕緣基板

2a‧‧‧絕緣基板之正面

2c‧‧‧絕緣基板之端面(左側面)

2d‧‧‧絕緣基板之端面(右側面)

3‧‧‧電阻體

3a‧‧‧第1端邊

3b‧‧‧第2端邊

3c‧‧‧左端邊

3d‧‧‧右端邊

4‧‧‧電極

5‧‧‧電極

11‧‧‧第1修整槽

11a‧‧‧第1縱槽

11b‧‧‧第1橫槽

11c‧‧‧終端

12‧‧‧第2修整槽

12a‧‧‧第2縱槽

12b‧‧‧第2橫槽

12c‧‧‧終端

T‧‧‧修整區域

X1‧‧‧方向

X2‧‧‧方向

Y1‧‧‧方向

Y2‧‧‧方向

Claims

一種晶片電阻器，其特徵在於具有：基板；電阻體，其形成於上述基板之表面；及電極，其形成於上述電阻體之兩側；且於上述電阻體，至少形成有第1修整槽及第2修整槽；上述第1修整槽及上述第2修整槽各自係：縱槽自相對於電極間方向正交之方向對向之上述電阻體之一端邊朝上述正交方向延伸，且橫槽自上述縱槽向上述電極間方向彎曲而延伸；上述第1修整槽之第1縱槽與上述第2修整槽之第2縱槽於上述電極間方向空開間隔而形成；上述第1修整槽之第1橫槽與上述第2修整槽之第2橫槽朝彼此接近之方向延伸，且以不於上述正交方向上重疊之方式，將上述第1橫槽及上述第2橫槽之各終端於上述電極間方向分離而形成；上述第2修整槽形成於：自上述第1修整槽之上述第1橫槽之終端連至上述終端所朝向之側之上述電極與上述一端邊之交點之第1假想線、朝向上述正交方向自上述終端連至上述一端邊之第2假想線、及上述一端邊之間所包圍之區域內。
如請求項1之晶片電阻器，其中上述第1修整槽之上述第1縱槽與接近上述第1縱槽之側之上述電極之間之距離、及上述第2修整槽之上述第2縱槽與接近上述第2縱槽之側之上述電極之間之距離大致相等。